TWI773721B - 異物檢測裝置、異物檢測方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種可精度良好地檢測流動於流路部之異物的技術。 　　[解決手段]構成一種裝置，係具備有：流路部(15A~15K)，構成被供給至被處理體(W)之流體所流動的流路(17A~17K)；雷射光照射部(51)，以使流路部(15A~15K)中之流體的流動方向與光路交叉之方式，對該流路部(15A~15K)內照射雷射光；受光元件(45A、45B)，被設置於透過了流路部(15A~15K)之光路上；檢測部(6)，根據從受光元件(45A、45B)所輸出的信號，檢測流體中之異物；及濾光部(57)，被設置於受光元件(45A、45B)與流路部(15A~15K)之間的光路上，遮斷「從光照射部(51)將光照射至流體而產生」的拉曼散射光，並且使瑞利散射光透過受光元件(45A、45B)

Description

異物檢測裝置、異物檢測方法及記憶媒體
本發明，係關於光學性地檢測被供給至被處理體之流體中之異物的異物檢測裝置、異物檢測方法及具備有執行該方法之電腦程式的記憶媒體。
在半導體裝置之製造工程中，係例如有對半導體晶圓(以下，記載為晶圓)進行液處理的工程。在例如形成光阻圖案之工程中，係使用光阻等的各種藥液，藥液，係從藥液容器通過介設有閥等的機器之流路即配管，經由噴嘴被吐出至晶圓上。如此一來，附著於配管或各機器的微粒有混入被供給至晶圓之藥液的情形，並亦有在該藥液中出現氣泡的情形。而且，在包含樹脂材料之藥液例如光阻中，係亦有包含比正常之聚合物成分大之所謂的異常之聚合物成分的情形。
例如已知如下述之處理技術：當微粒或氣泡抑或異常之聚合物混入光阻中時，由於會成為顯像缺陷之要因，因此，監視該些異物直至異物的量低於設定值為止，例如在包含配管之供給系統內謀求藥液的清淨化。作為監視異物之手法，係有使用了微粒計數器的手法，該微粒計數器，係對流路內之藥液照射雷射光並接收來自異物之散射光，計測異物的量。
另一方面，隨著半導體元件之設計規則的微細化日益進展，所容許之微粒尺寸有逐漸變小之傾向，從而要求精度良好地檢測更微細之異物的技術。然而，檢測對象之異物越小，由於S(信號位準)/N(雜訊位準)變得越小，因此，難以進行高精度之檢測。又，當欲檢測光阻中之尺寸較大的異常聚合物時，由於與尺寸較小之正常的聚合物對應之雷射光的強度會成為雜訊，因此，難以針對異常聚合物進行高精度之檢測。例如，在專利文獻1中，雖係記載有關於使雷射光透過流路而檢測藥液中之微粒的技術，但仍尋求進行更高精度之檢測。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-103590號公報
本發明，係有鑑於像這樣的情事而進行研究者，其目的，係提供一種可精度良好地檢測流動於流路部之異物的技術。
本發明之異物檢測裝置，係檢測被供給至被處理體之流體中的異物，該異物檢測裝置，其特徵係，具備有：流路部，構成被供給至前述被處理體之流體所流動的流路；雷射光照射部，以使前述流路部中之流體的流動方向與光路交叉之方式，對該流路部內照射雷射光；受光元件，被設置於透過了前述流路部之光路上；檢測部，根據從前述受光元件所輸出的信號，檢測前述流體中之異物；及濾光部，被設置於前述受光元件與前述流路部之間的光路上，遮斷「從前述雷射光照射部將光照射至前述流體而產生」的拉曼散射光，並且使瑞利散射光透過前述受光元件，前述受光元件，係包含有第1受光元件及第2受光元件，前述檢測部，係根據與來自前述第1受光元件及前述第2受光元件之輸出的差分對應的信號來檢測前述異物。
本發明之異物檢測方法，係檢測被供給至被處理體之流體中的異物，該異物檢測方法，其特徵係，具備有：對構成「被供給至前述被處理體之流體所流動的流路」之流路部供給該流體的工程；藉由雷射光照射部，以使前述流路部中之流體的流動方向與光路交叉之方式，對該流路部內照射雷射光的工程；藉由被設置於透過了前述流路部之光路上的受光元件進行接收的工程；根據從前述受光元件所輸出的信號，藉由檢測部檢測 前述流體中之異物的工程；及藉由被設置於前述受光元件與前述流路部之間的光路上之濾光部，遮斷「從前述雷射光照射部將光照射至前述流體而產生」的拉曼散射光，並且使瑞利散射光透過前述受光元件的工程，前述受光元件，係包含有第1受光元件及第2受光元件，前述檢測部，係根據與來自前述第1受光元件及前述第2受光元件之輸出的差分對應的信號來檢測前述異物。
本發明之記憶媒體，係記憶有使用於異物檢測裝置之電腦程式，該異物檢測裝置，係檢測被供給至被處理體之流體中的異物，該記憶媒體，其特徵係，前述電腦程式，係以執行本發明之異物檢測方法的方式，編入步驟群。
根據本發明，設置有測定用之流路部與受光元件，該測定用流路部，係位於被供給至基板之流體的供給部之一部分，構成流體中之異物的測定區域，該受光元件，係接收從光照射部所照射而透過該流路部的光，在受光元件與流路部之間，係設置有濾光部，該濾光部，係遮斷「上述之光被照射至前述流體而產生」的拉曼散射光，並且使瑞利散射光通過前述受光元件。因此，由於可防止拉曼散射光入射至受光元件之情形，並可抑制在從受光元件所輸出的信號中發生雜訊之情形，因此，可針對流體中的異物進行精度高之檢測。
圖1，係應用了本發明之異物檢測裝置之塗佈、顯像裝置1的概略圖。該塗佈、顯像裝置1，係具備有：光阻塗佈模組1A、1B，分別對被處理體即基板例如晶圓W供給藥液而進行處理；反射防止膜形成模組1C、1D；及保護膜形成模組1E、1F。該些模組1A~1F，係對晶圓W供給藥液而進行處理的藥液供給模組。塗佈、顯像裝置1，係在以該些模組1A~1F對晶圓W供給各種藥液，並依序進行反射防止膜的形成、光阻膜的形成、曝光時用以保護光阻膜之保護膜的形成後，例如對已浸液曝光之晶圓W進行顯像。
上述之模組1A~1F，係具備有藥液之供給路徑，塗佈、顯像裝置1，係被構成為可檢測流通該供給路徑之藥液中的異物。流通了上述之供給路徑的藥液，係被供給至晶圓W。因此，相互並行地進行藥液對晶圓W之供給與異物之檢測。異物，係指例如粒徑比微粒、氣泡及構成藥液之正常的聚合物大之異常的聚合物等。具體而言，異物之檢測，係指例如在預定期間中，流動於藥液之流路的預定檢測區域之異物的總數與各異物的大小之檢測。在塗佈、顯像裝置1，係設置有光供給部2，光供給部2，係藉由光纖23，將從光源21所輸出之例如波長532nm的雷射光引導至被設置於模組1A~1F的異物檢測單元4。
模組1A~1F，係被構成為大致相同，在此，係說明關於圖1所示之光阻塗佈模組1A的概略構成。光阻塗佈模組1A，係例如具備有11根噴嘴11A~11K，其中的10根噴嘴11A~11J，係對晶圓W吐出作為藥液之光阻而形成塗佈膜即光阻膜。噴嘴11K，係對晶圓W吐出稀釋劑。稀釋劑，係被供給至供給光阻之前的晶圓W，其為提高光阻之浸濕性的預濕用藥液，並為光阻之溶劑。
形成藥液之供給路徑的藥液供給管12A~12J之下游端，係被連接於噴嘴11A~11J，藥液供給管12A~12J之上游端，係經由閥V1被分別連接於光阻之供給源13A~13J。各光阻之供給源13A~13J，係具備有：瓶，儲存了例如光阻；及泵，將從瓶所供給之光阻壓送至噴嘴11A~11J。儲存於供給源13A~13J之各瓶的光阻之種類，係相互不同，從10種類之光阻所選擇之1種類的光阻被供給至晶圓W。
藥液供給管12K之下游端，係被連接於噴嘴11K，藥液供給管12K之上游端，係經由閥V1被連接於供給源13K。供給源13K，係除了儲存上述之稀釋劑以代替光阻以外，與供給源13A~13J具有相同構成。亦即，在處理晶圓W之際，藥液流動於藥液供給管12A~12K之時序，係相互不同。藥液供給管12A~12K，係藉由具有可撓性之材料例如樹脂所構成，以不妨礙後述之噴嘴11A~11K的移動之方式所構成。在藥液供給管12A~12K中的噴嘴11A~11K與閥V1之間，係介設有光析管15A~15K。光析管15A~15K，係被構成作為異物之測定用流路部，並針對通過其內部的異物加以檢測。關於光析管15A~15K，係如後所述。
在圖2中，係表示關於光阻塗佈模組1A更詳細之構成的一例。圖中31、31，係旋轉卡盤，各別水平地吸附保持晶圓W之背面中央部，並且使保持的晶圓W繞垂直軸旋轉。圖中32、32，係罩杯，包圍被保持於旋轉卡盤31、31之晶圓W的下方及側方而抑制藥液之飛散。圖中33，繞垂直軸旋轉之旋轉台，在旋轉台33上，係設置有沿水平方向移動自如且垂直的支柱34與噴嘴11A~11K的保持器35。36，係沿支柱34升降自如之升降部，37，係使升降部36沿與支柱34的移動方向正交之水平方向移動自如的臂部。在臂部37之前端，係設置有噴嘴11A~11K之裝卸機構38。藉由旋轉台33、支柱34、升降部36及臂部37之協同動作，噴嘴11A~11K在各旋轉卡盤31上與保持器35之間移動。
在上述之旋轉台33及罩杯32的側方，以不會與移動之臂部37或支柱34干涉的方式，設置有異物檢測單元4。藉由該異物檢測單元4與上述的光供給部2與後述的控制部6，構成本發明之異物檢測裝置。圖3，係表示該異物檢測單元4的平面圖。異物檢測單元4，係具備有雷射光照射部51、受光部52及流路陣列16，例如被構成為利用了前方散射光之光散射光方式的微粒計數器。亦即，在以受光元件接收因異物而產生的散射光時，根據從該受光元件所輸出之信號的變化，進行異物之檢測。
上述之光纖23的下游端，係經由準直器42被連接於雷射光照射部51。例如在塗佈、顯像裝置1之運轉中，從光供給部2常時供給光至光纖23，並藉由後述之閘門41之光路的開關，切換對流路陣列16供給光之狀態與停止對流路陣列16供給光之狀態。光纖23，係以不妨礙後述之雷射光照射部51的移動之方式，具有可撓性。
參照圖4之立體圖，說明關於流路陣列16。形成藥液之流路部的流路陣列16，係石英製，被構成為方形之橫長的區塊，具有各別被形成於上下方向的11個貫通口。各貫通口，係沿流路陣列16之長度方向而配列，各貫通口與該貫通口之周圍的壁部被構成作為上述之光析管15A~15K。因此，光析管15A~15K，係形成直立之軟管，藥液從構成該光析管15A~15K之各貫通口的上方流向下方。將光析管15A~15K之各貫通口設成為流路17A~17K。流路17A~17K，係相互具有相同構成，如前述般，各別被介設於藥液供給管12A~12K。
返回到圖3繼續進行說明。上述之雷射光照射部51及受光部52，係被設置為自前後包夾流路陣列16且相互對向。圖中43，係從流路陣列16之下方側支撐雷射光照射部51與受光部52的平台，並被構成為藉由未圖示之驅動機構，沿左右方向移動自如。如此一來，藉由平台43進行移動的方式，雷射光照射部51，係可將從光纖23所引導的光照射至流路17A~17K中之所選擇的一個流路17，受光部52，係接收像那樣地被照射至流路17而透過該流路17的光。亦即，以交叉於藥液之流動方向的方式，在流路17形成光路。
圖5，雷射光照射部51及受光部52的概略構成圖。該圖5，係表示光照射至流路17A~17K中作為代表之17A的狀態，圖中之箭頭，係表示藉由上述之雷射光所形成之光路的概略。為了方便說明，將從雷射光照射部51朝向受光部52的方向設成為後方。雷射光照射部51，係具備有光學系統，在該光學系統，係例如包含聚光透鏡53。又，在圖5中，雖係省略表示，但如圖3所示，在雷射光照射部51，係設置有上述之閘門41。
上述之準直器42，係朝向後方側，沿水平方向照射雷射光。閘門41，係在遮蔽位置(圖3中以虛線表示)與開放位置(圖3中以實線表示)之間移動，並開關該光路，該遮蔽位置，係遮蔽準直器42與聚光透鏡53之間的光路，該開放位置，係從該光路退避。聚光透鏡53，係例如藉由被稱作為圓柱透鏡或包威爾透鏡或雷射線產生透鏡的透鏡所構成，使從準直器42所照射之雷射光聚集於流路17A，並且針對光路之橫剖面，以使與該流動方向正交之方向比藥液之流動方向長的方式，使雷射光扁平化。在比聚光透鏡53更前方側中，光路之橫剖面(朝向前後方向觀看之剖面)，係例如大致正圓之圓形，光析管15內之光路的橫剖面，係藉由聚光透鏡53，例如被設成為具有沿左右方向之長徑的橢圓形。
在被形成於流路17A的光路中，能量密度比較高之聚光區域成為異物的檢測區域50，對進入該檢測區域50之異物行檢測。而且，如上述般，由於在流路17A形成有光路，因此，該檢測區域50，係左右橫長，在平面觀看時，檢測區域50之面積相對於流路17A之面積的比例比較大。以形成像這樣的檢測區域50之方式，使流動於流路17A內之異物的總數中之所檢測到之異物的數量之比例變高。
接著，說明關於受光部52。受光部52，係具備有光學系統54及光檢測部40，光學系統54被設置於前方側，光檢測部40被設置於後方側。光學系統54，係例如被構成為從前方朝向後方依接物透鏡56、帶通濾光器57、成像透鏡58該順序而配置。透過了光析管15A的光，係藉由接物透鏡56成為平行光，通過濾光部即帶通濾光器57且藉由成像透鏡58聚集於光檢測部40。光檢測部40，係如後述詳細進行說明，藉由受光元件所構成。由於帶通濾光器57之其作用，係具有入射角依賴性，因此，如上述般，被設置於平行光所入射的位置。另外，至此為止雖說明了關於光照射至流路17A時所形成的光路，但光照射至其他流路17B~17K的情形亦相同地形成光路。
其次，參閱圖6之示意圖，說明關於上述之帶通濾光器57的作用。在流通於流路17A~流路17J的光阻中，係包含多數個用以在晶圓W形成光阻膜的聚合物61。該聚合物61，係不會產生凝聚等之正常包含於光阻中的聚合物。當被照射至「從雷射光照射部51流通於流路17A之光阻」的光被照射至聚合物61時，則產生拉曼散射所致之斯托克斯光及反斯托克斯光與瑞利散射光所致之瑞利光。瑞利光，係與被照射至聚合物61之前的光相同且波長為532nm的光，斯托克斯光，係具有向比532nm長波長側偏移的波長，反斯托克斯光，係具有向比532nm短波長側偏移的波長。如此一來，在透過了流路17A~17J後之雷射光的波長成分，係除了光源之波長以外，另包含波長偏移成分。相同地，即便藉由雷射光被照射至異物62的方式，亦產生瑞利光與拉曼散射光所致之斯托克斯光及反斯托克斯光。又，即便藉由雷射光被照射至聚合物61以外之光阻的構成物，例如光阻之溶媒即稀釋劑的方式，亦產生瑞利光、斯托克斯光及反斯托克斯光。
雖根據雷射光被照射至異物62時之光檢測部40的受光元件中之受光的變化來進行異物之檢測，但除了從異物62產生之散射光(瑞利光、斯托克斯光及反斯托克斯光)以外，從正常的聚合物61產生之散射光及從稀釋劑產生之散射光亦被照射至受光元件。但是，當上述之聚合物61及聚合物61以外之稀釋劑等的光阻之構成物的散射光被照射至受光元件時，則在從該光檢測部40所輸出之電壓信號會出現因該些散射光引起的振幅。亦即，成為背景雜訊。關於異物之檢測信號，當振幅小於該背景之雜訊信號時，則難以與該雜訊信號作區別。亦即，藉由該雜訊信號之位準，決定可測定之異物最小粒徑(最小可測定粒徑)。
圖7，係表示在未設置帶通濾光器57的情況下，被引導至光檢測部40之光之拉曼光譜之概略的曲線圖。曲線圖之橫軸，係表示拉曼位移(單位：cm-1 )，亦即光的波長(單位：nm)，曲線圖之縱軸，係表示拉曼強度。在頻譜中，+800cm-1 附近之波長所觀察到之比較大的波峰，係因不是污染物亦即聚合物61及聚合物61以外的異物之光阻之構成構件(包含稀釋劑)的斯托克斯光而產生， -800cm-1 附近之波長所觀察到之比較大的波峰，係因該污染物的反斯托克斯光而產生。如此一來，具有比較大之波峰的成分，係成為比較大之位準之雜訊的原因。
因此，藉由設置帶通濾光器57的方式，如圖6所示，去除該污染物所致之斯托克斯光及反斯托克斯光的成分，從異物62、聚合物61及稀釋劑等的聚合物61以外之光阻的構成構件產生之瑞利光，係被引導至包含受光元件的光檢測部40。亦即，藉由帶通濾光器57，去除成為上述之雜訊的原因之聚合物61及稀釋劑的散射光中之聚合物61所致之斯托克斯光及反斯托克斯光與稀釋劑所致之斯托克斯光及反斯托克斯光。關於該帶通濾光器57，係以具有像那樣的作用之方式，半值寬度被構成為4nm。另外，未特別記載的前提下，在本說明書中，半值寬度，係設成為半高全寬(full width at half maximum)者。又，在該例中，帶通濾光器57之中心波長，係從光供給部2所輸出之雷射的波長即532nm。
接著，參閱圖8之平面圖，說明關於光檢測部40。光檢測部40，係例如藉由64個受光元件所構成，該64個受光元件，係各別由光二極體所構成。受光元件，係例如以形成2×32之行列的方式，相互隔著間隔而配置。將被配置於上側之受光元件設成為受光元件45A，且將被配置於下側之受光元件設成為受光元件45B。左右方向之相同位置中的受光元件45A、受光元件45B，係形成一組。關於該些受光元件45A、45B，有時朝向後方側觀察，從左側依序標示通道(ch)編號為1通道、2通道、3通道･･･32通道(ch)。
異物檢測單元4，係具備有與受光元件45A、45B之各通道對應而各別設置的總計32個電路部46。參閱圖9，說明關於該電路部46，電路部46，係具備有：轉換阻抗放大器(TIA)47A、47B，分別被設置於受光元件45A及受光元件45B的後段；及差分電路48，被設置於TIA47A、47B的後段。受光元件45A及受光元件45B，係對TIA47A、47B供給因應於所接收之光之強度的電流，TIA47A、47B，係各別將與所供給之電流對應的電壓信號輸出至差分電路48。差分電路48，係將來自TIA47A之電壓信號與來自TIA47B之電壓信號的差分之電壓信號輸出至後述的控制部6。
控制部6，係根據從上述之差分電路48所輸出的信號來進行異物之檢測。如此一來，根據與來自受光元件45A、45B之各輸出之差分對應的信號來進行異物之檢測，係為了去除在受光元件45A、45B中共同檢測出的雜訊。又，上述之電路部46，亦有時標示與所連接之受光元件45A、45B的通道編號相同之通道編號。
使用圖10之示意圖，更詳細地說明關於受光元件45A、45B與上述之光析管的檢測區域50之關係。圖中之二點鏈線的箭頭，係表示朝向光析管15A的流路17A進行光照射時之從雷射光照射部51至受光元件45A群的光路者。在流路17A之光路中，朝向前方側觀察，將分割檢測區域之各個從右端依序稱為1ch之分割檢測區域~32ch之分割檢測區域，該分割檢測區域，係在長度方向上，將聚光區域即檢測區域50的上半部分割成32個。圖中L21所示之1個分割檢測區域之左右的寬度，係例如0.85μm，對各分割檢測區域標註符號59。
光學系統54，係被構成為1ch之分割檢測區域59與1ch之受光元件45A為1對1對應，2ch之分割檢測區域59與2ch之受光元件45A為1對1對應，3ch之分割檢測區域59與3ch之受光元件45A為1對1對應，相同地，依序相同通道之分割檢測區域59與受光元件45A為1對1對應。亦即，1ch之分割檢測區域59中與異物反應而產生之反應光(因反應而受擾動之光)的大致全部會被照射至1ch之受光元件45A，2ch之分割檢測區域59中與異物反應而產生之反應光(因反應而受擾動之光)的大致全部會被照射至2ch之受光元件45A。在圖10中，係以實線之箭頭、虛線之箭頭，表示從相互不同之通道的分割檢測區域59被照射至相互不同之通道的受光元件45A之反應光的光路。
由於像這樣地照射光，因此，從任一通道之受光元件45A產生與進入檢測區域50之異物對應的信號。例如，當該反應光不僅被照射至對應之通道的受光元件45A且橫跨其他通道的受光元件45A而入光時，則流動於受光元件45A之電流位準會變低，從而使檢測精度變低。亦即，如上述般，以構成為使分割檢測區域與受光元件45A對應的方式，提高異物之檢測精度。
相同地，當將分割檢測區域59之各個依序稱為1ch的分割檢測區域59~32ch的分割檢測區域時，則1個通道之分割檢測區域59，係與1個通道之受光元件45B對應，該分割檢測區域59，係在長度方向上，將聚光區域即檢測區域50的下半部分割成32個。亦即，以1個通道之分割檢測區域59的反應光被照射至1個通道之受光元件45B的方式，構成光學系統54。
又，如上述般，構成為具有複數個通道之受光元件45A、45B，係為了以「抑制1個受光元件45(45A、45B)接收之雷射光的能量」之方式，使因雷射光之光子的波動引起的散粒雜訊降低，並使SN比(S/N)提升，且亦為了以「抑制流動於與1個受光元件45對應的檢測區域之正常的聚合物之數量」的方式，抑制因該聚合物引起的雜訊，並使SN比提升。另外，雖例示了在檢測區域50被形成於光析管15A的情況下之光路，但在檢測區域50被形成於其他光析管15B~15K的情況下，亦相同地形成光路，進行異物之檢測。
接著，說明關於被設置於塗佈、顯像裝置1之異物的檢測部即控制部6(參閱圖1、圖9)。控制部6，係例如由電腦所構成，具有未圖示的程式儲存部。在該程式儲存部，係儲存有程式，該程式，係以進行各模組中之晶圓W的處理及如上述般，根據從受光元件之各通道所輸出的信號之異物的輸出、後述之搬送機構所致之塗佈、顯像裝置1內之晶圓W之搬送等的各動作之方式，編入命令(步驟群)。藉由該程式，控制信號從控制部6被輸出至塗佈、顯像裝置1的各部，藉此，進行上述之各動作。該程式，係在被收納於例如硬碟、光碟、磁光碟或記憶卡等的記憶媒體之狀態下，被儲存於程式儲存部。
亦說明關於圖1所示之光阻塗佈模組1A以外的模組，光阻塗佈模組1B，係與光阻塗佈模組1A具有相同構成。反射防止膜形成模組1C、1D及保護膜形成模組1E、1F，係例如除了供給反射防止膜形成用之藥液、保護膜形成用之藥液來代替光阻及稀釋劑以外，與光阻塗佈模組1A、1B具有相同構成。反射防止膜形成用之藥液，係與光阻相同地含有聚合物。在例如模組1C~1F中，亦與光阻塗佈模組1A、1B相同地，對晶圓W供給藥液。
接著，參閱圖11之時序圖，說明關於在上述之光阻塗佈模組1A所進行之晶圓W的處理及異物的檢測。在該時序圖中，係分別表示「13A~13K中之一個供給源13中的泵之壓力被整定的時序」、「與11A~11K中之一個供給源13對應的一個噴嘴11藉由臂部37移動的時序」、「與12A~12K中之一個供給源13對應的藥液供給管12之閥V1開關的時序」、「切換從雷射光照射部51照射雷射光之狀態與停止照射該雷射光之狀態的時序」、「藉由控制部6取得來自光檢測部40之各通道之信號的時序」。上述之切換照射雷射光之狀態與停止照射之狀態的時序，係亦可稱為異物檢出單元4之閘門41開關的時序。
實際上，雖係依稀釋劑、光阻的順序對晶圓W進行塗佈，但為了方便說明，而從塗佈光阻時之動作進行說明。首先，在晶圓W被搬送至旋轉夾盤31上而保持的狀態下，例如噴嘴11A被搬送至晶圓W上的同時，供給源13A之泵進行光阻的吸引，藉此，以成為預定壓力的方式，開始進行整定(時刻t1)。例如，與該噴嘴之移動及泵之動作並行，雷射光照射部51及受光部52往夾著光析管15A的位置移動。此時，異物檢出單元4之閘門41被關閉。
成為噴嘴11A在晶圓W上靜止(時刻t2)，晶圓W以預定旋轉數進行旋轉的狀態。接著，將藥液供給管12K之閥V1開啟，光阻從泵以預定流量朝向噴嘴11A壓送的同時，將閘門41開啟，從雷射光照射部51照射雷射光，透過光析管15A。亦即，在光析管15A之流路17A形成圖5、圖10中所說明的光路所致之檢測區域50(時刻t3)。而且，如圖6所說明般，光被照射至聚合物61等的光阻之構成物而產生的斯托克斯光及反斯托克斯光，係受到帶通濾光器57所遮蔽，具有波長532nm及其附近之波長的光被選擇性地照射至受光部52，且從各通道之受光元件45A、45B輸出信號。如上述般，由於斯托克斯光及反斯托克斯光被遮蔽，因此，包含於「從該些受光元件45A、45B被輸出至電路部46之信號」的雜訊較小。
而且，所壓送之光阻，係通過光析管15A，從噴嘴11A被吐出至晶圓W的中心部。閥V1之開合度上升，當成為預定開合度時，則開合度之上升停止(時刻t4)。然後，由控制部6開始取得來自各通道之電路部46的輸出信號(時刻t5)。當異物從上方朝下方流動於流路17A的檢測區域50且雷射光被照射至該異物時，所產生之散射光會被照射至與異物流經之部位對應之通道的受光元件45A或受光元件45B，並從該受光元件45A或受光元件45B輸出與該異物對應的信號，來自電路部46之輸出信號的位準產生變化。其後，停止由控制部6取得來自各通道之受光元件45的輸出信號(時刻t6)，接著，將閘門41關閉，停止來自雷射光照射部51之光照射的同時，將藥液供給管12A之閥V1關閉(時刻t7)，並停止對晶圓W吐出光阻。所吐出之光阻，係藉由離心力延伸至晶圓W之周緣部而形成光阻膜。
在上述之時刻t5~t6間，根據從各通道之電路部46所取得的輸出訊號，進行受光元件之每個通道的異物之計數。而且，根據該輸出訊號，測定異物之粒徑並進行分級。亦即，在針對粒徑所設定之複數個範圍的每個範圍，計數異物的數量。藉由上述之帶通濾光器57，包含於該輸出信號之雜訊的位準被加以抑制。亦即，上述之輸出信號中的SN比，係比較大。因此，精度高地進行該計數及粒徑之測定。而且，將每個通道所檢測到之異物的數量進行加總，並算出在檢測區域50整體中所檢測到之異物的數量(設成為異物的總數)。然後，進行「異物的總數是否為臨限值以上」之判定與「大於預定粒徑之異物的數量是否為臨限值以上」之判定。
而且，在上述之異物的總數被判定為臨限值以上的情況或大於預定粒徑之異物的數量被判定為臨限值以上的情況下，輸出警報，並且停止模組1A之動作，中止晶圓W的處理。具體而言，該警報，係例如對構成控制部6的監視器輸出預定顯示，或從構成控制部6的揚聲器輸出預定聲音。又，在該警報之輸出，係包含例如用以告知使用者15A~15K中檢測到異常之光析管15的顯示或聲音的輸出。在異物的總數被判定為不是臨限值以上且大於預定粒徑之異物的數量被判定為不是臨限值以上的情況下，不進行警報之輸出，亦不進行停止模組1A的動作。另外，以上的各演算及各判定，係藉由形成計數部的控制部6而進行。
在將稀釋劑吐出至晶圓W之際，係除了「噴嘴11K代替噴嘴11A被搬送至晶圓W上」、「供給源13K之泵代替供給源13A之泵進行動作」、「藥液供給管12K之閥V1代替藥液供給管12A之閥V1進行開關」及「光照射至光析管15K代替光照射至光析管15A」以外，各部依照圖11的時序圖進行動作。藉由該動作，與對晶圓W供給稀釋劑並行，進行該稀釋劑中之異物的檢測。
在稀釋劑雖未包含聚合物61，但因雷射光被照射至該稀釋劑會產生拉曼散射光，帶通濾光器57，係可遮斷該拉曼散射光。因此，與檢測光阻中之異物的情況相同地，以高精度進行異物之檢測。供給至晶圓W之稀釋劑，係與光阻相同地，藉由晶圓W之旋轉被供給至晶圓W的表面整體。經由上述之流路17A所供給的光阻，係像那樣地被供給至供給了稀釋劑的晶圓W。
在對晶圓W供給稀釋劑後，包含於供給源13A以外之藥液供給源的光阻被吐出至該晶圓W的情況下，係除了「吐出所使用之光阻的噴嘴被搬送至晶圓W上」、「與所使用之光阻對應的供給源之泵進行動作」、「與所使用之光阻對應的供給管之閥V1進行開關」及「光被照射至與所使用之光阻對應的光析管」以外，進行與供給源13A之光阻被供給晶圓W的情況相同之動作。
在上述之圖11的圖表所說明之異物的檢測中，係為了藉由在光析管15A之液流穩定的狀態下進行異物之檢出以提高測定精度，如上述般，將開關閥V1的時序與控制部6開始及結束輸出信號之取得的時序相互錯開。例如，上述之時刻t4~t5間為10毫秒~1000毫秒，時刻t6~t7間為10~100毫秒。雖說明了關於作為代表之模組1A的動作，但關於其他模組1B~1F，亦與模組1A相同地進行對晶圓W供給藥液及異物之檢測。
根據該塗佈、顯像裝置1，設置有：光析管15A~15K，位於被供給至晶圓W之藥液的流路之一部分，構成藥液中之異物的測定區域；及光檢測部40，接收從雷射光照射部51所照射而透過該光析管15A~15K的光，在光析管15A~15K之後段，係設置有帶通濾光器57，該帶通濾光器57，係遮斷「上述之光被照射至藥液而產生」的拉曼散射光，並且使瑞利散射光通過光檢測部40。因此，可抑制拉曼散射光即斯托克斯光及反斯托克斯光入射至光檢測部40而成為從光檢測部40所輸出之信號的雜訊。因此，由於可增大來自光檢測部40之輸出信號的SN比，因此，可針對藥液中的異物進行精度高之檢測。
又，如此一來，以進行異物之檢測的方式，監視供給至晶圓W之藥液的清淨度。而且，在藥液之清淨度比預定基準更降低時，係如上述般，停止模組之動作，藉此，在該模組中止後續之晶圓W的處理。因此，由於可防止該清淨度較低之藥液被供給至後續的晶圓W，故可防止良率下降。而且，由於特定出藥液供給管12A~12K中檢測到異物之藥液供給管12，因此，塗佈、顯像裝置1之使用者，係可在模組的動作停止後迅速地進行維護或修理。因此，可抑制模組之動作停止的時間變長，作為其結果，可抑制塗佈、顯像裝置1中之半導體製品的生產率下降。
而且，如上述般，作為流通檢測區域50之異物的總數被判定為臨限值以上之情況，或具有大於預定粒徑之粒徑之異物的數量被判定為臨限值以上之情況的對應處理，係不限於警報之輸出及及停止模組之動作。例如，從像那樣進行了判定之與光析管15對應的供給源13，將藥液作為藥液供給管12之洗淨液而供給至噴嘴11，並從噴嘴11去除包含於藥液供給管12的異物。亦即，可自動地洗淨藥液供給管12。亦可在該動作後，再開始對後續之晶圓W進行處理。
然而，如圖6、圖7所說明般，因聚合物61及稀釋劑等的聚合物61以外之光阻之構成物引起的瑞利光會被引導至光檢測部40。而且，該因聚合物61及聚合物61以外之光阻的構成物引起之斯托克斯光及反斯托克斯光雖亦朝向光檢測部40照射，但如圖7所示，具有比較大之波峰的成分會成為來自受光元件45A、45B的輸出信號中之比較大的雜訊。因此，如圖12所示，以去除具有像那樣的波峰之成分的方式，即便以具有比圖7所說明的例子更寬之通帶的方式來構成帶通濾光器57，亦可抑制上述之雜訊。在該帶通濾光器57中，係中心波長為532nm，半值寬度(FWHM)為例如40nm。
關於來自雷射光照射部51之雷射光被照射至異物而產生的斯托克斯光及反斯托克斯光，在比較大之波峰包含於帶通濾光器57之通帶的情況下，異物之檢測信號的位準會變得比較大。亦即，具有可藉由使用具有圖12所示之比較寬的通帶之帶通濾光器57的方式，將因異物產生之瑞利光及拉曼散射光的大部分引導至受光元件45A、45B，並使異物之檢測的感度提升之優點。但是，當帶通濾光器57之通帶變得過寬時，由於無法防止因上述之聚合物61或稀釋劑等的光阻之構成物引起的雜訊，因此，該帶通濾光器57之半值寬度，係例如設成為100nm以下為較佳。另外，由於因應藥液之種類所包含之聚合物的分子構造不同，因此，因該聚合物引起之斯托克斯光、反斯托克斯光的各波峰出現之波長，係依每一藥液的種類而相互不同。又，該波峰出現之波長因構成藥液的溶媒而有所相異。因此，該半值寬度，係因應藥液之種類而適當進行設定為較佳。
接著，參閱圖13、圖14，說明關於塗佈、顯像裝置1之具體的構成例。圖13、圖14，係分別為該塗佈、顯像裝置1之平面圖、概略縱剖面側視圖。該塗佈、顯像裝置1，係被構成直線狀地連接載體區塊D1、處理區塊D2及介面區塊D3。曝光裝置D4被連接於介面區塊D3。載體區塊D1，係對塗佈、顯像裝置1內進行搬入搬出載體C，並具備有：載體C之載置台71；開關部72；及搬送機構73，用以經由開關部72，從載體C搬送晶圓W。
處理區塊D2，係被構成為從下方依序層積對晶圓W進行液處理的第1~第6單位區塊E1~E6。各單位區塊E1~E6，係相互區隔，並且分別具備有搬送機構F1~F6，在各單位區塊E中，相互並行地進行晶圓W之搬送及處理。在此，係參閱圖13，說明單位區塊中作為代表的第3單位區塊E3。從載體區塊D1朝向介面區塊D3，以延伸的方式形成搬送區域74，在該搬送區域74，係設置有上述之搬送機構F3。又，從載體區塊D1朝向介面區塊D3觀察，在搬送區域74之左側，係配置有棚架單元U。棚架單元U，係具備有加熱模組。又，從載體區塊D1朝向介面區塊D3觀察，在搬送區域74之右側，係沿搬送區域74設置有上述之光阻塗佈模組1A、保護膜形成模組1E。
第4單位區塊E4，係與第3單位區塊E3具有相同構成，設置有光阻塗佈模組1B及保護膜形成模組1F。在單位區塊E1、E2，係除了分別設置反射防止膜形成模組1C、1D來代替光阻塗佈模組1A、1B及保護膜形成模組1E、1F以外，與單位區塊E3、E4具有相同構成。單位區塊E5、E6，係具備有：顯像模組，將顯像液供給至晶圓W且對光阻膜進行顯像。顯像模組，係除了將作為藥液之顯像液供給至晶圓W以外，與模組1A~1F具有相同構成。
在處理區塊D2中之載體區塊D1側，係設置有：塔柱T1，橫跨各單位區塊E1~E6且上下延伸；及升降自如之搬送機構75，用以對塔柱T1進行晶圓W之收授。塔柱T1，係藉由相互層積的複數個模組所構成，設置於單位區塊E1~E6之各高度的模組，係可在與該單位區塊E1~E6的各搬送機構F1~F6之間收授晶圓W。作為該些模組，係包含有如下述者等：收授模組TRS，被設置於各單位區塊之高度位置；調溫模組CPL，進行晶圓W之溫度調整；緩衝模組，暫時保管複數片晶圓W；及疏水化處理模組，使晶圓W之表面疏水化。為了簡化說明，省略關於前述疏水化處理模組、調溫模組、前述緩衝模組的圖示。
介面區塊D3，係具備有橫跨單位區塊E1~E6且上下延伸的塔柱T2、T3、T4，並設置有：升降自如之收授機構即搬送機構76，用以對塔柱T2與塔柱T3進行晶圓W之收授；升降自如之收授機構即搬送機構77，用以對塔柱T2與塔柱T4進行晶圓W之收授；及搬送機構78，用以在塔柱2與曝光裝置D4之間進行晶圓W之收授。
塔柱T2，雖係以相互層積收授模組TRS、收納曝光處理前之複數片晶圓W並使其滯留的緩衝模組(收納曝光處理後之複數片晶圓W的緩衝模組)及進行晶圓W之溫度調整的調溫模組等所構成，但在此省略緩衝模組及調溫模組之圖示。
在處理區塊D2之上方設置前述的光供給部2，以從光供給部2被連接於單位區塊E1~E4之模組1A~1F的方式，使光纖23朝向下方引導。又，在處理區塊D2之上方，係構成上述的控制部6，並設置有演算部60，該演算部60，係根據來自前述之各通道之電路部46的輸出信號，針對每個通道進行異物之數量的計算、異物之總數的計算及各異物之粒徑的計算，藉由未圖示之配線，將演算部60與模組1A~1F連接。
說明關於該塗佈、顯像裝置1中之晶圓W的搬送路徑。晶圓W，係藉由搬送機構73，從載體C被搬送至處理區塊D2中之塔柱T1的收授模組TRS0。晶圓W，係從該收授模組TRS0被分配搬送至單位區塊E1、E2。例如將晶圓W收授至單位區塊E1的情況下，係從前述TRS0，對塔柱T1的收授模組TRS中之與單位區塊E1對應的收授模組TRS1(可藉由搬送機構F1進行晶圓W之收授的收授模組)收授晶圓W。又，在將晶圓W收授至單位區塊E2的情況下，係從前述TRS0，對塔柱T1的收授模組TRS中之與單位區塊E2對應的收授模組TRS2收授晶圓W。該些晶圓W之收授，係藉由搬送機構75來進行。
如此一來，經分配之晶圓W，係依TRS1(TRS2)→反射防止膜形成模組1C(1D)→加熱模組→TRS1(TRS2)的順序被予以搬送，接著，藉由搬送機構75，被分配至對應於單位區塊E3的收授模組TRS3與對應於單位區塊E4的收授模組TRS4。
如此一來，經分配至TRS3(TRS4)之晶圓W，係依TRS3(TRS4)→光阻塗佈模組1A(1B)→加熱模組→保護膜形成模組1E(1F)→加熱模組→塔柱T2之收授模組TRS的順序被予以搬送。然後，該晶圓W，係藉由搬送機構76、78，經由塔柱T3被搬入至曝光裝置D4。曝光後之晶圓W，係藉由搬送機構78、77，在塔柱T2、T4間被予以搬送，分別被搬送至與單位區塊E5、E6對應之塔柱T2的收授模組TRS15、TRS16。然後，在被搬送至加熱模組→顯像模組→加熱模組→收授模組TRS5(TRS6)後，經由搬送機構73返回至載體C。
然而，雷射光被照射至聚合物61時的波長偏移量，係依存於聚合物61的分子構造。因此，用以使光檢測部40中之SN比提升的帶通濾光器57之適當的通帶，係依每一藥液的種類而不同。因此，因應藥液之種類，設置具有適當的通帶之帶通濾光器57為較佳。圖15，係表示以那樣與藥液對應的方式，在異物檢測單元4之受光部52中設置了帶通濾光器57的例子。雖省略圖示，但在該異物檢測單元4之光析管15A~15K，係流動有含有相互不同之化合物之聚合物的藥液。而且，在受光部52，係以分別與各光析管15A~15K對應的方式，沿左右方向設置有11個帶通濾光器57(為了方便起見，僅表示4個)。
11個帶通濾光器57，係被構成為藉由被設置於受光部52之未圖示的濾光移動機構，在該受光部52中，沿左右方向移動自如，各帶通濾光器57，係因應流通於各光析管15A~15K之藥液，具有個別的通帶。在由雷射光照射部51對光析管15進行光照射之際，11個帶通濾光器中之與進行該光照射之光析管15對應的帶通濾光器，係位於被光照射之光析管15與光檢測部40之間，遮蔽拉曼散射光。
然而，上述之各帶通濾光器57，雖係被構成為遮蔽拉曼散射光中之斯托克斯光及反斯托克斯光兩者，但即便被構為僅遮蔽任一者，亦包含於本發明的權利範圍中。另外，作為構成本發明之濾光部，係除了使特定之波長帶的光通過之帶通濾光器以外，亦可使用遮斷特定之波長帶的光之除帶濾波器。
另外，雖說明了本發明被應用於利用前方散射光之光散射光方式的微粒計數器之例子，但本發明亦可應用於如下述之微粒計數器：光檢測部40接收「雷射光被照射至異物而產生之繞射光(繞射條紋)」，根據該繞射條紋的受光所致之輸出信號的變化，檢測異物來進行檢測之微粒計數器，且亦可應用於藉由被稱為IPCA法之手法。亦即，本發明之應用，係並不限定於具有特定之測定原理的微粒計數器。
然而，成為檢測異物之對象的藥液，係不限於上述之光阻及稀釋劑。例如，亦可將本發明應用於保護膜形成模組1E、1F、顯像模組，並進行保護膜形成用之藥液中的異物或顯像液中的異物之檢測。此外，例如可將本發明應用於用以在晶圓W形成絕緣膜的藥液供給模組(藥液供給裝置)或用以洗淨晶圓W之藥液即洗淨液的洗淨裝置、用以將作為藥液之使複數個晶圓W相互貼合的黏著劑供給至晶圓W之裝置等的各藥液供給裝置。
又，本發明，係不限於被應用於藥液供給裝置。例如，在流路陣列16設置與藥液流通之光析管15不同的氣體流通用之光析管15。而且，可藉由吸引泵等，將塗佈、顯像裝置1中之搬送區域74等的搬送晶圓W之區域的氛圍供給至該氣體流通用之光析管15。在搬送晶圓W之區域，係亦包含光阻塗佈模組1A等的處理晶圓W之區域。而且，與檢測藥液中之異物的情況相同地，在氣體流通於氣體流通用之光析管的期間，在該光析管形成光路，進行異物之檢測。因此，本發明，係不僅可檢測包含於被供給至晶圓W之液體的異物，另可檢測包含於周邊環境的異物。亦即，可檢測包含於流體的異物。另外，本發明，係不限於前述之各實施形態，各實施形態，係可適當進行變更。
(評估試驗) 　　說明關於與本發明相關連而進行之評估試驗1。使藥液流通於上述之異物檢測單元4的流路17，並且從雷射光照射部51對該流路17照射雷射光，測定被輸出至控制部6之信號的雜訊位準(單位：mV)。該雜訊位準，係電壓波形之波峰間的差。在光析管15與受光元件45A、45B之間，係與前述的實施形態相同地，設置帶通濾光器57。該帶通濾光器57之中心波長為532nm，半值寬度為4nm。
關於供給至流路17之藥液，係從稀釋劑、反射防止膜形成用之藥液及光阻中所選擇而進行試驗。在該評估試驗1中，將使用了稀釋劑者設成為評估試驗1-1、1-4，將使用了反射防止膜形成用之藥液者設成為1-2、1-5，將使用了光阻者設成為1-3、1-6。又，作為比較試驗，不設置帶通濾光器57而進行與評估試驗1相同的試驗。如此一來，除了不設置帶通濾光器57以外，將以與評估試驗1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、1-6相同條件所進行的試驗分別設成為比較試驗1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、1-6。
圖16，係表示評估試驗1及比較試驗1之結果的柱狀圖，縱軸為上述之雜訊位準。對評估試驗1之柱狀圖標註斜線，並不對比較試驗1之柱狀圖標註該斜線。在評估試驗1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、1-6中，係雜訊位準各別為75.8mV、63.6mV、89.5mV、75.6mV、82.9mV、554.4mV。在比較試驗1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、1-6中，係雜訊位準各別為103.1mV、98.3mV、119.6mV、103.1mV、126.1mV、594.1mV。如此一來，即便藥液為稀釋劑、反射防止膜形成用之藥液及光阻中的任一個，亦以設置帶通濾光器57的方式來降低雜訊位準。因此，可從該評估試驗1確認本發明之效果。
1‧‧‧塗佈、顯像裝置1A、1B‧‧‧光阻塗佈模組15A~15K‧‧‧光析管17A~17K‧‧‧流路4‧‧‧異物檢測單元50‧‧‧檢測區域51‧‧‧雷射光照射部45A、45B‧‧‧受光元件57‧‧‧帶通濾光器6‧‧‧控制部
[圖1]本發明之實施形態之塗佈、顯像裝置的概略構成圖。 　　[圖2]包含於前述塗佈、顯像裝置之光阻塗佈模組的立體圖。 　　[圖3]包含於前述塗佈、顯像裝置之異物檢測單元的概略構成圖。 　　[圖4]構成前述異物檢測單元之藥液之流路之構成構件的立體圖。 　　[圖5]前述異物檢測單元的平面圖。 　　[圖6]用以說明包含於前述異物檢測單元之帶通濾光器之作用的示意圖。 　　[圖7]用以表示前述帶通濾光器之特性的曲線圖。 　　[圖8]構成前述異物檢測單元之光檢測部的平面圖。 　　[圖9]表示包含於前述異物檢測單元之電路構成的方塊圖。 　　[圖10]表示前述異物檢測單元中之光路的概略圖。 　　[圖11]表示塗佈、顯像裝置之各部之動作的時序圖。 　　[圖12]用以表示前述帶通濾光器之其他特性的曲線圖。 　　[圖13]前述塗佈、顯像裝置的平面圖。 　　[圖14]前述塗佈、顯像裝置的概略縱剖側視圖。 　　[圖15]表示其他構成之異物檢測單元之受光部的平面圖。 　　[圖16]表示評估試驗之結果的曲線圖。
2‧‧‧光供給部
4‧‧‧異物檢測單元
15A‧‧‧光析管
15B‧‧‧光析管
15C‧‧‧光析管
15D‧‧‧光析管
15E‧‧‧光析管
15F‧‧‧光析管
15G‧‧‧光析管
15H‧‧‧光析管
15I‧‧‧光析管
15J‧‧‧光析管
15K‧‧‧光析管
16‧‧‧流路陣列
23‧‧‧光纖
40‧‧‧光檢測部
41‧‧‧閘門
42‧‧‧準直器
43‧‧‧平台
51‧‧‧雷射光照射部
52‧‧‧受光部
53‧‧‧聚光透鏡
54‧‧‧光學系統

Claims (7)

  1. 一種異物檢測裝置，係檢測被供給至被處理體之流體中的異物，該異物檢測裝置，其特徵係，具備有：流路部，構成被供給至前述被處理體之流體所流動的流路；雷射光照射部，以使前述流路部中之流體的流動方向與光路交叉之方式，對該流路部內照射雷射光；受光元件，被設置於透過了前述流路部之光路上；檢測部，根據從前述受光元件所輸出的信號，檢測前述流體中之異物；及濾光部，被設置於前述受光元件與前述流路部之間的光路上，遮斷「從前述雷射光照射部將光照射至前述流體而產生」的拉曼散射光，並且使瑞利散射光透過前述受光元件，前述受光元件，係包含有第1受光元件及第2受光元件，前述檢測部，係根據與來自前述第1受光元件及前述第2受光元件之輸出的差分對應的信號來檢測前述異物。
  2. 如申請專利範圍第1項之異物檢測裝置，其中，藉由前述濾光部所遮斷之拉曼散射光，係斯托克斯光及反斯托克斯光。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之異物檢測裝置，其中，前述流體，係包含用以在前述被處理體形成塗佈膜之聚合物的藥液，前述濾光部，係遮斷前述聚合物所致之拉曼散射光。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之異物檢測裝置，其中，前述流體，係液體之稀釋劑。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之異物檢測裝置，其中，前述濾光部，係帶通濾光器，該帶通濾光器之半值寬度，係100nm以下。
  6. 一種異物檢測方法，係檢測被供給至被處理體之流體中的異物，該異物檢測方法，其特徵係，具備有：對構成「被供給至前述被處理體之流體所流動的流路」之流路部供給該流體的工程；藉由雷射光照射部，以使前述流路部中之流體的流動方向與光路交叉之方式，對該流路部內照射雷射光的工程；藉由被設置於透過了前述流路部之光路上的受光元件進行接收的工程；根據從前述受光元件所輸出的信號，藉由檢測部檢測前述流體中之異物的工程；及藉由被設置於前述受光元件與前述流路部之間的光路 上之濾光部，遮斷「從前述雷射光照射部將光照射至前述流體而產生」的拉曼散射光，並且使瑞利散射光透過前述受光元件的工程，前述受光元件，係包含有第1受光元件及第2受光元件，前述檢測部，係根據與來自前述第1受光元件及前述第2受光元件之輸出的差分對應的信號來檢測前述異物。
  7. 一種記憶媒體，係記憶有使用於異物檢測裝置之電腦程式，該異物檢測裝置，係檢測被供給至被處理體之流體中的異物，該記憶媒體，其特徵係，前述電腦程式，係以執行申請專利範圍第6項之異物檢測方法的方式，編入步驟群。
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