TW202208823A - 異物檢測裝置、基板處理裝置、及異物檢測裝置的動作確認方法 - Google Patents

異物檢測裝置、基板處理裝置、及異物檢測裝置的動作確認方法 Download PDF

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Abstract

本發明的課題係實現可進行異物檢測動作是否正常進行的確認。 解決手段的異物檢測裝置，係以檢測出基板處理用的處理液所包含的異物之方式構成的異物檢測裝置。該異物檢測裝置，係具備形成流通被供給至基板之處理液的處理液流道的處理液流道形成部、形成流通與處理液不同之檢查液的檢查液流道的檢查液流道形成部、以朝向處理液流道及檢查液流道，分別照射來自光源的照射光之方式構成的照射部、及以對藉由照射光的照射從處理液流道射出的光線，與藉由照射光的照射從檢查液流道射出的光線分別進行受光之方式構成的受光部。

Description

異物檢測裝置、基板處理裝置、及異物檢測裝置的動作確認方法
本發明係關於異物檢測裝置、基板處理裝置、及異物檢測裝置的動作確認方法。
於專利文獻1揭示作為不溶解物存在於流體中的次微米粒子的檢測裝置。該檢測裝置係藉由對來自同調光源的光線進行聚光的光學系、配置於利用該光學系聚光之光束的焦點的附近，且內部包含微粒子之流體的流向通過的單元、在光束的光路徑上且對於單元配置在光束的光源相反側的光檢測器、根據來自該光檢測器的電性訊號，測量流體中之微粒子的個數的電性電路所構成。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平5-215664號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明係提供可確認異物檢測動作是否正常進行的異物檢測裝置、基板處理裝置、及異物檢測裝置的動作確認方法。 [用以解決課題之手段]
一種例示性之實施形態的異物檢測裝置，係以檢測出基板處理用的處理液所包含的異物之方式構成的異物檢測裝置。該異物檢測裝置，係具備形成流通被供給至基板之處理液的處理液流道的處理液流道形成部、形成流通與處理液不同之檢查液的檢查液流道的檢查液流道形成部、以朝向處理液流道及檢查液流道，分別照射來自光源的照射光之方式構成的照射部、及以對藉由照射光的照射從處理液流道射出的光線，與藉由照射光的照射從檢查液流道射出的光線分別進行受光之方式構成的受光部。 [發明的效果]
依據本發明，提供可確認異物檢測動作是否正常進行的異物檢測裝置、基板處理裝置、及異物檢測裝置的動作確認方法。
以下，針對各種例示性實施形態進行說明。
一種例示性之實施形態的異物檢測裝置，係以檢測出基板處理用的處理液所包含的異物之方式構成的異物檢測裝置。該異物檢測裝置，係具備形成流通被供給至基板之處理液的處理液流道的處理液流道形成部、形成流通與處理液不同之檢查液的檢查液流道的檢查液流道形成部、以朝向處理液流道及檢查液流道，分別照射來自光源的照射光之方式構成的照射部、及以對藉由照射光的照射從處理液流道射出的光線，與藉由照射光的照射從檢查液流道射出的光線分別進行受光之方式構成的受光部。
在該異物檢測裝置中，除了對藉由照射光的照射從處理液流道射出的光線之外，也對藉由照射光的照射從檢查液流道射出的光線進行受光。因此，關於進行依據來自處理液流道之光線的異物檢測，可依據來自檢查液流道的光線，進行檢測動作的確認。所以，可確認異物檢測動作是否正常進行。
從處理液流道射出的光線，係作為照射光在處理液流道內散射的光線亦可，從檢查液流道射出的光線，係作為照射光在檢查液流道內散射的光線亦可。此時，處理液或檢查液內之有無異物所致之檢測光的強度差較大，所以，可更確實進行異物檢測。
處理液流道與檢查液流道，係以沿著第1方向延伸之方式形成，且沿著與第1方向正交的第2方向並排配置亦可。前述異物檢測裝置，係更具備以沿著第2方向，使照射部與受光部移動之方式構成的驅動部亦可。此時，可在處理液流道與檢查液流道中共用化對流道照射照射光的照射部與對來自流道的光線進行受光的受光部。
照射部，係具有以利用改變來自光源的照射光的方向，朝向處理液流道及檢查液流道，分別照射照射光之方式構成的光學構件亦可。驅動部，係以沿著第2方向，使光學構件移動之方式構成亦可。此時，不需要移動照射光的光源，所以，可讓驅動部簡便化。
於第2方向中，光源、處理液流道、及檢查液流道係以該順序配置亦可。此時，起因於設置檢查液流道，對於處理液流道之照射光的光路不會變化。所以，可抑制檢查液流道所致之對異物檢測的精度的影響。
異物檢測裝置，係更可具備以在並未藉由照射部對處理液流道照射照射光時，使照射部與受光部移動至第2方向中預先訂定的待機位置之方式控制驅動部的控制部。檢查液流道，係被配置於來自配置於待機位置之照射部的照射光可照射的位置亦可。在該構造中，從未對處理液流道照射照射光之狀態轉移至異物檢測動作的確認時，可縮短為了確認動作的設定時間。
異物檢測裝置，係更可具備以於對基板供給處理液之期間的至少一部分中，對處理液流道照射照射光之方式控制驅動部，且以於未對基板供給處理液之期間的至少一部分中，對檢查液流道照射照射光之方式控制驅動部的控制部。此時，在未對基板供給處理液時，可抑制來自光源的照射光所致之對處理液流道的影響。
一種例示性實施形態的基板處理裝置，係具備具有吐出基板處理用之處理液的噴嘴，與對前述噴嘴供給處理液的供給部的處理液供給單元，與以於供給部中檢測出從噴嘴朝向基板吐出之處理液所包含的異物之方式構成的異物檢測單元。異物檢測單元，係具備形成流通處理液的處理液流道的處理液流道形成部、形成流通與處理液不同之檢查液的檢查液流道的檢查液流道形成部、以朝向處理液流道及檢查液流道，分別照射來自光源的照射光之方式構成的照射部、及以對藉由照射光的照射從處理液流道射出的光線，與藉由照射光的照射從檢查液流道射出的光線分別進行受光之方式構成的受光部。此時，與上述的異物檢測裝置同樣地，可確認異物檢測動作是否正常進行。
一種例示性實施形態之異物檢測裝置的動作確認方法，係以檢測出基板處理用的處理液所包含的異物之方式構成之異物檢測裝置的動作確認方法。該動作確認方法，係包含在不同於流通被供給至基板之處理液的處理液流道的檢查液流道內，充滿不同於處理液的檢查液之狀態下，對該檢查液流道內照射來自光源的照射光的步驟，與對藉由照射光從檢查液流道射出的光線進行受光的步驟。此時，與上述的異物檢測裝置同樣地，可確認異物檢測動作是否正常進行。
對充滿檢查液的檢查液流道內照射照射光的步驟，係包含在檢查液流通於檢查液流道內之狀態下對該檢查液流道內照射照射光的步驟亦可。此時，可抑制起因於檢查液停留於檢查液流道內，檢查液流道內被污染之狀況。
對充滿檢查液的檢查液流道內照射照射光的步驟，係包含對充滿包含基準粒子之懸浮液的檢查液流道內照射照射光的步驟亦可。此時，利用檢測出基準粒子所致之檢測光的強度的變化，可確認異物的檢測功能。
以下，參照圖面針對一實施形態進行說明。於說明中，對於具有相同要素或相同功能的要素附加相同符號，省略重複的說明。於一部分的圖式揭示藉由X軸、Y軸及Z軸規定的正交座標系。在以下的實施形態中，Z軸對應垂直方向，X軸及Y軸對應水平方向。
[基板處理系統] 圖1所示的基板處理系統1(基板處理裝置)係對於工件W，施加感光性被膜的形成、該感光性被膜的曝光、及該感光性被膜的顯影的系統。處理對象的工件W係例如基板，或利用施加所定處理，形成膜或電路等之狀態的基板。工件W所包含的基板係作為一例，為包含矽的晶圓。工件W(基板)係形成為圓形亦可。處理對象的工件W係作為玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)等亦可，作為對該等基板等施加所定處理所得之中間體亦可。感光性被膜係例如光阻膜。
基板處理系統1係具備塗布顯影裝置2與曝光裝置3。曝光裝置3係對形成於工件W(基板)上的光阻膜(感光性被膜)進行曝光的裝置。具體來說，曝光裝置3係藉由液浸曝光等的方法，對光阻膜的曝光對象部分照射能量射線。塗布顯影裝置2係在曝光裝置3所致之曝光處理之前，進行於工件W的表面塗布光阻劑(藥液)以形成光阻膜的處理，在曝光處理之後進行光阻膜的顯影處理。
(基板處理裝置) 首先，作為基板處理裝置之一例，說明塗布顯影裝置2的構造。如圖1及圖2所示，塗布顯影裝置2係具備載具區4、處理區5、介面區6、控制裝置18。
載具區4係進行塗布顯影裝置2內之工件W的導入及從塗布顯影裝置2內之工件W的導出。例如載具區4係可支持工件W用的複數載具C，內藏交接臂的搬送裝置A1。載具C係例如收容圓形的複數片工件W。搬送裝置A1係從載具C取出工件W並交給處理區5，從處理區5接收工件W並交回載具C內。處理區5係具有複數處理模組11、12、13、14。
處理模組11係內藏液處理單元U1、熱處理單元U2、將工件W搬送至該等單元的搬送裝置A3。處理模組11係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2、於工件W的表面上形成下層膜。液處理單元U1係將下層膜形成用的處理液塗布於工件W上。熱處理單元U2係進行伴隨下層膜的形成之各種熱處理。
處理模組12係內藏液處理單元U1、熱處理單元U2、將工件W搬送至該等單元的搬送裝置A3。處理模組12係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，於下層膜上形成光阻膜。液處理單元U1係作為光阻膜形成用的處理液(光阻劑)塗布於下層膜上。熱處理單元U2係進行伴隨光阻膜的形成之各種熱處理。
處理模組13係內藏液處理單元U1、熱處理單元U2、將工件W搬送至該等單元的搬送裝置A3。處理模組13係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，於光阻膜上形成上層膜。液處理單元U1係將上層膜形成用的液體，塗布於光阻膜上。熱處理單元U2係進行伴隨上層膜的形成之各種熱處理。
處理模組14係內藏液處理單元U1、熱處理單元U2、將工件W搬送至該等單元的搬送裝置A3。處理模組14係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，進行施加曝光處理之光阻膜的顯影處理及伴隨顯影處理的熱處理。液處理單元U1係利用在於已曝光之工件W的表面上塗布顯影液之後，藉由清洗液來清洗其，進行光阻膜的顯影處理。熱處理單元U2係進行伴隨顯影處理的各種熱處理。作為熱處理的具體例，可舉出顯影處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯影處理後的加熱處理(PB：Post Bake)等。
於處理區5內之載具區4側設置有料架單元U10。料架單元U10係被區隔成並排於上下方向的複數格。於料架單元U10的附近設置有包含升降臂部的搬送裝置A7。搬送裝置A7係在料架單元U10的格子彼此之間升降工件W。
於處理區5內之介面區6側設置有料架單元U11。料架單元U11係被區隔成並排於上下方向的複數格。
介面區6係在與曝光裝置3之間進行工件W的交接。例如介面區6係內藏包含交接臂的搬送裝置A8，連接於曝光裝置3。搬送裝置A8係將配置於料架單元U11的工件W交給曝光裝置3。搬送裝置A8係從曝光裝置3接收工件W並送回至料架單元U11。
控制裝置18係例如以利用下的程序來執行塗布顯影處理之方式控制塗布顯影裝置2。首先，控制裝置18係以將載具C內的工件W搬送至料架單元U10之方式控制搬送裝置A1，且以將該工件W配置於處理模組11用的格子之方式控制搬送裝置A7。
接著，控制裝置18係以將料架單元U10的工件W搬送至處理模組11內的液處理單元U1及熱處理單元U2之方式控制搬送裝置A3。又，控制裝置18係以於該工件W的表面上形成下層膜之方式控制液處理單元U1及熱處理單元U2。之後，控制裝置18係以將形成了下層膜的工件W送回至料架單元U10之方式控制搬送裝置A3，且以將該工件W配置於處理模組12用的格子之方式控制搬送裝置A7。
接著，控制裝置18係以將料架單元U10的工件W搬送至處理模組12內的液處理單元U1及熱處理單元U2之方式控制搬送裝置A3。又，控制裝置18係以對於該工件W的表面形成光阻膜之方式控制液處理單元U1及熱處理單元U2。之後，控制裝置18係以將工件W送回至料架單元U10之方式控制搬送裝置A3，且以將該工件W配置於處理模組13用的格子之方式控制搬送裝置A7。
接著，控制裝置18係以將料架單元U10的工件W搬送至處理模組13內的各單元之方式控制搬送裝置A3。又，控制裝置18係以於該工件W的光阻膜上形成上層膜之方式控制液處理單元U1及熱處理單元U2。之後，控制裝置18係以將工件W搬送至料架單元U11之方式控制搬送裝置A3。
接著，控制裝置18係以將被料架單元U11收容的工件W送出至曝光裝置3之方式控制搬送裝置A8。之後，控制裝置18係以從曝光裝置3接收被施加曝光處理的工件W，並配置於料架單元U11之處理模組14用的格子之方式控制搬送裝置A8。
接著，控制裝置18係以將料架單元U11的工件W搬送至處理模組14內的各單元之方式控制搬送裝置A3，以對該工件W的光阻膜施加顯影處理之方式控制液處理單元U1及熱處理單元U2。之後，控制裝置18係以將工件W送回至料架單元U10之方式控制搬送裝置A3，且以將該工件W送回載具C內之方式控制搬送裝置A7及搬送裝置A1。藉由以上內容，結束塗布顯影處理。
(液處理單元) 接下來，參照圖3及圖4，針對液處理單元U1之一例進行說明。在此，以形成光阻膜的處理模組12之液處理單元U1(處理液供給單元)為例進行說明。液處理單元U1係如圖3所示，具有旋轉保持部20與處理液供給部30。
旋轉保持部20係依據控制裝置18的動作指示，保持工件W並使其旋轉。旋轉保持部20係例如具有保持部22與旋轉驅動部24。保持部22係支持表面Wa朝上被水平地配置之工件W的中心部，藉由例如真空吸附等保持該工件W。旋轉驅動部24係例如以電動馬達等作為動力源的致動器，使保持部22繞垂直的軸線Ax旋轉。藉此，讓保持部22上的工件W旋轉。
處理液供給部30係利用依據控制裝置18的動作指示，朝向工件W的表面Wa吐出處理液，對該表面Wa供給處理液。藉由處理液供給部30供給的處理液係對於工件W的處理所用之基板處理用的溶液。作為處理液的一種，可舉出光阻膜的形成所用之溶液(光阻劑)、及提升對於光阻劑之表面Wa的濕潤性的預濕處理所用之溶液(例如稀釋劑)。處理液供給部30係例如具有複數噴嘴32、保持頭34、供給部36。
複數噴嘴32係對被保持部22保持之工件W的表面Wa分別吐出處理液。複數噴嘴32係例如在被保持頭34保持之狀態下配置於工件W的上方，朝下方個別吐出處理液。保持頭34係構成為可藉由未圖示的驅動部，沿著工件W的表面Wa的方向移動亦可。複數噴嘴32的個數並未被限定，但是，在以下，以處理液供給部30具有12個噴嘴32(以下稱為「噴嘴32A～32L」)為例進行說明。
對各噴嘴32A～32L從供給部36供給處理液。對於噴嘴32A～32L，從供給部36供給相互不同種類的處理液亦可。作為一例，對噴嘴32A～32J從供給部36分別供給相互不同種類的光阻劑，對噴嘴32K、32L從供給部36分別供給相互不同種類的稀釋劑。
如圖4所示，供給部36係包含複數供給管42A～42L，與複數供給源44A～44L。供給管42A係形成供給至噴嘴32A(從噴嘴32A吐出)之處理液的液源即供給源44A與噴嘴32A之間的流道。供給源44係例如包含貯留處理液的液瓶，與從該液瓶朝向噴嘴32A壓送處理液的泵。供給管42B～42L也與供給管42A同樣地，分別形成處理液的液源即供給源44B～44L與噴嘴32B～32L之間的流道。
供給部36係進而包含分別設置於複數供給管42A～42L的複數開閉閥V。開閉閥V係依據控制裝置18的動作指示，切換成開狀態或閉狀態。利用切換複數開閉閥V的開閉狀態，分別開閉供給管42A～42L的流道。例如，開閉閥V成為開狀態時，於供給管42A～42L的流道內會流通處理液，處理液從噴嘴32A～32L吐出至工件W的表面Wa。
(異物檢測單元) 塗布顯影裝置2係更具備以檢測出供給至工件W的處理液所包含的異物(粒子)之方式構成的異物檢測單元50(異物檢測裝置)。異物檢測單元50係例如以分別檢測出流通於複數供給管42A～42L的流道之處理液內的異物之方式構成。異物檢測單元50係配置於液處理單元U1的附近亦可，配置於液處理單元U1的框體內亦可。異物檢測單元50的一部分的要素係設置於供給管42A～42L之流道上的開閉閥V與噴嘴32A～32L之間亦可。以下，參照圖5～圖11，針對異物檢測單元50之一例進行說明。
異物檢測單元50係形成分別流通流動於供給管42A～42L的處理液的流道(以下稱為「處理液流道」)。異物檢測單元50係利用對於對處理液流道照射照射光(例如雷射光)所產生之光線進行受光，檢測流通於處理液流道的處理液內的異物。如圖5所示，異物檢測單元50係例如具有框體52、流道形成部60、測定部70。框體52係包含上壁54a、底壁54b、側壁56a～56d。作為一例，上壁54a及底壁54b係分別水平地(沿著X-Y平面)配置。又，側壁56a、56b係分別沿著Y軸方向垂直地(沿著Y-Z平面)配置，於X軸方向(第1方向)中對向。又，側壁56c、56d係分別沿著X軸方向垂直地(沿著X-Z平面)配置，於Y軸方向(第2方向)中對向。框體52係收容流道形成部60及測定部70。
流道形成部60係形成分別設置於供給管42A～42L之流道上的複數處理液流道。流道形成部60所形成之複數處理液流道個別係用於為了檢測出流通於該處理液流道的處理液所包含之異物。流道形成部60係例如圖6所示般，具有複數處理液流道形成部62A～62L。複數處理液流道形成部62A～62L係相互同樣地構成。以下，以處理液流道形成部62A為例，針對處理液流道形成部進行詳細說明。
如圖5所示，處理液流道形成部62A係於連接供給源44A與噴嘴32A之供給管42A的流道上形成處理液流道64(也參照圖4)。處理液流道64的上游側及下游側的端部連接於供給管42A。藉此，從供給源44A壓送的處理液係依序通過供給管42A的流道的一部分、處理液流道形成部62A的處理液流道64、及供給管42A的流道之剩下的一部分，從噴嘴32A吐出至工件W的表面Wa。
處理液流道形成部62A係例如包含於內部形成處理液流道64的區段本體66。區段本體66係藉由可透射異物檢測時所用之雷射光的材料來構成。作為構成區段本體66的材料，例如可舉出石英及藍寶石。區段本體66係形成為直方體狀亦可，區段本體66的一面與側壁56a對向亦可。作為一例，於區段本體66中與側壁56a對向之面，形成處理液流道64的流入口64a及流出口64b。流入口64a係位於流出口64b的下方。
處理液流道64係例如包含第1流道68a、第2流道68b、第3流道68c。第1流道68a係以沿著底壁54b延伸於水平方向(圖式中為沿著X軸方向)之方式形成。接近第1流道68a的側壁56a之一端係構成流入口64a，接近第1流道68a的側壁56b之另一端係連接於第2流道68b。第2流道68b係以於垂直方向中沿著側壁56a(沿著Z軸方向)延伸之方式形成。接近第2流道68b的底壁54b之一端係連接於第1流道68a，接近第2流道68b的上壁54a之另一端係連接於第3流道68c。第3流道68c係以沿著底壁54b延伸於水平方向(沿著X軸方向)之方式形成。接近第3流道68c的側壁56b之一端係連接於第2流道68b，接近第3流道68c的側壁56a之另一端係構成流出口64b。
於流入口64a，連接供給管42A中比處理液流道形成部62A更靠上游側的供給管(以下稱為「上游側供給管46」)。於流出口64b，連接供給管42A中比處理液流道形成部62A更靠下游側的供給管(以下稱為「下游側供給管48」)。上游側供給管46及下游側供給管48係貫通區段本體66所對向之側壁56a。藉由以上的構造，從供給源44A送出的處理液係依序通過上游側供給管46、第1流道68a、第2流道68b、第3流道68c、及下游側供給管48，從噴嘴32A供給至工件W。
如上所述般，圖6所示之處理液流道形成部62A～62L係相互同樣地構成。所以，處理液流道形成部62B～62L係與處理液流道形成部62A同樣地，分別包含於內部形成處理液流道64的區段本體66。處理液流道形成部62B～62L個別的處理液流道64係包含第1流道68a、第2流道68b、第3流道68c。於處理液流道形成部62B～62L的流入口64a(第1流道68a)，分別連接供給管42B～42L的上游側供給管46。於處理液流道形成部62B～62L的流出口64b(第3流道68c)，分別連接供給管42B～42L的下游側供給管48。
流道形成部60係除了處理液流道形成部62A～62L之外，更具有形成用以進行異物檢測單元50的動作確認之流道(以下稱為「檢查液流道」)的檢查液流道形成部63。檢查液流道形成部63係例如圖7所示般，與處理液流道形成部62A同樣地構成亦可。檢查液流道形成部63係例如包含於內部形成檢查液流道65的區段本體67。區段本體67係與區段本體66同樣地構成。
檢查液流道形成部63的檢查液流道65係包含第1流道69a、第2流道69b、第3流道69c。第1流道69a、第2流道69b、第3流道69c係與處理液流道64的第1流道68a、第2流道68b及第3流道68c分別同樣地構成。與處理液流道形成部62A～62L不同，於檢查液流道65的流入口65a(接近第1流道69a的側壁56a之一端)及流出口65b(接近第3流道69c的側壁56a之另一端)，並未連接流通處理液的供給管。例如，流入口65a係透過上游側連接管97開口於框體52的外部，流出口65b係透過下游側連接管98開口於框體52的外部。利用將與處理液不同之動作確認用的溶液(以下稱為「檢查液」)流通於檢查液流道，進行異物檢測單元50的動作確認。關於異物檢測單元50的動作確認於後敘述。
處理液流道形成部62A～62L及檢查液流道形成部63係在分別對向於側壁56a之狀態下，沿著從側壁56d朝向側壁56c的方向(沿著Y軸方向)並排排列。處理液流道形成部62A～62L及檢查液流道形成部63係在相互具有間隔之狀態下以該順序排列亦可。處理液流道形成部62A～62L的第1流道68a的高度位置(Z軸方向之位置)相互大略一致亦可。檢查液流道形成部63的第1流道69a的高度位置與第1流道68a的高度位置大略一致亦可。
處理液流道形成部62A～62L的自第2流道68b的側壁56a起的距離(X軸方向之位置)相互大略一致亦可。檢查液流道形成部63的自第2流道69b的側壁56a起的距離與自第2流道68b的側壁56a起的距離大略一致亦可。處理液流道形成部62A～62L的第3流道68c的高度位置(自底壁54b起的距離)相互大略一致亦可。檢查液流道形成部63的第3流道69c的高度位置與第3流道68c的高度位置大略一致亦可。
處理液流道形成部62A～62L的第1流道68a及檢查液流道形成部63的第1流道69a係沿著Y軸方向並排配置。處理液流道形成部62A～62L的第2流道68b及檢查液流道形成部63的第2流道69b係沿著Y軸方向並排配置。處理液流道形成部62A～62L的第3流道68c及檢查液流道形成部63的第3流道69c係沿著Y軸方向並排配置。
返回圖5，測定部70係具有光源72、照射部74、受光部76、保持部78、驅動部80。光源72係生成雷射光來作為用以檢測出處理液內之異物的照射光。光源72係例如射出波長400nm～600nm程度，輸出600mW～1000mW程度的雷射光。光源72係例如圖8所示般，設置於底壁54b上，配置於比處理液流道形成部62A～62L及檢查液流道形成部63更下方。光源72係作為一例，往從側壁56d朝向側壁56c的方向(Y軸負方向)射出雷射光。光源72係配置於Y軸方向中與處理液流道形成部62A不同的位置。光源72係配置於Y軸方向中隔開於處理液流道形成部62A的位置。於Y軸方向中，例如光源72、處理液流道形成部62A～62L(處理液流道64)、及檢查液流道形成部63(檢查液流道65)依序並排地配置。
照射部74係以朝向處理液流道形成部62A～62L的處理液流道64及檢查液流道65，分別照射來自光源72的照射光之方式構成。照射部74係例如以朝向處理液流道形成部62A～62L的處理液流道64及檢查液流道65，個別照射照射光之方式構成。照射部74係配置於處理液流道64及檢查液流道65的下方亦可。照射部74係例如具有以利用改變來自光源72的照射光的方向，朝向處理液流道64及檢查液流道65，分別照射照射光之方式構成的光學構件82。
光學構件82係例如包含反射構件82a與聚光透鏡82b。反射構件82a的反射面係於Y軸方向中與光源72對向。反射構件82a的反射面係將從光源72大略水平地射出的照射光朝向上方反射。聚光透鏡82b係配置於反射構件82a的上方，將藉由反射構件82a反射之照射光聚光於設定於處理液流道64或檢查液流道65的測定位置。聚光透鏡82b係例如以照射光被照射至設定於處理液流道64中的第1流道68a或檢查液流道65中的第1流道69a的測定位置之方式構成。
保持部78係可移動地保持光學構件82。保持部78例如具有導引軌道88與滑動台84。導引軌道88係設置於底壁54b上，以沿著從側壁56c朝向側壁56d的方向(沿著Y軸方向)之方式形成亦可。導引軌道88係例如圖8所示般，沿著Y軸方向，至少延伸於處理液流道形成部62A至檢查液流道形成部63之間亦可。導引軌道88係可移動地支持滑動台84。
滑動台84係配置於比處理液流道形成部62A～62L及檢查液流道形成部63更下方，支持光學構件82(反射構件82a)。滑動台84係例如圖5或圖7所示般，以沿著與導引軌道88交叉的方向(例如X軸方向)延伸之方式形成。例如，滑動台84係從側面觀察，接近側壁56a的一端部位於處理液流道形成部62A的下方，且接近側壁56b的另一端部位於比處理液流道形成部62A的位置更靠側壁56b。作為一例，於接近滑動台84的側壁56a的一端部配置光學構件82。
驅動部80係藉由電動馬達等的動力源，沿著導引軌道88移動滑動台84。利用滑動台84沿著導引軌道88移動，沿著Y軸方向讓照射部74(光學構件82)移動。
受光部76係以對藉由來自照射部74之照射光的照射從處理液流道64射出的光線，與藉由來自照射部74之照射光的照射從檢查液流道65射出的光線分別進行受光之方式構成。受光部76係例如以對從處理液流道64射出的光線，與從檢查液流道65射出的光線個別進行受光之方式構成。受光部76係以在與側壁56a之間挾持處理液流道形成部62A～62L及檢查液流道形成部63之方式配置亦可。
受光部76係例如包含光學構件92與受光元件94。從側壁56a朝向側壁56b的方向(X軸方向)中，處理液流道形成部62A(檢查液流道形成部63)、光學構件92、及受光元件94依該順序配置。光學構件92及受光元件94的高度位置係例如與處理液流道64的第1流道68a及檢查液流道65的第1流道69a的高度位置大略一致。
光學構件92係包含例如使從處理液流道64或檢查液流道65射出的光線朝向受光元件94聚光的聚光透鏡。於光學構件92的內部，設置僅使具有特定波長之光線通過的波長濾波器亦可。受光元件94係對藉由光學構件92聚光之光線進行受光，並且生成因應受光之光線(檢測光)的電性訊號。受光元件94係例如包含進行光電轉換的光二極體。
光學構件92及受光元件94係安裝於沿著垂直方向延伸的支持構件86。支持構件86連接於滑動台84。例如支持構件86的下端連接於滑動台84之設置光學構件82的端部相反側的端部。伴隨驅動部80所致之滑動台84的移動，光學構件92及受光元件94沿著Y軸方向移動。
藉由以上的構造，驅動部80係利用使滑動台84移動，使照射部74與受光部76沿著Y軸方向移動。驅動部80係例如在照射部74及受光部76分別與處理液流道形成部62A對向的位置，與照射部74及受光部76分別與檢查液流道形成部63對向的位置之間，移動照射部74及受光部76。以下，將照射部74及受光部76分別與任一處理液流道形成部(檢查液流道形成部)對向的位置，稱為對應該處理液流道形成部(檢查液流道形成部)的位置。
作為一例，在從光源72對光學構件82的照射光持續之狀態下，利用藉由驅動部80，讓光學構件82移動至處理液流道形成部62A～62L的處理液流道64之任一的下方，從照射部74對該處理液流道64照射照射光。此時，受光元件94係對從該處理液流道64射出之光線進行受光。在從光源72對光學構件82的照射光持續之狀態下，利用藉由驅動部80，讓光學構件82移動至檢查液流道形成部63的檢查液流道65的下方，從照射部74對檢查液流道65照射照射光。此時，受光元件94係對從檢查液流道65射出之光線進行受光。
如上所述，於設定於處理液流道64或檢查液流道65之測定位置的下方配置照射部74，於該測定位置的側方配置受光部76。所以，受光部76係在對處理液流道64照射照射光時，對在處理液流道64內的測定位置中因為照射光散射所產生之光線(散射光)的一部分進行受光。受光部76係在對檢查液流道65照射照射光時，對在檢查液流道65內的測定位置中因為照射光散射所產生之光線(散射光)的一部分進行受光。對流通處理液等之溶液的處理液流道64(檢查液流道65)內照射照射光的話，無關於有無異物，會產生散射光。溶液內未包含異物時，照射光的大部分會通過處理液流道64(檢查液流道65)。另一方面，溶液內包含異物時，處理液流道64(檢查液流道65)內之照射光的散射程度會變大，相較於未包含異物之狀況，受光部76所受光之光線(朝向受光部76的散射光的一部分)的強度變大。
再者，如圖8所示，異物檢測單元50係更具有散熱片58亦可。散熱片58係設置於框體52外亦可。散熱片58係例如設置於底壁54b的外表面中對應光源72的位置亦可。散熱片58作為水冷式的散熱片亦可。可藉由散熱片58，抑制起因於光源72等的光學構件，框體52內的溫度上升。藉此，減低光源72等的光學構件中產生的熱所致之對處理液(基板處理)的影響。
異物檢測單元50係更具有控制部100亦可。控制部100係控制異物檢測單元50的各要素。控制部100係例如配置於框體52的內部。控制部100係以監視模式及動作確認模式之任一動作模式來使異物檢測單元50動作亦可。監視模式係在執行工件W的基板處理時設定，監視處理液內有無異物的模式。動作確認模式係不進行工件W的基板處理，確認異物檢測單元50的動作時設定的模式。作為一例，控制部100係因應操作員的輸入資訊，將動作模式切換成監視模式或動作確認模式。
控制部100係如圖9所示，作為功能上的構造(以下稱為「功能模組」)，例如具有模式設定部110、訊號取得部102、異物判定部104、處理資訊取得部106、驅動控制部108、基準資訊保持部112、動作判定部114、輸出部116。再者，模式設定部110、訊號取得部102、異物判定部104、處理資訊取得部106、驅動控制部108、基準資訊保持部112、動作判定部114、及輸出部116所執行的處理相當於控制部100所執行的處理。
模式設定部110係將異物檢測單元50的動作切換成監視模式或動作確認模式。模式設定部110係例如因應透過控制裝置18輸入之來自操作員的輸入資訊，將異物檢測單元50的動作設定成監視模式及動作確認模式的任一方。
訊號取得部102係從受光部76取得因應檢測光的強度之電性訊號。異物檢測單元50的動作被設定為監視模式時，訊號取得部102係例如從受光元件94取得與從處理液流道形成部62A～62L中之流通監視對象之處理液的處理液流道64(第1流道68a)射出之光線的強度因應的電性訊號。異物檢測單元50的動作被設定為動作確認模式時，訊號取得部102係例如從受光元件94取得與從流通檢查液之檢查液流道形成部63的檢查液流道65(第1流道69a)射出之光線的強度因應的電性訊號。訊號取得部102係例如取得具有因應檢測光的強度之振幅的電性訊號。
異物判定部104係依據因應檢測光之電性訊號的振幅等的強度(以下稱為「訊號強度」)，檢測出處理液內有無異物。於圖10揭示表示從訊號取得部102所得之訊號強度的時間變化之一例的圖表。例如，異物判定部104係如圖10所示，在訊號強度大於所定閾值Th時，判定為處理液內包含異物。異物判定部104係在訊號強度為所定閾值Th以下時，判定為處理液內未包含異物。閾值Th係考慮處理液內的異物中照射光散射時之散射光的強度所預先設定之值。
處理資訊取得部106係從控制裝置18取得以液處理單元U1執行之處理的資訊(以下稱為「處理資訊」)。於處理資訊，例如包含表示液處理單元U1中進行吐出之噴嘴(監視對象的處理液)的資訊、及表示處理液的供給開始時機與供給時間的資訊。處理資訊取得部106係每於使用一處理液時，到該處理液的供給開始為止從控制裝置18取得處理資訊亦可。
驅動控制部108係利用在處理液流道形成部62A與檢查液流道形成部63之間，藉由驅動部80使滑動台84移動，來移動照射部74與受光部76。異物檢測單元50的動作被設定為監視模式時，驅動控制部108係例如因應處理資訊所示的處理液，藉由驅動部80使照射部74與受光部76移動至處理液流道形成部62A～62L中之對應該處理液通過的處理液流道68的位置。驅動控制部108係例如於監視模式中，在未對處理液流道68照射照射光時，藉由驅動部80使照射部74與受光部76移動至預先訂定的待機位置。在一例中，待機位置係被設定於對應檢查液流道65的位置(來自照射部74的照射光被照射至檢查液流道65的位置)。換句話說，檢查液流道65係被配置於來自配置於待機位置之照射部74的照射光可照射的位置。
驅動控制部108係於監視模式中，以於對工件W供給處理液之期間的至少一部分中，對處理液流道68照射照射光之方式控制驅動部80，且以於未對工件W供給任一處理液之期間的至少一部分中，對檢查液流道65照射照射光之方式控制驅動部80。異物檢測單元50的動作被設定為動作確認模式時，驅動控制部108係藉由驅動部80使照射部74與受光部76移動至對應該檢查液流道65的位置(上述的待機位置)。
基準資訊保持部112係於動作確認模式中，保持用以確認異物檢測單元50之動作的基準資訊。基準資訊係例如包含表示在異物檢測單元50的動作為正常時，動作確認模式中使異物檢測單元50動作時所得之檢測結果的資訊。於基準資訊保持部112，例如藉由作業員預先記憶基準資訊亦可。
動作判定部114係於動作確認模式中，依據檢測結果，判定異物檢測單元50的動作是否正常。動作判定部114係例如藉由將依據與因為檢查液流道65(第1流道69a)內之照射光的散射所產生之光線因應的訊號強度所得之檢測結果與基準資訊進行比較，來判定異物檢測單元50的動作是否正常。
輸出部116係將判定結果輸出至異物檢測單元50的外部。輸出部116係將判定結果輸出至控制裝置18亦可，輸出至對作業員告知結果的顯示器等亦可。輸出部116係例如於監視模式中藉由異物判定部104判定為包含異物時，輸出表示監視對象的處理液包含異物的警報訊號。輸出部116係於動作確認模式中輸出動作判定部114所致之判定結果。
控制部100係藉由1或複數控制用電腦所構成。例如控制部100係具有圖11所示的電路200。電路200係具有1或複數處理器202、記憶體204、儲存器206、輸出入埠208、計時器212。儲存器206係例如具有硬碟等，可藉由電腦讀取的記憶媒體。記憶媒體係記憶用以使控制部100執行後述的動作確認方法的程式。記憶媒體作為非揮發性的半導體記憶體、磁碟及光碟等之可取出的媒體亦可。記憶體204係暫時記憶從儲存器206的記憶媒體載入的程式及處理器202所致之運算結果。
處理器202係利用與記憶體204協力動作以執行前述程式，構成各功能模組。輸出入埠208係遵照來自處理器202的指令，在與控制裝置18、受光部76、及驅動部80等之間進行電性訊號的輸出入。計時器212係例如藉由計算一定週期的基準脈衝，來計測經過時間。再者，控制部100的硬體構造並不一定限於藉由程式來構成各功能模組者。例如控制部100的各功能模組係藉由專用的邏輯電路或蓄積其的ASIC(Application Specific Integrated Circuit)構成亦可。
[異物檢測方法] 接下來，參照圖12，針對異物檢測單元50的動作模式被設定為監視模式時所執行之異物檢測方法(異物檢測程序)進行說明。圖12係揭示異物檢測方法之一例的流程圖。
在持續來自光源72之照射光的照射之狀態下，例如處理資訊取得部106從控制裝置18取得處理資訊的話，控制部100係執行步驟S01。在步驟S01中，例如驅動控制部108利用藉由驅動部80使滑動台84移動至對應處理資訊所示之監視對象的處理液流通的處理液流道64的位置，來移動照射部74與受光部76。藉此，對監視對象的處理液流通的處理液流道64，從照射部74照射照射光，從該處理液流道64射出的光線藉由受光部76受光。
接著，控制部100係執行步驟S02、S03。在步驟S02中，例如訊號取得部102取得因應以受光部76受光之檢測光的訊號強度。在步驟S03中，例如異物判定部104判斷步驟S02中所得之訊號強度是否大於閾值Th。於步驟S03中，判斷為訊號強度大於閾值Th時(步驟S03：YES)，控制部100係執行步驟S04。在步驟S04中，例如輸出部116輸出表示監視對象的處理液包含異物的警報訊號。另一方面，於步驟S03中，判斷為訊號強度為閾值Th以下時(步驟S03：NO)，控制部100不執行步驟S04。
接著，控制部100係執行步驟S05。在步驟S05中，例如，控制部100判斷監視對象的處理液的供給是否已結束。控制部100係利用測量自處理資訊所包含之供給開始時機起的經過時間，判斷處理液的供給是否已結束亦可。於步驟S05中，判斷為監視對象的處理液的供給並未結束時(步驟S05：NO)，控制部100係重複進行步驟S02、S03的處理。藉此，於處理液的供給期間中，持續該處理液內是否包含異物的監視。
於步驟S05中，判斷為監視對象的處理液的供給已結束時(步驟S05：YES)，控制部100係執行步驟S06。在步驟S06中，例如，控制部100依據下個監視對象的處理液之供給開始時機(以下稱為「下個供給開始時機」)，判斷有無待機時間。作為一例，到下個供給開始時機為止的時間大於所定時間時則判斷為有待機時間，控制部100係執行步驟S07。在步驟S07中，例如驅動控制部108藉由驅動部80使照射部74與受光部76移動至待機位置。在一例中，驅動控制部108係藉由驅動部80使照射部74與受光部76移動至對應任一處理液都未流通之檢查液流道65的位置。藉此，對檢查液流道65從照射部74照射照射光。
接著，控制部100係執行步驟S08。在步驟S08中，例如控制部100到針對下個監視對象的處理液開始監視的時機為止進行待機。例如控制部100係到下個供給開始時機為止的時間變得比前述所定時間短為止進行待機。於步驟S08中，成為針對下個監視對象的處理液開始監視的時機時(步驟S08：YES)，或於步驟S06中判斷為沒有待機時間時(步驟S06：NO)，控制部100係重複進行步驟S01～S06的處理。
[動作確認方法] 接下來，參照圖13～圖16，針對異物檢測單元50的動作模式被設定為監視模式時所執行之異物檢測單元50的動作確認方法進行說明。執行異物檢測單元50的動作確認方法時，如圖13所示，檢查液供給部150連接於檢查液流道形成部63的檢查液流道65。檢查液供給部150係例如具有供給源152、供給管154、開閉閥V1、排液管162、回收瓶164。
供給源152係與處理液不同的檢查液的液源。檢查液係例如未使用於工件W的處理之動作確認用的溶液。作為檢查液，例如使用純水(DIW：Deionized Water)及懸浮液的至少一方亦可。於懸浮液以所定濃度包含具有所定(既知)大小的基準粒子。例如，基準粒子的大小及基準粒子的濃度係在以檢查液充滿檢查液流道65時，異物檢測單元50將基準粒子設定為可作為異物檢測出的程度。供給源152係例如包含貯留檢查液的槽或瓶等的收容部，與氮氣等加壓該收容部內的加壓部。
供給管154係連接供給源152與檢查液流道65的流入口65a。供給管154係利用對於上游側連接管97連接，透過上游側連接管97連接供給源152與檢查液流道65。於供給管154設置開閉閥V1。開閉閥V1係藉由切換開閉狀態，開閉供給管154的流道。排液管162的一端係連接於從檢查液流道65的流出口65b連接的下游側連接管98。排液管162的另一端係連接於回收瓶164。回收瓶164係回收通過檢查液流道65之後的檢查液。藉由以上的構造，從供給源152藉由氮氣等壓送的檢查液，係依序通過供給管154、檢查液流道65、及排液管162，流通至回收瓶164。開閉閥V1的開閉、及從供給管154供給之檢查液的流量(每一單位時間的流量)等係藉由控制裝置18、異物檢測單元50的控制部100、或未圖示的其他控制裝置控制亦可。以下，以藉由控制部100進行檢查液供給部150的控制之狀況為例進行說明。
(基準設定程序) 異物檢測單元50的動作確認方法係包含用以取得基準資訊的基準設定程序，與依據基準資訊所執行的動作確認程序亦可。該基準設定程序係任一時期進行亦可，異物檢測單元50設置於塗布顯影裝置2(液處理單元U1)之前進行亦可，異物檢測單元50設置於塗布顯影裝置2之後進行亦可。例如，異物檢測單元50的製造後的出貨前執行基準設定程序亦可。圖14係揭示動作確認方法所包含之基準設定程序之一例的流程圖。在基準設定程序中，首先進行步驟S21。在步驟S21中，作為下個步驟之後的動作確認的準備，例如藉由作業者等將檢查液供給部150連接於異物檢測單元50。
接著，進行步驟S22。在步驟S22中，使用純水進行異物檢測單元50的動作確認。在步驟S22中，例如控制部100一邊藉由檢查液供給部150對檢查液流道65供給純水，一邊進行訊號強度的取得及有無異物的判定。關於步驟S22的詳細內容於後敘述。
接著，進行步驟S23。在步驟S23中，使用上述的懸浮液進行異物檢測單元50的動作確認。在步驟S23中，例如藉由作業員等，供給源152的檢查液從純水交換成懸浮液之後，控制部100一邊藉由檢查液供給部150對檢查液流道65供給懸浮液，一邊進行訊號強度的取得及有無異物的判定。關於步驟S23的詳細內容於後敘述。
接著，進行步驟S24。在步驟S24中，使用純水進行異物檢測單元50的動作確認。在步驟S24中，例如藉由作業員等，供給源152的檢查液從懸浮液交換成純水之後，控制部100一邊藉由檢查液供給部150對檢查液流道65供給純水，一邊進行訊號強度的取得及有無異物的判定。步驟S24中所用的純水係作為與步驟S22中所用的純水相同者亦可。關於步驟S24的詳細內容於後敘述。
