CN115335686A - 异物检测装置、基板处理装置以及异物检测装置的动作确认方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 242
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 186
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 88
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 590
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 220
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 175
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 39
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 35
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 30
- 239000012085 test solution Substances 0.000 claims description 23
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 25
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N15/1434—Optical arrangements
- G01N15/1436—Optical arrangements the optical arrangement forming an integrated apparatus with the sample container, e.g. a flow cell
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
- G01N21/03—Cuvette constructions
- G01N21/05—Flow-through cuvettes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/49—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
- G01N21/53—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid within a flowing fluid, e.g. smoke
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/85—Investigating moving fluids or granular solids
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
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Abstract
异物检测装置(50)是构成为检测基板处理用的处理液中包含的异物的装置。该异物检测装置具备:处理液流路形成部,其形成供向基板供给的处理液流通的处理液流路;检查液流路形成部,其形成供与处理液不同的检查液流通的检查液流路(65);照射部(74),其构成为朝向处理液流路和检查液流路分别照射来自光源的照射光;以及受光部(76),其构成为分别接受通过照射照射光而从处理液流路射出的光和通过照射照射的而从检查液流路射出的光。
Description
技术领域
本公开涉及一种异物检测装置、基板处理装置以及异物检测装置的动作确认方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种用于检测作为不溶物存在于流体中的亚微米颗粒的检测装置。该检测装置包括将来自相干光源的光进行聚光的光学系统、配置于由该光学系统聚光后的光束的焦点附近且供包含细颗粒的流体流通的单元、配置于光束的光路上且相对于单元与光束的光源相反一侧的光检测器、以及根据来自该光检测器的电信号来测量流体中的细颗粒的个数的电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-215664号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够确认异物检测动作是否正常地进行的异物检测装置、基板处理装置以及异物检测装置的动作确认方法。
用于解决问题的方案
一个例示性的实施方式所涉及的异物检测装置是构成为检测基板处理用的处理液中包含的异物的装置。该异物检测装置具备:处理液流路形成部,其形成供向基板供给的处理液流通的处理液流路;检查液流路形成部,其形成供与处理液不同的检查液流通的检查液流路;照射部,其构成为朝向处理液流路和检查液流路分别照射来自光源的照射光;以及受光部,其构成为分别接受通过照射照射光而从处理液流路射出的光和通过照射照射光而从检查液流路射出的光。
发明的效果
根据本公开,提供一种能够确认异物检测动作是否正常地进行的异物检测装置、基板处理装置以及异物检测装置的动作确认方法。
附图说明
图1是示出基板处理系统的一例的示意性的立体图。
图2是示出涂布显影装置的一例的示意图。
图3是示出液处理单元的一例的示意图。
图4是示出液处理单元的处理液供给部的一例的示意图。
图5是示意性地示出异物检测单元的一例的侧视图。
图6是示意性地示出异物检测单元的一例的立体图。
图7是示意性地示出异物检测单元的一例的侧视图。
图8是示意性地示出异物检测单元的一例的侧视图。
图9是示出控制部的功能上的结构的一例的框图。
图10是示出与检测光相应的信号强度的一例的曲线图。
图11是示出控制部的硬件结构的一例的框图。
图12是示出异物检测方法的一例的流程图。
图13是用于说明检查液的供给方法的一例的示意图。
图14是示出异物检测装置的动作确认方法的一例的流程图。
图15是示出基准信息的设定过程的一例的流程图。
图16是示出动作确认过程的一例的流程图。
具体实施方式
下面,对各种例示性的实施方式进行说明。
一个例示性的实施方式所涉及的异物检测装置是构成为检测基板处理用的处理液中包含的异物的装置。该异物检测装置具备:处理液流路形成部,其形成供向基板供给的处理液流通的处理液流路;检查液流路形成部,其形成供与处理液不同的检查液流通的检查液流路;照射部,其构成为朝向处理液流路和检查液流路分别照射来自光源的照射光;以及受光部,其构成为分别接受通过照射照射光而从处理液流路射出的光和通过照射照射光而从检查液流路射出的光。
在该异物检测装置中,除了接受通过照射照射光而从处理液流路射出的光之外,还接受通过照射照射光而从检查液流路射出的光。因此,关于基于来自处理液流路的光来进行异物检测,能够基于来自检查液流路的光来进行检测动作的确认。因而,能够确认异物检测动作是否正常地进行。
从处理液流路射出的光可以是照射光在处理液流路内散射后的光,从检查液流路射出的光可以是照射光在检查液流路内散射后的光。在该情况下,检测光因处理液或检查液内有无异物而产生的强度差大,因此能够更可靠地进行异物检测及其动作确认。
处理液流路和检查液流路可以形成为沿第一方向延伸,并且以沿与第一方向正交的第二方向排列的方式配置。上述异物检测装置可以还具备驱动部,该驱动部构成为使照射部和受光部沿第二方向移动。在该情况下,能够在处理液流路和检查液流路中共用向流路照射照射光的的照射部和接受来自流路的光的受光部。
照射部可以具有光学构件,该光学构件构成为通过改变来自光源的照射光的朝向,来分别朝向处理液流路和检查液流路照射照射光。驱动部可以构成为使光学构件沿第二方向移动。在该情况下,无需使照射光的光源移动,因此能够简化驱动部。
在第二方向上,光源、处理液流路以及检查液流路可以按照光源、处理液流路、检查液流路的顺序配置。在该情况下,对处理液流路照射的照射光的光路不会由于设置检查液流路而发生变化。因而,能够抑制由于检查液流路而对异物检测的精度产生的影响。
异物检测装置可以还具备控制部,该控制部在未通过照射部向处理液流路照射照射光时,控制驱动部,以使照射部和受光部在第二方向上移动到预先决定的待机位置。检查液流路可以配置于来自配置于待机位置的照射部的照射光能够照射到的位置。在该结构中,在从未向处理液流路照射照射光的的状态转到异物检测动作的确认时,能够缩短用于动作确认的设定时间。
异物检测装置可以还具备控制部,该控制部在向基板供给处理液的期间中的至少一部分期间,控制驱动部以向处理液流路照射照射光,并且在未向基板供给处理液的期间中的至少一部分期间,控制驱动部以向检查液流路照射照射光。在该情况下,能够抑制未向基板供给处理液时的、来自光源的照射光对处理液流路产生的影响。
