JP6919756B2 - 異物検査装置、基板処理装置及び基板処理システム - Google Patents
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Description
前記複数の流路のうち選択された流路に前記流体が供給されるように、前記流路形成部に当該流体を供給する流体供給部と、
前記複数の流路に共用され、当該各流路にレーザー光を照射するためのレーザー光照射部と、
前記複数の流路に共用され、前記レーザー光照射部と共に前記流路形成部を挟んで配置される受光素子と、
前記受光素子から出力される信号に基づいて前記流路を流通する前記流体中の異物を検出する異物検出部と、
前記選択された流路に供給される前記流体中の異物を検出するために、当該選択された流路に対応する位置に前記レーザー光照射部及び前記受光素子を移動させる移動機構と、
を備える。
前記流路に各々接続され、前記現像液及び前記処理ガスのうちの一方である前記流体を前記基板に各々供給する複数のノズルと、
上述の異物検出装置と、
を含む。
本発明の基板処理システムは、前記基板が格納されるキャリアが載置される載置部と、上述の基板処理装置と、
前記キャリアと前記基板処理装置との間で前記基板を搬送する搬送機構と、
を含む。
続いて、本発明に関連して行われた評価試験について説明する。
評価試験1
評価試験1−1として上記の異物検出ユニット4の1つのキュベット15に、異物が含まれている割合及び当該異物の粒径が既知の試験液を供給し、キュベット15を流れる全ての粒子に対して検出される粒子の割合(計数効率)を調べた。ただし、この異物検出ユニット4におけるレーザー光照射部51の光学系53は、キュベット15内の集光領域における光路の横断面が1.2μmの概ね真円のスポットとなるように構成されている。上記の試験液としては、含まれている異物の粒径が、各々60nm、46nm、29nmである3種類の試験液を用い、上記の計数効率は試験液ごとに測定した。
評価試験2として異物検出ユニット4において、含まれるポリマーの濃度が互いに異なる薬液をキュベット15に供給し、各チャンネルの回路部46から出力される信号強度を測定した。この異物検出ユニット4では、発明の実施の形態で説明したように、キュベット15内の集光領域における光路の横断面が、左右方向に沿った長径を持つ楕円形のスポットとなるようにレーザー光照射部51の光学系53が構成されている。ただし、このスポット内の各部ではエネルギー分布に比較的大きな差が有り、スポットの中心部に向かうほどエネルギーが高いという点で既述の構成例と異なっている。つまり、図13で説明した検出領域50中の各分割集光領域間で、エネルギーの分布が異なる。薬液としては、所定の濃度のポリマーを含有するレジストと、ポリマーであるポリメタクリル酸メチル樹脂(PMMA)を夫々5%、1.25%、0.5%、0%含有する第1の薬液、第2の薬液、第3の薬液、第4の薬液と、を用いた。上記の信号強度の測定は、使用する薬液毎に行った。
評価試験3として、発明の実施の形態で説明した異物検出ユニット4のキュベット15に、29nmを中心粒径として所定のばらつきを有する異物を多数含む試験液を供給し、当該異物についての検出を行った。図18のグラフは、この検出の際に1つのチャンネルの回路部46から出力された信号の波形を示しており、グラフの横軸は時間(単位:μ秒)、グラフの縦軸は信号電圧(単位:V)である。グラフ中13μ秒〜14μ秒にて出現している比較的大きなピークを持つ波形は、異物によって発生した干渉縞に起因する波形である。図19のグラフは、各チャンネルの回路部46から得られる波形について、ノイズフロアよりも大きなピークの値をプロットしたものである。図19のグラフの横軸、縦軸は、図18のグラフと同様に時間、信号電圧を夫々示している。グラフに示すように付されたプロットは多数であった。なおグラフ中の鎖線は上記のノイズフロアを示している。
1A レジスト塗布モジュール
12A〜12K 薬液供給管
15 キュベット
16 流路アレイ
17 流路
21 光源
4 異物検出ユニット
45 受光素子
46 回路部
50 検出領域
51 光照射部
52 受光部
6 制御部
Claims (7)
- 基板に形成されたレジスト膜を現像する現像液及び前記基板に供給されるガスのうちの一方である流体が通流する複数の流路を形成すると共に、光を透過する流路形成部と、
前記複数の流路のうち選択された流路に前記流体が供給されるように、前記流路形成部に当該流体を供給する流体供給部と、
前記複数の流路に共用され、当該各流路にレーザー光を照射するためのレーザー光照射部と、
前記複数の流路に共用され、前記レーザー光照射部と共に前記流路形成部を挟んで配置される受光素子と、
前記受光素子から出力される信号に基づいて前記流路を流通する前記流体中の異物を検出する異物検出部と、
前記選択された流路に供給される前記流体中の異物を検出するために、当該選択された流路に対応する位置に前記レーザー光照射部及び前記受光素子を移動させる移動機構と、
を備える異物検出装置。 - 前記異物検出部は、前記異物の粒径について設定された範囲毎に、検出された前記異物を計数する請求項1記載の異物検出装置。
- 前記レーザー光照射部に光を供給する光源と当該レーザー光照射部との間の光路を開閉するシャッタが設けられ、
選択された一の前記流路に対応する位置と、選択された他の前記流路に対応する位置との間を、前記移動機構により前記レーザー光照射部及び前記受光素子が移動する間、当該シャッタにより前記光路が閉鎖される請求項1または2記載の異物検出装置。 - 前記ガスは当該基板を処理する処理ガスであり、
前記流路に各々接続され、前記現像液及び前記処理ガスのうちの一方である前記流体を前記基板に各々供給する複数のノズルと、
請求項1ないし3のいずれか一つに記載の異物検出装置と、
を含む基板処理装置。 - 前記複数のノズルは前記処理ガスを供給するノズルを含み、
当該処理ガスは、液処理後の前記基板を乾燥させるための乾燥ガスである請求項4記載の基板処理装置。 - 前記異物検出部は、前記基板への前記流体の供給中に取得される前記受光素子から出力される信号に基づいて、後続の前記基板に対する当該流体の供給を中止するか否かを決定する請求項5記載の基板処理装置。
- 前記基板が格納されるキャリアが載置される載置部と、
請求項5または6記載の基板処理装置と、
前記キャリアと前記基板処理装置との間で前記基板を搬送する搬送機構と、
を含む基板処理システム。
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