JP7393525B2 - 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出装置の動作確認方法 - Google Patents
異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出装置の動作確認方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7393525B2 JP7393525B2 JP2022509952A JP2022509952A JP7393525B2 JP 7393525 B2 JP7393525 B2 JP 7393525B2 JP 2022509952 A JP2022509952 A JP 2022509952A JP 2022509952 A JP2022509952 A JP 2022509952A JP 7393525 B2 JP7393525 B2 JP 7393525B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow path
- liquid flow
- light
- irradiation
- processing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 399
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 185
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 592
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 256
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 40
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 26
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 37
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N15/1434—Optical arrangements
- G01N15/1436—Optical arrangements the optical arrangement forming an integrated apparatus with the sample container, e.g. a flow cell
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
- G01N21/03—Cuvette constructions
- G01N21/05—Flow-through cuvettes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/49—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
- G01N21/53—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid within a flowing fluid, e.g. smoke
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/85—Investigating moving fluids or granular solids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
図1に示される基板処理システム1(基板処理装置)は、ワークWに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークWは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークWに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークW(基板)は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークWは、ガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1及び図2に示されるように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、制御装置18とを備える。
続いて、図3及び図4を参照して液処理ユニットU1の一例を詳細に説明する。ここでは、レジスト膜を形成する処理モジュール12における液処理ユニットU1(処理液供給ユニット)を例に説明する。液処理ユニットU1は、図3に示されるように、回転保持部20と、処理液供給部30とを有する。
塗布・現像装置2は、ワークWに供給される処理液に含まれる異物(パーティクル)を検出するように構成された異物検出ユニット50(異物検出装置)を更に備える。異物検出ユニット50は、例えば、複数の供給管42A~42Lの流路を流れる処理液内の異物をそれぞれ検出するように構成されている。異物検出ユニット50は、液処理ユニットU1の近傍に配置されてもよく、液処理ユニットU1の筐体内に配置されてもよい。異物検出ユニット50の一部の要素は、供給管42A~42Lの流路上の開閉バルブVとノズル32A~32Lとの間に設けられてもよい。以下では、図5~図11も参照して、異物検出ユニット50の一例について説明する。
続いて、図12を参照して、異物検出ユニット50の動作モードが監視モードに設定されている場合に実行される異物検出方法(異物検出手順)について説明する。図12は、異物検出方法の一例を示すフローチャートである。
続いて、図13~図16を参照して、異物検出ユニット50の動作モードが監視モードに設定されている場合に実行される異物検出ユニット50の動作確認方法について説明する。異物検出ユニット50の動作確認方法が実行される際に、図13に示されるように、検査液流路形成部63の検査液流路65に検査液供給部150が接続される。検査液供給部150は、例えば、供給源152と、供給管154と、開閉バルブV1と、排液管162と、回収ボトル164とを有する。
異物検出ユニット50の動作確認方法には、基準情報を取得するための基準設定手順と、基準情報に基づいて実行される動作確認手順とが含まれてもよい。この基準設定手順は、いずれの時期に行われてもよく、異物検出ユニット50が塗布・現像装置2(液処理ユニットU1)に設置される前に行われてもよいし、異物検出ユニット50が塗布・現像装置2に設置された後に行われてもよい。例えば、異物検出ユニット50の製造後の出荷前に基準設定手順が実行されてもよい。図14は、動作確認方法に含まれる基準設定手順の一例を示すフローチャートである。基準設定手順では、まずステップS21が行われる。ステップS21では、次ステップ以降の動作確認の準備として、例えば、作業者等によって異物検出ユニット50に検査液供給部150が接続される。
続いて、基準情報に基づいて実行される動作確認手順について説明する。この動作確認手順は、塗布・現像装置2に異物検出ユニット50が設置された後に実行されてもよい。例えば、動作確認手順は、異物検出ユニット50が出荷された後に塗布・現像装置2に設置された際に実行されてもよく、塗布・現像装置2のメンテナンス時に実行されてもよい。この動作確認手順でも、例えば、ステップS21~S24の処理と同様の処理が実行されてもよい。
以上に例示した異物検出ユニット50では、処理液とは異なる検査液が流れる検査液流路65を形成する検査液流路形成部63が備えられ、照射光の照射によって処理液流路64から出射される光と、照射光の照射によって検査液流路65から出射される光とが受光部76によりそれぞれ受光される。そのため、処理液流路64からの光に基づく異物検出に加えて、検査液流路65からの光に基づいて検出動作の確認を行うことができる。従って、異物検出動作が正常に行われているかを確認することが可能となる。
制御部100は、検査液流路65を用いた動作確認に加えて、処理液流路64からの光に含まれる背景光を監視することで、検出動作の確認を行ってもよい。上述したように、処理液流路64を流れる処理液内に異物が含まれないときでも、処理液流路64内の処理液によって照射光が散乱する。受光部76は、当該散乱によって生じる散乱光の一部を背景光として受光する。制御部100は、背景光の強度を取得し、取得された背景光の強度を異物検出ユニット50が正常時の背景光の強度(以下、「基準強度」という。)と比較することで検出動作の確認を行ってもよい。制御部100は、例えば、図6に示されるように、機能モジュールとして、強度情報取得部122と、状態監視部124とを更に有してもよい。
Claims (8)
- 基板処理用の処理液に含まれる異物を検出するように構成された異物検出装置であって、
基板に供給される前記処理液が流れる処理液流路を形成する処理液流路形成部と、
前記処理液とは異なる検査液が流れる検査液流路を形成する検査液流路形成部と、
前記処理液流路及び前記検査液流路に向けて光源からの照射光をそれぞれ照射するように構成された照射部と、
前記照射光の照射によって前記処理液流路から出射される光と、前記照射光の照射によって前記検査液流路から出射される光とをそれぞれ受光するように構成された受光部と、
前記受光部により受光された光に基づいて、基準情報を取得することと、前記基準情報の取得後において前記受光部により受光された光に基づく検出結果と、前記基準情報とを比較することで、前記異物検出装置の動作が正常であるかどうかを判定することと、を実行する制御部と、
駆動部と、を備え、
前記検査液は、基準粒子が含まれている懸濁液であり、
前記処理液流路と前記検査液流路とは、第1方向に沿って延びるように形成され、且つ前記第1方向と直交する第2方向に沿って並んで配置されており、
前記照射部は、前記光源からの前記照射光の向きを変えることで、前記処理液流路及び前記検査液流路に向けて前記照射光をそれぞれ照射するように構成された光学部材を有し、
前記駆動部は、前記第2方向に沿って前記光学部材と前記受光部とを移動させるように構成されている、異物検出装置。 - 前記処理液流路から出射される光は、前記照射光が前記処理液流路内で散乱した光であり、
前記検査液流路から出射される光は、前記照射光が前記検査液流路内で散乱した光である、請求項1に記載の異物検出装置。 - 前記第2方向において、前記光源、前記処理液流路、及び前記検査液流路は、この順で配置されている、請求項1又は2に記載の異物検出装置。
- 前記制御部は、前記照射部により前記処理液流路に前記照射光を照射させていないときに、前記第2方向において予め定められた待機位置に前記照射部と前記受光部とを移動させるように前記駆動部を制御し、
前記検査液流路は、前記待機位置に配置された前記照射部からの前記照射光が照射可能な位置に配置されている、請求項1~3のいずれか一項に記載の異物検出装置。 - 前記制御部は、前記基板に前記処理液が供給される期間の少なくとも一部において、前記処理液流路に前記照射光が照射されるように前記駆動部を制御し、且つ、前記基板に前記処理液が供給されない期間の少なくとも一部において、前記検査液流路に前記照射光が照射されるように前記駆動部を制御する、請求項1~3のいずれか一項に記載の異物検出装置。
- 基板処理用の処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する供給部とを有する処理液供給ユニットと、
前記ノズルから基板に向けて吐出される前記処理液に含まれる異物を、前記供給部において検出するように構成された異物検出ユニットと、を備え、
前記異物検出ユニットは、
前記処理液が流れる処理液流路を形成する処理液流路形成部と、
前記処理液とは異なる検査液が流れる検査液流路を形成する検査液流路形成部と、
前記処理液流路及び前記検査液流路に向けて光源からの照射光をそれぞれ照射するように構成された照射部と、
前記照射光の照射によって前記処理液流路から出射される光と、前記照射光の照射によって前記検査液流路から出射される光とをそれぞれ受光するように構成された受光部と、
前記受光部により受光された光に基づいて、基準情報を取得することと、前記基準情報の取得後において前記受光部により受光された光に基づく検出結果と、前記基準情報とを比較することで、前記異物検出ユニットの動作が正常であるかどうかを判定することと、を実行する制御部と、
駆動部と、を有し、
前記検査液は、基準粒子が含まれている懸濁液であり、
前記処理液流路と前記検査液流路とは、第1方向に沿って延びるように形成され、且つ前記第1方向と直交する第2方向に沿って並んで配置されており、
前記照射部は、前記光源からの前記照射光の向きを変えることで、前記処理液流路及び前記検査液流路に向けて前記照射光をそれぞれ照射するように構成された光学部材を含み、
前記駆動部は、前記第2方向に沿って前記光学部材と前記受光部とを移動させるように構成されている、基板処理装置。 - 基板処理用の処理液に含まれる異物を検出するように構成された異物検出装置の動作確認方法であって、
基板に供給される前記処理液が流れる処理液流路とは異なる検査液流路内が前記処理液とは異なる検査液で満たされている状態で、当該検査液流路内に光源からの照射光を照射部により照射することと、
前記照射光の照射によって前記検査液流路から出射される光を受光部により受光することと、
前記受光部により受光された光に基づいて、基準情報を取得することと、
前記基準情報の取得後において前記受光部により受光された光に基づく検出結果と、前記基準情報とを比較することで、前記異物検出装置の動作が正常であるかどうかを判定することと、
前記照射部及び前記受光部を駆動することと、を含み、
前記検査液は、基準粒子が含まれている懸濁液であり、
前記処理液流路と前記検査液流路とは、第1方向に沿って延びるように形成され、且つ前記第1方向と直交する第2方向に沿って並んで配置されており、
前記照射部は、前記光源からの前記照射光の向きを変えることで、前記処理液流路及び前記検査液流路に向けて前記照射光をそれぞれ照射するように構成された光学部材を有し、
前記照射部及び前記受光部を駆動することは、前記第2方向に沿って前記光学部材と前記受光部とを移動させることを含む、異物検出装置の動作確認方法。 - 前記検査液で満たされている前記検査液流路内に前記照射光を照射することは、前記検査液が前記検査液流路内を流れている状態で当該検査液流路内に前記照射光を照射することを含む、請求項7に記載の動作確認方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023199000A JP2024020516A (ja) | 2020-03-27 | 2023-11-24 | 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020058776 | 2020-03-27 | ||
JP2020058776 | 2020-03-27 | ||
PCT/JP2021/010383 WO2021193198A1 (ja) | 2020-03-27 | 2021-03-15 | 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出装置の動作確認方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023199000A Division JP2024020516A (ja) | 2020-03-27 | 2023-11-24 | 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021193198A1 JPWO2021193198A1 (ja) | 2021-09-30 |
