TW202343541A - 液處理方法、液處理裝置及程式 - Google Patents

液處理方法、液處理裝置及程式 Download PDF

Info

Publication number
TW202343541A
TW202343541A TW111149905A TW111149905A TW202343541A TW 202343541 A TW202343541 A TW 202343541A TW 111149905 A TW111149905 A TW 111149905A TW 111149905 A TW111149905 A TW 111149905A TW 202343541 A TW202343541 A TW 202343541A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flow path
liquid
cleaning
aforementioned
light
Prior art date
Application number
TW111149905A
Other languages
English (en)
Inventor
工貴大
下青木剛
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202343541A publication Critical patent/TW202343541A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

[課題]在運用將處理液供給至基板的液處理裝置時，防止因處理液的流路中之異物而引起裝置無法運用的時間變長。 [解決手段]進行如下述工程：「在將儲存處理液之儲存部與處理液供給部連接的流路中，使前述處理液流通，從前述處理液供給部吐出至基板而處理該基板」的工程；滯留工程，將液體填充於前述流路並使其滯留；流通工程，使滯留的前述液體在前述流路中流通；信號取得工程，於進行前述流通工程的期間，進行以光照射部向前述流路照射光與以受光部接收來自該流路的光，取得從該受光部所輸出的因應於前述液體中之異物的檢測信號；及對應工程，基於前述檢測信號，實施前述流路中之異常部位的推估、對於異常之應對動作的提示或該應對動作。

Description

液處理方法、液處理裝置及程式
本揭示，係關於液處理方法、液處理裝置及程式。
在半導體元件之製造工程中，係針對半導體晶圓(以下，記載為晶圓)進行處理液的供給，藉此，進行成膜、洗淨等的處理。在專利文獻1中，係表示光學性地檢測被供給至晶圓的處理液中之異物的技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2021-168395號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供如以下技術：在運用將處理液供給至基板的液處理裝置時，可防止因處理液的流路中之異物而引起裝置無法運用的時間變長。 [用以解決課題之手段]
本揭示之液處理方法，係具備有：「在將儲存處理液之儲存部與處理液供給部連接的流路中，使前述處理液流通，從前述處理液供給部吐出至基板而處理該基板」的工程； 滯留工程，將液體填充於前述流路並使其滯留； 流通工程，使滯留的前述液體在前述流路中流通； 信號取得工程，於進行前述流通工程的期間，進行以光照射部向前述流路照射光與以受光部接收來自該流路的光，取得從該受光部所輸出的因應於前述液體中之異物的檢測信號；及 對應工程，基於前述檢測信號，實施前述流路中之異常部位的推估、對於異常之應對動作的提示或該應對動作。 [發明之效果]
本揭示，係在運用將處理液供給至基板的液處理裝置時，可防止因處理液的流路中之異物而引起裝置無法運用的時間變長。
參閱圖1，說明關於本發明之液處理裝置的一實施形態即光阻塗佈裝置1。光阻塗佈裝置1，係藉由旋轉塗佈，將處理液即光阻塗佈於基板即晶圓W，形成光阻膜。光阻塗佈裝置1，係具備有：處理部11；配管系統2；異物檢測機構3；及控制部4。
上述處理部11，係具備有：旋轉夾盤12；旋轉機構13；及罩杯14。光阻塗佈裝置1之外部的搬送機構(未圖示)對旋轉夾盤12收授晶圓W。藉由旋轉夾盤12吸附保持晶圓W的背面中央部，旋轉夾盤12藉由旋轉機構13而旋轉。罩杯14，係包圍被保持於旋轉夾盤12之晶圓W的側周圍，接取從晶圓W飛散的光阻。
接著，說明關於配管系統2的構成。另外，為了避免說明之複雜化，關於該配管系統2，係與實際的裝置構成相比，簡化而顯示於圖1。配管系統2，係具備有：噴嘴21。該噴嘴21，係藉由未圖示的移動機構，在被保持於旋轉夾盤12的晶圓W之中心部上的處理位置與罩杯14之外側的待機位置之間移動自如，向下方吐出光阻。
在對晶圓W進行處理時，噴嘴21，係從待機位置移動至處理位置，將光阻吐出至晶圓W的中心部。吐出有光阻之晶圓W藉由旋轉機構13而旋轉，處理液即光阻被塗佈於晶圓W的表面整體，從該光阻形成光阻膜。亦即，進行基板的處理工程。另外，在晶圓W之非處理時，作為光阻以外的液體，有時從噴嘴21吐出稀釋劑，詳細情況如後述。
配管系統2，係除了上述噴嘴21以外，另包含有配管22、閥V1～V4、泵23、過濾器24、光阻儲存部25、加壓用配管26、N 2(氮)氣體之供給源27、排出用配管18。配管22之下游端被連接於噴嘴21。而且，配管22之上游側，係經由閥V1、泵23、閥V2、過濾器24該順序被連接於儲存光阻的光阻儲存部25。該配管22與介設於配管22之各構件，係構成將處理液供給部即光阻儲存部25與處理液供給部即噴嘴21連接的流路。
藉由閥V1被關閉並且閥V2被開放時之泵23的吸液動作，光阻儲存部25中之光阻在配管22流向下游側並被儲存於泵23。而且，藉由閥V1被開放並且閥V2被關閉時之泵23的吐出動作(從該泵23擠壓液體的動作)，從流通機構即泵23向配管系統2的下游側供給光阻，並從噴嘴21吐出。
泵23之每一次的吐出動作中之吐出量，係被設定為預定值。之後說明的控制部4，係電腦，被構成為基於該一次吐出動作中之吐出量的設定值與吐出動作的次數，可算出「藉由從任意時間點起之泵23的動作，從噴嘴21所吐出」之液體(光阻或稀釋劑)的吐出量。因此，泵23及控制部4，係構成吐出量之測定機構。
關於「從噴嘴21之前端至配管22的上游端為止之光阻流通」的流路，設為流路20。又，在光阻儲存部25，係連接有加壓用配管26的下游側，該加壓用配管26，係開口於光阻儲存部25內的氣相。而且，加壓用配管26之上游側，係經由閥V3被連接於N 2氣體供給源27。藉由閥V3之開關，控制N 2氣體向光阻儲存部25的供給或停止。藉由該N 2氣體之供給，光阻儲存部25內被予以加壓而光阻被壓送到配管22的下游側。另外，該N 2氣體所致之光阻的壓送，係在執行後述之流路20的洗淨動作時予以進行，在進行向上述晶圓W吐出光阻時，係進行泵23的吐出動作。
關於光阻儲存部25，係可更換成代替光阻而儲存有稀釋劑的稀釋劑儲存部28。為了在後述之裝置啟動時洗淨配管系統2，配管22及加壓用配管26像那樣地被連接於稀釋劑儲存部28。此時，係稀釋劑代替光阻從該稀釋劑儲存部28被供給至配管22，並從噴嘴21吐出。又，為了在其裝置啟動時提高液體之流動性而提高洗淨性，關於上述過濾器24，係設為從配管系統2被拆下的狀態。此時，係安裝不具有過濾器功能的流路形成構件19以代替過濾器24，藉此，可進行配管系統2中之液體的流通。
又，排出用配管18之一端被連接於泵23，該排出用配管18的另一端開口於大氣氛圍。在排出用配管18，係介設有閥V4。如上述般，在泵23進行吸液動作後，在閥V1、V2被關閉且閥V4被開啟的狀態下，泵23動作，藉此，積存於該泵23的氣泡經由排出用配管18被去除。除了排出該氣泡時以外，閥V4被關閉。
於配管22之閥V1的下游側，在噴嘴21附近，係介設有光透過部31。更詳細地敘述，從閥V1至噴嘴21的流路中之一部分由光透過部31所形成，上述流路20之一部分由該光透過部31所構成。該光透過部31，係例如由石英所構成，以便可進行異物檢測機構3之光學性的異物檢出。
以下，說明關於異物檢測機構3。異物檢測機構3，係具備有投光部32與受光部33，投光部32及受光部33，係分別被設置於光透過部31的外側。投光部32，係朝向形成有光透過部31的流路照射光。受光部33，係被配置為可接收在該光透過部31之流路所產生的側方散射光，將因應於其光接收的檢測信號輸出至控制部4。
每一片晶圓W1進行泵23的一次吐出動作且進行上述的塗佈處理。在該一次吐出動作中，亦即於光阻在光透過部31之流路中流通的期間，進行從投光部32向光透過部31的光照射與控制部4之檢測信號的取得。因此，取得關於該期間中之信號位準的推移(行為)的資料(亦即時間序列資料)。而且，該時間序列資料，係包含關於針對液體中之異物即微粒其個數及粒徑的資訊。亦即，異物檢測機構3，係被構成為輸出因應於液體中之異物的檢測信號。控制部4，係基於上述時間序列資料，判定對晶圓W的處理是否適當。
之後雖詳細敍述般，但在晶圓W的處理時間以外，亦藉由異物檢測機構3進行微粒檢測。在此時，亦以構成時間序列資料的方式，於預定期間內取得檢測信號。又，除了光阻中之微粒以外，關於稀釋劑中之微粒，亦使用該異物檢測機構3予以檢測。根據該異物檢測機構3，可檢測粒徑例如為10nm～200nm的微粒。在進行後述各作業流程中之微粒的個數之檢測的各步驟中，係針對具有像這樣地可檢測之範圍內的預定範圍內之粒徑的微粒，檢測個數。另外，於在此所檢測的微粒，係亦包含例如氣泡或聚合物等的光阻之構成物中成為異常大小的微粒。
然而，有時會在配管系統2中之光阻的流路中之特定部位產生異常，從該部位(為了方便起見，設為污染部位)產生比較多的上述微粒。亦即，有時上述閥V1或泵23等的構成流路之構件中的一部分構件會成為污染部位。雖可藉由進行相對於流路之洗淨動作的方式，將該流路潔淨化而使該微粒的個數降低，但在該洗淨動作，係存在有多數個種類。關於由該多數個種類中之一個所構成或由將複數個種類組合所構成的洗淨配方，在迅速且確實性高地使流路中之微粒降低時，實施因應於污染部位(異常部位)的洗淨配方為有效的。
在光阻塗佈裝置1中，係被構成為藉由利用上述異物檢測機構3的方式，可進行推估污染部位即構件的測試(設為滯留測試)及可進行對裝置的使用者提示關於因應其滯留測試之結果的洗淨配方。而且，所提示之洗淨配方，係藉由使用者的指示予以執行。該洗淨配方之執行，係對於異常的應對動作。
上述滯留測試、洗淨配方之提示及洗淨配方之執行，係可在光阻塗佈裝置1啟動時、運轉時分別進行。所謂裝置啟動時，係開始對晶圓W進行處理之前的期間，更具體而言，係使光阻流通於配管系統2之前的期間。又，所謂裝置啟動時，係具體而言為晶圓W依序被搬送至光阻塗佈裝置1的期間。
參閱圖2之流程，說明關於裝置啟動時所進行的滯留測試。為了方便說明，關於從上述噴嘴21之前端至配管22之上游端的流路20，從噴嘴21之前端至閥V1為止的容積為20mL，從閥V1至泵23為止的容積為30mL，從泵23至配管22之上游端為止的容積為100mL。另外，由於是裝置啟動時，因此，在配管系統2，係安裝稀釋劑儲存部28及流路形成構件19以代替光阻儲存部25及過濾器24。
在該滯留測試中，係藉由N 2氣體從N 2氣體供給源27向稀釋劑儲存部28的供給與各閥V的開關動作與泵23的動作，成為在流路20整體填充有從光阻儲存部25所供給之稀釋劑的狀態(步驟R1)。在該填充後，泵23的動作停止且來自N 2氣體供給源27之N 2氣體的供給一起停止(亦即閥V3成為關閉狀態)。藉此，關於流路20中之稀釋劑，係無法形成流動而成為滯留於該流路20的狀態(步驟R2)。 另外，以形成像這樣的狀態的方式，將泵23之動作停止且閥V3被關閉的時間點設為t1。在時間點t1後，污染部位之異物作為微粒被釋放至稀釋劑，該稀釋劑，係被填充、滯留於流路20。由於並未形成稀釋劑的流動，因此，該微粒，係停留於污染部位附近。因此，流路20之局部位置處的微粒數會增大。該步驟R1、R2，係相當於滯留工程。
於之後的時間點t2，泵23進行吸液、吐出動作，形成從光阻儲存部25朝向噴嘴21之稀釋劑的流動，並且滯留於流路20的稀釋劑從噴嘴21被吐出。藉此，從污染部位被釋放至流路之微粒，係通過光透過部31從噴嘴21被排出。例如在吐出流路20之容積量的稀釋劑後，停止泵23的動作，並結束來自噴嘴21之稀釋劑的吐出。將該吐出結束時間點設為t3。在從上述時間點t2至時間點t3為止的期間，監控來自噴嘴21之稀釋劑的吐出量，並且持續取得來自異物檢測機構3的檢測信號(步驟R3)。該步驟R3，係相當於流通工程、吐出量檢測工程及信號取得工程。而且，從該稀釋劑之吐出量與檢測信號，取得稀釋劑的吐出量與具有設定範圍內之粒徑的微粒之個數的關係(步驟R4)。
步驟R4中所取得的關係，係具體而言可表示為例如圖3所示的曲線圖。在圖3之曲線圖的橫軸、縱軸分別表示稀釋劑的吐出量、微粒的個數。當流路20中的局部位置之微粒的個數因來自上述污染部位之微粒的釋放而增大時，則曲線圖之波形，係以與其局部位置對應的吐出量表示峰值。流路20中之噴嘴21的位置與進行微粒的檢測之光透過部31的位置，係稍微偏移。因此，在流路20中，可推估「從噴嘴21之前端朝向流路20的上游側僅從噴嘴21之前端至光透過部31為止的容積(mL)與出現峰值的吐出量(mL)之合計量」的位置為污染部位。另外，由於微粒之個數，係藉由以來自上述異物檢測機構3之檢測信號檢測異物的方式來進行，因此，像這樣地從曲線圖之波形推估污染部位，係基於檢測出微粒時的吐出量來進行推估。
在獲得該圖3之曲線圖的情況下，係由於波形之峰值出現在吐出量稍微少於50mL的位置，因此，可推估位於比噴嘴21之前端更往流路20的上游側僅50mL之容積量的泵23為污染部位。如此一來，由於藉由稀釋劑之吐出量與微粒之個數的關係，可推估污染部位，因此，可如上述般地提示洗淨配方。圖3中之L1、L2，係分別為關於吐出量的第1設定範圍、第2設定範圍。第1設定範圍L1中之吐出量，係與從噴嘴21之前端至泵23為止的容積相同或與近似於其之容積相同的量，第2設定範圍L2中之吐出量，係與從噴嘴21之前端至閥V1為止的容積相同或與近似於其之容積相同的量。洗淨配方之提示，係藉由判定上述曲線圖之波形的峰值是否落在該些吐出量之設定範圍L1、L2的方式來進行。然而，此後，係將表示「像這樣地藉由滯留測試所獲得的來自噴嘴21之液體的吐出量與微粒之個數的關係」之曲線圖記載為吐出量對微粒個數曲線圖。
關於裝置運轉時之滯留測試，係與裝置啟動時的滯留測試大致相同，作為差異點，係可列舉出：在執行晶圓處理時之滯留測試時，由於在配管系統2安裝有光阻儲存部25，在流路20供給有來自該光阻儲存部25的光阻，因此，使該光阻滯留於流路20以代替稀釋劑。又，如上述般，作為差異點，亦可列舉出：在晶圓W之處理中，由於在配管系統2，係設置有過濾器24以代替流路形成構件19，因此，像這樣地構成流路20的構件並不同。
然而，在該滯留測試中，關於從使稀釋劑或光阻滯留之上述時間點t1至時間點t2為止的時間(設為滯留時間)，係設定為使微粒充分地釋放至流路20而提高測試的精度，且使晶圓W之處理的停止時間不過長。從其觀點來看，該滯留時間，係例如0.5小時～12小時為較佳，更佳為例如0.5小時～9小時。而且，關於裝置運轉時之滯留測試，係從更確實地防止流路20中之光阻的乾燥、固化的觀點來看，將該滯留時間設為例如2小時以下為更佳。
進一步說明關於滯留時間，在裝置運轉時，晶圓W以固定間隔被搬送至光阻塗佈裝置1而予以處理。如此一來，在依序處理晶圓W時，重覆泵23的吸液動作與複數次吐出動作。因此，流路20之上游端的光阻，係逐漸地往噴嘴21移動且被吐出至晶圓W。如此一來，當將「光阻從流路20之上游端至從噴嘴21被吐出為止」的時間設為X時，則從使微粒充分地釋放至流路20的目的來看，上述滯留時間，係被設定為比該時間X長的時間。另外，所謂時間X，係亦為從任意時間點至泵23之一次吐出量×吐出次數變得比流路20的容積大之時間點為止的時間。
接著，關於構成洗淨配方之洗淨動作，說明五個不同種類的例子。關於該五個種類的洗淨動作，稱為管路洗淨、氣液置換、加壓沖洗、泵脫泡、短虛擬體(short dummy)。關於該些洗淨動作，係由於使用被連接於配管系統2之光阻儲存部25的稀釋劑或稀釋劑儲存部28的光阻作為洗淨液，因此，在裝置啟動時與裝置運轉時所使用的洗淨液並不同。在此，係以裝置啟動時的洗淨且稀釋劑為洗淨液來進行說明。
關於五個種類的洗淨動作，在流路20中使該洗淨液從上游側朝向下游側流通為共通。其中的若干個，係使該洗淨液從噴嘴21吐出。關於管路洗淨，係在開啟了閥V1～V3的狀態下，於預先設定的期間進行來自氣體供給源27之N 2氣體的供給，藉此，藉由將稀釋劑儲存部28之稀釋劑向噴嘴21壓送並使其從該噴嘴21吐出的方式，進行流路20之洗淨。
關於氣液置換，係首先，進行與管路洗淨相同的動作，將稀釋劑儲存部28之稀釋劑向噴嘴21壓送且使其吐出。即便稀釋劑儲存部28之稀釋劑耗盡，亦持續向稀釋劑儲存部28供給N 2氣體，藉此，稀釋劑從流路20被去除，該N 2氣體從噴嘴21被吐出而沖洗流路20，並且成為流路20中之稀釋劑被N 2氣體置換的狀態。其後，操作員將稀釋劑儲存部28更換成填充了稀釋劑者。而且，藉由來自氣體供給源27之N 2氣體的供給，進行稀釋劑向流路20的再填充。重覆進行預定次數像這樣的管路洗淨、N 2氣體向流路20之置換、稀釋劑儲存部28的更換、稀釋劑向流路20的再充填、管路洗淨。
關於加壓沖洗，係與向晶圓W吐出光阻時相同地，藉由泵23及各閥V1～V3進行動作的方式，稀釋劑從噴嘴21被吐出。但是，關於該加壓沖洗執行時之泵23的吐出壓力，被設定為比在晶圓W進行處理時的該吐出壓力高。關於泵脫泡，係在閥V4、V3開啟而閥V1、V2關閉的狀態下，使泵23動作，藉由從泵23之上游側所供給的洗淨液，將積存於該泵的氣泡推出至排出用配管18而加以去除。短虛擬體，係在由泵23進行吸液後，重覆進行泵23的吐出動作與閥V1的開關，從噴嘴21吐出稀釋劑。距該噴嘴21之稀釋劑吐出間隔，係比在裝置運轉時依序處理晶圓W時之光阻的吐出間隔短。
關於以上所敍述的洗淨動作中之管路洗淨及氣液置換，係可有效地洗淨流路20整體，關於其中的氣液置換，係可在裝置啟動時特別有效地進行流路20整體的洗淨。加壓沖洗，係可在流路20中有效地洗淨泵23之下游側的區域。在積存於泵23之氣泡成為微粒的情況下，泵脫泡，係有效的洗淨動作。在泵23及/或閥V1成為污染部位的情況下，短虛擬體為有效的洗淨方法。另外，在裝置運轉時，係在配管系統2安裝光阻儲存部25以代替稀釋劑儲存部28，藉此，作為洗淨液，係使用光阻以代替稀釋劑。除了像這樣的差異以外，在裝置運轉時與裝置啟動時，可同樣地進行各洗淨動作。
另外，異物檢測機構3，係亦被使用於判定包含上述洗淨動作的洗淨配方所致之流路20的潔淨化是否適當。在洗淨動作中，在光透過部31之光阻或稀釋劑的流通中，控制部4，係取得來自該異物檢測機構3的檢測信號，基於從該檢測信號所獲得的微粒之個數，執行流路20是否進行了潔淨化的判定。
參閱圖1，說明關於控制部4。如上述般，控制部4，係電腦，具備有：程式41；通報部42；操作部43；及記憶體44。程式41，係將控制信號發送至光阻塗佈裝置1之各部，控制各閥V的開關、泵23的動作、異物檢測機構3之光照射等的各動作，進行上述洗淨動作及對晶圓W的處理。而且，該程式41，係以進行圖2中所說明的滯留流程及後述圖4、圖6中所示之作業流程的方式組成。因此，程式41，係被構成為亦可進行來自異物檢測機構3之檢測信號的取得、來自噴嘴21的液體之吐出量的檢測、來自檢測信號及吐出量之吐出量對微粒個數曲線圖的作成、該曲線圖之峰值的特定、峰值與吐出量之設定範圍的比較、基於該比較之洗淨配方的提示等。程式41，係被儲存於記憶媒體例如光碟、硬碟、記憶卡、DVD等且被予以安裝。
通報部42，係例如由顯示器或揚聲器所構成，藉由畫面顯示或聲音進行向裝置的使用者提示洗淨配方。又，如後述般，在即便重覆洗淨配方亦無法將流路20潔淨化的情況下(在啟動作業異常結束的情況下及在裝置無法恢復的情況下)，係藉由該通報部42通報其要旨。操作部43，係由按鈕或開關等所構成，使用者，係在該操作部43中進行預定之操作，藉此，可執行所提示的洗淨配方。在記憶體44，係記憶有前述流路20中之從噴嘴21的前端至各構件為止的容量或各洗淨動作中之參數(實施時間或泵23之吐出動作的次數等)或實施構成洗淨配方之各洗淨動作的順序或關於吐出量的第1及第2設定範圍L1、L2等。亦即，在該記憶體44，係記憶有滯留測試之執行所需的資訊或提示、執行洗淨配方時所需的資訊。
接著，參閱圖4，說明「在裝置啟動時，使流路20潔淨化的作業(以下，記載為啟動作業)之流程」的一例。首先，當「藉由來自N 2氣體供給源27之N 2氣體的供給或泵23的動作，從稀釋劑儲存部28所供給的稀釋劑被供給至流路20」時，則進行管路洗淨(步驟S1)。例如，在該管路洗淨正要結束時之預定長度的檢查期間，基於所取得之來自異物檢測機構3的檢測信號，檢測微粒的個數，判定該個數是否為基準值以下(步驟S2)。
在於步驟S2中判定微粒之個數為基準值以下的情況下，係將啟動作業視為正常結束。如此一來，在步驟S2或後述其他步驟S中，在將啟動作業視為正常結束的情況下，係分別將稀釋劑儲存部28更換成光阻儲存部25、將流路形成構件19更換成過濾器24，並藉由泵23的動作，使光阻從光阻儲存部25向噴嘴21之前端流通，從而可進行晶圓W的處理。
在於步驟S2中判定微粒之個數並非為基準值以下的情況下，係再次進行管路洗淨(步驟S3)。而且，與步驟S2相同地，基於預定檢查期間之檢測信號，檢測微粒的個數，判定該個數是否為基準值以下(步驟S4)。於步驟S4中，在判定微粒之個數為基準值以下的情況下，係將啟動作業視為正常結束。於步驟S4中，在判定微粒之個數並非為基準值以下的情況下，係進行前述滯留測試(步驟S5)，特定圖3中所說明的吐出量對微粒個數曲線圖之波形的峰值與對應於該峰值之稀釋劑的吐出量。
在以下說明中，係為了方便起見，作為上述滯留測試的結果，曲線圖之波形的峰值，係僅存在一個或不存在明確者。若對應於該峰值的吐出量在第1設定範圍L1內，則提示被設定為對於泵23之洗淨性高的洗淨配方A1。若對應於上述峰值的吐出量在第2設定範圍L2內，則提示對於閥V1之洗淨性高的洗淨配方A2。在「因不存在明確之峰值而無法特定對應於峰值的吐出量或於偏離第1設定範圍L1及第2設定範圍L2之範圍出現峰值」的情況下，係提示用以洗淨流路20整體的洗淨配方A3。然而，如圖3中所說明般，由於曲線圖之峰值，係對應於污染部位者，因此，特定該波形之峰值的工程，係相當於推估污染部位的工程。
如以上般，在提示洗淨配方A1～A3之任一者後，當裝置的使用者指示開始洗淨配方時，則執行所提示的洗淨配方。在洗淨配方A1被執行的情況下，係依氣液置換(步驟S11)、泵脫泡(步驟S12)、加壓沖洗(步驟S13)、管路洗淨(步驟S14)該順序予以執行。另外，如步驟S11的氣液置換中之光阻儲存部25的更換般，關於必需由操作員所進行的作業之作業，係藉由進行該作業的方式，依序進行各步驟。以後所敍述的其他洗淨配方亦相同。
基於在步驟S14的管路洗淨中之前述檢查期間所取得的來自異物檢測機構3之檢測信號，檢測微粒的個數。而且，判定該個數是否為基準值以下(步驟S15)。在於步驟S15中判定微粒之個數為基準值以下的情況下，係將啟動作業視為正常結束。在於步驟S15中判定微粒之個數並非為基準值以下的情況下，係再次執行洗淨配方A1(步驟S11～S14)與附隨於其之微粒的個數之判定(步驟S15)。
像這樣地重覆洗淨配方A1、步驟S15之判定，例如在「即便於重覆n次(n，係整數)洗淨配方A1後的步驟S15中，亦判定微粒之個數並非為基準值以下」的情況下，係停止重覆該洗淨配方A1及步驟S15，將啟動作業視為異常結束。而且，操作員，係例如進行泵23之更換等的應對。
在洗淨配方A2被執行的情況下，係依短虛擬體(步驟S21)、管路洗淨(步驟S22)該順序予以執行。而且，在步驟S22之管路洗淨正要結束時的檢查期間，判定微粒的個數是否為基準值以下(步驟S23)。在於步驟S23中判定微粒之個數為基準值以下的情況下，係將啟動作業視為正常結束，在判定該個數並非為基準值以下的情況下，係再次執行洗淨配方A2(步驟S21～S22)與附隨於其之判定(步驟S23)。重覆洗淨配方A2、步驟S23之判定，在「即便於重覆n次洗淨配方A2後的步驟S23中，亦判定微粒之個數並非為基準值以下」的情況下，係停止重覆該洗淨配方A2及步驟S23，將啟動作業視為異常結束。而且，操作員，係例如進行閥V1之更換等的應對。
在洗淨配方A3被執行的情況下，係依氣液置換(步驟S31)、泵脫泡(步驟S32)、加壓沖洗(步驟S33)、管路洗淨(步驟S34)該順序予以執行。而且，在步驟S34之管路洗淨正要結束時的檢查期間，判定微粒的個數是否為基準值以下(步驟S35)。如此一來，洗淨配方A3(步驟S31～S34)，係與洗淨配方A1相同種類之洗淨動作依相同的順序予以實施。而且，與洗淨配方A1被執行的情形相同地，因應步驟S35之判定來決定是否重覆洗淨配方A3及該判定，在「即便重覆n次，亦於步驟S35中判定微粒之個數為基準值以下」後，將啟動作業視為異常結束。如此一來，在異常結束的情況下，操作員，係進行「針對配管系統2之各構件進行測試或更換等」的任意應對。另外，曲線圖之峰值的特定及洗淨配方A1～A3中之任一個實施，係相當於基於檢測信號進行的對應工程。
然而，作為進行了滯留測試的結果，有時在吐出量對微粒個數之曲線圖的波形中出現複數個峰值。在該情況下，係提示組合對應於各峰值之洗淨配方而成的洗淨配方。如圖5所示般，列舉具體例來表示關於在第1設定範圍L1、第2設定範圍L2分別出現峰值的情形。提示包含有「構成對應於第1設定範圍L1之洗淨配方A1的洗淨動作(氣液置換、泵脫泡、加壓沖洗、管路洗淨)與對應於第2設定範圍L2之洗淨配方A4(短虛擬體、管路洗淨)」的洗淨配方。關於其洗淨配方中之洗淨動作的順序，係例如藉由預定的演算法來決定。
在圖5中，係表示像那樣地以洗淨配方A1、A2的組合所提示之洗淨配方的例子即洗淨配方A4。關於該洗淨配方A4，係由氣液置換(步驟S41)、泵脫泡(步驟S42)、加壓沖洗(步驟S43)、短虛擬體(步驟S44)、管路洗淨(步驟S45)所構成，該些洗淨動作被依序執行。與洗淨配方A1～A3相同地，在執行管路洗淨時，進行關於微粒之個數的判定(步驟S46)。而且，因應該判定結果，決定重覆洗淨配方A4(步驟S41～S45)與該判定(步驟S46)或將啟動作業視為正常結束，在「即便重覆n次洗淨配方A4，亦於步驟S46中判定微粒之個數並非為基準值以下」的情況下，係將啟動作業視為異常結束。
如上述般，在組合洗淨配方彼此時，以效率良好地洗淨各污染部位且避免成為過度洗淨為目的，亦可基於曲線圖之各峰值的高度，在組合前後，變更有助於特定的洗淨動作中之洗淨力的參數。作為一例，關於對應於第1設定範圍L1之洗淨配方A1所固有的洗淨動作之參數，在洗淨配方A4中，係變更為第1設定範圍L1之峰值的高度/第1及第2峰值之高度的合計。關於對應於第2設定範圍L2之洗淨配方A2所固有的洗淨動作之參數，亦相同地進行變更。
更具體敍述關於上述一例，如圖5所例示般，第1設定範圍L1之峰值的高度：第2設定範圍L2之峰值的高度=1：2。關於構成洗淨配方A1、A2的洗淨動作中之洗淨配方A1所固有的洗淨動作即加壓沖洗，在洗淨配方A1之步驟S13中，係被設定為進行泵23的吐出動作D次。在該情況下，例如作為洗淨配方A4中之步驟S43的加壓沖洗，係例如進行該吐出動作D次×1/(1+2)。相同地，關於洗淨配方A1、A2中之洗淨配方A2所固有的洗淨動作即短虛擬體，在洗淨配方A2中，係被設定為進行泵23的吐出動作及閥V1的開關動作E次。在該情況下，例如在洗淨配方A4中，係例如進行E次×2/(1+2)。
雖例示為在組合時變更洗淨配方A1、A2所固有的洗淨動作之參數，但關於變更哪個洗淨動作的參數，係亦可設為任意設定。例如作為其參數，關於氣液置換，係只要變更置換次數即可，關於管路洗淨，係只要變更使稀釋劑流通於流路20的時間即可，關於泵脫泡，係只要變更泵23之吐出動作的次數即可。
接著，參閱圖6，以與裝置啟動時之流程的差異為中心，說明關於裝置運轉時之用以使流路20潔淨化的動作流程。對被依序搬送至光阻塗佈裝置1之晶圓W，從噴嘴21吐出光阻而形成光阻膜。在其光阻之吐出中，取得從異物檢測機構3所輸出的檢測信號，檢測微粒之個數。當判定該個數並非為基準值以下時，則新晶圓W向光阻塗佈裝置1的搬入被暫時中止。
在其搬入中止後，進行管路洗淨(步驟T1)。基於在該管路洗淨正要結束時之檢查期間所取得的檢測信號，檢測微粒之個數，判定該個數是否為基準值以下(步驟T2)。在於步驟T2中判定微粒之個數為基準值以下的情況下，係視為裝置的恢復成功。如此一來，在於步驟T2或後述其他步驟T中恢復成功的情況下，係再度開始向光阻塗佈裝置1之晶圓W的搬送、處理。
在於步驟T2中判定微粒之個數並非為基準值以下的情況下，係進行滯留測試，接著取得來自噴嘴21之吐出量對微粒個數的曲線圖(步驟T3)。而且，特定波形之峰值與對應於該峰值的吐出量，因應經特定的峰值提示洗淨配方。
在此，亦為了方便說明，關於曲線圖之波形的峰值僅存在一個或不存在明確者。關於出現該峰值之吐出量，若在第1設定範圍L1內，則提示對於泵之洗淨性高的洗淨配方B1。關於出現該峰值之吐出量，若在第2設定範圍L2內，則提示對於閥V1之洗淨性高的洗淨配方A2。在「因不存在明確之峰值而無法特定對應於峰值的吐出量或於偏離第1設定範圍L1及第2設定範圍L2之範圍出現峰值」的情況下，係視為無法自動恢復裝置而不提示洗淨配方。亦即，進行是否能夠藉由洗淨配方來應對的判定(步驟T4)。在未提示洗淨配方的情況下，係例如操作員拆卸裝置中之各構件，進行用以特定原因的測試。
在提示洗淨配方B1～B2之任一者後，當使用者指示開始洗淨配方時，則執行所提示的洗淨配方。在洗淨配方B1被執行的情況下，係依管路洗淨(步驟T11)、加壓沖洗(步驟T12)該順序予以執行。在步驟T12之加壓沖洗中，泵23之吐出動作進行所設定的次數，例如，藉由距其吐出動作的最後一次僅預定次數前之各次的檢測信號，檢測微粒之個數。而且，判定該個數是否為基準值以下(步驟T13)。
在於步驟T13中判定微粒之個數為基準值以下的情況下，係視為裝置的恢復成功。在於步驟T13中判定微粒之個數並非為基準值以下的情況下，係再次執行洗淨配方B1(步驟T11～T12)與附隨於其之判定(步驟T13)。像這樣地重覆洗淨配方B1、步驟T13之判定，在「即便於重覆m次(m，係整數)洗淨配方B1後的步驟T13中，亦判定微粒之個數並非為基準值以下」的情況下，係停止重覆該洗淨配方B1及步驟T13之判定，視為無法自動恢復裝置，由操作員進行預定的測試。
在洗淨配方B2被執行的情況下，係依短虛擬體(步驟T21)、管路洗淨(步驟T22)該順序予以執行。在步驟T22之管路洗淨時，係與步驟T2之管路洗淨的執行時相同地取得檢測信號，從管路洗淨正要結束時之檢查期間的檢測信號，檢測微粒之個數。而且，判定該微粒之個數是否為基準值以下(步驟T23)。在於步驟T23中判定微粒之個數為基準值以下的情況下，係視為裝置的恢復成功。在於步驟T23中判定微粒之個數並非為基準值以下的情況下，係再次執行洗淨配方B2(步驟T21～T22)與附隨於其之判定(步驟T23)。像這樣地重覆洗淨配方B2、步驟T23之判定，在「即便於重覆m次(m，係整數)洗淨配方B2後的步驟T23中，亦判定微粒之個數並非為基準值以下」的情況下，係停止重覆該洗淨配方B2及步驟T23之判定，視為無法自動恢復裝置，由操作員進行預定的測試。
關於分別將泵23、閥V1作為污染部位而提示的洗淨配方B1、B2，所包含的洗淨動作比相同地分別將泵23、閥V1作為污染部位而提示的裝置啟動時之洗淨配方A1、A2少且簡單的目的，係使裝置迅速地恢復，提高裝置之生產率。基於同樣的目的，針對關於峰值無法進行特定或出現在第1及第2設定範圍L1、L2以外之範圍的情形，不提示洗淨配方，視為無法自動恢復。又，洗淨配方A1～A3、B1～B3雖可重覆進行，但為了上述目的，關於前述各流程中所表示的洗淨配方A1～A3之可重覆的次數即n次與洗淨配方B1～B2可重覆的次數即m次之關係，係例如n＞m。作為一例，係n為5、m為1。
另外，在裝置運轉時，係亦考慮該過濾器24成為污染部位的情形。因此，亦可設定關於對應於過濾器24的位置之吐出量的第3設定範圍L3與對於過濾器24之洗淨性高的洗淨配方B3，在滯留測試中之曲線圖的峰值出現於該第3設定範圍L3後，提示、執行該洗淨配方B3。又，關於該晶圓處理時之各洗淨配方，亦與裝置啟動時的洗淨配方相同地，可在滯留測試中出現複數個峰值的情況下進行組合。
根據如以上般所構成的光阻塗佈裝置1，在裝置啟動時、運轉時分別推估污染部位，提示對應於其污染部位的洗淨配方。因此，由於可效率良好地進行污染部位之洗淨，因此，可抑制成為洗淨液的稀釋劑或光阻之浪費使用，並可防止裝置變得無法使用晶圓W之狀態長時間持續的情形，作為其結果，可提高半導體製品的生產率。又，由於降低了操作員為了特定污染部位而從配管系統2拆卸各構件來分別驗證是否為污染部位的頻率，因此，減輕了操作員的負荷。
吾人考慮，假設在不利用異物檢測機構3而將預定量的洗淨液供給至流路後，使該洗淨液從噴嘴21吐出至旋轉夾盤12上的晶圓W，並將該晶圓W搬送至光阻塗佈裝置1之外部的檢測裝置，藉此，進行微粒之檢測。在該情況下，係會耗費將該晶圓W搬送到光阻塗佈裝置1之外部的時間。而且，造成因進行該微粒之檢測而導致晶圓W未被處理而供於使用的情形。因此，光阻塗佈裝置1，係亦發揮「像那樣地防止晶圓W之搬出的工夫，並且可防止對晶圓W進行無助於半導體元件的生產之處理」這樣的效果。
然而，前述各洗淨配方之構成，係一例，可適當變更關於配方中所含有的洗淨動作之種類或其順序。又，各洗淨配方，係雖設為由複數個洗淨動作所構成者，但亦可為僅進行一個洗淨動作者。又，控制部4亦可被構成為在藉由滯留測試進行上述洗淨配方之選擇、組合後，無論使用者的指示如何而自動執行其洗淨配方。因此，亦可為不進行對使用者提示洗淨配方的裝置構成。
又，雖例示了閥V1、泵23、過濾器24作為形成流路20的構件中之成為污染部位的構件，但該些以外的構件可能成為污染部位，亦可設定洗淨配方，因應滯留測試之結果進行其洗淨配方的提示、執行。例如雖省略了說明，但在過濾器24與光阻儲存部25之間，係設置有暫時儲存例如光阻的槽。亦可準備「該槽可能被推估為污染部位，並且對於該槽之洗淨性高」的洗淨配方。
而且，控制部4，係亦可藉由將關於例如由滯留測試所獲得的吐出量對微粒個數曲線圖顯示於構成通報部42之顯示器的方式，對使用者進行通報。觀看了其曲線圖之使用者亦可更換對應於波形之峰值位置的構件。亦即，亦可為不執行洗淨配方的裝置構成。又，在該情況下，係並非控制部4而是使用者進行污染部位的推估。因此，進行污染部位之推估，係不限於控制部4。
接著，說明關於上述實施形態的變形例。在前述實施形態中，係關於一次或重覆進行的洗淨配方A1中之管路洗淨，從開始到結束為止的時間(設為管路洗淨時間)為預先設定的固定時間。在本變形例中，係控制部4藉由滯留測試的結果，像那樣地決定關於一次或重覆進行的洗淨配方A1中最後進行之洗淨配方A1的管路洗淨時間。為了可像那樣地進行決定而進行關於控制部4的機械學習。
說明關於上述機械學習。如上述實施形態中所說明般，進行圖4中所示的裝置啟動時之流程並進行了步驟S4之滯留測試的結果，所取得的吐出量對微粒個數曲線圖係提示洗淨配方A1者。控制部4，係將吐出量對微粒個數曲線圖記憶於記憶體44。而且，指示洗淨配方A1之執行，執行前述步驟S11～S15。在執行步驟S14之管路洗淨時，係在管路洗淨時間中(亦即，從管路洗淨的開始時間點到結束時間點為止)，持續取得來自異物檢測機構3的檢測信號。該管路洗淨時間，係如上述般為固定時間。步驟S15之判定，係與前述例子相同地，藉由在管路洗淨正要結束時的檢查期間中所取得者來予以進行。亦即，在管路洗淨時間中所取得的檢測信號中之一部分期間的檢測信號被使用於判定。
像這樣地進行洗淨配方A1及步驟S15之判定，且啟動作業正常結束。如圖4的流程中所述般，直至啟動作業結束為止，洗淨配方A1，係進行一次或複數次。在其中最後的洗淨配方A1之管路洗淨期間中所持續取得的檢測信號與洗淨配方A1的重覆次數，係與該洗淨配方A1的執行之前所取得的吐出量對微粒個數曲線圖建立對應，並使其記憶於記憶體44。控制部4，係藉由該記憶的檢測信號，特定微粒個數不會超過基準值的收束時間點。亦即，從該收束時間點至管路洗淨的結束時間點為止之間，係微粒個數不超過基準值。因此，特定該收束時間點，係針對進行了一次或複數次的管路洗淨中之最後的管路洗淨，檢測為了使微粒個數不超過基準值而最低限所需的管路洗淨時間。在每次藉由滯留測試提示、執行洗淨配方A1時，進行如以上般的機械學習。
其後，使學習的結果輸出。具體而言，當獲得進行滯留測試而提示洗淨配方A1的吐出量對微粒個數曲線圖時，則從被記憶於記憶體44的各曲線圖中，特定波形之相似性最高的曲線圖。而且，例如重覆進行洗淨配方A1僅與所特定之曲線圖對應而記憶的重覆次數。而且，針對進行一次或複數次的管路洗淨中之最後的管路洗淨，係決定進行管路洗淨直至對應於其曲線圖的收束時間點為止。亦即，關於最後以外的管路洗淨中之管路洗淨時間，係與學習階段相同，雖為預先設定的時間，但關於最後的管路洗淨，係使結束時間點提前。配合使結束時間點提前，在最後的管路洗淨中，係進行步驟S15之判定的檢查期間亦提前。而且，在於該步驟S15中判定並非為基準值以下的情況下，係因意想不到之要因而無法減少微粒，將啟動作業視為異常結束。
藉由如以上般地利用學習結果的方式，防止「儘管因意想不到之要因而無法進行流路20的充分潔淨化，但卻徒勞地進行管路洗淨而導致額外使用稀釋劑及時間」的情形。另外，作為輸出，不限於直接應用過去所取得的收束時間點之結果來執行洗淨配方A1，作為預定的演算法，亦可算出學習階段後之輸出階段中所獲得的曲線圖與學習階段中所獲得的曲線圖之相似度，並配合其相似度變更收束時間點。關於洗淨配方A2、A3、B2亦與洗淨配方A1相同地，可藉由機械學習，從原本設定的時間變更管路洗淨時間。
關於洗淨配方B1，係與洗淨配方A1不同，配方之最後的洗淨動作雖為加壓沖洗，但與洗淨配方A1大致相同地進行機械學習，可從預先設定之設定次數，變更以加壓沖洗進行的泵23之吐出動作的次數。以關於洗淨配方A1之學習及輸出的差異點為中心而進行敍述，作為學習階段，係當「作為滯留測試之結果，執行洗淨配方B1而進行步驟T12的加壓沖洗」時，則在每次進行泵23之吐出動作時取得檢測信號。因此，在該學習階段中，係取得預先設定的吐出動作之次數量的檢測信號。而且，進行一次或複數次的洗淨配方B1中之最後的加壓沖洗中之各泵的吐出動作時之檢測信號，係與洗淨配方B1的重覆次數、吐出量對微粒個數曲線圖建立對應，並使其記憶於記憶體44。而且，藉由控制部4，特定「在其最後的加壓沖洗中，微粒個數以第幾次以後之吐出動作而不超過基準值」這樣的吐出次數(設為收束次數)。
作為輸出，係當獲得進行滯留測試而提示洗淨配方A1的吐出量對微粒個數曲線圖時，則從過去在執行洗淨配方B1時所獲得的曲線圖中，特定波形之相似性最高的曲線圖。重覆洗淨配方B1僅對應於其曲線圖的重覆次數，其中最後的洗淨配方B1之加壓沖洗中的吐出動作，係進行僅收束次數，並在進行吐出動作僅該收束次數中進行步驟T13，判定是否進行了裝置的恢復。亦即，最後的洗淨配方B1之吐出動作，係成為比預先設定之次數少的次數。
藉由如以上般的機械學習及輸出，防止「儘管因意想不到之要因而無法進行流路20的充分潔淨化，但卻徒勞地進行加壓沖洗」的情形。另外，關於該洗淨配方B1，亦不限於在輸出階段直接應用學習階段中所獲得的收束次數，例如亦可與洗淨配方A1相同地，藉由曲線圖之相似度進行變更。
如以上所述般，藉由機械學習，被設定為在洗淨動作中影響流路20的洗淨作用之如「洗淨液的通流時間或由泵23所進行的洗淨液之吐出動作的次數」般的參數會成為適當的參數。這會決定停止洗淨動作之適當的時間點。
其次，說明關於進一步的變形例。在本變形例中，係藉由機械學習，進行滯留測試執行後之洗淨配方的選擇。首先，如前述各實施形態所述般，進行滯留測試，取得吐出量對微粒個數的曲線圖。操作員，係進行任意洗淨配方的設定、執行。在構成洗淨配方之最後的洗淨動作中，係與前述例子相同地進行微粒個數之判定。在以該判定來判定微粒個數為基準值以下後，使吐出量對微粒數的曲線圖與經實施之洗淨配方的內容建立對應，並使其記憶於記憶體44。作為學習，係重覆此動作。亦即，對曲線圖之波形重覆學習有效的洗淨配方。
而且，作為學習之輸出，係當藉由滯留測試取得吐出量對微粒個數曲線圖時，則針對其曲線圖之波形，從至目前為止所取得的波形中，特定相似性最高的曲線圖。而且，對使用者提示或執行對應於其經特定之曲線圖的洗淨配方。因此，在本例中，係作為洗淨配方，複數個候補被儲存於記憶體44，在進行了滯留測試時，因應於其滯留測試之結果，從該候補中選擇並提示或執行對於使流路20潔淨化方面為有效性最高者。
另外，在進行滯留測試而取得吐出量對微粒數的曲線圖後，例如操作員從配管系統2拆卸流路20之各構件，個別地進行任意測試，特定污染部位是為哪一個。亦可進行「使其經特定的污染部位與曲線圖建立對應，並使其記憶於記憶體44」的學習。而且，作為輸出，在取得吐出量對微粒數的曲線圖後，從學習階段中取得之曲線圖中，特定相似性最高的曲線圖。對應於其經特定之曲線圖的污染部位亦可作為所推估的污染部位而提示給使用者。因此，在本例中，係作為污染部位，複數個候補被儲存於記憶體44，在進行了滯留測試時，因應於其滯留測試之結果，從候補中選擇並提示污染部位的可能性最高者。
然而，關於用以像那樣地推估污染部位之機械學習，係亦可為「針對進行滯留測試而獲得的吐出量對微粒數之曲線圖與經特定的污染部位，進行向記憶體44之儲存而構建神經網路」者。作為該神經網路，係例如設為「針對藉由滯留測試所獲得的吐出量對微粒個數曲線圖，預定吐出量之間隔的微粒個數被輸入至輸入層」的構成。因此，輸入層之節點的數量，係設置僅對應於其間隔的量。作為輸出層之節點，係例如設置三個，從該些節點輸出針對閥V1、泵23、除此以外的構件為污染部位之概率。具體而言，當在學習階段後獲得吐出量對微粒個數曲線圖時，則亦可以閥V1為污染部位之概率Y1%、泵23為污染部位之概率Y2%、除此以外的構件為污染部位之概率Y3%的方式，將概率顯示於通報部42。
關於吐出量對微粒數之曲線圖與有效的洗淨配方，也亦可相同地儲存資料而構成神經網路，從該網路之輸出層，被顯示為洗淨配方A1的有效性Z1%、洗淨配方A2的有效性Z2%･･･。另外，如此一來，在針對污染部位或洗淨配方表示相當於排序之資訊(在上述情況下，係污染部位之概率、關於有效性之概率)的情形下，亦相當於進行污染部位的推估或洗淨配方的提示。又，亦可在像那樣地算出洗淨配方之有效性後，自動執行有效性最高的洗淨配方。
然而，在控制部4檢測來自噴嘴21之稀釋劑及光阻的吐出量時，係不限於監視泵23的動作，亦可在配管22設置流量計，基於來自其流量計的檢測信號進行。因此，亦可藉由「在上述滯留測試中所滯留的液體之排出、N 2氣體從N 2氣體供給源27向光阻儲存部25或稀釋劑儲存部28之供給」來進行。又，在進行其液體之排出時，在前述例子中，係雖使其從噴嘴21吐出，但不限於像那樣地使其從噴嘴21吐出。亦可在流路20之下游側設置從該流路20分歧的排出路徑，藉由對流路20及適當地被設置於該排出路徑之閥進行開關的方式，將稀釋劑或光阻排出至該排出路徑，進行流路20中之流通。
而且，關於異物檢測機構3之受光部33，係不限於接收側方散射光，例如亦可接收前方散射光。又，作為受光部33接收之來自流路的光，係不限於散射光，亦可接收光透過部31中之透射光。
作為為了處理基板而供給的處理液，係不限於光阻。例如在供給光阻之前，在晶圓W，係為了對表面進行改質而塗佈稀釋劑作為處理液。關於該稀釋劑之流路，亦可進行滯留測試的執行、洗淨配方的提示、執行。除此以外，作為處理液，係亦可為用以洗淨處理晶圓W的洗淨液、反射防止膜形成用之藥液、絕緣膜形成用之藥液、用以貼合晶圓W的接著劑等。又，作為處理對象之基板亦不限於圓形的晶圓W，例如亦可為以製造平板顯示器等為目的之矩形的基板。
吾人應理解本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示而非限制性者。上述實施形態，係亦可在不脫離申請專利範圍及其意旨的情況下，以各種形態進行省略、置換及組合。
W:晶圓 1:光阻塗佈裝置 21:噴嘴 22:配管 28:光阻儲存部 32:光照射部 33:受光部
[圖1]本揭示之液處理裝置的一實施形態之光阻塗佈裝置的構成圖。 [圖2]在光阻塗佈裝置啟動時所進行的滯留測試的流程圖。 [圖3]表示藉由前述滯留測試所取得的圖表之一例的曲線圖。 [圖4]包含前述光阻塗佈裝置的啟動作業中之滯留測試之作業的流程圖。 [圖5]表示藉由前述光阻塗佈裝置所取得的圖表之一例的曲線圖。 [圖6]包含以前述光阻塗佈裝置進行運轉時的滯留測試之作業的流程圖。
L1:第1設定範圍
L2:第2設定範圍

Claims (15)

  1. 一種液處理方法，其特徵係，具備有： 「在將儲存處理液之儲存部與處理液供給部連接的流路中，使前述處理液流通，從前述處理液供給部吐出至基板而處理該基板」的工程； 滯留工程，將液體填充於前述流路並使其滯留； 流通工程，使滯留的前述液體在前述流路中流通； 信號取得工程，於進行前述流通工程的期間，進行以光照射部向前述流路照射光與以受光部接收來自該流路的光，取得從該受光部所輸出的因應於前述液體中之異物的檢測信號；及 對應工程，基於前述檢測信號，實施前述流路中之異常部位的推估、對於異常之應對動作的提示或該應對動作。
  2. 如請求項1之液處理方法，其中， 在前述滯留工程中，使前述液體滯留之時間，係0.5小時以上。
  3. 如請求項1之液處理方法，其中，包含有： 吐出量檢測工程，在進行前述流通工程的期間，檢測從前述處理液供給部所吐出之前述液體的量， 前述對應工程，係基於檢測到異物時的前述吐出量來予以進行。
  4. 如請求項1～3中任一項之液處理方法，其中， 前述對應工程，係基於直至進行該對應工程為止所進行的機械學習與前述檢測信號來予以進行。
  5. 如請求項4之液處理方法，其中， 前述對應工程，係包含有實施前述應對動作之提示或前述應對動作的工程， 該應對動作，係包含有使洗淨液在前述流路中流通的洗淨動作， 前述機械學習，係用以決定使前述洗淨動作結束之時間點的學習。
  6. 如請求項4之液處理方法，其中， 前述應對動作，係包含有使洗淨液在前述流路中流通的洗淨動作， 前述對應工程，係包含有「提示或實施關於從複數個前述應對動作的候補所選擇出之應對動作」的工程， 前述機械學習，係用以進行前述應對動作之選擇的學習。
  7. 如請求項1～3中任一項之液處理方法，其中， 前述對應工程，係包含有： 「基於前述檢測信號與在前述流通工程中從前述處理液供給部所吐出之前述液體的量，推估前述流路中之異常部位」的工程；及 「提示或執行對應於該推估結果之前述應對動作」的工程。
  8. 一種液處理裝置，其特徵係，具備有： 處理液供給部，用以將處理液吐出至基板而進行處理； 流路，將儲存前述處理液之儲存部與前述處理液供給部連接； 流通機構，使液體在前述流路中流通； 光照射部，進行向前述流路照射光； 受光部，接收來自前述流路的光；及 控制部，以實施如下述步驟的方式，輸出控制信號： 「使前述處理液在前述流路中流通，從前述處理液供給部吐出至前述基板而處理該基板」的步驟； 滯留步驟，將液體填充於前述流路並使其滯留； 流通步驟，使滯留的前述液體在前述流路中流通； 信號取得步驟，於進行前述流通步驟的期間，進行以前述光照射部向前述流路照射光與以受光部接收來自該流路的光，取得從該受光部所輸出的因應於前述液體中之異物的檢測信號；及 對應步驟，基於前述檢測信號，實施前述流路中之異常部位的推估、對於異常之應對動作的提示或該應對動作。
  9. 如請求項8之液處理裝置，其中， 在前述滯留步驟中，使前述液體滯留之時間，係0.5小時以上。
  10. 如請求項8之液處理裝置，其中，具備有： 吐出量之測定機構，在前述流通步驟中，測定從前述處理液供給部所吐出之前述液體的量， 前述控制部係，前述對應步驟基於檢測到異物時的前述吐出量來予以進行。
  11. 如請求項8～10中任一項之液處理裝置，其中， 前述對應步驟，係基於直至進行該對應步驟為止所進行的機械學習與前述檢測信號來予以進行。
  12. 如請求項11之液處理裝置，其中， 前述對應步驟，係包含有實施前述應對動作之提示或前述應對動作的步驟， 該應對動作，係包含有使洗淨液在前述流路中流通的洗淨動作， 前述機械學習，係用以決定使前述洗淨動作結束之時間點的學習。
  13. 如請求項11之液處理裝置，其中， 前述應對動作，係包含有使洗淨液在前述流路中流通的洗淨動作， 前述對應步驟，係包含有「提示或實施關於從複數個前述應對動作的候補所選擇出之應對動作」的步驟， 前述機械學習，係用以進行前述應對動作之選擇的學習。
  14. 如請求項8～10中任一項之液處理裝置，其中， 前述對應步驟，係包含有： 「基於前述檢測信號與在前述流通工程中從前述處理液供給部所吐出之前述液體的量，推估前述流路中之異常部位」的步驟；及 「提示或執行對應於該推估結果之前述應對動作」的步驟。
  15. 一種程式，係被使用於具備有「用以將處理液吐出至基板而進行處理的處理液供給部、將儲存前述處理液之儲存部與前述處理液供給部連接的流路、使液體在前述流路中流通的流通機構、進行向前述流路照射光的光照射部及接收來自前述流路的光之受光部」的液處理裝置，該程式，其特徵係，被構成為執行如下述步驟： 「使前述處理液在前述流路中流通，從前述處理液供給部吐出至前述基板而處理該基板」的步驟； 滯留步驟，將液體填充於前述流路並使其滯留； 流通步驟，使滯留的前述液體在前述流路中流通； 信號取得步驟，於進行前述流通工程的期間，進行以光照射部向前述流路照射光與以受光部接收來自該流路的光，取得從該受光部所輸出的因應於前述液體中之異物的檢測信號；及 對應步驟，基於前述檢測信號，實施前述流路中之異常部位的推估、對於異常之應對動作的提示或該應對動作。
TW111149905A 2022-01-07 2022-12-26 液處理方法、液處理裝置及程式 TW202343541A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-001955 2022-01-07
JP2022001955 2022-01-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202343541A true TW202343541A (zh) 2023-11-01

Family

ID=87073699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111149905A TW202343541A (zh) 2022-01-07 2022-12-26 液處理方法、液處理裝置及程式

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202343541A (zh)
WO (1) WO2023132298A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4173349B2 (ja) * 2001-11-05 2008-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016103590A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
TWI773721B (zh) * 2017-01-20 2022-08-11 日商東京威力科創股份有限公司 異物檢測裝置、異物檢測方法及記憶媒體

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023132298A1 (ja) 2023-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10037901B2 (en) Substrate liquid treatment apparatus, method of cleaning substrate liquid treatment apparatus and non-transitory storage medium
US9278768B2 (en) Process liquid changing method and substrate processing apparatus
JP2015220318A5 (zh)
JP2016103590A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP6667241B2 (ja) 処理液供給装置、基板処理システムおよび処理液供給方法
JP6713528B2 (ja) 自動投入方法
JPWO2019202962A1 (ja) 薬液の異常検出装置、液処理装置、基板処理装置、薬液の異常検出方法、液処理方法及び基板処理方法
JP2011077243A (ja) 基板処理装置、基板処理装置のための検査装置、ならびに検査用コンピュータプログラムおよびそれを記録した記録媒体
US20060213542A1 (en) Substrate processing apparatus
TW202343541A (zh) 液處理方法、液處理裝置及程式
US10474139B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5095570B2 (ja) 濃度制御系の故障検知方法及びそれを用いた基板処理装置
JP6393661B2 (ja) 基板液処理装置
JP4957820B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2007266211A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
CN110060922B (zh) 流路清洗方法和流路清洗装置
KR102113433B1 (ko) 잉크젯 프린터 헤드를 세척하여 수리하는 전용 수리장치
WO2022168641A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
KR20210049329A (ko) 웨이퍼 표면온도를 이용한 반도체 공정 상태 관리 장치
TW202025331A (zh) 基板處理設備及方法
KR102493877B1 (ko) 기판처리장치
KR102504552B1 (ko) 반도체 제조 부품의 플러싱 조건 결정 장치 및 플러싱 조건 결정 방법
Goswami et al. In-line Photoresist Defect Reduction through Failure Mode and Root-Cause Analysis: Topics/categories: EO (Equipment Optimization)/DR (Defect Reduction)
KR102295448B1 (ko) 폴리이미드를 포함한 포토레지스트 제거 및 재생 시스템과 이를 실행하는 방법
KR20210124052A (ko) 액 처리 장치의 운전 방법 및 액 처리 장치