步驟S22～S24係除了檢查液的種類，以相互相同的程序執行亦可。首先，針對使用懸浮液時的步驟S23進行詳細說明。圖15係揭示步驟S23的處理之一例的流程圖。在步驟S23的處理中，在持續從光源72對光學構件82之照射光的射出，且照射部74及受光部76被配置於對應檢查液流道形成部63的檢查液流道65的位置之狀態下，控制部100係首先執行步驟S31。在步驟S31中，例如控制部100利用將開閉閥V1切換成開狀態，從供給管154以所定流量對檢查液流道65供給檢查液(懸浮液)。藉此，檢查液(懸浮液)開始流通於檢查液流道65。
接著，控制部100係執行步驟S32、S33。在步驟S32中，例如訊號取得部102取得因應從流通檢查液之狀態的檢查液流道65射出之光線的訊號強度。在步驟S33中，例如，控制部100判斷從步驟S31之檢查液的供給開始是否已經過所定時間。
於步驟S33中，判斷為並未經過所定時間時(步驟S33：NO)，控制部100係重複進行步驟S32、S33。於步驟S33中，判斷為已經過所定時間時(步驟S33：YES)，控制部100係執行步驟S34。在步驟S34中，例如控制部100藉由檢查液供給部150，停止對檢查液流道65之檢查液的供給。所定時間係作為一例，設定為20秒～300秒程度。
接著，控制部100係執行步驟S35。在步驟S35中，例如控制部100依據從檢查液的供給開始到供給停止為止所得之訊號強度(以下稱為「檢查訊號強度」)，取得基準資訊。作為基準資訊的具體例，可舉出於檢查訊號強度中訊號強度超過閾值Th的次數(每一單位時間檢測標準粒子的次數）、超過閾值Th時的訊號強度的最大值、最小值或平均值、對檢查訊號強度進行頻率解析所得之頻率分布、使供給至檢查液流道65之懸浮液的流量變化時的訊號強度(例如背景光的強度)的變化、及檢查訊號強度之訊號強度的積分值。控制部100的基準資訊保持部112係記憶步驟S35中所得之基準資訊。
在步驟S22、S24之使用純水時的動作確認中，控制部100係首先進行與步驟S31～S34相同的處理。接著，控制部100係代替步驟S35，依據檢查訊號強度，判定異物檢測單元50的動作是否正常。控制部100的動作判定部114係作為一例，利用判斷檢查訊號強度中超過閾值Th的次數是否小於所定次數(例如1次)，來判定異物檢測單元50的動作是否正常。動作判定部114係在檢查訊號強度中超過閾值Th的次數小於所定次數(例如1次)時，判定為異物檢測單元50的動作正常亦可。
(動作確認程序) 接下來，針對依據基準資訊所執行的動作確認程序進行說明。該動作確認程序係在異物檢測單元50設置於塗布顯影裝置2之後執行亦可。例如，動作確認程序係在異物檢測單元50出貨後設置於塗布顯影裝置2時執行亦可，在塗布顯影裝置2的維護時執行亦可。即使在該動作確認程序中，例如也執行與步驟S21～S24的處理相同的處理亦可。
圖16係揭示動作確認程序之使用懸浮液的動作確認處理之一例的流程圖。在該動作確認處理中，例如控制部100與步驟S31～S34同樣地執行步驟S41～S44亦可。於步驟S41～S44中，使用與上述的基準設定程序中所用之懸浮液相同者(更詳細來說，標準粒子的大小、濃度相同者)亦可，供給懸浮液時的流量及供給時間設定為相同值亦可。
接著，控制部100係執行步驟S45。在步驟S45中，例如動作判定部114利用比較依據步驟S41～S44中所得之檢查訊號強度的檢測結果與基準資訊，來判定異物檢測單元50的動作是否正常(例如是否能以與出貨時相同的精度進行異物檢測)。例如，作為基準資訊，在供給期間中訊號強度超過閾值Th的次數(以下稱為「基準次數」)被設定時，動作判定部114係比較於步驟S41～S44中所得之檢查訊號強度中，訊號強度超過閾值Th的次數(以下稱為「檢測次數」)與基準次數。動作判定部114係檢測次數包含於基準次數加上容許誤差所得之範圍時，判定為異物檢測單元50的動作正常亦可，檢測次數偏離該範圍時，判定為異物檢測單元50的動作不正常亦可。輸出部116係將動作判定部114所致之動作判定結果輸出至控制裝置18等的外部亦可。
[實施形態的效果] 在以上所例示的異物檢測單元50中，具備形成流通與處理液不同之檢查液的檢查液流道65的檢查液流道形成部63，藉由受光部76對藉由照射光的照射從處理液流道64射出的光線，與藉由照射光的照射從檢查液流道65射出的光線分別進行受光。因此，除了依據來自處理液流道64之光線的異物檢測之外，可依據來自檢查液流道65的光線，進行檢測動作的確認。所以，可確認異物檢測動作是否正常進行。
依據對流通處理液的流道照射照射光所得之光線，檢測出處理液內的異物時，利用檢測出所受光的檢測光的強度是否產生變化，判定處理液內有無異物。然而，即使異物檢測裝置的檢測動作(檢測功能)未正常動作之狀況中，檢測光的強度也不會發生變化，可判定為處理液內並未包含異物。在上述的異物檢測單元50中，可確認(診斷)裝置本身是否正常動作，亦即，可實際確認檢查液包含異物時是否可適切檢測出其狀況，所以，可讓異物的檢測結果更加確實。又，使用不同於處理液流道64的流道即檢查液流道65來進行動作確認，所以，可不影響對於工件W的處理來進行前述的診斷。又，於處理液流道64不流通檢查液而進行前述的診斷，故也不需要處理液流道64的洗淨等。所以，在上述的異物檢測單元50中，可簡便地進行裝置的檢測動作的診斷。
從處理液流道64射出的光線，係在處理液流道64內散射的光線，從檢查液流道65射出的光線，係照射光在檢查液流道65內散射的光線。此時，處理液或檢查液內之有無異物所致之檢測光的強度差較大，所以，可更確實進行異物檢測。又，檢測光的強度差較大的話，可更確實地取得正常動作時的檢測結果與不正常時的檢測結果的差，所以，可更簡便地進行裝置的檢測動作的診斷。
處理液流道64的至少一部分與檢查液流道65的至少一部分，係以沿著X軸或Z軸方向(第1方向)延伸之方式形成，且沿著Y軸方向(第2方向)並排配置。驅動部80係使照射部74與受光部76沿著Y軸方向移動。此時，可在處理液流道64與檢查液流道65中共用化對流道照射照射光的照射部74與對來自流道的光線進行受光的受光部76。所以，可讓異物檢測單元50的構造簡便化。
照射部74係具有以利用改變來自光源72的照射光的方向，朝向處理液流道64及檢查液流道65，分別照射照射光之方式構成的光學構件82。此時，不需要移動照射光的光源72，所以，可讓驅動部80簡便化。
於Y軸方向中，光源72、處理液流道64、即檢查液流道65係以該順序配置。將檢查液流道65配置於光源72與處理液流道64之間的話，相較於沒有檢查液流道65之狀況，有從光源72到處理液流道64的光路長度變長的可能性。因此，有來自光源72的照射光的強度變小，處理液流道64之異物檢測的精度降低的可能性。相對於此，在前述構造中，可防止起因於設置檢查液流道65，對於處理液流道64之照射光的光路變長之狀況。所以，可抑制檢查液流道65所致之對異物檢測的精度的影響。又，檢查液流道65配置於離光源72最遠的位置，確認使用該檢查液流道65之異物檢測的動作適切時，可推估即使是比檢查液流道65更接近光源72所有的處理液流道64，也可適切進行異物檢測。所以，利用設為前述的構造，也可提升動作確認的信賴性。
控制部100(驅動控制部108)係以在並未藉由照射部74對處理液流道64照射照射光時，使照射部74與受光部76移動至Y軸方向中預先訂定的待機位置之方式控制驅動部80。檢查液流道65係被配置於來自配置於前述待機位置之照射部74的照射光可照射的位置。在該構造中，從未對處理液流道64照射照射光之狀態轉移至異物檢測動作的確認時，不需要調節照射部74及受光部76的位置，所以，可縮短為了確認動作的設定時間。
控制部100(驅動控制部108)係以於對工件W供給處理液之期間的至少一部分中，對處理液流道64照射照射光之方式控制驅動部80，且以於未對工件W供給任一處理液之期間的至少一部分中，對檢查液流道65照射照射光之方式控制驅動部80。此時，在未對工件W供給處理液時，可抑制來自光源72的照射光所致之對處理液流道64的影響。
在具備異物檢測單元50的塗布顯影裝置2中，可診斷異物檢測單元50本身的異物檢測功能是否正常動作，並且利用於供給部36中檢測處理液內的異物，可早期發現異物所致之工件W的缺陷。