JP7393525B2 true JP7393525B2 (ja) | 2023-12-06 |
Family
ID=77892096
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022509952A Active JP7393525B2 (ja) | 2020-03-27 | 2021-03-15 | 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出装置の動作確認方法 |
JP2023199000A Pending JP2024020516A (ja) | 2020-03-27 | 2023-11-24 | 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023199000A Pending JP2024020516A (ja) | 2020-03-27 | 2023-11-24 | 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7393525B2 (ja) |
KR (1) | KR20220159403A (ja) |
CN (1) | CN115335686A (ja) |
TW (1) | TW202208823A (ja) |
WO (1) | WO2021193198A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180128733A1 (en) | 2016-11-07 | 2018-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for detection and analysis of nanoparticles from semiconductor chamber parts |
WO2018135487A1 (ja) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物検出装置、異物検出方法及び記憶媒体 |
JP2018121075A (ja) | 2018-04-06 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01321324A (ja) * | 1988-06-24 | 1989-12-27 | Shimadzu Corp | 複数試料の測定が可能な分光光度計 |
JP3151036B2 (ja) | 1992-02-06 | 2001-04-03 | ミクニキカイ株式会社 | サブミクロン粒子の検出方法および装置 |
JPH10177940A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Sony Corp | 薬液供給装置 |
-
2021
- 2021-03-15 KR KR1020227036016A patent/KR20220159403A/ko unknown
- 2021-03-15 JP JP2022509952A patent/JP7393525B2/ja active Active
- 2021-03-15 WO PCT/JP2021/010383 patent/WO2021193198A1/ja active Application Filing
- 2021-03-15 TW TW110109057A patent/TW202208823A/zh unknown
- 2021-03-15 CN CN202180022635.XA patent/CN115335686A/zh active Pending
-
2023
- 2023-11-24 JP JP2023199000A patent/JP2024020516A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180128733A1 (en) | 2016-11-07 | 2018-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for detection and analysis of nanoparticles from semiconductor chamber parts |
WO2018135487A1 (ja) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物検出装置、異物検出方法及び記憶媒体 |
JP2018121075A (ja) | 2018-04-06 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202208823A (zh) | 2022-03-01 |
KR20220159403A (ko) | 2022-12-02 |
JPWO2021193198A1 (ja) | 2021-09-30 |
WO2021193198A1 (ja) | 2021-09-30 |
CN115335686A (zh) | 2022-11-11 |
JP2024020516A (ja) | 2024-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20230395380A1 (en) | Processing apparatus for forming a coating film on a substrate having a camera and a mirror member | |
KR102405539B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2024040273A (ja) | 異物検出装置、基板処理装置、異物検出方法、及び記憶媒体 | |
JP6773188B2 (ja) | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成システム | |
WO2019202962A1 (ja) | 薬液の異常検出装置、液処理装置、基板処理装置、薬液の異常検出方法、液処理方法及び基板処理方法 | |
TWI638400B (zh) | Substrate processing device, substrate processing method, and memory medium | |
CN212062395U (zh) | 基板处理装置和基板处理系统 | |
JP7393525B2 (ja) | 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出装置の動作確認方法 | |
JP6547871B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
WO2023127488A1 (ja) | 異物検出装置及び異物検出方法 | |
WO2023127487A1 (ja) | 異物検出装置及び異物検出方法 | |
JP5407900B2 (ja) | 流量測定装置及び流量測定方法 | |
CN116387193A (zh) | 基板处理设备和基板处理方法 | |
CN111527586A (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取记录介质 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231024 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7393525 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |