TWI676795B - 異物檢測裝置及異物檢測方法 - Google Patents

異物檢測裝置及異物檢測方法 Download PDF

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Abstract

本發明之課題在於提供一種可高精度地檢測流過流路部之微小異物的技術。依本發明之裝置，具有：流路部，其可供流體流動；雷射光照射部，其用以照射雷射光至該流路部內，且具有以朝與前述流路部中之流體流動方向交叉的方向變長的方式使來自雷射光源之雷射光扁平化的光學系，並且設置成光路與前述流路部中之流體流動方向交叉；光檢測部，其包含設置在透過前述流路部之光路上且沿著光路橫剖面之長邊方向排列的多數受光元件；及異物檢測部，其比較因應電氣信號之信號位準的信號位準與預定信號位準之臨界值，並依據比較結果檢測前述異物，且該電氣信號之信號位準對應在前述多數受光元件中之各個受光元件所受光的光強度。

Description

異物檢測裝置及異物檢測方法
本發明係關於以光學方式檢測供給至被處理體之流體中的異物的異物檢測裝置及異物檢測方法。
在半導體裝置之製程中，例如，包含對半導體晶圓(以下，記載為晶圓)進行液處理之步驟。例如，在形成抗蝕圖案之步驟中，使用抗蝕劑等之各種藥液，且藥液由藥液容器通過設於泵等機器間之流路的配管並透過噴嘴吐出至晶圓上。而且，有時藥液會混入附著於配管或各機器上之顆粒，且有時會在藥液中產生氣泡。此外，亦有在包含樹脂材料之藥液，例如抗蝕劑中，包含如比正常聚合物成分大之異常聚合物成分的情形。
例如顆粒及氣泡或異常聚合物等混入抗蝕劑中時，成為顯影缺陷之要因，因此監視該等異物並使異物之量下降到設定值，在包含例如配管之供給系內謀 求藥液純化的處理技術亦是習知的。監視異物之方法可使用照射雷射光至流路內之藥液，並接受來自異物之散射光來量測異物之顆粒計數器。
另一方面，隨著半導體裝置之設計規則不斷微細化，有容許之顆粒越來越小的趨勢，且需要高精度地檢測更微細異物之技術。但是，因為檢測對象之異物越小，S(信號位準)/N(雜訊)越小，所以難以高精度地檢測。此外，若可檢測抗蝕劑中之尺寸大的異常聚合物，則對應尺寸小之正常聚合物的雷射光強度成為雜訊，因此亦難以高精度地檢測異常聚合物。雖然例如專利文獻1中記載使雷射光透過流路，設置接受顆粒之散射光的多數受光元件以提高計數效率的技術，但檢測原理與本發明不同。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利第5719473號公報
本發明係依據如此情形而作成者，且目的在於提供一種可高精度地檢測流過流路部之微小異物的技術。
本發明之異物檢測裝置，檢測供給至被處理體之流體中的異物，其特徵為具有： 流路部，其構成供給至前述被處理體之流體所流動的流路；雷射光照射部，用以照射雷射光至該流路部內，且具有「將來自雷射光源之雷射光扁平化以令該雷射光在與該流路部中之流體流動方向交叉的方向上加長」的光學系，並設置成使光路與該流路部中之流體流動方向交叉；光檢測部，包含多數受光元件，該多數受光元件設置在透過該流路部之光路上且沿著光路橫剖面之長邊方向排列；及異物檢測部，其將因應於「和在該多數受光元件中之各個受光元件所受光之光強度相對應的電氣信號之信號位準」的信號位準與「和因該流體中之異物而產生干涉條紋時的電氣信號之信號位準相對應」的臨界值加以比較，並依據比較結果檢測該異物。
本發明之異物檢測方法檢測供給至被處理體之流體中的異物，其特徵為具有以下步驟：使供給至前述被處理體之流體流至流路部；藉由雷射光照射部包含之光學系，以朝與前述流路部中之流體流動方向交叉的方向變長的方式使來自雷射光源之雷射光扁平化；以光路與前述流路部中之流體流動方向交叉的方式由前述雷射光照射部所照射扁平化之雷射光至該流路部內；藉由設置在透過前述流路部之光路上且沿著光路橫剖面之長邊方向排列的多數受光元件，接受照射至前述流路部之雷射光；及比較因應對應在前述多數受光元件中之各個受光元件所受光之光強度的電氣信號之信號位準的信號位準與對應因前述流體中之異物產生干涉條紋時的電氣信號之信號位準的臨界值，並依據比較結果檢測前述異物。
本發明設置：光學系，其以朝與流體流動之流路部中的流體流動方向交叉的方向變長的方式使來自雷射光源之雷射光扁平化；及多數受光元件，其在流路部之後段朝光路之橫剖面中的長邊方向排列。而且，比較因應對應在受光元件之各個受光元件所受光之光強度的電氣信號之信號位準的信號位準與對應因流體中包含之異物產生干涉條紋時的電氣信號之信號位準的臨界值，可依據比較結果檢測異物。因此，可高精度地檢測粒徑小之異物。
1‧‧‧塗布、顯影裝置
1A‧‧‧抗蝕劑塗布模組
1B‧‧‧抗蝕劑塗布模組
1C‧‧‧防止反射膜形成模組
1D‧‧‧防止反射膜形成模組
1E‧‧‧保護膜形成模組
1F‧‧‧保護膜形成模組
2‧‧‧光供給部
4‧‧‧異物檢測單元
6‧‧‧控制部
11‧‧‧噴嘴
11A~11K‧‧‧噴嘴
12‧‧‧供給管
12A~12K‧‧‧藥液供給管
13‧‧‧供給源
13A~13K‧‧‧抗蝕劑之供給源
15‧‧‧光析管
15A~15K‧‧‧光析管
16‧‧‧流路陣列
17‧‧‧流路
17A~17K‧‧‧流路
21‧‧‧光源
22‧‧‧分光器
23‧‧‧光纖
31‧‧‧旋轉夾頭
32‧‧‧杯具
33‧‧‧旋轉台
34‧‧‧支柱
35‧‧‧支持座
36‧‧‧升降部
37‧‧‧臂部
38‧‧‧連接分離機構
41‧‧‧光閘
42‧‧‧準直器
43‧‧‧平台
45‧‧‧受光元件
45A‧‧‧上段側受光元件
45B‧‧‧下段側受光元件
46‧‧‧電路部
47A‧‧‧轉換阻抗放大器(TIA)
47B‧‧‧轉換阻抗放大器(TIA)
48‧‧‧差動電路
50‧‧‧檢測區域
51‧‧‧雷射光照射部
52‧‧‧受光部
53‧‧‧光學系
55‧‧‧聚光部
56‧‧‧光學系
57‧‧‧聚光部
58‧‧‧光檢測部
61‧‧‧運算部
71‧‧‧載置台
72‧‧‧開關部
73‧‧‧搬送機構
74‧‧‧搬送區域
75‧‧‧搬送機構
76‧‧‧搬送機構
77‧‧‧搬送機構
78‧‧‧搬送機構
C‧‧‧載具
CPL‧‧‧調溫模組
D1‧‧‧運送塊
D2‧‧‧處理塊
D3‧‧‧介面塊
D4‧‧‧曝光裝置
E‧‧‧單位塊
E1‧‧‧第一單位塊
E2‧‧‧第二單位塊
E3‧‧‧第三單位塊
E4‧‧‧第四單位塊
E5‧‧‧第五單位塊
E6‧‧‧第六單位塊
F1~F6‧‧‧搬送機構
H1‧‧‧高度
H11‧‧‧高度
L1‧‧‧左右方向寬度
L11‧‧‧左右寬度
L12‧‧‧前後寬度
L2‧‧‧前後方向寬度
L21‧‧‧分割聚光區域之左右寬度
L3‧‧‧流路間之寬度
L4‧‧‧距離
P‧‧‧異物
S‧‧‧干涉條紋
TRS‧‧‧傳送模組
TRS0~6‧‧‧傳送模組
TRS15‧‧‧傳送模組
TRS16‧‧‧傳送模組
T1~T4‧‧‧塔部
t1~t7‧‧‧時刻
U‧‧‧支架單元
V1‧‧‧閥
W‧‧‧晶圓
【圖1】係本發明實施形態之塗布、顯影裝置的概略結構圖。
【圖2】係前述塗布、顯影裝置包含之光供給部的概略結構圖。
【圖3】係前述塗布、顯影裝置包含之抗蝕劑塗布模組的立體圖。
【圖4】係構成液處理系統之異物檢測單元的概略結構圖。
【圖5】係構成前述異物檢測單元之流路陣列的立體圖。
【圖6】係構成前述異物檢測單元之雷射光照射部、受光部及流路陣列的側面圖。
【圖7】係顯示前述雷射光之光路橫剖面變化情形的說明圖。
【圖8】係示意地顯示前述光路之說明圖。
【圖9】係顯示由前述光路形成之異物測量區域的能量分布曲線圖。
【圖10】係構成前述受光部之受光元件的平面圖。
【圖11】係顯示連接於前述受光元件之電路部的方塊圖。
【圖12】係顯示前述異物檢測單元之異物檢測原理的說明圖。
【圖13】係顯示前述測量區域與受光元件之關係的說明圖。
【圖14】係前述異物檢測單元之動作的時間圖。
【圖15】係前述塗布、顯影裝置之平面圖。
【圖16】係前述塗布、顯影裝置之概略縱截側面圖。
【圖17】係顯示評價試驗之結果的示意圖。
【圖18】係顯示評價試驗之結果的示意圖。
