JP2020021890A - 基板処理装置、および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板が処理液によって処理される処理室と、
前記処理液の吐出口を先端部に有するノズルと、
前記基板に対する前記処理液の供給が中断される待機時に前記ノズルの前記先端部が収容される収容室を内部に形成するノズルバスと、
前記ノズルから前記ノズルバスに吐出された前記処理液を前記ノズルに戻す循環ラインと、
前記ノズルから前記ノズルバスに吐出された前記処理液を前記ノズルに循環させる時に、前記ノズルバスの外部と前記ノズルバスの内部に存在する前記処理液との間でのガスの流れを制限する第1制限部とを有する。
2 基板
10 処理ユニット
11 チャンバー
12 処理室
20 ノズル
21 吐出口
22 先端部
30 ノズルバス
31 収容室
32 出入口
40 外バス
41 中間室
42 出入口
43 第2制限部
45 可動蓋
47 吸引ノズル
48 パージノズル
50 タンク
60 供給ライン
70 回収ライン
80 第1制限部
81、81A、81B、81D 密閉部
81C 置換部
82 膨張シール
82A 液体のシール
82B、82D 弾性シール
Claims (14)
- 基板が処理液によって処理される処理室と、
前記処理液の吐出口を先端部に有するノズルと、
前記基板に対する前記処理液の供給が中断される待機時に前記ノズルの前記先端部が収容される収容室を内部に形成するノズルバスと、
前記ノズルから前記ノズルバスに吐出された前記処理液を前記ノズルに戻す循環ラインと、
前記ノズルから前記ノズルバスに吐出された前記処理液を前記ノズルに循環させる時に、前記ノズルバスの外部と前記ノズルバスの内部に存在する前記処理液との間でのガスの流れを制限する第1制限部とを有する、基板処理装置。 - 前記第1制限部は、前記ノズルバスと前記ノズルバスの前記収容室に収容された前記ノズルとの間に形成される隙間の雰囲気を置換する置換部を有する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1制限部は、前記ノズルバスと前記ノズルバスの前記収容室に収容された前記ノズルとの間に形成される隙間を塞ぐ密閉部を有する、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記密閉部は、流体が内部に供給されることで膨張し、前記隙間を塞ぐ膨張シールを有する、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記密閉部は、前記ノズルバスと前記ノズルとによって圧縮され、前記隙間を塞ぐ弾性シールを有する、請求項3または4に記載の基板処理装置。
- 前記密閉部は、前記隙間を塞ぐ液体のシールを形成するシール形成部を有する、請求項3〜5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記ノズルバスの外部に配置され、前記ノズルバスの前記ノズルが挿抜される出入口を囲む中間室を内部に形成する外バスと、
前記外バスの外部と前記ノズルバスの内部との間でのガスの流れを制限する第2制限部とを有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記第2制限部は、前記外バスの前記ノズルが挿抜される出入口を開放可能に閉塞する可動蓋を有する、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記第2制限部は、前記中間室から前記処理室の外部にガスを排出する吸引ノズルを有する、請求項7または8に記載の基板処理装置。
- 前記第2制限部は、前記処理室の外部から前記中間室にパージガスを供給するパージノズルを有する、請求項9に記載の基板処理装置。
- 処理室で、ノズルの先端部の吐出口から基板に処理液を供給することにより、前記基板を処理する工程と、
前記基板に対する前記処理液の供給が中断される待機時に、前記ノズルから前記ノズルの前記先端部を収容する収容室を形成するノズルバスに吐出された前記処理液を前記ノズルに循環させる工程と、
前記ノズルから前記ノズルバスに吐出された前記処理液を前記ノズルに循環させる時に、前記ノズルバスの外部と前記ノズルバスの内部に存在する前記処理液との間でのガスの流れを制限する工程とを有する、基板処理方法。 - 前記ノズルバスの外部と前記ノズルバスの内部に存在する前記処理液との間でのガスの流れを制限する工程は、前記ノズルバスと前記ノズルバスの前記収容室に収容された前記ノズルとの間に形成される隙間の雰囲気を置換する工程を含む、請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記ノズルバスの外部と前記ノズルバスの内部に存在する前記処理液との間でのガスの流れを制限する工程は、前記ノズルバスと前記ノズルバスの前記収容室に収容された前記ノズルとの間に形成される隙間を塞ぐ工程を含む、請求項11または12に記載の基板処理方法。
- 前記ノズルバスの外部に配置され、前記ノズルバスの前記ノズルが挿抜される出入口を囲む中間室を内部に形成する外バスの外部と、前記ノズルバスの内部との間でのガスの流れを制限する工程を有する、請求項11〜13のいずれか1項に記載の基板処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018146231A JP7175122B2 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
KR1020190092832A KR102660748B1 (ko) | 2018-08-02 | 2019-07-31 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US16/528,757 US11712710B2 (en) | 2018-08-02 | 2019-08-01 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN201910711315.XA CN110797282A (zh) | 2018-08-02 | 2019-08-02 | 基板处理装置和基板处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018146231A JP7175122B2 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020021890A true JP2020021890A (ja) | 2020-02-06 |
JP7175122B2 JP7175122B2 (ja) | 2022-11-18 |
Family
ID=69229533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018146231A Active JP7175122B2 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11712710B2 (ja) |
JP (1) | JP7175122B2 (ja) |
KR (1) | KR102660748B1 (ja) |
CN (1) | CN110797282A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7236318B2 (ja) * | 2019-04-26 | 2023-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、及び液処理方法 |
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JP6385714B2 (ja) | 2014-05-16 | 2018-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体 |
-
2018
- 2018-08-02 JP JP2018146231A patent/JP7175122B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-31 KR KR1020190092832A patent/KR102660748B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-01 US US16/528,757 patent/US11712710B2/en active Active
- 2019-08-02 CN CN201910711315.XA patent/CN110797282A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110797282A (zh) | 2020-02-14 |
US11712710B2 (en) | 2023-08-01 |
US20200038897A1 (en) | 2020-02-06 |
JP7175122B2 (ja) | 2022-11-18 |
KR20200015400A (ko) | 2020-02-12 |
KR102660748B1 (ko) | 2024-04-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210614 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220315 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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