JP2024040273A - 異物検出装置、基板処理装置、異物検出方法、及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】装置又は処理液の状態が正常であるかどうかの確認を可能にする。【解決手段】異物検出装置は、基板に供給される処理液が流れる処理液流路を形成する流路形成部と、処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光を受光するように構成された測定部とを有する検出部と、出射光の信号強度に基づいて、処理液内に異物が含まれているかどうかを判定する異物判定部と、信号強度に基づいて、出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する強度情報取得部と、を備える。【選択図】図８

Description

本開示は、異物検出装置、基板処理装置、異物検出方法、及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、流体中に不溶解物として存在するサブミクロン粒子の検出装置が開示されている。この検出装置は、コヒーレント光源からの光を集光する光学系と、この光学系で集光された光ビームの焦点の近傍に配置され且つ内部を微粒子を含む流体の流れが通過するセルと、光ビームの光路上で且つセルに対して光ビームの光源とは反対側に配置された光検出器と、この光検出器からの電気信号から流体中の微粒子の個数を計測する電気回路とによって構成されている。

特開平５－２１５６６４号公報

本開示は、装置又は処理液の状態が正常であるかどうかを確認することが可能な異物検出装置、基板処理装置、異物検出方法、及び記憶媒体を提供する。

一つの例示的実施形態に係る異物検出装置は、基板に供給される処理液が流れる処理液流路を形成する流路形成部と、処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光を受光するように構成された測定部とを有する検出部と、出射光の信号強度に基づいて、処理液内に異物が含まれているかどうかを判定する異物判定部と、信号強度に基づいて、出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する強度情報取得部と、を備える。

本開示によれば、装置又は処理液の状態が正常であるかどうかを確認することが可能な異物検出装置、基板処理装置、異物検出方法、及び記憶媒体が提供される。

図１は、基板処理システムの一例を示す模式的な斜視図である。 図２は、塗布現像装置の一例を示す模式図である。 図３は、液処理ユニットの一例を示す模式図である。 図４は、液処理ユニットの処理液供給部の一例を示す模式図である。 図５は、異物検出ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図６は、異物検出ユニットの一例を模式的に示す斜視図である。 図７は、異物検出ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図８は、制御部の機能上の構成の一例を示すブロック図である。 図９は、検出光に応じた信号強度の一例を示すグラフである。 図１０は、制御部のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図１１は、異物検出方法の一例を示すフローチャートである。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態に係る異物検出装置は、基板に供給される処理液が流れる処理液流路を形成する流路形成部と、処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光を受光するように構成された測定部とを有する検出部と、出射光の信号強度に基づいて、処理液内に異物が含まれているかどうかを判定する異物判定部と、信号強度に基づいて、出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する強度情報取得部と、を備える。

この異物検出装置では、照射光の照射によって処理液流路から出射される出射光に基づく異物の検出に加えて、出射光に含まれる背景光の強度情報が取得される。強度情報は、検出部又は処理液の状態に基づき変化するので、上記異物検出装置では、装置又は処理液の状態が正常であるかどうかを確認することが可能となる。

出射光は、照射光が処理液流路内で散乱した光であってもよい。この場合、処理液内の異物の有無による検出光の強度差が大きいので、異物検出をより確実に行うことが可能となる。

強度情報取得部は、所定期間に得られる信号強度の時間平均を強度情報として取得してもよい。背景光の強度は得られた時刻に応じて変動し得るので、時間平均に基づくことで、装置又は処理液の状態をより確実に確認することが可能となる。

異物判定部は、基板に対する処理液の供給開始から供給終了までの供給期間において、処理液内に異物が含まれているかどうかを判定してもよい。強度情報取得部は、供給期間において得られた信号強度に基づいて、強度情報を取得してもよい。この場合、供給期間に得られた情報を利用して、処理液又は検出部の状態確認を効率的に行うことが可能となる。

強度情報取得部は、処理液流路内に処理液が充填されており、且つ基板に対して処理液が供給されていない状態において得られた信号強度に基づいて、強度情報を取得してもよい。この場合、処理液が流れることに起因して背景光に含まれ得る外乱の成分を低減できるので、装置又は処理液の状態をより精度良く確認することができる。

異物検出装置は、強度情報に基づいて、処理液及び検出部の少なくとも一方の状態を監視する状態監視部を更に備えてもよい。この場合、装置又は処理液の状態を確認したうえで異物検出を行うことが可能となる。

一つの例示的実施形態に係る基板処理装置は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、ノズルに処理液を供給する供給部とを有する処理液供給部と、処理液が流れる処理液流路を形成する流路形成部と、処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光を受光するように構成された測定部とを有する検出部と、出射光の信号強度に基づいて、処理液内に異物が含まれているかどうかを判定する異物判定部と、信号強度に基づいて、出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する強度情報取得部と、を備える。この基板処理装置では、上述した異物検出装置と同様に、装置又は処理液の状態が正常であるかどうかを確認することが可能となる。

一つの例示的実施形態に係る異物検出方法は、基板に供給される処理液が流れる処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光の信号強度に基づいて、処理液内に異物が含まれているかどうかを判定することと、信号強度に基づいて、出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得することと、を含む。この異物検出方法では、上述した異物検出装置と同様に、装置又は処理液の状態が正常であるかどうかを確認することが可能となる。

一つの例示的実施形態に係るコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、上記の異物検出方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した記憶媒体である。

以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。一部の図面にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸により規定される直交座標系が示される。以下の実施形態では、Ｚ軸が鉛直方向に対応し、Ｘ軸及びＹ軸が水平方向に対応する。

［基板処理システム］
図１に示される基板処理システム１（基板処理装置）は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と、露光装置３とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

（基板処理装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１８とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（レジスト）を下層膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

制御装置１８は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１８は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１８は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１８は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１８は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１８は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１８は、このワークＷの表面に対してレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１８は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１８は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１８は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１８は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に制御装置１８は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１８は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

次に制御装置１８は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１８は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で１枚のワークＷについての塗布・現像処理が完了する。制御装置１８は、後続の複数枚のワークＷそれぞれについても、上記塗布・現像処理を塗布・現像装置２に実行させる。

（液処理ユニット）
続いて、図３及び図４を参照して液処理ユニットＵ１の一例を詳細に説明する。ここでは、レジスト膜を形成する処理モジュール１２における液処理ユニットＵ１を例に説明する。液処理ユニットＵ１は、図３に示されるように、回転保持部２０と、処理液供給部３０とを有する。

回転保持部２０は、制御装置１８の動作指示に基づいて、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部２０は、例えば保持部２２と、回転駆動部２４とを有する。保持部２２は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたワークＷの中心部を支持し、当該ワークＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部２４は、例えば電動モータ等の動力源を含むアクチュエータであり、鉛直な軸線Ａｘまわりに保持部２２を回転させる。これにより、保持部２２上のワークＷが回転する。

