JPH10115593A - 異物検査方法及びその装置 - Google Patents

異物検査方法及びその装置

Info

Publication number
JPH10115593A
JPH10115593A JP27231696A JP27231696A JPH10115593A JP H10115593 A JPH10115593 A JP H10115593A JP 27231696 A JP27231696 A JP 27231696A JP 27231696 A JP27231696 A JP 27231696A JP H10115593 A JPH10115593 A JP H10115593A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scattered light
foreign matter
wafer
light
inspected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27231696A
Other languages
English (en)
Inventor
Wataru Yamada
渉 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP27231696A priority Critical patent/JPH10115593A/ja
Publication of JPH10115593A publication Critical patent/JPH10115593A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、ウエハ表面の粗さや異物の大きさに
関わらず、異物による信号を抽出して高精度な異物検出
を行う。 【解決手段】ウエハ1にレーザビームLを照射し、この
ときにウエハ1の表面に生じた散乱光のうちウエハ1の
表面を構成する物質固有の波長を持つラマン散乱光成分
を分光フィルタ30により除去し、このラマン散乱光成
分の除去された散乱光を受光素子31により受光し、そ
の電気信号に基づいて演算制御回路33において異物の
存在位置及びその大きさを検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶基板上に存在する微細な異物を検出する異物検
査方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば膜付きの半導体ウエハ(以下、ウ
エハと省略する)に対する異物検査方法は、ウエハ表面
にレーザビームを照射し、かつこのレーザビームを走査
してウエハ表面の全面に照射する。
【0003】レーザビームをウエハ表面に照射すると、
このウエハ表面には散乱光が発生するので、この散乱光
を光検出器で検出する。この散乱光は、ウエハ表面に存
在する異物によって生じるが、ウエハ表面の粗さによる
凹凸形状によっても生じる。
【0004】ところで、ウエハ表面上にパターンを形成
する場合に問題となる異物の大きさは、一般にウエハ表
面に形成される膜表面の凹凸の大きさよりも大きく、か
つレーザビームを照射したときに生じる散乱光は、膜表
面の凹凸により生じたものに比べて異物によって生じた
ものの方がその強度が高い。
【0005】このような事から膜表面の凹凸により生じ
た散乱光強度と異物によって生じた散乱光強度との差を
利用して、閾値を設けることにより膜表面により生じた
散乱光と異物によって生じた散乱光とを区別し、異物の
大きさやその位置を検出している。
【0006】図5はかかる異物検査装置の構成図であっ
て、特開平7−313756号公報に記載されている技
術である。ウエハ1は、図6に示すようにRテーブル2
及びθテーブル3によってR方向(水平な一方向)に進
退自在で、かつθ方向に回転自在となっている。
【0007】このうちRテーブル2は、パルスモータ4
の回転軸にボール捩子5を連結し、このボール捩子5に
螺合してR方向に進退する直進テーブル6から構成され
ている。
【0008】又、θテーブル3は、Rテーブル2の直進
テーブル6上の支柱に設けられ、パルスモータ7と、こ
のパルスモータ7の回転軸に連結された回転テーブル8
とから構成されている。
【0009】ウエハ1の斜め上方には、レーザ発振器9
が配置され、このレーザ発振器9から出力されたレーザ
ビームLがビームエキスパンダ10、対物レンズ11を
通し、図6に示すようにウエハ1に対して鉛直方向に対
して略60°の斜め上方から照射される。
【0010】このとき、Rテーブル2及びθテーブル3
の各パルスモータ4、7が同期的に駆動することによ
り、ウエハ1はθ方向に回転しながらR方向に直進する
ので、レーザビームLは、ウエハ1に対して同心円状に
全面走査する。
【0011】このようにレーザビームLがウエハ1に照
射されると、その照射点では、ウエハ1表面に存在する
異物やウエハ表面の欠陥・傷、或いはウエハ1の下地等
によって散乱光が生じる。
【0012】この散乱光は、図7に示すように結像レン
ズ系12によって一部集光され、ラマン分光系13に入
射する。このラマン分光系13は、ウエハ表面に生じ散
乱光をレイリー散乱光とラマン散乱光とに分光し、この
うちレイリー散乱光を第1のセンサ14に導き、ラマン
散乱光を第2のセンサ15に導く。
【0013】一般に、レーザビームLなどの光を照射さ
れた異物から生じる散乱光は、レイリー散乱光(弾性散
乱光)とラマン散乱光(非弾性散乱光)とに分類され
る。このうちレイリー散乱光は、入射光が異物表面で光
学的に反射又は回折して生じる散乱光であり、吸収によ
るエネルギー損失を伴わないで、入射光と同一の波長成
分を持っている。このレイリー散乱光の光強度の絶対値
は、通常異物の大きさの2乗乃至6乗倍に比例する。
【0014】ラマン散乱光は、入射光と、入射された異
物表面の分子又は原子の熱振動中の横波モードとの相互
作用(すなわち、光学フォノンとの非弾性散乱)によっ
て生じる散乱光である。この相互作用の際のエネルギー
の授受によって波長シフト現象が生じる。この波長のシ
フト量は、各物質に固有のものであることが知られてい
る(約数十nm程度)。ラマン散乱光の光強度の絶対値
は、レイリー散乱光に比べて約10-4乃至10-3倍程度
の微弱なものとなっている。
【0015】第1のセンサ14は、レイリー散乱光の受
光量に応じた第1の検査信号を出力する。この第1の検
査信号は、増幅回路16、ノイズ除去回路17を通って
閾値比較回路18に送られる。
【0016】この閾値比較回路18は、第1の検査信号
と所定の閾値Vr とを比較し、第1の検査信号のピーク
点が所定の閾値Vr を越えたところを異物の存在すると
ころと判断し、その都度検出信号をスペクトル分析回路
19及び演算制御回路20に送出する。
【0017】一方、第2のセンサ15は、ラマン散乱光
の受光量に応じた第2の検査信号を出力する。この第2
の検査信号は、増幅回路21を通してスペクトル分析回
路19に送られる。
【0018】このスペクトル分析回路19は、閾値比較
回路18から出力される各検出信号によって付勢され、
これら検出信号の発生時刻における第2の検査信号をス
ペクトル分析し、それぞれの波長シフト量及び散乱光強
度の半値幅を求める。
【0019】演算制御回路20は、閾値比較回路18か
ら出力される各検出信号及びスペクトル分析回路19に
より求められた波長シフト量及び散乱光強度の半値幅に
基づいて種々処理を行い、異物の存在位置等を求める。
なお、演算制御回路20には、表示系22、入力系23
及び補助記憶装置24が接続されている。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記装
置では、異物による散乱光とウエハ1の膜表面による散
乱光とを所定の閾値を用いて分別しているので、検出す
べき異物の大きさと、その異物により生じる散乱光の強
度とを予め知らなければならない。
【0021】又、異物の大きさが同じであっても、その
異物を構成する物質が異なると、その散乱光の強度が変
わるので、閾値の設定が困難となる。さらに、異物の大
きさがウエハ1の膜表面の凹凸の大きさよりも小さい
と、異物によって生じる散乱光の強度が膜表面の凹凸に
より生じる散乱光の強度よりも小さくなり、閾値による
分別は困難となる。
【0022】そこで本発明は、被検査体表面の粗さや異
物の大きさに関わらず、異物による信号を抽出して高精
度な異物検出ができる異物検査方法及びその装置を提供
することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】請求項1によれば、被検
査体表面に検査光を照射し、被検査体表面に生じる散乱
光に基づいて被検査体表面に存在する異物を検出する異
物検査方法において、被検査体表面に生じる散乱光を波
長別に分光し、この分光された光の波長のうち異物に固
有の波長に基づいて異物を検出する異物検査方法であ
る。
【0024】請求項2によれば、請求項1記載の異物検
査方法において、被検査体表面に生じた散乱光のうち被
検査体表面を構成する物質固有の波長を持つラマン散乱
光成分を除去し、このラマン散乱光成分の除去された散
乱光に基づいて異物を検出する。
【0025】請求項3によれば、被検査体表面に検査光
を照射し、被検査体表面に生じる散乱光に基づいて被検
査体表面に存在する異物を検出する異物検査装置におい
て、被検査体表面に生じる散乱光を波長別に分光する分
光光学系と、この分光光学系により分光された光の波長
のうち異物に固有の波長の散乱光を受光する受光素子
と、この受光素子により光電変換された電気信号に基づ
いて異物の存在位置及び大きさを検出する演算制御手段
と、を備えた異物検査装置である。
【0026】請求項4によれば、請求項3記載の異物検
査装置において、分光光学系は、被検査体表面に生じた
散乱光のうち被検査体表面を構成する物質に固有の波長
を持つラマン散乱光成分を除去し、異物によるラマン散
乱光を抽出する。
【0027】このような異物検査方法及びその装置であ
れば、物質に光を照射したときに生じる散乱光には、そ
の物質に固有の波長を持つ被弾性散乱光(ラマン散乱
光)が含まれる。すなわち、単一の成分を持つ物質にレ
ーザビームを照射した場合、ラマン散乱光は一意に決定
するので、成分の異なる複数の物質に同時にレーザビー
ムを照射した場合、物質の種類に応じて異なる波長の散
乱光が生じる。