一个例示性的实施方式所涉及的基板处理装置具备:处理液供给单元,其具有喷出基板处理用的处理液的喷嘴、以及向喷嘴供给处理液的供给部;以及异物检测单元,其构成为在供给部中检测要从喷嘴朝向基板喷出的处理液中包含的异物。异物检测单元具有:处理液流路形成部,其形成供处理液流通的处理液流路;检查液流路形成部,其形成供与处理液不同的检查液流通的检查液流路;照射部,其构成为朝向处理液流路和检查液流路分别照射来自光源的照射光;以及受光部,其构成为分别接受通过照射照射光而从处理液流路射出的光和通过照射照射光而从检查液流路射出的光。在该基板处理装置中,与上述的异物检测装置同样地,能够确认异物检测动作是否正常地进行。
一个例示性的实施方式所涉及的异物检测装置的动作确认方法是构成为检测基板处理用的处理液中包含的异物的异物检测装置的动作确认方法。该动作确认方法包括:在检查液流路内充满与处理液不同的检查液的状态下,向该检查液流路内照射来自光源的照射光,所述检查液流路是与供向基板供给的处理液流通的处理液流路不同的流路;以及接受通过照射照射光而从检查液流路射出的光。在该动作确认方法中,与上述的异物检测装置同样地,能够确认异物检测动作是否正常地进行。
向充满检查液的检查液流路内照射照射光可以包括:在检查液在检查液流路内流通的状态下向该检查液流路内照射照射光。在该情况下,能够抑制由于检查液停留于检查液流路内而使得检查液流路内被污染。
向充满检查液的检查液流路内照射照射光可以包括:向充满包含基准颗粒的悬浊液的检查液流路内照射照射光。在该情况下,通过检测由于基准颗粒引起的检测光的强度的变化,能够确认异物的检测功能。
下面,参照附图来对一个实施方式进行说明。在说明中,对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记,并且省略重复的说明。在一部分附图中示出由X轴、Y轴以及Z轴规定的正交坐标系。在以下的实施方式中,Z轴与铅垂方向对应,X轴及Y轴与水平方向对应。
[基板处理系统]
图1所示的基板处理系统1(基板处理装置)是对工件W实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的工件W例如是基板、或者通过实施规定的处理而形成有膜或电路等的状态的基板。作为一例,工件W所包括的基板是含硅的晶圆。工件W(基板)可以形成为圆形。作为处理对象的工件W可以是玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display:平板显示器)等,也可以是对这些基板等实施规定的处理所得到的中间体。感光性覆膜例如是抗蚀膜。
基板处理系统1具备涂布/显影装置2和曝光装置3。曝光装置3是对形成于工件W(基板)的抗蚀膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体地说,曝光装置3通过液浸曝光等方法对抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。涂布/显影装置2在通过曝光装置3进行曝光处理之前进行在工件W的表面涂布抗蚀剂(药液)来形成抗蚀膜的处理,在曝光处理之后进行抗蚀膜的显影处理。
(基板处理装置)
下面,作为基板处理装置的一例,对涂布/显影装置2的结构进行说明。如图1和图2所示,涂布/显影装置2具备承载件块4、处理块5、接口块6以及控制装置18。
承载件块4向涂布/显影装置2内导入工件W、以及从涂布/显影装置2导出工件W。例如,承载件块4能够支承工件W用的多个承载件C,并且内置有包括交接臂的搬送装置A1。承载件C例如收容多张圆形的工件W。搬送装置A1将工件W从承载件C取出并传递到处理块5,从处理块5接受工件W并将其送回到承载件C内。处理块5具有多个处理模块11、12、13、14。
处理模块11内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块11通过液处理单元U1和热处理单元U2来在工件W的表面上形成下层膜。液处理单元U1在工件W上涂布用于形成下层膜的处理液。热处理单元U2进行伴随下层膜的形成而进行的各种热处理。
处理模块12内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块12通过液处理单元U1和热处理单元U2来在下层膜上形成抗蚀膜。液处理单元U1在下层膜之上涂布用于形成抗蚀膜的处理液(抗蚀剂)。热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成而进行的各种热处理。
处理模块13内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块13通过液处理单元U1和热处理单元U2来在抗蚀膜上形成上层膜。液处理单元U1在抗蚀膜之上涂布用于形成上层膜的处理液。热处理单元U2进行伴随上层膜的形成而进行的各种热处理。
处理模块14内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块14通过液处理单元U1和热处理单元U2来对实施了曝光处理后的抗蚀膜进行显影处理以及伴随显影处理而进行的热处理。液处理单元U1在对曝光完毕的工件W的表面上涂布显影液之后,利用冲洗液冲洗掉该显影液,由此进行抗蚀膜的显影处理。热处理单元U2进行伴随显影处理而进行的各种热处理。作为热处理的具体例,能够列举显影处理前的加热处理(PEB:Post Exposure Bake:曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB:PostBake:后烘)等。
在处理块5内的靠承载件块4侧设置有架单元U10。架单元U10被划分为在上下方向上排列的多个层格。在架单元U10的附近设置有包括升降臂的搬送装置A7。搬送装置A7使工件W在架单元U10的层格之间进行升降。
在处理块5内的靠接口块6侧设置有架单元U11。架单元U11被划分为在上下方向上排列的多个层格。
接口块6与曝光装置3之间进行工件W的交接。例如,接口块6内置有包括交接臂的搬送装置A8,该接口块6与曝光装置3连接。搬送装置A8将配置于架单元U11的工件W传递到曝光装置3。搬送装置A8从曝光装置3接受工件W并将其送回架单元U11。
控制装置18控制涂布/显影装置2,以使该涂布/显影装置2例如按照以下的过程来执行涂布/显影处理。首先,控制装置18控制搬送装置A1以将承载件C内的工件W搬送到架单元U10,并且控制搬送装置A7以将该工件W配置于处理模块11用的层格。
接着,控制装置18控制搬送装置A3,以将架单元U10的工件W搬送到处理模块11内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外,控制装置18控制液处理单元U1和热处理单元U2,以在该工件W的表面上形成下层膜。之后,控制装置18控制搬送装置A3以将形成有下层膜的工件W送回架单元U10,并且控制搬送装置A7以将该工件W配置于处理模块12用的层格。
接着,控制装置18控制搬送装置A3,以将架单元U10的工件W搬送到处理模块12内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外,控制装置18控制液处理单元U1和热处理单元U2,以对该工件W的表面形成抗蚀膜。之后,控制装置18控制搬送装置A3以将工件W送回到架单元U10,并且控制搬送装置A7以将该工件W配置于处理模块13用的单元。
接着,控制装置18控制搬送装置A3,以将架单元U10的工件W搬送到处理模块13内的各单元。另外,控制装置18控制液处理单元U1和热处理单元U2,以在该工件W的抗蚀膜上形成上层膜。之后,控制装置18控制搬送装置A3,以将工件W搬送到架单元U11。
接着,控制装置18控制搬送装置A8,以将架单元U11的工件W送出到曝光装置3。之后,控制装置18控制搬送装置A8,以从曝光装置3接受实施了曝光处理后的工件W,并将其配置于架单元U11中的处理模块14用的层格。
接着,控制装置18控制搬送装置A3以将架单元U11的工件W搬送到处理模块14内的各单元,并且控制液处理单元U1和热处理单元U2以对该工件W的抗蚀膜实施显影处理。之后,控制装置18控制搬送装置A3以将工件W送回到架单元U10,并且控制搬送装置A7和搬送装置A1以将该工件W送回到承载件C内。通过以上过程,针对一张工件W的涂布/显影处理完成。控制装置18使涂布/显影装置2对后续的多张工件W也分别执行上述涂布/显影处理。
(液处理单元)
接着,参照图3和图4对液处理单元U1的一例详细地进行说明。在此,以形成抗蚀膜的处理模块12中的液处理单元U1(处理液供给单元)为例来进行说明。如图3所示,液处理单元U1具有旋转保持部20和处理液供给部30。
旋转保持部20基于控制装置18的动作指示来保持工件W并使其旋转。旋转保持部20例如具有保持部22和旋转驱动部24。保持部22支承以表面Wa朝上的方式水平地配置的工件W的中心部,并通过例如真空吸附等来保持该工件W。旋转驱动部24例如是包括电动马达等动力源的致动器,使保持部22绕铅垂的轴线Ax旋转。由此,保持部22上的工件W旋转。
处理液供给部30基于控制装置18的动作指示来朝向工件W的表面Wa喷出处理液,由此向该表面Wa供给处理液。由处理液供给部30供给的处理液是用于对工件W进行处理的基板处理用的溶液。作为处理液的一种,能够列举用于形成抗蚀膜的溶液(抗蚀剂)、以及在提高表面Wa的针对抗蚀剂的润湿性的预湿处理中使用的溶液(例如稀释剂)。处理液供给部30例如具有多个喷嘴32、保持头34以及供给部36。
多个喷嘴32分别向被保持于保持部22的工件W的表面Wa喷出处理液。多个喷嘴32例如以被保持于保持头34的状态配置于工件W的上方,分别单独地朝向下方喷出处理液。保持头34可以构成为通过未图示的驱动部而能够在沿着工件W的表面Wa的方向上移动。关于多个喷嘴32的个数并无限定,下面,以处理液供给部30具有12个喷嘴32(下面,称为“喷嘴32A~32L”。)的情况为例来进行说明。
从供给部36向喷嘴32A~32L分别供给处理液。可以从供给部36向喷嘴32A~32L供给种类互不相同的处理液。作为一例,从供给部36向喷嘴32A~32J分别供给种类互不相同的抗蚀剂,从供给部36向喷嘴32K、32L分别供给种类互不相同的稀释剂。
如图4所示,供给部36包括多个供给管42A~42L和多个供给源44A~44L。供给管42A形成作为向喷嘴32A供给的(从喷嘴32A喷出的)处理液的液源的供给源44A与喷嘴32A之间的流路。供给源44A例如包括用于贮存处理液的瓶和从该瓶朝向喷嘴32A加压输送处理液的泵。供给管42B~42L也与供给管42A同样地分别形作为成处理液的液源的供给源44B~44L与喷嘴32B~32L之间的流路。
供给部36还包括分别设置于多个供给管42A~42L的多个开闭阀V。开闭阀V基于控制装置18的动作指示来切换为打开状态或关闭状态。通过切换多个开闭阀V的开闭状态,来对供给管42A~42L的流路分别进行开闭。例如,当开闭阀V成为打开状态时,处理液在供给管42A~42L的流路内流通,并从喷嘴32A~32L被喷出到工件W的表面Wa。
(异物检测单元)
涂布/显影装置2还具备异物检测单元50(异物检测装置),该异物检测单元50(异物检测装置)构成为检测向工件W供给的处理液中包含的异物(微粒)。异物检测单元50例如构成为分别检测在多个供给管42A~42L的流路中流通的处理液内的异物。异物检测单元50可以配置于液处理单元U1的附近,也可以配置于液处理单元U1的壳体内。异物检测单元50的一部分要素设置于供给管42A~42L的流路上的、开闭阀V与喷嘴32A~32L之间的位置。下面,还参照图5~图11对异物检测单元50的一例进行说明。
异物检测单元50形成供在供给管42A~42L中流通的处理液分别流通的流路(下面,称为“处理液流路”。)。异物检测单元50接受通过向处理液流路照射照射光(例如激光)而产生的光,由此检测在处理液流路中流通的处理液内的异物。如图5所示,异物检测单元50例如具有壳体52、流路形成部60以及测定部70。壳体52包括上壁54a、底壁54b以及侧壁56a~56d(也参照图8)。作为一例,上壁54a和底壁54b分别水平地(沿X-Y平面)配置。另外,侧壁56a、56b分别沿Y轴方向垂直地(沿Y-Z平面)配置,并且在X轴方向(第一方向)上相向。另外,侧壁56c、56d分别沿X轴方向垂直地(沿X-Z平面)配置,并且在Y轴方向(第二方向)上相向。壳体52收容流路形成部60和测定部70。
流路形成部60形成分别设置于供给管42A~42L的流路上的多个处理液流路。流路形成部60形成的多个处理液流路分别用于检测在该处理液流路中流通的处理液中包含的异物。例如如图6所示,流路形成部60具有多个处理液流路形成部62A~62L。多个处理液流路形成部62A~62L彼此同样地构成。下面,以处理液流路形成部62A为例来对处理液流路形成部的详情进行说明。
如图5所示,处理液流路形成部62A在将供给源44A与喷嘴32A连接的供给管42A的流路上形成处理液流路64(还参照图4)。处理液流路64的上游侧和下游侧的端部连接于供给管42A。由此,从供给源44A加压输送的处理液按照供给管42A的流路的一部分、处理液流路形成部62A的处理液流路64、供给管42A的流路的其余部分的顺序通过供给管42A的流路的一部分、处理液流路形成部62A的处理液流路64以及供给管42A的流路的其余部分,并从喷嘴32A被喷出到工件W的表面Wa。
处理液流路形成部62A例如包括在内部形成有处理液流路64的块主体66。块主体66由能够使在异物检测时使用的激光透过的材料构成。作为构成块主体66的材料,例如能够列举石英和蓝宝石。块主体66可以形成为长方体状,块主体66的一面可以与侧壁56a相向。作为一例,在块主体66中的与侧壁56a相向的面形成有处理液流路64的流入口64a和流出口64b。流入口64a也可以位于流出口64b的下方。
处理液流路64例如包括第一流路68a、第二流路68b以及第三流路68c。第一流路68a形成为沿底壁54b在水平方向上(在图示中沿X轴方向)延伸。在第一流路68a的靠近侧壁56a的一端构成流入口64a,第一流路68a的靠近侧壁56b的另一端与第二流路68b连接。第二流路68b形成为在铅垂方向上沿侧壁56a(沿着Z轴方向)延伸。第二流路68b的靠近底壁54b的一端与第一流路68a连接,第二流路68b的靠近上壁54a的另一端与第三流路68c连接。第三流路68c形成为沿底壁54b在水平方向上(沿着X轴方向)延伸。第三流路68c的靠近侧壁56b的一端与第二流路68b连接,第三流路68c的靠近侧壁56a的另一端构成流出口64b。
在流入口64a连接有供给管42A中的比处理液流路形成部62A更靠上游侧的供给管(下面,称为“上游侧供给管46”。)。在流出口64b连接有供给管42A中的比处理液流路形成部62A更靠下游侧的供给管(下面,称为“下游侧供给管48”。)。上游侧供给管46和下游侧供给管48贯通与块主体66相向的侧壁56a。通过以上的结构,从供给源44A送出的处理液能够按照上游侧供给管46、第一流路68a、第二流路68b、第三流路68c、下游侧供给管48的顺序通过上游侧供给管46、第一流路68a、第二流路68b、第三流路68c以及下游侧供给管48,并从喷嘴32A被供给到工件W。
如上所述,图6所示的处理液流路形成部62A至62L彼此同样地构成。因而,处理液流路形成部62B~62L与处理液流路形成部62A同样地分别包括在内部形成有处理液流路64的块主体66。处理液流路形成部62B~62L各自的处理液流路64包括第一流路68a、第二流路68b以及第三流路68c。在处理液流路形成部62B~62L的流入口64a(第一流路68a)分别连接有供给管42B~42L的上游侧供给管46。在处理液流路形成部62B~62L的流出口64b(第三流路68c)分别连接有供给管42B~42L的下游侧供给管48。
流路形成部60除了处理液流路形成部62A~62L以外,还具有检查液流路形成部63,该检查液流路形成部63形成用于进行异物检测单元50的动作确认的流路(下面,称为“检查液流路”。)。例如如图7所示,检查液流路形成部63可以与处理液流路形成部62A同样地构成。检查液流路形成部63例如包括在内部形成有检查液流路65的块主体67。块主体67与块主体66同样地构成。
检查液流路形成部63的检查液流路65包括第一流路69a、第二流路69b以及第三流路69c。第一流路69a、第二流路69b以及第三流路69c分别与处理液流路64的第一流路68a、第二流路68b以及第三流路69c同样地构成。与处理液流路形成部62A~62L不同,在检查液流路65的流入口65a(第一流路69a的靠近侧壁56a的一端)和流出口65b(第三流路69c的靠近侧壁56a的一端)未连接供处理液流通的供给管。例如,流入口65a经由上游侧连接管97向壳体52的外部开口,流出口65b经由下游侧连接管98向壳体52的外部开口。通过使作为与处理液不同的、动作确认用的溶液(下面,称为“检查液”。)在检查液流路中流通,来进行异物检测单元50的动作确认。在后文中叙述异物检测单元50的动作确认。
处理液流路形成部62A~62L和检查液流路形成部63分别以与侧壁56a相向的状态沿从侧壁56d朝向侧壁56c的方向(沿着Y轴方向)排列配置。处理液流路形成部62A~62L和检查液流路形成部63也可以以彼此具有间隔的状态依次排列。处理液流路形成部62A~62L的第一流路68a的高度位置(Z轴方向上的位置)可以彼此大致一致。检查液流路形成部63的第一流路69a的高度位置也可以与第一流路68a的高度位置大致一致。
处理液流路形成部62A~62L的第二流路68b的从侧壁56a起的距离(X轴方向上的位置)可以彼此大致一致。检查液流路形成部63的第二流路69b的从侧壁56a起的距离也可以与第二流路68b的从侧壁56a起的距离大致一致。处理液流路形成部62A~62L的第三流路68c的高度位置(到底壁54b的距离)可以彼此大致一致。检查液流路形成部63的第三流路69c的高度位置也可以与第三流路68c的高度位置大致一致。
处理液流路形成部62A~62L的第一流路68a和检查液流路形成部63的第一流路69a以沿Y轴方向排列的方式配置。处理液流路形成部62A~62L的第二流路68b和检查液流路形成部63的第二流路69b以沿Y轴方向排列的方式配置。处理液流路形成部62A~62L的第三流路68c和检查液流路形成部63的第三流路69c以沿Y轴方向排列的方式配置。
返回图5,测定部70具有光源72、照射部74、受光部76、保持部78以及驱动部80。光源72生成激光来作为用于检测处理液内的异物的照射光。光源72例如射出波长为400nm~600nm左右且输出为600mW~1000mW左右的激光。例如如图8所示,光源72设置于底壁54b上,并且配置于比处理液流路形成部62A~62L和检查液流路形成部63更靠下方的位置。作为一例,光源72向从侧壁56d朝向侧壁56c的方向(Y轴负方向)射出激光。光源72在Y轴方向上配置于与处理液流路形成部62A不同的位置。光源72在Y轴方向上与处理液流路形成部62A相分离地配置。在Y轴方向上,例如光源72、处理液流路形成部62A~62L(处理液流路64)以及检查液流路形成部63(检查液流路65)以按照光源72、处理液流路形成部62A~62L(处理液流路64)、检查液流路形成部63(检查液流路65)的顺序排列的方式配置。
照射部74构成为朝向处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64和检查液流路65分别照射来自光源72的照射光。照射部74例如构成为朝向处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64和检查液流路65单独地照射照射光。照射部74也可以配置在处理液流路64和检查液流路65的下方。照射部74例如具有光学构件82,该光学构件82构成为通过改变来自光源72的照射光的朝向来朝向处理液流路64和检查液流路65分别照射照射光。
光学构件82例如包括反射构件82a和聚光透镜82b。反射构件82a的反射面在Y轴方向上与光源72相向。反射构件82a的反射面将从光源72大致水平地射出的照射光朝向上方反射。聚光透镜82b配置于反射构件82a的上方,将由反射构件82a反射后的照射光在设定于处理液流路64或检查液流路65的测定位置处进行聚光。聚光透镜82b例如构成为向在处理液流路64中的第一流路68a或检查液流路65中的第一流路69a中设定的测定位置照射照射光。
保持部78将光学构件82以能够移动的方式保持。保持部78例如具有导轨88和滑动台84。导轨88可以形成为设置于底壁54b上并沿从侧壁56c朝向侧壁56d的方向(沿着Y轴方向)延伸。例如如图8所示,导轨88可以沿Y轴方向至少在从处理液流路形成部62A到检查液流路形成部63之间延伸。导轨88将滑动台84以能够移动的方式支承。
滑动台84配置于比处理液流路形成部62A~62L和检查液流路形成部63更靠下方的位置,用于支承光学构件82(反射构件82a)。例如如图5或图7所示,滑动台84形成为沿与导轨88交叉的方向(例如,X轴方向)延伸。例如,从侧方观察,滑动台84的靠近侧壁56a的一端部位于处理液流路形成部62A的下方,并且靠近侧壁56b的另一端部位于比处理液流路形成部62A的位置更靠侧壁56b的位置。作为一例,在滑动台84的靠近侧壁56a的一端部配置有光学构件82。
驱动部80通过电动马达等动力源来使滑动台84沿导轨88移动。滑动台84沿导轨88移动,由此照射部74(光学构件82)沿Y轴方向移动。
受光部76构成为分别接受通过从照射部74照射照射光而从处理液流路64射出的光和通过从照射部74照射照射光而从检查液流路65射出的光。受光部76例如构成为单独地接受从处理液流路64射出的光和从检查液流路65射出的光。受光部76可以配置为与侧壁56a之间隔着处理液流路形成部62A~62L和检查液流路形成部63。
受光部76例如包括光学构件92和受光元件94。在从侧壁56a朝向侧壁56b的方向(X轴方向)上,处理液流路形成部62A(检查液流路形成部63)、光学构件92以及受光元件94按照处理液流路形成部62A(检查液流路形成部63)、光学构件92、受光元件94的顺序配置。光学构件92及受光元件94的高度位置例如与处理液流路64的第一流路68a及检查液流路65的第一流路69a的高度位置大致一致。
光学构件92例如包括将从处理液流路64或检查液流路65射出的光朝向受光元件94进行聚光的聚光透镜。可以在光学构件92的内部设置仅使具有特定波长的光通过的波长滤波器。受光元件94接受由光学构件92聚光后的光,并且生成与所接受的光(检测光)相应的电信号。受光元件94例如包括进行光电转换的光电二极管。
光学构件92和受光元件94安装于沿铅垂方向延伸的支承构件86。支承构件86与滑动台84连接。例如,支承构件86的下端连接于滑动台84的、与设置有光学构件82的端部相反一侧的端部。随着滑动台84通过驱动部80而进行移动,光学构件92和受光元件94沿Y轴方向移动。
通过以上的结构,驱动部80通过使滑动台84移动来使照射部74和受光部76一同沿Y轴方向移动。驱动部80例如使照射部74及受光部76在照射部74及受光部76分别与处理液流路形成部62A相向的位置同照射部74及受光部76分别与检查液流路形成部63相向的位置之间移动。下面,将照射部74及受光部76分别与某个处理液流路形成部(检查液流路形成部)相向的位置称为与该处理液流路形成部(检查液流路形成部)对应的位置。
作为一例,在从光源72向光学构件82持续地照射照射光的状态下,通过驱动部80使光学构件82移动到处理液流路形成部62A~62L的任一处理液流路64的下方,由此从照射部74向该处理液流路64照射照射光。此时,受光元件94接受从该处理液流路64射出的光。在从光源72向光学构件82持续地照射照射光的状态下,通过驱动部80使光学构件82移动到检查液流路形成部63的检查液流路65的下方,由此从照射部74向检查液流路65照射照射光。此时,受光元件94接受从检查液流路65射出的光。
如上所述,照射部74配置于设定于处理液流路64或检查液流路65的测定位置的下方,受光部76配置于该测定位置的侧方。因而,在向处理液流路64照射照射光的情况下,受光部76接受到照射光在处理液流路64内的测定位置处发生散射而产生的光(散射光)的一部分。在向检查液流路65照射照射光的情况下,受光部76接受到照射光在检查液流路65内的测定位置处发生散射而产生的光(散射光)的一部分。当向供处理液等溶液流通的处理液流路64(检查液流路65)内照射照射光时,无论有无异物均产生散射光。在溶液内不包含异物的情况下,照射光的大部分通过处理液流路64(检查液流路65)。另一方面,当在溶液内包含异物时,照射光在处理液流路64(检查液流路65)内发生散射的程度变大,与不包含异物的情况相比,受光部76接受到的光(朝向受光部76的散射光的一部分)的强度变大。
此外,如图8所示,异物检测单元50还可以具有散热器58。散热器58可以设置于壳体52之外。散热器58例如也可以设置于底壁54b的外表面中的与光源72对应的位置。散热器58也可以是水冷式的散热器。通过散热器58,能够抑制壳体52内的温度由于光源72等光学构件而上升。由此,能够减小由光源72等光学构件产生的热对处理液(基板处理)的影响。
异物检测单元50还可以具有控制部100。控制部100控制异物检测单元50的各要素。控制部100例如配置于壳体52的内部。控制部100可以使异物检测单元50以监视模式和动作确认模式中的任一动作模式进行动作。监视模式是在对工件W执行基板处理时被设定的、用于监视处理液内有无异物的模式。动作确认模式是在不对工件W进行基板处理地确认异物检测单元50的动作时被设定的模式。作为一例,控制部100根据操作者的输入信息将动作模式切换为监视模式或动作确认模式。
如图9所示,控制部100例如具有模式设定部110、信号获取部102、异物判定部104、处理信息获取部106、驱动控制部108、基准信息保持部112、动作判定部114以及输出部116来作为功能性结构(下面,称为“功能模块”。)。此外,模式设定部110、信号获取部102、异物判定部104、处理信息获取部106、驱动控制部108、基准信息保持部112、动作判定部114以及输出部116执行的处理与控制部100执行的处理相当。
模式设定部110将异物检测单元50的动作切换为监视模式或动作确认模式。模式设定部110例如根据操作者经由控制装置18输入的输入信息,来将异物检测单元50的动作设定为监视模式和动作确认模式中的任一方。
信号获取部102从受光部76获取与检测光的强度相应的电信号。在异物检测单元50的动作被设定为监视模式的情况下,信号获取部102例如从受光元件94获取与从处理液流路形成部62A~62L中的流通作为监视对象的处理液的处理液流路64(第一流路68a)射出的光的强度相应的电信号。在异物检测单元50的动作被设定为动作确认模式的情况下,信号获取部102例如从受光元件94获取与从流通检查液的检查液流路形成部63的检查液流路65(第一流路69a)射出的光的强度相应的电信号。信号获取部102例如获取具有与检测光的强度相应的振幅的电信号。
异物判定部104基于与检测光相应的电信号的振幅等强度(下面,称为“信号强度”。)来检测处理液内有无异物。在图10中示出表示从信号获取部102得到的信号强度的随时间的变化的一例的曲线图。例如如图10所示,在信号强度比规定的阈值Th大的情况下,异物判定部104判定为处理液内包含异物。在信号强度为规定的阈值Th以下的情况下,异物判定部104判定为处理液内不包含异物。阈值Th是考虑照射光在处理液内的异物处发生散射的情况下的散射光的强度而预先设定的值。
处理信息获取部106从控制装置18获取在液处理单元U1中执行的处理的信息(下面,称为“处理信息”。)。处理信息例如包括表示在液处理单元U1中进行喷出的喷嘴(作为监视对象的处理液)的信息、以及表示处理液的供给开始定时和供给时间的信息。处理信息获取部106可以针对使用一种处理液进行的处理分别在开始供给该处理液之前从控制装置18获取处理信息。
驱动控制部108通过驱动部80使滑动台84移动,来使照射部74和受光部76在处理液流路形成部62A与检查液流路形成部63之间移动。在异物检测单元50的动作被设定为监视模式的情况下,驱动控制部108例如根据处理信息所表示的处理液,通过驱动部80使照射部74及受光部76移动到与处理液流路形成部62A~62L中的该处理液所通过的处理液流路68对应的位置。例如在监视模式中,驱动控制部108在未对处理液流路68照射照射光时,通过驱动部80来使照射部74和受光部76移动到预先决定的待机位置。在一个例子中,待机位置被设定为与检查液流路65对应的位置(使来自照射部74的照射光照射于检查液流路65的位置)。换言之,检查液流路65配置于来自配置于待机位置的照射部74的照射光能够照射到的位置。
在监视模式中,驱动控制部108在向工件W供给处理液的期间中的至少一部分期间,控制驱动部80以向处理液流路68照射照射光,并且在未向工件W供给任何处理液的期间中的至少一部分期间,控制驱动部80以向检查液流路65照射照射光。在异物检测单元50的动作被设定为动作确认模式的情况下,驱动控制部108通过驱动部80来使照射部74及受光部76移动到与检查液流路65对应的位置(上述的待机位置)。
在动作确认模式中,基准信息保持部112保持用于确认异物检测单元50的动作的基准信息。基准信息例如包括表示当在异物检测单元50的动作正常的情况下使异物检测单元50以动作确认模式进行动作时得到的检测结果的信息。例如可以由作业员预先在基准信息保持部112中存储基准信息。
在动作确认模式中,动作判定部114基于检测结果来判定异物检测单元50的动作是否正常。动作判定部114例如通过将检测结果与基准信息进行比较,来判定异物检测单元50的动作是否正常,该检测结果是基于与由于在检查液流路65(第一流路69a)内发生照射光的散射而产生的光相应的信号强度得到的。
输出部116将判定结果输出到异物检测单元50的外部。输出部116可以将判定结果输出到控制装置18,也可以输出到用于向作业员通知结果的显示器等。例如,如果在监视模式中由异物判定部104判定为包含异物,则输出部116输出表示作为监视对象的处理液中包含异物的警报信号。输出部116输出在动作确认模式中由动作判定部114判定出的判定结果。
控制部100由一个或多个控制用计算机构成。例如,控制部100具有图11所示的电路200。电路200具有一个或多个处理器202、存储器204、存储装置206、输入输出端口208以及计时器212。存储装置206例如具有硬盘等可由计算机读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制部100执行后述的动作确认方法的程序。存储介质可以是非易失性的半导体存储器、磁盘以及光盘等可取出的介质。存储器204暂时地存储从存储装置206的存储介质加载来的程序和处理器202的运算结果。
处理器202通过与存储器204相协作地执行上述程序,来构成各功能模块。输入输出端口208根据来自处理器202的指令来与控制装置18、受光部76以及驱动部80等之间进行电信号的输入和输出。计时器212例如通过对固定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。此外,控制部100的硬件结构未必限于通过程序来构成各功能模块。例如,控制部100的各功能模块可以通过专用的逻辑电路或集成有该逻辑电路的ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit:专用集成电路)构成。
[异物检测方法]
接着,参照图12对在异物检测单元50的动作模式被设定为监视模式的情况下执行的异物检测方法(异物检测过程)进行说明。图12是示出异物检测方法的一例的流程图。
在持续地从光源72照射照射光的状态下,例如当处理信息获取部106从控制装置18获取到处理信息时,控制部100执行步骤S01。在步骤S01中,例如驱动控制部108通过驱动部80使滑动台84移动,来使照射部74及受光部76移动到流通与处理信息所表示的作为监视对象的处理液的处理液流路64对应的位置。由此,从照射部74向流通作为监视对象的处理液的处理液流路64照射照射光,通过受光部76来接受从该处理液流路64射出的光。
接着,控制部100执行步骤S02、S03。在步骤S02中,例如信号获取部102获取与由受光部76接受到的检测光相应的信号强度。在步骤S03中,例如异物判定部104判定在步骤S02中得到的信号强度是否比阈值Th大。在步骤S03中,在判断为信号强度比阈值Th大的情况下(步骤S03:“是”),控制部100执行步骤S04。在步骤S04中,例如输出部116输出表示作为监视对象的处理液中包含异物的警报信号。另一方面,在步骤S03中,在判断为信号强度为阈值Th以下的情况下(步骤S03:“否”),控制部100不执行步骤S04。
接着,控制部100执行步骤S05。在步骤S05中,例如控制部100判断作为监视对象的处理液的供给是否结束了。控制部100可以通过测量从处理信息中包括的供给开始定时起的经过时间来判断处理液的供给是否结束了。在步骤S05中,在判断为作为监视对象的处理液的供给未结束的情况下(步骤S05:“否”),控制部100重复进行步骤S02、S03的处理。由此,在处理液的供给期间持续地监视该处理液内是否包含异物。
在步骤S05中,在判断为作为监视对象的处理液的供给结束了的情况下(步骤S05:“是”),控制部100执行步骤S06。在步骤S06中,例如控制部100基于作为下一个监视对象的处理液的供给开始定时(下面,称为“下一个供给开始定时”。)来判断有无待机时间。作为一例,在直到下一个供给开始定时为止的时间比规定时间大时,判断为有待机时间,控制部100执行步骤S07。在步骤S07中,例如驱动控制部108通过驱动部80来使照射部74和受光部76移动到待机位置。在一例中,驱动控制部108通过驱动部80来使照射部74及受光部76移动到与未流通任何处理液的检查液流路65对应的位置。由此,从照射部74向检查液流路65照射照射光。
接着,控制部100执行步骤S08。在步骤S08中,例如控制部100待机,直到成为开始对作为下一个监视对象的处理液进行监视的定时为止。例如,控制部100待机,直到下一个供给开始定时为止的时间变得比上述的规定时间短为止。在步骤S08中,在成为了开始对作为下一个监视对象的处理液进行监视的时刻的情况下(步骤S08:“是”)、或者在步骤S06中判断为没有待机时间的情况下(步骤S06:“否”),控制部100重复进行步骤S01~S06的处理。
[动作确认方法]
接着,参照图13~图16对在异物检测单元50的动作模式被设定为监视模式的情况下执行的异物检测单元50的动作确认方法进行说明。在执行异物检测单元50的动作确认方法时,如图13所示,在检查液流路形成部63的检查液流路65连接有检查液供给部150。检查液供给部150例如具有供给源152、供给管154、开闭阀V1、排液管162以及回收瓶164。
供给源152是与处理液不同的检查液的液源。检查液例如是在工件W的处理中不被使用的动作确认用的溶液。作为检查液,例如可以使用纯水(DIW:Deionized Water)和悬浊液中的至少一方。在悬浊液中以规定的浓度包含具有规定的(已知的)大小的基准颗粒。例如,基准颗粒的大小和基准颗粒的浓度被设定为在使检查液流路65中充满了检查液时异物检测单元50能够将基准颗粒检测为异物的程度。供给源152例如包括用于贮存检查液的罐或瓶等收容部、以及利用氮气等对该收容部内进行加压的加压部。
供给管154将供给源152与检查液流路65的流入口65a连接。供给管154与上游侧连接管97连接,由此经由上游侧连接管97将供给源152与检查液流路65连接。在供给管154设置有开闭阀V1。开闭阀V1通过切换开闭状态来对供给管154的流路进行开闭。排液管162的一端连接于与检查液流路65的流出口65b连接的下游侧连接管98。排液管162的另一端与回收瓶164连接。回收瓶164用于回收通过检查液流路65后的检查液。通过以上的结构,利用氮气等从供给源152加压输送的检查液按照供给管154、检查液流路65、排液管162的顺序依次通过供给管154、检查液流路65以及排液管162,并流至回收瓶164。开闭阀V1的开闭以及从供给管154供给的检查液的流量(每单位时间的流量)等可以由控制装置18、异物检测单元50的控制部100或未图示的其它控制装置来控制。下面,以通过控制部100对检查液供给部150进行控制的情况为例来进行说明。
(基准设定过程)