処理液供給部３０は、制御装置１８の動作指示に基づいて、ワークＷの表面Ｗａに向けて処理液を吐出することで、当該表面Ｗａに処理液を供給する。処理液供給部３０により供給される処理液は、ワークＷに対する処理に用いられる基板処理用の溶液である。処理液の一種として、レジスト膜の形成に用いられる溶液（レジスト）、及びレジストに対する表面Ｗａの濡れ性を高めるプリウェット処理に用いられる溶液（例えば、シンナー）が挙げられる。処理液供給部３０は、例えば、複数のノズル３２と、保持ヘッド３４と、供給部３６とを有する。

複数のノズル３２は、保持部２２に保持されたワークＷの表面Ｗａに処理液をそれぞれ吐出する。複数のノズル３２は、例えば、保持ヘッド３４に保持された状態でワークＷの上方に配置されており、処理液を下方に向けて個別に吐出する。保持ヘッド３４は、不図示の駆動部によって、ワークＷの表面Ｗａに沿った方向に移動可能に構成されていてもよい。複数のノズル３２の個数は限定されないが、以下では、処理液供給部３０が１２個のノズル３２（以下、「ノズル３２Ａ～３２Ｌ」という。）を有する場合を例に説明する。

ノズル３２Ａ～３２Ｌそれぞれには、供給部３６から処理液が供給される。ノズル３２Ａ～３２Ｌには、互いに異なる種類の処理液が供給部３６から供給されてもよい。一例として、ノズル３２Ａ～３２Ｊに互いに異なる種類のレジストが、供給部３６からそれぞれ供給され、ノズル３２Ｋ，３２Ｌに互いに異なる種類のシンナーが、供給部３６からそれぞれ供給される。

図４に示されるように、供給部３６は、複数の供給管４２Ａ～４２Ｌと、複数の供給源４４Ａ～４４Ｌとを含む。供給管４２Ａは、ノズル３２Ａに供給する（ノズル３２Ａから吐出される）処理液の液源である供給源４４Ａとノズル３２Ａとの間の流路を形成する。供給源４４Ａは、例えば、処理液が貯留されるボトルと、当該ボトルからノズル３２Ａに向けて処理液を圧送するポンプとを含む。供給管４２Ｂ～４２Ｌも、供給管４２Ａと同様に、処理液の液源である供給源４４Ｂ～４４Ｌとノズル３２Ｂ～３２Ｌとの間の流路をそれぞれ形成する。

供給部３６は、複数の供給管４２Ａ～４２Ｌにそれぞれ設けられる複数の開閉バルブＶを更に含む。開閉バルブＶは、制御装置１８の動作指示に基づいて、開状態又は閉状態に切り替わる。複数の開閉バルブＶの開閉状態が切り替わることで、供給管４２Ａ～４２Ｌの流路がそれぞれ開閉する。例えば、開閉バルブＶが開状態になると、供給管４２Ａ～４２Ｌの流路内に処理液が流れ、ノズル３２Ａ～３２Ｌから処理液がワークＷの表面Ｗａに吐出される。

（異物検出ユニット）
塗布・現像装置２は、ワークＷに供給される処理液に含まれる異物（パーティクル）を検出するように構成された異物検出ユニット５０（異物検出装置）を更に備える。異物検出ユニット５０は、例えば、複数の供給管４２Ａ～４２Ｌの流路を流れる処理液内の異物をそれぞれ検出するように構成されている。異物検出ユニット５０は、液処理ユニットＵ１の近傍に配置されてもよく、液処理ユニットＵ１の筐体内に配置されてもよい。異物検出ユニット５０の一部の要素は、供給管４２Ａ～４２Ｌの流路上の開閉バルブＶとノズル３２Ａ～３２Ｌとの間に設けられてもよい。以下では、図５～図１０も参照して、異物検出ユニット５０の一例について説明する。

異物検出ユニット５０は、供給管４２Ａ～４２Ｌを流れる処理液をそれぞれ流通させる流路（以下、「処理液流路」という。）を形成する。異物検出ユニット５０は、処理液流路に照射光（例えば、レーザ光）を照射することで発生する光を受光することで、処理液流路を流れる処理液内の異物を検出する。図５に示されるように、異物検出ユニット５０は、例えば、筐体５２と、検出部５３とを有する。筐体５２は、上壁５４ａと、底壁５４ｂと、側壁５６ａ～５６ｄとを含んでいる（図７も参照）。一例として、上壁５４ａ及び底壁５４ｂはそれぞれ水平に（Ｘ－Ｙ平面に沿って）配置される。また、側壁５６ａ，５６ｂはそれぞれＹ軸方向に沿って垂直に（Ｙ－Ｚ平面に沿って）配置され、Ｘ軸方向（第１方向）において対向する。また、側壁５６ｃ，５６ｄはそれぞれＸ軸方向に沿って垂直に（Ｘ－Ｚ平面に沿って）配置され、Ｙ軸方向（第２方向）において対向する。筐体５２は、検出部５３を収容する。検出部５３は、流路形成部６０と、測定部７０とを有する。

流路形成部６０は、供給管４２Ａ～４２Ｌの流路上にそれぞれ設けられる複数の処理液流路を形成する。流路形成部６０が形成する複数の処理液流路のそれぞれは、当該処理液流路を流れる処理液に含まれる異物を検出するために用いられる。流路形成部６０は、例えば、図６に示されるように、複数の処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌを有する。複数の処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌは、互いに同様に構成されている。以下では、処理液流路形成部６２Ａを例に処理液流路形成部の詳細について説明する。

図５に示されるように、処理液流路形成部６２Ａは、供給源４４Ａとノズル３２Ａとを接続する供給管４２Ａの流路上に処理液流路６４を形成する（図４も参照）。処理液流路６４の上流側及び下流側の端部は、供給管４２Ａに接続されている。これにより、供給源４４Ａから圧送される処理液は、供給管４２Ａの流路の一部、処理液流路形成部６２Ａの処理液流路６４、及び供給管４２Ａの流路の残りの一部をこの順で通り、ノズル３２ＡからワークＷの表面Ｗａに吐出される。

処理液流路形成部６２Ａは、例えば、内部に処理液流路６４が形成されているブロック本体６６を含む。ブロック本体６６は、異物検出の際に用いられるレーザ光を透過可能な材料によって構成されている。ブロック本体６６を構成する材料として、例えば、石英及びサファイヤが挙げられる。ブロック本体６６は、直方体状に形成されていてもよく、ブロック本体６６の一面が側壁５６ａと対向していてもよい。一例として、ブロック本体６６のうちの側壁５６ａと対向する面に、処理液流路６４の流入口６４ａ及び流出口６４ｂが形成される。流入口６４ａは、流出口６４ｂの下方に位置していてもよい。

処理液流路６４は、例えば、第１流路６８ａと、第２流路６８ｂと、第３流路６８ｃとを含む。第１流路６８ａは、底壁５４ｂに沿って水平方向に（図示ではＸ軸方向に沿って）延びるように形成されている。第１流路６８ａの側壁５６ａに近い一端は流入口６４ａを構成し、第１流路６８ａの側壁５６ｂに近い他端は第２流路６８ｂに接続されている。第２流路６８ｂは、鉛直方向において側壁５６ａに沿って（Ｚ軸方向に沿って）延びるように形成されている。第２流路６８ｂの底壁５４ｂに近い一端は第１流路６８ａに接続され、第２流路６８ｂの上壁５４ａに近い他端は第３流路６８ｃに接続されている。第３流路６８ｃは、底壁５４ｂに沿って水平方向に（Ｘ軸方向に沿って）延びるように形成されている。第３流路６８ｃの側壁５６ｂに近い一端は第２流路６８ｂに接続されており、第３流路６８ｃの側壁５６ａに近い他端は流出口６４ｂを構成する。

流入口６４ａには、供給管４２Ａのうちの処理液流路形成部６２Ａよりも上流側の供給管（以下、「上流側供給管４６」という。）が接続されている。流出口６４ｂには、供給管４２Ａのうちの処理液流路形成部６２Ａよりも下流側の供給管（以下、「下流側供給管４８」という。）が接続されている。上流側供給管４６及び下流側供給管４８は、ブロック本体６６が対向する側壁５６ａを貫通している。以上の構成により、供給源４４Ａから送り出される処理液は、上流側供給管４６、第１流路６８ａ、第２流路６８ｂ、第３流路６８ｃ、及び下流側供給管４８をこの順に通り、ノズル３２ＡからワークＷに供給される。

上述したように、図６に示される処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌは、互いに同様に構成されている。したがって、処理液流路形成部６２Ｂ～６２Ｌは、処理液流路形成部６２Ａと同様に、内部に処理液流路６４が形成されているブロック本体６６をそれぞれ含んでいる。処理液流路形成部６２Ｂ～６２Ｌそれぞれの処理液流路６４は、第１流路６８ａ、第２流路６８ｂ、及び第３流路６８ｃを含んでいる。処理液流路形成部６２Ｂ～６２Ｌの流入口６４ａ（第１流路６８ａ）には、供給管４２Ｂ～４２Ｌの上流側供給管４６がそれぞれ接続される。処理液流路形成部６２Ｂ～６２Ｌの流出口６４ｂ（第３流路６８ｃ）には、供給管４２Ｂ～４２Ｌの下流側供給管４８がそれぞれ接続される。

処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌは、それぞれが側壁５６ａに対向した状態で、側壁５６ｄから側壁５６ｃに向かう方向に沿って（Ｙ軸方向に沿って）並んで配列されている。処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌは、互いに間隔を有した状態でこの順に配列されていてもよい。処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの第１流路６８ａの高さ位置（Ｚ軸方向における位置）は互いに略一致していてもよい。処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの第２流路６８ｂの側壁５６ａからの距離（Ｘ軸方向における位置）は互いに略一致していてもよい。処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの第３流路６８ｃの高さ位置（底壁５４ｂからの距離）は、互いに略一致していてもよい。

図５に戻り、測定部７０は、処理液流路６４に光源７２からの照射光が照射されることで当該処理液流路６４から出射される出射光を受光するように構成されている。測定部７０は、例えば、光源７２と、照射部７４と、受光部７６と、保持部７８と、駆動部８０とを有する。光源７２は、処理液内の異物を検出するための照射光としてレーザ光を生成する。光源７２は、例えば、波長４００ｎｍ～６００ｎｍ程度、出力６００ｍＷ～１０００ｍＷ程度のレーザ光を出射する。光源７２は、例えば、図７に示されるように、底壁５４ｂ上に設けられ、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌよりも下に配置される。光源７２は、一例として、側壁５６ｄから側壁５６ｃに向かう方向（Ｙ軸負方向）にレーザ光を出射する。光源７２は、Ｙ軸方向において処理液流路形成部６２Ａとは異なる位置に配置される。光源７２は、Ｙ軸方向において処理液流路形成部６２Ａと離間して配置される。Ｙ軸方向において、例えば光源７２、及び処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌがこの順で並ぶように配置される。

照射部７４は、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの処理液流路６４に向けて光源７２からの照射光をそれぞれ照射するように構成されている。照射部７４は、例えば、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの処理液流路６４に向けて照射光を個別に照射するように構成されている。照射部７４は、処理液流路６４の下方に配置されてもよい。照射部７４は、例えば、光源７２からの照射光の向きを変えることで、処理液流路６４に向けて照射光をそれぞれ照射するように構成された光学部材８２を有する。

光学部材８２は、例えば、反射部材８２ａと集光レンズ８２ｂとを含む。反射部材８２ａの反射面は、Ｙ軸方向において光源７２と対向する。反射部材８２ａの反射面は、光源７２から略水平に出射された照射光を上方に向けて反射する。集光レンズ８２ｂは、反射部材８２ａの上方に配置され、反射部材８２ａにより反射された照射光を処理液流路６４に設定される測定位置に集光する。集光レンズ８２ｂは、例えば、処理液流路６４のうちの第１流路６８ａに設定される測定位置に照射光が照射されるように構成されている。

保持部７８は、光学部材８２を移動可能に保持する。保持部７８は、例えば、ガイドレール８８と、スライド台８４とを有する。ガイドレール８８は、底壁５４ｂ上に設けられ、側壁５６ｃから側壁５６ｄに向かう方向に沿って（Ｙ軸方向に沿って）延びるように形成されている。ガイドレール８８は、例えば、図７に示すように、Ｙ軸方向に沿って、少なくとも、処理液流路形成部６２Ａから処理液流路形成部６２Ｌまでの間において延びていてもよい。ガイドレール８８は、スライド台８４を移動可能に支持している。

スライド台８４は、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌよりも下に配置され、光学部材８２（反射部材８２ａ）を支持する。スライド台８４は、図５に示されるように、ガイドレール８８に交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿って延びるように形成されていてもよい。例えば、スライド台８４は、側方から見て、側壁５６ａに近い一端部が処理液流路形成部６２Ａの下方に位置し、且つ側壁５６ｂに近い他端部が、処理液流路形成部６２Ａの位置よりも側壁５６ｂ寄りに位置している。一例として、スライド台８４の側壁５６ａに近い一端部に光学部材８２が配置されている。

駆動部８０は、電動モータ等の動力源により、ガイドレール８８に沿ってスライド台８４を移動させる。ガイドレール８８に沿ってスライド台８４が移動することで、Ｙ軸方向に沿って照射部７４（光学部材８２）が移動する。

受光部７６は、照射部７４からの照射光の照射によって、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの処理液流路６４から出射される出射光をそれぞれ受光するように構成されている。受光部７６は、例えば、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの処理液流路６４から出射される光を個別に受光するように構成されている。受光部７６は、側壁５６ａとの間に処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌを挟むように配置されていてもよい。

受光部７６は、例えば、光学部材９２と受光素子９４とを含む。側壁５６ａから側壁５６ｂに向かう方向（Ｘ軸方向）において、処理液流路形成部６２Ａ、光学部材９２、及び受光素子９４は、この順で配置されている。光学部材９２及び受光素子９４の高さ位置は、例えば、処理液流路６４の第１流路６８ａの高さ位置に略一致する。

光学部材９２は、例えば、処理液流路６４から出射される光（以下、「出射光」という。）を受光素子９４に向けて集光する集光レンズを含む。光学部材９２の内部には、特定の波長を有する光だけを通過させる波長フィルタが設けられてもよい。受光素子９４は、光学部材９２により集光された出射光を受光するとともに、受光した光（検出光）に応じた電気信号を生成する。受光素子９４は、例えば、光電変換を行うフォトダイオードを含んでいる。

光学部材９２及び受光素子９４は、鉛直方向に沿って延びる支持部材８６に取り付けられている。支持部材８６は、スライド台８４に接続されている。例えば、支持部材８６の下端が、スライド台８４の光学部材８２が設けられる端部とは反対側の端部に接続されている。駆動部８０によるスライド台８４の移動に伴って、Ｙ軸方向に沿って光学部材９２及び受光素子９４が移動する。

以上の構成により、駆動部８０は、スライド台８４を移動させることで、Ｙ軸方向に沿って照射部７４と受光部７６とを共に移動させる。駆動部８０は、例えば、照射部７４及び受光部７６が処理液流路形成部６２Ａとそれぞれ対向する位置と、照射部７４及び受光部７６が処理液流路形成部６２Ｌとそれぞれ対向する位置との間で、照射部７４及び受光部７６とを移動させる。以下では、照射部７４及び受光部７６がいずれかの処理液流路形成部とそれぞれ対向する位置を、当該処理液流路形成部に対応する位置と称する。

一例として、光源７２から光学部材８２への照射光が継続している状態で、駆動部８０により、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの処理液流路６４のいずれか一つの下方に光学部材８２が移動することで、当該処理液流路６４に照射部７４から照射光が照射される。この際、受光素子９４は、当該処理液流路６４からの出射光を受光する。

上述したように、処理液流路６４に設定されている測定位置の下方に照射部７４が配置され、当該測定位置の側方に受光部７６が配置される。したがって、受光部７６は、いずれか一つの処理液流路６４に照射光が照射される場合、当該処理液流路６４内の測定位置にて照射光が散乱することで発生する出射光（散乱光）の一部を受光する。処理液が流れる処理液流路６４内に照射光が照射されると散乱光が発生する。処理液内に異物が含まれていない場合、照射光の大部分は処理液流路６４を通過する。一方、処理液内に異物が含まれていると、処理液流路６４内での照射光の散乱の程度が大きくなり、異物が含まれていない場合に比べて、受光部７６が受光する光（受光部７６に向かう散乱光の一部）の強度が大きくなる。処理液がレジストである場合、通常、処理液にはベース樹脂（ベースポリマー）が主要な成分として含まれている。このベースポリマーによっても照射光の散乱が生じ得るので、受光部７６は、処理液に異物が含まれていなくても、ある程度の振幅を有する光を受光し得る。

異物検出ユニット５０は、制御部１００を更に有してもよい。制御部１００は、異物検出ユニット５０の各要素（検出部５３）を制御する。制御部１００は、例えば、筐体５２の内部に配置される。一例として、制御部１００は、制御装置１８からの動作指示に基づいて異物検出ユニット５０の各要素を制御する。制御部１００は、少なくとも、ワークＷに供給される処理液が流れる処理液流路６４に光源７２からの照射光が照射されることで当該処理液流路６４から出射される出射光の信号強度に基づいて、処理液内に異物が含まれているかどうかを判定することと、出射光の信号強度に基づいて、出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得することとを実行するように構成されている。

制御部１００は、図８に示されるように、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、例えば、信号取得部１０２と、異物判定部１０４と、処理情報取得部１０６と、駆動制御部１０８と、強度情報取得部１２２と、基準情報保持部１１２と、状態監視部１２４と、出力部１１６とを有する。信号取得部１０２、異物判定部１０４、処理情報取得部１０６、駆動制御部１０８、強度情報取得部１２２、基準情報保持部１１２、状態監視部１２４、及び出力部１１６が実行する処理は、制御部１００が実行する処理に相当する。

信号取得部１０２は、出射光の強度に応じた電気信号を受光部７６から取得する。信号取得部１０２は、例えば、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌのうちの監視対象の処理液が流れる処理液流路６４（第１流路６８ａ）から出射される出射光の強度に応じた電気信号を受光素子９４から取得する。信号取得部１０２は、例えば、出射光の強度に応じた振幅を有する電気信号を取得する。信号取得部１０２は、所定のサンプリング周期で上記電気信号を取得してもよい。

異物判定部１０４は、出射光に応じた電気信号の振幅等の強度（以下、「信号強度」という。）に基づいて、処理液内の異物の有無を検出する。図９には、信号取得部１０２から得られる信号強度の時間変化の一例を示すグラフが示されている。上述したように、異物の有無によって処理液流路６４内（処理液内）での照射光の散乱の程度が変化するので、異物の有無によって信号強度の大きさも変化する。図９に示されるように、出射光に応じた電気信号には、異物が含まれていない状態での背景光に応じた信号Ｉｂと、異物が含まれる状態での当該異物からの散乱光に応じた信号Ｉｓ（より詳細には、背景光と異物によって散乱される散乱光とに応じた信号Ｉｓ）とが含まれ得る。背景光に応じた信号Ｉｂには、処理液内に通常含まれる物質（例えば、上述のベースポリマー等）からの散乱光に応じた成分と外乱に応じた成分とが含まれ得る。

例えば、異物判定部１０４は、図９に示されるように、信号強度が所定の閾値Ｔｈよりも大きい場合に、処理液内に異物が含まれていると判定する。異物判定部１０４は、信号強度が所定の閾値Ｔｈ以下である場合に、処理液内に異物が含まれていないと判定する。閾値Ｔｈは、処理液内の異物において照射光が散乱した場合の散乱光の強度を考慮して予め設定される値である。異物判定部１０４は、信号取得部１０２が信号強度を取得するサンプリング周期ごとに、処理液内の異物の有無を判定してもよい。

処理情報取得部１０６は、制御装置１８から液処理ユニットＵ１で実行される処理の情報（以下、「処理情報」という。）を取得する。処理情報には、例えば、液処理ユニットＵ１において吐出が行われるノズル（異物検出対象の処理液）を示す情報、及び、処理液の供給開始タイミングと供給時間とを示す情報が含まれる。処理情報取得部１０６は、一の処理液を用いた処理ごとに、当該処理液の供給開始前までに制御装置１８から処理情報を取得してもよい。

駆動制御部１０８は、処理液流路形成部６２Ａと処理液流路形成部６２Ｌとの間において、駆動部８０によりスライド台８４を移動させることで照射部７４と受光部７６とを移動させる。駆動制御部１０８は、例えば、処理情報が示す検出対象の処理液に応じて、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌのうちの当該処理液が通る処理液流路６４に対応する位置に、駆動部８０により照射部７４と受光部７６とを移動させる。駆動制御部１０８は、検出対象の処理液の供給が開始される前に、駆動部８０により、照射部７４と受光部７６とを上記処理液流路６４に対応する位置に移動させてもよい。

強度情報取得部１２２は、信号強度に基づいて、出射光に含まれる背景光の強度を示す情報（以下、「強度情報」という。）を取得する。強度情報取得部１２２は、信号取得部１０２が所定のサンプリング周期で取得した信号強度に基づいて、所定期間に含まれる信号強度の時間平均を強度情報として取得してもよい。強度情報取得部１２２は、例えば、所定期間が過ぎた時点で当該所定期間に含まれる信号強度の取得値の時間平均を算出してもよい。強度情報取得部１２２は、所定期間に含まれる信号強度の取得値の平均値を時間平均として算出してもよく、所定期間に含まれる信号強度の時間変化を積分することで得られる積分値を時間平均として算出してもよい。

なお、強度情報取得部１２２は、時間平均に代えて、サンプリング周期ごとの信号強度の値（瞬時値）を強度情報として取得してもよい。強度情報取得部１２２は、所定期間において得られた信号強度のうちの最大値、中央値、最小値、又は最頻値を強度情報として取得してもよい。強度情報取得部１２２は、処理液内に通常含まれる物質（例えば、上述のベースポリマー等）に由来する散乱光に応じた信号強度（ベースライン値）を強度情報として取得してもよい。強度情報取得部１２２は、所定期間において得られた信号強度を周波数解析して求められる周波数分布のうちの特定の周波数成分の大きさを強度情報として取得してもよい。所定期間は、例えば作業員によって予め定められていてもよい。

基準情報保持部１１２は、吐出される処理液の状態又は異物検出ユニット５０（検出部５３）の状態を確認するための基準情報を保持する。基準情報保持部１１２は、例えば、処理液及び検出部５３の正常時において取得した背景光の強度（以下、「基準強度」という。）を保持（記憶）していてもよい。基準情報保持部１１２には、例えば、作業員によって基準強度が予め設定されていてもよく、あるいは、処理液及び検出部５３の正常時において強度情報を取得する処理が行われてもよい。

状態監視部１２４は、強度情報取得部１２２が取得した強度情報と基準強度とを比較することで、処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態が正常であるかどうかを監視（判定）してもよい。処理液及び検出部５３の状態が一定であれば、背景光の強度はある範囲に収まると考えられる。しかしながら、例えば、異物検出対象の処理液の種類が異なると背景光の強度も異なってくる。また、異物検出対象の処理液への他の溶液の混入、あるいは当該処理液の劣化によっても、背景光の強度が異なってくる。そのため、状態監視部１２４は、強度情報に基づいて、処理液の種類が適切であるかどうかを監視してもよく、処理液が劣化していないか、あるいは処理液に他の溶液が混入されていないかどうかを監視してもよい。

検出部５３に含まれる光学系の状態が一定であれば、背景光の強度はある範囲に収まると考えられる。しかしながら、例えば、検出部５３の光学系の経時変化（劣化）によって背景光の強度も変化する。光学系の劣化の一例として、光源７２からのレーザ光の出力低下、集光レンズの曇り・汚れ、又は反射防止膜の劣化等によるレンズ性能の劣化、外部衝撃又は熱膨張による光学系の光軸のずれ（アライメントずれ）が挙げられる。状態監視部１２４は、強度情報に基づいて、検出部５３の光学系の状態を監視してもよい。

例えば、状態監視部１２４は、強度情報によって示される強度が、基準強度に許容誤差を加えて得られる範囲に含まれる場合に、処理液及び検出部５３の状態が正常であると判定してもよく、当該範囲から外れる場合に、処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態が正常でないと判定してもよい。状態監視部１２４は、例えば、時間平均を算出する所定期間ごとに上記の比較と判定とを行ってもよく、あるいは、一の処理液の供給ごとに上記の比較と判定とを行ってもよい。

出力部１１６は、判定結果及び監視結果を異物検出ユニット５０の外部にそれぞれ出力する。出力部１１６は、異物検出の判定結果及び処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態の監視結果を制御装置１８にそれぞれ出力してもよく、作業員に結果を報知する表示器等にそれぞれ出力してもよい。出力部１１６は、例えば、異物判定部１０４により異物が含まれると判定された場合、監視対象の処理液に異物が含まれることを示すアラーム信号を出力する。あるいは出力部１１６は、処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態が正常ではないと判断された場合、当該状態が正常ではないことを示すアラーム信号を出力する。

制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御部１００は、図１０に示される回路２００を有する。回路２００は、一つ又は複数のプロセッサ２０２と、メモリ２０４と、ストレージ２０６と、入出力ポート２０８と、タイマ２１２とを有する。ストレージ２０６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する異物検出方法を制御部１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ２０４は、ストレージ２０６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ２０２による演算結果を一時的に記憶する。

プロセッサ２０２は、メモリ２０４と協働して上記プログラムを実行することで、各機能モジュールを構成する。入出力ポート２０８は、プロセッサ２０２からの指令に従って、制御装置１８、受光部７６、及び駆動部８０等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ２１２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）により構成されていてもよい。

［異物検出方法］
続いて、図１１を参照して、異物検出ユニット５０による異物検出方法（異物検出手順）について説明する。図１１は、１回の処理液の供給を含む基板処理において実行される異物検出方法の一例を示すフローチャートである。

光源７２からの照射光の照射が継続されている状態で、例えば、処理情報取得部１０６が制御装置１８から処理情報を取得すると、制御部１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、例えば、駆動制御部１０８が、処理情報が示す異物検出対象の処理液が流れる処理液流路６４に対応する位置に、駆動部８０によりスライド台８４を移動させることで照射部７４と受光部７６とを移動させる。これにより、異物検出対象の処理液が流れる処理液流路６４に照射部７４から照射光が照射され、当該処理液流路６４からの出射光が受光部７６により受光される。ステップＳ０１の実行前又はステップＳ０１と略同一のタイミングで、処理情報が示す処理液のワークＷに対する供給が開始されてもよい。

次に、制御部１００は、ステップＳ０２，Ｓ０３を実行する。ステップＳ０２では、例えば、信号取得部１０２が、受光部７６で受光された検出光に応じた信号強度を取得する。ステップＳ０３では、例えば、異物判定部１０４が、ステップＳ０２で得られた信号強度が閾値Ｔｈよりも大きいかどうかを判定する。ステップＳ０３において、信号強度が閾値Ｔｈよりも大きいと判断された場合（ステップＳ０３：ＹＥＳ）、制御部１００はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、例えば、出力部１１６が、異物検出対象の処理液に異物が含まれていることを示すアラーム信号を出力する。一方、ステップＳ０３において、信号強度が閾値Ｔｈ以下であると判断された場合（ステップＳ０３：ＮＯ）、制御部１００はステップＳ０４を実行しない。

次に、制御部１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、例えば、制御部１００が、監視対象の処理液の供給が終了したかどうかを判断する。制御部１００は、処理情報に含まれる供給開始タイミングからの経過時間を計測することで、処理液の供給が終了したかどうかを判断してもよい。ステップＳ０５において、監視対象の処理液の供給が終了していないと判断された場合（ステップＳ０５：ＮＯ）、制御部１００は、ステップＳ０２，Ｓ０３の処理を繰り返す。これにより、処理液の供給期間において、当該処理液内に異物が含まれているかどうかの監視が継続されると共に、信号取得部１０２が所定のサンプリング周期にて検出光に応じた信号強度を取得する。

ステップＳ０５において、監視対象の処理液の供給が終了したと判断された場合（ステップＳ０５：ＹＥＳ）、制御部１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、強度情報取得部１２２が、信号強度に基づいて、処理液流路６４からの出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する。例えば、強度情報取得部１２２は、ステップＳ０２が繰り返し実行される上記供給期間において得られた信号強度（信号強度の時間変化）に基づいて強度情報を取得する。一例として、強度情報取得部１２２は、供給期間において得られた信号強度の平均値又は積分値を、強度情報として算出する。

次に、制御部１００は、ステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、例えば、状態監視部１２４が、強度情報取得部１２２が取得した強度情報と基準強度とを比較することで、処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態が正常ではないかどうかを判定してもよい。例えば、状態監視部１２４は、強度情報によって示される強度が、基準強度に許容誤差を加えて得られる範囲に含まれる場合に、処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態が正常であると判定してもよく、当該範囲から外れる場合に、処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態が正常でないと判定してもよい。

ステップＳ０７において、処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態が正常ではないと判断された場合（ステップＳ０７：ＹＥＳ）、制御部１００はステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、例えば、出力部１１６が、処理液又は検出部５３の少なくとも一方の状態が正常ではないことを示すアラーム信号を出力する。一方、ステップＳ０８において、処理液及び検出部５３の状態が正常であると判断された場合（ステップＳ０７：ＮＯ）、制御部１００はステップＳ０８を実行しない。以上により、一連の異物検出手順が終了する。制御部１００は、処理液の供給による基板処理ごとに、ステップＳ０１～Ｓ０８の処理を実行してもよい。

上述した異物検出手順は一例であって、ステップの順序、実行タイミング、及び実行内容等は適宜変更可能である。例えば、ステップＳ０６において、強度情報取得部１２２は、供給期間を時間順に分割して得られる分割期間ごとに、当該分割期間において得られた信号強度の平均値又は積分値を強度情報として算出してもよい。あるいは、強度情報取得部１２２は、サンプリング周期の一周期又は２以上の周期ごとに、当該周期以前の所定期間において得られた信号強度の平均値を算出することで、信号強度の移動平均を強度情報として算出してもよい。

強度情報取得部１２２は、ステップＳ０６に代えて、ステップＳ０２が繰り返し実行されるタイミングで強度情報の算出を繰り返してもよい。つまり、強度情報取得部１２２は、サンプリング周期ごとに強度情報を算出してもよい。この場合、状態監視部１２４は、ステップＳ０７に代えて、強度情報の算出ごとに（サンプリング周期ごとに）、処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態の判定を行ってもよい。一例として、強度情報取得部１２２は、サンプリング周期ごとに、当該周期以前の所定期間において得られた信号強度の平均値を算出することで、信号強度の移動平均を強度情報として算出してもよい。あるいは、強度情報取得部１２２は、サンプリング周期ごとに、処理液の供給開始から当該周期までに得られた信号強度の平均値又は積分値を強度情報として算出してもよい。

［実施形態の効果］
以上に例示した異物検出ユニット５０又は異物検出ユニット５０における異物検出方法では、照射光の照射によって処理液流路６４から出射される出射光に基づく異物の検出に加えて、出射光に含まれる背景光の強度情報が取得される。強度情報は、検出部５３又は処理液の状態に基づき変化するので、異物検出ユニット５０では、装置又は処理液の状態が正常であるかどうかを確認することが可能となる。

処理液が流れる流路に照射光を照射して得られる光に基づいて、処理液内の異物を検出する場合、受光した検出光の強度に変化が生じるかどうかを検出することで、処理液内の異物の有無が判定される。しかしながら、異物検出装置に含まれる光学系等のハードウェアが正常に動作していなかった場合、又は処理液の状態が正常時と異なる場合でも、検出光の強度に変化が起きず、処理液内に異物が含まれていないと判定され得る。上述の異物検出ユニット５０では、背景光の強度情報を取得することで、処理液の状態及び光学系等を含む検出部５３の状態を確認できるので、異物の検出結果をより確かなものとすることができる。また、異物検出のために取得される処理液流路から出射される出射光に係る信号には背景光に関する情報も含まれている。従って、上記実施形態に係る異物検出ユニット５０では、状態確認のための構成を設けずに、処理液又は装置の状態確認を簡便に行うことが可能となる。

処理液流路６４からの出射光は、照射光が処理液流路６４内で散乱した光である。この場合、処理液流路６４を透過する透過光そのものを検出器（受光部７６）で得ることは無く、背景光の強度も、例えば透過光を受光する場合（前方散乱による検出を行う場合）に比べて小さくなるので、処理液内の異物の有無による検出光の強度の変化を精度良く検出することができる。そのため、上記の構成によれば、異物検出をより確実に行うことが可能となる。また、処理液流路６４を透過する透過光そのものを得ていないので、背景光の強度の微小な変化を検出することが容易である。

強度情報取得部１２２は、所定期間に得られる信号強度の時間平均を強度情報として取得する。背景光の強度は得られた時刻に応じて変動し得る。したがって、この構成では、時間平均に基づくことで、装置又は処理液の状態をより確実に確認することが可能となる。

異物判定部１０４は、ワークＷに対する処理液の供給開始から供給終了までの供給期間において、処理液内に異物が含まれているかどうかを判定する。強度情報取得部１２２は、供給期間において得られた信号強度に基づいて、強度情報を取得する。この場合、供給期間に得られた情報を利用して、処理液又は検出部５３の状態確認を効率的に行うことが可能となる。すなわち、供給期間以外において、状態確認のために処理液を通液させなくても、処理液又は装置の状態を確認することが可能となる。

異物検出ユニット５０は、強度情報に基づいて、処理液及び検出部５３の少なくとも一方の状態を監視する状態監視部１２４を更に備える。この場合、検出部５３又は処理液の状態を確認したうえで異物検出を行うことが可能となる。したがって、異物の検出結果をより確かなものとすることができる。

異物検出ユニット５０を備える塗布・現像装置２では、異物検出ユニット５０の状態及び処理液が正常であるかどうか確認することが可能となると共に、供給部３６において処理液内の異物を検出することで、異物によるワークＷの欠陥を早期に発見することが可能となる。

［変形例］
受光部７６は、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌが並ぶ方向（水平方向）、又は鉛直方向に沿って並んで配置された複数の受光素子９４を含んでいてもよい。あるいは、受光部７６は、水平方向と鉛直方向とに２次元配列された複数の受光素子９４を含んでいてもよい。例えば、受光部７６は、フォトダイオードが一次元又は二次元配列されたフォトダイオードアレイを含んでいてもよい。受光部７６は、複数の受光素子９４からそれぞれ得られる複数の電気信号を制御部１００に出力してもよい。信号取得部１０２は、各受光素子９４からの電気信号ごとに信号強度を取得してもよい。

この場合、基準情報保持部１１２は、複数の受光素子９４から得られる信号強度それぞれについて、背景光の強度を示す強度情報を取得してもよい。つまり、基準情報保持部１１２は、受光素子９４が設けられる受光位置ごとに強度情報を取得してもよい。検出部５３に含まれる光学系において光軸のずれが生じている場合、受光部７６で受光する光の分布が異なる（例えば、光の分布に偏りが生じる）ことが考えられる。そのため、状態監視部１２４は、受光位置ごとの強度情報に基づいて、検出部５３に含まれる光学系の光軸のずれを監視してもよい。例えば、状態監視部１２４は、一方向に並ぶ複数の受光位置において、強度情報が示す強度の差分が所定値よりも大きいかどうかを判定することで、光学系の光軸のずれ（例えば、集光レンズの焦点位置のずれ）を監視してもよい。

処理液の吐出開始直後、及び吐出終了間際では、当該処理液の流量（流速）が変化する。流量の変化に伴い、出射光に含まれる背景光の強度も変化する。そのため、処理液の供給開始から供給停止までの供給期間において、背景光の強度の時間変化は、供給期間における流量（流速）の時間変化に応じて変化する。状態監視部１２４は、供給期間における背景光の強度の時間変化に応じて、処理液の吐出が正常に行われているか（処理液の流量が設定の範囲内であるか）どうかを監視してもよい。

強度情報取得部１２２は、異物からの散乱光に基づく信号Ｉｓの影響を除去する補正処理を行ってもよい。例えば、強度情報取得部１２２は、信号強度が、閾値Ｔｈと同じ値又は異なる値（別の閾値）よりも大きいときに、当該信号強度を異常値として除外してもよい。あるいは、強度情報取得部１２２は、信号強度と算出した移動平均との差分が所定値よりも大きいときに、当該信号強度を異常値として除外してもよい。

上述の例では、処理液及び検出部５３の状態の監視が、制御部１００によって行われるが、制御部１００に代えて作業員によって状態監視が行われてもよい。この場合、制御部１００は、取得（算出）した背景光の強度情報を外部に出力してもよく、作業員が、出力された強度情報と基準情報とを比較することで状態監視を行ってもよい。

ブロック本体６６を流れる処理液流路６４の少なくとも一部は、水平方向及び鉛直方向以外の方向に延びるように形成されていてもよい。処理液流路６４の流入口６４ａ及び流出口６４ｂは、ブロック本体のうちの互いに異なる面にそれぞれ形成されていてもよい。処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの処理液流路６４が互いに異なるように構成されていてもよい。

処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌは、ブロック本体６６に代えて、処理液が流れる供給用の通液管を含んでいてもよい。処理液流路６４は、供給用の通液管内の流路であってもよい。この通液管は、照射光を透過することが可能な材料（例えば、石英又はサファイヤ）で形成されていてもよい。異物検出ユニット５０は、処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌに代えて、一つの処理液流路形成部を有してもよい。

異物検出ユニット５０は、Ｙ軸方向に沿って照射部７４を移動させる照射用の駆動部と、Ｙ軸方向に沿って受光部７６を移動させる受光用の駆動部とを含んでいてもよい。これらの２つの駆動部が、Ｙ軸方向に沿って照射部７４と受光部７６とを移動させるように構成されていてもよい。照射部７４が光源７２を含んでおり、光学部材８２を介さずに、照射光が処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌの処理液流路６４にそれぞれ照射されてもよい。

受光部７６は、照射部７４からの照射光が処理液流路６４を透過することで得られる透過光の一部を受光してもよい。この場合、照射部７４と受光部７６とが、鉛直方向（Ｚ軸方向）において処理液流路形成部６２Ａ～６２Ｌを間に挟むように配置されていてもよい。

上述の例では、強度情報取得部１２２は、処理液の供給期間において得られた散乱光の信号強度に基づいて背景光の強度情報を取得するが、処理液が供給されていない状態において得られた信号強度に基づいて強度情報を取得してもよい。具体的には、強度情報取得部１２２は、処理液流路６４内に処理液が充填されており（処理液流路６４内に処理液が存在しており）、且つワークＷに対して処理液が供給されていない状態において得られた信号強度に基づいて強度情報を取得してもよい。例えば、図４に示される開閉バルブＶが閉じられてワークＷへの処理液の供給が停止した後において、開閉バルブＶとノズルとの間の流路（処理液流路６４）内にはノズルから吐出されなかった処理液が充填されている。この状態において、信号取得部１０２は、内部での処理液の流れが止まっている処理液流路６４からの散乱光に応じた信号強度を取得してもよく、当該信号強度に基づいて、強度情報取得部１２２が強度情報を取得してもよい。

強度情報取得部１２２（制御部１００）は、上述の供給期間での信号強度に基づいた強度情報の取得と、処理液が供給されていない非供給期間での信号強度に基づいた強度情報の取得とのいずれか一方を行ってもよく、両方を行ってもよい。供給期間及び非供給期間の両方で強度情報を取得する場合、制御部１００は、一の供給期間と次の供給期間との間の長さ（非供給期間の長さ）が所定時間よりも長くなる場合に、非供給期間での信号強度に基づいた強度情報を取得してもよい。供給期間だけで強度情報を取得する場合、強度情報に基づく処理液又は装置の確認が行われていない期間（未確認時間）が、処理スケジュールによって定まる非供給期間の長さに依存する。これに対して、両方の期間で強度情報を取得する場合には、処理スケジュールで定まる長さに依存せずに、上記未確認時間の長さを調節することが可能となる。

この変形例では、強度情報取得部１２２は、処理液流路６４内に処理液が充填されており、且つワークＷに対して処理液が供給されていない状態において得られた信号強度に基づいて強度情報を取得する。この場合、処理液が処理液流路６４内を流れることに起因して、背景光に含まれ得る外乱の成分を低減できるので、装置又は処理液の状態をより精度良く確認することができる。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、基板に供給される処理液内の異物を検出する異物検出ユニット５０を備えていればどのようなものであってもよい。異物検出ユニット５０による監視対象の処理液は、レジスト膜以外の膜（例えば、上述の下層膜又は上層膜）形成用の溶液であってもよく、膜形成以外の基板処理用の溶液であってもよい。異物検出ユニット５０の制御部１００が有する機能モジュールの全て又は一部が、制御装置１８により実行されてもよい。この場合、異物検出ユニット５０と制御装置１８とによって異物検出装置が構成されてもよい。

１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、３０…処理液供給部、３２Ａ～３２Ｌ…ノズル、３６…供給部、５０…異物検出ユニット、５３…検出部、６０…流路形成部、６２Ａ～６２Ｌ…処理液流路形成部、６４…処理液流路、７２…光源、７４…照射部、７６…受光部、１００…制御部、１２２…強度情報取得部、１２４…状態監視部、Ｕ１…液処理ユニット、Ｗ…ワーク。

Claims (11)

1. 基板に供給される処理液が流れる処理液流路を形成する流路形成部と、前記処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光を受光するように構成された測定部とを有する検出部と、
   前記出射光の信号強度に基づいて、前記処理液内に異物が含まれているかどうかを判定する異物判定部と、
   前記信号強度に基づいて、前記出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する強度情報取得部と、
   前記強度情報に基づいて、前記処理液の種類が適切であるかどうか、前記処理液が劣化していないかどうか、又は、前記処理液に他の溶液が混入されていないかどうかを監視する状態監視部と、
   を備える、異物検出装置。
2. 基板に供給される処理液が流れる処理液流路を形成する流路形成部と、前記処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光を受光するように構成された測定部とを有する検出部と、
   前記出射光の信号強度に基づいて、前記処理液内に異物が含まれているかどうかを判定する異物判定部と、
   前記信号強度に基づいて、前記出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する強度情報取得部と、
   前記強度情報に基づいて、前記検出部の光学系ハードウェアの状態を監視する状態監視部と、
   を備える、異物検出装置。
3. 前記出射光は、前記照射光が前記処理液流路内で散乱した光である、請求項１又は２に記載の異物検出装置。
4. 前記強度情報取得部は、所定期間に得られる前記信号強度の時間平均を前記強度情報として取得する、請求項１～３のいずれか一項に記載の異物検出装置。
5. 前記異物判定部は、前記基板に対する前記処理液の供給開始から供給終了までの供給期間において、前記処理液内に異物が含まれているかどうかを判定し、
   前記強度情報取得部は、前記供給期間において得られた前記信号強度に基づいて、前記強度情報を取得する、請求項１～４のいずれか一項に記載の異物検出装置。
6. 前記強度情報取得部は、前記処理液流路内に前記処理液が充填されており、且つ前記基板に対して前記処理液が供給されていない状態において得られた前記信号強度に基づいて、前記強度情報を取得する、請求項１～４のいずれか一項に記載の異物検出装置。
7. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する供給部とを有する処理液供給部と、
   前記処理液が流れる処理液流路を形成する流路形成部と、前記処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光を受光するように構成された測定部とを有する検出部と、
   前記出射光の信号強度に基づいて、前記処理液内に異物が含まれているかどうかを判定する異物判定部と、
   前記信号強度に基づいて、前記出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する強度情報取得部と、
   前記強度情報に基づいて、前記処理液の種類が適切であるかどうか、前記処理液が劣化していないかどうか、又は、前記処理液に他の溶液が混入されていないかどうかを監視する状態監視部と、
   を備える、基板処理装置。
8. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する供給部とを有する処理液供給部と、
   前記処理液が流れる処理液流路を形成する流路形成部と、前記処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光を受光するように構成された測定部とを有する検出部と、
   前記出射光の信号強度に基づいて、前記処理液内に異物が含まれているかどうかを判定する異物判定部と、
   前記信号強度に基づいて、前記出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する強度情報取得部と、
   前記強度情報に基づいて、前記検出部の光学系ハードウェアの状態を監視する状態監視部と、
   を備える、基板処理装置。
9. 基板に供給される処理液が流れる処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光の信号強度に基づいて、前記処理液内に異物が含まれているかどうかを判定することと、
   前記信号強度に基づいて、前記出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得することと、
   前記処理液内に異物が含まれているかどうかを判定することに加えて、前記強度情報に基づいて、前記処理液の種類が適切であるかどうか、前記処理液が劣化していないかどうか、又は、前記処理液に他の溶液が混入されていないかどうかを監視することと、を含む異物検出方法。
10. 基板に供給される処理液が流れる処理液流路に光源からの照射光が照射されることで当該処理液流路から出射される出射光の信号強度に基づいて、前記処理液内に異物が含まれているかどうかを判定することと、
    前記信号強度に基づいて、前記出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得することと、
    前記処理液内に異物が含まれているかどうかを判定することに加えて、前記強度情報に基づいて、前記出射光を受光するように構成された測定部を有する検出部の光学系ハードウェアの状態を監視することと、を含む異物検出方法。
11. 請求項９又は１０に記載の異物検出方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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