在異物檢測單元50的動作確認方法中，在不同於流通被供給至工件W之處理液的處理液流道64的檢查液流道65內，充滿不同於處理液的檢查液之狀態下，對該檢查液流道65內照射來自光源72的照射光。又，對藉由照射光從檢查液流道65射出的光線進行受光。在該動作確認方法中，可簡便地診斷異物檢測單元50所致之異物的檢測功能。
對檢查液流道65內照射照射光時，在檢查液流通於檢查液流道65內之狀態下對該檢查液流道65內照射照射光。此時，可抑制起因於檢查液停留於檢查液流道65內，造成檢查液流道65內被污染之狀況。
對檢查液流道65內照射照射光時，對充滿包含基準粒子的懸浮液檢查液流道65內照射照射光。此時，利用檢測出基準粒子所致之檢測光的強度的變化，可診斷異物檢測單元50所致之異物的檢測功能。
[變形例] 控制部100係除了使用檢查液流道65的動作確認之外，利用監視來自處理液流道64的光線所包含之背景光，進行檢測動作的確認亦可。如上所述，即使流通於處理液流道64的處理液內未包含異物時，也會因為處理液流道64內的處理液而導致照射光散射。受光部76係對因為該散射所產生之散射光的一部分作為背景光進行受光。控制部100係取得背景光的強度，利用將所取得之背景光的強度與異物檢測單元50正常時之背景光的強度(以下稱為「基準強度」)進行比較，來進行檢測動作的確認亦可。控制部100係例如圖6所示般，作為功能模組，更具有強度資訊取得部122與狀態監視部124亦可。
強度資訊取得部122係依據檢測光的訊號強度，取得表示背景光之強度的資訊(以下稱為「強度資訊」)。強度資訊取得部122係依據訊號取得部102以所定取樣週期取得的訊號強度，取得包含於所定期間之訊號強度的時間平均來作為強度資訊亦可。強度資訊取得部122係例如在經過所定期間的時間點，計算出包含於該所定期間的訊號強度之取得值的時間平均亦可。強度資訊取得部122係作為時間平均，計算出包含於所定期間的訊號強度之取得值的平均值亦可，作為時間平均，計算出利用對包含於所定期間之訊號強度的時間變化進行積分所得之積分值亦可。
強度資訊取得部122係從監視對象的處理液的供給開始到供給結束為止的供給期間中取得強度資訊亦可。強度資訊取得部122係於供給期間結束的時間點中，取得(計算)該供給期間之強度資訊亦可，於供給期間內每隔取樣週期取得強度資訊亦可。強度資訊取得部122係於供給期間中每隔取樣週期依序計算出強度資訊的移動平均亦可，或在供給期間的經過時間點計算出強度資訊的移動平均亦可。
強度資訊取得部122係於與處理液的供給期間不同之其他時機中取得強度資訊亦可。強度資訊取得部122係例如在將異物檢測單元50的動作模式被設定為動作確認模式時取得強度資訊亦可。此時，強度資訊取得部122係取得在檢查液流道65內充滿檢查液之狀態下從檢查液流道65射出的光線所包含之背景光的強度資訊亦可。
基準資訊保持部112係保持(記憶)異物檢測單元50為正常時所得之背景光的基準強度亦可。於基準資訊保持部112，例如藉由作業員預先設定基準強度亦可，或者依據進行與上述相同的基準設定程序時所得之檢查訊號強度，設定背景光的基準強度亦可。
狀態監視部124係利用比較強度資訊取得部122所取得之強度資訊與基準強度，監視(判定)異物檢測單元50的動作是否正常亦可。狀態監視部124係例如每於計算出時間平均的所定期間進行前述的比較與判定亦可，或者每於一處理液的供給進行前述的比較與判定亦可。作為一例，狀態監視部124係在藉由強度資訊所示的強度包含於基準強度加上允許誤差所得之範圍時，判定為異物檢測單元50的動作正常亦可，在偏離該範圍時，判定為異物檢測單元50的動作不正常亦可。輸出部116係將狀態監視部124所致之監視結果(判定結果)輸出至控制裝置18等的外部亦可。
上述的實施形態的動作確認方法僅為一例，步驟的順序、執行時機、及執行內容等可適當變更。例如，於步驟S23之使用懸浮液的動作確認中，檢查液不流通於檢查液流道65內，在檢查液充滿檢查液流道65內之狀態(滯留之狀態)下取得檢查訊號強度亦可。在上述的範例中，異物檢測單元50的動作確認藉由控制部100進行，但是，藉由作業員進行動作確認來代替控制部100亦可。此時，控制部100係將監視模式中所得之檢查訊號強度輸出至異物檢測單元50的外部亦可，作業員利用比較所輸出之檢查訊號強度與基準資訊，進行異物檢測單元50的動作確認亦可。上述的動作確認方法與異物檢測方法同步進行亦可。例如，於異物檢測方法中照射部74與受光部76被配置於待機位置時，利用檢查液流道65內的檢查液，進行異物檢測單元50的動作確認亦可。
流通於區段本體66(區段本體67)的處理液流道64(檢查液流道65)的至少一部分，係以沿著水平方向及垂直方向以外的方向延伸之方式形成。處理液流道64的流入口64a及流出口64b(檢查液流道65的流入口65a及流出口65b)係分別形成於區段本體中相互不同之面亦可。處理液流道64與檢查液流道65以相互不同之方式構成亦可。
處理液流道形成部62A～62L係代替區段本體66，包含流通處理液之供給用的通液管亦可。處理液流道64係作為供給用的通液管內的流道亦可。檢查液流道形成部63係代替區段本體67，包含流通檢查液之檢查用的通液管亦可。檢查液流道65係作為檢查用的通液管內的流道亦可。該等通液管係以可透射照射光的材料(例如石英或藍寶石)形成亦可。異物檢測單元50係代替處理液流道形成部62A～62L，具有一處理液流道形成部亦可。
處理液流道形成部62A～62L及檢查液流道形成部63係以相互大略相同的間隔沿著Y軸方向排列亦可，以相互不同的間隔排列亦可。處理液流道形成部62A～62L以相互大略相同的間隔排列，處理液流道形成部62L與檢查液流道形成部63的間隔大於處理液流道形成部62A～62L中相鄰之處理液流道形成部彼此的間隔亦可。例如，處理液流道形成部62L與檢查液流道形成部63的間隔大於一處理液流道形成部的Y軸方向之寬度亦可。於檢查液流道形成部63Y軸方向中相鄰之1或複數處理液流道形成部(例如處理液流道形成部62K、62L)用於對工件W之處理液的供給亦可。亦即，具備處理液流道形成部62A～62J，代替處理液流道形成部62K、62L，在處理液流道形成部62J與檢查液流道形成部63之間配置不用於處理之虛設的2個流道形成部亦可。在該等構造中，可抑制來自配置於待機位置之照射部74的對檢查液流道65的照射光，或起因於照射部74及受光部76位於待機位置之對處理液流道64內的處理液的影響(例如處理液的溫度變化)。
異物檢測單元50係具有對處理液流道形成部62A～62L的處理液流道64照射照射光之監視用的照射部，與對檢查液流道形成部63的檢查液流道65照射照射光之動作確認用的照射部亦可。異物檢測單元50係具有對來自處理液流道64的光線進行受光之監視用的受光部，與對來自檢查液流道65的光線進行受光之動作確認用的受光部亦可。動作確認用的照射部及受光部，係固定於定位置亦可，驅動部80係使監視用的照射部與受光部沿著Y軸方向移動亦可。檢查液流道形成部63係於Y軸方向中，與處理液流道形成部並排配置亦可。
異物檢測單元50係包含沿著Y軸方向使照射部74移動之照射用的驅動部，與沿著Y軸方向使受光部76移動之受光用的驅動部亦可。該等2個驅動部以沿著Y軸方向移動照射部74與受光部76之方式構成亦可。照射部74包含光源72，不透過光學構件82，照射光分別照射至處理液流道64及檢查液流道65亦可。
受光部76係對利用來自照射部74的照射光透射處理液流道64所得之透射光的一部分進行受光亦可。受光部76係對利用來自照射部74的照射光透射檢查液流道65所得之透射光的一部分進行受光亦可。此時，照射部74與受光部76以垂直方向(Z軸方向中)在之間挾持處理液流道形成部62A～62L(檢查液流道形成部63)之方式配置亦可。
再者，基板處理裝置的具體構造並不限於以上所例示之塗布顯影裝置2的構造。基板處理裝置只要具備檢測出供給至基板的處理液內之異物成的異物檢測單元的話，作為任何形式者亦可。異物檢測單元50所致之監視對象的處理液係作為光阻膜以外的膜(例如上述的下層膜或上層膜)形成用的溶液亦可，作為膜形成以外之基板處理用的溶液亦可。異物檢測單元50的控制部100所具有之功能模組的全部或一部分藉由控制裝置18執行亦可。此時，藉由異物檢測單元50與控制裝置18構成異物檢測裝置亦可。
