JP2016103590A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薬液を必要以上に廃棄するのを防止することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】ボトル１１、供給パイプ１９、リザーバータンク１５、供給パイプ２０、ポンプ１４及びフィルタ１６を含む供給パイプ２１、並びに、ノズル１３がレジストの供給系を構成するレジスト膜形成装置１０において、供給パイプ１９に配されたセンサ２２や供給パイプ２１においてフィルタ１６の下流に配されたセンサ２３によってパーティクルが検出され、且つサイズが所定値を超えるパーティクルの個数が閾値よりも大きい場合、ダミーディスペンスを実行してレジストの供給系からレジストを廃棄するが、パーティクルではなく気泡が検出され、且つサイズが所定値を超える気泡の個数が閾値よりも大きい場合、レジストを廃棄することなくボトル１１へ還流させる。【選択図】図５

Description

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関し、特に薬液を基板に向けて吐出する基板処理方法及び基板処理装置に関する。

基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）に薬液としてのレジストを吐出して該ウエハ上にレジスト膜を形成する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置では、ボトルに貯蔵されるレジストをポンプ、バルブやノズルを介してウエハへ向けて吐出するが、レジストがボトルからノズルへ向けて流れる際、ポンプやバルブを通過するときに生じる気泡やポンプやバルブの動作によって生じる微少な金属滓等のパーティクルを巻き込むことがある。この場合、気泡やパーティクルを巻き込んだレジストが供給ラインを流れ、結果としてウエハ上のレジスト膜にパーティクルや気泡が含まれることになるが、レジスト膜においてパターンを現像する際、パーティクルは意図しないマスクとして機能し、気泡は意図しない欠けを生じさせてレジスト膜に欠陥を生じさせるため、レジスト膜が形成されたウエハを廃棄しなければならないことがある。

そこで、レジスト中のパーティクルを検出するセンサや気泡を検出するセンサを基板処理装置に適用し、レジスト中のパーティクルや気泡を検出した場合、ウエハへのレジストの吐出を中断することが行われている（例えば、特許文献１や特許文献２参照。）。このような基板処理装置では、レジスト中のパーティクルや気泡を検出してウエハへのレジストの吐出を中断すると、ダミーディスペンスを実行して供給ライン中のレジストを廃棄し、若しくは、ボトルを新たなボトルに交換した後にウエハへのレジストの吐出を再開していた。

ところで、レジストに気泡のみが含まれる場合、当該気泡は時間の経過とともに消滅することがあり、その場合、当該レジストが使用可能となる。

特開２００４−３２７６３８号公報 特開２０１１−１８１７６６号公報

しかしながら、上述したように、レジスト中のパーティクルや気泡を検出した場合に必ずレジストを廃棄すると、時間が経過すれば使用可能となる気泡のみを含むレジストも廃棄することになり、レジストを必要以上に廃棄するという問題がある。

本発明の目的は、薬液を必要以上に廃棄するのを防止することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の基板処理方法は、薬液の供給系から前記薬液を基板に向けて吐出する基板処理装置における基板処理方法であって、前記供給系中の気泡を検出する検出器を設け、前記検出器が前記供給系中の気泡を検出した際、前記薬液を前記供給系の上流部へ循環させることを特徴とする。

上記目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、薬液を基板に向けて吐出する基板処理装置であって、前記薬液の供給系と、前記供給系に設けられ、前記供給系中の気泡を検出する検出器と、前記供給系の前記検出器の下流部に設けられた分岐点と、前記分岐点と前記検出器の上流部とを接続する還流路と、前記検出器が前記供給系中の気泡を検出した際、前記薬液を前記供給系において前記還流路を介して循環させる制御部とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、供給系中の気泡が検出された場合、薬液が廃棄されることなく供給系において循環される。これにより、気泡が消失した場合に再供給することができる薬液が廃棄されないため、薬液を必要以上に廃棄するのを防止することができる。また、薬液が循環される間に気泡が消滅するため、循環された薬液を基板へ向けて吐出しても、基板における薬液の凝固膜において欠陥が生じるのを防止することができる。

本発明の実施の形態に係る基板処理装置としてのレジスト膜形成装置の構成を概略的に示す図である。 図１におけるセンサの光学系の構成を概略的に示す図である。 図２におけるスイッチャ及びセンサの透過部を概略的に示す図であり、図３（Ａ）は透過部の構成を示す部分拡大斜視図であり、図３（Ｂ）はスイッチャ及び透過部の位置関係を示す拡大断面図である。 図１におけるセンサによるレジスト中のパーティクルや気泡の測定タイミングを説明するためのシーケンス図である。 本実施の形態に係る基板処理方法としてのレジスト吐出処理を示すフローチャートである。 図５のレジスト吐出処理の変形例を示すフローチャートである。 図２のセンサの光学系の第１の変形例の構成を概略的に示す図である。 図２のセンサの光学系の第２の変形例の構成を概略的に示す図である。 図２のセンサの光学系の第３の変形例の構成を概略的に示す図である。 図２のセンサの光学系の第４の変形例の構成を概略的に示す図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、本実施の形態に係る基板処理装置としてのレジスト膜形成装置の構成を概略的に示す図である。

図１において、レジスト膜形成装置１０は、薬液としてのレジストを貯蔵するボトル１１（貯蔵部）と、ステージ１２に載置されたウエハＷにレジストを吐出するノズル１３と、ボトル１１に貯蔵されたレジストをノズル１３へ圧送するポンプ１４と、ボトル１１及びポンプ１４の間に配されてレジストを一時的に貯蔵するリザーバータンク１５と、ポンプ１４及びノズル１３の間に配されてレジストに含まれる所定のサイズよりも大きいパーティクルを除去するフィルタ１６と、レジスト膜形成装置１０の各構成要素の動作を制御するコントローラ１７（制御部）とを備える。

また、レジスト膜形成装置１０は、ボトル１１からレジストを排出するドレンパイプ１８と、ボトル１１からリザーバータンク１５へレジストを供給する供給パイプ１９と、リザーバータンク１５からポンプ１４へレジストを供給する供給パイプ２０と、ポンプ１４からフィルタ１６を経由してノズル１３へレジストを供給する供給パイプ２１とを備える。

さらに、レジスト膜形成装置１０は、供給パイプ１９に配されて該供給パイプ１９内を流れるレジスト中のパーティクル（異物）や気泡を分別して検出するセンサ２２（検出器）と、供給パイプ２１においてフィルタ１６の下流（フィルタ１６及びノズル１３の間）に配されて供給パイプ２１内を流れるレジスト中のパーティクルや気泡を分別して検出するセンサ２３（検出器）とを備える。

センサ２２は、光を透過させる材料、例えば、ガラスや透明な樹脂からなり、供給パイプ１９内を流れるレジストを外部から可視化する透過部２２ａと、該透過部２２ａへレーザ光を照射する光学系２２ｂと、透過部２２ａを透過したレーザ光を受光する検出部２２ｃとを有する。透過部２２ａにおいてレジスト中をパーティクルや気泡が流れると、当該パーティクルや気泡によってレーザ光が遮断され、検出部２２ｃが受光するレーザ光の受光量が変化するが、レジスト膜形成装置１０では、レーザ光の受光量の時間的変化等に基づいてレジスト中のパーティクルや気泡を分別して検出する。レジスト中のパーティクルや気泡を分別して検出する具体的な手法としては、例えば、ＰＭＬ（Particle Monitoring Technologies Ltd.）社のＩＰＳＡ（登録商標）法が用いられる。本実施の形態では、センサ２３もセンサ２２と同様の構成を有し、供給パイプ２１内を流れるレジスト中のパーティクルや気泡を分別して検出する。

なお、レジスト膜形成装置１０は、センサ２２やセンサ２３の代わりに、レジスト中のパーティクルのみを検出するパーティクルセンサと、レジスト中の気泡のみを検出するバブルセンサとを備えていてもよい。この場合、一対のパーティクルセンサ及びバブルセンサからセンサ組を構成し、各センサ組を供給パイプ１９、及び供給パイプ２１におけるフィルタ１６の下流に配する。これにより、センサ２２やセンサ２３と同様に、同一箇所においてパーティクル及び気泡を測定することができる。

レジスト膜形成装置１０では、供給パイプ２１がセンサ２３及びノズル１３の間の分岐点２４で分岐し、該分岐点２４からボトル１１へレジストを還流させるリターンパイプ２５（還流路）が配される。また、レジスト膜形成装置１０では、供給パイプ１９がセンサ２２及びリザーバータンク１５の間の分岐点２６で分岐し、該分岐点２６からリターンパイプ２５へレジストを循環させるリターンパイプ２７と、分岐点２６からレジストを排出するドレンパイプ２８とが配され、ポンプ１４には該ポンプ１４からレジストを排出するドレンパイプ２９が配される。さらに、レジスト膜形成装置１０では、ドレンパイプ１８、供給パイプ１９における分岐点２６及びリザーバータンク１５の間、リターンパイプ２７、ドレンパイプ２８、ドレンパイプ２９、リターンパイプ２５、並びに、供給パイプ２１における分岐点２４及びノズル１３の間にそれぞれバルブ３０〜３６が配される。

レジスト膜形成装置１０では、ボトル１１、供給パイプ１９、リザーバータンク１５、供給パイプ２０、ポンプ１４及びフィルタ１６を含む供給パイプ２１、並びに、ノズル１３がレジストの供給系を構成し、該供給系を介してレジストがウエハＷへ向けて吐出される。吐出されたレジストはウエハＷ上において凝固し、レジスト膜を形成する。

図１のレジスト膜形成装置１０では、供給系においてパーティクルや気泡を発生させやすいボトル１１やポンプ１４（発生源）の直下にセンサ２２やセンサ２３がそれぞれ配される。このとき、センサ２２及びセンサ２３のいずれがパーティクルや気泡を検出したのかを特定することにより、パーティクルや気泡の発生源がボトル１１かポンプ１４のいずれであるかを特定することができ、もって、トラブルシューティングを容易に行うことができる。

図２は、図１におけるセンサの光学系の構成を概略的に示す図である。

図１のレジスト膜形成装置１０では便宜的に１個のノズル１３が示されているが、レジスト膜形成装置１０は、例えば、７２個のノズル１３を備え、これらのノズル１３は１２個ごとに１個の光学モジュールにまとめられている。すなわち、レジスト膜形成装置１０は６個の光学モジュールを有する。また、レジスト膜形成装置１０は、６個の光学モジュールに対応して６個の透過部２３ａを有し、１個の透過部２３ａは１２個のノズル１３に対応する１２本の供給パイプ２１の一部を構成する。すなわち、１個の光学モジュールに対応して１個の透過部２３ａが配され、１個の透過部２３ａは１２個の供給パイプ２１の一部を含む。これに対応して、センサ２３の光学系２３ｂは１つのレーザ光源から照射されたレーザ光を分光する。

図２において、センサ２３の光学系２３ｂは、レーザ光源２３ｄと、該レーザ光源２３ｄから照射されたレーザ光を６個の光学モジュールに対応して分光するレーザスプリッタ２３ｅと、該分光されたレーザ光を１個の透過部２３ａに含まれる１２個の供給パイプ２１の一部の各々へ選択的に導光するスイッチャ２３ｆとを有する。なお、レジスト膜形成装置１０では、各光学モジュールが１個のレーザ光トラップ３７を有し、スイッチャ２３ｆは各供給パイプ２１の一部だけでなくレーザ光トラップ３７へも分光されたレーザ光を導光する。

スイッチャ２３ｆは同時に複数の供給パイプ２１の一部へレーザ光を導光することはないが、レジスト膜形成装置１０では、１個のモジュールにおいて複数のノズル１３から同時にレジストが吐出されることはなく、常に１個のノズル１３からのみレジストが吐出される。したがって、スイッチャ２３ｆが同時に複数の供給パイプ２１の一部へレーザ光を導光しなくても、ウエハＷへ向けて吐出されるレジスト中のパーティクルや気泡を測定することができる。また、スイッチャ２３ｆは同時に複数の供給パイプ２１の一部へレーザ光を導光することがなく、レーザ光の照射先を複数の供給パイプ２１の一部の各々へ順次切り換えるため、各供給パイプ２１の一部へ導光されるレーザ光の強度が分光によって極度に低下することがなく、もって、レジスト中のパーティクルや気泡の検出感度が極度に低下するのを防止することができる。

図３は、図２におけるスイッチャ及びセンサの透過部を概略的に示す図であり、図３（Ａ）は透過部の構成を示す部分拡大斜視図であり、図３（Ｂ）はスイッチャ及び透過部の位置関係を示す拡大断面図である。本実施の形態では、１個の透過部２３ａが１２個の供給パイプ２１の一部を含むが、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）では説明の便宜のため、１個の透過部２３ａが４個の供給パイプ２１の一部を含む状態が示される。

図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、透過部２３ａにおいて各供給パイプ２１の一部は互いに略等間隔且つ平行に配され、各供給パイプ２１の一部にはレーザ光Ｌがレジストの流れ方向と垂直に入射される。

光学系２３ｂは、透過部２３ａに対向するように配され、各供給パイプ２１の一部の配列方向と平行に移動する。センサ２３がウエハＷへ向けて吐出されるレジスト中のパーティクルや気泡を測定する際、光学系２３ｂは、レジストを吐出するノズル１３に対応する供給パイプ２１の一部、すなわち、レジストが流れる供給パイプ２１の一部の対向位置まで移動し、当該給パイプ２１の一部へ向けてレーザ光Ｌを照射する。なお、検出部２３ｃは常に光学系２３ｂと透過部２３ａを挟んで対向し、光学系２３ｂの移動に合わせて移動する。

図４は、図１におけるセンサによるレジスト中のパーティクルや気泡の測定タイミングを説明するためのシーケンス図である。

図４に示すように、ノズル１３においてレジストの吐出の開始からレジストが安定して吐出されるまで所定の時間ｔを要するが、センサ２２やセンサ２３の光学系２２ｂ，２３ｂはレジストの吐出の開始と同時にレーザ光の透過部２２ａ，２３ａへの照射を開始する。一方、検出部２２ｃ，２３ｃは所定の時間ｔが経過してレジストがノズル１３から安定して吐出されるようになったとき、レジスト中のパーティクルや気泡の測定を開始する。

その後、ノズル１３においてレジストの吐出が停止されるが、ノズル１３からのレジストの吐出が完全に終了するまで他の所定の時間Ｔを要する。一方、光学系２２ｂ，２３ｂは、ノズル１３におけるレジストの吐出の停止と同時にレーザ光の透過部２２ａ，２３ａへの照射を終了し、検出部２２ｃ，２３ｃもノズル１３におけるレジストの吐出の停止と同時にレジスト中のパーティクルや気泡の測定を終了する。これにより、レジストが必要以上にレーザ光で照射されることが無く、もって、レーザ光によってレジストが変質するのを抑制することができる。

図５は、本実施の形態に係る基板処理方法としてのレジスト吐出処理を示すフローチャートである。

本処理は、レジスト膜形成装置１０において、バルブ３１，３６が開弁し、バルブ３０，３２〜３５が閉弁してレジストがボトル１１からノズル１３へ供給され、ウエハＷへレジストがノズル１３から吐出される際、所定のプログラム等に応じてコントローラ１７によって実行される。

図５において、まず、センサ２２又はセンサ２３が供給パイプ１９内や供給パイプ２１内を流れるレジスト中のパーティクル及び気泡のそれぞれのサイズ及び個数を計測する（ステップＳ５１）。