【圖19】係顯示評價試驗之結果的示意圖。
圖1係使用本發明異物檢測裝置之塗布、顯影裝置1的概略圖。該塗布、顯影裝置1具有分別供給藥液至作為被處理體之基板，例如晶圓W上來進行處理的抗蝕劑塗布模組1A、1B、防止反射膜形成模組1C、1D、保護膜形成模組1E、1F。該等模組1A至1F係供給藥液至晶圓W進行處理之藥液供給模組。塗布、顯影裝置1藉由該等模組1A至1F供給各種藥液至晶圓W，並依序形成防止反射膜、形成抗蝕膜、形成用以在曝光時保護抗蝕膜之保護膜後，使例如液浸曝光後之晶圓W顯影。
上述模組1A至1F具有藥液之供給路，且塗布、顯影裝置1組配成可檢測流過該供給路之藥液中的異物。流過上述供給路之藥液供給至晶圓W。因此，藥液供給至晶圓W與異物之檢測互相同時地進行。異物係例如顆粒、氣泡、及粒徑比構成藥液之正常聚合物大的異常聚合物等。具體而言，異物之檢測係例如檢測在預定期間中流過藥液流路之預定檢測區域的異物總數及各異物大小。
塗布、顯影裝置1中設有光供給部2，且圖2顯示光供給部2之結構。光供給部2具有輸出雷射光之光源21及作為分光路形成部之分光器22，且由光源21輸出之雷射光藉由分光器22分成6個，並透過6條光纖23分別導光至設於模組1A至1F中之異物檢測單元4。在圖1中用虛線之箭號表示如此分光之雷射光。
模組1A至1F具有大略同樣之結構，在此說明圖1所示之抗蝕劑塗布模組1A的概略結構。抗蝕劑塗布模組1A具有例如11個噴嘴11A至11K，其中10個噴嘴11A至11J吐出抗蝕劑至晶圓W作為藥液，並形成作為塗布膜之抗蝕膜。噴嘴11K吐出稀釋劑至晶圓W。稀釋劑係供給至抗蝕劑供給前之晶圓W，提高抗蝕劑之濕潤性的預濕用藥液。
構成藥液供給路之藥液供給管12A至12J的下游端連接於噴嘴11A至11J，且藥液供給管12A至12J之上游端透過閥V1分別連接於抗蝕劑之供給源13A至13J。各抗蝕劑之供給源13A至13J具有例如，貯存抗蝕劑之容器及壓送由容器供給之抗蝕劑至噴嘴11A至11J的泵。貯存於抗蝕劑供給源13A至13J之各容器中的抗蝕劑種類互不相同，且由10種抗蝕劑選擇之1種抗蝕劑供給至晶圓W。
藥液供給管12K之下游端連接於噴嘴11K，且藥液供給管12K之上游端透過閥V1連接於供給源13K。供給源13K除了貯存上述稀釋劑來取代抗蝕劑以外，具有與供給源13A至13J同樣之結構。即，當處理晶圓W時，藥液流過藥液供給管12A至12K之時間互不相同。藥液供給管12A至12K由具有可撓性之材質，例如樹脂構成，且組配成不妨礙後述之噴嘴11A至11K的移動。藥液供給管12A至12K中之噴嘴11A至11K與閥V1之間設有光析管15A至15K。光析管15A至15K構成異物測量用之流路部，並檢測通過其內部之異物。光析管15A至15K將在以下詳述。
圖3顯示抗蝕劑塗布模組1A之更詳細結構的一例。圖中31、31係旋轉夾頭，且水平地吸附保持各個晶圓W之背面中央部，並且使保持之晶圓W環繞垂直軸旋轉。圖中32、32係杯具，且包圍被旋轉夾頭31、31保持之晶圓W的下方及側方，以防止藥液之飛散。
圖中33係環繞垂直軸旋轉之旋轉台，且在旋轉台33上設有可朝水平方向自由移動之垂直支柱34及噴嘴11A至11K之支持座35。36係可沿支柱34自由升降之升降部，37係可朝與支柱34之移動方向直交之水平方向自由移動的臂部。臂部37之前端設有噴嘴11A至11K之連接分離機構38。藉由旋轉台33、支柱34、升降部36及臂部37之配合動作，噴嘴11A至11K可在各旋轉夾頭31上與支持座35之間移動。
異物檢測單元4以不干涉移動之臂部37或支柱34的方式設置在上述旋轉台33及杯具32之側方。本發明之異物檢測裝置係由該異物檢測單元4及後述之控制部6構成。圖4顯示該異物檢測單元4之平面圖。異物檢測單元4具有雷射光照射部51、受光部52及流路陣列16。上述光纖23之下游端透過準直器42連接於雷射光照射部51，且準直器42使由光纖23導出之雷射光成為平行光並導光至雷射光照射部51。光纖23被導向該異物檢測單元4內。
例如，塗布、顯影裝置1作動時，由光供給部2經常供給光至光纖23，並藉由開關後述光閘41之光路，切換光供給至流路陣列16之狀態及停止光供給至流路陣列16之狀態。光閘41由上述遮蔽位置及開放位置中之其中一位置移動至另 一位置的速度係例如100毫秒。此外，光纖23具有不妨礙後述雷射光照射部51之移動的可撓性。
以下參照圖5之立體圖說明流路陣列16。構成藥液之流路部的流路陣列16係由石英製成，且構成矩形之橫長塊，並具有朝上下方向分別形成之11個貫穿口。各貫穿口沿流路陣列16之長度方向排列，且各貫穿口與該貫穿口周圍之壁部構成上述光析管15A至15K。因此，光析管15A至15K構成直立之管，且藥液由上方向下方流過構成該光析管15A至15K之各貫穿口。光析管15A至15K之各貫穿口形成流路17A至17K。流路17A至17K具有相同之結構，且如上所述地設於各個藥液供給管12A至12K之間。
流路17A至17K之排列方向為左右方向時，流路17A至17K之橫剖面形成各邊沿左右方向及前後方向之長方形。顯示各流路17A至17K之尺寸的一例係左右方向寬度L1為2mm，前後方向寬度L2為200μm，且高度H1為25mm。此外，相鄰流路間之寬度L3為3mm。
回到圖4繼續說明。上述雷射光照射部51及受光部52係設置成由前後隔著流路陣列16互相對向。圖4中之43係由流路陣列16之下方側支持雷射光照射部51及受光部52的平台，且組配成可藉由未圖示之驅動機構朝左右方向自由移動。藉由如此移動平台43，雷射光照射部51可照射由光纖23導出之光至流路17A至17K中選擇之一個流路17，且受光部52接受如此照射至流路17且透過該流路17之光。即，以相對藥液之流動方向交叉之方式在流路17中形成光路。
接著，一面參照圖6一面說明雷射光照射部51。為方便說明，令由雷射光照射部51向受光部52之方向為後方。此外，在圖6中以虛線之箭號顯示光路。雷射光照射部51具有光學系53，且該光學系53由例如聚光部55構成。此外，雖然在圖6中省略圖示，但如圖4所示地在雷射光照射部51中設有上述光閘41。
上述準直器42向後方側朝水平方向照射雷射光。光閘41在遮蔽準直器42與光學系53間之光路的遮蔽位置(在圖4中以虛線表示)與由該光路退避的開放位置(在圖4中以實線表示)之間移動，使該光路開關。
聚光部55包含例如使由準直器42照射之雷射光聚光至光析管15的透鏡，該透鏡包含例如稱為鮑爾(Powell)透鏡或雷射光線產生器透鏡的透鏡。該聚光部55除了透鏡以外亦可包含反射鏡及稜鏡等之構件。此外，包含之透鏡可為1個，亦可為多數個。另外，圖7顯示雷射光進行中，該光路之橫剖面變化的情形。圖7之上段顯示由準直器42向聚光部55之光路的橫剖面，且該橫剖面係例如直徑3mm之圓形光點。
此外，由準直器42照射之雷射光的上側半部稱為第一雷射光，且下側半部稱為第二雷射光，即朝光析管15之藥液流動方向觀察雷射光時的其中一側(上游側)、另一側(下游側)分別稱為第一雷射光、第二雷射光時，該等第一雷射光、第二雷射光分別照射至後述上段側受光元件45A、下段側受光元件45B。圖7之上段圓形光點中的虛線顯示區隔第一雷射光及第二雷射光之假想邊界線。此外，雖然圖7之中段、下段顯示如後所述地由雷射光照射部51照射之光，但該等中段、下段亦同樣地藉由虛線顯示第一雷射光及第二雷射光間之邊界。
圖7之中段顯示由聚光部55照射在光析管15內之光路的橫剖面，且該橫剖面係長徑沿左右方向之橢圓形光點。如此，聚光部55以相對藥液流動方向朝與藥液流動方向直交之方向變長的方式使雷射光扁平化。圖8概略地顯示如此由聚光部55照射之光的光路。在該光路中，形成在光析管15之流路17中且能量密度比較高之區域為異物(在圖中以P表示)之檢測區域。即，對藉由藥液流過該流路17且進入作為聚光區域之該檢測區域的異物P進行檢測。
