CN117936405A - 一种带图形的应力监控方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种带图形的应力监控方法，为了实现带图形的应力监控方法，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰时，需要考虑应力量测仪测试应力的原理，为了量测带图形的薄膜应力，在淀积相关薄膜后，对于相关图形光刻工艺，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰，即应力量测仪镭射光扫描路径处没有台阶，通过刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，保证应力量测仪量测应力时，感测器能有效的收集衬底反射的镭射光，进而能得到衬底曲率，通过淀积薄膜前后衬底曲率的变化量得到带有图形的薄膜应力。本发明能够测试相关图形的薄膜应力，填补了带图形的薄膜应力监控方法的空白。
Description
技术领域
本发明属于薄膜应力监控技术领域，涉及一种带图形的应力监控方法。
背景技术
薄膜应力监控是在薄膜材料制备、加工和使用过程中非常重要的一个方面。薄膜应力会影响材料的性能、稳定性和可靠性，因此监控和控制薄膜应力对于确保产品质量至关重要。在薄膜的生长过程中，实时监控应力可以帮助优化生长条件，避免应力积累导致的问题。反应监控和表面拓扑学分析等技术有助于实现这一目标。一般使用传统的机械方法(如弯曲法、晶格畸变法等)或光学方法(如菲涅尔反射法、X射线衍射法)来测量薄膜的应力状态。这些方法虽然可靠，但可能需要复杂的实验设备和样品制备。研究人员正在开发不同类型的传感器来测量薄膜应力，包括电阻应变计、光纤传感器、压电传感器等。这些传感器可以实时监测薄膜的应力变化，并将数据传输到监控系统中进行分析和处理。通过采用一些监测方法来评估薄膜应力的分布和变化，常用的方法包括表面形貌分析、X射线衍射、拉伸试验等，这些方法可以提供关于薄膜应力状态的定量信息；膜应力监控技术在许多领域有着广泛应用，包括微电子制造、光学薄膜、薄膜涂层等。异常的薄膜应力分布可能会导致产品故障或损坏。通过监控薄膜应力，可以及早发现并排除潜在的问题，从而降低故障率并提高产品的寿命。研究人员正在研究如何利用薄膜应力监控技术来改进材料的性能和可靠性；
然而，目前的薄膜应力监控方法，针对的是没有图形的薄膜进行监控，主要用于监控单个薄膜的应力，即整片衬底上淀积待测试应力的薄膜，包括单层薄膜和复合薄膜，衬底可为硅片，也可为已淀积没有图形复合薄膜的硅片。对于集成电路的在线监控，在线制造的集成电路经过多次光刻工艺和刻蚀工艺，表面拥有一层或多层图形，使用没有图形的薄膜应力监控方法，无法测试带有图形的薄膜应力。
对于无图形的薄膜和有图形的薄膜，两者表面状态不同，相对于的应力存在差异，这种差异对在线制造集成电路的应力监控也存在差异，差异较大时，两者应力值相差较大，目前使用的无图形的薄膜应力无法监控在线制造集成电路的薄膜应力，无法通过图形展示应力分布的情况，来提高改进材料的性能和可靠性，目前没有关于带图形的薄膜应力监控方法相关报道、
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种带图形的应力监控方法，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰，可通过相关图形的刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，能够测试相关图形的薄膜应力，填补了带图形的薄膜应力监控方法的空白。
本发明是通过以下技术方案来实现：
一种带图形的应力监控方法，包括，
S1，采用应力量测仪测试衬底的曲率得到衬底的应力前值；
S2，在测试过应力前值的衬底上淀积待测试应力的薄膜；
S3，对已淀积待测试应力的薄膜的衬底进行光刻工艺，得到光刻后的薄膜图形；
