JP3066519B2 - 処理システム及び処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス等の製
造工程において枚葉式の処理とバッチ式の処理を一貫し
て行う処理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体デバイスの多層配線構
造において層間絶縁膜を形成する際の平坦化技術として
ＳＯＧ（Spin On Glass ）塗布法が用いられている。こ
の平坦化技術は、一般には図３３に示すように、半導体
基板の配線パターン面上にプラズマＣＶＤまたはＴＥＯ
Ｓによって堆積されたＳｉＯ2 膜を下地として、この下
地の上にＳＯＧを所望の膜厚に塗布し、塗布したＳＯＧ
膜をアニール（焼きしめ）してキュアし、次にエッチバ
ックにより配線付近の凸面を削って平坦面の層間絶縁膜
とするものである。

【０００３】上記のように、ＳＯＧ法では、半導体基板
上にＳＯＧを塗布する塗布処理と、塗布されたＳＯＧ膜
をアニールしてキュアする熱処理の２工程を続けて行
う。ＳＯＧ塗布処理には、塗布膜の均一性の点で有利な
スピンコート法による枚葉式の塗布処理装置が一般に用
いられている。熱処理には、枚葉式のランプ加熱炉が用
いられることもあるが、一般的にはバッチ式の大型炉が
用いられており、最近は半導体ウエハの大口径化に対応
して横型炉よりも縦型炉が主流になっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体製造
工程において、被処理基板たとえば半導体ウエハは、カ
セットまたはキャリア等と称される容器に複数枚たとえ
ば２５枚ずつ収容された状態で異なる半導体製造装置間
を移送されることが多い。

【０００５】上記のようなＳＯＧ膜を形成する工程にお
いても、従来は、枚葉式の塗布処理装置とバッチ式の熱
処理装置との間で半導体ウエハはウエハカセットに入れ
られて運搬されていた。塗布処理装置では、搬入された
ウエハカセットから半導体ウエハが１枚ずつ抜き出され
て枚葉式の塗布処理を施された後にウエハカセットへ戻
され、処理済みの半導体ウエハが全部ウエハカセットに
揃ってからウエハカセットが搬出されていた。そして、
塗布処理装置より搬出されたウエハカセットは自動搬送
ロボットまたは作業員によって熱処理装置まで運搬され
ていた。熱処理装置では、搬入されたウエハカセットか
らウエハ移し替え機構により半導体ウエハが１枚ずつ取
り出されてバッチ式熱処理用のウエハボートに移し替え
られ、熱処理後にウエハボートから該ウエハ移し替え機
構により半導体ウエハが１枚ずつ取り出されてウエハカ
セットに移し替えられ、処理済みの半導体ウエハを収容
したウエハカセットが搬出されていた。

【０００６】しかし、上記のように、枚葉式の処理装置
とバッチ式の処理装置との間で被処理基板をカセットに
入れて移送するシステムでは、両処理装置間での被処理
基板のやりとりに時間がかかり、システム全体のスルー
プット向上が難しいだけでなく、品質管理の面でも問題
があった。たとえば、上記のような従来の層間絶縁膜形
成システムでは、ＳＯＧの吸湿性が高いため、塗布処理
後の半導体ウエハがウエハカセットに入れられて運搬さ
れる間に大気に晒されるとＳＯＧ膜が大気中の水分を吸
収してしまい、熱処理の際にクラックが生じやすいとい
う不具合があった。特に、無機ＳＯＧを用いた場合は、
焼きしめでＳＯＧ膜が収縮して膜厚が薄くなることか
ら、図３４に示すようにＳＯＧ膜を複数回重ね塗りする
方法が採られるが、各ＳＯＧ膜の塗布毎に熱処理を行う
場合に上記の問題が一層顕著に現れていた。

【０００７】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、枚葉式処理部とバッチ式処理部とをインライン
化して一貫した連続処理を可能とし、多数回の繰り返し
処理も効率よく行えるようにしてスループットの向上を
実現する処理システムおよび処理方法を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の処理システムは、被処理基板を複数枚収
容可能なカセットを水平のＹ方向に複数個並べて載置可
能に構成されたカセットステーションと、前記カセット
ステーションからＹ方向と直交する水平のＸ方向に延設
された直線状の搬送路と、この搬送路の両側に沿って設
けられ前記被処理基板に対して１枚ずつ所定の処理を施
す処理ユニットを複数台備えた枚葉式処理部と、前記搬
送路上をＸ方向に移動可能に設けられ、前記枚葉式処理
部の各々の処理ユニットに対して１枚ずつ前記被処理基
板を搬入出する第１の搬送機構と、前記搬送路の前記カ
セットステーション側と対向する側に設けられ、前記被
処理基板に対して複数枚同時に所定の処理を施すバッチ
式処理部とを具備し、前記バッチ式処理部が、前記搬送
路に近接して設けられ前記第１の搬送機構と前記被処理
基板を１枚ずつ受け渡し可能な被処理基板受渡し部と、
この被処理基板受渡し部からＸ方向に所定の間隔を置い
て設けられ、前記被処理基板を複数枚収容可能なボート
をＹ方向に複数個並べて載置可能に構成されたボート載
置部と、前記被処理基板受渡し部と前記ボート載置部と
の間でＹ方向に移動可能に設けられ、前記被処理基板受
渡し部と前記被処理基板を１枚ずつ受け渡し、前記ボー
ト載置部上に載置されている各々の前記ボートに対して
１枚ずつ前記被処理基板を搬入出する第３の搬送機構
と、前記ボート載置部に近接して設けられ、前記被処理
基板に対して前記ボートに収容した状態で複数枚同時に
熱処理を施す熱処理部と、前記ボート載置部と前記熱処
理部との間で前記ボートを移送するボート移送機構とを
有する。

【０００９】また、本発明の処理方法は、本発明の上記
処理システムにおける処理方法であって、前記枚葉式処
理部内の第１の処理ユニットにて前記被処理基板にＳＯ
Ｇを塗布する工程と、前記枚葉式処理部内の第２の処理
ユニットにて前記被処理基板を第１の温度で熱処理する
工程と、前記バッチ式処理部にて前記被処理基板を前記
第１の温度よりも高い第２の温度で熱処理する工程とを
有する。

【００１０】

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【作用】本発明の処理システムでは、Ｘ方向に延設され
た直線状の搬送路の両端にカセットステーションとバッ
チ式処理部とがそれぞれ配設されるとともに、該搬送路
の両側に沿って枚葉式処理部の複数の処理ユニットが配
設され、該搬送路上で搬送機構がＸ方向に移動してカセ
ットステーションおよびバッチ式処理部と被処理基板の
やりとりを行うだけでなく各処理ユニットにランダムア
クセス方式で被処理基板を搬入出する。

【００２２】これにより、システム内の各部で被処理基
板を自在にやりとりすることが可能であり、枚葉処理と
バッチ処理の一貫した連続処理ないし繰り返し処理を円
滑に 効率的に行うことができ、スループットを大幅に向
上させることができる。

【００２３】

【実施例】以下、添付図を参照して本発明の実施例を説
明する。

【００２４】図１および図２は、本発明の一実施例によ
る層間絶縁膜形成システムの全体構成を模式的に示す斜
視図および平面図である。

【００２５】この層間絶縁膜形成システムは、被処理基
板たとえば半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数
枚たとえば２５枚（半ロット）単位で外部から該システ
ムに搬入しまたはシステムから搬出するためのカセット
ステーション１０と、１枚ずつ半導体ウエハＷ上にＳＯ
Ｇを塗布する枚葉式の塗布処理部１２と、この塗布処理
部１２で塗布処理の済んだ半導体ウエハＷをウエハボー
トＢＴに多数枚たとえば５０枚（１ロット）装填した状
態で各半導体ウエハＷ上のＳＯＧ膜を一括して同時にア
ニールしてキュアするバッチ式熱処理部たとえば縦型熱
処理部１４と、該枚葉式の塗布処理部１２と該バッチ式
の熱処理部１４との間で半導体ウエハＷを受け渡しする
ためのインタフェース部１６とをインラインで一列に接
続した構成を有している。以下、本システムの各部の構
成を説明する。

【００２６】カセットステーション１０では、カセット
載置台２０上に複数個たとえば４個までのウエハカセッ
トＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理部側に向けてＹ
方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｙ方向）およ
びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配
列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送アーム２２が
各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようにな
っている。ウエハ搬送アーム２２は、半導体ウエハＷを
カセット内の所定の収容用溝位置に出し入れするための
Ｘ方向に移動可能なウエハ保持用ピンセット２２ａと、
塗布処理部１２側のウエハ搬送アーム２４との間で半導
体ウエハＷを受渡しするためにピンセット２２ａに形成
された孔（図示せず）を通ってＺ方向（上下方向）に昇
降移動可能に構成された複数本たとえば３本のウエハ支
持ピン２２ｂとを備えている。

【００２７】カセットステーション１０に外部から搬送
ロボット等により搬入されたウエハカセットＣＲにウエ
ハ搬送アーム２２がアクセスし、ピンセット２２がその
カセットＣＲから塗布処理前の１枚の半導体ウエハＷを
取り出すと、ウエハ搬送アーム２２は中央部に設置され
た所定のウエハ受渡し位置へ戻り、そこで各ウエハ支持
ピン２２ｂが上昇移動して半導体ウエハＷをピンセット
２２ａよりも高い位置まで持ち上げ、塗布処理部１２側
のウエハ搬送アーム２４が該半導体ウエハＷの周縁部を
把持して受け取るようになっている。

【００２８】なお、カセットステーション１０のウエハ
搬送アーム２２において、ピンセット２２ａがカセット
ＣＲから半導体ウエハＷを出して引き寄せる際に周縁部
分を当接させることによりピンセット上で半導体ウエハ
Ｗの中心合わせ（センタリング）が行われるように構成
されてよい。

【００２９】塗布処理部１２は、その中心部を縦断する
ように設けられたウエハ搬送アーム２４の搬送路２５の
両側に、１枚ずつ半導体ウエハＷにＳＯＧを塗布する枚
葉式のＳＯＧ塗布ユニット２６と、ＳＯＧの塗布に先立
って半導体ウエハＷを所定温度に温度調整する温調ユニ
ット２８と、ＳＯＧ塗布の前または後にたとえばＵＶ光
を照射して半導体ウエハＷの表面から有機物を分解除去
する表面浄化ユニット３０と、塗布処理部１２から搬出
されるべき半導体ウエハＷを所定の温度で加熱してＳＯ
Ｇを乾燥させるプレベークユニット３２とを設けてい
る。

【００３０】図３〜図９につき塗布処理部１２内の各部
の構成を詳細に説明する。

【００３１】図３および図４は、ＳＯＧ塗布ユニット２
６内の構成を模式的に示す側面図および平面図である。
このＳＯＧ塗布ユニット２６は、スピンコート法で半導
体ウエハＷの表面にＳＯＧを塗布する装置であって、有
底円筒状に形成されたカップ３４内で半導体ウエハＷを
スピンチャック３６に真空吸着保持した状態で回転駆動
モータ３８により所定の速度で回転させながら、上方の
ＳＯＧ供給ノズル４０より半導体ウエハＷの表面に塗布
液たとえばＳＯＧ溶液を供給たとえば滴下し、滴下した
ＳＯＧ溶液を遠心力で半径方向に拡散させウエハ表面全
体に均一に塗布するようにしている。

【００３２】図３に示すように、ＳＯＧ塗布ユニット２
６の天井面（少なくともカップ３４の上方の天井面）に
は防塵機能付フィルタたとえばＨＥＰＡフィルタ４４が
取付され、その裏側（上側）にエア導入室４６が設けら
れている。また、ＳＯＧ塗布ユニット２６の床面（少な
くともカップ３４の下方の床面）には通気用の開口４８
が複数個設けられ、各開口４８にファン５０が取付され
ている。エア供給管５２を介してエア導入室４６に導入
された空気は、ＨＥＰＡフィルタ４４より清浄空気のダ
ウンフローとして室内に供給され、床面のファン５０で
室外へ排気されるようになっている。このような清浄空
気のダウンフローによって、カップ３４内へ半導体ウエ
ハＷに有害なパーティクル等が進入しないようになって
いる。また、ＨＥＰＡフィルタ４４の下にはダウンフロ
ーの風速を検出するための風速検出器５４が設けられ、
この風速検出器５４の出力信号がエア供給部またはファ
ン５０の制御部にフィードバックされ、ＳＯＧの膜厚を
不均一にしないようダウンフローの風速が適正な値に制
御されている。

【００３３】図５に、カップ３４の具体的構成例を示
す。このカップ３４には、スピンチャック３６の周り
に、カップ外壁面３４ａの上端部に固着された環状の上
部案内板５６とベース部材５８に固定された環状の下部
案内板６０とで囲まれて形成された環状の排液・排気案
内路６２が設けられ、この排液・排気案内路６２の内周
側開口端はスピンチャック３６上に載置される半導体ウ
エハＷの外周端部に面し、外周側開口端はカップ底面の
排出口３４ａに面している。半導体ウエハＷの外周端か
ら外側へ飛散したＳＯＧ溶液は、排液・排気案内路６２
を通って排出口３４ａよりドレイン管４２側に排出され
るようになっている。

【００３４】なお、下部案内板６０の下方には、円筒形
状の仕切板６０ｄを配置し、その下端部はカップ３４の
底面に固着し、上端部は下部案内板６０の下面と僅かな
ギャップを設けるように構成する。そして、この仕切り
板６０ｄとベース部材５８間を上下に仕切る仕切り板６
０ｅを設け、この仕切り板６０ｅに排気管（図示せず）
を接続する。

【００３５】上部案内板５６および下部案内板６０のそ
れぞれの上端部には周回方向に溶媒通路５６ａ，６０ａ
が内設されるとともに、これらの溶媒通路５６ａ，６０
ａと連通する溶媒吐出口またはスリット５６ｂ，６０ｂ
が周回方向に一定の間隔で多数個設けられている。ＳＯ
Ｇの塗布が行われていない休止期間中に、必要に応じて
排液・排気案内路６２に付着しているＳＯＧを流し落と
すために、洗浄液としての溶媒たとえばイソプロピレン
・アルコール（ＩＰＡ）またはシクロヘキサノン液が図
示しない溶媒供給部より各溶媒通路５６ａ，６０ａに供
給され、各溶媒吐出口またはスリット５６ｂ，６０ｂか
ら排液・排気案内路６２の壁面５６ｃ，６０ｃに沿って
溶媒（洗浄液）が流されるようになっている。

【００３６】カップ３４の底面の排出口３４ａとドレイ
ン管４２との接続部にもＳＯＧが付着しやすく、そのま
ま放置しておくと、凝固したＳＯＧによって配管が詰ま
るおそれがある。そこで、このカップ３４では、継手６
４の内側に周回方向の溶媒溜６４ａを設け、この溶媒溜
６４ａに溶媒供給管６６を接続し、図示しない溶媒供給
部より溶媒溜６４ａに溶媒（洗浄液）を供給し、溶媒溜
６４ａより周回方向で均一にあふれ出た溶媒で配管接続
部内を洗浄するようにしている。

【００３７】ベース５８は、正確な加工精度と物理的強
度を要求されることから、アルミニウムまたはステンレ
ス等の金属で作られている。ただし、金属材は上記洗浄
液（特にシクロヘキサノン液）によって腐食しやすいと
いう問題がある。本実施例では、ベース５８の表面をタ
フラム処理して、耐薬性をもたせている。また、エア供
給管５２や各種駆動用のエアシリンダ用のエア配管（図
示せず）等にもテフロン（商標名）チューブ等のフッソ
樹脂材を使用して、耐薬性を持たせている。なお、フッ
ソ樹脂は帯電しやすく、帯電すると、塵芥が付着した
り、スパークを生じるおそれがある。したがって、フッ
ソ樹脂製の配管については、配管の周りに導電性テープ
等を巻いて帯電性を除去ないし低減する。

【００３８】図３および図４に戻り、ＳＯＧ供給ノズル
４０は、ガイド棒７０に図の左右方向に移動可能に支持
された可動アーム７２の先端部に設けられた把持機構
（図示せず）によって把持可能に構成されており、半導
体ウエハＷの上方でウエハの半径方向にスキャンできる
だけでなく、カップ３４の側方に配設されたノズル待機
部７４およびダミーディスペンス部７６へも移動できる
ようになっている。

【００３９】図６に、ノズル待機部７４の構成例を示
す。このノズル待機部７４の溶媒容器７４ａ内にはＩＰ
Ａ等の溶媒が常時一定の液面を保ちながら供給されてお
り、ＳＯＧ供給ノズル４０はノズル先端部４０ａが溶媒
中に浸漬しない状態で溶媒容器７４ａの上面開口を塞ぐ
ようにしてセットされる。これにより、ノズル先端部４
０ａが溶媒容器７４ａ内の溶媒蒸気（雰囲気）中に置か
れることになり、塗布処理が行われない休止期間中にノ
ズル先端部４０ａのＳＯＧ液が凝固することはない。

【００４０】なお、ノズル待機部７４でノズル４０の先
端部４０ａを溶媒の中に浸漬させないようにしているの
は、ＳＯＧは溶媒中に浸かると凝固したＳＯＧが付着し
てしまい、ノズル先端部４０ａが却って詰まるおそれが
あるためである。このことと関連し、ＳＯＧ供給ノズル
４０のダミーディスペンスはノズル待機部７４とは別個
のダミーディスペンス部７６で行われるようになってお
り、このダミーディスペンス部７６でＳＯＧ供給ノズル
４０より排出されたＳＯＧ溶液は配管７８を通ってドレ
インタンク（図示せず）へ送られる。

【００４１】ＳＯＧ供給ノズル４０は、ＳＯＧ供給管８
０を介してＳＯＧ供給源（図示せず）に接続されてい
る。ＳＯＧ供給源より供給されるＳＯＧ溶液は保存温度
たとえば−１０゜Ｃから室温付近の温度まで戻されてい
るが、均一な膜厚を得るためには適正な一定温度で半導
体ウエハＷに塗布される必要がある。このため、ＳＯＧ
塗布ユニット２６には、ＳＯＧ溶液を設定温度でＳＯＧ
供給ノズル４０より吐出させるための温調機構が設けら
れている。

【００４２】図７に、この温調機構の構成を模式的に示
す。ＳＯＧ供給管８０は、一定温度に管理された温調水
すなわち恒温水が流れる温調水通路８２の中を通ってＳ
ＯＧ供給ノズル４０に接続する。このような二重管構造
により、ＳＯＧ供給管８０内側を流れるＳＯＧ溶液は、
管の外側を流れる恒温水との熱交換により設定温度たと
えば２３．５゜Ｃに温調されるようになっている。

【００４３】図８に、ＳＯＧ供給ノズル４０の具体的構
成例を示す。ＳＯＧ供給管８０はＳＯＧ供給ノズル４０
の中心部に軸方向に貫入され、ＳＯＧ供給管８０の先端
部はノズル先端部４０ａを形成する。温調水通路８２の
中を通って流れてきた温調水（恒温水）は、ノズル上部
の室４０ｂでいったん塞き止められ、この室４０ｂの側
壁に形成された排出口（図示せず）より外へ排出される
ようになっている。ノズル中間部には溶媒導入口４０ｃ
および溶媒導入室４０ｄが設けられており、溶媒導入室
４０ｄはＳＯＧ供給管８０の周りに軸方向に形成された
溶媒通路４０ｅを介して下端部の隙間またはオリフィス
４０ｆに通じている。ＳＯＧ供給ノズル４０がダミーデ
ィスペンス部７６にセットされている状態で、外部の溶
媒供給部（図示せず）よりＩＰＡ等の溶媒が溶媒導入口
４０ｃより溶媒導入室４０ｄ内に導入されると、導入さ
れた溶媒は溶媒通路４０ｅを通って下端部の隙間４０ｆ
より吐出され、ノズル先端部４０ａの外周面に付着して
いるＳＯＧを洗い落とすようになっている。

【００４４】図９は、ＳＯＧ供給部の具体的構成例を示
す。ＳＯＧ供給ノズル４０と三方口弁８６の出口と結ぶ
ＳＯＧ供給管８０には、フィルタ８８、異物検出器９
０、エアオペバルブ９２およびサックバックバルブ９４
が順にＳＯＧ供給ノズル４０に向かって介設されてい
る。三方口弁８６の一方の入口はＳＯＧ供給管８７を介
してＳＯＧ容器８４に接続されている。 ＳＯＧ容器８
４には、ヘリウムガス供給源９６が配管９８，１００を
介して接続されるとともに、窒素ガス供給源１０２が配
管１０４，１０６，１００を介して接続され、溶媒供給
源１０８も配管１１０，１０６，１００を介して接続さ
れている。配管１００は、三方口弁１１２により配管９
８もしくは配管１０６に切り換えられるようになってい
る。配管１０６は、三方口弁１１４により配管１０４も
しくは配管１１０に切り換えられるようになっている。
三方口弁８６の他方の入口に接続されている配管１１２
は、三方口弁１１６により配管１０４もしくは配管１１
０に切り換えられるようになっている。配管９８，１０
４，１１０にはそれぞれフィルタ１１８，１２０，１２
２が介設されている。

【００４５】三方口弁８６，１１２，１１４，１１６は
制御部１２４からの切換制御信号ＳＷ1 〜ＳＷ4 によっ
てそれぞれ切換制御される。エアオペバルブ９２および
サックバックバルブ９４の開閉制御も制御部１２０によ
って行われる。異物検出器９０は、たとえば透明または
半透明な配管で構成されたＳＯＧ供給管８０の両側に発
光素子と受光素子とを対向配置させてなる光学的異物セ
ンサであり、ＳＯＧ溶液中の気泡やパーティクル等を検
出する。異物検出器９０の出力信号は異物検出回路１２
６に入力され、異物検出回路１２６の出力端子より異物
検出信号が制御部１２４に与えられる。ＳＯＧ容器８４
の底部付近の外側には、ＳＯＧ液面を検出するためのた
とえば静電容量センサからなる液面検出器１２８が設け
られている。

【００４６】かかる構成のＳＯＧ供給部において、定常
時には、配管９８が配管１００に連通し、配管８７が配
管８０に連通するように三方口弁１１２，８６がそれぞ
れ切り換わっている。これにより、ヘリウム供給源９６
からのヘリウムガスがＳＯＧ容器８４へ送られ、そのガ
ス圧でＳＯＧ容器８４よりＳＯＧ溶液がＳＯＧ供給ノズ
ル４０へ給液されるようになっている。ヘリウムガス
は、不活性ガスであり、ＳＯＧ溶液に溶けても液質を劣
化させるおそれはない。

【００４７】ＳＯＧ容器８４内のＳＯＧ溶液が減少して
液面が所定の下限値に達すると、液面検出器１２８より
液面検出信号が出力される。制御部１２４は、この液面
検出器１２８からの液面検出信号に応動して三方口弁１
１２，１１４をそれぞれ配管１０６，１１０側に切り換
え、エアオペバルブ９２およびサックバックバルブ９４
を開ける。また、ＳＯＧ供給ノズル４０をダミーディス
ペンス部７６に移動させる。そうすると、溶媒供給源１
０８からの溶媒たとえばＩＰＡは配管１１０，１０６，
１００、ＳＯＧ容器８４、配管８７，８０を流れてＳＯ
Ｇ供給ノズル４０から吐出される。これによって、配管
とりわけＳＯＧ供給管８７，８０の内壁が洗浄され、Ｓ
ＯＧ供給ノズル４０内部の通路も洗浄される。

【００４８】上記のような配管洗浄が終了した後、制御
部１２４は三方口弁１１４を配管１０４側に切り換え
る。そうすると、窒素ガス供給源１０２からの窒素ガス
が配管１０４，１０６，１００、ＳＯＧ容器８４、配管
８７，８０を通ってＳＯＧ供給ノズル４０から吐出され
る。これによって、それらの配管内が窒素ガスでパージ
される。この窒素ガスによるパージングが済んだ後、制
御部１２４は三方口弁１１２を配管９８側に戻し、今度
はヘリウムガスで上記配管をパージする。このヘリウム
ガスによるパージングの終了後に、空のＳＯＧ容器８４
が満杯のＳＯＧ容器８４と交換される。この容器交換直
後にヘリウムガスの加圧でダミーディスペンスを行っ
て、配管８７，８０およびＳＯＧ供給ノズル４０内をＳ
ＯＧ液で満たす。

【００４９】異物検出器８８がＳＯＧ溶液中に異物を検
出した場合、制御部１２４は三方口弁８６，１１６をそ
れぞれ配管１１２，１１０側に切り換える。これによっ
て、異物を含んだＳＯＧ溶液および溶媒供給源１０８か
らの溶媒が配管１１０，１１２，８０を通ってＳＯＧ供
給ノズル４０から吐出される。これによって、ＳＯＧ供
給管８０の内壁およびＳＯＧ供給ノズル４０内部が溶媒
で洗浄される。この洗浄後に、制御部１２４は三方口弁
１１６を配管１０４側に切り換え、ＳＯＧ供給管８０の
内壁およびＳＯＧ供給ノズル４０内部を窒素ガスでパー
ジする。次に、三方口弁８６をＳＯＧ供給管８７側に切
り換え、ヘリウムガスによる加圧でダミーディスペンス
を行う。

【００５０】図１０および図１１は塗布処理部１２の表
面浄化ユニット３０の構成を示し、図１０はユニット内
部の構成を模式的に示す側面図、図１１はユニット内の
シャッタシートの構成を示す平面図である。

【００５１】図１０に示すように、この表面浄化ユニッ
ト３０において、半導体ウエハＷは円盤形の熱板１３０
上で所定温度たとえば１００゜Ｃ 付近の温度で加熱さ
れながら、真上の紫外線ランプ１３２よりウエハ表面に
紫外線（ＵＶ）光を照射される。熱板１３０には、電源
部１３４からの電力で発熱する発熱体たとえば発熱抵抗
体１３０ａが内蔵されている。また、熱板１３０には、
板面より高い位置でユニット外部の搬送アーム２４と半
導体ウエハＷを受け渡しするための昇降可能な複数のピ
ン（図示せず）がたとえば１２０゜間隔で３本設けられ
ている。紫外線ランプ１３２からの紫外線光は、シャッ
タ装置１３６により所要の時間だけ照射されるようにな
っている。このシャッタ装置１３６は、駆動モータ１３
７に接続された巻き上げローラ１３８と折り返しローラ
１４０との間にガイドローラ１４２，１４４を介して紫
外線ランプ１３２の手前を通るように遮蔽性のシャッタ
シート１４６を巻架させたものであり、図１１に示すよ
うにシャッタシート１４６には紫外線光を通すための開
口１４６ａが形成されている。

【００５２】次に、インタフェース部１６の構成を説明
する。図１および図２において、インタフェース部１６
は、塗布処理部１２と熱処理部１４との間に設けられた
ユニットであり、ユニット室１７内に、塗布処理部１２
との間で半導体ウエハＷを１枚ずつ受渡しするためのウ
エハ受渡し台１７２と、縦型熱処理部１４との間でボー
トＢＴを１本ずつ受渡しするためのボート受渡し台１７
４と、ウエハ受渡し部１７２と各ボートＢＴとの間で半
導体ウエハＷを１枚ずつ移送するためのウエハ搬送アー
ム１７６とを備えている。

【００５３】図１２および図１３はインタフェース部１
６内の全体構成をより詳細に示す側面図および平面図で
あり、図１４はインタフェース部１６内の要部の構成を
示す斜視図である。

【００５４】図１２および図１３に示すように、インタ
フェース部１６の室内において、ウエハ受渡し台１７２
は塗布処理部１２との境目に近接した位置に配置され、
ボート受渡し台１７４は熱処理部１４との境目に近接し
た位置に配置され、ウエハ搬送アーム１７６はウエハ受
渡し台１７２とボート受渡し台１７４との間つまり中間
部に配置されている。

【００５５】これら各部１７２，１７４，１７６と天井
１７８との間には相当の空間１８０が設けられ、この上
部空間１８０は天井１７８から垂直下方に延在する隔壁
１８２（カーテンでもよい）によりボート受渡し台１７
４およびウエハ搬送アーム１７６側の第１（左側）上部
空間１８０Ａとボート受渡し台１７４側の第２（右側）
上部空間１８０Ｂとに分けられている。天井１７８の裏
側（上側）には、第１上部空間１８０Ａおよび第２上部
空間１８０Ｂの真上の位置に第１および第２エア供給室
１８４，１８６がそれぞれ設けられている。

【００５６】第１エア供給室１８４には、室外の空気を
引き込むためのファン１８８と、このファン１８８から
送られてきた空気流をたとえばクラス１０００まで除塵
して第１上部空間１８０Ａに供給するフィルタ１９０が
設けられている。第２エア供給室１８６には、高性能の
除塵機能付フィルタたとえばＵＬＰＡフィルタ１９２が
設けられている。このＵＬＰＡフィルタ１９２は、エア
供給源（図示せず）よりダクト（図示せず）を介して送
られてくる空気を高清浄度たとえばクラス１００の清浄
空気にして、垂直層流のダウンフローで第２上部空間１
８０Ｂに供給する。

【００５７】一方、第１上部空間１８０Ａと対向する床
部には、排気用のファン１９４が配設されている。これ
により、第１上部空間１８０Ａからのダウンフローはそ
のまま垂直に真下のファン１９４へ向かい、第２上部空
間１８０Ｂからのダウンフローはボート受渡し台１７４
上の各ボートＢＴを舐めるように（沿うように、あるい
は覆うように）斜めに拡がってファン１９４へ向かうよ
うになっている。

