TW202200988A - 異物偵測裝置、基板處理裝置、異物偵測方法及記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為可確認裝置或處理液的狀態是否正常。本發明提供一種異物偵測裝置，具備：偵測部，具有流道形成部及測定部，該流道形成部形成供給到基板的處理液所流經的處理液流道，該測定部接受藉由對處理液流道照射來自光源的照射光而從該處理液流道出射的出射光；異物判定部，基於出射光的訊號強度，而判定在處理液內是否包含異物；及強度資訊取得部，基於訊號強度，而取得表示出射光所包含的背景光之強度的強度資訊。

Description

異物偵測裝置、基板處理裝置、異物偵測方法及記錄媒體

本發明係關於異物偵測裝置、基板處理裝置、異物偵測方法、及記錄媒體。

專利文獻1揭露流體中作為不溶解物存在的次微米粒子之偵測裝置。該偵測裝置由以下構件構成：光學系統，將來自同調光源的光聚光；槽室，配置在由該光學系統所聚集的光束之焦點的附近，包含微粒子的流體流過內部；光偵測器，配置在光束的光程上，相對於槽室位在與光束的光源為相反側；及電路，從來自光偵測器的電訊號量測流體中的微粒子之個數。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平5-215664號公報

[發明所欲解決的課題]

本發明提供可確認裝置或處理液的狀態是否正常的異物偵測裝置、基板處理裝置、異物偵測方法、及記錄媒體。 [用於解決課題的手段]

一個例示的實施形態之異物偵測裝置具備：偵測部具有流道形成部及測定部，該流道形成部形成供給到基板的處理液所流經的處理液流道，該測定部接受藉由對處理液流道照射來自光源的照射光而從該處理液流道出射的出射光；異物判定部，基於出射光的訊號強度，而判定在處理液內是否包含異物；及強度資訊取得部，基於訊號強度，而取得表示出射光所包含的背景光之強度的強度資訊。 [發明效果]

依照本發明，提供可確認裝置或處理液的狀態是否正常的異物偵測裝置、基板處理裝置、異物偵測方法、及記錄媒體。

以下，說明各種例示的實施形態。

一個例示的實施形態之異物偵測裝置具備：偵測部，具有流道形成部及測定部，該流道形成部形成供給到基板的處理液所流經的處理液流道，該測定部接受藉由對處理液流道照射來自光源的照射光而從該處理液流道出射的出射光；異物判定部，基於出射光的訊號強度，而判定在處理液內是否包含異物；及強度資訊取得部，基於訊號強度，而取得表示出射光所包含的背景光之強度的強度資訊。

在該異物偵測裝置，基於「因照射光的照射而從處理液流道出射的出射光」來進行異物偵測，並且還取得出射光所包含的背景光之強度資訊。強度資訊基於偵測部或處理液的狀態而變化，故上述異物偵測裝置可確認裝置或處理液的狀態是否正常。

出射光可為照射光在處理液流道內散射的光。此時，處理液內是否有異物會導致偵測光的強度差異明顯，故可確實執行異物偵測。

強度資訊取得部可取得在規定期間所得到的訊號強度之時間平均作為強度資訊。背景光的強度可配合所得到的時刻而變動，故可基於時間平均，而更確實地確認裝置或處理液的狀態。

異物判定部可在從開始供給處理液給基板到結束供給的供給期間，判定處理液內是否包含異物。強度資訊取得部可基於在供給期間所得到的訊號強度，而取得強度資訊。此時，可利用在供給期間所得到的資訊，高效率進行處理液或偵測部的狀態確認。

強度資訊取得部可基於在處理液流道內充滿處理液並且對於基板未供給處理液的狀態所得到的訊號強度，而取得強度資訊。此時，由於可減少處理液流動所導致的背景光可能包含的外部干擾之成分，故可更精確地確認裝置或處理液的狀態。

異物偵測裝置可進一步具備狀態監視部，基於強度資訊，而監視處理液及偵測部的至少一方之狀態。此時，可確認裝置或處理液的狀態而進行異物偵測。

一個例示的實施形態之基板處理裝置具備：處理液供給部，具有噴嘴及供給部，該噴嘴朝向基板噴吐處理液，該供給部對於噴嘴供給處理液；偵測部，具有流道形成部及測定部，該流道形成部形成處理液所流經的處理液流道，該測定部接受藉由對處理液流道照射來自光源的照射光而從該處理液流道出射的出射光；異物判定部，基於前述出射光的訊號強度，而判定在處理液內是否包含異物；及強度資訊取得部，基於訊號強度，而取得表示出射光所包含的背景光之強度的強度資訊。在該基板處理裝置，與上述的異物偵測裝置相同，可確認裝置或處理液的狀態是否正常。

一個例示的實施形態之異物偵測方法，其包含：基於「藉由對於供給到基板的處理液所流經的處理液流道照射來自光源的照射光，而從該處理液流道出射的出射光之訊號強度」，判定處理液內是否包含異物之方法；及基於訊號強度，而取得表示出射光所包含的背景光之強度的強度資訊之方法。在該異物偵測裝置，與上述的異物偵測裝置相同，可確認裝置或處理液的狀態是否正常。

一個例示的實施形態之電腦可讀取的記錄媒體為記錄使裝置執行上述的異物偵測方法之用的程式之記錄媒體。

以下，參考圖式說明一實施形態。在說明中，對於具有相同元件或相同功能的元件附加相同的符號，而省略重複的說明。在一部分的圖式顯示由X軸、Y軸及Z軸所規定的直角座標系。在以下的實施形態，Z軸對應垂直方向，X軸及Y軸對應水平方向。

[基板處理系統] 圖1所示的基板處理系統1（基板處理裝置）為對於工件W施行感光性塗膜的形成、該感光性塗膜的曝光、及該感光性塗膜的顯影之系統。處理對象的工件W例如為基板、或者藉由施行規定的處理而形成膜或電路等的狀態之基板。工件W所包含的基板作為一例為包含矽的晶圓。工件W（基板）可形成為圓形。處理對象的工件W可為玻璃基板、遮罩基板、FPD（Flat Panel Display）等，也可為對於這些基板等施行規定的處理而得到的中間體。感光性塗膜例如為光阻膜。

基板處理系統1具備：塗佈･顯影裝置2；及曝光裝置3。曝光裝置3為將在工件W（基板）形成的光阻膜（感光性塗膜）曝光之裝置。具體而言，曝光裝置3藉由液浸曝光等方法對於光阻膜的曝光對象部分照射能量線。塗佈･顯影裝置2在藉由曝光裝置3進行的曝光處理前，進行對於工件W的表面塗佈光阻（化學液）而形成光阻膜的處理，在曝光處理後進行光阻膜的顯影處理。

（基板處理裝置） 以下，作為基板處理裝置的一例，說明塗佈･顯影裝置2的構成。如圖1及圖2所示，塗佈･顯影裝置2具備：載體區塊4；處理區塊5；介面區塊6；及控制裝置18。

載體區塊4將工件W朝向塗佈･顯影裝置2內導入工件W及從塗佈･顯影裝置2內導出工件W。例如，載體區塊4包含可支撐工件W的多個載體C，並且內建包含傳遞臂的搬運裝置A1。載體C例如收納多片圓形的工件W。搬運裝置A1從載體C取出工件W而搬運到處理區塊5，從處理區塊5接收工件W而返回載體C內。處理區塊5具有多個處理模組11、12、13、14。

處理模組11內建：液處理單元U1；熱處理單元U2；及將工件W搬運到這些單元的搬運裝置A3。處理模組11藉由液處理單元U1及熱處理單元U2而在工件W的表面上形成下層膜。液處理單元U1將下層膜形成用的處理液塗佈在工件W上。熱處理單元U2進行下層膜之形成所伴隨的各種熱處理。

處理模組12內建：液處理單元U1；熱處理單元U2；及將工件W搬運到這些單元的搬運裝置A3。處理模組12藉由液處理單元U1及熱處理單元U2而在下層膜上形成光阻膜。液處理單元U1將光阻膜形成用的處理液（光阻）塗佈在下層膜之上。熱處理單元U2進行光阻膜之形成所伴隨的各種熱處理。

處理模組13內建：液處理單元U1；熱處理單元U2；及將工件W搬運到這些單元的搬運裝置A3。處理模組13藉由液處理單元U1及熱處理單元U2而在光阻膜上形成上層膜。液處理單元U1將上層膜形成用的液體塗佈在光阻膜之上。熱處理單元U2進行上層膜之形成所伴隨的各種熱處理。

處理模組14內建：液處理單元U1；熱處理單元U2；及將工件W搬運到這些單元的搬運裝置A3。處理模組14藉由液處理單元U1及熱處理單元U2而進行光阻膜之顯影處理及顯影處理所伴隨的熱處理。液處理單元U1在已曝光的工件W之表面上塗佈顯影液之後，使用清洗液清洗，藉此，進行光阻膜的顯影處理。熱處理單元U2進行顯影處理所伴隨的各種熱處理。作為熱處理的具體例，舉出顯影處理前的加熱處理（PEB：Post Exposure Bake，曝光後烘烤）、顯影處理後的加熱處理（PB：Post Bake，後烘烤）等。

在處理區塊5內的載體區塊4側設置棚架單元U10。棚架單元U10區分成沿著上下方向排列的多個槽室。在棚架單元U10的附近設置包含升降臂的搬運裝置A7。搬運裝置A7在棚架單元U10的槽室彼此之間使工件W升降。

在處理區塊5內的介面區塊6側設置棚架單元U11。棚架單元U11區分成沿著上下方向排列的多個槽室。

介面區塊6在與曝光裝置3之間進行工件W的搬運。例如，介面區塊6內建包含傳遞臂的搬運裝置A8，連接到曝光裝置3。搬運裝置A8將配置在棚架單元U11的工件W搬運到曝光裝置3。搬運裝置A8從曝光裝置3接收工件W而返回棚架單元U11。

控制裝置18例如控制塗佈･顯影裝置2而依照以下的順序執行塗佈･顯影處理。首先，控制裝置18控制搬運裝置A1而將載體C內的工件W搬運到棚架單元U10，並且控制搬運裝置A7而將該工件W配置在處理模組11用的槽室。

然後，控制裝置18控制搬運裝置A3而將棚架單元U10的工件W搬運到處理模組11內的液處理單元U1及熱處理單元U2。又，控制裝置18控制液處理單元U1及熱處理單元U2而在該工件W的表面上形成下層膜。之後，控制裝置18控制搬運裝置A3而使形成有下層膜的工件W返回棚架單元U10，控制搬運裝置A7而將該工件W配置在處理模組12用的槽室。

然後，控制裝置18控制搬運裝置A3而將棚架單元U10的工件W搬運到處理模組12內的液處理單元U1及熱處理單元U2。又，控制裝置18控制液處理單元U1及熱處理單元U2而對於該工件W的表面形成光阻膜。之後，控制裝置18控制搬運裝置A3而使工件W返回棚架單元U10，控制搬運裝置A7而將該工件W配置在處理模組13用的槽室。

然後，控制裝置18控制搬運裝置A3而將棚架單元U10的工件W搬運到處理模組13內的各單元。又，控制裝置18控制液處理單元U1及熱處理單元U2而在該工件W的光阻膜上形成上層膜。之後，控制裝置18控制搬運裝置A3而將工件W搬運到棚架單元U11。

然後，控制裝置18控制搬運裝置A8而將棚架單元U11的工件W運送到曝光裝置3。之後，控制裝置18控制搬運裝置A8而將曝光處理被施加的工件W從曝光裝置3接收，然後配置在棚架單元U11的處理模組14用之槽室。

然後，控制裝置18控制搬運裝置A3而將棚架單元U11的工件W搬運到處理模組14內的各單元，然後控制液處理單元U1及熱處理單元U2而在該工件W的光阻膜施加顯影處理。之後，控制裝置18控制搬運裝置A3而使工件W返回棚架單元U10，然後控制搬運裝置A7及搬運裝置A1而使該工件W返回載體C內。經過以上步驟而完成塗佈･顯影處理。

（液處理單元） 接下來，參考圖3及圖4而詳細說明液處理單元U1的一例。在此，以形成光阻膜的處理模組12之液處理單元U1為例予以說明。液處理單元U1如圖3所示具有旋轉保持部20、及處理液供給部30。

旋轉保持部20基於控制裝置18的動作指示而保持工件W並且使其旋轉。旋轉保持部20例如具有保持部22、及旋轉驅動部24。保持部22支撐使表面Wa朝上而水平配置的工件W之中心部，例如藉由真空吸附等保持該工件W。旋轉驅動部24例如為包含電動馬達等動力源的致動器，使保持部22環繞垂直的軸線Ax旋轉。藉此，保持部22上的工件W會旋轉。

處理液供給部30基於控制裝置18的動作指示，朝向工件W的表面Wa噴吐處理液，藉此，對於該表面Wa供給處理液。藉由處理液供給部30所供給的處理液為處理工件W時所使用的基板處理用之溶液。作為處理液的一種，舉出形成光阻膜時所使用的溶液（光阻）、及提高光阻對於表面Wa的親水性之預濕處理所使用的溶液（例如，稀釋劑）。處理液供給部30例如具有多個噴嘴32、保持頭34、及供給部36。

多個噴嘴32對於保持部22所保持的工件W之表面Wa分別噴吐處理液。多個噴嘴32例如在由保持頭34所保持的狀態被配置在工件W的上方，並且將處理液朝向下方個別噴吐。保持頭34構成為可藉由未圖示的驅動部而在沿著工件W的表面Wa之方向移動。多個噴嘴32的個數不受限定，以下，以處理液供給部30具有12個噴嘴32（以下稱為「噴嘴32A~32L」。）的情況為例予以說明。

對於噴嘴32A~32L的各者，從供給部36供給處理液。對於噴嘴32A~32L，可將種類彼此不同的處理液從供給部36供給。作為一例，對於噴嘴32A~32Ｊ將種類彼此不同的光阻從供給部36分別供給，對於噴嘴32K、32L將種類彼此不同的稀釋劑從供給部36分別供給。

如圖4所示，供給部36包含：多條供給管42A~42L；及多個供給源44A~44L。供給管42A在對於噴嘴32A供給的（從噴嘴32A噴吐的）處理液之液源也就是供給源44A與噴嘴32A之間形成流道。供給源44A例如包含：瓶體，貯存處理液；泵浦，從該瓶體朝向噴嘴32A壓送處理液。供給管42B~42L也與供給管42A相同，在處理液的液源也就是供給源44B~44L與噴嘴32B~32L之間分別形成流道。

供給部36進一步包含：在多條供給管42A~42L分別設置的多個開閉閥V。開閉閥V基於控制裝置18的動作指示，而切換成開狀態或閉狀態。藉由多個開閉閥V的開閉狀態切換，而分別開閉供給管42A~42L的流道。例如，開閉閥V成為開狀態的話，處理液流到供給管42A~42L的流道內，從噴嘴32A~32L將處理液噴吐到工件W的表面Wa。

（異物偵測單元） 塗佈･顯影裝置2進一步具備異物偵測單元50（異物偵測裝置），構成為偵測供給到工件W的處理液所包含的異物（粒子）。異物偵測單元50例如構成分別偵測流經多條供給管42A~42L的流道之處理液內的異物。異物偵測單元50可配置在液處理單元U1的附近，可配置在液處理單元U1的框體內。異物偵測單元50的一部分元件可設置在供給管42A~42L的流道上之開閉閥V與噴嘴32A~32L之間。以下，也參考圖5~圖10而說明異物偵測單元50的一例。

異物偵測單元50形成使流經供給管42A~42L的處理液分別流通的流道（以下稱為「處理液流道」。）。異物偵測單元50藉由接受對於處理液流道將照射光（例如，雷射光）照射而產生的光，藉此，偵測流經處理液流道的處理液內之異物。如圖5所示，異物偵測單元50例如具有框體52；及偵測部53。框體52包含：上壁54a；底壁54b；及側壁56a~56d。作為一例，上壁54a及底壁54b分別沿著水平（沿著X-Y平面）配置。又，側壁56a，56b分別沿著Y軸方向而垂直（沿著Y-Z平面）配置，在X軸方向（第1方向）相向。又，側壁56c、56d分別沿著X軸方向而垂直（沿著X-Z平面）配置，在Y軸方向（第2方向）相向。框體52收納偵測部53。偵測部53具有：流道形成部60；及測定部70。

流道形成部60形成在供給管42A~42L的流道上分別設置的多個處理液流道。流道形成部60形成的多個處理液流道之各者用於偵測流經該處理液流道的處理液所包含的異物。流道形成部60例如如圖6所示具有多個處理液流道形成部62A~62L。多個處理液流道形成部62A~62L的構成彼此相同。以下，以處理液流道形成部62A為例詳細說明處理液流道形成部。

如圖5所示，處理液流道形成部62A在連接供給源44A與噴嘴32A之供給管42A的流道上形成處理液流道64（也參考圖4）。處理液流道64的上流側及下流側之端部連接到供給管42A。藉此，從供給源44A壓送的處理液依序通過供給管42A的流道之一部分、處理液流道形成部62A的處理液流道64、及供給管42A的流道之其餘的部分，然後從噴嘴32A噴吐到工件W的表面Wa。

處理液流道形成部62A例如包含在內部形成有處理液流道64的區塊本體66。區塊本體66由可使異物偵測時所使用的雷射光穿透的材料所構成。作為構成區塊本體66的材料，例如，舉出石英及藍寶石。區塊本體66可形成為長方體狀，區塊本體66的一面可與側壁56a相向。作為一例，與區塊本體66之中的側壁56a相向的面，形成有處理液流道64的流入口64a及流出口64b。流入口64a可位在流出口64b的下方。

處理液流道64例如包含：第1流道68a；第2流道68b；及第3流道68c。第1流道68a形成為沿著底壁54b朝向水平方向（圖式中為沿著X軸方向）延伸。靠近第1流道68a的側壁56a之一端構成流入口64a，靠近第1流道68a的側壁56b之另一端連接到第2流道68b。第2流道68b形成為在垂直方向沿著側壁56a（沿著Z軸方向）延伸。靠近第2流道68b的底壁54b之一端連接到第1流道68a，靠近第2流道68b的上壁54a之另一端連接到第3流道68c。第3流道68c形成為沿著底壁54b朝向水平方向（沿著X軸方向）延伸。靠近第3流道68c的側壁56b之一端連接到第2流道68b，靠近第3流道68c的側壁56a之另一端構成流出口64b。

對於流入口64a，連接比供給管42A之中的處理液流道形成部62A更靠上流側的供給管（以下稱為「上流側供給管46」。）。對於流出口64b，連接比供給管42A之中的處理液流道形成部62A更靠下流側的供給管（以下稱為「下流側供給管48」。）。上流側供給管46及下流側供給管48貫通區塊本體66相對的側壁56a。藉由以上的構成，從供給源44A送出的處理液依序通過上流側供給管46、第1流道68a、第2流道68b、第3流道68c、及下流側供給管48，從噴嘴32A供給到工件W。

如上述，圖6所示的處理液流道形成部62A~62L之構成彼此相同。因此，處理液流道形成部62B~62L係與處理液流道形成部62A相同，分別包含在內部形成有處理液流道64的區塊本體66。處理液流道形成部62B~62L各者的處理液流道64包含：第1流道68a；第2流道68b；及第3流道68c。對於處理液流道形成部62B~62L的流入口64a（第1流道68a），分別連接供給管42B~42L的上流側供給管46。對於處理液流道形成部62B~62L的流出口64b（第3流道68c），分別連接供給管42B~42L的下流側供給管48。

處理液流道形成部62A~62L在各者與側壁56a為相向的狀態，沿著從側壁56d朝向側壁56c的方向（沿著Y軸方向）排列配置。處理液流道形成部62A~62L可在彼此隔著間隔的狀態依序排列。處理液流道形成部62A~62L的第1流道68a之高度位置（Z軸方向的位置）可彼此大略一致。處理液流道形成部62A~62L從第2流道68b的側壁56a起算的距離（X軸方向的位置）可彼此大略一致。處理液流道形成部62A~62L的第3流道68c之高度位置（從底壁54b起算的距離）彼此大略一致。

返回圖5，測定部70構成為藉由對於處理液流道64照射來自光源72的照射光而接受從該處理液流道64出射的出射光。測定部70例如具有：光源72；照射部74；受光部76；保持部78；及驅動部80。光源72生成雷射光作為偵測處理液內的異物之用的照射光。光源72例如出射波長400nm~600nm左右、輸出600mW~1000mW左右的雷射光。光源72例如如同圖7所示設置在底壁54b上，配置在比處理液流道形成部62A~62L更靠下方。光源72作為一例對於從側壁56d朝向側壁56c的方向（Y軸負方向）出射雷射光。光源72在Y軸方向配置在與處理液流道形成部62A不同的位置。光源72在Y軸方向配置成遠離處理液流道形成部62A。在Y軸方向，例如光源72、及處理液流道形成部62A~62L依照這個順序而配置。

照射部74構成為朝向處理液流道形成部62A~62L的處理液流道64分別照射來自光源72的照射光。照射部74例如構成為朝向處理液流道形成部62A~62L的處理液流道64將照射光個別照射。照射部74可配置在處理液流道64的下方。照射部74例如具有光學構件82，構成為藉由改變來自光源72的照射光之方向，而朝向處理液流道64將照射光分別照射。

光學構件82例如包含反射構件82a及集光透鏡82b。反射構件82a的反射面在Y軸方向與光源72相向。反射構件82a的反射面將從光源72沿著大致水平方向出射的照射光朝向上方反射。集光透鏡82b配置在反射構件82a的上方，將藉由反射構件82a而反射的照射光匯集到設定在處理液流道64的測定位置。集光透鏡82b例如構成為設定在處理液流道64之中的第1流道68a之測定位置將照射光予以照射。

保持部78可移動地保持光學構件82。保持部78例如具有導軌88及滑動台84。導軌88設置在底壁54b上，形成為沿著從側壁56c朝向側壁56d的方向（沿著Y軸方向）延伸。導軌88例如如同圖7所示，可沿著Y軸方向，至少在從處理液流道形成部62A到處理液流道形成部62L為止之間延伸。導軌88可移動地支持滑動台84。

滑動台84配置在比處理液流道形成部62A~62L更靠下方，支撐光學構件82（反射構件82a）。滑動台84如圖5所示，可形成為沿著與導軌88交叉的方向（例如，X軸方向）而延伸。例如，滑動台84由側方觀看，靠近側壁56a的一端部位在處理液流道形成部62A的下方，並且靠近側壁56b的另一端部位在比處理液流道形成部62A的位置更靠側壁56b之處。作為一例，在靠近滑動台84的側壁56a之一端部配置光學構件82。

驅動部80藉由電動馬達等動力源而沿著導軌88使滑動台84移動。藉由沿著導軌88而使滑動台84移動，而沿著Y軸方向使照射部74（光學構件82）移動。

受光部76構成為分別接受藉由來自照射部74的照射光之照射，而從處理液流道形成部62A~62L的處理液流道64出射的光出射。受光部76例如構成為個別接受從處理液流道形成部62A~62L的處理液流道64出射的光。受光部76可配置成在與側壁56a之間夾持處理液流道形成部62A~62L。

受光部76例如包含光學構件92及受光元件94。在從側壁56a朝向側壁56b的方向（X軸方向），處理液流道形成部62A、光學構件92、及受光元件94依照這個順序配置。光學構件92及受光元件94的高度位置例如與處理液流道64的第1流道68a之高度位置大致一致。

光學構件92例如包含集光透鏡，將從處理液流道64出射的光（以下稱為「出射光」。）朝向受光元件94匯集。在光學構件92的內部，設置僅使具有特定的波長之光通過的波長濾波器。受光元件94接受藉由光學構件92而匯集的出射光，並且配合接受的光（偵測光）而生成電訊號。受光元件94例如包含進行光電變換的光二極體。

光學構件92及受光元件94安裝在沿著垂直方向而延伸的支持構件86。支持構件86連接到滑動台84。例如，支持構件86的下端連接到與設置滑動台84的光學構件82之端部為相反側的端部。伴隨著驅動部80所致的滑動台84之移動，而沿著Y軸方向使光學構件92及受光元件94移動。

藉由以上的構成，驅動部80使滑動台84移動，藉此，沿著Y軸方向使照射部74及受光部76共同移動。驅動部80例如在照射部74及受光部76係與處理液流道形成部62A分別相向的位置、與照射部74及受光部76係與處理液流道形成部62L分別相向的位置之間，使照射部74及受光部76移動。以下，將照射部74及受光部76與任一處理液流道形成部分別相向的位置，稱為對應到該處理液流道形成部的位置。

作為一例，在從光源72朝向光學構件82的照射光持續的狀態，藉由驅動部80，朝向處理液流道形成部62A~62L的處理液流道64之任一者的下方使光學構件82移動，藉此，對於該處理液流道64從照射部74將照射光予以照射。此時，受光元件94接受來自該處理液流道64的出射光。

如上述，在設定在處理液流道64的測定位置之下方配置照射部74，在該測定位置的側方配置受光部76。因此，受光部76對於任一處理液流道64將照射光予以照射時，在該處理液流道64內的測定位置接受由於照射光散射而產生的出射光（散射光）之一部分。對於處理液所流經的處理液流道64內將照射光予以照射的話，散射光會產生。在處理液內不包含異物時，照射光的大部分會通過處理液流道64。另外，在處理液內包含異物的話，處理液流道64內的照射光之散射的程度會變大，相較於不包含異物的情況，受光部76接受的光（朝向受光部76的散射光之一部分）之強度會變大。處理液為光阻時，通常，在處理液包含基底樹脂（基質聚合物）作為主要成分。該基質聚合物也可引發照射光的散射，故受光部76即使在處理液不包含異物的情況，也可接受具有某個程度的振幅之光。

異物偵測單元50可進一步具有控制部100。控制部100控制異物偵測單元50的各元件（偵測部53）。控制部100例如配置在框體52的內部。作為一例，控制部100基於來自控制裝置18的動作指示而控制異物偵測單元50的各元件。控制部100構成為至少執行以下步驟：基於藉由對於供給到工件W的處理液所流經的處理液流道64照射來自光源72的照射光，而從該處理液流道64出射的出射光之訊號強度，而判定處理液內是否包含異物；及基於出射光的訊號強度，而取得表示出射光所包含的背景光之強度的強度資訊。

控制部100如圖8所示，作為功能上的構成（以下稱為「功能模組」。），例如具有：訊號取得部102；異物判定部104；處理資訊取得部106；驅動控制部108；強度資訊取得部122；基準資訊保持部112；狀態監視部124；及輸出部116。訊號取得部102、異物判定部104、處理資訊取得部106、驅動控制部108、強度資訊取得部122、基準資訊保持部112、狀態監視部124、及輸出部116執行的處理相當於控制部100執行的處理。

訊號取得部102從受光部76取得配合出射光的強度之電訊號。訊號取得部102例如從受光元件94取得配合從處理液流道形成部62A~62L之中的監視對象之處理液所流經的處理液流道64（第1流道68a）出射的出射光之強度的電訊號。訊號取得部102例如取得具有配合出射光的強度之振幅的電訊號。訊號取得部102可在規定的取樣週期取得上述電訊號。

異物判定部104基於配合出射光的電訊號之振幅等的強度（以下稱為「訊號強度」。），而偵測處理液內有無異物。圖9顯示表示從訊號取得部102取得的訊號強度之時間變化的一例之圖表。如上述，異物的有無會使處理液流道64內（處理液內）的照射光之散射的程度變化，故異物的有無會使訊號強度的大小也變化。如圖9所示，在配合出射光的電訊號，可能包含配合在不包含異物的狀態之背景光的訊號Ib、及配合在包含異物的狀態之來自該異物的散射光之訊號Is（更詳細而言，配合背景光及因異物而散射的散射光之訊號Is）。在配合背景光的訊號Ib，可能包含配合來自處理液內通常包含的物質（例如，上述的基質聚合物等）之散射光的成分及配合外部干擾的成分。

例如，異物判定部104係如圖9所示，在訊號強度比規定的閾值Th還大時，判定為處理液內包含異物。異物判定部104在訊號強度為規定的閾值Th以下時，判定為處理液內不包含異物。閾值Th係考慮在處理液內的異物使照射光散射時的散射光之強度而預先設定的值。異物判定部104可在每個訊號取得部102取得訊號強度的取樣週期，判定處理液內有無異物。

處理資訊取得部106從控制裝置18取得在液處理單元U1所執行的處理之資訊（以下、稱為「處理資訊」。）。處理資訊例如包含表示在液處理單元U1進行噴吐的噴嘴（異物偵測對象的處理液）之資訊、及表示處理液的供給開始時間點及供給時間之資訊。處理資訊取得部106可在每個使用一種處理液的處理，於該處理液的供給開始前從控制裝置18取得處理資訊。

驅動控制部108在處理液流道形成部62A與處理液流道形成部62L之間，藉由驅動部80而使滑動台84移動，進而使照射部74及受光部76移動。驅動控制部108例如配合處理資訊表示的偵測對象之處理液，而藉由驅動部80使照射部74及受光部76移動到對應到處理液流道形成部62A~62L之中的該處理液所流經的處理液流道64之位置。驅動控制部108在偵測對象的處理液之供給開始之前，可藉由驅動部80，而使照射部74及受光部76移動到對應到上述處理液流道64的位置。

強度資訊取得部122基於訊號強度，而取得表示出射光所包含的背景光之強度的資訊（以下稱為「強度資訊」。）。強度資訊取得部122可基於訊號取得部102依照規定的取樣週期所取得的訊號強度，而取得規定期間所包含的訊號強度之時間平均作為強度資訊。強度資訊取得部122例如可在經過規定期間的時間點算出該規定期間所包含的訊號強度之取得值的時間平均。強度資訊取得部122可算出規定期間所包含的訊號強度之取得值的平均值作為時間平均，可算出藉由將規定期間所包含的訊號強度之時間變化予以積分所得到的積分值作為時間平均。

尚且，強度資訊取得部122可取得每個取樣週期的訊號強度之值（瞬時值）作為強度資訊以取代時間平均。強度資訊取得部122可取得在規定期間所取得的訊號強度之中的最大值、中央值、最小值、或眾數作為強度資訊。強度資訊取得部122可取得配合源自處理液內通常包含的物質（例如，上述的基質聚合物等）之散射光的訊號強度（基線值）作為強度資訊。強度資訊取得部122可取得將在規定期間所得到的訊號強度予以頻率解析而求得的頻率分布之中的特定之頻率成分的大小作為強度資訊。規定期間例如可由操作人員預先設定。

基準資訊保持部112保持確認噴吐的處理液之狀態或異物偵測單元50（偵測部53）的狀態之用的基準資訊。基準資訊保持部112例如可保持（記錄）在處理液及偵測部53正常時所取得的背景光之強度（以下稱為「基準強度」。）。在基準資訊保持部112，例如可由操作人員預先設定基準強度，或者可進行在處理液及偵測部53正常時取得強度資訊的處理。

狀態監視部124可藉由比較強度資訊取得部122所取得的強度資訊及基準強度，而監視（判定）處理液及偵測部53的至少一方的狀態為正常。若處理液及偵測部53的狀態為一定，則視為背景光的強度收斂到某個範圍。然而，例如，異物偵測對象的處理液之種類不同時，背景光的強度也會不同。又，異物偵測對象的處理液混入其他的溶液，或者該處理液劣化，也會使背景光的強度不同。因此，狀態監視部124可基於強度資訊，而監視處理液的種類是否適當，處理液是否劣化，或者處理液是否混入其他溶液。

若偵測部53所包含的光學系統之狀態為一定，則視為背景光的強度收斂到某個範圍。然而，例如偵測部53的光學系統之歷時變化（劣化）會導致背景光的強度也變化。作為光學系統的劣化之一例，舉出來自光源72的雷射光之輸出降低、集光透鏡的霧化･髒汙、或反射防止膜劣化等導致透鏡性能的劣化、外部衝撃或熱膨張導致光學系統的光軸之偏移（定位偏移）。狀態監視部124可基於強度資訊，而監視偵測部53的光學系統之狀態。

例如，狀態監視部124可在由強度資訊所表示的強度被包含在對於基準強度加上容許誤差而得到的範圍時，判定為處理液及偵測部53的至少一方之狀態為正常，不落在該範圍時，可判定為處理液及偵測部53的至少一方之狀態不正常。狀態監視部124例如可在算出時間平均的每個規定期間進行上述的比較及判定，或者可針對每個一種處理液的供給進行上述的比較及判定。

輸出部116將判定結果及監視結果分別輸出到異物偵測單元50的外部。輸出部116可將異物偵測的判定結果及處理液及偵測部53之至少一方的狀態之監視結果分別輸出到控制裝置18，也可分別輸出到對於操作人員告知結果的顯示器等。輸出部116例如在由異物判定部104判定為包含異物時，輸出警告訊號表示監視對象的處理液包含異物。或者輸出部116在判斷為處理液及偵測部53之至少一方的狀態不正常時，輸出警告訊號表示該狀態不正常。

控制部100由一個或多個控制用電腦所構成。例如控制部100具有圖10所示的電路200。電路200具有：一個或多個處理器202；記憶體204；儲存部206；輸入輸出埠208；及計時器212。儲存部206例如具有硬體等可由電腦所讀取的記錄媒體。記錄媒體記錄使控制部100執行後述的異物偵測方法之用的程式。記錄媒體可為不揮發性的半導體記憶體、磁碟及光碟等可取出的媒體。記憶體204暫時記錄由儲存部206的記錄媒體載入的程式及由處理器202得到的演算結果。

處理器202藉由與記憶體204協同動作而執行上述程式，而構成各功能模組。輸入輸出埠208依照來自處理器202的指令，而在與控制裝置18、受光部76、及驅動部80等之間輸入輸出電訊號。計時器212例如藉由計算一定週期的基準脈衝而量測經過時間。尚且，控制部100的硬體構成未必受限於由程式構成各功能模組者。例如控制部100的各功能模組可由專用的邏輯電路或者將邏輯電路集積的ASIC（Application Specific Integrated Circuit）所構成。

[異物偵測方法] 接下來，參考圖11說明由異物偵測單元50進行的異物偵測方法（異物偵測順序）。圖11為表示藉由一種處理液之供給所進行的基板處理中的異物偵測方法的一例之流程圖。

來自光源72的照射光之照射持續的狀態下，例如，處理資訊取得部106從控制裝置18取得處理資訊的話，控制部100執行步驟S01。在步驟S01，例如，驅動控制部108藉由利用驅動部80而使滑動台84移動，而使照射部74及受光部76移動到對應到處理資訊表示的異物偵測對象之處理液所流經的處理液流道64之位置。藉此，對於異物偵測對象的處理液所流經的處理液流道64從照射部74將照射光予以照射，來自該處理液流道64的出射光由受光部76接受。在與步驟S01的執行前或者步驟S01大致相同的時間點，可開始處理資訊表示的處理液對於工件W之供給。

然後，控制部100執行步驟S02、S03。在步驟S02，例如，訊號取得部102取得配合在受光部76接受的偵測光之訊號強度。在步驟S03，例如，異物判定部104判定在步驟S02所得到的訊號強度是否比閾值Th大。在步驟S03，判斷為訊號強度比閾值Th大時（步驟S03：是），控制部100執行步驟S04。在步驟S04，例如，輸出部116輸出警告訊號表示異物偵測對象的處理液包含異物。另外，在步驟S03，判斷為訊號強度為閾值Th以下時（步驟S03：否），控制部100不執行步驟S04。

然後，控制部100執行步驟S05。在步驟S05，例如，控制部100判斷監視對象的處理液之供給是否已結束。控制部100可藉由量測處理資訊所包含的從供給開始時間點起算的經過時間，而判斷處理液的供給是否已結束。在步驟S05，判斷為監視對象的處理液之供給未結束時（步驟S05：否），控制部100重複步驟S02、S03的處理。藉此，在處理液的供給期間，該處理液內是否包含異物的監視持續，並且訊號取得部102在規定的取樣週期取得配合偵測光的訊號強度。

在步驟S05，判斷為監視對象的處理液之供給已結束時（步驟S05：是），控制部100執行步驟S06。在步驟S06，強度資訊取得部122基於訊號強度，而取得表示來自處理液流道64的出射光所包含的背景光之強度的強度資訊。例如，強度資訊取得部122基於在重複執行步驟S02的上述供給期間所得到的訊號強度而取得強度資訊。作為一例，強度資訊取得部122算出在供給期間所得到的訊號強度之平均值或積分值作為強度資訊。

然後，控制部100執行步驟S07。在步驟S07，例如，狀態監視部124可藉由比較強度資訊取得部122所取得的強度資訊與基準強度，而判定處理液及偵測部53之至少一方的狀態是否正常。例如，狀態監視部124可在由強度資訊所表示的強度被包含在對於基準強度加上容許誤差而得到的範圍時，判定為處理液及偵測部53之至少一方的狀態正常，不落在該範圍時，可判定為處理液及偵測部53之至少一方的狀態不正常。

在步驟S07，判斷為處理液及偵測部53之至少一方的狀態不正常時（步驟S07：是），控制部100執行步驟S08。在步驟S08，例如，輸出部116輸出警告訊號表示處理液或偵測部53之至少一方的狀態不正常。另外，在步驟S08，判斷為處理液及偵測部53的狀態正常時（步驟S07：否），控制部100不執行步驟S08。藉由以上步驟，完成一連串的異物偵測程序。控制部100可針對由處理液的供給進行的每個基板處理而執行步驟S01~S08的處理。

上述的異物偵測程序為一例，步驟的順序、執行時間點、及執行內容等可適當變更。例如，在步驟S06，強度資訊取得部122可針對將供給期間依照時間順序分割所得到的每個分割期間，算出在該分割期間所得到的訊號強度之平均值或積分值。或者，強度資訊取得部122可針對取樣週期的每一週期或每2個以上的週期，算出在該週期以前的規定期間所得到的訊號強度之平均值，藉此，算出訊號強度的移動平均作為強度資訊。

強度資訊取得部122可在重覆執行步驟S02的時間點重複算出強度資訊以取代步驟S06。也就是說，強度資訊取得部122可針對每個取樣週期算出強度資訊。此時，狀態監視部124可在每次算出強度資訊時（每個取樣週期）判定處理液及偵測部53之至少一方的狀態以取代步驟S07。作為一例，強度資訊取得部122可針對每個取樣週期算出在該週期以前的規定期間所得到的訊號強度之平均值，藉此，算出訊號強度的移動平均作為強度資訊。或者，強度資訊取得部122可針對每個取樣週期，算出從處理液的供給開始到該週期為止所得到的訊號強度之平均值或積分值作為強度資訊。

[實施型態的效果] 在以上所例示的異物偵測單元50或異物偵測單元50的異物偵測方法，基於「因照射光的照射而從處理液流道64出射的出射光」來進行異物偵測，並且取得出射光所包含的背景光之強度資訊。強度資訊基於偵測部53或處理液的狀態而變化，故在異物偵測單元50，可確認裝置或處理液的狀態是否正常。

基於對於處理液所流經的流道將照射光予以照射所得的光，而偵測處理液內的異物時，偵測已接受的偵測光之強度是否產生變化，藉此，判定處理液內是否有無異物。然而，即使在異物偵測裝置所包含的光學系統等硬體未正常動作時，或處理液的狀態與正常情況不同時，也可能因偵測光的強度未產生變化，而判定處理液內不包含異物。在上述的異物偵測單元50，取得背景光的強度資訊，藉此，可確認包含處理液的狀態及光學系統等之偵測部53的狀態，故可進一步確認異物的偵測結果。又，用於異物偵測所取得的從處理液流道出射的出射光之訊號，也包含與背景光相關的資訊。因此，在上述實施形態的異物偵測單元50，可不設置狀態確認之用的構成，而簡單進行處理液或裝置的狀態確認。

來自處理液流道64的出射光為照射光在處理液流道64內散射的光。此時，穿透處理液流道64的穿透光本身不由偵測器（受光部76）接受，背景光的強度也例如比接受穿透光時（藉由前方散射進行偵測時）還小，故可精確偵測處理液內有無異物所導致的偵測光之強度的變化。因此，依照上述的構成可更確實進行異物偵測。又，由於未得到穿透處理液流道64的穿透光本身，故可輕易偵測到背景光的強度之微小的變化。

強度資訊取得部122取得在規定期間所得到的訊號強度之時間平均作為強度資訊。背景光的強度可配合已得到的時刻而變動。因此，在此構成，可基於時間平均，而進一步確實地確認裝置或處理液的狀態。

異物判定部104在對於工件W開始供給處理液到結束供給為止的供給期間，判定處理液內是否包含異物。強度資訊取得部122基於在供給期間所得到的訊號強度，而取得強度資訊。此時，利用在供給期間所得到的資訊，而可有效確認處理液或偵測部53的狀態。也就是說，在供給期間以外，即使不為了確認狀態而使處理液通過，也可確認處理液或裝置的狀態。

異物偵測單元50可進一步具備狀態監視部124，基於強度資訊，而監視處理液及偵測部53的至少一方之狀態。此時，可確認偵測部53或處理液的狀態，而進行異物偵測。因此，可進一步確認異物的偵測結果。

在具備異物偵測單元50的塗佈･顯影裝置2，可確認異物偵測單元50的狀態及處理液是否正常，並且可藉由在供給部36偵測處理液內的異物，而及早發現異物導致工件W出現的瑕疵。

[變形例] 受光部76可具備沿著處理液流道形成部62A~62L排列的方向（水平方向）、或沿著垂直方向排列配置的多個受光元件94。或者，受光部76可包含在水平方向及垂直方向以2維排列的多個受光元件94。例如，受光部76可包含光二極體以一維或二維排列的光二極體陣列。受光部76可將從多個受光元件94分別得到的多個電訊號輸出到控制部100。訊號取得部102可針對來自各受光元件94的各個電訊號取得訊號強度。

此時，基準資訊保持部112可針對從多個受光元件94得到的各個訊號強度，取得表示背景光的強度之強度資訊。也就是說，基準資訊保持部112可針對受光元件94被設置的各個受光位置取得強度資訊。在偵測部53所包含的光學系統產生光軸的偏移時，視為在受光部76接受的光之分布會不同（例如，光的分布產生偏離）。因此，狀態監視部124可基於各個受光位置的強度資訊，而監視偵測部53所包含的光學系統之光軸的偏移。例如，狀態監視部124在沿著一方向排列的多個受光位置，判定強度資訊表示的強度之差分是否大於規定值，藉此，可監視光學系統的光軸之偏移（例如，集光透鏡的焦點位置之偏移）。

處理液的噴吐開始之後不久、及噴吐即將結束時，該處理液的流量（流速）會變化。伴隨著流量的變化，出射光所包含的背景光之強度也會變化。因此，在從處理液的供給開始到供給停止為止的供給期間，背景光的強度之時間變化會配合供給期間的流量（流速）之時間變化而變化。狀態監視部124可配合供給期間的背景光之強度的時間變化，而監視處理液的噴吐是否正常進行（處理液的流量是否在設定的範圍內）。

強度資訊取得部122可進行校正處理去除來自異物的散射光所導致的訊號Is之影響。例如，強度資訊取得部122在訊號強度為與閾值Th相同的值或不同的值（其他閾值）還大時，可去除作為異常值的該訊號強度。或者，強度資訊取得部122在訊號強度與已算出的移動平均之間的差分比規定值還大時，可去除作為異常值的該訊號強度。

在上述的範例，處理液及偵測部53的狀態之監視可由控制部100進行，也可由操作人員進行狀態監視取代控制部100。此時，控制部100可將已取得（算出）的背景光之強度資訊輸出到外部，操作人員可藉由比較已輸出的強度資訊與基準資訊而進行狀態監視。

流經區塊本體66的處理液流道64之至少一部分可形成為沿著水平方向及垂直方向以外的方向延伸。處理液流道64的流入口64a及流出口64b可在區塊本體之中彼此不同的面分別形成。處理液流道形成部62A~62L的處理液流道64可構成為彼此不同。

處理液流道形成部62A~62L可包含處理液所流經的供給用之通液管取代區塊本體66。處理液流道64可為供給用的通液管內之流道。該通液管可由可使照射光穿透的材料（例如，石英或藍寶石）而形成。異物偵測單元50可具有一個處理液流道形成部取代處理液流道形成部62A~62L。

異物偵測單元50可包含沿著Y軸方向使照射部74移動的照射用之驅動部、及沿著Y軸方向使受光部76移動的受光用之驅動部。這2個驅動部可構成為沿著Y軸方向使照射部74及受光部76移動。照射部74包含光源72，可不經由光學構件82，照射光分別照射到處理液流道形成部62A~62L的處理液流道64。

受光部76可接受藉由來自照射部74的照射光穿透處理液流道64而得到的穿透光之一部分。此時，照射部74及受光部76可配置成在垂直方向（Z軸方向）隔著處理液流道形成部62A~62L夾持。

在上述的範例，強度資訊取得部122基於在處理液的供給期間所得到的散射光之訊號強度而取得背景光的強度資訊，但可基於在處理液未被供給的狀態所得到的訊號強度而取得強度資訊。具體而言，強度資訊取得部122可基於在處理液流道64內充滿處理液（在處理液流道64內具有處理液），並且對於工件W未供給處理液的狀態所得到的訊號強度而取得強度資訊。例如，在圖4所示的開閉閥V關閉並且朝向工件W的處理液之供給停止之後，在開閉閥V與噴嘴之間的流道（處理液流道64）內充滿未從噴嘴噴吐的處理液。在此狀態，訊號取得部102可取得配合來自在內部的處理液之流動停止的處理液流道64之散射光的訊號強度，強度資訊取得部122也可基於該訊號強度而取得強度資訊。

強度資訊取得部122（控制部100）可取得基於在上述的供給期間之訊號強度的強度資訊、或者基於在處理液未被供給的非供給期間之訊號強度的強度資訊，也可取得兩方的資訊。在供給期間及非供給期間皆取得強度資訊時，控制部100在一個供給期間與下一個供給期間之間的長度（非供給期間的長度）變得比規定時間還長時，可取得基於在非供給期間的訊號強度之強度資訊。僅在供給期間取得強度資訊時，未基於強度資訊而確認處理液或裝置的期間（未確認時間）取決於由處理時程所決定的非供給期間之長度。相較之下，在兩方的期間取得強度資訊時，可不取決於由處理時程所決定的長度，而調節上述未確認時間的長度。

在此變形例，強度資訊取得部122基於在處理液流道64內充滿處理液，並且對於工件W未供給處理液的狀態所得到的訊號強度而取得強度資訊。此時，由於處理液流經處理液流道64內，因而可減少背景光可能包含的外部干擾的成分，故可進一步精確地確認裝置或處理液的狀態。

尚且，基板處理裝置的具體構成不限於以上例示的塗佈･顯影裝置2之構成。基板處理裝置只要具備偵測供給到基板的處理液內之異物的異物偵測單元50即可。異物偵測單元50的監視對象之處理液可為光阻膜以外的膜（例如，上述的下層膜或上層膜）形成用的溶液，也可為膜形成以外的基板處理用的溶液。異物偵測單元50的控制部100具有的功能模組之全部或一部分可由控制裝置18執行。此時，可由異物偵測單元50及控制裝置18構成異物偵測裝置。

1:基板處理系統 18:控制裝置 2:塗佈･顯影裝置 30:處理液供給部 32A~32L:噴嘴 36:供給部 50:異物偵測單元 53:偵測部 60:流道形成部 62A~62L:處理液流道形成部 64:處理液流道 72:光源 74:照射部 76:受光部 80:驅動部 100:控制部 102:訊號取得部 104:異物判定部 106:處理資訊取得部 108:驅動控制部 112:基準資訊保持部 116:輸出部 122:強度資訊取得部 124:狀態監視部 U1:液處理單元 W:工件

[圖1]圖1為表示基板處理系統的一例之示意立體圖。 [圖2]圖2為表示塗佈顯影裝置的一例之示意圖。 [圖3]圖3為表示液處理單元的一例之示意圖。 [圖4]圖4為表示液處理單元之處理液供給部的一例之示意圖。 [圖5]圖5為示意表示異物偵測單元的一例之側面圖。 [圖6]圖6為示意表示異物偵測單元的一例之立體圖。 [圖7]圖7為示意表示異物偵測單元的一例之側面圖。 [圖8]圖8為表示控制部的功能上之構成的一例之方塊圖。 [圖9]圖9為表示配合偵測光之訊號強度的一例之圖表。 [圖10]圖10為表示控制部之硬體構成的一例之方塊圖。 [圖11]圖11為表示異物偵測方法的一例之流程圖。

18:控制裝置

76:受光部

80:驅動部

100:控制部

102:訊號取得部

104:異物判定部

106:處理資訊取得部

108:驅動控制部

112:基準資訊保持部

116:輸出部

122:強度資訊取得部

124:狀態監視部

Claims (9)

1. 一種異物偵測裝置，其具備： 偵測部，具有流道形成部及測定部，該流道形成部形成供給到基板的處理液所流經的處理液流道，該測定部接受藉由對前述處理液流道照射來自光源的照射光而從該處理液流道出射的出射光； 異物判定部，基於前述出射光的訊號強度，而判定在前述處理液內是否包含異物；及 強度資訊取得部，基於前述訊號強度，而取得表示前述出射光所包含的背景光之強度的強度資訊。
2. 如請求項1的異物偵測裝置，其中 前述出射光為前述照射光在前述處理液流道內散射的光。
3. 如請求項1的異物偵測裝置，其中 前述強度資訊取得部取得在規定時間所得到的前述訊號強度的時間平均作為前述強度資訊。
4. 如請求項1至3中任一項的異物偵測裝置，其中 前述異物判定部在從對於前述基板開始供給前述處理液到結束供給的供給期間，判定前述處理液內是否包含異物， 前述強度資訊取得部基於在前述供給期間所得到的前述訊號強度，而取得前述強度資訊。
5. 如請求項1至3中任一項的異物偵測裝置，其中 前述強度資訊取得部基於在前述處理液流道內充滿前述處理液並且對於前述基板未供給前述處理液的狀態所得到的前述訊號強度，而取得前述強度資訊。
6. 如請求項1至3中任一項的異物偵測裝置，其進一步具備 狀態監視部，基於前述強度資訊，而監視前述處理液及前述偵測部的至少一方之狀態。
7. 一種基板處理裝置，其具備： 處理液供給部，具有噴嘴及供給部，該噴嘴朝向基板噴吐處理液，該供給部對於前述噴嘴供給前述處理液； 偵測部，具有流道形成部及測定部，該流道形成部形成前述處理液所流經的處理液流道，該測定部接受藉由對前述處理液流道照射來自光源的照射光而從該處理液流道出射的出射光； 異物判定部，基於前述出射光的訊號強度，而判定在前述處理液內是否包含異物；及 強度資訊取得部，基於前述訊號強度，而取得表示前述出射光所包含的背景光之強度的強度資訊。
8. 一種異物偵測方法，其包含： 基於藉由對於供給到基板的處理液所流經的處理液流道照射來自光源的照射光，而從該處理液流道出射的出射光之訊號強度，判定前述處理液內是否包含異物之方法；及 基於前述訊號強度，而取得表示前述出射光所包含的背景光之強度的強度資訊之方法。
9. 一種電腦可讀取的記錄媒體，其記錄使裝置執行請求項8的異物偵測方法之用的程式。

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