S4，对光刻后的薄膜图形进行刻蚀工艺和去胶工艺，得到带图形应力监控片；
S5，对带图形应力监控片进行应力后值测试，将应力前值与应力后值的曲率变化量比较后得到带图形应力监控片的应力，进而得到带图形的应力监控结果。
优选的，所述S1的具体过程为：
将衬底放置在应力量测仪的量测台上，应力量测仪发射镭射光到衬底，应力量测仪接收衬底反射的镭射光，并根据返回的镭射光得到衬底的弯曲程度，得到衬底的曲率，从而得到衬底的应力前值。
优选的，所述S2的具体过程为：
在测试过应力前值的衬底上，通过薄膜淀积设备淀积需要的待测试应力的薄膜；
在淀积薄膜时，通过调整薄膜淀积设备的参数，以确定相关薄膜参数，并记录薄膜的厚度。
优选的，所述S3的具体过程为：
将已淀积待测试应力的薄膜的衬底进行涂胶工艺，旋涂所需的光刻胶的厚度，涂胶工艺完毕后，将涂过光刻胶的衬底放入到光刻机中进行曝光，曝光前，将相对应的光刻板插入光刻机中，光刻机进行曝光时，通过调整曝光机的工作模式，在应力量测仪镭射光扫描路径处无需曝光图形；将已曝光的衬底放入显影机中，进行显影工艺，得到光刻后的薄膜图形。
优选的，所述显影工艺过程中，对于正胶光刻胶，使用显影液将已曝光的光刻胶去除，得到已光刻的薄膜图形；对于负胶光刻胶，使用显影液将未曝光的光刻胶去除，得到已光刻的薄膜图形。
优选的，所述S4的具体过程为：
将光刻后的薄膜图形的衬底，根据待测试应力的薄膜的膜厚确定刻蚀时间，选择相应的刻蚀工艺，去除没有光刻胶掩蔽的薄膜，得到带有图形的衬底，再将将已完成刻蚀工艺的衬底放入去胶机中，根据光刻胶的厚度确定去胶时间，进行去胶工艺，从而得到带图形的应力监控片。
优选的，所述刻蚀工艺的刻蚀采用干法刻蚀机或湿法刻蚀机，去胶机采用干法去胶机或湿法去胶机。
优选的，所述S5的具体过程为：
所述带图形的应力监控片，放入到应力量测仪的量测台上，应力量测仪发射镭射光到带图形的应力监控片，应力量测仪接收带图形的应力监控片反射的镭射光，并根据返回的镭射光得到带图形待测试薄膜的衬底的弯曲程度，得到带图形的应力监控片的曲率，并在应力量测仪中与S1中衬底的曲率相比较得到曲率差值，并根据斯托尼方程得到带图形的应力监控片的应力值，进而得到带图形的应力监控结果。
优选的，所述斯托尼方程为：
σ＝A*h2*ΔBOW/d
式中：σ表示应力，h为衬底的厚度，ΔBOW为曲率的差值，d为待测试应力的薄膜的厚度，A为衬底的材料参数。
优选的，所述衬底采用硅片或经修饰过带图形薄膜的硅衬底。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明提供一种带图形的应力监控方法，以监控带图形的薄膜应力为牵引，在相关图形的光刻工艺，通过对带图形的应力监控片表面进行光刻图形修饰，并通过相关图形刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，能够测试相关图形的薄膜能力，并推广至多种不同薄膜对应的带图形的薄膜应力监控，监控带图形的薄膜应力，能够测试相关图形的薄膜应力，填补了带图形的薄膜应力监控方法的空白，实现了通过图形展示应力分布的情况，来提高改进材料的性能和可靠性。本发明为了实现带图形的应力监控方法，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰时，需要考虑应力量测仪测试应力的原理，为了量测带图形的薄膜应力，在淀积相关薄膜后，对于相关图形光刻工艺，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰，即应力量测仪镭射光扫描路径处没有台阶。后续通过刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，保证应力量测仪量测应力时，感测器能有效的收集衬底反射的镭射光，进而能得到衬底曲率，通过淀积薄膜前后衬底曲率的变化量得到带有图形的薄膜应力。
附图说明