如圖7中說明地，光析管15內之雷射光的光點為橢圓形。此外，朝光路方向(前後方向)觀察時，該光點內之中心部的橫長矩形區域為上述檢測區域，且該檢測區域之光照射後述之受光元件45A、45B。令該檢測區域為50，並在圖8中在該檢測區域50加上陰影線來顯示。該檢測區域50之左右寬度L11為10μm至200μm，且在該例子中為120μm。高度H11係例如1.88μm。此外，前後寬度L12係例如15.6μm，且該L12係由聚光部55照射之雷射光的瑞利(Rayleigh)長度。
圖9係顯示該檢測區域50之左右方向的能量分布的曲線。曲線之橫軸的各位置對應在圖中曲線上方所示之朝光路形成方向觀察的檢測區域50的左右各位置。曲線之縱軸顯示能量之大小。如該曲線所示地，檢測區域50左右之各位置的能量分布大致相等，因此顯示能量分布之波形呈大致矩形。形成具有如此之能量分布的橫長檢測區域50的原因是可增加在平面中觀察時之檢測區域50面積對光析管15之流路17面積的比率，且提高流過流路17內之異物P總數中檢測之異物P數的比率，因此提高異物P之檢測精度。
返回圖6，說明受光部52。受光部52具有光學系56，且該光學系56由聚光部57及光檢測部58構成，聚光部57由一或多數個聚光透鏡構成，而光檢測部58設 於聚光部57之後方側。如上所述地由雷射光照射部51照射至光析管15且透過該光析管15之光藉由聚光部57聚光，並照射至光檢測部58。與上述聚光部55同樣地，除了透鏡以外，聚光部57亦可包含反射鏡及稜鏡等之構件。此外，由圖6所示之準直器42到光檢測部58之距離L4係例如100mm以下。圖7之下段顯示光檢測部58上之光路的橫剖面。
以下一面參照圖10之平面圖一面說明光檢測部58。光檢測部58係例如由64個受光元件構成，且該等受光元件係由各個光二極體形成。受光元件，例如，互相間隔地配置成構成2×32之行列。配置於上側之受光元件為上段側受光元件45A、配置於下側之受光元件為下段側受光元件45B時，上段側受光元件45A、下段側受光元件45B分別位於上述第一雷射光之光路上、第二雷射光之光路上。更詳而言之，上段側受光元件45A沿第一雷射光之光路的橫剖面長邊方向排列，且下段側受光元件45B沿第二雷射光之光路的橫剖面長邊方向排列。
左右方向之相同位置的上段側受光元件45A、下段側受光元件45B形成一組。有時向後方側觀察由左側依序賦予1通道、2通道、3通道...32通道(ch)之通道(ch)號碼來表示該受光元件組。此外，有時1ch之受光元件45A、45B記載為第1受光元件45A、45B、2ch之受光元件45A、45B記載為第2受光元件45A、45B、3ch之受光元件45A、45B記載為第3受光元件45A、45B...32ch之受光元件45A、45B記載為第32受光元件45A、45B。
異物檢測單元4具有對應受光元件45A、45B之各通道分別設置的共計32個電路部46。參照圖11說明該電路部46，電路部46具有分別設於受光元件45A、45B之後段的轉換阻抗放大器(TIA)47A、47B及設於TIA47A、47B之後段的差動電路 48。受光元件45A、45B供給因應受光之光強度之電流至TIA47A、47B，且TIA 47A、47B輸出對應分別供給之電流的電壓信號至差動電路48。差動電路48將來自TIA47A之電壓信號與來自TIA47B之電壓信號的電壓信號差輸出至後述控制部6。
控制部6依據如此由電路部46之差動電路48輸出的信號進行異物之檢測。如此依據對應來自受光元件45A、45B之各輸出差的信號進行異物之檢測的原因是可去除在受光元件45A、45B共通地檢測之雜訊。有時該電路部46亦賦予與連接之受光元件45A、45B之通道號碼相同的通道號碼來表示。
藥液(抗蝕劑或稀釋劑)由上側向下側流過光析管15之流路17，隨著該藥液之流動，異物P如圖12所示地進入檢測區域50時，在對應該檢測區域50中之異物P位置的位置產生干涉條紋S。藉此，對應該干涉條紋S位置之通道的上段側受光元件45A及下段側受光元件45B受光的光強度變化，並輸出對應該變化之電流信號。因此，依據輸出該信號之次數，可計算異物P之個數。此外，如此因異物P而上段側受光元件45A及下段側受光元件45B受光之強度變化的大小對應於異物P之粒徑大小，因此由上段側受光元件45A及下段側受光元件45B輸出之電流信號的強度包含關於異物P之粒徑的資訊，因此亦可檢測異物之粒徑。因此，可對檢測之異物進行分級。即，可取得檢測之異物包含在關於粒徑預先設定之多數範圍中的哪一個範圍內的資訊及在各範圍中之異物數有幾個的資訊。
以下使用圖13之示意圖更詳細地說明受光元件45與檢測區域50之關係。在該圖13中自上方觀察顯示光析管15A及構成雷射光照射部51及受光部52的各部。此外，圖中之雙點虛線的箭號顯示由準直器42之上側輸出之第一雷射光的光路。 光析管15A之流路17內的第一雷射光的光路中向前方側觀察時將作為聚光區域之檢測區域50朝長度方向分割的多數個分割聚光區域由左端依序分別稱為第1區域至第32區域。在圖13中用虛線表示相鄰分割聚光區域之邊界，且用L21表示之1個分割聚光區域的左右寬度係例如1μm至10μm。
構成聚光部57之聚光透鏡係組配成第一區域及第一受光元件45A一對一地對應、第二區域及第二受光元件45A一對一地對應、第三區域及第三受光元件45A一對一地對應、且順序相同之號碼的區域及元件同樣地一對一地對應。即，以第一受光元件45A為例，第一受光元件45A接受在第一區域與異物反應產生之大致全部反應光(因反應受到擾動之光)，且第二受光元件45A接受在第二區域與異物反應產生之大致全部反應光。以如此進行受光之方式，對應號碼之元件接受透過各號碼區域之雷射光的例如85%以上。例如，透過各號碼區域之雷射光未只聚光於對應號碼之受光元件45A而是跨入其他號碼之受光元件45A時，流入受光元件45A之電流位準降低，且檢測精度降低。
雖然關於流路部內之第一雷射光的光路(上段側光路)說明了朝長度方向分割聚光區域之多數分割聚光區域的各個分割聚光區域與對應之受光元件45A間的光路，但關於第二雷射光的光路(下段側光路)亦有同樣的關係。即，在第一區域及第一受光元件45B一對一地對應之類的情形中，順序相同之號碼的區域及受光元件45B組配成一對一地對應。此外，雖然舉例顯示在光析管15A中形成檢測區域50之情形的光路，但在其他光析管15B至15K中形成檢測區域50之情形中亦同樣地形成光路。
藉由如此之結構，圖12中說明之對應干涉條紋S產生的信號基本上由任一個通道之受光元件45A、45B產生。此外，在相鄰之分割聚光區域的邊界產生干涉條紋時，由相鄰2個通道之受光元件輸出對應干涉條紋S產生的信號，雖然對1個異物計算異物數為2個，但由於受光元件間之間隙(不感光區域)相較於受光元件之尺寸非常小，相較於如此在邊界干涉條紋產生之比率，只在任一分割聚光區域干涉條紋產生之比率極大。因此，雖然如此將1個異物計算為2個，但無損於檢測之精度。
此外，考慮使用橫長之受光元件45A、45B只設置1個通道數來取代前述32通道之受光元件45A、45B。但是，在如此之結構中，每一個受光元件接受之雷射光的能量變大。而且，習知的是供給至受光元件之雷射光的輸出越大，起因於該雷射光之光子波動的散粒雜訊越大，且S/N越低。即，藉由如上所述地設置多數受光元件45A、45B之通道，可減少供給至一個受光元件之能量，藉此可防止起因於散粒雜訊之S/N降低，因此可提高異物之檢測精度。
以下說明形成多數受光元件45A、45B之通道的其他理由。在抗蝕劑塗布模組1A中測量異物之抗蝕劑及稀釋劑中，抗蝕劑包含聚合物。如上所述地，該聚合物具有非異物之粒徑比較小的正常聚合物及作為異物之粒徑比較大的異常聚合物。正常聚合物流過檢測區域50時，受光元件45A、45B接受之光稍微變化，由受光元件45A、45B輸出之信號包含雜訊。而且，流過藉由受光元件45A、45B進行檢測之區域的正常聚合物數越多，該雜訊之位準越大，且S/N越低，因此異物之檢測精度降低。
因此，如上所述地只設置1個受光元件45A、45B之通道來檢測流過檢測區域50之異物時，由受光元件45A、45B輸出之信號包含的雜訊位準高，難以檢測異物。相對於此，在如圖13中說明地設置多數受光元件45A、45B之通道，並在各通道中對檢測區域50中之互異分割聚光區域進行檢測的結構中，藉由如此地分割檢測區域50，可減少流過1個分割聚光區域之正常聚合物數，藉此可降低由各受光元件45輸出之信號包含的雜訊位準。即，藉由形成多數受光元件45之通道，可防止起因於正常聚合物之S/N降低，因此可提高異物之檢測精度。為了如此提高異物之檢測精度，檢測區域50宜分割成多數分割聚光區域且藉由更多通道之受光元件45進行檢測。但是，只要分割聚光區域之數目及受光元件45之通道數為2以上，就包含在本發明之權利範圍內。
接著，說明設於塗布、顯影裝置1之作為異物檢測部的控制部6。控制部6係由例如電腦形成，且具有未圖示之程式儲存部。該程式儲存部儲存有編成命令(步驟群)之程式，以便進行在各模組中處理晶圓W、及如上所述地依據由受光元件之各通道輸出的信號檢測異物、藉由後述搬送機構搬送在塗布、顯影裝置1內之晶圓W等的各動作。藉由該程式，由控制部6輸出控制信號至塗布、顯影裝置1之各部，藉此進行上述各動作。該程式係在儲存於例如硬碟、光碟、光磁碟或記憶卡等之記憶媒體中的狀態下儲存在程式儲存部中。
接著說明圖1所示之抗蝕劑塗布模組1A以外之模組。抗蝕劑塗布模組1B具有與模組1A同樣之結構。除了例如供給防止反射膜形成用之藥液、保護膜形成用之藥液來取代抗蝕劑及稀釋劑以外，防止反射膜形成模組1C、1D及保護膜形成模組1E、1F具有與模組1A、1B同樣之結構。防止反射膜形成用之藥液與抗蝕劑 同樣地含有聚合物。例如，在模組1C至1F中，亦與模組1A、1B同樣地供給由多數藥液選擇之一個藥液至晶圓W。
接著，一面參照圖14之時間圖，一面說明在上述抗蝕劑塗布模組1A中進行之晶圓W的處理及異物的檢測。該時間圖中分別顯示13A至13K中之一供給源13的泵壓力達於穩定的時間、11A至11K中對應一供給源13之一噴嘴11藉由臂部37移動的時間、12A至12K中對應一供給源13之一供給管12的閥V1開關的時間、切換由雷射光照射部51照射雷射光之狀態及停止照射該雷射光之狀態的時間、藉由控制部6由光檢測部58之各通道取得信號的時間。上述切換照射雷射光之狀態及停止照射之狀態的時間亦可說是異物檢測單元4之光閘41開關的時間。
首先，藉由設於塗布、顯影裝置1之後述搬送機構F3，搬送晶圓W至旋轉夾頭31上，並保持在該旋轉夾頭31上。藉由臂部37搬送供給稀釋劑之噴嘴11K至晶圓W上，並且供給源13K之泵進行稀釋劑之吸引，藉此開始達於穩定成為預定之壓力(時刻t1)。例如使該噴嘴之移動及泵之動作同時進行，並移動到雷射光照射部51及受光部52夾住光析管15K之位置。此時，異物檢測單元4之光閘41關閉。
噴嘴11K在晶圓W上靜止(時刻t2)，接著開啟供給管12K之閥V1，且由泵以預定流量向噴嘴11K壓送稀釋劑並且開啟光閘41，接著由雷射光照射部51照射雷射光，並透過光析管15K供給至受光部52。即，在光析管15K之流路17K形成在圖8、圖9中說明之光路的檢測區域50(時刻t3)。接著，壓送之稀釋劑通過光析管15K，並由噴嘴11K吐出至晶圓W之中心部。閥V1之開度增加，並在到達預定開度時停止增加開度(時刻t4)。然後，開始藉由控制部6取得由圖11中說明之各通道的電路部46輸出的信號(時刻t5)。
異物與稀釋劑一起流過流路17K，並由上方流過檢測區域50至下方而產生干涉條紋時，由對應異物流過處之通道的受光元件45A或45B，輸出對應該干涉條紋之信號，且由電路部46輸出之信號的位準變化。然後，停止藉由控制部6取得由各通道之受光元件45輸出的信號(時刻t6)，接著關閉光閘41而停止由雷射光照射部51照射光並且關閉供給管12K之閥V1(時刻t7)，停止吐出稀釋劑至晶圓W。接著，使晶圓W旋轉，使稀釋劑藉由離心力伸展至晶圓W之周緣部。
在上述時刻t5至t6之間，相對預先設定之臨界值比較由各通道之電路部46取得之輸出信號位準，並在輸出信號位準比該臨界值大時產生干涉條紋，接著計算各受光元件之通道的異物數。因此，該臨界值係對應因稀釋劑中之異物產生干涉條紋時之電氣信號的信號位準的臨界值。此外，依據如此超過臨界值時之輸出信號，測量異物之粒徑，並進行分級。即，在關於粒徑設定之多數範圍的各範圍中，計算異物數。
合計各通道中檢測之異物數，算出在檢測區域50全體檢測之異物數(作為異物之總數)。然後，判定異物之總數是否在臨界值以上及判定比預定粒徑大之異物數是否在臨界值以上。接著，判定上述異物之總數在臨界值以上時或判定比預定粒徑大之異物數在臨界值以上時，輸出警報並且停止模組1A之動作，並中止晶圓W之處理。具體而言，該警報係例如對構成控制部6之監視器的預定顯示、或由構成控制部6之揚聲器輸出的預定聲音。此外，該警報之輸出包含例如用以將15A至15K中檢出異常之光析管15通知使用者的顯示或聲音的輸出。判定異物之總數未在臨界值以上，且判定比預定粒徑大之異物數未在臨界值以上時，不 輸出警報，亦不停止模組1A之動作。此外，上述各運算及各判定係藉由構成計數部之控制部6來進行。
接著，吐出抗蝕劑至晶圓W及檢測該抗蝕劑中之異物係與吐出上述稀釋劑及檢測稀釋劑中之異物同樣地沿圖14之時間圖進行。例如，以供給源13A之抗蝕劑吐出至晶圓W來說明，噴嘴11A移動至塗布了稀釋劑之晶圓W上，並且供給源13A之泵壓力達於穩定(時刻t1)。另一方面，雷射光照射部51及受光部52移動到夾住光析管15A之位置。噴嘴11A靜止(時刻t2)，然後，開啟供給管12A之閥V1，且由泵向噴嘴11A壓送抗蝕劑並且開啟光閘41，接著透過光析管15A在雷射光照射部51與受光部52之間形成光路的檢測區域50(時刻t3)。
使抗蝕劑通過光析管15A並吐出至晶圓W之中心部，接著使閥V1之開度到達預定之開度時(時刻t4)，開始取得由受光元件45輸出之信號(時刻t5)。停止取得輸出信號後(時刻t6)，關閉光閘41並且關閉閥V1，停止抗蝕劑吐出至晶圓W(時刻t7)。晶圓W旋轉，使抗蝕劑藉由離心力伸展至晶圓W之周緣部，並形成抗蝕膜。除了如此形成抗蝕膜以外，與供給稀釋劑至晶圓W之情形同樣地，依據時刻t5至t6之間取得之輸出信號算出異物之總數及異物之粒徑且依據該異物總數及異物粒徑決定輸出警報並停止模組1A之動作，或不輸出警報並繼續模組1A之動作。
吐出供給源13A以外包含之抗蝕劑至晶圓W時，除了使與供給源13A不同之供給源的泵動作、開關與供給管12A不同之供給管12A的閥V1、照射光至與光析管15A不同之光析管以外，亦進行與在抗蝕劑塗布模組1A中塗布供給源13A之抗蝕劑的情形同樣的動作。
在上述圖14之圖中說明的異物檢測中，為藉由在光析管15K之液流穩定的狀態下進行異物檢測來提高測量精度，如上所述地開關閥V1的時間與控制部6開始及結束取得輸出信號的時間互不相同。例如上述時刻t4至t5間係10毫秒至1000毫秒，而時刻t6至t7間係10至100毫秒。雖然代表地說明模組1A之動作，但其他模組1B至1F亦與模組1A同樣地進行藥液對晶圓W之供給及異物之檢測。
依據設於該塗布、顯影裝置1之模組1A至1F，設有：雷射光照射部51，其具有以朝與光析管15中之藥液流動方向交叉的方向變長的方式，使由光供給部2藉由光纖23供給之雷射光扁平化的光學系53；及多數受光元件45之通道，其朝光路橫剖面之長邊方向排列在光析管15之後方側。此外，依據因應對應在各個受光元件45通道受光之光強度的電氣信號之信號位準的信號位準及預定臨界值，可檢測異物。因此，朝藥液之流動方向觀察光析管15之流路17，可使形成在該流路17內之作為聚光區域的檢測區域50面積比較大，且可抑制在由受光元件45輸出之信號中包含散粒雜訊或起因於藥液中之聚合物的雜訊。結果，可高精度地檢測粒徑小之異物。
此外，藉由如此地進行異物之檢測，可監視供給至晶圓W之藥液的純度。而且在藥液之純度比預定基準低時，如上所述地停止模組之動作，藉此在該模組中止後續晶圓W之處理。因此，可防止純度低之藥液供給至該後續晶圓W，故可防止產率降低。此外，由於可特定藥液供給管12A至12K中檢出異物之供給管12，塗布、顯影裝置1之使用者可快速地進行模組動作停止後之維護或修理。因此，可防止模組動作停止之時間變長，結果，可防止塗布、顯影裝置1中之半導體製品的生產性降低。