【００５８】したがって、半導体ウエハＷを比較的長時
間保持または保存するボート受渡し台１７４上のボート
ＢＴは、第２上部空間１８０Ｂからの清浄度の高いダウ
ンフローの雰囲気中に置かれ、第１上部空間１８０Ａか
らの比較的清浄度の低いダウンフローには当たらないよ
うになっている。このように、高価なＵＬＰＡフィルタ
１９２を天井面１７８の全面にではなくボート受渡し台
１７４の真上に局所的に配設するだけの構造であり、小
型・安価で効率のよいクリーンルームとなっている。そ
して、エアー供給能力を排気能力よりも大に設定してお
く。

【００５９】上記のように、インタフェース部１６の室
内は、天井から床を抜けて流れる清浄空気のダウンフロ
ーによって微弱な陽圧状態に維持されている。ところ
で、図１３に示すように、この室の両側面には扉１９６
がたとえば観音開き式で開閉可能に取付されている場合
には、ボートＢＴの出し入れや何らかのメンテナンスの
ためにこの扉１９６が開けられた時に、床部のファン１
９４が作動していたならば、外気がファン１９４に吸引
されて入ってきてパーティクルを室内に持ち込むおそれ
がある。

【００６０】この実施例では、扉１９６が閉まっている
か開いているかを検出するためのセンサたとえばリミッ
トスイッチ２００が床面の両側縁部に設けられており、
扉１９６が開くと、このリミットスイッチ２００からの
出力信号に応動して制御部（図示せず）がファン１９４
の運転を止めるようにしている。これにより、上部空間
１８０Ａ，１８０Ｂからの清浄空気のダウンフローは扉
１９６の開いたところから外へ流出してエアカーテンを
形成し、外気ないしパーティクルの流入を阻止するよう
になっている。

【００６１】ウエハ搬送アーム１７６において、搬送基
台２０２上には、Ｘ方向（前後方向）に移動可能なピン
セット２０４が取付されている。搬送基台２０２は回転
軸２０６を介して昇降台２０８上にθ方向に回転可能に
取付され、昇降台２０８は垂直支持軸２１０に垂直方向
に昇降移動可能に支持され、垂直支持軸２１０はＹ方向
に横架された２本のガイドレール２１２にガイド部材２
１４を介して同方向に摺動可能に支持されている。ピン
セット２０４をＸ方向に移動させるためのＸ方向駆動部
は、搬送基台２０２に内蔵された駆動モータおよびベル
ト（図示せず）によって構成されている。搬送基台２０
２および回転軸２０６をθ方向に回転移動させるための
回転駆動部は、搬送基台２０２ないし回転軸２０６また
は昇降台２０８に内蔵された駆動モータ（図示せず）に
よって構成されている。昇降台２０８をＺ方向に昇降移
動させるためのＺ方向駆動部は、垂直支持軸２１０の中
に設けられた駆動モータおよびボールスクリュー軸（図
示せず）によって構成されている。垂直支持軸２１０を
Ｙ方向に移動させるＹ方向駆動部は、垂直支持軸２１０
またはガイド部材２１４に接続されたベルトと駆動モー
タ（図示せず）によって構成されている。

【００６２】上記のような駆動機構および支持機構によ
り、ウエハ搬送アーム１７６は、ウエハ受渡し台１７２
と各ボートＢＴとの間でＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向に移動し
て、半導体ウエハＷを１枚ずつ移送できるようになって
いる。また、図１４に示すように、ウエハ搬送アーム１
７６には、ピンセット２０４の基端部から両側に円弧状
に延在するウエハセンタリング用のアーム部材２１６が
設けられるとともに、搬送基台２０２の先端部からＬ字
状に前方に突出するウエハマッピング用の一対のセンサ
アーム２１８，２２０も取付されている。

【００６３】ウエハ受渡し台１７２において、図１４に
示すように、垂直支持板２２２の上端に固定された水平
支持板２２４上に、半導体ウエハＷの裏面を担持するた
めの複数本たとえば３本の支持ピン２２６と、半導体ウ
エハＷの外周縁を保持するための円周面が円弧状に形成
され対向して配置された２個のガイド部材２２８とが固
着されている。水平支持板２２４の中心部には円形の開
口２２４ａが設けられており、この開口２２４ａを通っ
てスピンチャック２３０が昇降移動できるようになって
いる。スピンチャック２３０は、上面で半導体ウエハＷ
を真空吸着できるもので、水平支持板２２４の下側に設
けられた駆動モータ２３２の回転駆動軸に結合されてい
る。

【００６４】図１５および図１６は、ウエハ受渡し台１
７２の構成をより詳細に示す平面図および側面図であ
る。図１６に示すように、駆動モータ２３２は、支持台
２３４に固定されたエアシリンダ２３６のピストン軸２
３６ａに水平支持部材２３８を介して結合され、ピスト
ン軸２３６ａが垂直方向に前進または後退することによ
ってそれと一体に駆動モータ２３２およびスピンチャッ
ク２３０が昇降移動するようになっている。２個のうち
の一方のガイド部材２２８の一端部には半導体ウエハＷ
のオリフラ合わせ用の光学センサ２４０の発光部２４０
Ａが取付されており、その真上には発光部２４０Ａと対
向するように受光部２４２Ｂが図示しない支持部材に取
付されている。

【００６５】図１４に示すように塗布処理部１２側のウ
エハ搬送アーム２４がインタフェース部１６へ来て半導
体ウエハＷ（図１４では図示せず）を水平支持板２２４
の真上に搬送すると、スピンチャック２３０が図１６の
一点鎖線２３０’で示すように上昇移動して半導体ウエ
ハＷを受け取る。次いで、スピンチャック２３０は駆動
モータ２３２の駆動で回転して半導体ウエハＷを周回方
向に回転（自転）させる。そうして、光学センサ２４０
が半導体ウエハＷのオリフラを検出すると、その位置
（時点）からスピンチャック２３０は所定の角度だけ回
転して停止し、半導体ウエハＷは図１５に示すような位
置たとえばオリフラがウエハ搬送アーム１７６側に向く
ように位置決めされる。このようにしてオリフラ合わせ
が行われた後、スピンチャック２３０は水平支持板２２
４より低い位置まで下降し、半導体ウエハＷを水平支持
板２２４上の支持ピン２２６とガイド部材２２８に支持
させてセンタリングを行う。

【００６６】ウエハ受渡し部１７２から塗布処理部１２
側のウエハ搬送アーム２４へ半導体ウエハＷを渡すとき
は、スピンチャック２３０が上記のように上昇移動して
半導体ウエハＷを受渡し位置の高さまで持ち上げるよう
になっている。また、インタフェース部１６内のウエハ
搬送アーム１７６がウエハ受渡し台１７２から半導体ウ
エハＷを取るときは、ウエハ搬送アーム１７６のピンセ
ット２０４が水平支持板２２４と半導体ウエハＷの裏面
との隙間に進入して半導体ウエハＷを持ち上げるように
なっている。該ウエハ搬送アーム１７６からウエハ受渡
し台１７２に半導体ウエハＷを渡すときは、該ピンセッ
ト２０４が逆の動作を行う。

【００６７】なお、図１４に示すように、塗布処理部１
２側のウエハ搬送アーム２４は半円弧状の形体を有して
おり、そのアーム内周縁部の両端部および中心部の３箇
所に半導体ウエハＷを３点支持するための突設されたウ
エハ支持部材２４ａが取付されている。本実施例では、
半導体ウエハＷと直に接触するこれらのウエハ支持部材
２４ａの支持ピン２４ｂを耐熱性、剛性および加工性に
優れた材質たとえばポリイミドで構成している。したが
って、ウエハ搬送アーム２４が塗布処理部１２内の種々
のユニットに頻繁に出入りしても、半導体ウエハＷを良
好な状態で安全に移送できるようになっている。

【００６８】次に、図１７〜図２４につきインタフェー
ス部１６内のボート受渡し台１７４の構成を詳細に説明
する。図１７および図１８はボート受渡し台１７４の全
体構成を示す正面図および側面図である。図１９および
図２０はボート受渡し台１７４におけるボート載置板上
の各種ピンの配置構成を示す部分平面図である。

【００６９】図１３、図１７および図１８に示すよう
に、このボート受渡し台１７４は、複数本たとえば４本
のボートＢＴをＹ方向一列に等間隔で並べて載置するた
めの底板またはボート載置板２４２と、このボート載置
板２４２の両端から垂直上方に延在する一対の側板２４
４，２４６と、これらの側板２４２，２４６の上端の間
にボート載置板２４２と対向して水平に架設された天板
２４８とを有している。

【００７０】ここで、図２１および図２２につきボート
受渡し台１７４上に載置されるボートＢＴの構成を説明
する。本実施例では、ボート受渡し台１７４に３本まで
のウエハボートＢＴW1〜ＢＴW3と１本のダミーボートＢ
ＴD が載置される。

【００７１】図２１にウエハボートＢＴWiの構成を示
す。ウエハボートＢＴWiは、後述する熱処理部１４側の
ボート搬送アーム３００に把持され得るような円筒状の
基端部２５２と、この円筒状基端部２５２の下部に一体
に形成されたフランジ部２５３と、基端部２５２の上端
に接続された底板２５４と、この底板２５４の後部寄り
の外周縁部に直立して立設された４本のウエハ支持棒２
５６と、これらのウエハ支持棒２５６の上端に冠着され
た天板２５８とから構成されており、ボートの各部つま
り全体が石英ガラスでつくられている。各ウエハ支持棒
２５６の内側面つまりボート中心側の面には、縦方向一
定ピッチで多数のウエハ保持用の溝２５６ａが適当な深
さで形成されている。これら４本のウエハ支持棒２５６
の同一高さに位置する４個のウエハ溝２５６ａにウエハ
周縁部を保持されるようにして１枚の半導体ウエハＷが
挿脱自在にほぼ水平状態で収容される。したがって、各
ウエハボートＢＴWiには、ウエハ支持棒１本当たりのウ
エハ溝２５６ａの個数に相当する枚数だけ半導体ウエハ
Ｗが収容できるようになっている。本実施例では、後述
するように、熱処理部１４で１度に（同時に）熱処理を
受けるべき半導体ウエハＷの枚数の設定値（たとえば２
ロット分の５０枚）よりも所定枚数（たとえば１０枚）
だけ多い枚数（６０枚）のウエハを収容できるようにウ
エハ溝２５６ａの個数が選ばれている。