次いで、ステップＳ５１においてセンサ２２又はセンサ２３がパーティクルを検出したか否かを判別する（ステップＳ５２）。

ステップＳ５２の判別の結果、パーティクルを検出した場合（ステップＳ５２でＹＥＳ）、検出されたパーティクルのうちサイズが所定値、例えば、ウエハＷのレジスト膜において欠陥を生じさせるパーティクルのサイズの最小値（第２の所定値）、具体的には、直径が２０ｎｍを超えるパーティクルの個数が閾値（第２の閾値）、例えば１０個よりも大きいか否かを判別する（ステップＳ５３）。なお、パーティクルのサイズの所定値や個数の閾値はレジスト膜形成装置１０の仕様に応じて異なる。また、ステップＳ５３において複数の判別（例えば、直径が２０ｎｍを超えるパーティクルの個数が１０個よりも大きいか否かの判別だけでなく、直径が１００ｎｍを超えるパーティクルの個数が５個よりも大きいか否かの判別）を行ってもよい。さらに、パーティクルのサイズの所定値や個数の閾値はコントローラ１７の記憶媒体に予め格納されていてもよく、レジスト吐出処理に先だってユーザがレジスト膜形成装置１０に入力してもよい。

ステップＳ５３の判別の結果、サイズが所定値を超えるパーティクルの個数が閾値以下である場合（ステップＳ５３でＮＯ）、ウエハＷへのレジストの吐出を継続してレジスト膜の形成処理を続行し（ステップＳ５４）、その後、本処理を終了する。

一方、サイズが所定値を超えるパーティクルの個数が閾値よりも大きい場合（ステップＳ５３でＹＥＳ）、バルブ３６を閉弁してウエハＷへのレジストの吐出を一旦中断し、ステージ１２からウエハＷを除去した後に、バルブ３６を開弁してレジストの吐出を継続するダミーディスペンスを実行してレジストの供給系からレジストを廃棄し（ステップＳ５５）、その後、本処理を終了する。ステップＳ５５においてダミーディスペンスを実行する際、レジストの供給系からのレジストの廃棄を促進するために、バルブ３０，３３，３４を開弁してドレンパイプ１８，２８，２９からもレジストを排出してもよい。

ステップＳ５２の判別の結果、センサ２２又はセンサ２３がパーティクルを検出することなく気泡を検出した場合（ステップＳ５２でＮＯ）、検出された気泡のうちサイズが所定値、例えば、ウエハＷのレジスト膜において欠陥を生じさせる気泡のサイズの最小値（第１の所定値）を超える気泡の個数が閾値（第１の閾値）よりも大きいか否かを判別する（ステップＳ５６）。なお、気泡のサイズの所定値や個数の閾値もレジスト膜形成装置１０の仕様に応じて異なる。また、ステップＳ５６においても複数の判別を行ってもよい。さらに、気泡のサイズの所定値や個数の閾値もコントローラ１７の記憶媒体に予め格納されていてもよく、ユーザがレジスト膜形成装置１０に入力してもよい。

ステップＳ５６の判別の結果、サイズが所定値を超える気泡の個数が閾値以下である場合（ステップＳ５６でＮＯ）、ウエハＷへのレジストの吐出を継続してレジスト膜の形成処理を続行し（ステップＳ５７）、その後、本処理を終了する。

一方、サイズが所定値を超える気泡の個数が閾値よりも大きい場合（ステップＳ５６でＹＥＳ）、バルブ３６を閉弁してノズル１３からウエハＷへのレジストの吐出を中断するとともに、バルブ３５を開弁してポンプ１４から圧送されるレジストをリターンパイプ２５を介してボトル１１へ還流させ、さらに、バルブ３１を閉弁するともにバルブ３２を開弁し、リターンパイプ２７を介してレジストをボトル１１へ還流させる（ステップＳ５８）。ところで、レジストの供給系では、ボトル１１から一度に多量のレジストが供給パイプ１９を介して供給されることがなく、少量のレジストのみが継続して供給されるため、ボトル１１に還流されたレジストは直ちに再供給されることがない。その結果、ボトル１１へ還流されたレジストから気泡が消滅するための時間を十分に確保することができ、もって、レジストから気泡を確実に消滅させ、当該レジストを再供給することができる。その後、本処理を終了する。

図５のレジスト吐出処理によれば、レジスト中のサイズが所定値を超えるパーティクルの個数が閾値よりも大きい場合、ダミーディスペンスを実行してレジストの供給系からレジストを廃棄するが、パーティクルではなく気泡が検出され、且つレジスト中のサイズが所定値を超える気泡の個数が閾値よりも大きい場合、レジストを廃棄することなくボトル１１へ還流させる。これにより、気泡が消失した場合に再供給することができるレジストが廃棄されないため、レジストを必要以上に廃棄するのを防止することができる。また、ボトル１１に還流されたレジストは直ちに再供給されることがなく、ボトル１１において還流されたレジストから気泡が消滅するため、還流されたレジストをウエハＷへ向けて吐出してもウエハＷのレジスト膜において欠陥が生じるのを防止することができる。

上述した図５のレジスト吐出処理では、レジスト中のサイズが所定値を超えるパーティクルの個数が閾値以下である場合、若しくは、レジスト中のサイズが所定値を超える気泡の個数が閾値以下である場合、レジストのウエハＷへ向けての吐出が継続されてレジスト膜の形成処理が続行されるので、ウエハＷのレジスト膜における欠陥の発生防止と、スループットの低下防止とを両立することができる。

上述した図５のレジスト吐出処理では、レジスト中のサイズが所定値を超えるパーティクルの個数が閾値よりも大きい場合や、パーティクルではなく気泡が検出され、且つレジスト中のサイズが所定値を超える気泡の個数が閾値よりも大きい場合、ウエハＷへのレジストの吐出を中断するが、サイズが所定値を超えるパーティクルや気泡の個数が閾値よりも大きくなると同時にウエハＷへのレジストの吐出を直ちに中断しなくてもよい。例えば、センサ２３がパーティクルや気泡を検出した場合であっても、センサ２３とノズル１３の間にパーティクルや気泡の発生源となり得る機構が介在しなければ、それまでにセンサ２３を通過してセンサ２３からノズル１３までに存在するレジストにおいてサイズが所定値を超えるパーティクルや気泡の個数が閾値よりも大きくなることはないため、センサ２３からノズル１３までに存在するレジストが全て吐出されるまでウエハＷへのレジストの吐出を継続し、その後、レジストの吐出を中断してもよい。これによっても、不必要なレジストの廃棄を防止することができる。なお、ノズル１３の直前にさらなるセンサを設け、ノズル１３の直前においてレジスト中のパーティクル及び気泡のそれぞれのサイズ及び個数を計測してもよい。

図６は、図５のレジスト吐出処理の変形例を示すフローチャートである。

本処理は、図５のレジスト吐出処理とほぼ同一の処理であり、図５におけるステップＳ５５及びステップＳ５８の代わりに後述のステップＳ６１及びステップＳ６２が実行される点が図５のレジスト吐出処理と異なるのみであるため、以下、図５のレジスト吐出処理と異なる点のみを説明する。

図６において、ステップＳ５３の判別の結果、サイズが所定値を超えるパーティクルの個数が閾値よりも大きい場合（ステップＳ５３でＹＥＳ）、バルブ３６を閉弁してウエハＷへのレジストの吐出を中断するとともに、バルブ３５を開弁してレジストをリターンパイプ２５を介してボトル１１へ還流させ、さらに、還流されたレジストをボトル１１から再供給して供給パイプ２１のフィルタ１６を通過させる。すなわち、レジストを供給系においてフィルタ１６の上流へ循環させる（ステップＳ６１）。このとき、フィルタ１６を通過するレジストからパーティクルが除去されることがあり、これにより、当該レジスト中のパーティクルが検出されなくなるため、当該レジストをウエハＷへ吐出することができる。その結果、レジストを必要以上に廃棄するのを防止することができる。その後、本処理を終了する。

また、ステップＳ５６の判別の結果、サイズが所定値を超える気泡の個数が閾値よりも大きい場合（ステップＳ５６でＹＥＳ）、バルブ３６を閉弁してウエハＷへのレジストの吐出を一旦中断し、ステージ１２からウエハＷを除去した後に、バルブ３６を開弁してレジストの吐出を継続するダミーディスペンスを実行してレジストの供給系からレジストを廃棄する（ステップＳ６２）。このとき、気泡のサイズの所定値を、レジストをボトル１１へ還流させても消滅しない気泡のサイズの最小値とすることにより、消滅しないサイズの気泡を多く含むレジストの循環が行われるのを防止することができ、もって、スループットを維持することができる。なお、図６の処理においても、ステップＳ５６でＮＯの場合、ステップＳ６２ではなくステップＳ５７を実行してもよい。

また、上述した図５の処理及び図６の処理を合成して実行してもよく、例えば、ステップＳ５３でＹＥＳの場合、さらに、検出されたパーティクルのサイズがフィルタ１６で除去可能なサイズより小さいか否かを判定し、フィルタ１６で除去可能なサイズより小さいときにはステップＳ５５を実行し、フィルタ１６で除去可能なサイズ以上であるときはステップＳ６１を実行してもよい。また、ステップＳ５６でＹＥＳの場合、さらに、検出された気泡のサイズがボトル１１へ還流させても消滅しない気泡のサイズより小さいか否かを判定し、消滅しない気泡のサイズより小さいときにはステップＳ５８を実行し、消滅しない気泡のサイズ以上であるときはステップＳ６２を実行してもよい。

以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。

例えば、センサ２３の光学系２３ｂの構成は図２に示す構成に限られず、図７に示すように、６個の光学モジュールのそれぞれに対応する６個のレーザ光源２３ｇを有し、各レーザ光源２３ｇからのレーザ光を分光することなく、各光学モジュールに対応するスイッチャ２３ｆへ導光してもよい。この場合、各光学モジュールに対応する透過部２３ａへ導光されるレーザ光の出力が分光によって低下することがないので、レジスト中のパーティクルや気泡の検出感度を高いまま維持することができるとともに、レーザ光を分光する場合に比べ、レーザ光源として出力の小さなレーザ光源を用いることができる。

また、図８に示すように、３個の光学モジュールに対応するレーザ光源２３ｈを２個有し、各レーザ光源２３ｈからのレーザ光をスイッチャ２３ｉによって３個の光学モジュールの各々に対応するスイッチャ２３ｆの各々へ順次切り換えて導光してもよい。この場合、各光学モジュールに対応する透過部２３ａへ導光されるレーザ光の出力が低下することがない一方、図７の光学系２３ｂに比べてレーザ光源の数を減して光学系２３ｂの構成を簡素化することができる。

さらに、図９に示すように、１個のレーザ光源２３ｄからのレーザ光をレーザスプリッタ２３ｊによって２つのレーザ光に分光し、該分光された２つのレーザ光の各々を、スイッチャ２３ｉによって３個の光学モジュールに対応するスイッチャ２３ｆのそれぞれへ順次切り換えて導光してもよい。この場合、図２の光学系２３ｂに比べ、分光されたレーザ光の出力低下の度合いを小さくすることができる。

また、図１０に示すように、１個のレーザ光源２３ｄからのレーザ光をスイッチャ２３ｋによって６個の光学モジュールの各々に対応するスイッチャ２３ｆの各々へ順次切り換えて導光してもよい。この場合も、各光学モジュールに対応する透過部２３ａへ導光されるレーザ光の出力が低下することがないので、レジスト中のパーティクルや気泡の検出感度を高いまま維持することができる。

本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、コンピュータ、例えば、コントローラ１７に供給し、コントローラ１７のＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。

この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。

また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコントローラ１７に供給されてもよい。

また、コントローラ１７が読み出したプログラムコードを実行することにより、上記実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。

更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コントローラ１７に挿入された機能拡張ボードやコントローラ１７に接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。

上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。

Ｗ ウエハ
１０ レジスト膜形成装置
１１ ボトル
１６ フィルタ
１７ コントローラ
１９，２０，２１ 供給パイプ
２２，２３ センサ
２５ リターンパイプ

Claims (11)

1. 薬液の供給系から前記薬液を基板に向けて吐出する基板処理装置における基板処理方法であって、
   前記供給系中の気泡を検出する検出器を設け、
   前記検出器が前記供給系中の気泡を検出した際、前記薬液を前記供給系の上流部へ循環させることを特徴とする基板処理方法。
2. 前記気泡を検出した際、サイズが第１の所定値を超える前記気泡の個数が第１の閾値よりも大きいとき、前記薬液の前記基板へ向けての吐出を中断し、前記薬液を前記供給系の上流部へ循環させ、サイズが第１の所定値を超える前記気泡の個数が第１の閾値以下であるとき、前記薬液の前記基板へ向けての吐出を継続することを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
3. 前記気泡を検出した際、前記供給系の上流部に設置された薬液を貯留する貯留部へ循環させることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理方法。
4. 前記供給系中の異物を検出する検出器をさらに設け、
   前記供給系は前記異物を除去するフィルタを有し、
   前記異物を検出する検出器が前記供給系中の異物を検出した場合、サイズが第２の所定値を超える前記異物の個数が第２の閾値よりも大きいとき、前記薬液の前記基板へ向けての吐出を中断し、前記供給系に存在する薬液を廃棄することなく前記供給系における前記フィルタよりも上流へ前記薬液を循環させ、サイズが第２の所定値を超える前記異物の個数が第２の閾値以下であるとき、前記薬液の前記基板へ向けての吐出を継続することを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
5. 前記検出器は前記薬液へ向けてレーザ光を照射して前記供給系中の前記異物及び前記気泡を分別して検出し、
   前記検出器は、前記薬液が前記基板へ向けて吐出されるタイミングに合わせて前記薬液へ向けて前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
6. 前記供給系は前記基板へ向けて前記薬液を吐出する複数のノズルを備え、
   前記検出器は、前記レーザ光の照射先を、前記複数のノズルへ分流して供給される前記薬液の流れの各々へ順次切り換えることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
7. 薬液を基板に向けて吐出する基板処理装置であって、
   前記薬液の供給系と、
   前記供給系に設けられ、前記供給系中の気泡を検出する検出器と、
   前記供給系の前記検出器の下流部に設けられた分岐点と、
   前記分岐点と前記検出器の上流部とを接続する還流路と、
   前記検出器が前記供給系中の気泡を検出した際、前記薬液を前記供給系において前記還流路を介して循環させる制御部とを備えることを特徴とする基板処理装置。
8. 前記供給系は前記薬液を貯蔵する貯蔵部を有し、
   前記貯留部は前記還流路と接続され、
   前記制御部は、前記検出器が前記供給系中の前記気泡を検出した場合、前記薬液を前記還流路によって前記貯蔵部へ還流させることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記制御部は、前記検出器が前記供給系中の前記気泡を検出した場合、サイズが第１の所定値を超える前記気泡の個数が第１の閾値よりも大きいとき、前記薬液の前記基板へ向けての吐出を中断し、前記薬液を前記還流路を介して前記検出器の上流側へ還流させ、サイズが第１の所定値を超える前記気泡の個数が第１の閾値以下であるとき、前記薬液の前記基板へ向けての吐出を継続させることを特徴とする請求項７又は８に記載の基板処理装置。
10. 前記供給系は、前記供給系中の異物を検出する検出器をさらに備え、
    前記異物を検出する検出器の上流側に前記異物を除去するフィルタを有し、
    前記異物を検出する検出器が前記供給系中の異物を検出した場合、サイズが第２の所定値を超える前記異物の個数が第２の閾値よりも大きいとき、前記薬液の前記基板へ向けての吐出を中断し、前記供給系に存在する薬液を廃棄することなく前記供給系における前記フィルタよりも上流へ前記薬液を循環させ、サイズが第２の所定値を超える前記異物の個数が第２の閾値以下であるとき、前記薬液の前記基板へ向けての吐出を継続する制御部とを備えることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
11. 複数の前記検出器をさらに備え、
    前記供給系における異物又は気泡の複数の発生源の各々の下流に前記複数の検出器の各々が設けられることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項記載の基板処理装置。

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