接著，一面參照圖15、圖16一面說明塗布、顯影裝置1之具體結構例。圖15、16分別係該塗布、顯影裝置1之平面圖、概略縱截側面圖。該塗布、顯影裝置1係直線狀地連接運送塊D1、處理塊D2及介面塊D3而構成。曝光裝置D4連接於介面塊D3。運送塊D1對塗布、顯影裝置1搬入搬出載具C，且具有載具C之載置台71、開關部72及用以透過開關部72由載具C搬送晶圓W之搬送機構73。
處理塊D2係由下方依序積層對晶圓W進行液處理之第一至第六單位塊E1至E6而構成。各單位塊E1至E6互相區隔並且分別具有搬送機構F1至F6，並在各單位塊E中互相並行地進行晶圓W之搬送及處理。
在此一面參照圖15，一面說明單位塊中代表之第三單位塊E3。由運送塊D1向介面塊D3延伸形成搬送區域74，且該搬送區域74設有上述搬送機構F3。此外，由運送塊D1向介面塊D3觀察，支架單元U配置在搬送區域74之左側。支架單元U具有加熱模組。此外，由運送塊D1向介面塊D3觀察，在搬送區域74之右側沿搬送區域74設有上述抗蝕劑塗布模組1A、保護膜形成模組1E。
第四單位塊E4具有與第三單位塊E3同樣之結構，且設有抗蝕劑塗布模組1B及保護膜形成模組1F。除了分別設置防止反射膜形成模組1C、1D來取代抗蝕劑塗布模組1A、1B及保護膜形成模組1E、1F以外，單位塊E1、E2具有與單位塊E3、E4同樣之結構。單位塊E5、E6具有供給顯影液至晶圓W使抗蝕膜顯影之顯影模組。除了供給顯影液至晶圓W作為藥液以外，顯影模組具有與模組1A至1F同樣之結構。
處理塊D2中之運送塊D1側設有跨越各單位塊E1至E6上下延伸之塔部T1及用以對塔部T1進行晶圓W傳送之自由升降的搬送機構75。塔部T1由互相積層之多數模組構成，且設置在各單位塊E1至E6之各高度的模組可在該各單位塊E1至E6之各搬送機構F1至F6間傳送晶圓W。該等模組包含設置在各單位塊之高度的傳送模組TRS、進行晶圓W之溫度調整的調溫模組CPL、暫時保管多數片晶圓W之緩衝模組、及使晶圓W之表面疏水化的疏水化處理模組等。為簡化說明，省略關於前述疏水化處理模組、調溫模組、前述緩衝模組之圖示。
介面塊D3具有跨越各單位塊E1至E6上下延伸之塔部T2、T3、T4，且設有：搬送機構76，係用以對塔部T2及塔部T3進行晶圓W之傳送的自由升降傳送機構；搬送機構77，係用以對塔部T2及塔部T4進行晶圓W之傳送的自由升降傳送機構；及搬送機構78，其用以在塔部T2與曝光裝置D4之間進行晶圓W的傳送。
雖然塔部T2係互相積層儲存曝光處理前之多數片晶圓W並使其滯留的緩衝模組、儲存曝光處理後之多數片晶圓W的緩衝模組及進行晶圓W之溫度調整的調溫模組而構成，但在此省略緩衝模組及調溫模組之圖示。
處理塊D2之上方設有上述光供給部2，且光纖23由光供給部2導向下方以便連接於單位塊E1至E4之模組1A至1F。此外，光供給部2之上方設有構成上述控制部6且依據由上述各通道之電路部46輸出的信號算出各通道之異物數、算出異物之總數及算出各異物之粒徑的運算部61，並且運算部61及模組1A至1F藉由未圖示之配線連接。
以下說明該塗布、顯影裝置1中之晶圓W的搬送路徑。晶圓W係藉由搬送機構73由載具C搬送至處理塊D2中之塔部T1的傳送模組TRS0。晶圓W由該傳送模組TRS0被分配並搬送至單位塊E1、E2。例如，傳送晶圓W至單位塊E1時，對塔部T1之傳送模組TRS中對應單位塊E1的傳送模組TRS1(可藉由搬送機構F1傳送晶圓W之傳送模組)，由前述TRS0傳送晶圓W。此外，傳送晶圓W至單位塊E2時，對塔部T1之傳送模組TRS中對應單位塊E2的傳送模組TRS2，由前述TRS0傳送晶圓W。該等晶圓W之傳送係藉由搬送機構75進行。
如此分配之晶圓W按TRS1(TRS2)→防止反射膜形成模組1C(1D)→加熱模組→TRS1(TRS2)的順序搬送，接著藉由搬送機構75分配至對應單位塊E3之傳送模組TRS3及對應單位塊E4之傳送模組TRS4。
如此分配至TRS3(TRS4)之晶圓W按TRS3(TRS4)→抗蝕劑塗布模組1A(1B)→加熱模組→保護膜形成模組1E(1F)→加熱模組→塔部T2之傳送模組TRS的順序搬送。然後，該晶圓W藉由搬送機構76、78，透過塔部T3搬入曝光裝置D4。曝光後之晶圓W藉由搬送機構78、77在塔部T2、T4之間搬送，接著分別搬送至對應單位塊E5、E6之塔部T2的傳送模組TRS15、TRS16。然後，按加熱模組→顯影模組→加熱模組→傳送模組TRS5(TRS6)之順序搬送後，透過搬送機構73返回載具C。
此外，本發明可使用於上述單位塊E5、E6之顯影模組，進行顯影液中之異物檢測。另外，本發明亦可使用於例如用以在晶圓W上形成絕緣膜之藥液供給模組(藥液供給裝置)、供給用以洗淨晶圓W之藥液的洗淨液的洗淨裝置、及供給用以互相黏合多數晶圓W之接著劑至晶圓W作為藥液之裝置等的各藥液供給裝 置。此外，上述洗淨裝置係供給例如純水、IPA(異丙醇)或稱為SC1之氨水及氟酸混合液至晶圓W。因此，可為該等純水、IPA、SC1分別在1個流路陣列16之多數光析管15中流通的結構。另外，不限於只在1個模組中使用之藥液1個流路陣列16之各光析管15中流通，亦可組配成例如在抗蝕劑塗布模組1A中使用之抗蝕劑及在保護膜形成模組1E中使用之保護膜形成用的藥液流過1個流路陣列16之各光析管15。
此外，應付如上所述地判定流過檢測區域50之異物總數在臨界值以上的情形，及/或判定比預定粒徑大之異物數在臨界值以上的情形，不限於輸出警報及停止模組之動作。例如，由如此判定之對應光析管15的藥液供給源13，供給藥液至噴嘴11作為供給管12之洗淨液，可由噴嘴11去除藥液供給管12包含之異物。即，可自動地洗淨供給管12。該動作後，亦可對後續晶圓W再進行處理。
此外，亦可在如此進行供給管12之洗淨時，於供給洗淨液至噴嘴期間，與供給藥液至晶圓W進行處理時同樣地進行異物之檢測，且控制部6進行異物之總數是否在臨界值以上的判定及比預定粒徑大之異物數是否在臨界值以上的判定。接著，藉由該等判定結果，控制部6亦可繼續進行藥液供給管12之洗淨或進行結束之決定。藉由如此之結構，可使異常之模組快速地回復可使用狀態。此外，亦可例如在停止使用裝置後再使用時或組裝後，進行如此之供給管12的洗淨。在此情形中，由於可減少具有比較大粒徑之異物並把握模組可使用之時點，可快速地開始模組之晶圓W處理。
此外，本發明不限於使用於藥液供給裝置。例如在流路陣列16中可設置與藥液流通之光析管15分開之氣體流通用的光析管15。而且，可藉由吸引泵等供 給塗布、顯影裝置1中之搬送區域74等之晶圓W搬送區域的環境氣體至該氣體流通用的光析管15。搬送晶圓W之區域亦包含抗蝕劑塗布模組1A等之處理晶圓W的區域。接著，與檢測藥液中之異物的情形同樣地，在氣體流過氣體流通用之光析管時，在該光析管中形成光路並進行異物之檢測。因此，本發明可檢測供給至晶圓W之流體包含的異物。
除了如上所述地形成晶圓之搬送環境氣體的氣體以外，亦可檢測進行晶圓W處理之氣體中的異物。例如，在上述顯影模組中，供給顯影液至晶圓W並供給表面洗淨用之純水後，由噴嘴供給用以使晶圓W表面乾燥之N2(氮)氣體。亦可與檢測上述抗蝕劑包含之異物同樣地檢測流過供給路至該噴嘴之N2(氮)氣體包含的異物。
此外，各光析管15不限於配置在直線上，亦可配置在曲線上。此外，亦可在各光析管15設置雷射光照射部51及受光部52。但是，藉由雷射光照射部51及受光部52如上所述地朝光析管15之排列方向移動，並對多數光析管15共用雷射光照射部51及受光部52，可防止雷射光照射部51及受光部52之大型化，因此較為理想。此外，在上述例子中，雖然可在預定期間進行流過光析管之異物的計數，但不如此進行計數，只檢測有無異物之情形亦在本發明之權利範圍內。另外，上述各結構例可互相組合或置換。
(評價試驗)
接著，說明與本發明相關而進行之評價試驗。
<評價試驗1>
評價試驗1-1係供給包含異物之比率及該異物之粒徑已知的試驗液至上述異物檢測單元4之一個光析管15，接著調查對流過光析管15之全部粒子檢測的粒子比率(計數效率)。但是，在該異物檢測單元4中之雷射光照射部51的光學系53係組配成使光析管15內之聚光區域的光路橫剖面為1.2μm之大致真圓光點。上述試驗液係使用包含之異物粒徑分別為60nm、46nm、29nm的3種試驗液，並在各試驗液中測量上述計數效率。
此外，評價試驗1-2係，除了以光析管15內之聚光區域的光路橫剖面的光點如發明實施形態所示地形成橢圓形的方式構成光學系53以外，在與評價試驗1-1同樣之條件下調查計數效率。該橢圓形光點之長徑為40μm，且短徑為1.2μm。雷射光照射部51之光學系53係組配成使該光點中每單位面積之能量密度在各處均相同。
在評價試驗1-1中，使用異物粒徑為60nm、46nm、29nm之試驗液時，計數效率分別為0.02%、0.004%、0.0003%。在評價試驗1-2中，使用異物粒徑為60nm、46nm、29nm之試驗液時，計數效率分別為1%、0.2%、0.002%。由該結果可知，藉由以如發明之實施形態中說明地形成橫長之檢測區域50的方式構成光學系53，可提高異物之計數效率，因此可提高異物之測量精度。
<評價試驗2>
評價試驗2係在異物檢測單元4中，供給包含之聚合物濃度互不相同的藥液至光析管15，接著測量由各通道之電路部46輸出的信號強度。在該異物檢測單元4中，雷射光照射部51之光學系53係組配成如發明之實施形態中說明地，使光析管15內之聚光區域中的光路橫剖面為沿左右方向具有長徑的橢圓形光點。 但是，在該光點內之各部中具有能量分布比較大的差，在越靠近光點之中心部能量越高方面與上述結構例不同。即，在圖13說明之檢測區域50中的各分割聚光區域間，能量之分布不同。藥液使用含有預定濃度之聚合物的抗蝕劑，及分別含有5%、1.25%、0.5%、0%之聚合物，即聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)的第一藥液、第二藥液、第三藥液、第四藥液。上述信號強度之測量係在各藥液中進行。
圖17之曲線顯示該評價試驗2之結果。曲線之橫軸顯示電路部46之通道號碼，且曲線之縱軸顯示由各電路部46輸出之信號強度。由該曲線可知，使用包含聚合物之抗蝕劑及第一至第三藥液時，有分割聚光區域中之能量越低，由對應該分割聚光區域之通道的電路部46輸出的信號強度越低的傾向。此外，由使用第一至第四藥液時的結果可知，藥液包含之聚合物比率越大，通道間之信號強度差越大。
檢測對象之異物的粒徑越小，因該異物而由電路部46輸出之檢測信號強度越小。因此，在該評價試驗2中輸出信號強度比較低之通道中使用異物粒徑較小之藥液時，恐有無法進行異物檢測之虞。因此，如發明之實施形態中說明地，以減少光點中之各部的能量分布的差的方式構成雷射光照射部51之光學系53，並進一步以橫長橢圓形之中心部作為檢測區域50，如圖9中說明地使能量分布在檢測區域50內之左右方向為大致均一，即以能量在各分割聚光區域間大致均一之方式構成光學系53是有效的。
此外，進一步考察該圖17之曲線。如上所述地，該曲線顯示受光元件45之各通道中，由包含聚合物之各種藥液檢出的該聚合物檢測信號強度。該各藥液 流過光析管15時，雖然通過各分割聚光區域之聚合物尺寸在各分割聚光區域間應該大致相同，但如圖17之曲線所示地，檢測之信號強度在各通道中不同。
光析管15內之聚光區域中的光路橫剖面係如上所述地以分割聚光區域之排列方向為長徑的橢圓。由圖17之曲線可知，相較於對應能量密度低之橢圓周緣部的通道，對應在該橢圓中能量密度高之中心部的通道輸出較大強度的信號。因此，由輸出信號來看，對應該橢圓中心部之通道的最小可測粒徑應比對應橢圓周緣部之通道的最小可測粒徑小。
為了在各通道中均一地進行精度高之檢測，並提高測量之精度，必須避免如此在通道間之偏差情形。
因此，必須使上述橢圓之長徑方向的能量密度均一化。即，必須使分割聚光區域中都可具有比較高且適當之能量密度。包含上述鮑爾透鏡之聚光部55係組配成可進行如此之聚光。
此外，由該圖17之曲線可知，藥液中包含之聚合物濃度越高，檢測信號強度越大。這表示藥液中包含之聚合物濃度越高，起因於正常聚合物之背景雜訊(雜訊底(noise floor))越大。即，流過對應受光元件45之通道的分割聚光區域的正常聚合物數越多，雜訊底越高。因此，可增加受光元件45之通道數，並如使用圖13說明地減少流過對應1個受光元件45之通道的分割聚光區域的正常聚合物數。藉此，可降低雜訊底，使S/N提高。
<評價試驗3>
評價試驗3係供給包含中心粒徑為29nm且具有預定偏差之多數異物的試驗液至發明實施形態中說明之異物檢測單元4的光析管15中，對該異物進行檢測。圖18之曲線顯示在該檢測時由1個通道之電路部46輸出的信號波形，且曲線之橫軸為時間(單位：μ秒)，而曲線之橫軸為信號電壓(單位：V)。曲線中在13μ秒至14μ秒出現之具有比較大尖峰的波形係起因於由異物產生之干涉條紋的波形。圖19之圖係對由各通道之電路部46獲得之波形，畫出比雜訊底大之峰值的小點。圖19之圖的橫軸、縱軸與圖18之曲線同樣地分別表示時間、信號電壓。如圖所示地附加之小點有多數個。此外，圖中之虛線表示上述雜訊底。
由該評價試驗3之結果，確認藉由異物檢測單元4，可檢測粒徑極小至29nm之異物。此外，確認使用包含粒徑46nm之異物的試驗液、包含粒徑60nm之異物的試驗液進行與評價試驗3同樣的試驗，亦可檢測異物。

Claims (10)

  1. 一種異物檢測裝置，其檢測供給至被處理體之流體中的異物，且特徵為具有：流路部，其構成供給至該被處理體之流體所流動的流路；雷射光照射部，用以照射雷射光至該流路部內，且具有「將來自雷射光源之雷射光扁平化以令該雷射光在與該流路部中之流體流動方向交叉的方向上加長」的光學系，並設置成使光路與該流路部中之流體流動方向交叉；光檢測部，包含多數受光元件，該多數受光元件設置在透過該流路部之光路上且沿著光路橫剖面之長邊方向排列；及異物檢測部，其將因應於「和在該多數受光元件中之各個受光元件所受光之光強度相對應的電氣信號之信號位準」的信號位準與「和因該流體中之異物而產生干涉條紋時的電氣信號之信號位準相對應」的臨界值加以比較，並依據比較結果檢測該異物。
  2. 如申請專利範圍第1項之異物檢測裝置，其中，與該流路部內之聚光區域中之流體流動方向交叉的方向之長度尺寸係為10μm至200μm。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之異物檢測裝置，其中，更具有聚光透鏡，該聚光透鏡係在透過該流路部之光路上設於該多數受光元件的前段側，且組配成使該多數受光元件中之各個受光元件與將該流路部內之聚光區域沿長度方向分割成多數個的分割聚光區域相對應。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之異物檢測裝置，其中，各個該分割聚光區域之與流體流動方向交叉的方向之長度尺寸係1μm至10μm。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之異物檢測裝置，其中，更具有：多數第一受光元件，其在沿該流體流動方向觀察該雷射光照射部所照射之雷射光時的其中一側的第一雷射光受光區域中，沿光路之橫剖面中的長邊方向排列；及多數第二受光元件，其在沿該流體流動方向觀察該雷射光照射部所照射之雷射光時的另一側的第二雷射光受光區域中，沿光路之橫剖面中的長邊方向排列，因應於「和在該多數受光元件中之各個受光元件所受光之光強度相對應的電氣信號之信號位準」的信號位準，係「和在該多數第一受光元件中之各個第一受光元件所受光之光強度」相對應的電氣信號之信號位準、與「和在該多數第二受光元件中之各個第二受光元件所受光之光強度」相對應的的電氣信號之信號位準的差。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之異物檢測裝置，其中，該異物檢測部具有計算檢測得知異物數的計數部。
  7. 一種異物檢測方法，其檢測流過流路部且供給至被處理體之流體中的異物，且特徵為具有以下步驟：藉由光學系，將來自雷射光源之雷射光扁平化以令該雷射光在與該流路部中之流體流動方向交叉的方向上加長，並以光路與該流路部中之流體流動方向交叉的方式照射雷射光至該流路部內；由沿著光路橫剖面之長邊方向排列的多數受光元件中之各個受光元件，接受透過該流路部之雷射光；及將因應於「和在該多數受光元件中之各個受光元件所受光之光強度相對應的電氣信號之信號位準」的信號位準與「和因該流體中之異物而產生干涉條紋時的電氣信號之信號位準相對應」的臨界值加以比較，並依據比較結果檢測該異物。
  8. 如申請專利範圍第7項之異物檢測方法，其中，使用聚光透鏡，該聚光透鏡係在透過該流路部之光路上設於該多數受光元件的前段側，且組配成使該多數受光元件中之各個受光元件與將該流路部內之聚光區域沿長度方向分割成多數個的分割聚光區域對應。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之異物檢測方法，其中，沿該流體流動方向觀察由該雷射光照射部所照射之雷射光時的其中一側為第一雷射光，而另一側為第二雷射光時，該多數受光元件具有：多數第一受光元件，其在該第一雷射光之受光區域中，沿光路之橫剖面中的長邊方向排列；及多數第二受光元件，其在該第二雷射光之受光區域中，沿光路之橫剖面中的長邊方向排列，因應於「和在該多數受光元件中之各個受光元件所受光之光強度相對應的電氣信號之信號位準」的信號位準，係「和在該多數第一受光元件中之各個第一受光元件所受光之光強度」相對應的電氣信號之信號位準、與「和在該多數第二受光元件中之各個第二受光元件所受光之光強度」相對應的的電氣信號之信號位準的差。
  10. 如申請專利範圍第7或8項之異物檢測方法，其中，該流體係用以在被處理體上形成塗布膜之藥液，且包含聚合物。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6617775B2 (ja) * 2016-01-21 2019-12-11 東京エレクトロン株式会社 異物検出装置及び異物検出方法
WO2019202962A1 (ja) 2018-04-18 2019-10-24 東京エレクトロン株式会社 薬液の異常検出装置、液処理装置、基板処理装置、薬液の異常検出方法、液処理方法及び基板処理方法
CN108746010A (zh) * 2018-05-24 2018-11-06 友达光电（昆山）有限公司 一种清洗系统
JP7260308B2 (ja) * 2019-01-24 2023-04-18 リオン株式会社 流体中浮遊物質測定用フローセル及び粒子計数装置
JP7221451B2 (ja) * 2020-06-17 2023-02-13 東京エレクトロン株式会社 異物検査基板、基板処理装置、及び基板処理方法
JP7491126B2 (ja) 2020-07-29 2024-05-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法。

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05215664A (ja) * 1992-02-06 1993-08-24 Shinmikuni Kikai:Kk サブミクロン粒子の検出方法および装置
JPH05346390A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Toa Medical Electronics Co Ltd 粒子分析装置
TW201200866A (en) * 2010-03-12 2012-01-01 Tokyo Electron Ltd The sensing method of the alien substance of the back side and the sensing apparatus of the alien substance of the back side and coating apparatus

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ZA714990B (en) * 1970-07-30 1973-03-28 Celanese Corp Smoking compositions
JPS5215664A (en) * 1975-07-25 1977-02-05 Atsushi Kitamura Device for inserting weft
JPS5260692A (en) * 1975-11-14 1977-05-19 Hitachi Ltd Automatic multi-item analyzer
JPS5378125A (en) 1976-12-22 1978-07-11 Fujitsu Ltd Pick up unit for pattern precognized information
US4577964A (en) * 1978-09-06 1986-03-25 Ortho Diagnostics, Inc. Apparatus and method for detecting platelets in whole blood
FI63296C (fi) * 1980-07-11 1983-05-10 Eflab Oy Fotometer
JPS61126448A (ja) * 1984-11-26 1986-06-13 Teijin Ltd ポリマ−中の異物検出方法
US5317380A (en) * 1991-02-19 1994-05-31 Inspex, Inc. Particle detection method and apparatus
JPH06186156A (ja) * 1992-10-21 1994-07-08 Toa Medical Electronics Co Ltd 粒子分析装置
US5534999A (en) 1993-03-05 1996-07-09 Shinmikuni Kikai Ltd. Monitoring sub-micron particles
JP3301658B2 (ja) * 1993-08-04 2002-07-15 ミクニキカイ株式会社 流体中の微粒子の粒径計測方法および装置
JP3066519B2 (ja) 1993-11-12 2000-07-17 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
JPH0815146A (ja) * 1994-06-27 1996-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 流体濃度制御装置
WO1996000381A1 (fr) * 1994-06-27 1996-01-04 The Furukawa Electric Co., Ltd. Appareil de detection de corps etrangers dans une matiere coulante
JPH09196842A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Mikuni Kikai Kk Ｆｉ値の計測方法と計測装置
JP3280878B2 (ja) * 1997-01-16 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 塗布装置およびそれに用いるパーティクル測定装置
JPH10125575A (ja) * 1996-10-18 1998-05-15 Sony Corp 薬液処理装置およびその薬液供給方法
JPH10177940A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Sony Corp 薬液供給装置
ATE298084T1 (de) * 1997-01-31 2005-07-15 Horticulture & Food Res Inst Optische vorrichtung und methode
JPH10335222A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Matsushita Electron Corp 半導体製造方法および半導体製造装置
JPH11147068A (ja) * 1997-06-03 1999-06-02 Sony Corp 処理装置及び処理方法
KR19990041379U (ko) * 1998-05-18 1999-12-15 김영환 포토레지스트 공급장치
JP3745947B2 (ja) * 2000-08-23 2006-02-15 ミクニキカイ株式会社 流体中の微粒子粒径測定方法および装置
JP2003130784A (ja) * 2001-10-24 2003-05-08 Mikuni Kikai Kk 流体中の微粒子検出装置
US6794671B2 (en) * 2002-07-17 2004-09-21 Particle Sizing Systems, Inc. Sensors and methods for high-sensitivity optical particle counting and sizing
US6859277B2 (en) * 2002-08-27 2005-02-22 Particle Measuring Systems, Inc. Particle counter with strip laser diode
JP2004327638A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜塗布装置
US7692773B2 (en) * 2003-08-05 2010-04-06 Luminex Corporation Light emitting diode based measurement systems
JP3917601B2 (ja) * 2004-04-14 2007-05-23 株式会社東芝 薬液の認定方法および半導体装置の製造方法
JP5502275B2 (ja) 2004-05-02 2014-05-28 フルイディグム コーポレイション 熱反応デバイスおよびその熱反応デバイスの使用方法
KR100868624B1 (ko) * 2004-12-23 2008-11-13 동부일렉트로닉스 주식회사 파티클 검출 장치
US7355696B2 (en) * 2005-02-01 2008-04-08 Arryx, Inc Method and apparatus for sorting cells
US20070296937A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 International Business Machines Corporation Illumination light in immersion lithography stepper for particle or bubble detection
CN100552422C (zh) * 2006-12-30 2009-10-21 清华大学 一种对单一颗粒物进行多功能检测的微流控芯片装置
CN101029863B (zh) * 2007-03-29 2010-05-19 上海大学 水中微小颗粒在线测量方法及装置
JP2008281392A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Olympus Corp 測光装置及び自動分析装置
CN101796389A (zh) * 2007-06-28 2010-08-04 派瑞设备公司 用于远程监测流体中的污染物的系统和方法
JP4525725B2 (ja) * 2007-10-18 2010-08-18 ソニー株式会社 光学測定部、光学測定用部材、及びこれらを配設した微小粒子測定装置、並びに微小粒子の光学測定方法
JP5285916B2 (ja) * 2008-01-09 2013-09-11 東レ株式会社 塗布ノズル検査装置および検査方法ならびに塗液の塗布方法
JP5298684B2 (ja) * 2008-07-25 2013-09-25 住友電気工業株式会社 異物の検出装置及び検出方法
JP5152803B2 (ja) * 2008-09-24 2013-02-27 倉敷紡績株式会社 液体濃度計
JP4748740B2 (ja) * 2008-09-24 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 光学式異物検出装置およびこれを搭載した処理液塗布装置
JP5382852B2 (ja) * 2009-02-06 2014-01-08 株式会社オンチップ・バイオテクノロジーズ 使い捨てチップ型フローセルとそれを用いたフローサイトメーター
US20100220315A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Beckman Coulter, Inc. Stabilized Optical System for Flow Cytometry
US9134221B2 (en) * 2009-03-10 2015-09-15 The Regents Of The University Of California Fluidic flow cytometry devices and particle sensing based on signal-encoding
JP5304474B2 (ja) * 2009-06-22 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5457384B2 (ja) * 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP6323867B2 (ja) * 2014-03-31 2018-05-16 国立研究開発法人産業技術総合研究所 散乱体分光分析装置
GB2530034B (en) * 2014-09-09 2017-08-09 Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wss E V Particle detection apparatus
JP5719473B1 (ja) 2014-09-25 2015-05-20 リオン株式会社 薬液用パーティクルカウンタ
JP6319193B2 (ja) * 2015-06-03 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6617775B2 (ja) * 2016-01-21 2019-12-11 東京エレクトロン株式会社 異物検出装置及び異物検出方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05215664A (ja) * 1992-02-06 1993-08-24 Shinmikuni Kikai:Kk サブミクロン粒子の検出方法および装置
JPH05346390A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Toa Medical Electronics Co Ltd 粒子分析装置
TW201200866A (en) * 2010-03-12 2012-01-01 Tokyo Electron Ltd The sensing method of the alien substance of the back side and the sensing apparatus of the alien substance of the back side and coating apparatus

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