异物检测单元50的动作确认方法可以包括用于获取基准信息的基准设定过程和基于基准信息执行的动作确认过程。该基准设定过程可以在任意时期进行,可以在将异物检测单元50设置于涂布/显影装置2(液处理单元U1)之前进行,也可以在将异物检测单元50设置于涂布/显影装置2之后进行。例如,可以在异物检测单元50的制造后且出厂前执行基准设定过程。图14是示出动作确认方法中包括的基准设定过程的一例的流程图。在基准设定过程中,首先,进行步骤S21。在步骤S21中,例如由作业者等将检查液供给部150连接于异物检测单元50,来作为下一步骤之后的动作确认的准备。
接着,进行步骤S22。在步骤S22中,使用纯水来进行异物检测单元50的动作确认。在步骤S22中,例如控制部100一边通过检查液供给部150向检查液流路65供给纯水,一边进行信号强度的获取和有无异物的判定。在后文中叙述步骤S22的详情。
接着,进行步骤S23。在步骤S23中,使用上述的悬浊液来进行异物检测单元50的动作确认。在步骤S23中,例如在由作业员等将供给源152的检查液从纯水更换为悬浊液之后,控制部100一边通过检查液供给部150向检查液流路65供给悬浊液,一边进行信号强度的获取和有无异物的判定。在后文中叙述步骤S23的详情。
接着,进行步骤S24。在步骤S24中,使用纯水来进行异物检测单元50的动作确认。在步骤S24中,例如在由作业员等将供给源152的检查液从悬浊液更换为纯水之后,控制部100一边通过检查液供给部150向检查液流路65供给纯水,一边进行信号强度的获取和有无异物的判定。在步骤S24中使用的纯水可以与在步骤S22中使用的纯水相同。在后文中叙述步骤S24的详情。
除了检查液的种类之外,步骤S22~S24可以以彼此相同的过程来执行。首先,对使用悬浊液的情况下的步骤S23的详情进行说明。图15是示出步骤S23的处理的一例的流程图。在步骤S23的处理中,在持续地从光源72向光学构件82射出照射光、且照射部74及受光部76配置于与检查液流路形成部63的检查液流路65对应的位置的状态下,控制部100首先执行步骤S31。在步骤S31中,例如控制部100通过将开闭阀V1切换成打开状态,来从供给管154以规定的流量向检查液流路65供给检查液(悬浊液)。由此,在检查液流路65中开始流通检查液(悬浊液)。
接着,控制部100执行步骤S32、S33。在步骤S32中,例如信号获取部102获取与从流通着检查液的状态的检查液流路65射出的光相应的信号强度。在步骤S33中,例如控制部100判断从步骤S31中的检查液的供给开始起是否经过了规定时间。
在步骤S33中,在判断为未经过规定时间的情况下(步骤S33:“否”),控制部100重复进行步骤S32、S33。在步骤S33中,在判断为经过了规定时间的情况下(步骤S33:“是”),控制部100执行步骤S34。在步骤S34中,例如控制部100使检查液供给部150停止向检查液流路65供给检查液。作为一例,规定时间被设定为20秒~300秒左右。
接着,控制部100执行步骤S35。在步骤S35中,例如控制部100基于从检查液的供给开始起到供给停止为止得到的信号强度(下面,称为“检查信号强度”。)来获取基准信息。作为基准信息的具体例,能够列举在检查信号强度中信号强度超过阈值Th的次数(每单位时间检测到标准粒子的次数)、超过阈值Th时的信号强度的最大值、最小值或平均值、对检查信号强度进行频率分析所得到的频率分布、改变了向检查液流路65供给的悬浊液的流量时的信号强度(例如背景光的强度)的变化、以及检查信号强度中的信号强度的积分值。控制部100的基准信息保持部112存储在步骤S35中得到的基准信息。
在步骤S22、S24的使用纯水的情况下的动作确认中,控制部100首先进行与步骤S31~S34同样的处理。接着,控制部100基于检查信号强度来判定异物检测单元50的动作是否正常来代替步骤S35。作为一例,控制部100的动作判定部114通过判断在检查信号强度中超过阈值Th的次数是否比规定的次数(例如,1次)少,来判定异物检测单元50的动作是否正常。动作判定部114可以在检查信号强度中超过阈值Th的次数比规定的次数(例如,1次)少的情况下,判定为异物检测单元50的动作正常。
(动作确认过程)
接着,对基于基准信息执行的动作确认过程进行说明。该动作确认过程可以在将异物检测单元50设置于涂布/显影装置2之后执行。例如,动作确认过程可以在异物检测单元50出厂后且将其设置于涂布/显影装置2时执行,也可以在涂布/显影装置2的维护时执行。在该动作确认过程中,例如也可以执行与步骤S21~S24的处理相同的处理。
图16是示出动作确认过程中的使用悬浊液进行的动作确认处理的一例的流程图。在该动作确认处理中,例如控制部100可以与步骤S31~S34同样地执行步骤S41~S44。在步骤S41~S44中,可以使用种类与在上述的基准设定过程中使用的悬浊液的种类相同的悬浊液(更详细地说,标准颗粒的大小/浓度相同的悬浊液),也可以将供给悬浊液时的流量及供给时间设定为相同的值。
接着,控制部100执行步骤S45。在步骤S45中,例如动作判定部114通过将基于在步骤S41~S44中得到的检查信号强度的检测结果与基准信息进行比较,来判定异物检测单元50的动作是否正常(例如,是否能够以与出厂时相同的精度进行异物检测)。例如,在将在供给期间信号强度超过阈值Th的次数(下面,称为“基准次数”。)设定为基准信息的情况下,动作判定部114对在通过步骤S41~S44得到的检查信号强度中信号强度超过阈值Th的次数(下面,称为“检测次数”。)与基准次数进行比较。动作判定部114可以在检测次数包括在对基准次数加上容许误差所得到的范围内的情况下,判定为异物检测单元50的动作正常,也可以在检测次数偏离该范围的情况下判定为异物检测单元50的动作不正常。输出部116可以将动作判定部114的动作判定结果输出到控制装置18等外部。
[实施方式的效果]
在以上所例示的异物检测单元50中,具备形成供与处理液不同的检查液流通的检查液流路65的检查液流路形成部63,通过受光部76分别接受通过照射照射光而从处理液流路64射出的光和通过照射照射光而从检查液流路65射出的光。因此,除了基于来自处理液流路64的光来进行异物检测之外,还能够基于来自检查液流路65的光来进行检测动作的确认。因而,能够确认异物检测动作是否正常地进行。
在基于对供处理液流通的流路照射照射光而得到的光来检测处理液内的异物的情况下,通过检测所接受的检测光的强度是否产生变化来判定处理液内有无异物。然而,即使在异物检测装置的检测动作(检测功能)未正常地动作的情况下,检测光的强度也可能不会发生变化,从而判定为处理液内不包含异物。在上述的异物检测单元50中,能够确认(诊断)装置自身是否正常地动作、即能够确认(诊断)在检查液中实际包含异物的情况下是否能够适当地检测到该情况,因此能够使异物的检测结果更可靠。另外,由于使用与处理液流路64相分别的流路即检查液流路65来进行动作确认,因此能够不对工件W的处理产生影响地进行上述的诊断。另外,由于能够以不使处理液流路64中流通检查液地进行上述的诊断,因此也无需进行处理液流路64的清洗等。因而,在上述的异物检测单元50中,能够简便地进行装置的检测动作的诊断。
从处理液流路64射出的光是照射光在处理液流路64内发生散射后的光,从检查液流路65射出的光是照射光在检查液流路65内发生散射后的光。在该情况下,检测光的因处理液或检查液内有无异物而产生的的强度差大,因此能够更可靠地进行异物检测及其动作确认。另外,当检测光的强度差大时,能够更可靠地得到正常动作时的检测结果与不正常时的检测结果之差,因此能够更简便地进行装置的检测动作的诊断。
处理液流路64的至少一部分和检查液流路65的至少一部分形成为沿X轴或Z轴方向(第一方向)延伸,并且以沿Y轴方向(第二方向)排列的方式配置。驱动部80使照射部74和受光部76沿Y轴方向移动。在该情况下,能够在处理液流路64和检查液流路65中共用向流路照射照射光的照射部74和接受来自流路的光的受光部76。因而,能够简化异物检测单元50的结构。
照射部74具有光学构件82,该光学构件82构成为通过改变来自光源72的照射光的朝向,来朝向处理液流路64和检查液流路65分别照射照射光。在该情况下,无需使照射光的光源72移动,因此能够简化驱动部80。
在Y轴方向上,光源72、处理液流路64以及检查液流路65按照光源72、处理液流路64、检查液流路65的顺序配置。当将检查液流路65配置在光源72与处理液流路64之间时,与没有检查液流路65的情况相比,从光源72到处理液流路64的光路长度有可能变大。因此,来自光源72的照射光的强度变小,处理液流路64中的异物检测的精度有可能下降。对此,在上述结构中,能够防止对处理液流路64照射的照射光的光路长度由于设置检查液流路65而变大。因而,能够抑制对检查液流路65的异物检测的精度的影响。另外,在检查液流路65被配置于距光源72最远的位置并且确认为使用该检查液流路65进行的异物检测的动作适当的情况下,能够估计为通过比检查液流路65更靠近光源72的所有的处理液流路64也能够适当地进行异物检测。因而,通过设为上述的结构,还能够提高动作确认的可靠性。
在未通过照射部74向处理液流路64照射照射光时,控制部100(驱动控制部108)控制驱动部80,以使照射部74和受光部76在Y轴方向上移动到预定决定的待机位置。检查液流路65配置于来自配置于上述待机位置的照射部74的照射光能够照射到的位置。在该结构中,在从未向处理液流路64照射照射光的状态转到异物检测动作的确认时,无需调节照射部74和受光部76的位置,因此能够缩短用于动作确认的设定时间。
控制部100(驱动控制部108)在向工件W供给处理液的期间中的至少一部分期间,控制驱动部80以向处理液流路64照射照射光,并且在不向工件W供给处理液的期间中的至少一部分期间,控制驱动部80以向检查液流路65照射照射光。在该情况下,在未对工件W供给处理液时,能够抑制来自光源72的照射光对处理液流路64的影响。
在具备异物检测单元50的涂布/显影装置2中,能够诊断异物检测单元50自身的异物检测功能是否正常地动作,并且通过在供给部36中检测处理液内的异物,能够提前发现由于异物引起的工件W的缺陷。
在异物检测单元50的动作确认方法中,在检查液流路65内充满与处理液不同的检查液的状态下,向该检查液流路65内照射来自光源72的照射光,所述检查液流路65是与供向工件W供给的处理液流通的处理液流路64不同的流路。另外,接受通过照射照射光而从检查液流路65射出的光。在该动作确认方法中,能够简便地诊断异物检测单元50的异物的检测功能。
在向检查液流路65内照射照射光时,在检查液在检查液流路65内流通的状态下向该检查液流路65内照射照射光。在该情况下,能够抑制由于检查液停留于检查液流路65内而使检查液流路65内被污染。
在向检查液流路65内照射照射光时,向充满包含基准颗粒的悬浊液的检查液流路65内照射照射光。在该情况下,通过检测由于基准颗粒引起的检测光的强度的变化,能够诊断异物检测单元50的异物的检测功能。
[变形例]
控制部100除了进行使用检查液流路65进行的动作确认之外,还可以通过监视来自处理液流路64的光中包括的背景光来进行检测动作的确认。如上所述,即使当在处理液流路64中流通的处理液内不包含异物时,照射光也会由于处理液流路64内的处理液而发生散射。受光部76接受到由于该散射而产生的散射光的一部分来作为背景光。控制部100可以获取背景光的强度,并通过将获取到的背景光的强度与异物检测单元50正常时的背景光的强度(下面,称为“基准强度”。)进行比较来进行检测动作的确认。例如如图6所示,控制部100还可以具有强度信息获取部122和状态监视部124来作为功能模块。
强度信息获取部122基于检测光的信号强度来获取表示背景光的强度的信息(下面,称为“强度信息”。)。强度信息获取部122可以基于信号获取部102在规定的采样周期中获取到的信号强度来获取规定期间中包括的信号强度的时间平均来作为强度信息。强度信息获取部122例如可以在经过了规定期间的时间点计算该规定期间中包括的信号强度的获取值的时间平均。强度信息获取部122可以计算规定期间中包括的信号强度的获取值的平均值来作为时间平均,也可以计算通过对规定期间中包括的信号强度的随时间的变化进行积分所得到的积分值来作为时间平均。
强度信息获取部122可以在从作为监视对象的处理液的供给开始起到供给结束为止的供给期间获取强度信息。强度信息获取部122可以在供给期间结束的时间点获取(计算)该供给期间的强度信息,也可以在供给期间针对每个采样周期获取强度信息。强度信息获取部122可以在供给期间针对每个采样周期依次计算强度信息的移动平均,或者也可以在经过供给期间的时间点计算强度信息的移动平均。
强度信息获取部122也可以在处理液的供给期间以外的定时获取强度信息。强度信息取得部122例如可以在异物检测单元50的动作模式被设定为动作确认模式时获取强度信息。在该情况下,强度信息获取部122可以获取在检查液充满检查液流路65的状态下从检查液流路65射出的光中包括的背景光的强度信息。
基准信息保持部112可以保持(存储)在异物检测单元50正常时得到的背景光的基准强度。在基准信息保持部112中,例如可以由作业员预先设定基准强度,或者也可以基于在进行与上述同样的基准设定过程时得到的检查信号强度来设定背景光的基准强度。
状态监视部124可以通过将强度信息获取部122获取到的强度信息与基准强度进行比较,来监视(判定)异物检测单元50的动作是否正常。状态监视部124例如可以针对用于计算时间平均的每个规定期间进行上述的比较和判定,或者也可以针对处理液的每次供给进行上述的比较和判定。作为一例,状态监视部124可以在强度信息所表示的强度包括在对基准强度加上容许误差所得到的范围内的情况下,判定为异物检测单元50的动作正常,也可以在该强度偏离该范围的情况下,判定为异物检测单元50的动作不正常。输出部116可以将状态监视部124的监视结果(判定结果)输出到控制装置18等外部。
上述的实施方式所涉及的动作确认方法是一例,步骤的顺序、执行定时以及执行内容等能够适当地变更。例如,在步骤S23中的使用悬浊液的动作确认中,可以在检查液不在检查液流路65内流通而是检查液将检查液流路65内充满的状态(滞留的状态)下获取检查信号强度。在上述的例子中,异物检测单元50的动作确认由控制部100进行,但也可以代替控制部100而由作业员来进行动作确认。在该情况下,控制部100可以将在监视模式中得到的检查信号强度输出到异物检测单元50的外部,也可以由作业员通过对所输出的检查信号强度与基准信息进行比较来进行异物检测单元50的动作确认。上述的动作确认方法可以与异物检测方法并行地进行。例如,在异物检测方法中,可以在照射部74和受光部76配置于待机位置时,利用检查液流路65内的检查液来进行异物检测单元50的动作确认。
流经块主体66(块主体67)的处理液流路64(检查液流路65)的至少一部分可以形成为在水平方向及铅垂方向以外的方向上延伸。处理液流路64的流入口64a和流出口64b(检查液流路65的流入口65a和流出口65b)可以分别形成于块主体中的互不相同的面。处理液流路64和检查液流路65可以构成为相互不同。
处理液流路形成部62A~62L可以包括供处理液流通的供给用的通液管来替代块主体66。处理液流路64可以是供给用的通液管内的流路。检查液流路形成部63可以包括供检查液流通的检查用的通液管来代替块主体67。检查液流路65可以是检查用的通液管内的流路。这些通液管可以由能够使照射光透过的材料(例如石英或蓝宝石)形成。异物检测单元50可以具有一个处理液流路形成部来代替处理液流路形成部62A~62L。
处理液流路形成部62A~62L和检查液流路形成部63可以以彼此大致相同的间隔沿Y轴方向排列,也可以以彼此不同的间隔排列。也可以是,处理液流路形成部62A~62L以彼此大致相同的间隔排列,并且处理液流路形成部62L与检查液流路形成部63的间隔比处理液流路形成部62A~62L中的相邻的处理液流路形成部之间的间隔大。例如,处理液流路形成部62L与检查液流路形成部63的间隔可以比一个处理液流路形成部的Y轴方向上的宽度大。在Y轴方向上与检查液流路形成部63相邻的一个或多个处理液流路形成部(例如,处理液流路形成部62K、62L)可以不用于向工件W供给处理液。即,可以具备处理液流路形成部62A~62J,并且在处理液流路形成部62J与检查液流路形成部63之间配置不在处理中使用的虚设的两个流路形成部来代替处理液流路形成部62K、62L。在这些结构中,能够抑制由于从配置于待机位置的照射部74向检查液流路65照射的照射光或者照射部74及受光部76位于待机位置而引起的、对处理液流路64内的处理液的影响(例如,处理液的温度变化)。
异物检测单元50可以具有向处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64照射照射光的监视用的照射部、以及向检查液流路形成部63的检查液流路65照射照射光的动作确认用的照射部。异物检测单元50可以具有接受来自处理液流路64的光的监视用的受光部和接受来自检查液流路65的光的动作确认用的受光部。动作确认用的照射部和受光部可以固定于固定位置,驱动部80可以使监视用的照射部和受光部沿Y轴方向移动。检查液流路形成部63可以不与处理液流路形成部在Y轴方向上排列配置。
异物检测单元50可以包括使照射部74沿Y轴方向移动的照射用的驱动部和使受光部76沿Y轴方向移动的受光用的驱动部。这两个驱动部可以构成为使照射部74和受光部76沿Y轴方向移动。也可以是,照射部74包括光源72,照射光不经由光学构件82地分别照射于处理液流路64和检查液流路65。
受光部76可以接受通过来自照射部74的照射光透过处理液流路64而得到的透过光的一部分。受光部76可以接受通过来自照射部74的照射光透过检查液流路65而得到的透过光的一部分。在该情况下,照射部74和受光部76可以配置为在铅垂方向(Z轴方向)上隔着处理液流路形成部62A~62L(检查液流路形成部63)。
此外,基板处理装置的具体结构不限于以上所例示的涂布/显影装置2的结构。基板处理装置具备用于检测向基板供给的处理液内的异物的异物检测单元50即可,可以是任意的结构。作为异物检测单元50的监视对象的处理液可以是用于形成抗蚀膜以外的膜(例如,上述的下层膜或上层膜)的溶液,也可以是膜形成以外的基板处理用的溶液。异物检测单元50的控制部100所具有的功能模块的全部或一部分可以由控制装置18执行。在该情况下,可以由异物检测单元50和控制装置18构成异物检测装置。
附图标记说明
1:基板处理系统;2:涂布/显影装置;30:处理液供给部;32A~32L:喷嘴;36:供给部;50:异物检测单元;60:流路形成部;62A~62L:处理液流路形成部;63:检查液流路形成部;64:处理液流路;65:检查液流路;72:光源;74:照射部;76;受光部;80:驱动部;82:光学构件;100:控制部;U1:液处理单元;W:工件。
Claims (11)
1.一种异物检测装置,构成为检测基板处理用的处理液中包含的异物,所述异物检测装置具备:
处理液流路形成部,其形成供向基板供给的所述处理液流通的处理液流路;
检查液流路形成部,其形成供与所述处理液不同的检查液流通的检查液流路;
照射部,其构成为朝向所述处理液流路和所述检查液流路分别照射来自光源的照射光;以及
受光部,其构成为分别接受通过照射所述照射光而从所述处理液流路射出的光和通过照射所述照射光而从所述检查液流路射出的光。
2.根据权利要求1所述的异物检测装置,其特征在于,
从所述处理液流路射出的光是所述照射光在所述处理液流路内散射后的光,
从所述检查液流路射出的光是所述照射光在所述检查液流路内散射后的光。
3.根据权利要求1或2所述的异物检测装置,其特征在于,
所述处理液流路和所述检查液流路形成为沿第一方向延伸,并且以沿与所述第一方向正交的第二方向排列的方式配置,
所述异物检测装置还具备驱动部,所述驱动部构成为使所述照射部和所述受光部沿所述第二方向移动。
4.根据权利要求3所述的异物检测装置,其特征在于,
所述照射部具有光学构件,所述光学构件构成为通过改变来自所述光源的所述照射光的朝向,来分别朝向所述处理液流路和所述检查液流路照射所述照射光,
所述驱动部构成为使所述光学构件沿所述第二方向移动。
5.根据权利要求4所述的异物检测装置,其特征在于,
在所述第二方向上,所述光源、所述处理液流路以及所述检查液流路按照所述光源、所述处理液流路、所述检查液流路的顺序配置。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的异物检测装置,其特征在于,
还具备控制部,在未通过所述照射部向所述处理液流路照射所述照射光时,所述控制部控制所述驱动部,以使所述照射部和所述受光部在所述第二方向上移动到预先决定的待机位置,
所述检查液流路配置于来自配置于所述待机位置的所述照射部的所述照射光能够照射到的位置。
7.根据权利要求3至5中的任一项所述的异物检测装置,其特征在于,
还具备控制部,所述控制部在向所述基板供给所述处理液的期间中的至少一部分期间,控制所述驱动部以向所述处理液流路照射所述照射光,并且在未向所述基板供给所述处理液的期间中的至少一部分期间,控制所述驱动部以向所述检查液流路照射所述照射光。
8.一种基板处理装置,具备:
处理液供给单元,其具有喷出基板处理用的处理液的喷嘴、以及向所述喷嘴供给所述处理液的供给部;以及
异物检测单元,其构成为在所述供给部中检测要从所述喷嘴朝向基板喷出的所述处理液中包含的异物,
其中,所述异物检测单元具有:
处理液流路形成部,其形成供所述处理液流通的处理液流路;
检查液流路形成部,其形成供与所述处理液不同的检查液流通的检查液流路;
照射部,其构成为朝向所述处理液流路和所述检查液流路分别照射来自光源的照射光;以及
受光部,其构成为分别接受通过照射所述照射光而从所述处理液流路射出的光和通过照射所述照射光而从所述检查液流路射出的光。
9.一种异物检测装置的动作确认方法,所述异物检测装置构成为检测基板处理用的处理液中包含的异物,所述异物检测装置的动作确认方法包括:
在检查液流路内充满与所述处理液不同的检查液的状态下,向该检查液流路内照射来自光源的照射光,所述检查液流路是与供向基板供给的所述处理液流通的处理液流路不同的流路;以及
接受通过照射所述照射光而从所述检查液流路射出的光。
10.根据权利要求9所述的动作确认方法,其特征在于,
向充满所述检查液的所述检查液流路内照射所述照射光包括:在所述检查液在所述检查液流路内流通的状态下向该检查液流路内照射所述照射光。
11.根据权利要求9或10所述的动作确认方法,其特征在于,
向充满所述检查液的所述检查液流路内照射所述照射光包括:向充满包含基准颗粒的悬浊液的所述检查液流路内照射所述照射光。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-058776 | 2020-03-27 | ||
JP2020058776 | 2020-03-27 | ||
PCT/JP2021/010383 WO2021193198A1 (ja) | 2020-03-27 | 2021-03-15 | 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出装置の動作確認方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115335686A true CN115335686A (zh) | 2022-11-11 |
Family
ID=77892096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180022635.XA Pending CN115335686A (zh) | 2020-03-27 | 2021-03-15 | 异物检测装置、基板处理装置以及异物检测装置的动作确认方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7393525B2 (zh) |
KR (1) | KR20220159403A (zh) |
CN (1) | CN115335686A (zh) |
TW (1) | TW202208823A (zh) |
WO (1) | WO2021193198A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01321324A (ja) * | 1988-06-24 | 1989-12-27 | Shimadzu Corp | 複数試料の測定が可能な分光光度計 |
JP3151036B2 (ja) | 1992-02-06 | 2001-04-03 | ミクニキカイ株式会社 | サブミクロン粒子の検出方法および装置 |
JPH10177940A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Sony Corp | 薬液供給装置 |
WO2018085838A1 (en) * | 2016-11-07 | 2018-05-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for detection and analysis of nanoparticles from semiconductor chamber parts |
TWI773721B (zh) * | 2017-01-20 | 2022-08-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 異物檢測裝置、異物檢測方法及記憶媒體 |
JP6547871B2 (ja) * | 2018-04-06 | 2019-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2021
- 2021-03-15 CN CN202180022635.XA patent/CN115335686A/zh active Pending
- 2021-03-15 JP JP2022509952A patent/JP7393525B2/ja active Active
- 2021-03-15 WO PCT/JP2021/010383 patent/WO2021193198A1/ja active Application Filing
- 2021-03-15 KR KR1020227036016A patent/KR20220159403A/ko unknown
- 2021-03-15 TW TW110109057A patent/TW202208823A/zh unknown
-
2023
- 2023-11-24 JP JP2023199000A patent/JP2024020516A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2021193198A1 (zh) | 2021-09-30 |
TW202208823A (zh) | 2022-03-01 |
JP2024020516A (ja) | 2024-02-14 |
WO2021193198A1 (ja) | 2021-09-30 |
KR20220159403A (ko) | 2022-12-02 |
JP7393525B2 (ja) | 2023-12-06 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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