图1为应力量测仪应力测试示意图；
图2为相关图形的薄膜制备流程和应力测试流程。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
本发明以监控带图形的薄膜应力为牵引，在相关图形的光刻工艺，通过对带图形的应力监控片表面进行光刻图形修饰，并通过相关图形刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，能够测试相关图形的薄膜能力，并推广至多种不同薄膜对应的带图形的薄膜应力监控，监控带图形的薄膜应力。
为实现带图形的应力监控方法，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰时，需要考虑应力量测仪测试应力的原理。对于在线应力量测仪，其测试原理为：镭射光从左到右扫描淀积薄膜前后衬底中间位置，感测器收集衬底反射的镭射光，根据淀积薄膜前后衬底曲率的变化量得到淀积薄膜的应力，如图1所示。
对于应力量测仪，当衬底表面不光滑如存在图形时，由于衬底表面有台阶，当镭射光照射到台阶时，镭射光会向台阶处散射镭射光，导致感测器无法有效的收集衬底反射的镭射光，无法得到衬底的曲率，最终无法量测带有图形的薄膜应力。
为了量测带图形的薄膜应力，在淀积相关薄膜后，对于相关图形光刻工艺，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰，即应力量测仪镭射光扫描路径处没有台阶。后续通过刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，并开发相关应力测试程序，保证应力量测仪量测应力时，感测器能有效的收集衬底反射的镭射光，进而能得到衬底曲率，通过淀积薄膜前后衬底曲率的变化量得到带有图形的薄膜应力，流程图如图2所示。
具体步骤为：
1、使用应力量测仪测试衬底的曲率得到应力前值。具体方法为：
将衬底放置在应力量测仪器量测台上，应力量测仪发射镭射光到衬底，应力量测仪接收衬底反射的镭射光，并根据返回的镭射光得到衬底的弯曲程度得到衬底的曲率，衬底可为硅片，也可为经修饰过的图形的带图形薄膜的硅衬底。
2、在步骤1测试应力前值的衬底上淀积待测试应力的薄膜。具体方法为：
在已测试应力前值的衬底上，通过薄膜淀积设备淀积需要测试应力的薄膜，在淀积薄膜时，需要通过调整淀积设备参数来保证薄膜的厚度、均匀性等相关薄膜参数，并在膜厚量测设备测量并记录薄膜的厚度。对于薄膜淀积设备，不限机型。
3、对步骤2的薄膜进行光刻工艺。具体方法为：
将已淀积需要量测应力薄膜的衬底放入到涂胶机中进行涂胶工艺，旋涂需要的胶厚，涉及的工艺参数有胶量、旋转速度等。涂胶工艺完毕后，通过量测仪测试已涂胶的厚度。将以涂过光刻胶的衬底放入到光刻机中进行曝光。曝光前，需要将相对应的光刻板插入光刻机中。光刻机进行曝光时，通过调整曝光机的工作模式，在应力量测仪镭射光扫描路径处不要曝光图形。这是因为由于应力量测仪器镭射光扫描路径处有图形时，经过后续的刻蚀工艺和去胶工艺导致应力量测仪器镭射光扫描路径处有台阶，导致感测器无法有效的收集衬底反射的镭射光，无法得到衬底的曲率，最终无法量测带有图形的薄膜应力，因此在进行光刻工艺时，应力量测仪镭射光扫描路径处不需要光刻出任何图形。
图形曝光后，进行显影工艺。将已曝光的衬底放入显影机中，使用显影液进行显影工艺，对于正胶光刻胶，使用显影液将已曝光的光刻胶去除，得到已光刻的图形。对于负胶光刻胶，使用显影液将未曝光的光刻胶去除，得到已光刻的图形。对于涂胶机、光刻机和显影机，不限机型。
4、对步骤3的光刻图形进行已淀积薄膜的刻蚀工艺和去胶工艺，得到带图形的应力监控片。具体方法为：
将已显影的衬底放入刻蚀机中，根据已淀积且需要测试应力的薄膜的膜厚确定刻蚀时间，随后按照相应的薄膜选择相应的刻蚀工艺，去除没有光刻胶掩蔽的薄膜，得到带有图形的衬底。对于刻蚀机，根据薄膜的特性和相应的设备选择干法刻蚀机或湿法刻蚀机。
