TW202333256A - 異物檢測裝置及異物檢測方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種異物檢測裝置及異物檢測方法，抑制因用於檢測異物的光之照射所造成的對於對象液體之影響。本發明之異物檢測裝置，構成為檢測基板處理用之處理液中所含有的異物，該裝置包含：處理液流路形成部，形成讓對基板供給之該處理液流通的處理液流路；照射部，構成為向處理液流路分別照射來自光源的照射光；以及光接收部，構成為接收藉由照射光之照射而從處理液流路射出的光。照射部，包括調整來自光源的光之特性的光調整部。

Description

異物檢測裝置及異物檢測方法

本發明係關於一種異物檢測裝置及異物檢測方法。

在專利文獻1揭露一種方法，作為光學性地檢測對基板供給的流體所流通之供給路中的異物之基板處理裝置，對流體所流通之流路形成部投射光，其結果，接收從該流路形成部產生的光，由其強度檢測異物。 [習知技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2020-119996號公報

[本發明所欲解決的問題]

對於在流路形成部內流通之對象液體，期望以合適的條件照射用於檢測異物的光。例如，發明人認為，具有因強度過強或過弱而在異物檢測性能上發生缺陷之可能性。

本發明提供一種技術，能夠以適合對象液體之條件實施異物檢測。 [解決問題之技術手段]

本發明的一態樣之異物檢測裝置，構成為檢測基板處理用之處理液中所含有的異物，該裝置包含：處理液流路形成部，形成讓對基板供給之該處理液流通的處理液流路；照射部，將來自光源的照射光分別向該處理液流路照射；以及光接收部，構成為接收藉由該照射光之照射而從該處理液流路射出的光；該照射部，包括調整來自該光源的光之特性的光調整部。 [本發明之效果]

依本發明則提供一種技術，能夠以適合對象液體之條件實施異物檢測。

以下，針對各種例示性實施形態予以說明。

於一例示性實施形態中，提供一種異物檢測裝置。該異物檢測裝置，構成為檢測基板處理用之處理液中所含有的異物，其包含：處理液流路形成部，形成讓對基板供給之該處理液流通的處理液流路；照射部，將來自光源的照射光分別向該處理液流路照射；以及光接收部，構成為接收藉由該照射光之照射而從該處理液流路射出的光；該照射部，包括調整來自該光源的光之特性的光調整部。作為上述光之特性的一例，包含強度、波長、密度分布、偏光狀態等。

依上述異物檢測裝置，則在將從光源射出的光藉由照射部所包含之光調整部調整過特性後，對處理液流路照射。因此，由於可對處理液流路照射調整過光之特性的照射光，故可抑制在處理液流路流通的處理液受到照射光之影響的情形。

亦可為如下態樣：該光調整部，包含中性密度濾光片(ND鏡，Neutral Density filter)或分束器。此外，亦可為包含如偏光濾光片或波長選擇濾光片般的光學濾光片、無極性分束器等，性能或種類不同的濾光片或分束器之態樣。藉由成為上述構成，而可簡單地進行來自光源的光之特性的調整。

亦可為如下態樣：該光調整部，使來自該光源的入射光之一部分朝向與前往該處理液流路的方向不同之方向射出；更包含捕集部，其吸收朝向與前往該處理液流路的方向不同之方向射出的光。藉由具備吸收從光調整部朝向與前往處理液流路的方向不同之方向射出的光之捕集部，而防止此等往不同之方向射出的光照射至異物檢測裝置內之機器等的情形。

亦可為如下態樣：設置複數條彼此不同的該處理液流路；該光調整部，對應於複數之該處理液流路而個別地設置。藉由成為此等構成，而可將光調整部配置在與複數處理液流路分別相應之適當的位置。

亦可為如下態樣：對應於複數之該處理液流路而個別地設置的複數之該光調整部，其光學特性彼此不同。藉由成為此等構成，例如可選擇考慮到在處理液流路流通之處理液的特性之光調整部而進行配置。

亦可為如下態樣：該複數之光調整部中之對應於1條該處理液流路的光調整部，具有使前往該處理液流路的該照射光之光路，和其他該處理液流路之光路相接近的特性。藉由成為此等構成，而可使處理液流路間之光路的差減小。

亦可為如下態樣：該光調整部，設置為可在和該照射光之光路交叉的位置與偏離該光路的位置之間移動。藉由成為此等構成，而可視光調整部之需要與否而快速地施行光調整部的設置、移動。

亦可為如下態樣：具備複數個具有彼此不同之光學特性的該光調整部；可變更配置於來自該光源的光之光路上的光調整部。藉由成為此等構成，例如亦可成為依處理液流路內所流通之處理液而選擇光調整部的構成。

於另一例示性實施形態中，提供一種異物檢測方法。該異物檢查方法，係構成為檢測基板處理用之處理液中所含有的異物之異物檢測裝置中的異物檢查方法，包含如下步驟：以照射部，向對基板供給之該處理液所流通的處理液流路分別照射來自光源的照射光；以及以光接收部，接收藉由該照射光之照射而從該處理液流路射出的光；該照射部，向該處理液流路照射藉由光調整部調整來自該光源的光之特性後的光。

依上述異物檢測方法，則在將從光源射出的光藉由照射部所包含之光調整部調整過特性後，對處理液流路照射。因此，由於可對處理液流路照射調整過光之特性的照射光，故可抑制在處理液流路流通的處理液受到照射光之影響的情形。

以下，參考圖式而針對一實施形態予以說明。在說明中，對於相同要素或具有相同功能之要素給予相同符號，並將重複的說明省略。於一部分的圖式，顯示由X軸、Y軸及Z軸定義之正交座標系。在以下實施形態，使Z軸對應於鉛直方向，使X軸及Y軸對應於水平方向。

[基板處理系統] 圖1所示之基板處理系統1(基板處理裝置)，係對工件W施行感光性被膜的形成、該感光性被膜的曝光、及該感光性被膜的顯影之系統。作為處理對象的工件W，例如為基板、或者藉由施行既定處理而形成有膜或電路等之狀態的基板。工件W所包含的基板，作為一例，為含有矽的晶圓。工件W(基板)，亦可形成為圓形。作為處理對象的工件W，亦可為玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)等，或亦可為對此等基板等施行既定處理所獲得之中間體。感光性被膜，例如為光阻膜。

基板處理系統1，具備塗布顯影裝置2及曝光裝置3。曝光裝置3，係將形成在工件W(基板)的光阻膜(感光性被膜)曝光之裝置。具體而言，曝光裝置3，藉由液浸曝光等方法，對光阻膜的曝光對象部分照射能量線。塗布顯影裝置2，在以曝光裝置3進行的曝光處理前，施行於工件W之表面塗布光阻劑(藥液)以形成光阻膜的處理；在曝光處理後，施行光阻膜的顯影處理。

(基板處理裝置) 以下，作為基板處理裝置的一例，說明塗布顯影裝置2的構成。如圖1及圖2所示，塗布顯影裝置2，具備載具區塊4、處理區塊5、介面區塊6、及控制裝置18。

載具區塊4，施行工件W的往塗布顯影裝置2內之導入、及工件W的從塗布顯影裝置2內之導出。例如載具區塊4，可支持工件W用的複數載具C，內建有包含傳遞臂之搬運裝置A1。載具C，例如收納圓形的複數片工件W。搬運裝置A1，將工件W從載具C取出而往處理區塊5傳遞，從處理區塊5接收工件W而返回載具C內。處理區塊5，具有複數處理模組11、12、13、14。

處理模組11，內建有液體處理單元U1、熱處理單元U2、及往此等單元搬運工件W之搬運裝置A3。處理模組11，藉由液體處理單元U1及熱處理單元U2在工件W的表面上形成下層膜。液體處理單元U1，將下層膜形成用的處理液塗布於工件W上。熱處理單元U2，施行伴隨下層膜的形成之各種熱處理。

處理模組12，內建有液體處理單元U1、熱處理單元U2、及往此等單元搬運工件W之搬運裝置A3。處理模組12，藉由液體處理單元U1及熱處理單元U2在下層膜上形成光阻膜。液體處理單元U1，將光阻膜形成用的處理液(光阻劑)塗布於下層膜上。熱處理單元U2，施行伴隨光阻膜的形成之各種熱處理。

處理模組13，內建有液體處理單元U1、熱處理單元U2、及往此等單元搬運工件W之搬運裝置A3。處理模組13，藉由液體處理單元U1及熱處理單元U2在光阻膜上形成上層膜。液體處理單元U1，將上層膜形成用的液體塗布於光阻膜上。熱處理單元U2，施行伴隨上層膜的形成之各種熱處理。

處理模組14，內建有液體處理單元U1、熱處理單元U2、及往此等單元搬運工件W之搬運裝置A3。處理模組14，藉由液體處理單元U1及熱處理單元U2，施行已施行過曝光處理之光阻膜的顯影處理、及伴隨顯影處理的熱處理。液體處理單元U1，於曝光完畢之工件W的表面上塗布顯影液後，將其藉由沖洗液洗去，藉以施行光阻膜的顯影處理。熱處理單元U2，施行伴隨顯影處理的各種熱處理。作為熱處理之具體例，可列舉顯影處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake，曝光後烘烤)、及顯影處理後的加熱處理(PB：Post Bake，後烘烤)等。

於處理區塊5內之載具區塊4側設置棚架單元U10。棚架單元U10，區隔為在上下方向並排的複數小單元。於棚架單元U10附近，設置包含升降臂之搬運裝置A7。搬運裝置A7，使工件W在棚架單元U10的小單元彼此之間升降。

於處理區塊5內之介面區塊6側設置棚架單元U11。棚架單元U11，區隔為在上下方向並排的複數小單元。

介面區塊6，在與曝光裝置3之間施行工件W的傳遞。例如介面區塊6，和曝光裝置3相連接，內建有包含傳遞臂之搬運裝置A8。搬運裝置A8，將配置於棚架單元U11之工件W往曝光裝置3傳遞。搬運裝置A8，從曝光裝置3接收工件W而返回棚架單元U11。

控制裝置18，例如控制塗布顯影裝置2俾以下述順序實行塗布顯影處理。首先，控制裝置18，控制搬運裝置A1俾將載具C內的工件W往棚架單元U10搬運，控制搬運裝置A7俾將此等工件W配置於處理模組11用的小單元。

接著，控制裝置18，控制搬運裝置A3俾將棚架單元U10之工件W往處理模組11內的液體處理單元U1及熱處理單元U2搬運。此外，控制裝置18，控制液體處理單元U1及熱處理單元U2，俾於此等工件W的表面上形成下層膜。而後，控制裝置18，控制搬運裝置A3俾使形成有下層膜之工件W返回棚架單元U10，控制搬運裝置A7俾將此等工件W配置於處理模組12用的小單元。

接著，控制裝置18，控制搬運裝置A3俾將棚架單元U10之工件W往處理模組12內的液體處理單元U1及熱處理單元U2搬運。此外，控制裝置18，控制液體處理單元U1及熱處理單元U2俾對此等工件W的表面形成光阻膜。而後，控制裝置18，控制搬運裝置A3俾使工件W返回棚架單元U10，控制搬運裝置A7俾將此等工件W配置於處理模組13用的小單元。

接著，控制裝置18，控制搬運裝置A3俾將棚架單元U10之工件W往處理模組13內的各單元搬運。此外，控制裝置18，控制液體處理單元U1及熱處理單元U2俾於此等工件W的光阻膜上形成上層膜。而後，控制裝置18，控制搬運裝置A3俾將工件W往棚架單元U11搬運。

接著，控制裝置18，控制搬運裝置A8俾將棚架單元U11之工件W往曝光裝置3送出。而後，控制裝置18，控制搬運裝置A8，俾將施行過曝光處理之工件W從曝光裝置3納入，配置於棚架單元U11中之處理模組14用的小單元。

接著，控制裝置18，控制搬運裝置A3俾將棚架單元U11之工件W往處理模組14內的各單元搬運，控制液體處理單元U1及熱處理單元U2俾對此等工件W的光阻膜施行顯影處理。而後，控制裝置18，控制搬運裝置A3俾使工件W返回棚架單元U10，控制搬運裝置A7及搬運裝置A1俾使此等工件W返回載具C內。藉由上述方式，完成塗布顯影處理。

(液體處理單元) 接著，參考圖3及圖4，詳細地說明液體處理單元U1的一例。此處，以形成光阻膜之處理模組12中的液體處理單元U1(處理液供給單元)為例而進行說明。液體處理單元U1，如圖3所示，具備旋轉保持部20及處理液供給部30。

旋轉保持部20，依據控制裝置18的動作指示，保持工件W而使其旋轉。旋轉保持部20，例如具備保持部22及旋轉驅動部24。保持部22，使正面Wa為上方而支持水平地配置之工件W的中心部，將該工件W例如藉由真空吸附等而保持。旋轉驅動部24，例如為包含電動馬達等動力源之致動器，使保持部22繞鉛直的軸線Ax而旋轉。藉此，使保持部22上之工件W旋轉。

處理液供給部30，依據控制裝置18的動作指示，向工件W的正面Wa噴吐處理液，藉以將處理液供給至該正面Wa。藉由處理液供給部30供給之處理液，為對於工件W的處理所使用之基板處理用的溶液。作為處理液的一種，可列舉光阻膜的形成所使用之溶液(光阻劑)、及提高正面Wa的對於光阻劑之潤濕性的預濕處理所使用之溶液(例如稀釋劑)。處理液供給部30，例如具備複數噴嘴32、保持頭34、及供給部36。

複數噴嘴32，各自往保持部22所保持之工件W的正面Wa噴吐處理液。複數噴嘴32，例如以保持在保持頭34之狀態配置於工件W的上方，向下方個別地噴吐處理液。保持頭34，亦可構成為藉由未圖示之驅動部而可在沿著工件W的正面Wa之方向移動。複數噴嘴32的個數並未限定，但下述內容中，以使處理液供給部30具備12個噴嘴32(下稱「噴嘴32A～32L」)之情況為例而進行說明。

從供給部36，對噴嘴32A～32L分別供給處理液。亦可從供給部36，對噴嘴32A～32L供給彼此不同種類的處理液。作為一例，從供給部36對噴嘴32A～32J分別供給彼此不同種類的光阻劑，從供給部36對噴嘴32K、32L分別供給彼此不同種類的稀釋劑。

如圖4所示，供給部36，包含複數供給管42A～42L、及複數供給源44A～44L。供給管42A，形成對噴嘴32A供給(從噴嘴32A噴吐)之處理液的液體源即供給源44A與噴嘴32A之間的流路。供給源44A，例如包含貯存處理液的瓶子、及從該瓶子向噴嘴32A壓送處理液的泵。對於供給管42B～42L，亦與供給管42A同樣地，分別形成處理液的液體源即供給源44B～44L與噴嘴32B～32L之間的流路。

供給部36，更包含在複數供給管42A～42L各自設置之複數開閉閥V。開閉閥V，依據控制裝置18的動作指示，切換為開狀態或閉狀態。藉由切換複數開閉閥V之開閉狀態，而使供給管42A～42L的流路各自開啟關閉。例如，若使開閉閥V成為開狀態，則處理液於供給管42A～42L之流路內流通，從噴嘴32A～32L向工件W的正面Wa噴吐處理液。

(異物檢測單元) 塗布顯影裝置2，更具備構成為檢測對工件W供給之處理液中所含有的異物(微粒)之異物檢測單元50(異物檢測裝置)。異物檢測單元50，例如構成為分別檢測在複數供給管42A～42L的流路流通之處理液內的異物。異物檢測單元50，可配置於液體處理單元U1附近，亦可配置於液體處理單元U1之殼體內。異物檢測單元50的一部分之要素，亦可設置於供給管42A～42L之流路上的開閉閥V與噴嘴32A～32L之間。下述內容中，亦參考圖5～圖10，針對異物檢測單元50的一例予以說明。

異物檢測單元50，形成使在供給管42A～42L流通之處理液分別流通的流路(下稱「處理液流路」)。異物檢測單元50，接收藉由對處理液流路照射照射光(例如雷射光)而在處理液流路中產生的光，藉以檢測在處理液流路流通之處理液內的異物。如圖5所示，異物檢測單元50，例如具備殼體52、流路形成部60、及測定部70。殼體52，包含上壁54a、底壁54b、及側壁56a～56d。作為一例，上壁54a及底壁54b分別水平地(沿著X-Y平面)配置。此外，側壁56a、56b分別沿著Y軸方向垂直地(沿著Y-Z平面)配置，於X軸方向(第1方向)中相對向。此外，側壁56c、56d分別沿著X軸方向垂直地(沿著X-Z平面)配置，於Y軸方向(第2方向)中相對向。殼體52，收納流路形成部60及測定部70。

流路形成部60，形成分別設置在供給管42A～42L的流路上之複數處理液流路。流路形成部60所形成的複數處理液流路，各自用於檢測在該處理液流路流通之處理液中所含有的異物。流路形成部60，例如如圖6所示，具備複數處理液流路形成部62A～62L。複數處理液流路形成部62A～62L，彼此同樣地構成。下述內容中，以處理液流路形成部62A為例而針對處理液流路形成部的細節予以說明。

如圖5所示，處理液流路形成部62A，在將供給源44A與噴嘴32A連接之供給管42A的流路上形成處理液流路64(亦參考圖4)。處理液流路64之上游側及下游側的端部，連接至供給管42A。藉此，從供給源44A壓送之處理液，依序通過供給管42A的流路之一部分、處理液流路形成部62A的處理液流路64、及供給管42A的流路之剩下一部分，從噴嘴32A往工件W的正面Wa噴吐。

處理液流路形成部62A，例如包含內部形成有處理液流路64之塊體本體66。塊體本體66，由在異物檢測時使用之雷射光可透射的材料構成。作為構成塊體本體66的材料，例如可列舉石英及藍寶石。塊體本體66，可形成為直方體狀，可使塊體本體66的一面與側壁56a相對向。作為一例，在塊體本體66中之與側壁56a相對向的面，形成處理液流路64之流入口64a及流出口64b。流入口64a，亦可位於流出口64b的下方。

處理液流路64，例如包含第1流路68a、第2流路68b、及第3流路68c。第1流路68a，以沿著底壁54b於水平方向(圖示中為沿著X軸方向)延伸的方式形成。第1流路68a之接近側壁56a的一端構成流入口64a，第1流路68a之接近側壁56b的另一端連接至第2流路68b。第2流路68b，以於鉛直方向中沿著側壁56a(沿著Z軸方向)延伸的方式形成。第2流路68b之接近底壁54b的一端連接至第1流路68a，第2流路68b之接近上壁54a的另一端連接至第3流路68c。第3流路68c，以沿著底壁54b於水平方向(沿著X軸方向)延伸的方式形成。第3流路68c之接近側壁56b的一端連接至第2流路68b，第3流路68c之接近側壁56a的另一端構成流出口64b。

於流入口64a，連接供給管42A中之較處理液流路形成部62A更為上游側的供給管(下稱「上游側供給管46」)。於流出口64b，連接供給管42A中之較處理液流路形成部62A更為下游側的供給管(下稱「下游側供給管48」)。上游側供給管46及下游側供給管48，貫通和塊體本體66相對向之側壁56a。藉由以上構成，使從供給源44A送出之處理液，依序通過上游側供給管46、第1流路68a、第2流路68b、第3流路68c、及下游側供給管48，而從噴嘴32A對工件W供給。

如同上述，圖6所示的處理液流路形成部62A～62L，彼此同樣地構成。因此，處理液流路形成部62B～62L，與處理液流路形成部62A同樣地，各自包含內部形成有處理液流路64之塊體本體66。處理液流路形成部62B～62L各自的處理液流路64，包含第1流路68a、第2流路68b、及第3流路68c。於處理液流路形成部62B～62L之流入口64a(第1流路68a)，分別連接供給管42B～42L之上游側供給管46。於處理液流路形成部62B～62L之流出口64b(第3流路68c)，分別連接供給管42B～42L之下游側供給管48。

處理液流路形成部62A～62L，以各自與側壁56a相對向之狀態，沿著從側壁56d往側壁56c的方向(沿著Y軸方向)並排配設。處理液流路形成部62A～62L，亦可在彼此具有間隔的狀態下依所述順序配設。處理液流路形成部62A～62L之第1流路68a的高度位置(Z軸方向中的位置)亦可彼此略一致。

處理液流路形成部62A～62L之第2流路68b的從側壁56a算起之距離(X軸方向中的位置)亦可彼此略一致。此外，處理液流路形成部62A～62L之第3流路68c的高度位置(從底壁54b算起之距離)，亦可彼此略一致。

處理液流路形成部62A～62L之第1流路68a，沿著Y軸方向並排配置。處理液流路形成部62A～62L之第2流路68b，沿著Y軸方向並排配置。處理液流路形成部62A～62L之第3流路68c，沿著Y軸方向並排配置。

回到圖5，測定部70，具備光源72、照射部74、光接收部76、保持部78、及驅動部80。光源72，作為用於檢測處理液內之異物的照射光，生成雷射光。光源72，例如射出波長400nm～600nm程度、輸出600mW～1000mW程度的雷射光。光源72，例如如圖8所示，設置於底壁54b上，配置在較處理液流路形成部62A～62L更為下方。光源72，作為一例，沿從側壁56d往側壁56c之方向(Y軸負方向)射出雷射光。光源72，於Y軸方向中配置在與處理液流路形成部62A不同的位置。光源72，於Y軸方向中與處理液流路形成部62A分離而配置。

照射部74，構成為向處理液流路形成部62A～62L的處理液流路64分別照射來自光源72的照射光。照射部74，例如構成為向處理液流路形成部62A～62L的處理液流路64個別地照射照射光。照射部74，亦可配置於處理液流路64之下方。照射部74，例如具備光學構件82，其構成為藉由改變來自光源72的照射光之方向，而向處理液流路64分別照射照射光。

光學構件82，例如包含反射構件82a、聚光透鏡82b、減光濾光片82c、及捕集部82d。反射構件82a的反射面，於Y軸方向中與光源72相對向。反射構件82a的反射面，將從光源72略水平地射出的照射光向上方反射。聚光透鏡82b，配置於反射構件82a之上方，使藉由反射構件82a反射出的照射光聚光至設定在處理液流路64之測定位置。聚光透鏡82b，例如構成為對設定在處理液流路64中的第1流路68a之測定位置照射照射光。另，聚光透鏡82b所產生之聚光位置，亦可考慮可藉由後述減光濾光片82c變更照射光之行進路徑的情況而進行設定。

減光濾光片82c具有作為光調整部的功能，將從聚光透鏡82b射出的光減光並向處理液流路64射出。在本例中，作為調整光之特性的一例，針對將光減光的情況予以說明。作為減光濾光片82c，例如可使用中性密度(Neutral Density，ND)濾光片。在本實施形態，作為減光濾光片82c，顯示使用吸收型之中性密度濾光片與分束器的例子。分束器的情況，使入射的光中之既定比例的光透射過分束器而向處理液流路64射出，而一部分的光被分束器反射。捕集部82d，設置於在減光濾光片82c中反射出的光之光路上。作為捕集部82d，可使用吸收照射光的射束阱(Beam trap)。

減光濾光片82c，如圖7所示，亦可對處理液流路形成部62A～62L各自的處理液流路64個別地設置。複數減光濾光片82c，如圖5所示，例如亦可為經由支持構件82e而對側壁56a固定的構成。

此外，減光濾光片82c將照射光減光何種程度(減光率)，例如亦可依在處理液流路64流通之處理液的特性而變更。作為一例，亦可使從減光濾光片82c向處理液流路64射出的照射光之光量，相對於往減光濾光片82c入射的照射光之光量為30%程度。減光率，例如可設定為能夠藉由光接收部76充分偵測異物混入至處理液時的光變化之程度。

此外，在上述內容中，針對減光濾光片82c為中性密度濾光片的情況進行說明，但亦可使用減光之光學特性和中性密度濾光片不同的減光濾光片82c。例如，亦可將具有將特定波長範圍的光選擇性地減光之光學特性的濾光片作為減光濾光片82c使用。關於選擇何種光學特性的濾光片，例如，可在能夠藉由光接收部76充分偵測出異物混入至處理液之狀態的範圍內變更。

對處理液流路形成部62A～62L各自的處理液流路64個別地設置減光濾光片82c之情況，亦可為使複數減光濾光片82c的減光率彼此不同之構成。使相同種類之處理液在處理液流路形成部62A～62L各自的處理液流路64流通之情況，亦可使和各處理液流路64對應之減光濾光片82c的減光率相同。另一方面，在處理液流路64流通之處理液的種類彼此不同之情況，亦可設置具有與處理液的種類相應之減光率的減光濾光片82c。

保持部78，將光學構件82中之減光濾光片82c以外的各構件(反射構件82a、聚光透鏡82b、及捕集部82d)以可移動的方式保持。保持部78，例如具備導軌88及滑台84。導軌88，亦可設置於底壁54b上，以沿著從側壁56c往側壁56d之方向(沿著Y軸方向)延伸的方式形成。導軌88，例如如圖7所示，亦可沿著Y軸方向，至少在處理液流路形成部62A～62L之間中延伸。導軌88，將滑台84以可移動的方式支持。

滑台84，配置於較處理液流路形成部62A～62L更為下方，支持光學構件82(例如反射構件82a)。滑台84，例如如圖5或圖7所示，以沿著與導軌88交叉之方向(例如X軸方向)延伸的方向形成。例如，滑台84，在從側方觀察時，接近側壁56a的一端部位於處理液流路形成部62A之下方，且接近側壁56b的另一端部，位於較處理液流路形成部62A之位置更靠近側壁56b之位置。作為一例，於滑台84之接近側壁56a的一端部，配置光學構件82中之保持在保持部78的構件。

驅動部80，藉由電動馬達等動力源，使滑台84沿著導軌88移動。藉由使滑台84沿著導軌88移動，而使照射部74(光學構件82中之保持在保持部78的構件)沿著Y軸方向而移動。

光接收部76，構成為接收藉由來自照射部74的照射光之照射而從處理液流路64射出的光。光接收部76，亦可配置為將處理液流路形成部62A～62L包夾在其與側壁56a之間。

光接收部76，例如包含光學構件92與光接收元件94。在從側壁56a往側壁56b之方向(X軸方向)中，依序配置處理液流路形成部62A、光學構件92、及光接收元件94。光學構件92及光接收元件94的高度位置，例如亦可與處理液流路64之第1流路68a的高度位置略一致。

光學構件92，例如為包含使從處理液流路64射出的光向光接收元件94聚光之聚光透鏡。於光學構件92之內部，亦可設置僅使具有特定波長的光通過之波長濾光片。光接收元件94，接收由光學構件92聚光的光，並生成與接收到的光(檢測光)相應之電氣訊號。光接收元件94，例如包含施行光電轉換的光電二極體。

光學構件92及光接收元件94，安裝於沿著鉛直方向延伸之支持構件86。支持構件86，連接至滑台84。例如，使支持構件86的下端，連接至和滑台84之設置光學構件82的端部為相反側的端部。伴隨以驅動部80進行之滑台84的移動，使光學構件92及光接收元件94沿著Y軸方向移動。

藉由以上構成，驅動部80，藉由使滑台84移動，而使照射部74(中之保持在保持部78的光學構件82)與光接收部76沿著Y軸方向一同移動。驅動部80，例如，使照射部74及光接收部76，在照射部74及光接收部76分別和處理液流路形成部62A相對向的位置，與照射部74及光接收部76分別和處理液流路形成部62L相對向的位置之間移動。下述內容中，將使照射部74及光接收部76分別和任一處理液流路形成部相對向的位置，稱作對應於該處理液流路形成部的位置。

作為一例，在從光源72往光學構件82的照射光持續之狀態下，藉由驅動部80，使光學構件82移動至處理液流路形成部62A～62L的處理液流路64之任一條的下方，藉以從照射部74對該處理液流路64照射照射光。對該處理液流路64照射的照射光，係藉由設置於處理液流路64的下方之減光濾光片82c減光後的光。在照射照射光時，光接收元件94，接收從該處理液流路64射出的光。

如同上述，將照射部74配置於處理液流路64中設定的測定位置之下方，將光接收部76配置於該測定位置之側方。因此，光接收部76，在對處理液流路64照射照射光之情況，接收因照射光在處理液流路64內的測定位置散射而產生的光(散射光)之一部分。若對處理液等溶液所流通的處理液流路64內照射照射光，則無論有無異物，因處理液之成分而產生散射光。在溶液內不含異物的情況，照射光之大部分通過處理液流路64。另一方面，若於溶液內含有異物，則在處理液流路64內的照射光之散射程度變大，相較於不含異物的情況，光接收部76所接收的光(前往光接收部76的散射光之一部分)之強度變得更大。

另，如圖7所示，異物檢測單元50，亦可更具備散熱片58。散熱片58，亦可設置於殼體52之外。散熱片58，例如亦可設置於底壁54b的外表面中之對應於光源72的位置。散熱片58，亦可為水冷式之散熱片。藉由散熱片58，抑制源自於光源72等光學構件之殼體52內的溫度上升。藉此，降低因光源72等光學構件而產生的熱所造成之對處理液(基板處理)的影響。

異物檢測單元50，亦可更具備控制部100。控制部100，控制異物檢測單元50之各要素。控制部100，例如配置於殼體52之內部。

控制部100，如圖8所示，作為功能上的構成(下稱「功能模組」)，例如具備訊號取得部102、異物判定部104、處理資訊取得部106、驅動控制部108、及輸出部110。另，訊號取得部102、異物判定部104、處理資訊取得部106、驅動控制部108、及輸出部110所實行的處理，相當於控制部100所實行的處理。

訊號取得部102，從光接收部76取得與檢測光的強度相應之電氣訊號。訊號取得部102，例如，從光接收元件94取得與從處理液流路形成部62A～62L中的作為監視對象之處理液所流通的處理液流路64(第1流路68a)射出之光的強度相應之電氣訊號。訊號取得部102，例如取得具有與檢測光的強度相應之振幅的電氣訊號。

異物判定部104，依據與檢測光相應的電氣訊號之振幅等強度(下稱「訊號強度」)，而檢測處理液內的異物之有無。於圖9，示意顯示從訊號取得部102獲得的訊號強度之時間變化的一例之圖表。例如，異物判定部104，如圖9所示，在訊號強度較既定之閾值Th更大的情況，判定為處理液內含有異物。異物判定部104，在訊號強度為既定之閾值Th以下的情況，判定為處理液內不含異物。閾值Th，係考慮到照射光在處理液內的異物中散射之情況的散射光之強度而預先設定的值。

處理資訊取得部106，從控制裝置18取得在液體處理單元U1實行的處理之資訊(下稱「處理資訊」)。於處理資訊，例如包含顯示在液體處理單元U1中施行噴吐的噴嘴(作為監視對象之處理液)之資訊、及顯示處理液的供給開始時序與供給時間之資訊。處理資訊取得部106，亦可在使用一種處理液的每次處理，從控制裝置18取得處理資訊直至該處理液的供給開始為止。

驅動控制部108，於處理液流路形成部62A～62L之間中，藉由以驅動部80使滑台84移動而使照射部74與光接收部76移動。驅動控制部108，例如依處理資訊所示之處理液，藉由驅動部80，使照射部74與光接收部76移動至對應於處理液流路形成部62A～62L中之該處理液所通過的處理液流路64之位置。驅動控制部108，例如，在並未對處理液流路64照射照射光時，藉由驅動部80使照射部74與光接收部76移動至預先決定的待機位置。在一例中，待機位置，亦可設定為不與處理液流路形成部62A～62L重疊的位置。

驅動控制部108，在對工件W供給處理液的期間之至少一部分中，控制驅動部80俾對處理液流路64照射照射光。驅動控制部108，在並未對工件W供給任一種處理液的期間之至少一部分中，控制驅動部80俾於待機位置中向與處理液流路形成部62A～62L之處理液流路64不同的位置照射照射光。

輸出部110，將異物判定部104所產生之判定結果輸出至異物檢測單元50的外部。輸出部110，可將判定結果往控制裝置18輸出，亦可往對作業員通報結果之顯示器等輸出。輸出部110，例如在藉由異物判定部104判定為含有異物之情況，亦可將表示作為監視對象之處理液含有異物的警報訊號輸出。

控制部100，由一或複數台控制用電腦構成。例如控制部100，具備圖10所示之電路200。電路200，具備一或複數個處理器202、記憶體204、儲存器206、輸出入埠208、及計時器212。儲存器206，例如具備硬碟等，可由電腦讀取之記錄媒體。記錄媒體，記憶有用於使控制部100實行後述動作確認方法的程式。記錄媒體，亦可為非揮發性半導體記憶體、磁碟及光碟等可取出的媒體。記憶體204，暫時地記憶由儲存器206之記錄媒體裝載的程式、及處理器202所產生的運算結果。

處理器202，與記憶體204協同而實行上述程式，藉以構成各功能模組。輸出入埠208，依循來自處理器202的指令，而在與控制裝置18、光接收部76、及驅動部80等之間施行電氣訊號的輸出入。計時器212，例如藉由計算一定周期之基準脈衝而量測經過時間。另，控制部100之硬體構成，不必非得限定於藉由程式構成各功能模組。例如控制部100之各功能模組，亦可藉由專用的邏輯電路、或將其整合的ASIC(Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路)構成。

[異物檢測方法] 而後，參考圖11，針對在異物檢測單元50中實行之異物檢測方法(異物檢測順序)予以說明。圖11係顯示異物檢測方法的一例之流程圖。

在來自光源72的照射光之照射持續的狀態下，例如，若處理資訊取得部106從控制裝置18取得處理資訊，則控制部100實行步驟S01。在步驟S01，例如，驅動控制部108，藉由以驅動部80使滑台84移動，而使照射部74與光接收部76移動至和處理資訊所示的作為監視對象之處理液所流通的處理液流路64對應之位置。藉此，從照射部74對作為監視對象之處理液所流通的處理液流路64照射照射光，藉由光接收部76接收從該處理液流路64射出的光。

接著，控制部100，實行步驟S02、S03。在步驟S02，例如，訊號取得部102，取得與以光接收部76接收到的檢測光相應之訊號強度。在步驟S03，例如，異物判定部104，判定在步驟S02獲得之訊號強度是否較閾值Th更大。於步驟S03中，判定為訊號強度較閾值Th更大的情況(步驟S03：YES)，控制部100實行步驟S04。在步驟S04，例如，使輸出部110，將表示作為監視對象之處理液含有異物的警報訊號輸出。另一方面，於步驟S03中，判斷為訊號強度為閾值Th以下的情況(步驟S03：NO)，控制部100未實行步驟S04。

接著，控制部100，實行步驟S05。在步驟S05，例如，控制部100，判斷作為監視對象之處理液的供給是否已結束。控制部100，亦可量測從處理資訊所包含之供給開始時序算起的經過時間，藉以判斷處理液的供給是否已結束。於步驟S05中，判斷為作為監視對象之處理液的供給未結束之情況(步驟S05：NO)，控制部100，重複步驟S02、S03的處理。藉此，於處理液的供給期間中，使該處理液內是否含有異物之監視持續。

於步驟S05中，在判斷為作為監視對象之處理液的供給已結束之情況(步驟S05：YES)，控制部100，實行步驟S06。在步驟S06，例如，控制部100，依據關於接續的作為監視對象之處理液的供給開始時序(下稱「接續的供給開始時序」)，判斷待機時間之有無。作為一例，在至接續的供給開始時序前為止的時間較既定時間更大時，判斷為具有待機時間，控制部100，實行步驟S07。在步驟S07，例如，驅動控制部108，以驅動部80使照射部74與光接收部76移動至待機位置。

接著，控制部100，實行步驟S08。在步驟S08，例如，控制部100，待機直至成為對接續的作為監視對象之處理液開始監視的時序。例如，控制部100，待機直至到接續的供給開始時序前為止的時間較上述既定時間成為更短為止。於步驟S08中，成為對於接續的作為監視對象之處理液開始監視的時序之情況(步驟S08：YES)，或於步驟S06中判斷為不具有待機時間之情況(步驟S06：NO)，控制部100，重複步驟S01～S06的處理。

[光調整部的另一構成例] 圖12係顯示光調整部的另一例之圖。在圖12，亦可於前往1個處理液流路形成部之光路上設置複數之光調整部(例如減光濾光片82c)。例如，在從反射構件82a前往處理液流路形成部62L的光路中，於上下方向設置2片減光濾光片82c。如此地，亦可成為在光路上設置複數之光調整部之構成。此外，作為於同一光路上在上下方向設置之複數之光調整部，可設置使光調整功能及性能相同者，亦可設置彼此不同者。在圖12，顯示不僅配置減光濾光片82c，亦將其他光調整部82h、82g組合配置的例子。如此地，亦可成為不僅將相同種類之光調整部設置複數個，亦組合有彼此不同種類之光調整部的配置。

圖13係顯示光調整部(減光構件)的另一例之圖。在圖13，顯示使光調整部即分束器82f兼作反射構件82a的角色而設置於光路上之例子。此一情況，使由分束器82f分光後的光之一部分向處理液流路64射出。另，亦可成為將由分束器82f分光後之另一方的光(前往與處理液流路64不同之方向的光)，在未圖示之捕集部中吸收的構成。圖12所示的構成之情況，分束器82f亦與照射部74所包含之其他構件同樣地藉由保持部78保持，伴隨沿著導軌88的滑台84之移動而於Y軸方向移動。

進一步，作為將光調整部配置於反射構件82a附近之另一例，例如，亦可如圖14所示，於反射構件82a的周邊中在光之路徑上設置光調整部82i(光學構件)。例如，若以與反射構件82a共用驅動機構的方式，將光調整部82i設置於滑台84上等，則成為可與反射構件82a一同往和各流路單元對應之位置移動。此外，光調整部82i，設置為藉由未圖示的致動器之驅動，而可在對於反射構件82a和光之路徑相對地交叉的位置、與偏離路徑的位置之間移動。例如，控制光調整部82i之移動的致動器亦可為汽缸或馬達等，將和一個光調整部相對應之一個致動器對滑台84固定。此外，此光調整部82i，亦可成為僅配置於反射構件82a之前段(入射側)或後段(反射側)的任一方之配置。進一步，可使光調整部82i，與上述例子同樣地為光學濾光片或分束器等。此外，亦可與位於和前述說明之設置於流路形成部的下方之光調整部等不同位置之光調整部組合使用。

藉由如同上述之構成，而與上述實施形態同樣地，對於光之特性可進行更細緻的調整，故變得容易進行用於成為適合對象液體的光之調整。此外，可與反射構件82a一同往對應於各流路形成部之位置移動，故可減少設置空間，成為維修對象及發熱源的數量亦為少量之構成。

如此地，可適宜變更光調整部的構成及配置。此外，作為光調整部之另一構成，例如亦可成為在光源72與反射構件82a之間配置光調整部的構成。此外，亦可成為可選擇光學特性彼此不同之複數之光調整部的任一者而配置於光路之構成。此時，例如亦可採用於旋轉器設置複數之光調整部，使旋轉器旋轉，藉以將任一光調整部配置於光路上之構成。此外，亦可於光路上配置複數個光調整部，或亦可成為藉由複數之光調整部使照射光最佳化之構成。關於此例將於後述內容說明。

[作用] 依上述異物檢測裝置及異物檢測方法，則在將從光源射出的光藉由照射部74所包含之光調整部即減光濾光片82c(或分束器82f)減光後，對處理液流路64照射。因此，可對處理液流路64照射調整過光量的照射光，故可抑制在處理液流路64流通之處理液受到照射光的影響之情形。發明人認為由於對處理液流路照射具有過剩光量的照射光，而受到因處理液之變性或光對處理液中的氣泡之照射而造成的單元損傷等預料外之硬體問題的影響。相對於此，藉由成為對處理液照射以光調整部減光後的光之構成，而可減少如同上述等各種擔憂，可抑制因用於檢測異物的光之照射所造成的影響。

光調整部，亦可包含中性密度濾光片或分束器。藉由成為上述構成，而可簡單地施行來自光源的光之減光。

亦可為如下態樣：光調整部，使來自光源72的入射光之一部分朝向與前往處理液流路的方向不同之方向射出；更具備捕集部82d，其吸收朝向與前往處理液流路64的方向不同之方向射出的光。藉由具有捕集部82d，而防止此等往不同方向射出的光照射至異物檢測裝置內之機器等的情形。

亦可如同上述處理液流路形成部62A～62L各自之處理液流路64般地，設置彼此不同的複數處理液流路64。此一情況，光調整部，亦可對應於複數處理液流路64而個別地設置。藉由成為此等構成，而可將光調整部配置在與複數處理液流路64分別相應之適當的位置。

此外，對應於複數處理液流路而個別地設置之複數之光調整部，亦可使其等光學特性彼此不同。藉由成為此等構成，例如可選擇考慮到在處理液流路64流通之處理液的特性之光調整部而進行配置。

亦可將光調整手段，設置於從光源前往反射部的光之路徑上。圖15係此等變更的具體例。圖15係從光源72觀察光之路徑方向時的圖，於圖之前側設置光源72。此時，圖15所示之光調整單元90A，包含固定於滑台84上的殼體91、及安裝有光調整部82i的支持構件93。由於固定在滑台84，故光調整單元90A，可與反射構件82a一同移動。此外，於殼體91，在和光路上對應的位置設置窗95，因而可使光通過殼體91。支持構件93，亦可藉由未圖示的致動器之驅動，而可在光調整部82i將窗95封閉的位置亦即與光路交叉的位置、及光調整部82i偏離光路的位置移動(可旋轉)。藉由成為此等構成，而成為藉由使支持構件93移動，而可切換將光調整部82i配置於光路上之狀態、及從光路上偏離之狀態。

此外，亦可包括複數個具有彼此不同之光學特性的該光調整部；可變更配置於來自光源的光之光路上的光調整部。藉由成為此等構成，例如亦可成為依處理液流路內所流通之處理液而選擇光調整部的構成。關於如同上述般之變更的一例，參考圖16並予以說明。

圖16係從光源72觀察光之路徑方向的圖，於圖之前側設置光源72。此時，圖16所示之光調整單元90B，包含：殼體91，固定於滑台84上；以及架座97，安裝有光調整部82i與光調整部82j，且可將沿著光路之延伸方向的旋轉軸96作為中心而旋轉。由於固定在滑台84，故光調整單元90B，可與反射構件82a一同移動。此外，由於將窗95設置於殼體91，故可使光通過殼體91的點，和光調整單元90A相同。架座97，藉由未圖示的旋轉機構，以旋轉軸96作為中心而旋轉。另，關於旋轉機構，雖將旋轉軸96以外的部分省略，但係適宜設置在不與光路干涉之位置。此時，藉由架座97之旋轉，而成為可使光調整部82i與82j分別在將窗95封閉的位置亦即和光路交叉的位置、及偏離光路的位置移動。藉由成為此等構成，而成為藉由使架座97旋轉，而可切換將光調整部82i或82j的任一者配置於光路上之狀態、及皆從光路上偏離之狀態。

[變形例] 以上，雖針對各種例示性實施形態進行說明，但並未限定於上述例示性實施形態，亦可進行各式各樣的省略、置換、及變更。此外，可將不同實施形態中之要素組合而形成另一實施形態。

上述實施形態之異物檢查的順序僅為一例，步驟的順序、實行時序、及實行內容等皆可適宜變更。

此外，關於異物檢查裝置的構成亦可適宜變更。例如，亦可將流經塊體本體66之處理液流路64的至少一部分，以往水平方向及鉛直方向以外之方向延伸的方式形成。處理液流路64之流入口64a及流出口64b，亦可分別形成在塊體本體中之彼此不同的面。

處理液流路形成部62A～62L，亦可取代塊體本體66而包含使處理液流通的供給用之通液管。處理液流路64，亦可為供給用之通液管內的流路。此等通液管，亦可由照射光可透射之材料(例如石英或藍寶石)形成。異物檢測單元50，亦可取代處理液流路形成部62A～62L而具備一個處理液流路形成部。

處理液流路形成部62A～62L，可隔著彼此略相同之間隔沿著Y軸方向而配設，亦可隔著彼此不同之間隔而配設。此外，亦可將處理液流路形成部的一部分，配置未使用在處理之虛設的2個流路形成部。

減光濾光片82c的光學特性可如同上述地依處理液之特性而選擇，但例如亦可將虛設之濾光片，即不具有減光功能之光學濾光片，配置在至處理液流路64為止前的光路上。例如，如同處理液例如為稀釋劑之情況，有不設置光調整部亦可的情況。此一情況，若成為對複數處理液流路64並未設置光調整部之構成，則有在每條處理液流路產生光路長度的差之可能性。相對於此，藉由成為將不具有減光功能之光學濾光片與其他處理液流路64同樣地配置於光路上的構成，而可使光路長度一致。亦即，此時之光學濾光片，可說是具有使與其對應的前往處理液流路之光路，和其他處理液流路之光路相接近的特性、或和其同調的特性之光調整部。

異物檢測單元50，亦可包含使照射部74沿著Y軸方向移動之照射用的驅動部、及使光接收部76沿著Y軸方向移動之光接收用的驅動部。此等2個驅動部，可構成為使照射部74與光接收部76沿著Y軸方向移動，亦可將相同的Y軸方向之驅動機構共用作為此等2個驅動部。此外，亦可設置使光接收部76沿著X軸方向移動之光接收用的X軸方向驅動部。亦可使照射部74包含光源72，以不經由光學構件82的方式將照射光對處理液流路64分別照射。

在各實施形態中，亦可於光調整部使用或給予可改變光學特性之物質。作為使光學特性改變之效應，可列舉電光效應(Electro-optic effect，將數種效應統稱之效應)。藉由各電光效應，而可將光學濾光片或分束器等光調整部所具有之折射率、吸光度(≒透射率)、焦點距離、偏光等特性可變地控制。

作為帶來電光效應的物質，例如可列舉液晶、結晶(電光結晶)。電光結晶為具有電光效應的結晶，具體而言，存在各式各樣的結晶，因而於本實施形態中亦可使用適宜的結晶。

將上述帶來電光效應的物質在光調整部使用，成為藉由來自外部之電氣訊號(來自外部的電氣之影響)而可變更該物質的特性之構成。藉此，可將光調整部物理性地變更為其他物質，或以不改變其位置之方式變更光調整部的特性。

藉由使上述光學特性為可變之物質的應用等，使光學特性成為可變之光調整部，在任一實施形態中，皆可依複數流路形成部中的成為異物檢測之對象的流路形成部內之處理液或其中之微小粒子的特性、此時應用的照射光之強度層級，而變更光調整部的特性。此一情況，即便未施行依處理液或微小粒子的特性而替換光調整部之構成構件、或切換使用之光調整部等，仍可改變固定配置之光調整部的特性而使用。

光接收部76，亦可接收使來自照射部74的照射光透射處理液流路64藉以獲得的透射光之一部分。此一情況，亦可將照射部74與光接收部76，配置為於鉛直方向(Z軸方向)中將處理液流路形成部62A～62L夾入其間。

另，基板處理裝置的具體構成，並未限定於以上例示之塗布顯影裝置2的構成。基板處理裝置，若具備檢測對基板供給之處理液內的異物之異物檢測單元50，則為何種裝置皆可。作為以異物檢測單元50進行之異物檢測的對象液體之處理液，亦可為光阻膜以外的膜(例如上述下層膜或上層膜)形成所使用之溶液，亦可為膜形成以外的基板處理所使用之溶液。亦可藉由控制裝置18，實行異物檢測單元50的控制部100所具有之功能模組的全部或一部分。此一情況，亦可藉由異物檢測單元50與控制裝置18，構成異物檢測裝置。

從以上說明來看，本發明之各種實施形態，係以說明為目的而在本說明書中闡述，應理解可在不脫離本發明揭露之範圍及主旨的情況下進行各種變更。因此，本說明書所揭露之各種實施形態的意圖不在於限定本發明，真正的範圍及主旨，係以添附之發明申請專利範圍顯示。

1:基板處理系統 11,12,13,14:處理模組 18:控制裝置 2:塗布顯影裝置 20:旋轉保持部 22:保持部 24:旋轉驅動部 3:曝光裝置 30:處理液供給部 32,32A~32L:噴嘴 34:保持頭 36:供給部 4:載具區塊 42A~42L:供給管 44A~44L:供給源 46:上游側供給管 48:下游側供給管 5:處理區塊 50:異物檢測單元(異物檢測裝置) 52:殼體 54a:上壁 54b:底壁 56a~56d:側壁 58:散熱片 6:介面區塊 60:流路形成部 62A~62L:處理液流路形成部 64:處理液流路 64a:流入口 64b:流出口 66:塊體本體 68a:第1流路 68b:第2流路 68c:第3流路 70:測定部 72:光源 74:照射部 76:光接收部 78:保持部 80:驅動部 82:光學構件 82a:反射構件 82b:聚光透鏡 82c:減光濾光片(光調整部) 82d:捕集部 82e:支持構件 82f:分束器 82g,82h,82i,82j:光調整部 84:滑台 86:支持構件 88:導軌 90A,90B:光調整單元 91:殼體 92:光學構件 93:支持構件 94:光接收元件 95:窗 96:旋轉軸 97:架座 100:控制部 102:訊號取得部 104:異物判定部 106:處理資訊取得部 108:驅動控制部 110:輸出部 200:電路 202:處理器 204:記憶體 206:儲存器 208:輸出入埠 212:計時器 A1,A3,A7,A8:搬運裝置 Ax:軸線 C:載具 U1:液體處理單元 U2:熱處理單元 U10,U11:棚架單元 V:開閉閥 W:工件 Wa:正面

圖1係示意基板處理系統的一例之立體圖。 圖2係塗布顯影裝置的一例之示意圖。 圖3係液體處理單元的一例之示意圖。 圖4係液體處理單元之處理液供給部的一例之示意圖。 圖5係示意異物檢測單元的一例之側視圖。 圖6係示意異物檢測單元的一例之立體圖。 圖7係示意異物檢測單元的一例之側視圖。 圖8係顯示控制部之功能性構成的一例之方塊圖。 圖9係顯示與檢測光相應之訊號強度的一例之圖表。 圖10係顯示控制部之硬體構成的一例之方塊圖。 圖11係顯示異物檢測方法的一例之流程圖。 圖12係顯示光調整手段的另一例之圖。 圖13係示意異物檢測單元的另一例之側視圖。 圖14係顯示將光調整手段設置於反射構件附近的例子之圖。 圖15係顯示將光調整手段設置於來自光源的光之光路上的例子之圖。 圖16係顯示將光調整手段設置於來自光源的光之光路上的另一例之圖。

18:控制裝置

32A:噴嘴

42A:供給管

44A:供給源

46:上游側供給管

48:下游側供給管

50:異物檢測單元(異物檢測裝置)

52:殼體

54a:上壁

54b:底壁

56a:側壁

56b:側壁

60:流路形成部

62A:處理液流路形成部

64:處理液流路

64a:流入口

64b:流出口

66:塊體本體

68a:第1流路

68b:第2流路

68c:第3流路

70:測定部

72:光源

74:照射部

76:光接收部

78:保持部

80:驅動部

82:光學構件

82a:反射構件

82b:聚光透鏡

82c:減光濾光片(光調整部)

82e:支持構件

84:滑台

86:支持構件

88:導軌

92:光學構件

94:光接收元件

100:控制部

Claims (9)

1. 一種異物檢測裝置，用以檢測基板處理用之處理液中所含有的異物，包含： 處理液流路形成部，形成讓對基板供給之該處理液流通的處理液流路； 照射部，將來自光源的照射光分別向該處理液流路照射；以及 光接收部，接收藉由該照射光之照射而從該處理液流路射出的光； 該照射部，包括用以調整來自該光源的光之特性的光調整部。
2. 如請求項1之異物檢測裝置，其中， 該光調整部，包含中性密度濾光片或分束器。
3. 如請求項1之異物檢測裝置，其中， 該光調整部，使來自該光源的入射光之一部分朝向與前往該處理液流路的方向不同之方向射出； 更包含捕集部，其吸收朝向與前往該處理液流路的方向不同之方向射出的光。
4. 如請求項1至3中任一項之異物檢測裝置，其中， 設置複數條彼此不同的該處理液流路； 該光調整部，係對應於複數之該處理液流路而個別地設置。
5. 如請求項4之異物檢測裝置，其中， 對應於複數之該處理液流路而個別地設置的複數之該光調整部，其光學特性彼此不同。
6. 如請求項5之異物檢測裝置，其中， 該複數之光調整部中之對應於1條該處理液流路的光調整部，具有使前往該處理液流路的該照射光之光路，和其他該處理液流路之光路相接近的特性。
7. 如請求項1至3中任一項之異物檢測裝置，其中， 該光調整部，係設置成可在和該照射光之光路交叉的位置與偏離該光路的位置之間移動。
8. 如請求項1至3中任一項之異物檢測裝置，其中， 包含複數個具有彼此不同之光學特性的該光調整部； 配置於來自該光源的光之光路上的光調整部係可變更的。
9. 一種異物檢查方法，其係用以檢測基板處理用之處理液中所含有的異物之異物檢測裝置中的異物檢查方法，包含如下步驟： 利用照射部，將來自光源的照射光分別朝向對基板供給之該處理液所流通的處理液流路照射；以及 利用光接收部，接收藉由該照射光之照射而從該處理液流路射出的光； 該照射部，將以光調整部調整過來自該光源的光之特性後的光，向該處理液流路照射。

Images