【００７２】図２２にダミーボートＢＴD の構成を示
す。ダミーボートＢＴD は、短い円筒状脚部と一体形成
された底板２６０と、この底板２６０の両側縁部に直立
して立設された一対のウエハ支持板２６２と、これらウ
エハ支持板２６２の上端に冠着された天板２６４と、こ
の天板２６４の上面に固着された取手２６６とから構成
されており、ボートの各部つまり全体がアルミニウムで
つくられている。各ウエハ支持板２６２の内側面には、
縦方向一定ピッチ（ウエハボートＢＴWiと同じピッチ）
で多数のウエハ保持用の溝２６２ａが適当な深さで形成
されている。これら一対のウエハ支持板２６２の同一高
さに位置する一対のウエハ溝２６２ａにウエハ周縁部を
保持されるようにして１枚のダミーウエハＵが挿脱自在
にほぼ水平状態で収容される。したがって、ダミーボー
トＢＴD には、ウエハ支持板１枚当たりのウエハ溝２６
２ａの個数に相当する枚数だけダミーウエハＵが収容で
きるようになっている。本実施例において、ダミーボー
トＢＴD におけるウエハ溝２６２ａの個数は、ウエハボ
ートＢＴWiにおけるウエハ溝２５６ａと同じ個数に選ば
れている。

【００７３】図１７〜図１９に示すように、ボート載置
板２４２上には、各ウエハボート載置位置に、ウエハボ
ートＢＴW のフランジ部２５３の下面側を担持するため
の複数本たとえば４本のボート支持ピン２７０が同一円
周上に一定の角度間隔で突設されている。各ボート支持
ピン２７０は石英ガラスからなる。

【００７４】また、ボート載置板２４２上には、これら
のボート支持ピン２７０と同じ円周上の所定位置に、ウ
エハボートの周回方向の位置ずれおよび有無を検出する
ための弾力的に沈降可能な一対のセンサピン２７２，２
７４が突設されている。ウエハボートＢＴWiのフランジ
部２５３には、一方のセンサピン２７２の設置位置と対
応する位置（箇所）にピン２７２を通せるほどの切欠２
７３ａが形成されている。ウエハボートＢＴWiが正しい
向きで４本のボート支持ピン２７０に載っているとき
は、図１９に示すように、一方のセンサピン２７２が該
切欠２７３ａに遊嵌して突出したままであるのに対し、
他方のセンサピン２７４はフランジ部２５３の下面で押
圧されて沈降する。ウエハボートＢＴWiが載っていない
ときは、両センサピン２７２，２７４は共に突出したま
まである。ウエハボートＢＴW が載っていても位置が周
回方向にずれているときは、一方のセンサピン２７２が
フランジ部２５３の下面で押圧されて沈降する。このよ
うにして、両センサピン２７２，２７４の突出・沈降状
態のロジックからウエハボートＢＴWiの周回方向の位置
ずれおよび有無を検出することができる。ダミーボート
ＢＴD に対してもウエハ載置板２４２上に同様のセンサ
ピンを設けることが可能である。

【００７５】さらに、ボート載置板２４２上には、図１
７〜図２０に示すように、各ウエハボート載置位置より
前方の所定位置にボートの前倒れ（転倒）を防止するた
めのステンレスからなる一対のボート転倒防止ピン２７
６が垂直に立てられている。ダミーボート載置位置より
前方の所定位置にも同様のボート転倒防止ピン２７８が
突設されている（図１７）。

【００７６】上記各ボート転倒防止ピン２７６，２７８
は、ウエハボートＢＴWi、ダミーボートＢＴD が正常に
載置されているときにはボートには接触しておらず、傾
いたときに接触して転倒を防止するように構成されてい
る。

【００７７】図２３は、本実施例におけるウエハボート
ＢＴWiのウエハ収容構造を示す略側面図である。ウエハ
ボートＢＴWiの上端部および下端部の所定枚数たとえば
５枚分のウエハ収容領域は、ダミーウエハＵを常時収容
する常置ダミーウエハ収容領域として設定されている。
これら上下の常置ダミーウエハ収容領域に挟まれた中間
のウエハ５０枚分（２ロット分）のウエハ収容領域は、
被処理基板である半導体ウエハＷを必要に応じて（普通
は搬送ないし保管のために）収容する被処理ウエハ収容
領域として設定されている。これにより、被処理ウエハ
収容領域に収容された半導体ウエハＷは、収容位置に関
係なく全ウエハが均一な環境（特に温度）下に置かれ、
熱処理部１２で均一な処理を施されるようになってい
る。

【００７８】ところで、被処理ウエハ収容領域に収容さ
れた被処理基板としての半導体ウエハＷが設定枚数（５
０枚）に満たない場合は、ウエハボートＢＴWiの被処理
ウエハ収容領域に空き場所が生じる。ウエハボートＢＴ
Wiがそのような空き場所を持った状態で熱処理部１４へ
運ばれバッチ式の熱処理を受けると、空き場所に隣接す
る半導体ウエハＷの周囲温度ないし処理温度が他の半導
体ウエハＷと同じにはならず、均一な処理結果が得られ
なくなる。本実施例のインタフェース部１６では、何ら
かの原因で被処理ウエハ収容領域に半導体ウエハＷの空
き（不足分）が生じている場合は、次のようにして各空
き場所にダミーウエハＵを補充収容してから、当該ウエ
ハボートＢＴWiを熱処理部１４へ渡すようにしている。

【００７９】上記したように、ウエハ搬送アーム１７６
の搬送基台２０２の先端部から一対の触角形センサアー
ム２１８，２２０が突出している（図１４）。これらの
センサアーム２１８，２２０の先端には、互いに対向す
る発光素子２１８ａ、受光素子２２０ａがそれぞれ取付
されている。プログラムで設定された所定の動作フロー
でウエハ搬送アーム１７６は、ボート受渡し台１７４上
のウエハボートＢＴWiの正面まで移動してきて、図２４
および図２５に示すように両センサアーム２１８，２２
０をウエハボートＢＴWi内の半導体ウエハＷの前端部の
両側へ前進させた状態で上昇（または下降）移動（スキ
ャン）し、各ウエハ収容位置において発光素子２１８ａ
からの光線が遮断されるか受光素子２２０ａに到達する
かによって半導体ウエハＷの有無を検出する。

【００８０】このウエハマッピングによって空き場所が
検出されたとき、ウエハ搬送アーム１７６は、Ｙ方向に
移動してダミーボートＢＴD からダミーウエハＵを運ん
できて、その空き場所にダミーウエハＵを入れる。これ
により、ウエハボートＢＴWiは、全ウエハ収容位置に被
処理半導体ウエハＷまたはダミーウエハＵを収容した満
杯状態でインタフェース部１６から熱処理部１４へ移さ
れる。

【００８１】ウエハ搬送アーム１７６は、ウエハ受渡し
部１７２またはダミーボートＢＴDから被処理半導体ウ
エハＷまたはダミーウエハＵを１枚ずつ運んできてウエ
ハボートＢＴWiの所定のウエハ収容位置に入れる。しか
し、振動やその他の原因で、半導体ウエハＷまたはダミ
ーウエハＵが正しく奥まで入っておらずに、つまりウエ
ハ外周縁部がウエハボートＢＴWiの各ウエハ支持棒２５
６のウエハ保持溝２５６ａに奥までしっかり挿入されず
に、半導体ウエハＷまたはダミーウエハＵが前方にはみ
出た状態で収容されていることがありうる。このように
前方にはみ出た半導体ウエハＷは、ウエハボートＢＴWi
が熱処理部１４へ移される際に、ウエハボートＢＴWiか
ら脱落するおそれがある。また、ウエハ搬送アーム１７
６で搬出し搬送する際、搬出ミスや搬送ミスを引き起こ
すおそれもある。

【００８２】本実施例のインタフェース部１６には、そ
のようなはみ出た半導体ウエハＷまたはダミーウエハＵ
を検出し、奥へ押し込む手段が備えられている。

【００８３】図１７および図２０に示すように、ボート
受渡し部１７４において、たとえばボート載置板２４２
には各ボート載置位置の前部に切欠２４２ａが形成され
ており、各切欠２４２ａの真下に発光素子２８０が上向
きに設けられ、各切欠２４２ａの真上には受光素子２８
２が下向きに天板２４８に取付されている。半導体ウエ
ハＷまたはダミーウエハＵがウエハボートＢＴWiまたは
ダミーボートＢＴD のウエハ収容位置に正しく挿入され
ているときは、図２０に示すようにこのウエハの前部
（オリフラ部）が切欠２４２ａの内側に位置するため、
発光素子２８０より垂直上方へ出された光線ＶＬは受光
素子２８２へ届く。しかし、ウエハが前にはみ出ている
ときは、切欠２４２ａが塞がれる。発光素子２８０から
の垂直光線ＶＬは該ウエハによって遮光され、受光素子
２８２へ到達できなくなる。このようにして、各ウエハ
ボートＢＴWiまたはダミーボートＢＴD においていずれ
かの半導体ウエハＷまたはダミーウエハＵがはみ出てい
るか否かが検出される。

【００８４】さらに、図１７および図１８に示すよう
に、ボート受渡し部１７４において、ウエハ載置板２４
２の両端には、ボート正面側の上記切欠２４２ａと対応
する位置で垂直方向に両側板２４４，２４６と平行なセ
ンサ取付板２４５，２４７がそれぞれ立設されており、
これらのセンサ取付板２４５，２４７の内側面には各ボ
ートのウエハ収容位置またはウエハ保持溝のピッチに対
応するピッチで多数の発光素子２８４および受光素子２
８６が１対１の対応関係でそれぞれ縦方向に配列されて
いる。ウエハボートＢＴWiまたはダミーボートＢＴD の
各ウエハ収容位置で半導体ウエハＷまたはダミーウエハ
Ｕが正しく挿入されているときは、図２０に示すように
発光素子２８４からの水平光線ＨＬは該ウエハの前を通
って受光素子２８６へ届く。しかし、ウエハが前にはみ
出ているときは、該水平光線ＨＬがそのウエハによって
遮光され、受光素子２８６へ到達できなくなる。このよ
うにして、各ウエハボートＢＴWiまたはダミーボートＢ
ＴD の各ウエハ収容位置（高さ位置）で半導体ウエハＷ
またはダミーウエハＵがはみ出ているか否かが検出され
る。

【００８５】上記のようにして、ウエハボートＢＴWi
（またはダミーボートＢＴD ）で前にはみ出ている半導
体ウエハＷ（またはダミーウエハＵ）が検出されると、
図２６に示すようにウエハ搬送アーム１７６がピンセッ
ト２０４の基端部に形成された突起部２０４ａでその半
導体ウエハＷi をボートの奥へ自動的に押し込んで、正
しいウエハ収容状態にする。図２６において点線Ｗi'
は、通常（ウエハ搬送時ないしウエハ出し入れ時に）ウ
エハＷi がピンセット２０４上に載る位置を示す。な
お、上記突起部２０４ａで押し込む代わりに、ウエハＷ
をピンセット２０４上に載せて奥へ移動させてもよい。

【００８６】なお、各ボートにおけるウエハのはみ出し
を検出する方法としては、上記のように光学的センサを
ボート受渡し部１７４に取付する方式に代えて、ウエハ
搬送アーム１７６によるマッピング機能を利用する方式
もある。すなわち、図２７に示すように、ウエハ搬送ア
ーム１７６が両センサアーム２１８，２２０の先端部
（光センサ部）をウエハボートＢＴWi（またはダミーボ
ートＢＴD ）に正しく収容されている（はみ出していな
い）半導体ウエハＷの前端部位置より少しだけ前に位置
させた状態で上昇（または下降）移動（スキャン）する
ことにより、各ウエハについてはみ出しているか否かを
検出することが可能である。

【００８７】図２８は、ボート受渡し部１７４における
駆動部の構成を示す一部切欠平面図である。ボート載置
板２４２の裏側（下側）の片隅に固定配置されたステッ
プモータ２９０の回転駆動軸にジョイント２９２を介し
てＹ方向に延在するボールネジ２９４の一端が結合さ
れ、ボールネジ２９４の他端は軸受２９６に軸支されて
いる。ボールネジ２９４にはボールナット部材２９８が
回転方向の移動を規制されて螺合され、このボールナッ
ト部材２９８はたとえばガイドレール３００上に摺動可
能に支持された複数のガイド部材３０２の中の１つを介
してボート載置板２４２に結合されている。これによ
り、スップモータ２９０の回転駆動によってボールネジ
２９４が回転すると、ボールナット部材２９８がＹ方向
に移動し、それと一体にボート載置板２４２も移動する
ようになっている。

【００８８】次に、熱処理部１４の構成を説明する。図
１および図２において、熱処理部１４は、インタフェー
ス部１６に対して塗布処理部１２とは反対側に接続され
たユニット室１５内に、箱型カバー３１０に収容された
円筒状の加熱炉（ファーナス）３１２と、インタフェー
ス部１６のボート受渡し台１７４と加熱炉３１２との間
でウエハボートＢＴW を移すためのボート搬送アーム３
１４とを備えている。インタフェース部１６のボート受
渡し部１７４と近接するユニット室１５の壁の所定位置
に、ウエハボートＢＴW が通れるほどの開口またはボー
トゲート１５ａが形成されている。このボートゲート１
５ａには、開閉扉（図示せず）が取付されてもよい。

【００８９】図２９は、熱処理部１４の内部の構成を示
す側面図である。この熱処理部１４は電熱ヒータ式の縦
型熱処理装置であり、ユニット筐体１５の上部室に縦型
の加熱炉３１２が配設されている。ユニット筐体１５の
下部はボート移載室であり、ここにボート搬送アーム３
１４が設けられている。ボート搬送アーム３１４は、ボ
ールネジ３３４に垂直方向（Ｚ方向）において移動可能
に支持され、θ方向に（ＸＹ面内で）自転することがで
き、伸縮自在なボート支持アーム３１６を有している。

【００９０】図３０に、ボート搬送アーム３１４の具体
的構成例を示す。搬送基台３２０に回転駆動部３２２が
θ方向に回転可能に軸着され、回転駆動部３２２の上面
にボート支持アーム３１６がガイドスリット３２２ａに
沿って移動（前進・後退）可能に取付されている。ボー
ト支持アーム３１６の先端部には半円形の開口部または
切欠部を有する二股状のハンド部３２４が設けられ、こ
のハンド部３２４の上面の両先端および開口縁部中心の
３箇所にウエハボートＢＴW の下端フランジ部２５３を
担持するためのピン３２４ａが設けられている。

【００９１】搬送基台３２０は水平支持板３２６の一端
部に固着されており、この水平支持板３２６の他端部の
両面に昇降駆動部３２８のブラケット３２８ａおよびリ
ニアガイド３３０がそれぞれ固着されている。リニアガ
イド３３０は、ユニット室１５の内壁に固定されたガイ
ドレール３３２に垂直方向（Ｚ方向）に摺動可能に支持
されている。昇降駆動部３２８にはボールネジ３３４が
挿通されており、昇降駆動部３２８は内蔵の駆動モー
タ、ギア機構、ボールナット等によりボールネジ３３４
に沿って垂直方向（Ｚ方向）に昇降移動できるようにな
っている。なお、ネジ棒３３４は、図２９に示すように
ボート移載室の天井から床まで垂直に延びている。

【００９２】図３１および図３２は、ボート搬送アーム
３１４がインタフェース部１６のボート受渡し台１７４
から１つのウエハボートＢＴW2をユニット１５内に搬入
して加熱炉３１２へ搬入するときの様子を示す略平面図
である。

【００９３】図３１に示すように、ボート搬送アーム３
１４の回転駆動部３２２がボートゲート１５ａ側を向い
た状態で、ボート支持アーム３２４が前進移動してイン
タフェース部１６のユニット室１７内に進入し、そのハ
ンド部３２４ａがボート載置板２４２上のウエハボート
ＢＴW2の下端フランジ部２５３の下に係合する。次にボ
ート搬送アーム３１４全体がわずかに上昇してウエハボ
ートＢＴW2をボート載置板２４２から少し浮かし、ウエ
ハボートＢＴW2を担持した状態で図の一点鎖線３２４’
で示す位置まで後退移動する。

【００９４】次に、図３２に示すように、ボート搬送ア
ーム３１４の回転駆動部３２２が回転して加熱炉３１２
側へ向きを変え、次いで一点鎖線３２４’で示すように
ボート支持アーム３２４が加熱炉３１２側へ前進移動
し、ウエハボートＢＴW2を加熱炉３１２の真下へ運ぶ
（図２９）。次いで、ボート搬送アーム３１４全体が上
昇移動してウエハボートＢＴW2を持ち上げ、加熱炉３１
２の中へ挿入または装填する。なお、ウエハボートＢＴ
W2と一緒に保温筒３３４も加熱炉３１２内に挿入され、
蓋体３３６で加熱炉３１２の口が塞がれるようになって
いる。

【００９５】加熱処理の終了後、ウエハボートＢＴW2
は、ボート搬送アーム３１４により、上記と逆の動作で
加熱炉３１２から抜き取られ、インタフェース部１４の
ボート受渡し台１７４へ移される。

【００９６】次に、本実施例の層間絶縁膜形成システム
において半導体ウエハＷが処理を受けるときのシステム
全体および各部の動作を説明する。

【００９７】上記のように、カセットステーション１０
では、カセット載置台２０上のいずれかのウエハカセッ
トＣＲから未処理の半導体ウエハＷがウエハ搬送アーム
２２によって１枚取り出され、取り出された半導体ウエ
ハＷはステーション中心部のウエハ受渡し位置で塗布処
理部１２側のウエハ搬送アーム２４へ渡される。

【００９８】塗布処理部１２において半導体ウエハＷ
は、まずウエハ搬送アーム２４によって温調ユニット２
８へ搬入され、そこでたとえば２２゜Ｃ程度の所定の温
度に温調される。温調された半導体ウエハＷは、次にウ
エハ搬送アーム２４によってＳＯＧ塗布ユニット２６へ
移され、そこでスピンコート法によりウエハ表面にＳＯ
Ｇ溶液を所定の膜厚に満遍無く均一に塗布される。次
に、プレベークユニット３２内に搬送され、ＳＯＧ中の
溶媒を蒸発させる。

【００９９】ＳＯＧを塗布された半導体ウエハＷは、次
にウエハ搬送アーム２４によって表面浄化ユニット３０
へ移され、そこで熱板１３０によって加熱されながら、
同時に紫外線ランプ１３２によって紫外線を照射され
る。そうすると、表面浄化ユニット３０内に存在する酸
素Ｏ2 が１８４ｎｍ付近の紫外線波長によってオゾンＯ
3 に変わり、このオゾンＯ3 が次に２５４ｎｍ付近の紫
外線波長によって励起され酸素原子ラジカルＯ＊が生成
される。この酸素原子ラジカルにより、半導体ウエハＷ
に塗布されているＳＯＧ中の有機物ＣL ＨM ＯN が二酸
化炭素ＣＯ2 と水Ｈ2 Ｏとに分解してＳＯＧ膜から除去
される。このようにＳＯＧ膜から有機物が除去される結
果、ＳＯＧ膜の表面が親水化される。

【０１００】上記のようにして表面浄化処理を施された
半導体ウエハＷは、ウエハ搬送アーム２４によってイン
タフェース部１６のウエハ受渡し台１７２へ移送され
る。インタフェース部１６において、半導体ウエハＷ
は、ウエハ受渡し台１７２で位置合わせ（オリフラ合わ
せ）およびセンタリング（中心合わせ）を受けた後、イ
ンタフェース部１６内のウエハ搬送アーム１７６により
ボート受渡し台１７４上のいずれかのウエハボートＢＴ
Wiたとえば第１のウエハボートＢＴW1へ移送され、その
ウエハボートＢＴW1内の所定のウエハ収容位置に収容さ
れる。

【０１０１】上記のような塗布処理部１２における一連
の塗布工程とインタフェース部１６におけるウエハ受渡
し台１７２からウエハボートＢＴW1への移送工程とが繰
り返され、このウエハボートＢＴW1にはＳＯＧ膜塗布済
みの半導体ウエハＷが順次多段に積み重なるようにして
収容される。

【０１０２】そして、第１のウエハボートＢＴW1に処理
用の半導体ウエハＷおよびダミーウエハＵが満杯に収容
されると、つまり１ロット分（５０枚）の被処理半導体
ウエハＷおよび１０枚のダミーウエハＵが収容される
と、ウエハ受渡し台１７２がＹ方向に移動して、第１の
ウエハボートＢＴWiがボートゲート１５ａ前のボート受
渡し位置へ移され、ここから熱処理部１４側のボート搬
送アーム３１４により熱処理部１４のユニット室１５内
へ搬入され、上記のようにして加熱炉３１２の中へ装填
される。加熱炉３１２では、炉に装填されたウエハボー
トＢＴW1内の１ロット分の被処理半導体ウエハＷが所定
の加熱温度たとえば４００〜４５０゜Ｃで同時にアニー
ルされ、各々のＳＯＧ膜がキュアされる。

【０１０３】このようにして加熱部１４において第１の
ウエハボートＢＴW1内の１ロット分の被処理半導体ウエ
ハＷがバッチ式の加熱処理を受けている間、塗布処理部
１２においては別の１ロット分の半導体ウエハＷが枚葉
式で１枚ずつＳＯＧ塗布処理を施され、ＳＯＧ塗布処理
の済んだ各半導体ウエハＷがインタフェース部１６に在
る第２のウエハボートＢＴW2に順次多段に収容される。
これにより、加熱部１４側で加熱処理の済んだ第１のウ
エハボートＢＴW1がインタフェース部１６のボート受渡
し台１７４へ戻された時には、第２のウエハボートＢＴ
W2にはＳＯＧ塗布処理の済んだ被処理半導体ウエハＷが
満杯（１ロット分）収容されている。

【０１０４】この第２のウエハボートＢＴW2がインタフ
ェース部１６から加熱部１４へ移されバッチ式の加熱処
理が行われる間、第１のウエハボートＢＴW1から加熱処
理の済んだ半導体ウエハＷが１枚ずつウエハ搬送アーム
１７６によってウエハ受渡し台１７２へ移され、ウエハ
受渡し台１７２で塗布処理部１２側のウエハ搬送アーム
２４へ渡される。

【０１０５】半導体ウエハＷに一回塗りでＳＯＧ膜を塗
布する場合、塗布処理部１２側のウエハ搬送アーム２４
へ渡された半導体ウエハＷは、カセットステーション１
０へ戻される。また、このような処理済みの半導体ウエ
ハＷのカセットステーション１０への回収と並行して１
ロット分の次の未処理の半導体ウエハＷが塗布処理部１
２で順次枚葉式でＳＯＧ膜を塗布され、塗布後にインタ
フェース部１６内の第３のウエハボートＢＴW3に収容さ
れる。

【０１０６】また、半導体ウエハＷに複数回塗りでＳＯ
Ｇ膜を塗布する場合、１回目の処理が終了して塗布処理
部１２側のウエハ搬送アーム２４へ渡された半導体ウエ
ハＷは、塗布処理部１２内で１回目の塗布工程と同様の
塗布処理を繰り返し施され、再びインタフェース部１６
でウエハボートＢＴWiに入れられて熱処理部１４へ送ら
れる。この場合、塗布処理部１２では、前回塗布された
ＳＯＧ膜を下地としてその上に新たなＳＯＧ膜が塗布さ
れるため、その下地膜の親水性をよくするように、新た
なＳＯＧ膜の塗布に先立って、正確には温調ユニット２
２で温度調整するに先立って、表面浄化ユニット３０で
加熱・紫外線照射により下地ＳＯＧ膜から有機物を除去
するようにしてもよい。なお、上記複数回塗布の場合、
塗布処理部１２でＳＯＧ膜を複数回塗布形成した後に熱
処理部１４にて熱処理するように動作させるようにして
もよい。

【０１０７】このように、本実施例の層間絶縁膜形成シ
ステムでは、半導体ウエハＷに１枚ずつＳＯＧを塗布す
る枚葉式の塗布処理部１２がインタフェース部１６のウ
エハ受渡し台１７２に接続されるとともに、塗布処理部
１２でＳＯＧ膜を塗布された半導体ウエハＷをウエハボ
ートＢＴW に多数枚収容した状態で各半導体ウエハＷ上
のＳＯＧ膜を同時にアニールしてキュアするバッチ式の
熱処理部１４がインタフェース部１６のボート受渡し台
１７４に接続され、インタフェース部１６内ではウエハ
受渡し台１７２とボート受渡し台１７４との間でウエハ
搬送アーム１７６により半導体ウエハＷが１枚ずつ移送
されるようになっている。

【０１０８】このようなインタフェース機構によれば、
枚葉式の塗布処理部１２とバッチ式の熱処理部１４とが
インライン化され、両者の間で半導体ウエハＷを処理装
置外の大気に晒すことなく迅速に自在にやりとりするこ
とが可能であり、１回塗りでＳＯＧ膜を形成する場合は
もちろんのこと、多数回塗りでＳＯＧ膜を形成する場合
でもＳＯＧ塗布工程と熱処理工程の一貫した連続処理を
円滑に効率的に行うことができ、システム全体のスルー
プットを大幅に向上させることができるとともに、移送
または保管中の半導体ウエハＷのＳＯＧ膜を水分の吸収
から保護することが容易であり、熱処理の際にクラック
を生じ難くし、高品質のＳＯＧ膜を形成することができ
る。

【０１０９】なお、上記した実施例では、熱処理部１４
が縦型の加熱炉３１２を用いる縦型熱処理装置として構
成されていたが、横型加熱炉を用いる横型加熱炉として
構成いてもよい。塗布処理部１２内の各種ユニット構成
も任意に変形・変更することが可能である。インタェー
ス部１６内のウエハ受渡し台１７２、ウエハ搬送アーム
１７６およびボート受渡し台１７４の形状・構造も任意
に変形・変更することが可能である。また、上記した実
施例は半導体デバイス製造における層間絶縁膜形成シス
テムに係るものであったが、本発明は枚葉式の処理装置
とバッチ式の処理装置との間で一貫した連続処理を行う
任意の処理システムに適用可能である。

【０１１０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理シス
テムによれば、Ｙ方向にカセットを複数個並べて載置す
るカセットステーションとバッチ式処理部とをＸ方向に
延設された直線状の搬送路の両端にそれぞれを配設する
とともに、該搬送路の両側に沿って枚葉式処理部の複数
の処理ユニットを配設し、該搬送路上で搬送機構をＸ方
向に移動可能とする構成によってカセットステーショ
ン、枚葉式処理部およびバッチ式処理部をインライン化
したので、システム内の各部間で被処理基板を自在にや
りとりすることが可能であり、枚葉処理とバッチ処理の
一貫した連続処理な いし繰り返し処理を円滑に効率的に
行うことができ、スループットを大幅に向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるＳＯＧ膜形成システム
の全体構造を模式的に示す斜視図である。

【図２】実施例によるＳＯＧ膜形成システムの全体構造
を模式的に示す平面図である。

【図３】実施例のＳＯＧ膜形成システムの塗布処理部の
全体構成を模式的に示す側面図である。

【図４】実施例のＳＯＧ膜形成システムの塗布処理部の
全体構成を模式的に示す側面図である。

【図５】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるカップの具体的構成例を示す部分断面図である。

【図６】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるノズル待機部の具体的構成例を示す部分断面図であ
る。

【図７】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるＳＯＧ温調機構の構成を模式的に示す斜視図であ
る。

【図８】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるＳＯＧ供給ノズルの具体的構成例を示す縦断面図で
ある。

【図９】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるＳＯＧ供給部の構成例を示す配管図である。

【図１０】実施例の塗布処理部の乾燥ユニット内の要部
の構成を示す斜視図である。

【図１１】実施例の塗布処理部の乾燥ユニットにおける
シャッタシートの構成を示す平面図である。

【図１２】実施例のインタフェース部の内部の全体構成
を示す側面図である。

【図１３】実施例のインタフェース部の内部の全体構成
を示す平面図である。

【図１４】実施例のインタフェース部の内部の要部の構
成を示す斜視図である。

【図１５】実施例のインタフェース部におけるウエハ受
渡し台の構成を示す略平面図である。

【図１６】実施例のインタフェース部におけるウエハ受
渡し台の構成を示す略側面図である。

【図１７】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台の構成を示す略正面図である。

【図１８】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台の構成を示す略側面図である。

【図１９】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台のボート載置板上のピン配置構成を示す略平面図
である。

【図２０】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台のボート載置板上のピン配置構成を示す別の略平
面図である。

【図２１】実施例におけるウエハボートの構成を示す図
である。

【図２２】実施例におけるダミーボートの構成を示す図
である。

【図２３】実施例におけるウエハボートのウエハ収容構
造を示す略側面図である。

【図２４】実施例のインタフェース部においてウエハ搬
送アームがウエハボート内のウエハをマッピングすると
きの様子を示す略側面図である。

【図２５】実施例のインタフェース部においてウエハ搬
送アームがウエハボート内のウエハをマッピングすると
きの様子を示す略平面図である。

【図２６】実施例のインタフェース部においてウエハ搬
送アームがウエハボートからはみ出ているウエハを中へ
押し込むときの様子を示す略側面図である。

【図２７】実施例のインタフェース部においてウエハ搬
送アームのマッピング機能を利用してがウエハボートか
らはみ出ているウエハを検出するときの様子を示す略側
面図である。

【図２８】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台の駆動部の構造を示す一部切欠平面図である。

【図２９】実施例の熱処理部の内部の構成を模式的に示
す略側面図である。

【図３０】実施例の熱処理部におけるボート搬送アーム
の具体的構成例を示す斜視図である。

【図３１】実施例の熱処理部においてボート搬送アーム
がウエハボートを加熱炉に移すときの様子を示す略平面
図である。

【図３２】実施例の熱処理部においてボート搬送アーム
がウエハボートを加熱炉に移すときの様子を示す略平面
図である。

【図３３】層間絶縁膜を平坦化するためのＳＯＧ法の工
程を示す図である。

【図３４】ＳＯＧ法においてＳＯＧ膜を複数回塗りした
場合の層間絶縁膜の構造を示す図である。

【符号の説明】

１０ カセットステーション １２ 塗布処理部 １４ 熱処理部 １６ インタフェース部 ２２ カセットステーションのウエハ搬送アーム ２４ 塗布処理部のウエハ搬送アーム ２６ ＳＯＧ塗布ユニット ２８ 温調ユニット ３０ 乾燥ユニット １７２ ウエハ受渡し台 １７４ インタフェース部のウエハ搬送アーム １７６ ボート受渡し台 ３１２ 加熱炉 ３１４ ボート搬送アーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉本 裕二 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 後藤 英昭 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 石本 朋子 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 八重樫 英民 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東 京エレクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−166038（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−211749（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−30553（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−37002（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/31 H01L 21/316

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を複数枚収容可能なカセット
   を水平のＹ方向に複数個並べて載置可能に構成されたカ
   セットステーションと、 前記カセットステーションからＹ方向と直交する水平の
   Ｘ方向に延設された直線状の搬送路と、 この搬送路の両側に沿って設けられ前記被処理基板に対
   して１枚ずつ所定の処理を施す処理ユニットを複数台備
   えた枚葉式処理部と、 前記搬送路上をＸ方向に移動可能に設けられ、前記枚葉
   式処理部の各々の処理ユニットに対して１枚ずつ前記被
   処理基板を搬入出する第１の搬送機構と、 前記搬送路の前記カセットステーション側と対向する側
   に設けられ、前記被処理基板に対して複数枚同時に所定
   の処理を施すバッチ式処理部とを具備し、前記バッチ式
   処理部が、 前記搬送路に近接して設けられ前記第１の搬送機構と前
   記被処理基板を１枚ずつ受け渡し可能な被処理基板受渡
   し部と、 この被処理基板受渡し部からＸ方向に所定の間隔を置い
   て設けられ、前記被処理基板を複数枚収容可能なボート
   をＹ方向に複数個並べて載置可能に構成されたボート載
   置部と、 前記被処理基板受渡し部と前記ボート載置部との間でＹ
   方向に移動可能に設けられ、前記被処理基板受渡し部と
   前記被処理基板を１枚ずつ受け渡し、前記ボート載置部
   上に載置されている各々の前記ボートに対して１枚ずつ
   前記被処理基板を搬入出する第３の搬送機構と、 前記ボート載置部に近接して設けられ、前記被処理基板
   に対して前記ボートに収容した状態で複数枚同時に熱処
   理を施す熱処理部と、 前記ボート載置部と前記熱処理部との間で前記ボートを
   移送するボート移送機構とを有する処理システム。
2. 【請求項２】 前記カセットステーションにＹ方向に移
   動可能に設けられ、こ のカセットステーション上に載置
   されている各々の前記カセットに対して１枚ずつ前記被
   処理基板を搬入出する第２の搬送機構をさらに具備する
   請求項１に記載の処理システム。
3. 【請求項３】 前記被処理基板受渡し部が、 前記被処理基板を水平状態で支持可能に構成された固定
   支持部と、 前記被処理基板を保持した状態で前記固定支持部とその
   垂直上方の所定位置との間で昇降移動させる昇降保持部
   とを有する請求項１または２の処理システム。
4. 【請求項４】 前記被処理基板受渡し部が、 前記昇降保持部を回転駆動する回転駆動部と、 前記昇降保持部に保持されている前記被処理基板のオリ
   フラを光学的に検出するオリフラ検出部と、 前記オリフラ検出部の検出結果にしたがって前記回転駆
   動部を所定の角度位置で位置決めするオリフラ合わせ部
   とを有する請求項３の処理システム。
5. 【請求項５】 前記ボート載置部に、前記被処理基板と
   同一形状を有するダミー基板を複数枚収容して保管する
   ダミーボートが少なくとも１個載置される請求項１また
   は２の処理システム。
6. 【請求項６】 前記ボート載置部が、前記ボートを着脱
   可能に載置して支持するステージと、前記ステージをＹ
   方向で所望の位置に移動させるステージ移送手段とを有
   する請求項１、２、５のいずれかの処理システム。
7. 【請求項７】 前記第３の搬送機構が、選択された任意
   の前記ボートの手前で前記被処理基板の配列方向に移動
   しながら前記ボート内の各被処理基板収容位置における
   前記被処理基板の収容の有無またははみ出しの有無を検
   出するマッピング手段を有する請求項１または２の処理
   システム。
8. 【請求項８】 前記バッチ式処理部が、前記第３の搬送
   機構と前記ボート載置部とに別個のフィルタ機構を介し
   て独立した第１および第２の清浄空気のダウンフローを
   それぞれ供給するエア供給部を有する請求項１または２
   の処理システム。
9. 【請求項９】 前記第３の搬送機構と前記ボート載置部
   との間の上部空間で垂直下方に延在して前記第１および
   第２のダウンフローを隔離する隔壁が設けられた請求項
   １、２、８のいずれかの処理システム。
10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかの処理システ
    ムにおける処理方法であって、 前記枚葉式処理部内の第１の処理ユニットにて前記被処
    理基板にＳＯＧを塗布する工程と、 前記枚葉式処理部内の第２の処理ユニットにて前記被処
    理基板を第１の温度で熱処理する工程と、 前記バッチ式処理部にて前記被処理基板を前記第１の温
    度よりも高い第２の温度で熱処理する工程とを有する処
    理方法。
11. 【請求項１１】 前記ＳＯＧ塗布工程に先立ち前記枚葉
    式処理部内の第３の処理ユニットにて前記被処理基板に
    紫外線を照射する工程を有する請求項１０の処理方法。
12. 【請求項１２】 前記ＳＯＧ塗布工程に先立つ前記紫外
    線照射工程は、ＳＯＧを再度塗布する複数回塗布処理で
    行われる請求項１１の処理方法。
13. 【請求項１３】 被処理基板を複数枚収容可能なカセッ
    トを水平のＹ方向に複数個並べて載置可能に構成された
    カセットステーションと、前記カセットステーションか
    らＹ方向と直交する水平のＸ方向に延設された直線状の
    搬送路と、この搬送路の両側に沿って設けられ前記被処
    理基板に対して１枚ずつ所定の処理を施す処理ユニット
    を複数台備えた枚葉式処理部と、前記搬送路上をＸ方向
    に移動可能に設けられ、前記枚葉式処理部の各々の処理
    ユニットに対して１枚ずつ前記被処理基板を搬入出する
    第１の搬送機構と、前記搬送路の前記カセットステーシ
    ョン側と対向する側に設けられ、前記被処理基板に対し
    て複数枚同時に所定の処理を施すバッチ式処理部とを具
    備する処理システムにおける処理方法であって、 前記枚葉式処理部内の第１の処理ユニットにて前記被処
    理基板に紫外線を照射する工程と、 前記枚葉式処理部内の第２の処理ユニットにて前記被処
    理基板にＳＯＧを塗布 する工程と、 前記枚葉式処理部内の第３の処理ユニットにて前記被処
    理基板を第１の温度で熱処理する工程と、 前記バッチ式処理部にて前記被処理基板を前記第１の温
    度よりも高い第２の温度で熱処理する工程とを有する処
    理方法。
14. 【請求項１４】 被処理基板を複数枚収容可能なカセッ
    トを水平のＹ方向に複数個並べて載置可能に構成された
    カセットステーションと、前記カセットステーションか
    らＹ方向と直交する水平のＸ方向に延設された直線状の
    搬送路と、この搬送路の両側に沿って設けられ前記被処
    理基板に対して１枚ずつ所定の処理を施す処理ユニット
    を複数台備えた枚葉式処理部と、前記搬送路上をＸ方向
    に移動可能に設けられ、前記枚葉式処理部の各々の処理
    ユニットに対して１枚ずつ前記被処理基板を搬入出する
    第１の搬送機構と、前記搬送路の前記カセットステーシ
    ョン側と対向する側に設けられ、前記被処理基板に対し
    て複数枚同時に所定の処理を施すバッチ式処理部と、前
    記カセットステーションにＹ方向に移動可能に設けら
    れ、このカセットステーション上に載置されている各々
    の前記カセットに対して１枚ずつ前記被処理基板を搬入
    出する第２の搬送機構とを具備する処理システムにおけ
    る処理方法であって、 前記枚葉式処理部内の第１の処理ユニットにて前記被処
    理基板に紫外線を照射する工程と、 前記枚葉式処理部内の第２の処理ユニットにて前記被処
    理基板にＳＯＧを塗布する工程と、 前記枚葉式処理部内の第３の処理ユニットにて前記被処
    理基板を第１の温度で熱処理する工程と、 前記バッチ式処理部にて前記被処理基板を前記第１の温
    度よりも高い第２の温度で熱処理する工程とを有する処
    理方法。
15. 【請求項１５】 前記紫外線照射工程は、ＳＯＧを再度
    塗布する複数回塗布処理で行われる請求項１３または１
    ４の処理方法。
16. 【請求項１６】 請求項１〜９のいずれかの処理システ
    ムにおける処理方法であって、 前記第１の搬送機構が前記カセットステーションから未
    処理の前記被処理基板を１枚ずつ前記枚葉式処理部へ搬
    送する工程と、 前記第１の搬送機構が前記枚葉処理部内で複数の前記処
    理ユニットに前記被処理基板を所定の順序で搬入出する
    工程と、 前記第１の搬送機構が前記枚葉処理部内で処理の済んだ
    前記被処理基板を前記バッチ式処理部に搬送する工程
    と、 前記第１の搬送機構が前記バッチ式処理部で処理の済ん
    だ前記被処理基板を選択的に前記カセットステーション
    または前記枚葉式処理部のいずれかに搬送する工程とを
    有する処理方法。