CN114433397A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

基片处理装置和基片处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114433397A
CN114433397A CN202111271671.8A CN202111271671A CN114433397A CN 114433397 A CN114433397 A CN 114433397A CN 202111271671 A CN202111271671 A CN 202111271671A CN 114433397 A CN114433397 A CN 114433397A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
unit
filter
foreign matter
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111271671.8A
Other languages
English (en)
Inventor
矢野英嗣
一野克宪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN114433397A publication Critical patent/CN114433397A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/40—Filters located upstream of the spraying outlets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供有利于减少向基片排出的处理液中的异物的技术。基片处理装置包括：具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部(30)；将处理液送至排出部的送液部(60)；和将用于送至排出部(30)的处理液向送液部(60)供给的作为供给源的液源(51)，送液部(60)具有：供处理液流动的管路；设置在管路上的彼此不同的位置的、对设置在处理液中会含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同的多个过滤器。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1中公开了，在光致抗蚀剂涂敷装置中，对包含过滤器单元的供给用配管设置循环用配管，在涂敷停止时使光致抗蚀剂循环的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-172881号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明提供用于减少向基片排出的处理液中的异物的技术。
用于解决课题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括：具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部；将所述处理液向所述排出部输送的送液部；和将用于向所述排出部输送的所述处理液供给到所述送液部的供给源，所述送液部具有：供所述处理液流动的管路；和设置在所述管路上的彼此不同的位置，对于设想所述处理液中会包含的多个种类的异物的捕集特性彼此不同的多个过滤器。
发明效果
根据本发明，能够提供对于减于向基片排出的处理液中的异物有用的技术。
附图说明
图1是表示基片处理系统的概略结构的一例的示意图。
图2是表示涂敷显影装置的内部结构的一例的示意图。
图3是表示液体处理单元的结构的一例的示意图。
图4是表示处理液供给部的一例的示意图。
图5是表示控制装置的功能上的结构的块图。
图6是表示控制装置的硬件上的结构的一例的块图。
图7是表示液体处理顺序的一例的流程图。
图8的(a)、图8的(b)、图8的(c)是用于说明各液体处理顺序中的各部分的动作的一例的示意图。
图9是表示根据异物检测结果变更指令内容时的顺序的一例的流程图。
图10的(a)、图10的(b)、图10的(c)是用于说明变更各送液部中的处理液的流动时的一例的示意图。
图11的(a)、图11的(b)是用于说明变更各过滤器的配置时的一例的示意图。
具体实施方式
以下，说明各个例示的实施方式。
在一个例示的实施方式中，提供基片处理装置。基片处理装置包括：具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部；将所述处理液向所述排出部送出的送液部；和将用于向所述排出部送出的所述处理液向所述送液部供给的供给源，所述送液部具有：供所述处理液流动的管路；和多个过滤器，其设置在所述管路上的彼此不同的位置，对设想的在所述处理液中含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同。
上述基片处理装置中，在供处理液流动的管路上的彼此不同的位置设置有多个过滤器，因此来自供给源的处理液通过多个过滤器向喷嘴供给。此外，这些过滤器对设想在处理液中含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同，因此，处理液中包含的多个种类的异物能够由多个过滤器捕集。于是，能够进一步减少向基片排出的处理液中的异物。
也可以采用下述方式，所述多个过滤器包含在所述多个种类的异物中对于对所述基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能高的过滤器。
如上所述，通过采用使处理液通过对基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能高的过滤器的结构，能够从处理液中除去缺陷的发生频率高的异物。因此，能够抑制基片的缺陷的发生。
也可以采用下述方式，所述多个过滤器的捕集部的与所述处理液的接触面积彼此不同。
如上所述，通过使用具有与处理液的接触面积彼此不同的捕集部的过滤器，能够使对每个种类的异物的捕集特性彼此不同。通过使用这样的过滤器，能够考虑处理液中含有的异物的种类地选择使用的过滤器。
也可以采用下述方式，所述多个过滤器中，对于对所述基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器，位于所述管路的最下游的位置。
如上所述，通过采用将对于对基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器配置在最下游的结构，能够利用最下游的过滤器适当地除去缺陷的发生频率高的异物。因此，能够抑制基片中的缺陷的发生。
也可以采用下述方式，所述管路包括：将所述供给源和所述喷嘴连接的主管路；和以将设置于所述主管路的2个分支点连接的方式形成的旁通管路，所述送液部还具有设置于所述旁通管路的送液用泵，所述多个过滤器中，第1过滤器在所述主管路中的所述2个分支点之间，设置在比不同于所述第1过滤器的过滤器靠下游侧的位置，所述第1过滤器对于对所述基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高，不同于所述第1过滤器的过滤器中的至少1个过滤器，设置于所述旁通管路。
如上所述，管路包含主管路和旁通管路的结构中，采用对于缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的第1过滤器设置于主管路的结构，则能够适当地进行使用第1过滤器的适当异物的除去。
也可以采用下述方式，设置于所述旁通管路的过滤器设置在所述旁通管路中比所述送液用泵靠上游侧的位置。