1:基板處理系統 2:塗布顯影裝置 3:曝光裝置 4:載具區 5:處理區 6:介面區控制裝置 11~14:處理模組 18:控制裝置 20:旋轉保持部 22:保持部 24:旋轉驅動部 30:處理液供給部 32,32A~32L:噴嘴 34:保持頭 36:供給部 42A~42L:供給管 46:上游側供給管 48:下游側供給管 50:異物檢測單元 52:框體 54a:上壁 54b:底壁 56a~56d:側壁 58:散熱片 60:流道形成部 62A~62L:處理液流道形成部 63:檢查液流道形成部 64:處理液流道 64a,65a:流入口 64b,65b:流出口 65:檢查液流道 66,67:區段本體 68a,69a:第1流道 68b,69b:第2流道 68c,69c:第3流道 70:測定部 72:光源 74:照射部 76:受光部 78:保持部 80:驅動部 82:光學構件 82a:反射構件 82b:聚光透鏡 84:滑動台 86:支持構件 88:導引軌道 92:光學構件 94:受光元件 97:上游側連接管 98:下游側連接管 100:控制部 102:訊號取得部 104:異物判定部 106:處理資訊取得部 108:驅動控制部 110:模式設定部 112:基準資訊保持部 114:動作判定部 116:輸出部 122:強度資訊取得部 124:狀態監視部 150:檢查液供給部 152:供給源 154:供給管 162:排液管 164:回收瓶 200:電路 202:處理器 204:記憶體 206:儲存器 208:輸出入埠 212:計時器 A1,A3,A7:搬送裝置 U1:液處理單元 U2:熱處理單元 U10:料架單元 Ax:軸線 V,V1:開閉閥 W:工件 Wa:表面 C:載具
[圖1]圖1係揭示基板處理系統之一例的示意立體圖。 [圖2]圖2係揭示塗布顯影裝置之一例的示意圖。 [圖3]圖3係揭示液處理單元之一例的示意圖。 [圖4]圖4係揭示液處理單元的處理液供給部之一例的示意圖。 [圖5]圖5係模式揭示異物檢測單元之一例的側視圖。 [圖6]圖6係模式揭示異物檢測單元之一例的立體圖。 [圖7]圖7係模式揭示異物檢測單元之一例的側視圖。 [圖8]圖8係模式揭示異物檢測單元之一例的側視圖。 [圖9]圖9係揭示控制部的功能上的構造之一例的區塊圖。 [圖10]圖10係揭示因應檢測光的訊號強度之一例的圖表。 [圖11]圖11係揭示控制部的硬體構造之一例的區塊圖。 [圖12]圖12係揭示異物檢測方法之一例的流程圖。 [圖13]圖13係用以說明檢查液的供給方法之一例的示意圖。 [圖14]圖14係揭示異物檢測裝置的動作確認方法之一例的流程圖。 [圖15]圖15係揭示基準資訊的設定程序之一例的流程圖。 [圖16]圖16係揭示動作確認程序之一例的流程圖。
18:控制裝置
50:異物檢測單元
52:框體
54a:上壁
54b:底壁
56a,56b:側壁
60:流道形成部
63:檢查液流道形成部
65:檢查液流道
65a:流入口
65b:流出口
67:區段本體
69a:第1流道
69b:第2流道
69c:第3流道
70:測定部
74:照射部
76:受光部
78:保持部
80:驅動部
82:光學構件
82a:反射構件
82b:聚光透鏡
84:滑動台
86:支持構件
88:導引軌道
92:光學構件
94:受光元件
97:上游側連接管
98:下游側連接管
100:控制部

Claims (11)

  1. 一種異物檢測裝置，係以檢測出基板處理用的處理液所包含的異物之方式構成的異物檢測裝置，其特徵為具備： 處理液流道形成部，係形成流通被供給至基板之前述處理液的處理液流道； 檢查液流道形成部，係形成流通與前述處理液不同之檢查液的檢查液流道； 照射部，係以朝向前述處理液流道及前述檢查液流道，分別照射來自光源的照射光之方式構成；及 受光部，係以對藉由前述照射光的照射從前述處理液流道射出的光線，與藉由前述照射光的照射從前述檢查液流道射出的光線分別進行受光之方式構成。
  2. 如請求項1所記載之異物檢測裝置，其中， 從前述處理液流道射出的光線，係前述照射光在前述處理液流道內散射的光線； 從前述檢查液流道射出的光線，係前述照射光在前述檢查液流道內散射的光線。
  3. 如請求項1所記載之異物檢測裝置，其中， 前述處理液流道與前述檢查液流道，係以沿著第1方向延伸之方式形成，且沿著與前述第1方向正交的第2方向並排配置； 更具備：驅動部，係以沿著前述第2方向，使前述照射部與前述受光部移動之方式構成。
  4. 如請求項3所記載之異物檢測裝置，其中， 前述照射部，係具有以利用改變來自前述光源的前述照射光的方向，朝向前述處理液流道及前述檢查液流道，分別照射前述照射光之方式構成的光學構件； 前述驅動部，係以沿著前述第2方向，使前述光學構件移動之方式構成。
  5. 如請求項4所記載之異物檢測裝置，其中， 於前述第2方向中，前述光源、前述處理液流道、及前述檢查液流道係以該順序配置。
  6. 如請求項3至5中任一項所記載之異物檢測裝置，其中，更具備： 控制部，係以在並未藉由前述照射部對前述處理液流道照射前述照射光時，使前述照射部與前述受光部移動至前述第2方向中預先訂定的待機位置之方式控制前述驅動部； 前述檢查液流道，係被配置於來自配置於前述待機位置之前述照射部的前述照射光可照射的位置。
  7. 如請求項3至5中任一項所記載之異物檢測裝置，其中，更具備： 控制部，係以於對前述基板供給前述處理液之期間的至少一部分中，對前述處理液流道照射前述照射光之方式控制前述驅動部，且以於未對前述基板供給前述處理液之期間的至少一部分中，對前述檢查液流道照射前述照射光之方式控制前述驅動部。
  8. 一種基板處理裝置，其特徵為具備： 處理液供給單元，係具有吐出基板處理用之處理液的噴嘴，與對前述噴嘴供給前述處理液的供給部；及 異物檢測單元，係以於前述供給部中檢測出從前述噴嘴朝向基板吐出之前述處理液所包含的異物之方式構成； 前述異物檢測單元，係具有： 處理液流道形成部，係形成流通前述處理液的處理液流道； 檢查液流道形成部，係形成流通與前述處理液不同之檢查液的檢查液流道； 照射部，係以朝向前述處理液流道及前述檢查液流道，分別照射來自光源的照射光之方式構成；及 受光部，係以對藉由前述照射光的照射從前述處理液流道射出的光線，與藉由前述照射光從前述檢查液流道射出的光線分別進行受光之方式構成。
  9. 一種異物檢測裝置的動作確認方法，係以檢測出基板處理用的處理液所包含的異物之方式構成之異物檢測裝置的動作確認方法，其特徵為包含： 在不同於流通被供給至基板之前述處理液的處理液流道的檢查液流道內，充滿不同於前述處理液的檢查液之狀態下，對該檢查液流道內照射來自光源的照射光的步驟；及 對藉由前述照射光從前述檢查液流道射出的光線進行受光的步驟。
  10. 如請求項9所記載之動作確認方法，其中，包含： 對充滿前述檢查液的前述檢查液流道內照射前述照射光的步驟，係為在前述檢查液流通於前述檢查液流道內之狀態下對該檢查液流道內照射前述照射光的步驟。
  11. 如請求項9或10所記載之動作確認方法，其中，包含： 對充滿前述檢查液的前述檢查液流道內照射前述照射光的步驟，係為對充滿包含基準粒子之懸浮液的前述檢查液流道內照射前述照射光的步驟。
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JPH01321324A (ja) * 1988-06-24 1989-12-27 Shimadzu Corp 複数試料の測定が可能な分光光度計
JP3151036B2 (ja) 1992-02-06 2001-04-03 ミクニキカイ株式会社 サブミクロン粒子の検出方法および装置
JPH10177940A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Sony Corp 薬液供給装置
US11280717B2 (en) * 2016-11-07 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for detection and analysis of nanoparticles from semiconductor chamber parts
TWI773721B (zh) * 2017-01-20 2022-08-11 日商東京威力科創股份有限公司 異物檢測裝置、異物檢測方法及記憶媒體
JP6547871B2 (ja) * 2018-04-06 2019-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

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