CN115244387A - 异物检测装置、基板处理装置、异物检测方法和存储介质 - Google Patents
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Abstract
异物检测装置包括:检测部,其具有流路形成部和测量部,流路形成部形成供对基板供给的处理液流动的处理液流路,测量部能够通过对处理液流路照射来自光源的照射光来接收从该处理液流路射出的出射光;异物判断部,其能够基于出射光的信号强度,判断处理液内是否含有异物;和强度信息获取部,其能够基于信号强度,获取表示出射光中包含的背景光的强度的强度信息。
Description
技术领域
本发明涉及异物检测装置、基板处理装置、异物检测方法和存储介质。
背景技术
专利文献1公开了在流体中作为不溶解物存在的亚微米颗粒的检测装置。该检测装置包括:用于使来自相干光源的光会聚的光学系统;配置在由该光学系统会聚后的光束的焦点附近并且能够使包含微粒的流体的流动通过其内部的单元;配置在光束的光路上并且相对于单元配置在与光束的光源相反的一侧的光检测器;和能够根据来自该光检测器的电信号来测量流体中的微粒的个数的电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-215664号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够对装置或处理液的状态是否正常进行确认的异物检测装置、基板处理装置、异物检测方法和存储介质。
用于解决技术问题的手段
一个例示性实施方式的异物检测装置包括:检测部,其具有流路形成部和测量部,流路形成部形成供对基板供给的处理液流动的处理液流路,测量部能够通过对处理液流路照射来自光源的照射光来接收从该处理液流路射出的出射光;异物判断部,其能够基于出射光的信号强度,判断处理液内是否含有异物;和强度信息获取部,其能够基于信号强度,获取表示出射光中包含的背景光的强度的强度信息。
发明效果
采用本发明,能够提供能够对装置或处理液的状态是否正常进行确认的异物检测装置、基板处理装置、异物检测方法和存储介质。
附图说明
图1是表示基板处理系统的一个例子的示意性立体图。
图2是表示涂敷显影装置的一个例子的示意图。
图3是表示液处理单元的一个例子的示意图。
图4是表示液处理单元的处理液供给部的一个例子的示意图。
图5是示意性地表示异物检测单元的一个例子的侧面图。
图6是示意性地表示异物检测单元的一个例子的立体图。
图7是示意性地表示异物检测单元的一个例子的侧面图。
图8是表示控制部的功能上的结构的一个例子的框图。
图9是表示与检测光相应的信号强度的一个例子的图。
图10是表示控制部的硬件结构的一个例子的框图。
图11是表示异物检测方法的一个例子的流程图。
具体实施方式
下面,对各种例示性实施方式进行说明。
一个例示性实施方式的异物检测装置包括:检测部,其具有流路形成部和测量部,流路形成部形成供对基板供给的处理液流动的处理液流路,测量部能够通过对处理液流路照射来自光源的照射光来接收从该处理液流路射出的出射光;异物判断部,其能够基于出射光的信号强度,判断处理液内是否含有异物;和强度信息获取部,其能够基于信号强度,获取表示出射光中包含的背景光的强度的强度信息。
在该异物检测装置中,除了能够基于通过照射光的照射而从处理液流路射出的出射光进行异物的检测以外,还能够获取出射光中包含的背景光的强度信息。强度信息会基于检测部或处理液的状态而发生变化,因此,在上述异物检测装置中,能够对装置或处理液的状态是否正常进行确认。
可以是,出射光是照射光在处理液流路内散射后的光。在该情况下,由处理液内的异物的有无引起的检测光的强度差大,因此,能够更可靠地进行异物检测。
可以是,强度信息获取部获取在规定期间得到的信号强度的时间平均值作为强度信息。背景光的强度会与得到该强度的时刻相应地发生变化,因此,通过基于时间平均值,能够更可靠地对装置或处理液的状态进行确认。
可以是,异物判断部在对基板供给处理液的从供给开始到供给结束的供给期间,判断处理液内是否含有异物。可以是,强度信息获取部基于在供给期间得到的信号强度,获取强度信息。在该情况下,能够利用在供给期间得到的信息,高效率地进行处理液或检测部的状态确认。
可以是,强度信息获取部基于在处理液流路内填充有处理液、并且没有对基板供给处理液的状态下得到的信号强度,获取强度信息。在该情况下,能够减少因处理液流动而可能包含在背景光中的干扰的成分,因此,能够更高精度地对装置或处理液的状态进行确认。
可以是,异物检测装置还包括状态监视部,其能够基于强度信息来监视处理液和检测部中的至少一者的状态。在该情况下,能够在对装置或处理液的状态进行确认之后进行异物检测。
一个例示性实施方式的基板处理装置包括:处理液供给部,其具有用于向基板释放处理液的喷嘴和用于向喷嘴供给处理液的供给部;检测部,其具有流路形成部和测量部,流路形成部形成供处理液流动的处理液流路,测量部能够通过对处理液流路照射来自光源的照射光来接收从该处理液流路射出的出射光;异物判断部,其能够基于出射光的信号强度,判断处理液内是否含有异物;和强度信息获取部,其能够基于信号强度,获取表示出射光中包含的背景光的强度的强度信息。采用该基板处理装置,能够与上述的异物检测装置同样地,对装置或处理液的状态是否正常进行确认。
一个例示性实施方式的异物检测方法包括:基于通过对处理液流路照射来自光源的照射光而从该处理液流路射出的出射光的信号强度,判断处理液内是否含有异物的步骤,其中,处理液流路供对基板供给的处理液流动;和基于信号强度,获取表示出射光中包含的背景光的强度的强度信息的步骤。采用该异物检测方法,能够与上述的异物检测装置同样地,对装置或处理液的状态是否正常进行确认。
一个例示性实施方式的计算机可读取的存储介质,是存储有用于使装置执行上述异物检测方法的程序的存储介质。
下面,参照附图对一个实施方式进行说明。在说明中,对于相同要素或具有相同功能的要素,标注相同的附图标记,并省略重复的说明。在一部分的附图中表示出了由X轴、Y轴和Z轴规定的正交坐标系。在下面的实施方式中,Z轴对应于铅垂方向,X轴和Y轴对应于水平方向。
[基板处理系统]
图1所示的基板处理系统1(基板处理装置),是对工件W实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光和该感光性覆膜的显影的系统。处理对象的工件W例如是基板、或者通过实施规定的处理而形成有膜或电路等的状态的基板。工件W中包括的基板,作为一个例子,是含硅的晶片。工件W(基板)可以形成为圆形。处理对象的工件W也可以是玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display:平板显示器)等,也可以是对这些基板等实施规定的处理而得到的中间体。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。
基板处理系统1包括涂敷/显影装置2和曝光装置3。曝光装置3是对形成在工件W(基板)上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体而言,曝光装置3能够利用液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量射线。涂敷/显影装置2在由曝光装置3进行的曝光处理前,进行在工件W的表面涂敷抗蚀剂(药液)来形成抗蚀剂膜的处理,在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。
(基板处理装置)
下面,作为基板处理装置的一个例子,对涂敷/显影装置2的结构进行说明。如图1和图2所示,涂敷/显影装置2包括承载器块4、处理块5、接口块6和控制装置18。
承载器块4能够进行工件W向涂敷/显影装置2内的导入和工件W从涂敷/显影装置2内的导出。例如,承载器块4能够支承工件W用的多个承载器C,内置有包含交接臂的输送装置A1。承载器C例如能够收纳圆形的多个工件W。输送装置A1能够从承载器C取出工件W将其交接至处理块5,并从处理块5接收工件W将其返回到承载器C内。处理块5具有多个处理模块11、12、13、14。
处理模块11内置有液处理单元U1、热处理单元U2和用于向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块11能够利用液处理单元U1和热处理单元U2在工件W的表面上形成下层膜。液处理单元U1能够将下层膜形成用的处理液涂敷在工件W上。热处理单元U2能够进行与下层膜的形成相伴的各种热处理。
处理模块12内置有液处理单元U1、热处理单元U2和用于向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块12能够利用液处理单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀剂膜。液处理单元U1能够将抗蚀剂膜形成用的处理液(抗蚀剂)涂敷在下层膜上。热处理单元U2能够进行与抗蚀剂膜的形成相伴的各种热处理。
处理模块13内置有液处理单元U1、热处理单元U2和用于向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块13能够利用液处理单元U1和热处理单元U2在抗蚀剂膜上形成上层膜。液处理单元U1能够将上层膜形成用的处理液涂敷在抗蚀剂膜上。热处理单元U2能够进行与上层膜的形成相伴的各种热处理。
处理模块14内置有液处理单元U1、热处理单元U2和用于向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块14能够利用液处理单元U1和热处理单元U2进行实施了曝光处理的抗蚀剂膜的显影处理和与显影处理相伴的热处理。液处理单元U1能够通过在已曝光的工件W的表面上涂敷显影液后,利用冲洗液对其进行冲洗,来进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元U2能够进行与显影处理相伴的各种热处理。作为热处理的具体例子,可以举出显影处理前的加热处理(PEB:Post Exposure Bake(曝光后烘烤))、显影处理后的加热处理(PB:PostBake(后烘烤))等。
在处理块5内的承载器块4侧设置有搁板单元U10。搁板单元U10被划分为在上下方向上排列的多个隔室(cell)。在搁板单元U10的附近设置有包含升降臂的输送装置A7。输送装置A7能够使工件W在搁板单元U10的隔室彼此之间升降。
在处理块5内的接口块6侧设置有搁板单元U11。搁板单元U11被划分为在上下方向上排列的多个隔室。
接口块6能够在与曝光装置3之间进行工件W的交接。例如接口块6内置有包含交接臂的输送装置A8,与曝光装置3连接。输送装置A8能够将配置在搁板单元U11中的工件W交接到曝光装置3。输送装置A8能够从曝光装置3接收工件W并将其返回到搁板单元U11。
控制装置18例如能够控制涂敷/显影装置2使得按照下述的流程执行涂敷/显影处理。首先,控制装置18控制输送装置A1使得将承载器C内的工件W输送至搁板单元U10,并控制输送装置A7使得将该工件W配置在处理模块11用的隔室中。
接着,控制装置18控制输送装置A3使得将搁板单元U10的工件W输送至处理模块11内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外,控制装置18控制液处理单元U1和热处理单元U2,使得在该工件W的表面上形成下层膜。之后,控制装置18控制输送装置A3使得将形成有下层膜的工件W返回到搁板单元U10,并控制输送装置A7使得将该工件W配置在处理模块12用的隔室中。
接着,控制装置18控制输送装置A3使得将搁板单元U10的工件W输送至处理模块12内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外,控制装置18控制液处理单元U1和热处理单元U2使得在该工件W的表面形成抗蚀剂膜。之后,控制装置18控制输送装置A3使得将工件W返回到搁板单元U10,并控制输送装置A7使得将该工件W配置在处理模块13用的隔室中。
接着,控制装置18控制输送装置A3使得将搁板单元U10的工件W输送至处理模块13内的各隔室。另外,控制装置18控制液处理单元U1和热处理单元U2使得在该工件W的抗蚀剂膜上形成上层膜。之后,控制装置18控制输送装置A3使得将工件W输送至搁板单元U11。
接着,控制装置18控制输送装置A8使得将搁板单元U11的工件W送出至曝光装置3。之后,控制装置18控制输送装置A8使得从曝光装置3接收被实施了曝光处理的工件W,并将其配置在搁板单元U11中的处理模块14用的隔室中。
接着,控制装置18控制输送装置A3使得将搁板单元U11的工件W输送至处理模块14内的各隔室,并控制液处理单元U1和热处理单元U2使得对该工件W的抗蚀剂膜实施显影处理。之后,控制装置18控制输送装置A3使得将工件W返回到搁板单元U10,并控制输送装置A7和输送装置A1使得将该工件W返回到承载器C内。通过上述工序,对1块工件W的涂敷/显影处理完成。控制装置18对于后续的多块工件W各自,也能够使涂敷/显影装置2执行上述涂敷/显影处理。
(液处理单元)
接下来,参照图3和图4对液处理单元U1的一个例子进行详细说明。在此,以用于形成抗蚀剂膜的处理模块12中的液处理单元U1为例进行说明。如图3所示,液处理单元U1具有旋转保持部20和处理液供给部30。
旋转保持部20能够基于控制装置18的动作指示,保持工件W并使其旋转。旋转保持部20例如具有保持部22和旋转驱动部24。保持部22能够支承以表面Wa朝上的方式水平地配置的工件W的中心部,并利用例如真空吸附等保持该工件W。旋转驱动部24例如是包括电动机等动力源的致动器,能够使保持部22绕铅垂的轴线Ax旋转。由此,保持部22上的工件W旋转。
处理液供给部30能够基于控制装置18的动作指示,向工件W的表面Wa释放处理液,来向该表面Wa供给处理液。由处理液供给部30供给的处理液,是用于对工件W进行处理的基板处理用的溶液。作为处理液的一种,可以举出在抗蚀剂膜的形成中使用的溶液(抗蚀剂)、和在提高表面Wa对抗蚀剂的润湿性的预润湿处理中使用的溶液(例如稀释剂)。处理液供给部30例如具有多个喷嘴32、保持头34和供给部36。
多个喷嘴32能够向被保持部22保持的工件W的表面Wa分别释放处理液。多个喷嘴32例如以被保持头34保持的状态配置在工件W的上方,能够向下方分别释放处理液。保持头34可以构成为能够由未图示的驱动部在沿着工件W的表面Wa的方向上移动。多个喷嘴32的个数没有限定,下面以处理液供给部30具有12个喷嘴32(下面,称为“喷嘴32A~32L”)的情况为例进行说明。
能够从供给部36向喷嘴32A~32L各自供给处理液。可以是从供给部36向喷嘴32A~32L供给彼此不同种类的处理液。作为一个例子,从供给部36向喷嘴32A~32J分别供给彼此不同种类的抗蚀剂,从供给部36向喷嘴32K、32L分别供给彼此不同种类的稀释剂。
如图4所示,供给部36包括多个供给管42A~42L和多个供给源44A~44L。供给管42A形成供给源44A与喷嘴32A之间的流路,其中,供给源44A为向喷嘴32A供给(从喷嘴32A释放)的处理液的液源。供给源44A例如包括用于贮存处理液的瓶和用于从该瓶向喷嘴32A压送处理液的泵。供给管42B~42L也与供给管42A同样地,分别形成作为处理液的液源的供给源44B~44L与喷嘴32B~32L之间的流路。
供给部36还包括分别设置在多个供给管42A~42L上的多个开闭阀V。开闭阀V能够基于控制装置18的动作指示,切换为打开状态或关闭状态。通过切换多个开闭阀V的开闭状态,供给管42A~42L的流路能够分别开闭。例如,当开闭阀V成为打开状态时,能够使处理液在供给管42A~42L的流路内流动,能够从喷嘴32A~32L向工件W的表面Wa释放处理液。
(异物检测单元)
涂敷/显影装置2还包括异物检测单元50(异物检测装置),该异物检测单元50能够检测向工件W供给的处理液中包含的异物(颗粒)。异物检测单元50例如能够分别检测在多个供给管42A~42L的流路中流动的处理液内的异物。异物检测单元50可以是配置在液处理单元U1的附近,也可以是配置在液处理单元U1的壳体内。异物检测单元50的一部分要素可以设置在供给管42A~42L的流路上的开闭阀V与喷嘴32A~32L之间。下面,也参照图5~图10对异物检测单元50的一个例子进行说明。
异物检测单元50能够形成用于使在供给管42A~42L中流动的处理液分别流通的流路(下面,称为“处理液流路”)。异物检测单元50能够通过接收对处理液流路照射照射光(例如,激光)而产生的光,来检测在处理液流路中流动的处理液内的异物。如图5所示,异物检测单元50例如具有壳体52和检测部53。壳体52包括上壁54a、底壁54b和侧壁56a~56d(也参照图7)。作为一个例子,上壁54a和底壁54b各自水平地(沿X-Y平面)配置。另外,侧壁56a、56b各自沿Y轴方向垂直地(沿Y-Z平面)配置,并在X轴方向(第一方向)上相对。另外,侧壁56c、56d各自沿X轴方向垂直地(沿X-Z平面)配置,并在Y轴方向(第二方向)上相对。壳体52能够收纳检测部53。检测部53具有流路形成部60和测量部70。
流路形成部60能够形成分别设置在供给管42A~42L的流路上的多个处理液流路。流路形成部60所形成的多个处理液流路各自用于检测在该处理液流路中流动的处理液中包含的异物。流路形成部60例如如图6所示的那样,具有多个处理液流路形成部62A~62L。多个处理液流路形成部62A~62L彼此同样地构成。下面,以处理液流路形成部62A为例对处理液流路形成部的详细情况进行说明。
如图5所示,处理液流路形成部62A能够在连接供给源44A和喷嘴32A的供给管42A的流路上形成处理液流路64(也参照图4)。处理液流路64的上游侧和下游侧的端部,与供给管42A连接。由此,从供给源44A压送的处理液能够依次通过供给管42A的流路的一部分、处理液流路形成部62A的处理液流路64、和供给管42A的流路的剩余的一部分,并从喷嘴32A向工件W的表面Wa释放。
处理液流路形成部62A例如包括在内部形成有处理液流路64的块主体66。块主体66由能够使在异物检测时使用的激光透过的材料构成。作为构成块主体66的材料,例如可以列举石英和蓝宝石。块主体66可以形成为长方体形状,块主体66的一面可以与侧壁56a相对。作为一个例子,在块主体66中的与侧壁56a相对的面上,形成有处理液流路64的流入口64a和流出口64b。流入口64a可以位于流出口64b的下方。
处理液流路64例如包括第一流路68a、第二流路68b和第三流路68c。第一流路68a形成为沿着底壁54b在水平方向(在图示中沿着X轴方向)延伸。第一流路68a的靠近侧壁56a的一端构成流入口64a,第一流路68a的靠近侧壁56b的另一端与第二流路68b连接。第二流路68b形成为在铅垂方向上沿着侧壁56a(沿着Z轴方向)延伸。第二流路68b的靠近底壁54b的一端与第一流路68a连接,第二流路68b的靠近上壁54a的另一端与第三流路68c连接。第三流路68c形成为沿着底壁54b在水平方向(沿着X轴方向)延伸。第三流路68c的靠近侧壁56b的一端与第二流路68b连接,第三流路68c的靠近侧壁56a的另一端构成流出口64b。
供给管42A中的比处理液流路形成部62A靠上游侧的供给管(下面,称为“上游侧供给管46”)与流入口64a连接。供给管42A中的比处理液流路形成部62A靠下游侧的供给管(下面,称为“下游侧供给管48”)与流出口64b连接。上游侧供给管46和下游侧供给管48贯穿块主体66相对的侧壁56a。通过上述的结构,从供给源44A送出的处理液能够依次通过上游侧供给管46、第一流路68a、第二流路68b、第三流路68c和下游侧供给管48,并从喷嘴32A供给至工件W。
如上所述,图6所示的处理液流路形成部62A~62L彼此同样地构成。因此,处理液流路形成部62B~62L与处理液流路形成部62A同样地,各自包含在内部形成有处理液流路64的块主体66。处理液流路形成部62B~62L各自的处理液流路64包括第一流路68a、第二流路68b和第三流路68c。处理液流路形成部62B~62L的流入口64a(第一流路68a)分别与供给管42B~42L的上游侧供给管46连接。处理液流路形成部62B~62L的流出口64b(第三流路68c)分别与供给管42B~42L的下游侧供给管48连接。
处理液流路形成部62A~62L以各自与侧壁56a相对的状态,沿着从侧壁56d向侧壁56c1去的方向(沿着Y轴方向)并排地排列。处理液流路形成部62A~62L可以是以彼此具有间隔的状态依次排列。处理液流路形成部62A~62L的第一流路68a的高度位置(Z轴方向上的位置)可以彼此大致一致。处理液流路形成部62A~62L的第二流路68b的距侧壁56a的距离(X轴方向上的位置)可以彼此大致一致。处理液流路形成部62A~62L的第三流路68c的高度位置(距底壁54b的距离)可以彼此大致一致。
返回到图5,测量部70能够通过对处理液流路64照射来自光源72的照射光来接收从该处理液流路64射出的出射光。测量部70例如具有光源72、照射部74、受光部76、保持部78和驱动部80。光源72能够生成激光作为用于检测处理液内的异物的照射光。光源72能够射出例如波长400nm~600nm左右、功率600mW~1000mW左右的激光。光源72例如如图7所示的那样,设置在底壁54b上,配置在比处理液流路形成部62A~62L靠下方的位置。作为一个例子,光源72在从侧壁56d向侧壁56c去的方向(Y轴负方向)上射出激光。光源72在Y轴方向上配置在与处理液流路形成部62A不同的位置。光源72在Y轴方向上与处理液流路形成部62A隔开间隔地配置。在Y轴方向上,例如光源72和处理液流路形成部62A~62L以依次排列的方式配置。
照射部74能够对处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64分别照射来自光源72的照射光。照射部74例如能够对处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64单独地照射照射光。照射部74可以配置在处理液流路64的下方。照射部74例如具有能够通过改变来自光源72的照射光的朝向来对处理液流路64分别照射照射光的光学部件82。
光学部件82例如包括反射部件82a和会聚透镜82b。反射部件82a的反射面在Y轴方向上与光源72相对。反射部件82a的反射面能够将从光源72大致水平地射出的照射光向上方反射。会聚透镜82b配置在反射部件82a的上方,能够将由反射部件82a反射后的照射光会聚到设定在处理液流路64中的测量位置。会聚透镜82b例如能够对设定在处理液流路64中的第一流路68a中的测量位置照射照射光。
保持部78能够将光学部件82以可移动的方式保持。保持部78例如具有导轨88和滑动台84。导轨88设置在底壁54b上,形成为沿着从侧壁56c向侧壁56d去的方向(沿着Y轴方向)延伸。导轨88例如可以如图7所示的那样,沿着Y轴方向至少在从处理液流路形成部62A至处理液流路形成部62L之间延伸。导轨88将滑动台84以可移动的方式支承。
滑动台84配置在比处理液流路形成部62A~62L靠下方的位置,支承光学部件82(反射部件82a)。滑动台84可以如图5所示的那样,形成为沿着与导轨88交叉的方向(例如X轴方向)延伸。例如,在从侧方看时,滑动台84的靠近侧壁56a的一个端部位于处理液流路形成部62A的下方,并且滑动台84的靠近侧壁56b的另一个端部位于比处理液流路形成部62A的位置更靠近侧壁56b的位置。作为一个例子,在滑动台84的靠近侧壁56a的一个端部配置有光学部件82。
驱动部80能够利用电动机等动力源使滑动台84沿着导轨88移动。通过使滑动台84沿着导轨88移动,照射部74(光学部件82)能够沿着Y轴方向移动。
受光部76能够分别接收通过来自照射部74的照射光的照射而从处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64射出的出射光。受光部76例如能够单独地接收从处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64射出的光。受光部76可以是以在受光部76与侧壁56a之间夹着处理液流路形成部62A~62L的方式配置。
受光部76例如包括光学部件92和受光元件94。在从侧壁56a向侧壁56b去的方向(X轴方向)上,处理液流路形成部62A、光学部件92和受光元件94依次配置。光学部件92和受光元件94的高度位置,例如与处理液流路64的第一流路68a的高度位置大致一致。
光学部件92例如包括能够将从处理液流路64射出的光(下面,称为“出射光”)向受光元件94会聚的会聚透镜。在光学部件92的内部,可以设置仅使具有特定波长的光通过的波长滤波器。受光元件94能够接收由光学部件92会聚后的出射光,并且生成与接收到的光(检测光)相应的电信号。受光元件94例如包含进行光电转换的光电二极管。
光学部件92和受光元件94安装在沿着铅垂方向延伸的支承部件86上。支承部件86与滑动台84连接。例如,支承部件86的下端与滑动台84的与设置有光学部件82的端部相反的一侧的端部连接。随着由驱动部80进行的滑动台84的移动,光学部件92和受光元件94沿着Y轴方向移动。
通过上述的结构,驱动部80能够通过使滑动台84移动,而使照射部74和受光部76一起沿着Y轴方向移动。驱动部80例如能够使照射部74和受光部76在照射部74和受光部76分别与处理液流路形成部62A相对的位置、与照射部74和受光部76分别与处理液流路形成部62L相对的位置之间移动。下面,将照射部74和受光部76分别与任一个处理液流路形成部相对的位置称为与该处理液流路形成部对应的位置。
作为一个例子,在从光源72向光学部件82的照射光持续的状态下,利用驱动部80使光学部件82移动至处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64的任一者的下方,由此,从照射部74向该处理液流路64照射照射光。此时,受光元件94接收来自该处理液流路64的出射光。
如上所述,在设定在处理液流路64中的测量位置的下方配置有照射部74,在该测量位置的侧方配置有受光部76。因此,受光部76在对任一个处理液流路64照射照射光的情况下,能够接收照射光在该处理液流路64内的测量位置散射而产生的出射光(散射光)的一部分。当向处理液流动的处理液流路64内照射照射光时,会产生散射光。在处理液内不包含异物的情况下,照射光的大部分能够通过处理液流路64。另一方面,当处理液内含有异物时,处理液流路64内的照射光的散射的程度变大,与不包含异物的情况相比,受光部76接收的光(向受光部76去的散射光的一部分)的强度变大。在处理液为抗蚀剂的情况下,通常在处理液中含有基础树脂(基础聚合物)作为主要成分。因该基础聚合物也会产生照射光的散射,因此,即使处理液中不包含异物,受光部76也会接收到具有某种程度的振幅的光。
异物检测单元50可以还具有控制部100。控制部100能够控制异物检测单元50的各要素(检测部53)。控制部100例如配置在壳体52的内部。作为一个例子,控制部100能够基于来自控制装置18的动作指示,控制异物检测单元50的各要素。控制部100能够使得至少执行:基于通过对处理液流路64照射来自光源72的照射光而从该处理液流路64射出的出射光的信号强度,判断处理液内是否含有异物的步骤,其中,处理液流路64供对工件W供给的处理液流动;和基于出射光的信号强度,获取表示出射光中包含的背景光的强度的强度信息的步骤。
控制部100如图8所示的那样,作为功能上的结构(下面,称为“功能模块”),例如具有信号获取部102、异物判断部104、处理信息获取部106、驱动控制部108、强度信息获取部122、基准信息保持部112、状态监视部124和输出部116。信号获取部102、异物判断部104、处理信息获取部106、驱动控制部108、强度信息获取部122、基准信息保持部112、状态监视部124和输出部116执行的处理,相当于控制部100执行的处理。
信号获取部102能够从受光部76获取与出射光的强度相应的电信号。信号获取部102例如能够从受光元件94获取与从处理液流路形成部62A~62L中的监视对象的处理液流动的处理液流路64(第一流路68a)射出的出射光的强度相应的电信号。信号获取部102例如能够获取具有与出射光的强度相应的振幅的电信号。信号获取部102可以是以规定的采样周期获取上述电信号。
异物判断部104能够基于与出射光相应的电信号的振幅等强度(下面,称为“信号强度”),检测处理液内的异物的有无。在图9中表示出了表示从信号获取部102得到的信号强度的时间变化的一个例子的图。如上所述,处理液流路64内(处理液内)的照射光的散射的程度会因异物的有无而发生变化,因此,信号强度的大小也会因异物的有无而发生变化。如图9所示,在与出射光相应的电信号中会包含:与不包含异物的状态下的背景光相应的信号Ib;和与包含异物的状态下的来自该异物的散射光相应的信号Is(更详细而言,与背景光和因异物而散射的散射光相应的信号Is)。与背景光相应的信号Ib中会包含:与来自处理液内通常包含的物质(例如上述的基础聚合物等)的散射光相应的成分;和与干扰相应的成分。
例如,如图9所示,异物判断部104在信号强度大于规定的阈值Th的情况下,判断为处理液内含有异物。异物判断部104在信号强度为规定的阈值Th以下的情况下,判断为处理液内不包含异物。阈值Th是考虑照射光因处理液内的异物而散射的情况下的散射光的强度而预先设定的值。异物判断部104可以按信号获取部102获取信号强度的每个采样周期,判断处理液内的异物的有无。
处理信息获取部106能够从控制装置18获取在液处理单元U1中执行的处理的信息(下面,称为“处理信息”)。处理信息例如包括表示在液处理单元U1中进行释放的喷嘴(异物检测对象的处理液)的信息、和表示处理液的供给开始时机和供给时间的信息。处理信息获取部106可以是按使用一种处理液的每个处理,直到该处理液的供给开始前,从控制装置18获取处理信息。
驱动控制部108能够通过利用驱动部80使滑动台84在处理液流路形成部62A与处理液流路形成部62L之间移动,来使照射部74和受光部76移动。驱动控制部108例如能够利用驱动部80使照射部74和受光部76,与处理信息所表示的检测对象的处理液相应地移动到处理液流路形成部62A~62L中的与该处理液通过的处理液流路64对应的位置。驱动控制部108可以是在开始检测对象的处理液的供给之前,利用驱动部80使照射部74和受光部76移动到与上述处理液流路64对应的位置。
强度信息获取部122能够基于信号强度获取表示出射光中包含的背景光的强度的信息(下面,称为“强度信息”)。强度信息获取部122可以是基于信号获取部102以规定的采样周期获取的信号强度,获取规定期间中包含的信号强度的时间平均值作为强度信息。强度信息获取部122例如可以是在经过了规定期间的时刻计算该规定期间中包含的信号强度的获取值的时间平均值。强度信息获取部122可以是计算规定期间中包含的信号强度的获取值的平均值作为时间平均值,也可以是计算通过对规定期间中包含的信号强度的时间变化进行积分而得到的积分值作为时间平均值。
此外,强度信息获取部122可以代替时间平均值而获取每个采样周期的信号强度的值(瞬时值)作为强度信息。强度信息获取部122可以是获取在规定期间得到的信号强度中的最大值、中央值、最小值或最频值作为强度信息。强度信息获取部122可以是获取与来自处理液内通常包含的物质(例如上述的基础聚合物等)的散射光相应的信号强度(基线值)作为强度信息。强度信息获取部122可以是获取对在规定期间内得到的信号强度进行频率解析而求出的频率分布中的特定的频率成分的大小作为强度信息。规定期间例如可以由操作员预先确定。
基准信息保持部112能够保持用于对所释放的处理液的状态或者异物检测单元50(检测部53)的状态进行确认的基准信息。基准信息保持部112例如可以保持(存储)有在处理液和检测部53正常时获取的背景光的强度(下面,称为“基准强度”)。基准信息保持部112例如可以是由操作员预先设定有基准强度,或者也可以是在处理液和检测部53正常时进行获取强度信息的处理。
状态监视部124可以通过对强度信息获取部122所获取的强度信息与基准强度进行比较,来监视(判断)处理液和检测部53中的至少一者的状态是否正常。当处理液和检测部53的状态一定时,可认为背景光的强度在某个范围内。然而,例如,当异物检测对象的处理液的种类不同时,背景光的强度也会不同。另外,背景光的强度也会因其它溶液混入到异物检测对象的处理液中或者该处理液劣化而不同。因此,状态监视部124基于强度信息,可以监视处理液的种类是否适当,也可以监视处理液是否劣化、或者处理液中是否混入了其它溶液。
当检测部53中包含的光学系统的状态一定时,可认为背景光的强度在某个范围内。但是,例如,背景光的强度也会因检测部53的光学系统的经时变化(劣化)而发生变化。作为光学系统的劣化的一个例子,可以列举来自光源72的激光的功率降低、会聚透镜的模糊/污渍、或防反射膜的劣化等引起的透镜性能的劣化、由外部冲击或热膨胀引起的光学系统的光轴的偏移(对准偏差)。状态监视部124可以基于强度信息来监视检测部53的光学系统的状态。
例如,状态监视部124可以在由强度信息表示的强度包含在基准强度加上容许误差而得到的范围内的情况下,判断为处理液和检测部53的状态正常,可以在由强度信息表示的强度偏离该范围的情况下,判断为处理液和检测部53中的至少一者的状态不正常。状态监视部124例如可以在计算时间平均值的每个规定期间进行上述的比较和判断,或者也可以在每次供给一种处理液时进行上述的比较和判断。
输出部116将判断结果和监视结果分别输出到异物检测单元50的外部。输出部116可以是将异物检测的判断结果与处理液和检测部53中的至少一者的状态的监视结果分别输出到控制装置18,也可以是分别输出到向操作员报知结果的显示器等。输出部116例如在由异物判断部104判断为包含异物的情况下,输出表示在监视对象的处理液中包含异物的警报信号。或者,输出部116在由异物判断部104判断为处理液和检测部53中的至少一者的状态不正常的情况下,输出表示该状态不正常的警报信号。
控制部100可由一个或多个控制用计算机构成。例如,控制部100具有图10所示的电路200。电路200包括一个或多个处理器202、内存(memory)204、存储器(storage)206、输入输出端口208和计时器212。存储器206例如具有硬盘等能够由计算机读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制部100执行后述的异物检测方法的程序。存储介质也可以是非易失性的半导体存储器、磁盘和光盘等能够取出的介质。内存204暂时存储从存储器206的存储介质加载的程序和处理器202的运算结果。
处理器202通过与内存204协作执行上述程序,构成各功能模块。输入输出端口208按照来自处理器202的指令,在与控制装置18、受光部76和驱动部80等之间进行电信号的输入输出。计时器212例如通过对一定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。此外,控制部100的硬件结构并不一定限于利用程序来构成各功能模块。例如,控制部100的各功能模块也可以由专用的逻辑电路或者集成了该逻辑电路的ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit:专用集成电路)构成。
[异物检测方法]
接下来,参照图11对异物检测单元50的异物检测方法(异物检测流程)进行说明。图11是表示在包括1次的处理液的供给的基板处理中执行的异物检测方法的一个例子的流程图。
在来自光源72的照射光的照射持续的状态下,例如,当处理信息获取部106从控制装置18获取处理信息时,控制部100执行步骤S01。在步骤S01中,例如,驱动控制部108通过利用驱动部80使滑动台84移动,来使照射部74和受光部76移动到与处理信息所表示的异物检测对象的处理液流动的处理液流路64对应的位置。由此,能够从照射部74对异物检测对象的处理液流动的处理液流路64照射照射光,能够由受光部76接收来自该处理液流路64的出射光。可以在步骤S01执行前或与步骤S01大致相同的时机,开始对工件W供给处理信息所表示的处理液。
接着,控制部100执行步骤S02、S03。在步骤S02中,例如,信号获取部102获取与由受光部76接收到的检测光相应的信号强度。在步骤S03中,例如,异物判断部104判断在步骤S02中得到的信号强度是否大于阈值Th。当在步骤S03中,判断为信号强度大于阈值Th的情况下(步骤S03:是),控制部100执行步骤S04。在步骤S04中,例如,输出部116输出表示异物检测对象的处理液中含有异物的警报信号。另一方面,当在步骤S03中,判断为信号强度为阈值Th以下的情况下(步骤S03:否),控制部100不执行步骤S04。
接着,控制部100执行步骤S05。在步骤S05中,例如,控制部100判断监视对象的处理液的供给是否结束。控制部100可以通过测量处理信息中包含的从供给开始时机起的经过时间,来判断处理液的供给是否结束。当在步骤S05中,判断为监视对象的处理液的供给没有结束的情况下(步骤S05:否),控制部100反复进行步骤S02、S03的处理。由此,在处理液的供给期间,持续监视该处理液内是否含有异物,并且信号获取部102以规定的采样周期获取与检测光相应的信号强度。
当在步骤S05中,判断为监视对象的处理液的供给已结束的情况下(步骤S05:是),控制部100执行步骤S06。在步骤S06中,强度信息获取部122基于信号强度,获取表示来自处理液流路64的出射光中包含的背景光的强度的强度信息。例如,强度信息获取部122基于在反复执行步骤S02的上述供给期间得到的信号强度(信号强度的时间变化)来获取强度信息。作为一个例子,强度信息获取部122计算在供给期间得到的信号强度的平均值或积分值作为强度信息。
接着,控制部100执行步骤S07。在步骤S07中,例如,状态监视部124可以通过对强度信息获取部122获取的强度信息与基准强度进行比较,来判断处理液和检测部53中的至少一者的状态是否不正常。例如,状态监视部124可以在由强度信息表示的强度包含在基准强度加上容许误差而得到的范围内的情况下,判断为处理液和检测部53中的至少一者的状态正常,可以在由强度信息表示的强度偏离该范围的情况下,判断为处理液和检测部53中的至少一者的状态不正常。
当在步骤S07中,判断为处理液和检测部53中的至少一者的状态不正常的情况下(步骤S07:是),控制部100执行步骤S08。在步骤S08中,例如,输出部116输出表示处理液和检测部53中的至少一者的状态不正常的警报信号。另一方面,当在步骤S07中,判断为处理液和检测部53的状态正常的情况下(步骤S07:否),控制部100不执行步骤S08。通过上述步骤,一系列的异物检测流程结束。控制部100可以按基于处理液的供给的每个基板处理,执行步骤S01~S08的处理。
上述的异物检测流程是一个例子,步骤的顺序、执行时机和执行内容等可以适当改变。例如,在步骤S06中,强度信息获取部122也可以是对将供给期间按时间顺序分割而得到的每个分割期间,计算在该分割期间得到的信号强度的平均值或者积分值作为强度信息。或者,强度信息获取部122也可以是对每个采样周期的一个周期或2个以上的周期,计算在该周期以前的规定期间得到的信号强度的平均值,由此计算信号强度的移动平均作为强度信息。
强度信息获取部122可以是代替步骤S06,在反复执行步骤S02的时机反复进行强度信息的计算。即,强度信息获取部122可以是按每个采样周期计算强度信息。在该情况下,状态监视部124可以是代替步骤S07,对每个强度信息的计算(每个采样周期),进行处理液和检测部53中的至少一者的状态的判断。作为一个例子,强度信息获取部122可以对每个采样周期,计算在该周期以前的规定期间得到的信号强度的平均值,由此计算信号强度的移动平均作为强度信息。或者,强度信息获取部122可以是按每个采样周期,计算从处理液的供给开始起到该周期为止得到的信号强度的平均值或积分值作为强度信息。
[实施方式的效果]
在上面例示的异物检测单元50或异物检测单元50中的异物检测方法中,除了能够基于通过照射光的照射而从处理液流路64射出的出射光进行异物的检测以外,还能够获取出射光中包含的背景光的强度信息。强度信息会基于检测部53或处理液的状态而发生变化,因此,在异物检测单元50中,能够对装置或处理液的状态是否正常进行确认。
在基于对处理液流动的流路照射照射光而得到的光,来检测处理液内的异物的情况下,能够通过检测接收到的检测光的强度是否发生变化,来判断处理液内的异物的有无。然而,在异物检测装置中包含的光学系统等硬件没有正常地动作的情况下,或者在处理液的状态与正常时不同的情况下,也可能会判断为检测光的强度没有发生变化,处理液内不包含异物。在上述的异物检测单元50中,通过获取背景光的强度信息,能够对处理液的状态和包括光学系统等的检测部53的状态进行确认,因此,能够使异物的检测结果更可靠。另外,从为了进行异物检测而获取的处理液流路射出的出射光的信号中也包含与背景光相关的信息。因此,在上述实施方式的异物检测单元50中,能够不设置用于状态确认的结构而简便地进行处理液或装置的状态确认。
来自处理液流路64的出射光是照射光在处理液流路64内散射后的光。在该情况下,不利用检测器(受光部76)得到透过处理液流路64的透过光本身,背景光的强度例如与接收透过光的情况(进行基于前方散射的检测的情况)相比也变小,因此,能够高精度地检测由处理液内的异物的有无引起的检测光的强度的变化。因此,根据上述结构,能够更可靠地进行异物检测。另外,没有得到透过处理液流路64的透过光本身,因此,容易检测背景光的强度的微小变化。
强度信息获取部122获取在规定期间得到的信号强度的时间平均值作为强度信息。背景光的强度会与得到该强度的时刻相应地发生变化。因此,在该结构中,通过基于时间平均值,能够更可靠地对装置或处理液的状态进行确认。
异物判断部104在对工件W供给处理液的从供给开始到供给结束的供给期间,判断在处理液内是否含有异物。强度信息获取部122基于在供给期间得到的信号强度,获取强度信息。在该情况下,能够利用在供给期间得到的信息,高效率地进行处理液或检测部53的状态确认。即,即使在供给期间以外,不为了进行状态确认而使处理液通过,也能够对处理液或装置的状态进行确认。
异物检测单元50还包括状态监视部124,其能够基于强度信息来监视处理液和检测部53中的至少一者的状态。在该情况下,能够在对检测部53或处理液的状态进行确认之后进行异物检测。因此,能够使异物的检测结果更可靠。
在包括异物检测单元50的涂敷/显影装置2中,能够对异物检测单元50的状态和处理液是否正常进行确认,并且通过在供给部36中检测处理液内的异物,能够尽早发现由异物导致的工件W的缺陷。
[变形例]
受光部76可以包括沿着处理液流路形成部62A~62L排列的方向(水平方向)或铅垂方向排列配置的多个受光元件94。或者,受光部76可以包括在水平方向和铅垂方向上2维排列的多个受光元件94。例如,受光部76可以包含光电二极管一维或者二维排列而得到的光电二极管阵列。受光部76可以将从多个受光元件94分别得到的多个电信号输出到控制部100。信号获取部102可以对来自各受光元件94的每个电信号获取信号强度。
在该情况下,基准信息保持部112可以对从多个受光元件94得到的各个信号强度,获取表示背景光的强度的强度信息。即,基准信息保持部112可以对设置受光元件94的每个受光位置获取强度信息。在检测部53中包含的光学系统中发生了光轴的偏移的情况下,可认为由受光部76接收的光的分布不同(例如,光的分布会产生偏差)。因此,状态监视部124可以基于每个受光位置的强度信息,监视检测部53中包含的光学系统的光轴的偏移。例如,状态监视部124可以通过在沿一个方向排列的多个受光位置,判断强度信息所表示的强度的差值是否大于规定值,来监视光学系统的光轴的偏移(例如,会聚透镜的焦点位置的偏移)。
在处理液的释放刚开始后和释放结束时,该处理液的流量(流速)会发生变化。伴随着流量的变化,出射光中包含的背景光的强度也会发生变化。因此,在处理液的从供给开始到供给停止的供给期间中,背景光的强度的时间变化会与供给期间中的流量(流速)的时间变化相应地发生变化。状态监视部124可以是与供给期间中的背景光的强度的时间变化相应地,监视处理液的释放是否正常进行(处理液的流量是否在设定的范围内)。
强度信息获取部122可以进行将基于来自异物的散射光的信号Is的影响除去的修正处理。例如,强度信息获取部122可以在信号强度大于与阈值Th相同的值或者不同的值(其它的阈值)时,将该信号强度作为异常值排除。或者,强度信息获取部122可以在信号强度与计算出的移动平均值的差值大于规定值时,将该信号强度作为异常值排除。
在上述的例子中,处理液和检测部53的状态的监视由控制部100进行,但也可以不是由控制部100而是由操作员进行状态监视。在该情况下,控制部100可以将获取(计算出)的背景光的强度信息输出到外部,操作员可以通过将输出的强度信息与基准信息进行比较来进行状态监视。
在块主体66中流动的处理液流路64的至少一部分也可以形成为沿水平方向和铅垂方向以外的方向延伸。处理液流路64的流入口64a和流出口64b也可以分别形成在块主体中的彼此不同的面。处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64也可以构成为彼此不同。
处理液流路形成部62A~62L也可以代替块主体66而包括供处理液流动的供给用的通液管。处理液流路64也可以是供给用的通液管内的流路。该通液管可以由能够使照射光透过的材料(例如石英或蓝宝石)形成。异物检测单元50可以具有一个处理液流路形成部,来代替处理液流路形成部62A~62L。
可以是,异物检测单元50包括:能够使照射部74沿着Y轴方向移动的照射用的驱动部;和能够使受光部76沿着Y轴方向移动的受光用的驱动部。这2个驱动部可以构成为能够使照射部74和受光部76沿着Y轴方向移动。也可以是,照射部74包括光源72,照射光不经由光学部件82而分别对处理液流路形成部62A~62L的处理液流路64照射。
可以是,受光部76接收来自照射部74的照射光透过处理液流路64而得到的透射光的一部分。在该情况下,照射部74和受光部76可以配置成在铅垂方向(Z轴方向)上将处理液流路形成部62A~62L夹在中间。
在上述的例子中,强度信息获取部122基于在处理液的供给期间得到的散射光的信号强度来获取背景光的强度信息,但也可以是基于在没有供给处理液的状态下得到的信号强度来获取强度信息。具体而言,强度信息获取部122可以是基于在处理液流路64内填充有处理液(在处理液流路64内存在处理液)、并且没有对工件W供给处理液的状态下得到的信号强度来获取强度信息。例如,在图4所示的开闭阀V关闭而停止向工件W供给处理液后,在开闭阀V与喷嘴之间的流路(处理液流路64)内填充有未从喷嘴释放的处理液。在该状态下,信号获取部102可以获取与来自内部的处理液的流动停止的处理液流路64的散射光相应的信号强度,强度信息获取部122可以基于该信号强度来获取强度信息。
强度信息获取部122(控制部100)可以是进行上述的基于供给期间中的信号强度的强度信息的获取和基于没有供给处理液的非供给期间中的信号强度的强度信息的获取中的任一者,也可以是进行两者。在供给期间和非供给期间两者获取强度信息的情况下,控制部100可以是在一个供给期间与下一个供给期间之间的长度(非供给期间的长度)比规定时间长的情况下,获取基于非供给期间中的信号强度的强度信息。在仅在供给期间获取强度信息的情况下,没有进行基于强度信息的处理液或装置的确认的期间(未确认时间)依赖于由处理流程决定的非供给期间的长度。而在两者的期间获取强度信息的情况下,能够不依赖于由处理流程决定的长度而调节上述未确认时间的长度。
在该变形例中,强度信息获取部122基于在处理液流路64内填充有处理液、并且没有对工件W供给处理液的状态下得到的信号强度,获取强度信息。在该情况下,能够减少因处理液在处理液流路64内流动而可能包含在背景光中的干扰的成分,因此,能够更高精度地对装置或处理液的状态进行确认。
此外,基板处理装置的具体结构并不限于上面例示的涂敷/显影装置2的结构。基板处理装置只要包括能够检测对基板供给的处理液内的异物的异物检测单元50,就可以是任意的装置。异物检测单元50的监视对象的处理液也可以是抗蚀剂膜以外的膜(例如上述的下层膜或上层膜)形成用的溶液,也可以是膜形成以外的基板处理用的溶液。也可以是异物检测单元50的控制部100所具有的功能模块的全部或一部分由控制装置18执行。在该情况下,可以由异物检测单元50和控制装置18构成异物检测装置。
附图标记说明
1…基板处理系统,2…涂敷/显影装置,30…处理液供给部,32A~32L…喷嘴,36…供给部,50…异物检测单元,53…检测部,60…流路形成部,62A~62L…处理液流路形成部,64…处理液流路,72…光源,74…照射部,76…受光部,100…控制部,122…强度信息获取部,124…状态监视部,U1…液处理单元,W…工件。
Claims (9)
1.一种异物检测装置,其特征在于,包括:
检测部,其具有流路形成部和测量部,所述流路形成部形成供对基板供给的处理液流动的处理液流路,所述测量部能够通过对所述处理液流路照射来自光源的照射光来接收从该处理液流路射出的出射光;
异物判断部,其能够基于所述出射光的信号强度,判断所述处理液内是否含有异物;和
强度信息获取部,其能够基于所述信号强度,获取表示所述出射光中包含的背景光的强度的强度信息。
2.如权利要求1所述的异物检测装置,其特征在于:
所述出射光是所述照射光在所述处理液流路内散射后的光。
3.如权利要求1或2所述的异物检测装置,其特征在于:
所述强度信息获取部获取在规定期间得到的所述信号强度的时间平均值作为所述强度信息。
4.如权利要求1至3中任一项所述的异物检测装置,其特征在于:
所述异物判断部在对所述基板供给所述处理液的从供给开始到供给结束的供给期间,判断所述处理液内是否含有异物,
所述强度信息获取部基于在所述供给期间得到的所述信号强度,获取所述强度信息。
5.如权利要求1至3中任一项所述的异物检测装置,其特征在于:
所述强度信息获取部基于在所述处理液流路内填充有所述处理液、并且没有对所述基板供给所述处理液的状态下得到的所述信号强度,获取所述强度信息。
6.如权利要求1至5中任一项所述的异物检测装置,其特征在于:
还包括状态监视部,其能够基于所述强度信息来监视所述处理液和所述检测部中的至少一者的状态。
7.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
处理液供给部,其具有用于向基板释放处理液的喷嘴和用于向所述喷嘴供给所述处理液的供给部;
检测部,其具有流路形成部和测量部,所述流路形成部形成供所述处理液流动的处理液流路,所述测量部能够通过对所述处理液流路照射来自光源的照射光来接收从该处理液流路射出的出射光;
异物判断部,其能够基于所述出射光的信号强度,判断所述处理液内是否含有异物;和
强度信息获取部,其能够基于所述信号强度,获取表示所述出射光中包含的背景光的强度的强度信息。
8.一种异物检测方法,其特征在于,包括:
基于通过对处理液流路照射来自光源的照射光而从该处理液流路射出的出射光的信号强度,判断处理液内是否含有异物的步骤,其中,所述处理液流路供对基板供给的所述处理液流动;和
基于所述信号强度,获取表示所述出射光中包含的背景光的强度的强度信息的步骤。
9.一种计算机可读取的存储介质,其特征在于:
存储有用于使装置执行权利要求8所述的异物检测方法的程序。
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