如上所述，通过设置在旁通管路中比送液用泵靠上游侧的位置，能够在利用送液用泵从喷嘴排出处理液时，最后通过第1过滤器。即，能够将第1过滤器配置在实质上最下游的位置，因此缺陷的发生频率高的异物能够被最下游的过滤器适当地除去。
也可以采用下述方式，还具有控制所述送液部的控制部，所述送液部在所述旁通管路中的所述送液用泵的下游侧还具有检测所述处理液中的异物的异物检测部，所述控制部根据所述异物检测部的检测结果，进行变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动的控制。
如上所述，通过采用控制部根据异物检测部的检测结果，变更主管路和旁通管路中的处理液的流动的结构，例如，能够考虑处理液中的异物的残留程度等地变更处理液对于过滤器的通过次数。像这样，能够选择能够更好地除去处理液中的异物的控制。
也可以采用下述方式，还具有控制所述送液部的控制部，所述控制部根据处理后的所述基片中的缺陷的发生状况，以变更所述处理液到达所述喷嘴前最后通过的过滤器的方式，进行变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动的控制。
如上所述，通过采用控制部根据处理后的所述基片中的缺陷的发生状况变更到达喷嘴前最后通过的过滤器的结构，例如，能够根据处理后的基片上的缺陷的发生状况以更适合的顺序使处理液通过过滤器。因此，能够决定用于使得在处理后的基片不发生缺陷的适当的控制内容。
在一个例示的实施方式中，提供基片处理方法。基片处理方法将来自供给源的处理液经由管路从喷嘴向基片排出，其使处理液通过设置在所述管路上的彼此不同的位置的、对于设想在所述处理液中会含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同的多个过滤器。
在上述基片处理方法中，通过了在处理液所流动的管路上的彼此不同的位置设置的多个过滤器的处理液被供给至喷嘴。而且，这些过滤器对于设想处理液中会含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同，因此能够用多个处理器捕集在处理液中含有的多个种类的异物。由此，能够进一步减少向基片排出的处理液中的异物。
也可以采用下述方式，使所述处理液最后通过所述多个过滤器中的、对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器。
如上所述，通过采用使处理液最后通过对于对基片进行了后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器的结构，能够用最下游的过滤器很好地除去缺陷的发生频率高的异物。因此，能够抑制基片中的缺陷的发生。
也可以采用下述方式，所述管路具有：连接所述供给源和所述喷嘴的主管路；以将设置于所述主管路的2个分支点连接的方式形成的旁通管路；和设置于所述旁通管路的送液用泵，第1过滤器在所述主管路中的所述2个分支点之间，设置在比不同于所述第1过滤器的过滤器靠下游侧的位置，所述第1过滤器在所述多个过滤器中、对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高，不同于所述第1过滤器的过滤器中的至少1个过滤器设置于所述旁通管路。
如上所述，在管路包括主管路和旁通管路的结构中，通过采用使对于缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的第1过滤器设置于主管路的结构，能够适当地进行使用第1过滤器的异物的除去。
也可以采用下述方式，在所述旁通管路中的所述送液用泵的下游侧，还具有检测所述处理液中的异物的异物检测部，根据所述异物检测部的检测结果，变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动。
如上所述，通过采用根据异物检测部的检测结果，变更主管路和旁通管路中的处理液的流动的结构，例如，能够考虑处理液中的异物的残留程度等地变更处理液对过滤器的通过次数。像这样，能够选择能够更好地除去处理液中的异物的控制。
也可以采用下述方式，根据处理后的所述基片中的缺陷的发生状况，以变更所述处理液到达所述喷嘴前最后通过的过滤器的方式，变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动。
如上所述，通过采用控制部根据处理后的所述基片中的缺陷的发生状况，变更到达喷嘴前最后通过的过滤器的结构，例如，能够根据处理后的基片上的缺陷的发生状况，以更合适的顺序使处理液通过过滤器。因此，能够决定用于使得处理后的基片中不产生缺陷的适当的控制内容。
[例示的实施方式的说明]
以下，参照附图详细地说明各种例示的实施方式。另外，各附图中对相同或相应的部分标注相同的附图标记。
首先，参照图1～图6说明本发明的一实施方式的基片处理系统。
[基片处理系统]
图1所示的基片处理系统1是对基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光和该感光性覆膜的显影的系统。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。
基片处理系统1具有涂敷显影装置2和曝光装置3。涂敷显影装置2构成为在工件W的表面形成抗蚀剂膜(感光性覆膜)。此外，涂敷显影装置2构成为在曝光装置进行的曝光处理之后进行抗蚀剂膜的显影处理。曝光装置3构成为在其与涂敷显影装置2之间进行工件W的交接，进行在工件W的表面形成的抗蚀剂膜的曝光处理(图案曝光)。曝光装置3例如可以通过液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分有选择地照射能量线。由涂敷显影装置2和曝光装置3在表面形成了规定的图案的抗蚀剂膜的工件W，之后被供给至蚀刻处理。蚀刻处理中，例如，通过使用等离子体的干蚀刻，进行没有被抗蚀剂膜覆盖的区域的对象材料的加工。
处理对象的工件W例如是基片，或通过被实施规定的处理而形成有膜或电路等的状态的基片。作为工件W中包含的基片的一个例子，有含硅的晶片。工件W(基片)可以形成为圆形，也可以形成为多边形等圆形以外的板状。工件W也可以具有一部分切开而形成的切口部。切欠部例如可以是槽(U字形、V字形等槽)，也可以是直线状地延伸的直线部(所谓的定向平面(orientation flat))。处理对象的工件W可以是玻璃基片、掩膜基片、FPD(FlatPanel Display，平板显示器)等，也可以是对这些基片等实施规定的处理而得到的中间体。工件W的直径例如可以是200mm～450mm左右。
能量线例如可以是电离辐射线、非电离辐射线等。电离辐射线是具有使原子或分子电离的充分的能量的辐射线。电离辐射线例如有极端紫外线(EUV：ExtremeUltraviolet)、电子线、离子线、X线、α线、β线、γ线、重粒子线、质子线等。非电离辐射线是不具有足够使原子或分子电离的能量的辐射线。非电离辐射线例如可以是g线、i线、KrF受激准分子激光、ArF受激准分子激光、F2受激准分子激光等。
[基片处理装置]
以下，作为基片处理装置的一例，说明涂敷显影装置2的结构。如图1和图2所示，涂敷显影装置2具有载体区块4、处理区块5、接口区块6和控制装置100。
载体区块4进行工件W对涂敷显影装置2内的导入和工件W从涂敷显影装置2内的导出。例如载体区块4能够支承用于工件W的多个载体C、内置有包含交接臂的运送装置A1。载体C例如收纳圆形的多个工件W。运送装置A1从载体C取出工件W并向处理区块5转移，从处理区块5接收工件W使其回到载体C内。
处理区块5具有多个处理模块11、12、13、14。处理模块11、12、13、14内置有液体处理单元U1、热处理单元U2、包含向这些单元运送工件W的运送臂的运送装置A3。