将已完成刻蚀工艺的衬底放入去胶机中，根据光刻胶的厚度确定去胶时间，随后在去胶机中进行去胶工艺。对于去胶机，根据实际情况设备选择干法去胶机或湿法去胶机。
5、使用应力量测仪对步骤4的图形应力监控片进行应力后值测试，即通过测试带图形薄膜衬底的曲率，并与步骤1曲率的变化量相比较后得到带有图形的薄膜应力，进而得到带图形的应力监控结果。具体方法为：
将步骤2至4制备的带有图形待测试薄膜的衬底放入到应力量测仪量测台上，应力量测仪发射镭射光到带有图形待测试薄膜的衬底，应力量测仪接收带有图形待测试薄膜的衬底反射的镭射光，并根据返回的镭射光得到带有图形待测试薄膜的衬底的弯曲程度得到带有图形待测试薄膜的衬底的曲率，并在应力量测仪中与步骤1的曲率相比较得到曲率差值，并根据斯托尼(STONEY)方程得到应力值。
σ＝A*h2*ΔBOW/d
其中：σ表示应力，h为衬底的厚度，ΔBOW为曲率的差值，d为待测试应力的薄膜的厚度，A为衬底的材料参数。当衬底材料确定时，A和h是已知数，通过步骤2可以得到待测试薄膜的厚度，ΔBOW可通过应力量测仪器得到，将上述参数带入斯托尼(STONEY)方程得到带有图形待测试薄膜分应力值。
对于不同类型的衬底，前值测试时需要保证应力量测仪镭射光扫描路径处没有任何图形，否则会导致带图形的应力无法量测。具体为：在步骤3的光刻图形曝光时，在应力量测仪镭射光扫描路径处不曝光图形，随后经过步骤3的显影工艺、步骤4的刻蚀工艺和去胶工艺，实现带图形应力测试的图形片制备。
具体实施效果：
实施例1
通过本发明提供的种带图形的应力监控方法，在淀积相关薄膜后，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰，使得应力量测仪镭射光扫描路径处没有台阶，并通过刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，在使用应力量测仪量测应力时，得到带有图形的薄膜应力。以常压化学气相淀积工艺掺杂硼磷的二氧化硅(BPSG)薄膜为例，该薄膜膜厚为相关应力数据如表1所示。
表1常压化学气相淀积工艺的掺杂硼磷的二氧化硅(BPSG)应力数据表
实施例2
本发明采用衬底为硅片，监控方法建立前后测试的带图形薄膜的应力
具体构成：
衬底：P型<100>，电阻率(0.1～100)Ω·cm裸硅片。
薄膜类型：等离子二氧化硅(PEOXIDE)。
膜厚：
试验次数：连续3次。
效果如表2所示：
表2等离子二氧化硅PEOXIDE膜应力数据表
从以上数据来看，带图形的应力监控方法建立前，无法量测有图形的应力，只能量测无图形的应力。带图形的应力监控方法建立后，可量测有图形的应力，因此，可通过建立的带图形的应力监控方法来量测带图形的膜应力。
实施例3
本实施例衬底为硅片，监控方法建立前后测试的带图形复合薄膜的应力具体构成：
衬底：P型<100>，电阻率(0.1～100)Ω·cm裸硅片。
薄膜类型：等离子二氧化硅(PEOXIDE)、等离子氮化硅(PESIN)。
膜厚：PEOXIDE膜厚PESIN膜厚/>
试验次数：连续3次。
效果如表3所示：
表3复合薄膜等离子二氧化硅+等离子/>膜应力数据表
从以上数据来看，对于复合薄膜，带图形的应力监控方法建立前无法量测复合薄膜有图形的应力，只能量测无图形的应力。带图形的应力监控方法建立后，可量测复合薄膜有图形的应力，因此，可通过建立的带图形的应力监控方法来量测复合薄膜带图形的膜应力。
实施例4
本实施例衬底为带图形的复合薄膜时，监控方法建立前后测试的带图形复合薄膜的应力；
具体构成：
衬底：P型<100>，电阻率(0.1～100)Ω·cm裸硅片+多晶硅+多晶硅应力量测图形。
薄膜类型：常压化学气相淀积工艺的掺杂硼磷的二氧化硅(BPSG)、等离子二氧化硅(PEOXIDE)、等离子氮化硅(PESIN)、金属AL。
膜厚：BPSG膜厚PEOXIDE膜厚/>PESIN膜厚/>金属AL膜厚/>
试验次数：连续3次
效果，如表4所示：
当衬底为带图形的复合薄膜时，以带图形的硅片+氧化层+多晶硅为衬底为例，淀积BPSG6000+900℃氮气退火20分钟，并进行相关图形的光刻工艺和刻蚀工艺，量测相关图形的应力测试，结果如表4所示。
表4以带图形的硅片+氧化层+多晶硅为衬底，BPSG6000+退火应力量测数据表
从表4可知，可以采用带图形的应力监控方法测试衬底为带图形的硅片+氧化层+多晶硅复合薄膜时，BPSG6000带图形的应力。
实施例5
以带图形的硅片+氧化层+多晶硅+BPSG6000为衬底，淀积PEOXIDE(膜厚为)+900℃氮气退火20分钟，并进行相关图形的光刻工艺和刻蚀工艺，量测相关图形的应力测试，结果如表5所示。
表5以带图形的硅片+氧化层+多晶硅+BPSG6000为衬底，PEOXIDE1200+退火应力量测数据表
从表5可知，可以采用带图形的应力监控方法测试衬底为带图形的硅片+氧化层+多晶硅+BPSG6000时，PEOXIDE1200带图形的应力。
实施例6
以带图形的硅片+氧化层+多晶硅+BPSG6000+PEOXIDE1200复合薄膜为衬底，淀积金属AL(膜厚为)，并在420℃下合金10分钟，并进行相关图形的光刻工艺和刻蚀工艺，量测相关图形的应力，量测结果如表6所示。
表6以带图形的硅片+氧化层+多晶硅+BPSG6000+PEOXIDE1200复合薄膜为衬底，金属AL12000+合金应力量测数据表
从表6可知，可以采用带图形的应力监控方法测试衬底为带图形的硅片+氧化层+多晶硅+BPSG6000+PEOXIDE1200时，金属AL12000+合金带图形的应力。
实施例7
以带图形的硅片+氧化层+多晶硅+BPSG6000+PEOXIDE1200+金属AL12000复合薄膜为衬底，淀积PEOXIDE(膜厚为)+PESIN(膜厚为/>)，并在400℃下氮气退火40分钟，进行相关图形的光刻工艺和刻蚀工艺，量测相关图形的应力，量测结果如表7所示。
表7以带图形的硅片+氧化层+多晶硅+BPSG6000+PEOXIDE1200+金属AL12000复合薄膜为衬底，PEOXIDE5500+PESIN3000+退火应力量测数据表
从表7可知，可以采用带图形的应力监控方法测试衬底为带图形的硅片+氧化层+多晶硅+BPSG6000+PEOXIDE1200+金属AL12000复合薄膜时，PEOXIDE5500+PESIN3000+退火带图形的应力。
综上所述，从表4至表7数据来看，对于衬底为带图形的硅片+氧化层+多晶硅时，采用图形的应力监控方法测试带图形的复合薄膜的应力，并能测试带图形的复合应力。而在带图形应力监控方法建立前无法量测带图形的薄膜作为衬底，淀积其他薄膜的图形片应力。因此带图形的应力监控方法建立后，可量测以带图形的薄膜作为衬底，淀积其他薄膜的图形片应力。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；凡本行业的普通技术人员均可按说明书附图所示和以上所述而顺畅地实施本发明；但是,凡熟悉本专业的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内，利用以上所揭示的技术内容而做出的些许更动、修饰与演变的等同变化，均为本发明的等效实施例；同时,凡依据本发明的实质技术对以上实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变等，均仍属于本发明的技术方案的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种带图形的应力监控方法，其特征在于，包括，
S1，采用应力量测仪测试衬底的曲率得到衬底的应力前值；
S2，在测试过应力前值的衬底上淀积待测试应力的薄膜；
S3，对已淀积待测试应力的薄膜的衬底进行光刻工艺，得到光刻后的薄膜图形；
S4，对光刻后的薄膜图形进行刻蚀工艺和去胶工艺，得到带图形应力监控片；
S5，对带图形应力监控片进行应力后值测试，将应力前值与应力后值的曲率变化量比较后得到带图形应力监控片的应力，进而得到带图形的应力监控结果。
2.根据权利要求1所述的一种带图形的应力监控方法，其特征在于，所述S1的具体过程为：
将衬底放置在应力量测仪的量测台上，应力量测仪发射镭射光到衬底，应力量测仪接收衬底反射的镭射光，并根据返回的镭射光得到衬底的弯曲程度，得到衬底的曲率，从而得到衬底的应力前值。
3.根据权利要求1所述的一种带图形的应力监控方法，其特征在于，所述S2的具体过程为：
在测试过应力前值的衬底上，通过薄膜淀积设备淀积需要的待测试应力的薄膜；
在淀积薄膜时，通过调整薄膜淀积设备的参数，以确定相关薄膜参数，并记录薄膜的厚度。
4.根据权利要求1所述的一种带图形的应力监控方法，其特征在于，所述S3的具体过程为：
将已淀积待测试应力的薄膜的衬底进行涂胶工艺，旋涂所需的光刻胶的厚度，涂胶工艺完毕后，将涂过光刻胶的衬底放入到光刻机中进行曝光，曝光前，将相对应的光刻板插入光刻机中，光刻机进行曝光时，通过调整曝光机的工作模式，在应力量测仪镭射光扫描路径处无需曝光图形；将已曝光的衬底放入显影机中，进行显影工艺，得到光刻后的薄膜图形。
5.根据权利要求4所述的一种带图形的应力监控方法，其特征在于，所述显影工艺过程中，对于正胶光刻胶，使用显影液将已曝光的光刻胶去除，得到已光刻的薄膜图形；对于负胶光刻胶，使用显影液将未曝光的光刻胶去除，得到已光刻的薄膜图形。
6.根据权利要求1所述的一种带图形的应力监控方法，其特征在于，所述S4的具体过程为：
将光刻后的薄膜图形的衬底，根据待测试应力的薄膜的膜厚确定刻蚀时间，选择相应的刻蚀工艺，去除没有光刻胶掩蔽的薄膜，得到带有图形的衬底，再将将已完成刻蚀工艺的衬底放入去胶机中，根据光刻胶的厚度确定去胶时间，进行去胶工艺，从而得到带图形的应力监控片。
7.根据权利要求6所述的一种带图形的应力监控方法，其特征在于，所述刻蚀工艺的刻蚀采用干法刻蚀机或湿法刻蚀机，去胶机采用干法去胶机或湿法去胶机。
8.根据权利要求1所述的一种带图形的应力监控方法，其特征在于，所述S5的具体过程为：
所述带图形的应力监控片，放入到应力量测仪的量测台上，应力量测仪发射镭射光到带图形的应力监控片，应力量测仪接收带图形的应力监控片反射的镭射光，并根据返回的镭射光得到带图形待测试薄膜的衬底的弯曲程度，得到带图形的应力监控片的曲率，并在应力量测仪中与S1中衬底的曲率相比较得到曲率差值，并根据斯托尼方程得到带图形的应力监控片的应力值，进而得到带图形的应力监控结果。
9.根据权利要求8所述的一种带图形的应力监控方法，其特征在于，所述斯托尼方程为：
σ＝A*h2*ΔBOW/d
式中：σ表示应力，h为衬底的厚度，ΔBOW为曲率的差值，d为待测试应力的薄膜的厚度，A为衬底的材料参数。
10.根据权利要求1所述的一种带图形的应力监控方法，其特征在于，所述衬底采用硅片或经修饰过带图形薄膜的硅衬底。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202410090686.1A CN117936405A (zh) | 2024-01-22 | 2024-01-22 | 一种带图形的应力监控方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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|---|---|
| CN117936405A true CN117936405A (zh) | 2024-04-26 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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2024
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