KR20220065220A - 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220065220A KR20220065220A KR1020200151501A KR20200151501A KR20220065220A KR 20220065220 A KR20220065220 A KR 20220065220A KR 1020200151501 A KR1020200151501 A KR 1020200151501A KR 20200151501 A KR20200151501 A KR 20200151501A KR 20220065220 A KR20220065220 A KR 20220065220A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- bowl
- substrate support
- rotation speed
- unit
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
기판에서 튀겨진 처리용액이 보울을 맞고 되튀겨 나와 기판의 표면으로 되돌아오는 것을 억제하는 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지부, 기판의 가장자리를 감싸도록 배치되어 기판에서 비산된 약액을 회수하는 보울, 기판 지지부 및 보울을 회전시키는 구동부를 포함하되, 보울의 내측면은 기판에서 비산된 약액의 반사를 원활하게 하는 코팅층이 형성되어 있다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 기판에 집적회로를 형성하기 위한 기판 처리 공정은 실리콘 기판에 산화막을 성장시키고 불순물을 침적시키며 침적된 불순물을 실리콘 기판 내로 원하는 깊이까지 침투시키는 확산 공정과, 식각이나 이온주입이 될 부위의 보호 부위를 선택적으로 한정하기 위해 마스크(mask)나 레티클(reticle)의 패턴을 기판 위에 만드는 포토 리소그래피(Photo lithography) 공정, 포토레지스트 막질에 대한 현상이 끝난 후 포토레지스트 막질 밑에 성장되거나 침적 또는 증착된 박막들을 가스나 화학약품을 이용하여 선택적으로 제거하는 식각 공정, 및 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)이나 이온 주입 또는 금속 증착 방법을 이용하여 특정한 막을 형성시키는 박막 공정 등의 단위 공정을 포함한다.
이러한 다양한 기판 처리 공정에서 대부분은 기판 상에 여러가지 화학약품을 도포하여 이루어진다. 기판 상에 화학약품을 도포하는 방법은 여러가지 방법이 있으나 주로 사용되는 방법은 기판을 회전시키고, 기판의 표면에 약액을 분비하여, 회전력과 원심력에 의해 약액이 기판의 표면에 고르게 작용되도록 하는 것이다.
그러나, 기판 지지부의 회전속도가 너무 빠르거나 기판과 보울의 거리가 너무 짧게 구성되어 있으면 기판에서 튀겨진 처리용액(예를 들어, 포토레지스트 용액)이 보울을 맞고 되튀겨 나와 기판의 표면으로 되돌아오는 경우가 발생한다. 이러한 상태에서 노광을 실시하면 원하는 포토레지스트 막이 형성되지 않을 뿐 아니라 기판 불량이 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판에서 튀겨진 처리용액이 보울을 맞고 되튀겨 나와 기판의 표면으로 되돌아오지 않도록 보울의 표면을 코팅하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판의 가장자리를 감싸도록 배치되어 상기 기판에서 비산된 약액을 회수하는 보울; 상기 기판 지지부 및 상기 보울을 회전시키는 구동부를 포함하되, 상기 보울의 내측면은 상기 기판에서 비산된 약액의 반사를 원활하게 하는 코팅층이 형성될 수 있다.
상기 구동부는 상기 기판에서 비산되어 상기 보울의 내측면에 충돌한 약액이 상기 보울의 다른 내측면으로 반사되도록 상기 기판 지지부 및 상기 보울을 회전시킬 수 있다.
상기 구동부는 상기 기판 지지부 및 상기 보울을 독립적으로 회전시킬 수 있다.
상기 구동부는 상기 기판 지지부 및 상기 보울을 같은 방향으로 회전시킬 수 있다.
상기 보울의 회전 속도는 상기 기판 지지부의 회전 속도보다 빠를 수 있다.
상기 구동부는 상기 기판 지지부 및 상기 보울을 다른 방향으로 회전시킬 수 있다.
상기 보울의 회전 속도는 상기 기판 지지부의 회전 속도보다 빠를 수 있다.
상기 코팅층은 소수성 물질을 포함하고, 상기 보울의 회전 속도는 상기 기판 지지부의 회전 속도보다 느릴 수 있다.
상기 코팅층은 소수성 물질을 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 및 3는 도 1에 도시된 기판 및 보울을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치의 기판 및 보울의 회전 속도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 5 및 6은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치 내에서 약액이 비산되는 방향을 설명하기 위한 개략적인 단면도 및 확대도이다.
도 2 및 3는 도 1에 도시된 기판 및 보울을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치의 기판 및 보울의 회전 속도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 5 및 6은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치 내에서 약액이 비산되는 방향을 설명하기 위한 개략적인 단면도 및 확대도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판 지지부(100), 제1 회전축(150), 제1 구동부(180), 처리액 공급부(200), 보울(300), 제2 회전축(350) 제2 구동부(380), 회수부(400), 유체 공급부(500) 등을 포함할 수 있다.
기판 지지부(100)는 기판을 지지할 수 있다. 기판 지지부(100)는 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지부(100)는 원판 형상일 수 있다.
기판 지지부(100) 상에는 기판(W)의 하부를 지지하는 다수의 지지핀(120)들과, 회전시 기판(W)의 측면을 지지하는 다수의 사이드핀(110)들이 설치될 수 있다.
공정이 시작될 때 기판(W)은 지지핀(120) 상에 놓일 수 있다. 기판 지지부(100)가 회전하기 전에, 사이드핀(110)은 움직여서 기판(W)을 고정할 수 있다. 구체적으로 사이드핀(110)은 회전하여 기판(W)의 위치를 정렬하고, 고정할 수 있다. 따라서, 기판 지지부(100)가 회전하더라도 기판 지지부(100)으로부터 기판(W)이 이탈하는 것은 방지될 수 있다.
제1 구동부(180)는 기판 지지부(100)를 회전시킬 수 있다.
제1 구동부(180)는 기판 지지부(100)에 연결된 제1 회전축(150)을 회전시킬 수 있다. 이에 따라 기판 지지부(100) 상에 장착된 기판(W)은 회전될 수 있다. 즉, 제1 회전축(150)은 제1 구동부(180)의 구동력을 기판 지지부(100)에 전달할 수 있다.
제1 구동부(180)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 기판 지지부(100)에 구동력을 전달하거나 구동력을 전달하지 않을 수 있다.
제1 회전축(150)은 내부가 비어있는 중공축(hollow shaft) 형태를 가질 수 있다. 제1 회전축(150)의 내부에는 후술하는 유체 공급 라인(540) 등이 설치될 수 있다.
제1 구동부(180)는 구동모터, 벨트 등을 구비할 수 있다. 구동모터는 외부로부터 인가된 전원에 의하여 동력을 발생시킬 수 있다. 구동모터에 연결된 제1 회전축(150)은 벨트를 통하여 연결될 수 있다. 구동모터에 의하여 발생한 회전력은 벨트를 통하여 제1 회전축(150)에 전달될 수 있다. 제1 회전축(150)의 회전속도는 구동모터와 제1 회전축(150)의 직경비를 조절함으로써 조절할 수 있다.
처리액 공급부(200)는 공정시 기판 지지부(100)에 안착된 기판(W)의 처리면에 처리액을 제공할 수 있다. 처리액은 예를 들어, 기판(W)의 처리면에 잔류하는 이물질 및 불필요한 막을 제거하기 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 처리액은 주로 산성 용액으로, 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 불산(HF), SC-1(Standard Clean-1)용액으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 용액일 수 있다.
기판 처리액 공급부(200)는 노즐(210), 기판 처리액 저장부(220), 밸브(230), 기판 처리액 공급 라인(240)을 포함할 수 있다.
노즐(210)은 기판(W)의 상부에 배치되어 있어서, 기판(W)의 상부로 기판 처리액을 공급할 수 있다.
기판 처리액 저장부(220)는 기판 처리액을 저장하는 탱크일 수 있다.
밸브(230)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 기판 처리액을 공급하거나 기판 처리액을 공급하지 않을 수 있다.
기판 처리액 공급 라인(240)은 기판 처리액 저장부(220)로부터 기판 처리액을 노즐(210)까지 전달하는 라인일 수 있다.
보울(300)은 공정시 기판 지지부(100)의 회전으로 인하여 기판(W)로부터 기판 처리액 등이 외부로 비산하는 것을 방지할 수 있다. 보울(300)은 기판에서 비산된 약액을 회수할 수 있다.
기판 처리액으로는 주로 산성 용액(acid solution)이 사용되기 때문에, 주변 장비 보호를 위하여 기판 지지부(100)의 둘레에 보울(300)은 설치될 수 있다.
보울(300)은 상단에 기판(W)이 드나들 수 있는 개구가 형성될 수 있다. 보울(300)은 기판 지지부(100)를 감싸도록 배치될 수 있다. 보울(300)은 기판의 가장자리를 감싸도록 배치될 수 있다.
코팅층(310)은 보울(300)의 내측면 상에 배치될 수 있다. 코팅층(310)은 기판에서 비산된 약액의 반사를 원활하게 할 수 있다.
코팅층(310)은 소수성 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 비산되는 약액의 탄성력이 증가될 수 있다.
제2 회전축(350)은 내부가 비어있는 중공축 형태를 가질 수 있다. 제2 회전축(350)의 내부에는 제1 회전축(150), 후술하는 유체 공급 라인(540) 등이 설치될 수 있다.
제2 회전축(350)은 제1 회전축(150)의 외측면을 따라 배치될 수 있다. 제2 회전축(350)은 제1 회전축(150)을 감싸도록 배치될 수 있다. 단, 제2 회전축(350)과 제1 회전축(150)은 접촉하지 않을 수 있다.
제2 구동부(380)는 보울(300)을 회전시킬 수 있다.
제2 구동부(380)는 보울(300)에 연결된 제2 회전축(350)을 회전시킬 수 있다. 이에 따라 보울(300)은 회전할 수 있다. 즉, 제2 회전축(350)은 제2 구동부(380)의 구동력을 보울(300)에 전달할 수 있다.
제2 구동부(380)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 보울(300)에 구동력을 전달하거나 구동력을 전달하지 않을 수 있다.
제2 구동부(380)는 구동모터, 벨트 등을 구비할 수 있다. 구동모터는 외부로부터 인가된 전원에 의하여 동력을 발생시킬 수 있다. 구동모터에 연결된 제2 회전축(350)은 벨트를 통하여 연결될 수 있다. 구동모터에 의하여 발생한 회전력은 벨트를 통하여 제2 회전축(350)에 전달될 수 있다. 제2 회전축(350)의 회전속도는 구동모터와 제2 회전축(350)의 직경비를 조절함으로써 조절할 수 있다.
제1 구동부(180) 및 제2 구동부(380)는 기판(W)에서 비산되어 보울(300)의 내측면에 충돌한 약액이 보울(300)의 다른 내측면으로 반사되도록 기판 지지부(100) 및 보울(300)을 회전시킬 수 있다.
제1 구동부(180) 및 제2 구동부(380)는 기판 지지부(100) 및 보울(300)을 독립적으로 회전시킬 수 있다.
회수부(400)는 공정에서 사용된 기판 처리액을 다시 회수할 수 있다. 회수부(400)는 회수 탱크(420), 밸브(430), 회수 라인(440)을 포함할 수 있다.
회수 탱크(420)는 회수한 기판 처리액을 저장하는 탱크일 수 있다.
밸브(430)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 기판 처리액을 회수하거나 기판 처리액을 회수하지 않을 수 있다.
회수 라인(440)은 보울(300)로부터 기판 처리액을 회수 탱크(420)까지 전달하는 라인일 수 있다.
유체 공급부(500)는 기판 지지부(100)에 지지된 기판(W)의 저면으로 유체를 공급할 수 있다. 기판 처리액이 점성이 강할 경우, 기판 처리액은 기판(W)을 타고 흘러, 기판(W)을 지지하고 있는 기판 지지부(100)에 묻을 수 있다. 묻어 있는 기판 처리액은 흄(fume)이 되어 기판 처리 장치를 오염시킬 수 있다. 따라서, 기판 지지부(100)의 저면에서 기판 처리액을 제거하기 위한 유체를 공급하게 된다. 여기서, 사용하는 유체는 예를 들어, 순수(DIW)일 수 있다.
유체 공급부(500)는 백 노즐(510), 유체 저장부(520), 밸브(530), 유체 공급 라인(540)을 포함할 수 있다.
백 노즐(510)은 기판 지지부(100)에 설치되어 있어서, 기판(W)의 저면으로부터 기판 처리액을 공급할 수 있다. 도면에서는 백 노즐(510)은 예를 들어, 기판 지지부(100)의 중앙에 설치되어 있는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유체 저장부(520)는 유체를 저장하는 탱크일 수 있다.
밸브(530)는 제어부(700)에 제어에 의한 온/오프를 통해서 유체를 공급하거나 유체를 공급하지 않을 수 있다.
유체 공급 라인(540)은 유체 저장부(520)로부터 유체를 백 노즐(510)까지 전달하는 라인일 수 있다.
도 2 및 3는 도 1에 도시된 기판 및 보울을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 도 4는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치의 기판 및 보울의 회전 속도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 2 및 4를 참조하면, 기판 지지부(100) 및 보울(300)은 같은 방향으로 회전할 수 있다.
구체적으로, 제1 구동부(180)에 의해 회전하는 기판 지지부(100)와 제2 구동부(380)에 의해 회전하는 보울(300)은 같은 방향으로 회전할 수 있다.
이 때, 보울(300)의 회전 속도는 기판 지지부(100)의 회전 속도보다 빠를 수 있다.
도 4에 도시된 그래프를 참조하면, 기판 지지부(100)의 회전 속도는 v1일 수 있다. 보울(300)의 회전 속도는 v2일 수 있다. 보울(300)의 회전 속도 v2의 크기는 기판 지지부(100)의 회전 속도 v1의 크기보다 클 수 있다.
도 3 및 4를 참조하면, 기판 지지부(100) 및 보울(300)은 다른 방향으로 회전할 수 있다.
구체적으로, 제1 구동부(180)에 의해 회전하는 기판 지지부(100)와 제2 구동부(380)에 의해 회전하는 보울(300)은 다른 방향으로 회전할 수 있다.
이 때, 보울(300)의 회전 속도는 기판 지지부(100)의 회전 속도보다 빠를 수 있다. 단, 기판 지지부(100)와 보울(300)이 다른 방향으로 회전하는 경우에, 보울(300)의 회전 속도와 기판 지지부(100)의 회전 속도 차이는 예시적으로 언급하였을 뿐, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다.
일 예로, 보울(300)의 회전 속도는 기판 지지부(100)의 회전 속도보다 느릴 수 있다. 이 경우, 코팅층(310)은 소수성 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 약액(201b)은 보울(300)의 내측면, 구체적으로 코팅층(310)과 충돌하였을 때, 보다 탄성적으로 반사될 수 있다.
다른 예로, 보울(300)의 회전 속도는 기판 지지부(100)의 회전 속도와 동일할 수 있다. 또한, 코팅층(310)은 소수성 물질을 포함할 수 있다.
도 4에 도시된 그래프를 참조하면, 기판 지지부(100)의 회전 속도는 v1일 수 있다.
보울(300)의 회전 속도는 v3일 수 있다. 보울(300)의 회전 속도 v3의 크기는 기판 지지부(100)의 회전 속도 v1의 크기보다 클 수 있다.
기판 지지부(100)와 보울(300)이 다른 방향으로 회전하는 경우에, 보울(300)의 회전 속도는 예시적일 뿐, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다.
일 예로, 보울(300)의 회전 속도는 v4일 수 있다. 보울(300)의 회전 속도 v4의 크기는 기판 지지부(100)의 회전 속도 v1의 크기보다 작을 수 있다.
다른 예로, 보울(300)의 회전 속도는 v5일 수 있다. 보울(300)의 회전 속도 v5의 크기는 기판 지지부(100)의 회전 속도 v1의 크기와 같을 수 있다.
도 5 및 6은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치 내에서 약액이 비산되는 방향을 설명하기 위한 개략적인 단면도 및 확대도이다.
도 5 및 6을 참조하면, 약액(201)은 기판 처리액 공급부(200)를 통해 기판(W)으로 공급될 수 있다.
기판 지지부(100)의 회전으로 인하여 기판(W)으로 공급된 약액(201a)은 외부로 비산될 수 있다. 비산된 약액(201b)은 보울(300)의 내측면에 충돌할 수 있다.
보울(300)의 내측면에 충돌한 약액(201b)은 제1 방향으로 반사될 수 있다.
반사되는 약액(201c)이 진행되는 제1 방향은 제1 힘(F1) 및 제2 힘(F2)에 의한 제3 힘(F3)에 따른 방향일 수 있다. 제3 힘(F3)은 제1 힘(F1) 및 제2 힘(F2)의 합력일 수 있다.
제1 힘(F1)은 보울(300)의 내측면에 충돌하는 동안 보울(300)의 내측면에 의해 받는 힘일 수 있다. 예를 들어, 보울(300)의 내측면을 향해 진행하는 약액(201b)이 보울(300)의 내측면과 충돌하면서 받는 작용-반작용의 법칙에 따른 힘일 수 있다.
제2 힘(F2)은 보울(300)의 내측면에 충돌하는 동안 보울(300)이 회전함에 따라 보울(300)의 내측면에 의해 받는 힘일 수 있다. 예를 들어, 약액(201b)이 보울(300)의 내측면과 접해 있는 동안, 보울(300)이 회전함에 따라 약액(201b)이 받는 마찰력일 수 있다.
제3 힘(F3)은 제1 힘(F1)과 제2 힘(F2)의 합력일 수 있다. 제3 힘(F3)을 받아 반사되는 약액(201c)은 제3 힘(F3)의 방향을 따라 반사될 수 있다.