处理模块11利用液体处理单元U1和热处理单元U2在工件W的表面上形成下层膜。处理模块11的液体处理单元U1将用于形成下层膜的处理液涂敷在工件W上。处理模块11的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。
处理模块12利用液体处理单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀剂膜。处理模块12的液体处理单元U1将用于形成抗蚀剂膜的处理液涂敷在下层膜之上。处理模块12的热处理单元U2进行伴随抗蚀剂膜的形成的各种热处理。
处理模块13利用液体处理单元U1和热处理单元U2在抗蚀剂膜上形成上层膜。处理模块13的液体处理单元U1将用于形成上层膜的液体涂敷在抗蚀剂膜之上。处理模块13的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成的各种热处理。
处理模块14利用液体处理单元U1和热处理单元U2进行曝光后的抗蚀剂膜的显影处理。液体处理单元U1在曝光完成的工件W的表面上涂敷显影液。此外，液体处理单元U1将涂敷的显影液用清洗液清洗掉。热处理单元U2进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例子，能够举出显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake，曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake，后烘烤)等。
在处理区块5内的载体区块4侧设置有搁架组件U10。搁架组件U10划分成在上下方向并排的多个单元。在搁架组件U10的附近设置有包含升降臂的运送装置A7。运送装置A7使工件W在搁架组件U10的单元彼此之间升降。
在处理区块5内的接口区块6侧设置有搁架组件U11。搁架组件U11划分成在上下方向并排的多个单元。
接口区块6在其与曝光装置3之间进行工件W的交接。例如接口区块6内置有包含交接臂的运送装置A8，与曝光装置3连接。运送装置A8将配置于搁架组件U11的工件W转移至曝光装置3。运送装置A8从曝光装置3接收工件W使其回到搁架组件U11。
控制装置100以例如按以下的顺序执行涂敷显影处理的方式的控制涂敷显影装置2。首先，控制装置100以将载体C内的工件W运送至搁架组件U10的方式控制运送装置A1，以将该工件W配置于用于处理模块11的单元的方式控制运送装置A7。
接着，控制装置100以将搁架组件U10的工件W运送至处理模块11内的液体处理单元U1和热处理单元U2的方式控制运送装置A3。此外，控制装置100以在该工件W的表面上形成下层膜的方式控制液体处理单元U1和热处理单元U2。之后控制装置100以使形成有下层膜的工件W回到搁架组件U10的方式控制运送装置A3，以将该工件W配置于用于处理模块12的单元的方式控制运送装置A7。
接着，控制装置100以将搁架组件U10的工件W运送至处理模块12内的液体处理单元U1和热处理单元U2的方式控制运送装置A3。此外，控制装置100以在该工件W的下层膜上形成抗蚀剂膜的方式控制液体处理单元U1和热处理单元U2。之后控制装置100以使工件W回到搁架组件U10的方式控制运送装置A3，以将该工件W配置于用于处理模块13的单元的方式控制运送装置A7。
接着，控制装置100以将搁架组件U10的工件W运送至处理模块13内的各单元的方式控制运送装置A3。此外，控制装置100以在该工件W的抗蚀剂膜上形成上层膜的方式控制液体处理单元U1和热处理单元U2。之后控制装置100以将工件W运送至搁架组件U11的方式控制运送装置A3。
接着，控制装置100以将搁架组件U11的工件W运送至曝光装置3的方式控制运送装置A8。之后控制装置100以从曝光装置3接收实施了曝光处理的工件W，并将其配置于搁架组件U11的用于处理模块14的单元的方式控制运送装置A8。
接着，控制装置100以将搁架组件U11的工件W运送至处理模块14内的各单元的方式控制运送装置A3，以对该工件W的抗蚀剂膜实施显影处理的方式控制液体处理单元U1和热处理单元U2。之后控制装置100以使工件W回到搁架组件U10的方式控制运送装置A3，以使该工件W回到载体C内的方式控制运送装置A7和运送装置A1。通过以上处理而完成涂敷显影处理。
另外，基片处理装置的具体结构并不限于以上例示的涂敷显影装置2的结构。基片处理装置只要包括向工件W排出处理液而进行液体处理的液体处理单元和能够控制处理的控制装置即可。
(液体处理单元)
接着，参照图3和图4，详细说明处理模块12中的液体处理单元U1的一例。液体处理单元U1具有旋转保持部20和处理液供给部29。
旋转保持部20基于控制装置100的动作指示，保持工件W并使其旋转。旋转保持部20具有保持部21和驱动部22。保持部21支承以表面Wa朝向上方的方式水平配置的工件W的中心部，通过吸附(例如真空吸附)等保持该工件W。驱动部22是以例如电动机等作为动力源的旋转致动器，绕铅垂的旋转轴使保持部21旋转。由此，工件W绕铅垂的旋转轴旋转。
处理液供给部29向旋转保持于旋转保持部20的工件W供给处理液。处理液供给部29如图3和图4所示，具有排出部30、送液部60、补充部50、第1连接部81和第2连接部83。
排出部30向工件W的表面Wa排出处理液。排出部30具有喷嘴31和送液管32。喷嘴31向工件W排出处理液。喷嘴31如图3所示，例如配置在工件W的上方，将处理液向下方排出。送液管32将处理液引导至喷嘴31。从喷嘴31向工件W排出处理液，由此工件W被涂敷(供给)处理液。
如图4所示，送液部60将处理液向排出部30输送。具体地说，送液部60将处理液以规定压力向排出部30(喷嘴31)送出。送液部60具有送液管61、第1过滤器62、第2过滤器63、压送部64、分支管65a、65b、第1连接阀66、第2连接阀67、压力测量部68和异物检测部69。送液管61和分支管65a、65b构成供处理液流动的管路。此外，送液管61和分支管65a、65b也作为使处理液循环的循环路径起作用。
送液管61是将处理液引导至排出部30的主管路。具体地说，送液管61与排出部30的送液管32的上游侧的端部连接。第1过滤器62设置于送液管61，除去在处理液中含有的异物。第1过滤器62捕集在通过送液管61内的处理液中含有的异物。
压送部64经由送液管61接受处理液，对接受的处理液进行加压而向排出部30送出。压送部64例如具有泵71、泵驱动部72、流量测量部73和压力测量部74。
泵71(送液用泵)具有收纳处理液的收纳室和使收纳室收缩的收缩部。泵71利用收缩部使收纳室扩大而接受处理液，利用收缩部使收纳室收缩而送出处理液。作为泵71，例如可以使用管式隔膜泵、隔膜泵、或波纹管泵。
泵驱动部72基于控制装置100的动作指示来驱动泵71。具体地说，泵驱动部72以使泵71的收纳室收缩的方式使收缩部动作(进行驱动)。例如，泵驱动部72是利用气体使收缩部动作的气动型的驱动部。泵驱动部72可以通过调节上述气体的压力(驱动压)，使泵71的收纳室收缩。
流量测量部73取得关于处理液对泵71的出入量的信息。用于驱动泵71的气体的流量与处理液相对于泵71的出入量相关，因此是关于处理液相对于泵71的出入量的信息。例如，流量测量部73测量在泵71与泵驱动部72之间的连接管内流动的气体的流量。流量测量部73将测量值输出至控制装置100。压力测量部74取得关于泵71内的压力的信息。例如，压力测量部74测量泵71与泵驱动部72之间的连接管内的压力。压力测量部74将测量值输出至控制装置100。
分支管65a从送液管61中的第1过滤器62的上游部分的分支点P1分支，将送液管61和泵71连接。分支管65b从送液管61中的第1过滤器62的下游部分的分支点P2分支，将送液管61和泵71连接。利用分支管65a、分支管65b，形成将送液管61(主管路)中的分支点P1、P2间连接的旁通管路。第2过滤器63设置于分支管65a，除去处理液中含有的异物。第2过滤器63捕集通过分支管65a内的处理液中含有的异物。
第1连接阀66设置于分支管65a，基于控制装置100的动作指示，使送液管61与压送部64之间开闭。第1连接阀66例如是气动阀。上述第2过滤器63也可以设置于第1连接阀66的上游侧。第2连接阀67设置于分支管65b，基于控制装置100的动作指示，使送液管61与压送部64之间开闭。第2连接阀67例如是气动阀。
压力测量部68测量在送液部60内的管路流动的处理液的压力。例如，压力测量部68测量第1过滤器62与压送部64之间的压力。具体地说，压力测量部68设置于分支管65b，测量分支管65b内的处理液的压力(液压)。压力测量部68将测量值输出至控制装置100。
异物检测部69检测在送液部60内的管路流动的处理液中含有的异物。例如，异物检测部69可以设置于分支管65b中的第2连接阀67与压力测量部68之间的位置。此外，异物检测部69可以对通过对分支管65b照射测量光而从分支管65b出射的散射光进行分析等，从而测量处理液内的异物的数量、特性(大小、异物的种类)等。但是，异物检测部69进行的异物的检测方法并不限定于上述内容。此外，异物检测部69的设置位置能够适当变更。异物检测部69将异物的检测结果输出至控制装置100。
补充部50将用于向排出部30送出的处理液向送液部60补充。补充部50具有液源51、压送部53和送出管55。
液源51是被补充至送液部60的处理液的供给源。压送部53从液源51向送液部60送出处理液。压送部53例如暂时存储从液源51供给的处理液，将该处理液以加压了的状态向送液部60送出。或者，压送部53例如通过吸入液源51内的处理液而接收处理液，将接收的处理液向送液部60送出。压送部53例如具有泵56、泵驱动部57和压力测量部54。
泵56吸入液源51内的处理液，将吸入的处理液向排出部30送出。泵56例如具有收纳处理液的收纳室和使收纳室收缩的收缩部。泵56利用收缩部使收纳室扩大而接受处理液，并利用收缩部使收纳室收缩而送出处理液。作为泵56，例如可以使用管式隔膜泵、隔膜泵、或波纹管泵。
泵驱动部57基于控制装置100的动作指示来驱动泵56。具体地说，泵驱动部57以使泵56的收纳室收缩的方式使收缩部动作(进行驱动)。例如，泵驱动部57是利用气体使收缩部动作的气动型的驱动部。泵驱动部57可以通过调节上述气体的压力(以下称为“驱动压”。)，使泵56的收纳室收缩。
压力测量部54取得关于泵56内的压力的信息。例如，压力测量部54连接于泵56与泵驱动部57之间的连接管，测量该连接管内的压力。压力测量部54测量例如用于驱动泵56的气体的压力。压力测量部54将测量值输出至控制装置100。
送出管55将处理液从压送部53(泵56)引导至送液部60。具体地说，送出管55与送液部60的送液管61的上游侧的端部连接。即，送液管61经由第1过滤器62连接于补充部50与送液部60之间。第1过滤器62除去在送液管61内的流路中流动的处理液(从补充部50向送液部60补充的处理液)中含有的异物。
第1连接部81连接补充部50和送液部60。第1连接部81例如具有切换阀82。切换阀82基于控制装置100的动作指示，将补充部50与送液部60之间开闭。切换阀82设置于补充部50的送出管55与送液部60的送液管61的连接部位。切换阀82例如是气动阀。
切换阀82可以以比第1连接阀66和第2连接阀67的至少一者的开度变化率小的开度变化率进行开闭。开度变化率是每单位时间的阀的开度的变化的比例。阀从闭状态切换到开状态时，开度变化率是阀的开度的增加率。阀从开状态切换到闭状态时，开度变化率是阀的开度的减少率。
第2连接部83连接送液部60和排出部30。第2连接部83例如具有排出阀84。排出阀84基于控制装置100的动作指令，使送液部60与排出部30之间开闭。排出阀84设置于送液部60的送液管61与排出部30的送液管32的连接部位。排出阀84例如是气动阀。
排出阀84与第1连接阀66(第2连接阀67)的开度变化率的关系可以和切换阀82与第1连接阀66(第2连接阀67)的开度变化率的关系同样。即，排出阀84可以以比第1连接阀66和第2连接阀67的至少一者的开度变化率小的开度变化率进行开闭。
在处理液供给部29，如上所述设置有第1过滤器62和第2过滤器63这2个过滤器。作为该2个过滤器，能够选择捕集处理液中含有的异物时的捕集特性彼此不同的过滤器。“异物的捕集特性”表示了在处理液中含有的彼此不同的多个种类的异物中对哪种异物具有高捕集性能。此外，“捕集性能高”是指与对于其它异物的捕集性能相比，对于该异物的捕集性能较高。
在处理液是抗蚀剂液时，处理液中含有的异物例如基于构成异物的成分能够分类成2个种类。具体地说，一者是由与处理液同种的材料构成的异物，另一者是由不同种类的材料构成的异物。由同种的材料构成的异物是指，例如抗蚀剂液中含有的聚合物形成块状的异物、由于装置内的抗蚀剂液的残渣产生的异物等。此外，由不同种类的材料构成的异物是指，例如装置的配管等与处理液接触的部位附着的异物。这2个种类的异物被供给到工件W上的情况下，在工件W上可能成为缺陷。特别是，由不同种类的材料构成的异物对于利用与抗蚀剂液的材料的化学反应而进行加工的蚀刻会造成影响。
此外，过滤器由于其形状、材质等的不同，异物的捕集特性可能不同。例如，在处理液为抗蚀剂液的情况下，通常使用作为捕集部发挥作用的过滤膜利用中空丝膜形成的过滤器。在这样的过滤器中，根据过滤膜的表面积、即过滤膜与处理液的接触面积，异物的捕集特性发生变化。作为一例，存在过滤膜的表面积彼此不同的2个种类的过滤器。此时，关于由上述的不同种类的材料构成的异物的捕集性能，表面积大的过滤器的捕集性能更高。另一方面，关于上述的由同种材料构成的异物，容易从表面积大的过滤器向后级流出，因此认为表面积小的过滤器具有更高的捕集性能。像这样，过滤器对异物的捕集特性根据过滤器的种类而彼此不同。另外，处理液与捕集部(过滤膜)的接触面积大的状态，例如可以通过使处理液流过的流路长而形成，也可以通过使1次侧和2次侧的各部分的面积大(即，在过滤器内的捕集部中从1次侧向2次侧连通的微小流路设置有多个)而形成。
本实施方式中，作为第1过滤器62，使用由不同种类的材料构成的异物的捕集性能高、表面积大的过滤器。此外，作为第2过滤器63，使用由同种材料构成的异物的捕集性能高、表面积小的过滤器。另外，能够根据装置的用途、处理液的种类等，变更过滤器的种类的选择和配置。
另外，“异物的种类”可以基于异物的“成分”分类，但也可以基于其它观点分类。例如，可以基于异物的“大小”分类。能够根据处理液的种类、对供给处理液后的工件W的处理的内容、由处理液中存在的异物引起的缺陷的种类，变更种类的分类的基准。此外，当分类的基准变更时，按每个异物的种类，能够变更用于提高捕集性能的条件。因此，成为在过滤器间使每个异物的种类的捕集特性变化的原因的要素(例如材质、与处理液的接触面积等)会发生变化。像这样，过滤器的“异物的捕集特性”根据异物的分类方法而产生不同。
(控制装置)
参照图5和图6，详细说明控制装置100。如图5所示，控制装置100具有动作指令保持部102、第1压力取得部103、第2压力取得部104、流量取得部105、液压取得部106、变更控制部107和处理液供给控制部101，作为功能上的模块(以下称为“功能模块”。)。
动作指令保持部102保持用于规定在液体处理单元U1执行的液体处理顺序的动作指令。在该动作指令中，可以包含从喷嘴31排出处理液时的排出压力的目标值(设定值)、从喷嘴31排出处理液的执行时间、补充压力和补充流量的目标值(设置定值)以及从补充部50向送液部60补充处理液的执行时间等。此外，在动作指令中，也可以包含使从喷嘴31供给之前的处理液循环的循环处理的内容和时间等。
第1压力取得部103从压力测量部54取得测量值。具体地说，第1压力取得部103取得表示在补充部50中泵56与泵驱动部57之间的连接管内的压力(向泵56的驱动压)的测量值。第1压力取得部103将取得的测量值向处理液供给控制部101输出。
第2压力取得部104从压力测量部74取得测量值。具体地说，第2压取得部104取得表示在送液部60中泵71与泵驱动部72之间的连接管内的压力(向泵71的驱动压)的测量值。第2压力取得部104将取得的测量值向处理液供给控制部101输出。
流量取得部105从流量测量部73取得测量值。具体地说，流量取得部105取得表示泵71与泵驱动部72之间的连接管内的用于驱动泵71的气体的流量的测量值。流量取得部105将取得的测量值向处理液供给控制部101输出。
液压取得部106从压力测量部68取得测量值。具体地说，液压取得部106取得表示第1过滤器62与压送部64(泵71)之间的处理液的压力的测量值。液压取得部106将取得的测量值向处理液供给控制部101输出。
变更控制部107从异物检测部69取得异物的检测结果。具体地说，变更控制部107取得在分支管65b流动的处理液中含有的异物的数量、大小等信息。此外，变更控制部107基于异物的检测结果，判断是否变更在处理液供给控制部101执行的动作指令的内容。在变更动作指令的内容的情况下，更新在动作指令保持部102中保持的动作指令。变更控制部107进行的变更控制在后面详述。另外，在不进行变更控制时，也可以省略变更控制部107。
处理液供给控制部101以从喷嘴31排出处理液的方式控制处理液供给部29。处理液供给控制部101例如具有补充准备部111、补充控制部112、循环控制部113、排出准备部114和排出控制部115作为功能模块。
补充准备部111构成为进行用于从补充部50向送液部60补充处理液的准备。具体地说，补充准备部111可以在从补充部50向送液部60补充处理液之前，使补充部50内与送液部60内的压力差缩小，在缩小了该压力差的状态下打开切换阀82。补充准备部111例如可以在切换阀82关闭的状态下，以使补充部50内与送液部60内的压力差缩小的方式变更补充部50内的压力。作为补充准备的一例，补充准备部111也可以在关闭切换阀82的状态下，以使补充部50内与送液部60内的压力差缩小的方式控制压送部53(泵驱动部57)。
补充控制部112构成为使得从补充部50向送液部60补充处理液。具体地说，补充控制部112在打开切换阀82后，开始从补充部50向送液部60的处理液的补充。作为一例，补充控制部112在打开切换阀82后，依次执行补充部50内的压力的调节、送液部60内的压力的调节和切换阀82的向开状态的再切换后，开始向送液部60的处理液的补充。补充控制部112在利用补充准备部111使补充部50内与送液部60内的压力差缩小了的状态下，从补充部50向送液部60补充处理液。
补充控制部112以使从压送部53送至压送部64的处理液的压力追踪目标值的方式，控制压送部53和压送部64的任一者。在以使处理液的压力追踪目标值的方式进行控制的同时，补充控制部112也可以以使处理液的每单位时间的流量追踪目标值的方式，控制压送部53(泵驱动部57)和压送部64(泵驱动部72)的另一者。
循环控制部113构成为在送液部60内使处理液循环。具体地说，循环控制部113在利用补充控制部112补充了处理液的状态下，在将切换阀82和排出阀84关闭的状态下，控制泵驱动部72、第1连接阀66和第2连接阀67的开闭。在该状态下，可以通过控制压送部64(泵驱动部72)，进行在送液管61与分支管65a、65b之间使处理液循环的控制。
排出准备部114构成为进行用于从喷嘴31排出处理液的准备。具体地说，排出准备部114可以在开始从喷嘴31的处理液的排出之前，调节送液部60内的处理液的压力。排出准备部114可以在排出阀84关闭的状态下，以使送液部60内与排出部30内的压力差缩小的方式变更送液部60内的压力。
排出控制部115构成为使处理液从喷嘴31向工件W排出。具体地说，排出控制部115打开排出阀84，在排出阀84打开了的状态下，从喷嘴31向工件W排出处理液。排出控制部115可以以使送至喷嘴31的处理液的压力追踪目标值的方式控制压送部64(泵驱动部72)。此外，排出控制部115也可以通过将目标值维持在一定的设定值，从喷嘴31向工件W以大致一定值的流量排出处理液。
控制装置100由一个或多个控制用计算机构成。例如，控制装置100具有图6所示的回路120。回路120具有一个或多个处理器121、存储器122、贮存器123、输入输出口124和计时器125。
贮存器123例如具有硬盘等能够由计算机读取的存储介质。存储介质记录用于使涂敷显影装置2执行后述的液体处理流程的程序。存储介质也可以是非易失性的半导体存储器、磁盘和光盘等可取出的介质。存储器122暂时存储从贮存器123的存储介质装载的程序和处理器121的运算结果。处理器121与存储器122协作而执行上述程序，由此构成上述各功能模块。输入输出口124在其与涂敷显影装置2的各部分之间进行电信号的输入输出。计时器125例如通过对一定周期的基准脉冲进行计数而计测经过时间。
另外，控制装置100的硬件结构并不限于由程序构成各功能模块。例如控制装置100的各功能模块也可以由专用的逻辑电路或将其集成的ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，专用集成电路)构成。
[处理液供给顺序]
参照图7和图8，作为基片处理装置的控制方法(基片处理方法)的一例，说明由控制装置100执行的液体处理流程。图7是表示液体处理流程的一例的流程图。
如图7所示，控制装置100依次执行步骤S01、S02。步骤S01中，例如，补充准备部111作为从补充部50向送液部60补充处理液的准备，以使补充部50内与送液部60内的压力差缩小的方式控制处理液供给部29。步骤S02中，例如，补充控制部116在补充部50内与送液部60内的压力差缩小了的状态下，以使从补充部50向送液部60补充处理液的方式控制处理液供给部29。
接着，控制装置100顺次执行步骤S03。步骤S03中，例如，循环控制部113在切换阀82和排出阀84关闭的状态下，控制泵驱动部72、第1连接阀66和第2连接阀67的开闭。在该状态下，控制压送部64(泵驱动部72)。循环控制的详细内容在后面叙述。
接着，控制装置100依次执行步骤S04、S05。步骤S04中，例如排出准备部114作为从喷嘴31的处理液的排出的准备，以使送液部60内与排出部30内的压力差缩小的方式控制处理液供给部29。步骤S05中，例如，排出控制部115在送液部60内与排出部30内的压力差缩小了的状态下，以从喷嘴31将处理液向工件W排出的方式控制处理液供给部29。排出准备处理和排出处理的详情在后面叙述。通过以上处理，结束一系列的液体处理流程。
此处，参照图8说明上述一系列的处理中的补充、循环和排出的各处理。
补充控制(步骤S02)中，控制装置100的补充控制部112将切换阀82从闭状态切换成开状态。之后，调节从补充部50的压送部53向送液部60的压送部64输送的处理液的补充压力和该处理液的补充流量。此时，补充控制部112如图8的(a)所示，例如可以基于压力测量部74的测量值，以使补充压力追踪目标值的方式控制压送部53(泵驱动部57)。补充控制部112可以基于流量测量部65的测量值，以使补充流量追踪目标值的方式控制压送部64(泵驱动部72)。图8的(a)中，在内部流动处理液的状态的管路以粗线表示，开状态的阀以留白表示，闭状态的阀以涂黑表示(图8的(b)、(c)也同样)。
循环控制(步骤S03)中，控制装置100的排出控制部115将切换阀82从开状态切换到闭状态。之后，循环控制部113在第1连接阀66打开、第2连接阀67关闭的状态驱动压送部64(泵驱动部72)，由此以处理液通过第2过滤器63的方式使处理液移动。之后，在关闭第1连接阀66、打开第2连接阀67的状态下驱动压送部64(泵驱动部72)。通过反复进行该动作，以处理液按第2连接阀67、泵71、第1连接阀66的顺序通过的方式，进行处理液的循环。此时，处理液交替地通过第1过滤器62和第2过滤器63。
排出控制(步骤S05)中，控制装置100的排出控制部115在关闭切换阀82和第1连接阀66的状态下，将排出阀84从闭状态切换到开状态。之后，排出控制部115调节送至喷嘴31的处理液的排出压力。具体地说，开始压送部64(泵71的收缩部)的控制。由此，排出控制部115在排出阀84打开的状态下开始处理液从喷嘴31的排出。此时，排出控制部115可以基于压力测量部68的测量值来调节泵驱动部72(从泵71施加于处理液的压力)。在经过了规定时间后，排出控制部115维持将切换阀82和第1连接阀66关闭的状态，将第2连接阀67和排出阀84分别从开状态切换至闭状态。由此结束排出。
上述规定时间由动作指令保持部102所保持的动作指令决定，例如，根据在每1次的液体处理中使用的处理液的量而预先设定。处理液的排出中，控制装置100可以以使工件W旋转的方式控制旋转保持部20，由此能够在工件W的表面Wa形成抗蚀剂涂敷膜。
[关于处理液的移动路径的变更]
在上述的基片处理装置中设置有异物检测部69。变更控制部107可以基于异物检测部69的异物的检测结果，判断是否变更在处理液供给控制部101中执行的动作指令的内容。参照图9和图10，说明基于异物的检测结果的处理的变更的流程。
如图9所示，控制装置100执行步骤S11。步骤S11中，例如，变更控制部107取得异物检测部69的检测结果。异物检测部69的检测结果中，能够包含例如与处理液中含有的异物的数量(每单位体积的异物的个数)对应的信息。此外，检测结果中也可以包含表示处理液中包含哪种异物(以何种程度包含何种异物)的信息。
接着，控制装置100执行步骤S12。步骤S12中，例如，变更控制部107基于异物的检测结果判断是否变更动作指令。是否变更动作指令例如可以基于对于处理液中的异物的数量预先决定的阈值进行判断。例如，可以在处理液中的异物的数量为阈值以下时，变更动作指令以结束处理液的循环。此外，在处理液中的异物的数量为阈值以上时，可以变更动作指令以反复进行处理液的循环(增加循环次数)。
步骤S12中判断为变更动作指令的内容时，控制装置100执行步骤S13。步骤S13中，例如，变更在动作指令保持部102中保持的动作指令中记载的内容。变更的内容例如是处理液的循环次数的变更等与判断基准对应的内容。通过以上处理，结束关于指令内容的变更的一系列处理流程。在变更了指令内容时，处理液供给控制部101可以即时反映变更内容而基于变更内容进行处理。
图10的(a)和图10的(b)中，表示有无循环导致的处理液的移动路径的差异。例如，图10的(a)中，表示了处理液按送液管61、分支管65b、65a的顺序循环后，再次经由送液管61、分支管65b而到达后级的排出阀84的内容。此时，处理液在按第1过滤器62、第2过滤器63、第1过滤器62的顺序通过过滤器后，经由排出阀84到达后级的喷嘴。由动作指令保持部102保持的动作指令规定这样的处理液的流程。
另一方面，图10的(b)中，表示处理液不循环而经由送液管61、分支管65b到达后级的排出阀84的内容。此时，处理液在仅通过第1过滤器62后，经由排出阀84到达后级的喷嘴。如图10的(b)所示，在分支管65b设置有异物检测部69时，能够在处理液到达分支管65b的阶段进行处理液中的异物的评价。可以在该阶段进行异物的评价，根据其结果变更之后的处理的内容。例如，在判断为处理液中的异物足够少的情况下，如图10的(b)所示，可以变更指令内容，以直接经由排出阀84到达喷嘴。此外，在判断为处理液中含有一定程度的数量的异物的情况下，如图10的(a)所示，可以以依据当初的指令内容对分支管65a流动处理液的方式进行控制。可以像这样进行利用异物检测部69的检测结果，变更处理液的流动的控制。在以使处理液的流动变更的方式变更了动作指令的内容的情况下，利用控制装置100进行各阀和压送部64的控制，使得能够形成变更后的处理液的流动。
另外，在上述内容中，说明了处理液供给部29中的处理液的流动，但上述的各阀的开闭动作和压送部64的动作是一个例子，通过变更各部分的动作，能够形成各种处理液的流动。换言之，通过变更各阀的开闭动作和压送部64的动作，能够灵活地控制送液管61、分支管65b、65a中的处理液的流动。例如，上述处理液供给部29中，处理液的循环方向可以不是从分支管65b向分支管65a的方向，而如图10的(c)所示以成为反向的方式进行控制。具体地说，使分支管65b上的第1连接阀66(参照图4)为打开的状态，使分支管65b上的第2连接阀67(参照图4)和切换阀82为关闭的状态，当泵71进行吸入处理液的动作时，处理液向反方向移动。此时，以在第1过滤器62从下游侧朝向上游侧的方式形成处理液的循环的流动。可以在进行该反方向的循环后，通过第1连接阀66和第2连接阀67的开闭状态的切换和泵71的动作，以在分支管65a流动的处理液经由分支管65b、排出阀84从喷嘴排出的方式进行控制。此时，通过了第2过滤器63的处理液从喷嘴排出，因此实质上第2过滤器63成为最下游的过滤器。像这样，根据上述处理液供给部29，通过变更用于控制处理液的流动的指令内容，能够变更实质上处于最下游的过滤器。
此外，作为变更处理液的流动的契机，也可以代替异物检测部69的检测结果，而利用后级的对于工件W的处理的结果。例如，在后级中对工件W进行蚀刻处理的情况下，可以根据蚀刻后的检查(AEI：After Etching Inspection，蚀刻后检查)变更处理液的流动。例如，蚀刻后的检查的结果是，由第2过滤器63的捕集性能高的种类的异物引起的缺陷残留较多。此时，在与第1过滤器62相比使第2过滤器63配置于后级的状态下使处理液通过的话，利用第2过滤器63的捕集性能的异物除去效果提高。由此，可以利用上述处理液的流动可变更的特性，采用以使第2过滤器63处于后级(最下游)的方式变更处理液的流动的结构。
[作用]
根据上述基片处理装置(涂敷显影装置2)和基片处理方法，在处理液流动的管路(送液管61和分支管65a、65b)上的彼此不同的位置设置多个过滤器(第1过滤器62和第2过滤器63)。因此，来自供给源(液源51)的处理液，通过多个过滤器供给至喷嘴31。此外，这些过滤器对于设想到处理液中含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同，能够由多个过滤器捕集处理液中含有的多个种类的异物。由此，能够进一步减少向基片排出的处理液中的异物。
对基片排出处理液而进行液体处理时，存在处理液中含有的异物引起缺陷的可能性，因此为了除去异物，研究在流路上设置过滤器并使处理液通过的方法。上述实施方式中说明的基片处理装置和基片处理方法中，关注处理液中含有的异物的种类有多个的情况，在管路上设置对异物的捕集特性彼此不同的多个过滤器。因此，能够利用多个过滤器的彼此不同的捕集特性，有效地除去处理液中的异物。此外，根据过滤器的情况，有之前流通处理液时残留的处理液的成分作为一种异物向后级流出的可能。在这样的情况下，例如，通过在后级设置对此种异物的捕集性能高的过滤器，能够在对基片排出之前从处理液中除去异物。通过像这样采用设置多个捕集特性彼此不同的过滤器的结构，能够在向基片排出之前减少处理液中的异物。
此外，过滤器的捕集特性基于过滤器的种类而存在多种特性，能够选择对于进行了对基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能高的过滤器来使用。通过采用使处理液通这样的过滤器的结构，能够从处理液中除去缺陷的发生频率高的异物。因此，能够抑制基片中的缺陷的发生。
此外，作为多个过滤器，可以选择捕集部(例如中空丝膜)中的与处理液的接触面积彼此不同的过滤器。在对特定的处理液应用同种的形状、材质构成的过滤器时，通过使捕集部的与处理液的接触面积彼此不同，能够使得对于异物的捕集特性发生变化。可以利用这样的过滤器的特征构成基片处理装置的多级的过滤器。
此外，在使用多个过滤器时，可以采用对于进行了对基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器，设置于管路的最下游的位置的方式。此外，最下游是实质上的最下游即可，只要是从喷嘴31排出前的处理液最后通过的过滤器即可。通过采用这样的结构，能够利用最下游的过滤器适当地除去缺陷的发生频率高的异物，于是能够抑制基片中的缺陷的发生。
管路可以包括：作为将供给源和喷嘴连接的主管路的送液管61；和以将设置于主管路的2个分支点连接的方式形成的作为旁通管路的分支管65a、65b。送液部60可以具有设置于旁通管路的作为送液用泵的泵71。此外，多个过滤器中，对缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的第1过滤器(第1过滤器62)设置于主管路中的2个分支点P1、P2之间。此时，第1过滤器62能够设置于其它过滤器的下游侧。进而，与第1过滤器不同的过滤器中的至少1个过滤器可以设置于旁通管路。通过采用这样的结构，能够使用第1过滤器适当地进行与缺陷相关的异物的除去。
另外，可以采用设置于旁通管路的过滤器设置于比旁通管路中的所述送液用泵靠上游侧的位置的结构。此时，利用送液用泵(泵71)，从喷嘴31排出处理液时，能够最后通过第1过滤器。即，能够将第1过滤器配置在实质上最下游的位置，因此能够利用最下游的过滤器(第1过滤器62)适当地除去缺陷的发生频率高的异物。
此外，如上述实施方式所说明的，还可以具有控制送液部60的控制部(控制装置100)。此外，送液部60可以在旁通管路中的送液用泵的下游侧，还具有检测处理液中的异物的异物检测部69。此外，控制装置100可以根据异物检测部69的检测结果，进行变更管路中的处理液的流动的控制。通过像这样采用根据异物检测部69的检测结果，变更主管路和旁通管路中的处理液的流动的结构，例如能够考虑处理液中的异物的残留程度等地变更处理液对过滤器的通过次数。能够像这样选择能够更好地除去处理液中的异物的控制。
此外，可以根据处理后的基片的缺陷的发生状况，以变更在处理液到达喷嘴31前最后通过的过滤器的方式，进行变更主管路和旁通管路中的处理液的流动的控制。此时，例如，能够根据处理后的基片上的缺陷的发生状况以更合适的顺序使处理液通过过滤器。因此，能够决定用于使得在处理后的基片中不产生缺陷的适当的控制内容。
[其它实施方式]
以上说明了各种例示的实施方式，但并不限定于上述例示的实施方式，可以进行各种省略、置换和变更。此外，能够组合不同的实施方式的要素而形成其它实施方式。
例如，供给源(液源51)与喷嘴31之间的结构，即用于将处理液向喷嘴31(排出部30)供给的结构，能够包含压送部、管路等的结构地适当变更。关于管路中的供给用泵(泵71)的配置也能够适当变更。此外，能够根据管路的结构适当变更过滤器的配置。
图11的(a)和图11的(b)中，表示了与上述实施方式同样的管路构成中的过滤器的配置的变更例。图11的(a)表示，代替在分支管65a上配置第2过滤器63，而在比泵71靠下游侧的分支管65b配置第2过滤器63的例子。采用这样的结构时，以与图8的(c)所示的动作同样的动作经由排出阀84对喷嘴31供给处理液时，处理液在通过第2过滤器63后对喷嘴31供给。另一方面，根据泵71和阀的动作的内容，也能够采用处理液最后通过第1过滤器62向喷嘴31供给的结构。像这样，过滤器的配置可以在泵71的上游侧也可以在下游侧。
此外，图11的(b)表示了在比作为旁通管路的分支管65b的下游侧的分支点P2靠下游侧的位置配置第1过滤器62的例子。此时，在包含旁通管路的循环路径中循环或者通过了送液管61的处理液，必须通过第1过滤器62再经由排出阀84向喷嘴31供给。采用这样的结构时，不能够实现不通过最下游的第1过滤器62的方式，但通过变更上游的处理液的循环次数，也能够进行例如不通过第2过滤器63的控制。像这样，过滤器的配置能够根据例如处理液的特性、过滤器的除去对象的异物等的特性进行适当的变更。另外，阀与过滤器的位置关系当然也能够适当地变更。
此外，能够适当地变更过滤器的数量。此外，在增加过滤器的数量时，多个过滤器中的一部分可以是具有相同的捕集特性的同种类的过滤器。
此外，上述实施方式中说明了处理液为抗蚀剂液的情况，但以不同于抗蚀剂液的处理液作为对象也能够设置同样的结构。
此外，也可以是不具有异物检测部69的结构。此外，也可以将异物检测部69设置在管路的其它位置(不同于分支管65b的位置)。
根据以上的说明，对于本发明的各种实施方式基于说明的目的在本说明书进行了说明，但应该理解的是，在不脱离本发明的范围和主旨的基础上能够进行各种变更。由此，本说明书公开的各种实施方式并不是限定，本发明的范围和主旨由要求的范围表示。
附图标记说明
1……基片处理系统，2……涂敷显影装置，3……曝光装置，4……载体区块，5……处理区块，6……接口区块，20……旋转保持部，21……保持部，22……驱动部，29……处理液供给部，30……排出部，31……喷嘴，32……送液管，50……补充部，51……液源，53……压送部，54……压力测量部，55……送出管，56……泵，57……泵驱动部，60……送液部，61……送液管，62……第1过滤器，63……第2过滤器，64……压送部，65……流量测量部，65a、65b……分支管，66……第1连接阀，67……第2连接阀，68……压力测量部，69……异物检测部，71……泵，72……泵驱动部，73……流量测量部，74……压力测量部，81……第1连接部，82……切换阀，83……第2连接部，84……排出阀，100……控制装置，101……处理液供给控制部，102……动作指令保持部，103……第1压力取得部，104……第2压力取得部，105……流量取得部，106……液压取得部，107……变更控制部，111……补充准备部，112……补充控制部，113……循环控制部，114……排出准备部，115……排出控制部。

Claims (13)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部；
将所述处理液向所述排出部送出的送液部；和
将用于向所述排出部送出的所述处理液向所述送液部供给的供给源，
所述送液部具有：
供所述处理液流动的管路；和
多个过滤器，其设置在所述管路上的彼此不同的位置，对设想的在所述处理液中会含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个过滤器包含所述多个种类的异物中、对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能高的过滤器。
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个过滤器的捕集部的与所述处理液的接触面积彼此不同。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个过滤器中，对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器，位于所述管路的最下游的位置。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述管路包括：将所述供给源和所述喷嘴连接的主管路；和以将设置于所述主管路的2个分支点连接的方式形成的旁通管路，
所述送液部还具有设置于所述旁通管路的送液用泵，
所述多个过滤器中，第1过滤器在所述主管路中的所述2个分支点之间，设置在比不同于所述第1过滤器的过滤器靠下游侧的位置，所述第1过滤器对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高，
不同于所述第1过滤器的过滤器中的至少1个过滤器，设置于所述旁通管路。
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
设置于所述旁通管路的过滤器设置在所述旁通管路中比所述送液用泵靠上游侧的位置。
7.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
还具有控制所述送液部的控制部，
所述送液部在所述旁通管路中的所述送液用泵的下游侧还具有检测所述处理液中的异物的异物检测部，
所述控制部根据所述异物检测部的检测结果，进行变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动的控制。
8.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
还具有控制所述送液部的控制部，
所述控制部根据处理后的所述基片中的缺陷的发生状况，以变更所述处理液到达所述喷嘴前最后通过的过滤器的方式，进行变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动的控制。
9.一种基片处理方法，其将来自供给源的处理液经由管路从喷嘴向基片排出，所述基片处理方法的特征在于：
使所述处理液通过设置在所述管路上的彼此不同的位置的、对于设想在所述处理液中会含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同的多个过滤器。
10.如权利要求9所述的基片处理方法，其特征在于：
使所述处理液最后通过所述多个过滤器中的、对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器。
11.如权利要求9所述的基片处理方法，其特征在于：
所述管路具有：连接所述供给源和所述喷嘴的主管路；以将设置于所述主管路的2个分支点连接的方式形成的旁通管路；和设置于所述旁通管路的送液用泵，
第1过滤器在所述主管路中的所述2个分支点之间，设置在比不同于所述第1过滤器的过滤器靠下游侧的位置，所述第1过滤器在所述多个过滤器中、对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高，
不同于所述第1过滤器的过滤器中的至少1个过滤器设置于所述旁通管路。
12.如权利要求11所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述旁通管路中的所述送液用泵的下游侧，还具有检测所述处理液中的异物的异物检测部，
根据所述异物检测部的检测结果，变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动。
13.如权利要求11所述的基片处理方法，其特征在于：
根据处理后的所述基片中的缺陷的发生状况，以变更所述处理液到达所述喷嘴前最后通过的过滤器的方式，变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动。
CN202111271671.8A 2020-11-06 2021-10-29 基片处理装置和基片处理方法 Pending CN114433397A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020185680A JP2022075109A (ja) 2020-11-06 2020-11-06 基板処理装置及び基板処理方法
JP2020-185680 2020-11-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114433397A true CN114433397A (zh) 2022-05-06

Family

ID=81362401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111271671.8A Pending CN114433397A (zh) 2020-11-06 2021-10-29 基片处理装置和基片处理方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2022075109A (zh)
KR (1) KR20220061859A (zh)
CN (1) CN114433397A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10172881A (ja) 1996-12-06 1998-06-26 Sony Corp フォトレジスト塗布装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220061859A (ko) 2022-05-13
JP2022075109A (ja) 2022-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230395380A1 (en) Processing apparatus for forming a coating film on a substrate having a camera and a mirror member
US11433420B2 (en) Solution supply apparatus and solution supply method
CN106024579B (zh) 处理液供给方法和处理液供给装置
KR102270003B1 (ko) 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
US9817323B2 (en) Liquid treatment apparatus and method and non-transitory storage medium
JP6607820B2 (ja) フィルタ立ち上げ装置、処理液供給装置、治具ユニット、フィルタの立ち上げ方法
KR101391075B1 (ko) 포토레지스트를 현상하는 장치 및 그 장치를 동작시키는방법
WO2019202962A1 (ja) 薬液の異常検出装置、液処理装置、基板処理装置、薬液の異常検出方法、液処理方法及び基板処理方法
KR20090079036A (ko) 기판 처리 장치, 노광 장치 및 클리닝 툴의 세정 방법
KR101760528B1 (ko) 처리액 공급 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 처리액 공급 장치
EP3355117A1 (en) Optical processing apparatus and substrate processing apparatus
CN114433397A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
JP3225452B2 (ja) 処理装置
JPH11147068A (ja) 処理装置及び処理方法
CN221125897U (zh) 基板处理装置
US20240094644A1 (en) Substrate treatment apparatus and treatment solution supply method
JP7393525B2 (ja) 異物検出装置、基板処理装置、及び異物検出装置の動作確認方法
CN118401825A (zh) 异物检测装置和异物检测方法
JP5065121B2 (ja) レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US20210020464A1 (en) Substrate processing apparatus, control method, and computer-readable storage medium
JP2024044994A (ja) 基板処理装置及び処理液供給方法
KR20210071831A (ko) 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination