CN100373537C - 药液的评估方法、鉴定方法及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的一种药液的评估方法，包括：通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。

Description

药液的评估方法、鉴定方法及半导体装置的制造方法
引用文献
本发明以在先的2004年4月14日的日本专利申请No.2004-119363为基础，并要求其优先权，而且该申请的全部内容以引用方式构成为本申请的一部分。
技术领域
本发明涉及在半导体制造工序中使用的药液的评估方法、药液的鉴定方法以及半导体装置的制造方法。
背景技术
液体的质量保证是通过对液体中颗粒的尺寸及其数量进行控制来实现的。颗粒的尺寸及其数量，可以用液体中颗粒计数器来进行测量(计测)(参见日本特开平9-2739987号公报)。液体中颗粒计数器可以对尺寸位于一定范围内的颗粒的数量进行测量。然而，对液体中的微小颗粒进行测量是非常困难的。由此，对于液体中存在的所有尺寸的颗粒来说，想要测量其数量是很不容易的。
表1是表示液体的质量保证的数表的一个例子。由于这是抗蚀剂制造者制成的，所以显示的是抗蚀剂溶液的质量保证。
表1
允许个数 测量个数
批编号1 批编号2 批编号3
尺寸 0.2-0.3微米 10 4 9 20
大于等于0.3微米 2 1 1 3
溶液合格与否的判断 良 良 不良
在表1中表示出了对3种批号抗蚀剂的颗粒数量的测量值。通常，液体的质量保证，如表1所示，对多个颗粒尺寸范围(在表1中是大于等于0.2微米并小于0.3微米以及大于等于0.3微米的两个范围)，规定其允许的颗粒数量(允许个数)。在表1中给出的实例中，大于等于0.2微米并小于0.3微米的颗粒数量可以允许达到10个，大于等于0.3微米的颗粒数量允许到达2个。
抗蚀剂制造者可以基于表1，选择可以进行出售的批编号。表1表明，批编号1和批编号2的溶液对于两个颗粒尺寸范围的任何一个，其测量得到的颗粒数量(测量个数)都在允许个数之内，而批编号3的溶液则超过了允许个数。因此，在溶液合格与否的判断结果中，批编号1和批编号2的溶液是良，批编号3的溶液是不良，所以可以出售批编号为1和批编号为2的抗蚀剂溶液。
用户可以从抗蚀剂制造者那里购入如上判断结果为良的抗蚀剂溶液。然而，即使使用的是判断为良的抗蚀剂溶液，也很难保证总是能够大幅度降低抗蚀图形上的缺陷，比如说短路类的缺陷和开口类的缺陷等等。对于含有低电介质材料的溶液，含有强电介质材料的溶液等的其他药液也存在同样的问题。
发明内容
根据本发明一个方面提供的一种药液的评估方法，可以包括：通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。
根据本发明一个方面提供的一种药液的鉴定方法，可以包括：通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响，判断上述液体的良好与否(合格与否)；以及通过对上述液体的良好与否的判断，对于判断上述液体为良(良好)的场合，鉴定上述液体作为药液使用。
根据本发明一个方面提供的一种药液的鉴定方法，可以包括：利用液体中颗粒计数器，求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；用指数函数以及幂函数中的至少一个函数来表示上述(微)粒子的大小和与其对应的粒子数量之间的关系；将上述指数函数的指数以及上述幂函数的幂中的至少一个的值和预定值进行比较；以及通过将上述指数函数的指数以及上述幂函数的幂中的至少一个的值和预定值进行的比较，在上述指数以及上述幂函数的幂中的至少一个的值小于预定值的场合，鉴定上述液体为作为在规定的半导体制造工序中使用的药液。
根据本发明一个方面提供的一种半导体装置的制造方法，可以包括通过将根据本发明一个方面提供的该药液的鉴定方法所鉴定的能够作为药液使用的抗蚀剂溶液涂敷在被处理基板上，以形成抗蚀膜；对上述抗蚀膜的一部分进行选择性的曝光；以及通过对上述一部分进行了选择性曝光的上述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图形。
根据本发明一个方面提供的一种半导体装置的制造方法，可以包括：在被处理基板上形成包括开口区域的抗蚀图形；以及通过将根据本发明一个方面提供的该药液的鉴定方法鉴定的能够作为药液使用的开口区域缩小材料溶液涂敷在上述抗蚀图形上，使上述开口区域缩小材料溶液和上述抗蚀图形发生反应，缩小上述抗蚀图形的上述开口区域。
根据本发明一个方面提供的一种半导体装置的制造方法，可以包括：通过将根据本发明一个方面提供的该药液的鉴定方法所鉴定的能够作为药液使用的含有低电介质材料的溶液涂敷在被处理基板上，形成低电介质涂敷膜；在上述低电介质涂敷膜上，通过光刻处理，形成掩膜图形；以及通过用上述掩膜图形作为掩膜对上述低电介质涂敷膜进行选择性的蚀刻，形成低电介质图形。
根据本发明一个方面提供的一种半导体装置的制造方法，可以包括：通过将根据本发明一个方面提供的该药液的鉴定方法所鉴定的能够作为药液使用的含有强电介质材料的溶液涂敷在被处理基板上，形成强电介质涂敷膜；在上述强电介质涂敷膜上，通过光刻处理形成掩膜图形；以及通过用上述掩膜图形作为掩膜对上述强电介质涂敷膜进行选择性的蚀刻，形成强电介质图形。
附图说明
图1是表示抗蚀剂溶液中的颗粒尺寸和个数的测量结果以及预测结果的示意图；
图2是表示晶片上的缺陷数量和指数函数的幂(幂数，ベき数)之间的关系的示意图；
图3是表示晶片上的缺陷数量和幂函数的幂之间的关系的示意图；
图4A～4D是表示作为第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图；
图5A～5C是表示作为第2实施例的半导体装置的制造方法的截面图；
图6是表示作为第2实施例的半导体装置的制造方法的变形例的截面图；
图7A～7C是表示作为第3实施例的半导体装置的制造方法的截面图；
图8A～8C是表示作为第4实施例的半导体装置的制造方法的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。
(第1实施例)
本发明的发明人用与表1所示的批编号1～3相同的抗蚀剂溶液制成抗蚀图形。抗蚀图形用如下的方法制成。
在晶片上涂敷抗蚀剂溶液形成涂敷膜，接着对上述涂敷膜进行曝光处理，然后对进行了该曝光处理后的涂敷膜进行显影处理，通过该方法，制成抗蚀图形。
在测量各个抗蚀膜上每1cm2大小处的缺陷数量(缺陷密度)的同时，求出可以允许的缺陷密度。该结果在表2中示出。而且，上述缺陷密度的测量，可以采用公知的光学测量方法进行。
表2
允许缺陷密度(个数/cm<sup>2</sup>) 测量缺陷密度(个数/cm<sup>2</sup>)
批编号1 批编号2 批编号3
0.2 0.05 4.08 0.18
晶片合格与否判断 良 不良 良
在表2中，对于批编号1和批编号3的场合，测量得到的缺陷密度(测量缺陷密度)没有达到允许缺陷密度，但是批编号2的场合却超过了允许缺陷密度。因此，在晶片合格与否的判断结果中，批编号1和批编号3的场合是良，批编号2的场合是不良。另一方面，在表1中如上所述批编号1和批编号2的场合是良，批编号3的场合是不良。换句话说，对于抗蚀剂制造者一方判断为良的批编号2，用户一方的判断结果为不良，由此可以看出两者的判断结果不一致。
如这个例子所示，在抗蚀剂制造者一方进行的溶液合格与否判断中判断为良的批编号、和用户一方进行的晶片合格与否判断中判断为良的批编号不相一致的场合，抗蚀剂制造者一方需要作出相当大的赔偿，另一方面，用户一方也会产生很大的损失。
本发明的发明人发现，小于0.2微米的颗粒的影响，也就是说超过液体颗粒计数器等测量仪器(计测仪器)的测量极限(能够测量的最小微粒直径)的微小颗粒，是造成即使使用抗蚀剂制造者一方判断为良的抗蚀剂溶液，也不一定能够大幅度降低抗蚀图形上的缺陷的原因。下面，对以此为背景的实施例进行说明。
本实施例的药液的鉴定方法包括：采用液体中颗粒计数器，求出关于液体中的粒子的每种上述粒子大小(对应)的粒子数量的工序；用指数函数或者幂函数来表示上述微粒子的大小和与其对应的粒子数量之间的关系的函数表示工序；将上述指数函数的指数以及上述幂函数的幂中的至少一个的值和预定值进行比较的比较工序；以及在上述比较工序中，对于上述指数以及上述幂函数的幂中的至少一个的值小于预定值的场合，鉴定上述液体为在预定的半导体制造工序中使用的药液的鉴定工序。
这里所用的指数函数可以用下述公式表示。
P＝P0+Ae-Za    (公式1)
而且，幂函数可以用下述公式表示。
P＝P0’＋A’Z-α’    (公式2)
其中，Z是颗粒的大小(粒子尺寸)，P是颗粒的个数(粒子数量)，A以及A’是系数，α(在实施例中是指数函数的指数)、α’是幂。
上述药液的鉴定方法，不是基于特定大小的微粒数量来判断药液的良好与否，而是通过将微粒数量用公式1、公式2那样的微粒尺寸的指数函数或者幂函数来表示的方式，先进行从微小尺寸到大尺寸的粒子数量的预测，然后再用表示粒子数量相对粒子尺寸的变化率的指数函数的指数α或者幂函数的幂α’来进行判断。
换句话说就是，可以通过根据位于可以测量区域(用测量装置可以测量的范围)的微粒的大小和与其对应的微粒数量，用相对粒子尺寸的粒子数量的变化率，对位于不可测量的区域的粒子数量进行预测的方式，提高对药液合格与否的判断精度。
由于α(或者α’)大的场合粒子的增加率就大，所以随着粒子尺寸变小粒子数量也会变多，从而会在晶片上出现较多缺陷。
另一方面、由于α(或者α’)小的场合粒子的增加率就小，所以即使粒子尺寸减小粒子数量也不会有比较多的增加，因此在晶片上也几乎不会产生缺陷。
下面，对本实施例进行进一步说明。
这里，对在ArF抗蚀处理中使用的ArF抗蚀剂溶液的鉴定方法进行具体的说明。
首先，相对制作90nmL/S图形、110nm孔图形(ホ—ルパタ—ン)、90nm孤立图形所使用的各种抗蚀剂溶液，采用液体中颗粒计数器(可以测量的最小微粒直径＝0.15微米)，来获取液体中的微粒尺寸和微粒数量之间的关系。
按照使微粒尺寸为0.15～0.17微米、0.17～0.19微米、......、等等，以0.02微米为单位，测量各个范围内的微粒数量。
图1是表示采用液体中颗粒计数器测量得到的与抗蚀剂溶液中的颗粒尺寸对应的颗粒个数的测量结果，以及通过公式(1)对该测量结果实施拟合，对小于可以测量的最小微粒直径的微粒数量进行预测的预测结果的示意图。在图1中，空白色圆圈○表示上述测量结果(实测值)。实线表示包括着上述预测结果的、表示颗粒尺寸与颗粒数量的关系的函数。该函数是y＝0.2+87.272e-19.246X(y是颗粒的个数、x是颗粒的尺寸)。
上述抗蚀剂溶液的幂是α＝19.245，此时的相关系数R2＝0.9979，具有非常良好的拟合精度。
采用这种方式，对各种抗蚀剂溶液依次进行幂α的计算。而且，在拟合的时候可以对(公式1)的A进行适当的改变，以使得R2为0.99(相当于对液体中颗粒进行基线校正的操作)。
接着，利用这些抗蚀剂溶液在晶片(被处理基板)上形成抗蚀图形。抗蚀图形可以按照如下的方式形成。首先，在Si基板上形成用于防止在曝光的时候进行反射的反射防止膜。接着，在反射防止膜上形成抗蚀膜。随后，进行与各抗蚀膜的用途相匹配的图形转印，通过显影的方法得到抗蚀图形。在显影之后充分进行漂洗处理，以避免产生该处理引起的缺陷。
接着，对形成抗蚀图形的晶片分别进行缺陷检查。对检测出的缺陷进一步进行分类，确定可视为由抗蚀剂材料引起的缺陷，按图形面积求出每1cm2的缺陷数量n。
按照这种方式求出的缺陷数量n和依据制作中使用的抗蚀剂溶液中颗粒的测量值而计算出的α之间的关系，表示在图2中。根据图2可以发现，表示抗蚀剂溶液中颗粒的数量的幂α(x轴)和每单位面积的缺陷数量(y轴)之间具有良好的关系(2次式)。
这里给出的曲线没有按照抗蚀剂的用途区别来描绘，而且描述的是溶液过滤(溶液提炼中使用的过滤器和溶液提炼方法)不同时的各种情况。也就是说，图2表明，只要是树脂类中同类的材料，可以采用几乎不依赖感光剂、溶解抑制基的种类和其比率的一种关系来进行表示。
相对器件(设备)允许的每单位面积的抗蚀膜缺陷个数，可以用图2所示的关系，确定出在抗蚀剂溶液中需要的幂α的值，采用这种方式，在选择抗蚀剂溶液的阶段就可以容易地判断其是否适于器件制作。
下面，对于每单位面积允许的抗蚀膜缺陷个数<0.5个/cm2的器件的适用例子进行说明。
根据图2可知，对上述器件可以适用的抗蚀剂溶液的幂α为α≤24。另一方面，不采用这种手法进行控制的场合中的检测基准为0.15～0.18微米、0.18～0.20微米的微粒数量分别是小于等于40个/ml、20个/ml。
采用按照在先技术位于规格内外以及按照本实施例位于规格内外的抗蚀剂溶液，实施图形成形时的晶片上的缺陷数量以及合格与否，在表3中列出。
表3
抗蚀剂 A B C D E F
用途 孔 孔 L/S,L L/S,L L/S,L L/S,L
0.15～0.18 39 11 3.2 0.8 90 7.7
0.18～0.20 15 6 1.7 0.5 60 5.4
按照在先技术判断合格与否 合格(×) 合格(○) 合格(×) 合格(○) 不合格(×) 合格(○)
α 27.1 20.3 26.6 18.7 21.6 16.6
按照α判断合格与否 不合格(○) 合格(○) 不合格(○) 合格(○) 合格(○) 合格(○)
缺陷密度 0.70 0.12 0.61 0.36 0.45 0.33
晶片合格与否 不合格 合格 不合格 合格 合格 合格
根据表3可知如下内容。首先，相对于使用抗蚀剂A、C时的晶片检测是不合格的，按照在先技术进行药液检测时的结果是合格的，从中可以看出在先技术对晶片缺陷的预测是不充分的。与此相对的是，采用本实施例进行的合格与否判断的结果是不合格，这与晶片检测结果是一致的。
另一方面，使用抗蚀剂E时的晶片检测是合格的，然而按照在先技术进行药液检测时的结果是不合格的，从中可以看出在先技术对晶片缺陷的预测是不充分的。与此相对的是，采用本实施例进行的合格与否判断的结果是合格的，其与晶片检测结果是一致的。
上述结果表明，在采用在先技术的方法时，会出现因为使用晶片检测结果为不合格的抗蚀剂药液而降低生产率，或者没有使用晶片检测结果为合格的抗蚀剂药液等而产生浪费等问题。
与此相对的是，采用本实施例，可以使药液检测结果与晶片检测结果非常一致，从而可知这是一种具有不会出现使用预先未检测出的不良药液而降低生产率，且不会导致合格药品被淘汰的异的判断基准的检测方法。
通过使用采用这种方式判断为合格的药液，可以避免由于药液判断失误导致的生产率的下降，从而可以采用不会出现合格药品被淘汰的高生产率来形成抗蚀图形，得到高可靠性的半导体元件。
作为包括缩小采用本实施例的方法形成的抗蚀图形的开口区域的工序的半导体装置的制造方法，可以是如下所述的方法。
首先如图4A所示，在晶片11上形成包括开口区域13的抗蚀图形12。
接着如图4B所示，在晶片11以及抗蚀图形12上涂敷包含有开口区域缩小材料的药液14，以便如图4C所示，通过使包含有上述开口区域缩小材料的药液14和抗蚀图形12发生反应，缩小开口区域13，形成开口区域13’。
随后如图4D所示，除去未参与和抗蚀图形12之间的反应的开口区域缩小材料。
在这样的开口区域缩小方法中，通过将本实施例的鉴定方法适用于包含有上述开口区域缩小材料的药液14，能够使抗蚀图形12的开口区域按照所期望的方式缩小。采用这种方式，可以在高可靠性条件下形成更微细的图形。具体而言，可以形成细微孔图形以及间隔图形，从而可以大幅度改善在接触孔形成工序和间隔图形中埋设布线工序中的开口不良现象的出现。
如果举例来说，上述包含有开口区域缩小材料的药液，可以采用东京应化工业的专利3485183、3485182、3476082、3476081、3476080号等等所记述的图形微细化用覆盖形成材料以及在图形微细化用覆盖形成处理中使用的材料，和由クラリァ ント公司所公开的Resolution EnhancementLithography Assisted by Chemical Shrink材料(也被称为RELACS材料)。
图1中的具体实例，表示的是拟合公式采用如(公式1)示出的指数函数时的例子，然而也可以使用如(公式2)所示的幂函数。对于该场合，与图2相当的图，可以形成为如图3所示那样的图。对于使用幂函数的场合，也可以由器件允许的抗蚀膜缺陷密度求出幂α’的上限(α’ulimit)，首先使用液体中颗粒计数器对在处理中使用的药液进行测量，选择根据测量值求出的幂α’比α’ulimit小的药液在处理中使用，从而也能够保持高生产率。此外，还可以使用除了指数函数以及幂函数之外的函数。
在本实施例中使用的液体中颗粒计数器，只要是一种能够测量液体中的微粒的装置，本发明对其并没有特别的限定。如果举例来说，可以是具有能够利用基于Mie散射的检测结果的分析方法来实施计算处理的机构的装置，也可以是具有能够利用多普勒效果的分析方法来实施计算处理的机构的装置。
(第2实施例)
图5A～5C是表示第2实施例的半导体装置的制造方法的截面图。
本实施例的半导体装置的制造方法包括：将采用第1实施例提供的方式鉴定为能够作为药液使用的抗蚀剂溶液涂敷在晶片(被处理基板)21上，形成抗蚀膜22(第1涂敷膜)的工序(图5A)；对抗蚀膜22的一部分22’进行选择性曝光的工序(图5B)；以及对抗蚀膜22进行显影，形成抗蚀图形22p(图5C)的工序。晶片21上包含有作为诸如被加工对象的绝缘膜和导电膜。
在对一部分实施选择性曝光后的抗蚀膜22进行显影而形成抗蚀图形22p的工序中，可以除去抗蚀膜22中进行了选择性曝光的部分，也可以除去没有进行选择性曝光的部分，以形成抗蚀图形。图5C是表示按前一方式实施时的例子。
如果采用本实施例，可以在几乎完全不会形成短路(抗蚀图形连接)和开口不良等缺陷的状态下形成抗蚀图形，进而可以大大提高通过掩膜加工方式形成抗蚀图形的绝缘膜和布线的可靠性。
在此，在抗蚀膜22的曝光中使用的光束(曝光光束)可以为紫外(UV)线、远紫外(DUV)线、真空紫外(VUV)线、诸如EUV等的X光线、诸如电子射线和离子光束等的带电粒子射线等等。抗蚀膜22的材料可以为能够使用被上述曝光光线感光的任何材料。
而且，对抗蚀膜22实施的去除，可以通过采用诸如碱性显影液、有机显影液等的湿式显影方式，或是采用反应性离子的蚀刻方式等等实施。
此外，对于在抗蚀膜22和晶片21之间设置有反射防止膜和导电膜的场合，含有反射防止材料的溶液和含有导电材料的溶液最好也采用经第1实施例鉴定的药液。类似地，对于在抗蚀膜22上设置有反射防止膜和导电膜的场合，含有反射防止材料的溶液和含有导电材料的溶液最好也采用经第1实施例鉴定的药液。
而且如图6所示，对于在抗蚀图形22p形成之后，在抗蚀图形22p上形成第2涂敷膜23的场合，含有第2涂敷膜材料的溶液最好也采用经过第1实施例提供的方式所鉴定过的药液。
(第3实施例)
图7A～7C是表示作为第3实施例的半导体装置的制造方法的截面图。
第3实施例的半导体装置的制造方法包括：将采用第1实施例鉴定为能够作为药液使用的含有低电介质材料的溶液涂敷在晶片(被处理基板)31上以形成低电介质涂敷膜32的工序(图7A)；在低电介质涂敷膜32上，通过光刻处理形成掩膜图形33的工序(图7B)；以及将掩膜图形33作为掩膜，对低电介质涂敷膜32进行选择性的蚀刻，来形成低电介质图形32P的工序(图7C)。
如果采用本实施例，可以在几乎完全不会产生开路(绝缘膜连接)和开口不良的缺陷和绝缘性能低下等缺陷的状态下形成低电介质图形32P(绝缘膜图形)，进而可以制成具有高可靠性的半导体器件。
(第4实施例)
图8A～8C是表示作为第4实施例的半导体装置的制造方法的截面图。
第4实施例的半导体装置的制造方法包括：将采用由第1实施例鉴定为能够作为药液使用的含有强电介质材料的溶液涂敷在晶片(被处理基板)41上，以形成强电介质涂敷膜42的工序(图8A)；在强电介质涂敷膜42上，通过光刻处理形成掩膜图形43的工序；以及将掩膜图形43作为掩膜，对强电介质涂敷膜42进行选择性的蚀刻，来形成强电介质图形42p的工序。
如果采用本实施例，可以在几乎完全不会产生短路(抗蚀图形连接)和开口不良等缺陷和增加电阻的状态下形成强电介质图形42p(绝缘膜图形)，进而可以制成具有高可靠性的半导体器件。
如果举例来说，强电介质图形42p可以使用在强电介质电容和强电介质存储器中的电容中。而且如果举例来说，构成强电介质图形42p用的材料，可以是PZT(Pb(Zrx、Ti1-xO3)。
第3以及第4实施例中使用的光刻工序可以是所需要的任何可实现的工序。如果举例来说，可以采用如第2实施例所示的光刻工序，也可以采用通过印模来形成图形的刻印光刻技术。
而且，本发明并不限于上述的实施例。
在上述实施例中，是对被处理基板是晶片的场合进行举例说明的，但是也可以采用诸如玻璃基板等的其他基板。对于被处理基板是玻璃基板的场合，半导体装置的制造方法还可以采用诸如液晶显示装置(LCD)的制造方法等等。
本发明的附加优点和变形实例对于本领域的普通技术人员来说显而易见。因此，本发明应该从更宽的范围来理解，并不限于这里举例给出的特定说明的内容和代表性的实施例。因而，在不脱离后附的权利要求和其等效物所描述的本发明的宗旨或者范围的情况下，还可以对其进行各种变形。

Claims (16)

1.一种药液的评估方法，包括：
通过测量方式求出液体中的粒子的粒子数量与上述粒子的大小的分布关系；
基于用上述测量方式求出的上述粒子的粒子数量与上述粒子的大小的分布关系，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；
以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。
2.如权利要求1所述的药液的评估方法，其特征在于，上述函数为P＝P0+Ae-Zα，
其中，Z是粒子的尺寸，P是粒子数量，P0以及A是系数，α是指数函数的指数。
3.如权利要求2所述的药液的评估方法，其特征在于，根据上述α的大小来判断上述液体的良好与否。
4.如权利要求1所述的药液的评估方法，其特征在于，上述药液是抗蚀剂溶液、含有低电介质材料的溶液或者含有强电介质材料的溶液。
5.一种药液的鉴定方法，包括：
通过测量方式求出液体中的粒子的粒子数量与上述粒子的大小的分布关系；
基于用上述测量方式求出的上述粒子的粒子数量与上述粒子的大小的分布关系，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；
基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响，判断上述液体的良好与否；以及
通过对上述液体的良好与否的判断，对于判断上述液体为良的场合，鉴定上述液体作为药液使用。
6.如权利要求5所述的药液的鉴定方法，其特征在于上述函数为P＝P0+Ae-Zα，
其中，Z是粒子的尺寸，P是粒子数量，P0以及A是系数，α是指数函数的指数。
7.如权利要求6所述的药液的鉴定方法，其特征在于，根据上述α的大小来判断上述液体的良好与否。
8.如权利要求5所述的药液的鉴定方法，其特征在于，上述药液是抗蚀剂溶液、含有低电介质材料的溶液或者含有强电介质材料的溶液。
9.一种药液的鉴定方法，包括：
利用液体中颗粒计数器，求出液体中的粒子的粒子数量与上述粒子的大小的分布关系；
用指数函数以及幂函数中的至少一个函数来表示上述粒子的大小和与其对应的粒子数量之间的关系；
将上述指数函数的指数以及上述幂函数的幂中的至少一个的值和预定值进行比较；以及
通过将上述指数函数的指数以及上述幂函数的幂中的至少一个的值和预定值进行的比较，在上述指数以及上述幂函数的幂中的至少一个的值小于预定值的场合，鉴定上述液体为作为在规定的半导体制造工序中使用的药液。
10.如权利要求9所述的药液的鉴定方法，其特征在于，
上述指数函数为P＝P0+Ae-Zα，上述幂函数为P＝P0’+A’Z-α’，
其中，Z是粒子的尺寸，P是粒子数量，P0、P0’以及A，A’是系数、α是指数函数的指数，α’是幂。
11.如权利要求10所述的药液的鉴定方法，其特征在于，根据上述α或者上述α’的大小来判断上述液体的良好与否。
12.如权利要求9所述的药液的鉴定方法，其特征在于，上述药液是抗蚀剂溶液、含有低电介质材料的溶液或者含有强电介质材料的溶液。
13.一种半导体装置的制造方法，包括：
通过将权利要求5，6，7，9，10中任意一项所述的药液的鉴定方法所鉴定的作为药液使用的抗蚀剂溶液涂敷在被处理基板上，以形成抗蚀膜；
对上述抗蚀膜的一部分进行选择性的曝光；
以及通过对上述一部分进行了选择性曝光的上述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图形。
14.一种半导体装置的制造方法，包括：
在被处理基板上形成包括开口区域的抗蚀图形；以及
通过将用权利要求5，6，7，9，10中任意一项所述的药液的鉴定方法鉴定的开口区域缩小材料溶液涂敷在上述抗蚀图形上，使上述开口区域缩小材料溶液和上述抗蚀图形发生反应，缩小上述抗蚀图形的上述开口区域。
15.一种半导体装置的制造方法，包括：
通过将权利要求5，6，7，9，10中任意一项所述的药液鉴定方法所鉴定的作为药液使用的含有低电介质材料的溶液涂敷在被处理基板上，形成低电介质涂敷膜；
在上述低电介质涂敷膜上，通过光刻处理，形成掩膜图形；以及
通过用上述掩膜图形作为掩膜对上述低电介质涂敷膜进行选择性的蚀刻，形成低电介质图形。
16.一种半导体装置的制造方法，包括：
通过将权利要求5，6，7，9，10中任意一项所述的药液鉴定方法所鉴定的作为药液使用的含有强电介质材料的溶液涂敷在被处理基板上，形成强电介质涂敷膜；
在上述强电介质涂敷膜上，通过光刻处理形成掩膜图形；以及
通过用上述掩膜图形作为掩膜对上述强电介质涂敷膜进行选择性的蚀刻，形成强电介质图形。
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