기판 지지부(100)와 보울(300)은 같은 방향으로 회전할 수 있다. 약액(201c)은 보울(300)의 내측면이 회전하는 방향을 따라 동일한 방향으로 반사될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 약액(201c)은 시계방향을 따라 반사될 수 있다. 약액(201c)은 기판(W)과 이격되어 비산될 수 있다.
이 때, 약액(201c)은 보울(300)의 다른 내측면으로 반사될 수 있다. 약액(201c)은 다시 기판(W)으로 되튀지 않을 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 약액(201c)은 반시계방향을 따라 반사될 수 있다. 약액(201c)은 기판(W)과 이격되어 비산될 수 있다.
이 때, 약액(201c)은 보울(300)의 다른 내측면으로 반사될 수 있다. 약액(201c)은 다시 기판(W)으로 되튀지 않을 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 지지대
150: 제1 회전축
180: 제1 구동부 201, 201a, 201b, 201c: 약액
300: 보울 310: 코팅층
350: 제2 회전축 380: 제2 구동부
W: 기판
180: 제1 구동부 201, 201a, 201b, 201c: 약액
300: 보울 310: 코팅층
350: 제2 회전축 380: 제2 구동부
W: 기판
Claims (9)
- 기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 기판의 가장자리를 감싸도록 배치되어 상기 기판에서 비산된 약액을 회수하는 보울; 및
상기 기판 지지부 및 상기 보울을 회전시키는 구동부를 포함하되,
상기 보울의 내측면은 상기 기판에서 비산된 약액의 반사를 원활하게 하는 코팅층이 형성되어 있는 기판 처리 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 구동부는 상기 기판에서 비산되어 상기 보울의 내측면에 충돌한 약액이 상기 보울의 다른 내측면으로 반사되도록 상기 기판 지지부 및 상기 보울을 회전시키는 기판 처리 장치. - 제 2항에 있어서,
상기 구동부는 상기 기판 지지부 및 상기 보울을 독립적으로 회전시키는 기판 처리 장치. - 제 2항에 있어서,
상기 구동부는 상기 기판 지지부 및 상기 보울을 같은 방향으로 회전시키는 기판 처리 장치. - 제 4항에 있어서,
상기 보울의 회전 속도는 상기 기판 지지부의 회전 속도보다 빠른 기판 처리 장치. - 제 2항에 있어서,
상기 구동부는 상기 기판 지지부 및 상기 보울을 다른 방향으로 회전시키는 기판 처리 장치. - 제 6항에 있어서,
상기 보울의 회전 속도는 상기 기판 지지부의 회전 속도보다 빠른 기판 처리 장치. - 제 6항에 있어서,
상기 코팅층은 소수성 물질을 포함하고,
상기 보울의 회전 속도는 상기 기판 지지부의 회전 속도보다 느린 기판 처리 장치. - 제 2항에 있어서,
상기 코팅층은 소수성 물질을 포함하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200151501A KR20220065220A (ko) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200151501A KR20220065220A (ko) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 기판 처리 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220065220A true KR20220065220A (ko) | 2022-05-20 |
Family
ID=81801594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200151501A KR20220065220A (ko) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20220065220A (ko) |
-
2020
- 2020-11-13 KR KR1020200151501A patent/KR20220065220A/ko active Search and Examination
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8747611B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate, and injection head used in the Apparatus | |
US6827814B2 (en) | Processing apparatus, processing system and processing method | |
JP6894264B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JPH02257632A (ja) | 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置 | |
US8084194B2 (en) | Substrate edge treatment for coater/developer | |
US20050233589A1 (en) | Processes for removing residue from a workpiece | |
US10790134B2 (en) | Substrate processing method | |
CN117941034A (zh) | 基板处理方法 | |
JP6983571B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP3917384B2 (ja) | 基板処理装置および基板洗浄装置 | |
US20180067407A1 (en) | Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same | |
KR20220065220A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20070086411A (ko) | 반도체 기판 세정을 위한 장치 및 방법 | |
US6513537B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2019061979A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
GB2349742A (en) | Method and apparatus for processing a wafer to remove an unnecessary substance therefrom | |
KR102648039B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
US6090534A (en) | Device and method of decreasing circular defects and charge buildup integrated circuit fabrication | |
US20200176274A1 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
US7781140B2 (en) | Method of fine pitch bump stripping | |
JP2004022783A (ja) | 処理装置 | |
US20240310739A1 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
KR102583458B1 (ko) | 기판 처리액 회수 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 | |
JP2004119829A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7507009B2 (ja) | 基板エッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination |