JP3917601B2 - 薬液の認定方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明者等は、表1に示したロット番号1−3と同じレジスト溶液を用いてレジストパターンを作成した。レジストパターンは以下のようにして作成した。
P=P0 +Ae-Zα (式1)
の様に表される。
P=P0 ’+A’Z-α' (式2)
の様に表される。
ここでは、ArFレジストプロセスに用いられるArFレジスト溶液の認定方法について具体的に説明する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の実施形態により薬液として認定されたレジスト溶液をウェハ(被処理基板)上に塗布して、レジスト塗布膜を形成する工程と、前記レジスト膜の一部分を選択的に露光する工程と、前記一部分を選択的に露光した前記レジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する工程とを含む。
第3の実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の実施形態により認定された薬液として低誘電体材含有溶液をウェハ(被処理基板)上に塗布して、低誘電体塗布膜を形成する工程と、前記低誘電体塗布膜上に、リソグラフィプロセスにより、マスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクにして前記低誘電体塗布膜を選択的にエッチングして低誘電体パターンを形成する工程とを含む。
第4の実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の実施形態により薬液として認定された強誘電体材含有溶液をウェハ(被処理基板)上に塗布して、強誘電体塗布膜を形成する工程と、前記強誘電体塗布膜上に、リソグラフィプロセスにより、マスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクにして前記強誘電体塗布膜を選択的にエッチングして強誘電体パターンを形成する工程とを含む。
Claims (5)
- 液体中の粒子に関し、液中パーティクルカウンタを用いて、前記粒子の大きさ毎に粒子数を求める工程と、
前記微粒子の大きさとそれに対応する粒子数との関係を指数関数またはべき乗関数で表す関数表現工程と、
前記指数関数の指数または前記べき乗関数のべき数の少なくともの一方の値とそれに対応する予め定めた規格値とを比較する比較工程と、
前記比較工程において、前記値が予め定めた規格値未満である場合、前記液体を所定の半導体製造工程に使用する薬液として認定する認定工程と
を含むことを特徴とする薬液の認定方法。 - 請求項1に記載の薬液の認定方法で認定された薬液としてのレジスト溶液を被処理基板上に塗布して、レジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の一部分を選択的に露光する工程と、
前記一部分を選択的に露光した前記レジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の薬液認定法で認定された開口領域縮小材溶液を被処理基板上に形成されたレジストパターン上に塗布し、該開口領域縮小材溶液と前記レジストパターンとを反応させて、前記レジストパターン中の開口領域を縮小する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1に記載の薬液の認定方法で認定された薬液としての低誘電体材含有溶液を被処理基板上に塗布して、低誘電体塗布膜を形成する工程と、
前記低誘電体塗布膜上に、リソグラフィプロセスにより、マスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクにして前記低誘電体塗布膜を選択的にエッチングして低誘電体パターンを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の薬液の認定方法で認定された薬液としての強誘電体材含有溶液を被処理基板上に塗布して、強誘電体塗布膜を形成する工程と、
前記強誘電体塗布膜上に、リソグラフィプロセスにより、マスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクにして前記強誘電体塗布膜を選択的にエッチングして強誘電体パターンを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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