【0028】従って、被検査体表面に生じる散乱光を波
長別に分光、すなわち被検査体表面を構成する物質に固
有の波長を持つラマン散乱光成分を除去し、このラマン
散乱光成分の除去された散乱光に基づいて異物を検出す
る。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
について図面を参照して説明する。本発明の異物検査方
法は、被検査体、例えばウエハ表面に検査光としてレー
ザビームを照射し、ウエハ表面に生じる散乱光に基づい
てウエハ表面に存在する異物を検出する場合、ウエハ表
面に生じる散乱光を波長別に分光し、この分光された波
長のうち異物固有の波長に基づいて異物を検出する。
【0030】具体的には、ウエハ表面に生じた散乱光の
うちウエハ表面を構成する物質に固有の波長を持つラマ
ン散乱光成分を除去し、このラマン散乱光成分の除去さ
れた散乱光に基づいて異物を検出する。
【0031】図1はかかる異物検査方法を適用した異物
検査装置の構成図である。なお、図5と同一部分には同
一符号を付してある。ウエハ1は、図2に示すように走
査系としてのRテーブル2及びθテーブル3によってR
方向に進退自在で、かつθ方向に回転自在となってい
る。
【0032】このうちRテーブル2は、パルスモータ4
の回転に応動してR方向に進退する直進テーブル(一軸
テーブル)6から構成されている。又、θテーブル3
は、直進テーブル6上の支柱6aに設けられ、パルスモ
ータ7と、このパルスモータ7の回転軸に連結された回
転テーブル8とから構成されている。
【0033】一方、ウエハ1の斜め上方には、レーザ発
振器9が配置されている。このレーザ発振器9は、例え
ばAr+レーザ等のレーザビームLを出力するレーザ光
源である。なお、このレーザ発振器9は、例えば出力3
00mW、波長488nmに設定されている。
【0034】このレーザ発振器9から出力されるレーザ
ビームLの光路上には、投光系としてビームエキスパン
ダ10及び対物レンズ11が配置されている。このうち
ビームエキスパンダ10は、対物レンズ11の直前に配
置され、レーザビームLの径を例えば10倍乃至20倍
程度に拡大した平行光に変換して対物レンズ11に導く
ものである。
【0035】対物レンズ11は、レーザビームLを例え
ば10μm×1μmの略楕円形状に集光して、ウエハ1
上の所定の走査点を鉛直方向に対して略60°の斜め上
方から照射するものとなっている。
【0036】結像レンズ系12は、レーザビームLのウ
エハ1に対する照射方向に対して略垂直方向で、かつレ
ーザビームLの走査点に対して仰角略30°の方向に配
置され、ウエハ1にレーザビームLを照射したときに生
じる散乱光の一部を集光して、分光フィルタ30に導く
ものとなっている。
【0037】この分光フィルタ30は、ウエハ1表面に
生じる散乱光を波長別に分光する、すなわちウエハ1表
面に生じた散乱光のうちウエハ1表面を構成する物質固
有の波長を持つラマン散乱光成分を除去し、ウエハ1の
表面上に存在する異物によるラマン散乱光を抽出する作
用を有している。
【0038】具体的に分光フィルタ30は、トリプルポ
リクロメータ、ダブルポリクロメータ又はモノクロメー
タ等の分光器で構成され、入射光と同一波長の散乱光す
なわちレイリー散乱光を遮断し、ラマン散乱光のうちス
トークス光を抽出するものとなっている。このストーク
ス光の波長λs は、λs =488nm+ΔλかつΔλ>
0を満たすものとなっている。
【0039】受光素子31は、分光フィルタ30により
抽出された異物によるラマン散乱光を受光し、その光強
度に応じた電気信号に変換する機能を有している。この
受光素子31は、例えば光電子増倍管又はフォトダイオ
ード等の受光素子、電流・電圧変換回路等を組み合わせ
て構成されたデバイスである。
【0040】この受光素子31の出力端子には、増幅回
路32を介して演算制御回路33が接続されている。こ
の演算制御回路33は、受光素子31から出力された電
気信号を入力し、この電気信号のピークレベルに基づい
て異物の存在位置(R、θ)及び大きさを検出する機能
を有している。
【0041】この場合、異物の存在位置は、走査系の各
パルスモータ4、7に供給する各パルス信号を計数する
ことによってウエハ1上のレーザビームLの走査点の位
置(R、θ)から求める。
【0042】又、異物の存在位置は、回転ステージ8の
移動量、すなわちRテーブル2とθテーブル3の各変位
をこれらRテーブル2とθテーブル3とにそれぞれ備え
られた各変位センサにより検出し、この回転ステージ8
の移動量と受光素子31の出力信号との時間軸を等しく
して比較することにより求められる。
【0043】異物の大きさは、電気信号のピークレベル
と複数の閾値Vr1、Vr2、Vr3、…(Vr1<Vr2<Vr3
<…)とを比較することにより求める。なお、演算制御
回路33には、検査結果等を表示するためのCRTディ
スプレイ等の表示系22、検査等の条件を入力するため
のコンソール等の入力系23及び演算制御プログラムや
検査結果等を記憶するためのディスク装置等の補助記憶
装置24が接続されている。
【0044】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。レーザ発振器9からレーザビームLが出
力されると、このレーザビームLは、ビームエキスパン
ダ10によりそのビーム径が例えば10倍乃至20倍程
度に拡大された平行光に変換され、次の対物レンズ11
により例えば10μm×1μmの略楕円形状に集光され
て、ウエハ1に対し鉛直方向に対して略60°の斜め上
方から照射される。
【0045】このとき、Rテーブル2及びθテーブル3
の各パルスモータ4、7は、演算制御回路33からの各
駆動制御信号を受けて同期的に駆動する。これらパルス
モータ4、7の駆動によりウエハ1は、θ方向に回転し
ながらR方向に直進する。これにより、レーザビームL
は、ウエハ1に対して同心円状に全面走査する。
【0046】このようにレーザビームLがウエハ1に照
射されると、その照射点では、ウエハ1表面に存在する
異物やウエハ表面の欠陥・傷、或いはウエハ1の下地等
によって散乱光が生じる。
【0047】この散乱光は、結像レンズ系12によって
一部集光され、分光フィルタ30に入射する。この分光
フィルタ30は、結像レンズ系12によって一部集光さ
れた散乱光のうちウエハ1表面を構成する物質固有の波
長を持つラマン散乱光成分を除去し、ウエハ1の表面上
に存在する異物によるラマン散乱光のうちストークス光
を抽出する。
【0048】受光素子31は、分光フィルタ30により
抽出された異物によるラマン散乱光を受光し、その光強
度に応じた電気信号に変換して出力する。例えば、図3
に示すようにウエハ1の膜表面1a上に微細な各異物
A、B、すなわち膜表面1aの凹凸よりも小さな異物A
及び大きな異物Bが存在する場合、レーザビームLが走
査されると、これら膜表面1a、異物A及び異物Bによ
りそれぞり散乱光が生じる。
【0049】これら散乱光の波長は、それぞれ膜表面1
a、異物A、異物Bを構成する物質固有の波長となって
いる。これら散乱光は、結像レンズ系12によって一部
集光され、分光フィルタ30に入射し、この分光フィル
タ30により膜表面1aを構成する物質固有の波長を持
つラマン散乱光成分が除去され、各異物A、Bによるラ
マン散乱光のうちストークス光が抽出される。
【0050】受光素子31は、これら異物A、Bによる
ラマン散乱光を受光し、その光強度に応じた電気信号に
変換して出力する。図4(a) は分光フィルタ30を透過
しない場合の散乱光を受光したときの受光素子31の出
力信号を示しており、膜表面1aにより生じた散乱光に
よる出力信号、異物Aにより生じた散乱光による出力信
号、異物Bにより生じた散乱光による出力信号が現れて
いる。
【0051】一方、同図(b) は分光フィルタ30を透過
した場合の散乱光を受光したときの受光素子31の出力
信号を示しており、膜表面1aにより生じた散乱光が除
去され、各異物A及び異物Bによりそれぞれ生じた散乱
光による各出力信号のみが現れている。
【0052】従って、ウエハ1の膜表面1a上に、この
膜表面1aを構成する物質以外の異物が存在しなければ
受光素子31に出力レベルはなく、一方、各異物A、B
が存在する場合に受光素子31に出力レベルが現れる。
【0053】このような受光素子31の出力信号は、増
幅回路32により増幅されて演算制御回路33に送られ
る。この演算制御回路33は、受光素子31から出力さ
れた電気信号を入力し、この電気信号のピークレベルに
基づき、走査系の各パルスモータ4、7に供給する各パ
ルス信号を計数してウエハ1上のレーザビームLの走査
点の位置(R、θ)から各異物A、Bの存在位置を求め
る。
【0054】又、これら異物A、Bの存在位置(R、
θ)は、上記の如くRテーブル2とθテーブル3の各変
位を検出して回転ステージ8の移動量を求め、この回転
ステージ8の移動量と受光素子31の出力信号との時間
軸を等しくして比較することにより求められる。
【0055】これと共に演算制御回路33は、電気信号
のピークレベルと複数の閾値Vr1、Vr2、Vr3、…とを
それぞれ比較することにより各異物A、Bの大きさを検
出する。
【0056】なお、これら異物A、Bの存在位置(R、
θ)及びその大きさは、演算制御回路33によりCRT
ディスプレイ等の表示系22に表示され、ディスク装置
等の補助記憶装置24に記憶される。
【0057】このように上記一実施の形態においては、
ウエハ1の表面に生じた散乱光のうちウエハ1の表面を
構成する物質固有の波長を持つラマン散乱光成分を除去
し、このラマン散乱光成分の除去された散乱光に基づい
て異物を検出するようにしたので、ウエハ1の膜表面1
aの粗さ(凹凸)や異物A、Bの大きさに関わらず、す
なわち膜表面1aの凹凸形状よりも大きい異物Aや小さ
な異物Bであっても、これら異物A、Bによる信号のみ
を抽出して、これら異物A、Bの存在位置及びその大き
さを求めて高精度な異物検出ができる。
【0058】すなわち、各異物A、Bを検出する際のノ
イズ成分となるウエハ1の膜表面1からの散乱光を除去
することで、ウエハ1の膜表面1aの粗さに関わらず、
任意の大きさの異物A、Bを精度高く検出できる。
【0059】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく次の通り変形してもよい。例えば、レ
ーザ発振器9は、Ar+レーザに限らず、He−Neレ
ーザ、Krレーザ、半導体レーザ、赤外や紫外のパルス
レーザなどのラマン散乱光を得ることができるレーザで
あればよい。
【0060】又、レーザビームLのウエハ1への入射角
は、60°に限らず、ラマン散乱光の得られる角度であ
ればよい。又、特定の物質の異物により生じる散乱光の
波長のみを分光フィルタ30で抽出すれば、その特定の
物質の異物のみの存在位置及びその大きさを検出するこ
とができる。
【0061】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、被
検査体表面の粗さや異物の大きさに関わらず、異物によ
る信号を抽出して高精度な異物検出ができる異物検査方
法及びその装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる異物検査装置の第1の実施の形
態を示す構成図。
【図2】ウエハに対するレーザビームの照射を示す図。
【図3】異物の存在するウエハ表面に対するレーザビー
ムの照射を示す図。
【図4】膜表面と各異物により生じた散乱光による出力
信号を示す図。
【図5】従来の異物検査装置の構成図。
【図6】ウエハに対するレーザビームの照射を示す図。
【図7】ウエハ表面に生じる散乱光を示す図。
【符号の説明】
1…ウエハ、 2…Rテーブル、 3…θテーブル、 9…レーザ発振器、 10…ビームエキスパンダ、 11…対物レンズ、 12…結像レンズ系、 30…分光フィルタ、 31…受光素子、 33…演算制御回路。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被検査体表面に検査光を照射し、前記被
    検査体表面に生じる散乱光に基づいて前記被検査体表面
    に存在する異物を検出する異物検査方法において、 前記被検査体表面に生じる散乱光を波長別に分光し、こ
    の分光された光の波長のうち前記異物に固有の波長に基
    づいて前記異物を検出することを特徴とする異物検査方
    法。
  2. 【請求項2】 前記被検査体表面に生じた散乱光のうち
    前記被検査体表面を構成する物質に固有の波長を持つラ
    マン散乱光成分を除去し、このラマン散乱光成分の除去
    された散乱光に基づいて前記異物を検出することを特徴
    とする請求項1記載の異物検査方法。
  3. 【請求項3】 被検査体表面に検査光を照射し、前記被
    検査体表面に生じる散乱光に基づいて前記被検査体表面
    に存在する異物を検出する異物検査装置において、 前記被検査体表面に生じる散乱光を波長別に分光する分
    光光学系と、 この分光光学系により分光された光の波長のうち前記異
    物に固有の波長の散乱光を受光する受光素子と、 この受光素子により光電変換された電気信号に基づいて
    前記異物の存在位置及び大きさを検出する演算制御手段
    と、を具備したことを特徴とする異物検査装置。
  4. 【請求項4】 前記分光光学系は、前記被検査体表面に
    生じた散乱光のうち前記被検査体表面を構成する物質に
    固有の波長を持つラマン散乱光成分を除去し、前記異物
    によるラマン散乱光を抽出することを特徴とする請求項
    3記載の異物検査装置。
JP27231696A 1996-10-15 1996-10-15 異物検査方法及びその装置 Pending JPH10115593A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27231696A JPH10115593A (ja) 1996-10-15 1996-10-15 異物検査方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27231696A JPH10115593A (ja) 1996-10-15 1996-10-15 異物検査方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10115593A true JPH10115593A (ja) 1998-05-06

Family

ID=17512191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27231696A Pending JPH10115593A (ja) 1996-10-15 1996-10-15 異物検査方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10115593A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004325346A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ピンホール検出方法及びメンブレインエレクトロードアッセンブリの生産方法
JP2007173786A (ja) * 2005-12-16 2007-07-05 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
WO2018135487A1 (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 東京エレクトロン株式会社 異物検出装置、異物検出方法及び記憶媒体

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004325346A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ピンホール検出方法及びメンブレインエレクトロードアッセンブリの生産方法
JP4583722B2 (ja) * 2003-04-25 2010-11-17 パナソニック株式会社 ピンホール検出方法及びメンブレインエレクトロードアッセンブリの生産方法
JP2007173786A (ja) * 2005-12-16 2007-07-05 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
WO2018135487A1 (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 東京エレクトロン株式会社 異物検出装置、異物検出方法及び記憶媒体
CN110178018A (zh) * 2017-01-20 2019-08-27 东京毅力科创株式会社 异物检测装置、异物检测方法和存储介质
KR20190108571A (ko) * 2017-01-20 2019-09-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 이물 검출 장치, 이물 검출 방법 및 기억 매체
JPWO2018135487A1 (ja) * 2017-01-20 2019-12-19 東京エレクトロン株式会社 異物検出装置、異物検出方法及び記憶媒体
US11048016B2 (en) 2017-01-20 2021-06-29 Tokyo Electron Limited Foreign substance detection device, foreign substance detection method and recording medium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4505586A (en) Laser Raman spectrophotometry system and adjustment thereof
EP3549160B1 (en) Activation of wafer particle defects for spectroscopic composition analysis
US5541413A (en) Acousto-optic tunable filter-based surface scanning system and process
US8125637B2 (en) Optical beam spectrometer with movable lens
US20080068593A1 (en) Method and apparatus for detecting defects
JP2000283841A (ja) 光スペクトル分析装置における波長校正方法およびその装置
US6208750B1 (en) Method for detecting particles using illumination with several wavelengths
US11138722B2 (en) Differential imaging for single-path optical wafer inspection
JP2006194812A (ja) 分光蛍光光度計
JPH06313756A (ja) 異物検査分析装置及び異物検査分析方法
JPH10115593A (ja) 異物検査方法及びその装置
JP3316012B2 (ja) 顕微ラマン分光光度計を用いた温度測定装置
JPH0595035A (ja) 分析装置
JPH08500432A (ja) 音響−光学的に調和可能なフィルタを基礎とする表面走査装置及びその方法
JPH01102342A (ja) 蛍光顕微分光装置
JP2002005835A (ja) ラマン分光測定装置及びそれを用いた生体試料分析方法
JP5206322B2 (ja) 分光光度計
Deffontaine et al. The third generation of multichannel Raman spectrometers
JPH08327550A (ja) ラマン分光測定装置
US9157866B2 (en) Light source device, surface inspecting apparatus using the device, and method for calibrating surface inspecting apparatus using the device
CN110398486B (zh) 一种光斑可移动的差分拉曼光谱检测装置及检测方法
JPH05142156A (ja) 異物検査装置
JPH063271A (ja) 分光分析装置
JPH05312712A (ja) 微細粒子測定方法及び微細粒子測定装置
JP2022039136A (ja) 凹凸欠陥の検出方法および検出装置