JP6667241B2 - 処理液供給装置、基板処理システムおよび処理液供給方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 399
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 332
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 286
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 27
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000009931 pascalization Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
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- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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Description
高圧の加圧気体で押し続けるために、処理液タンクおよび処理液配管の内部の処理液に多量の気体(窒素ガス等の不活性)が溶け込む。液体に対する気体の溶解度はその圧力に比例するので、高圧状態にある処理液配管の内部では、処理液に気体が多量に溶け込むおそれもある。
そこで、本発明の一の目的は、供給する処理液に含まれる気泡量を低減できる処理液供給装置および処理液供給方法を提供することである。
また、本発明の他の目的は、パーティクルの発生を抑制または防止できる基板処理システムを提供することである。
以上により、供給する処理液に含まれる気泡量を低減できる処理液供給装置を提供できる。
この発明の一実施形態では、前記制御ユニットは、前記処理液タンクの内部の圧力が大気圧まで下がった後に、前記開閉ユニットを閉じる。
また、大気開放開始から所定時間が経過した時点における圧力値が所定の閾値未満である場合にはエラー状態であると判断する。これにより、処理液タンクの内部の減圧速度が速過ぎることを防止でき、ゆえに、処理液に含まれる気泡量をより効果的に低減できる。
この構成によれば、大気開閉バルブを開いて大気連通配管を開くことにより、処理液タンクの内部を大気開放させることができる。したがって、処理液タンクの内部を大気開放させることが可能な構成を、簡単な構造で実現できる。
この構成によれば、オリフィスが大気連通配管に設けられているために、大気連通配管の内部を気体が通過し難い。そのため、大気連通配管を開いても、処理液タンクの内部が一気に減圧されるのではなく、当該内部の圧力がある程度の時間を掛けて徐々に低下する。したがって、処理液タンクの内部を徐々に大気開放させることが可能な構成を、簡単な構造で実現できる。
この構成によれば、大気連通配管の開度を調整することにより、大気連通配管の内部の気体の通過し易さを調整できる。そのため、処理液タンクの内部の大気開放時に、大気連通配管の開度を低くすることにより、処理液タンクの内部を大気開放開始させてから当該内部が大気圧まで減圧するまでの時間を長くすることが可能である。したがって、処理液タンクの内部を徐々に大気開放させることが可能な構成を、簡単な構造で実現できる。
処理液として有機溶剤を用いる場合、有機溶剤は、その大半が引火性液体であり、そのため、有機溶剤をポンプ圧送方式により送液することはできず、前述のような加圧ユニットを用いて、処理ユニットに対する有機溶剤の送液が行われる(加圧圧送方式)。この場合、処理液供給装置が供給する有機溶剤に含まれる気泡量を低減できる。
処理液タンクの内部の減圧開始後に開閉ユニットを閉じるため、それ以降は、処理液タンクの内部および第1の処理液配管の内部が、前記の加圧状態よりも減圧された状態に維持される。液体に対する気体の溶解度はその圧力に比例するため、当該減圧状態にある第1の処理液配管の内部に気体はそれほど溶け込まない。したがって、処理液タンクの内部および第1の処理液配管の内部の処理液への溶存気体量を低減できる。処理液の溶存気体量が少ないから、処理液に発生する気泡量を低減できる。
以上により、処理ユニットに供給される処理液に含まれる気泡量を低減できる。これにより、基板におけるパーティクルの発生を抑制または防止できる基板処理システムを提供できる。
この構成によれば、開閉ユニットを処理液バルブよりも下方に配置する場合には、処理液タンクに貯留されている処理液を処理ユニットまで届かせるためには、処理液タンクの内部の処理液を、より高圧で押す必要がある。この場合、供給時における処理液タンクおよび第1の処理液配管の内部の圧力がより高くなる結果、前述の気泡の発生の問題が一層顕在化するおそれがある。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置は、前記処理ユニットよりも階下に配置されている。
しかしながら、処理液タンクの内部を徐々に大気開放させ、大気開放開始後に、開閉ユニットを閉じるので、処理ユニットに供給される処理液に含まれる気泡量をより一層低減でき、これにより、基板におけるパーティクルの発生を、より一層抑制または防止できる。
以上により、供給する処理液に含まれる気泡量を低減できる処理液供給方法を提供できる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理システム1を水平方向に見た模式図である。基板処理システム1は、基板Wの一例としての半導体ウエハを1枚ずつ処理する枚葉型のシステムである。基板処理システム1は、基板Wを処理する処理ユニット2と、この処理ユニット2に、処理液の一例としての有機溶剤を供給する処理液供給装置としての有機溶剤供給装置3とを含む。処理ユニット2および有機溶剤供給装置3は、互いに独立したユニット(互いに独立して移動させることができるユニット)である。すなわち、基板処理システム1は、図1に示すように、処理ユニット2を含む基板処理装置4と、基板処理装置4から離れた位置に配置された有機溶剤供給装置3とを備える例を示している。基板処理装置4はクリーンルームに設置されており、一方、有機溶剤供給装置3は、サブファブ(sub-fab)と呼ばれる、クリーンルームの階下スペース(たとえば地下階)に設置されている。基板処理システム1は、基板処理装置4に備えられた装置やバルブの開閉を制御する第1の制御ユニット5と、有機溶剤供給装置3に備えられた装置やバルブの開閉を制御する第2の制御ユニット6とをさらに含む。
処理ユニット2側には、複数の有機溶剤タンク9のうち選択された一つの有機溶剤タンク9から有機溶剤が供給されている。そして、使用中の一方の有機溶剤タンク9に貯留されている有機溶剤がなくなると、有機溶剤の供給元が他方の有機溶剤タンク9に切り換えられ、当該他方の有機溶剤タンク9に貯留されている有機溶剤が処理ユニット2側に供給される。
第2の制御ユニット6は、マイクロコンピュータを用いて構成されている。第2の制御ユニット6は、予め定められたプログラムに従って、共通開閉バルブ13、個別開閉バルブ14、大気開閉バルブ18、加圧バルブ21等を開閉する。また、第2の制御ユニット6には、流量計12および圧力計16の検出出力が入力されるようになっている。
各処理ユニット2に含まれる有機溶剤ノズル8には、有機溶剤供給装置3からの有機溶剤が、基板処理装置4の内部を通る処理側配管(第2の処理液配管)22を介して供給される。処理側配管22は、有機溶剤共通配管11に接続された処理側共通配管23と、各有機溶剤ノズル8と処理側共通配管23とを接続する処理側分岐配管24とを含む。処理側分岐配管24には、処理側分岐配管24を開閉するための有機溶剤バルブ25が介装されている。有機溶剤供給装置3から処理ユニット2側に向けて有機溶剤が供給されている状態で、第2の制御ユニット6が有機溶剤バルブ25を開くことにより、各処理ユニット2に含まれる有機溶剤ノズル8に有機溶剤が供給される。また、処理側共通配管23および処理側分岐配管24は、PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)等の耐薬性を有する樹脂を用いて形成されている。
処理ユニット2は、処理チャンバ7内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線まわりに基板Wを回転させるスピンチャック26と、スピンチャック26に保持されている基板Wに、薬液を供給するための薬液ノズル27と、スピンチャック26に保持されている基板Wにリンス液を供給するためのリンス液ノズル28とをさらに含む。
第1の制御ユニット5は、コンピュータを用いて構成されている。第1の制御ユニット5は、予め定められたプログラムに従って、回転駆動ユニット30等の動作を制御する。さらに、第1の制御ユニット5は、有機溶剤バルブ25、薬液バルブ31、リンス液バルブ33等の開閉動作等を制御する。また、第1の制御ユニット5(基板処理装置4)は、第2の制御ユニット6(有機溶剤供給装置3)と相互に通信可能に設けられている。
そして、吐出停止タイミングになると(図3のステップS1でYES)、第1の制御ユニット5は、有機溶剤バルブ25を閉じる(図3のステップS2)。そして、第1の制御ユニット5が、基板処理装置4が有機溶剤供給不要状態であると判断した場合には(図3のステップS3でYES)、第1の制御ユニット5は有機溶剤供給装置3に対して供給不要信号を送信する(図3のステップS4)。また、吐出停止タイミングでない場合(図3のステップS1でNO)、有機溶剤供給不要状態でないと判断した場合(図3のステップS3でNO)、および供給不要信号の送信後、図3に示す処理はリターンされる。
大気開閉バルブ18を開くことにより、有機溶剤タンク9の内部が減圧される。しかしながら、固定オリフィス19が大気連通配管17に設けられているために、大気連通配管17の内部を気体が通過し難い。そのため、大気連通配管17を開いても、有機溶剤タンク9の内部が一気に減圧されるのではなく、当該内部の圧力がある程度の時間を掛けて徐々に低下する。すなわち、有機溶剤タンク9の内部の大気解放開始から当該内部の圧力が大気圧まで下がるまでに、ある程度の時間が掛かる。大気開閉バルブ18と固定オリフィス19とを組み合わせることにより、加圧状態にある有機溶剤タンク9の内部を、徐々に大気解放させることが可能な構成を実現できる。
次いで、第2の制御ユニット6は、現在の有機溶剤タンク9に対応する圧力計16の検出出力を参照し、現在の有機溶剤タンク9の内部が大気圧まで減圧されているか否かを調べる(図4のステップT3)。そして、現在の有機溶剤タンク9の内部の圧力が大気圧まで下がっていると(図4のステップT3でYES)、第2の制御ユニット6は、共通開閉バルブ13および個別開閉バルブ14を閉じる(図4のステップT4)。そのため、バルブ13,14の閉成以降は、有機溶剤タンク9の内部、有機溶剤個別配管10の内部および有機溶剤共通配管11の内部が大気圧に維持される。液体に対する気体の溶解度はその圧力に比例するので、大気圧の液体には気体はそれほど溶け込まない。そのため、有機溶剤タンク9の内部、有機溶剤個別配管10の内部および有機溶剤共通配管11の内部の有機溶剤への溶存気体量を低減できる。
また、供給不要信号の未受信である場合(図4のステップT1でNO)、大気開閉バルブ18の開成からX秒未経過である場合(図4のステップT5でNO)、計測値が閾値以上である場合(図4のステップT5でYES)、バルブ13,14の閉成後およびエラー処理の終了後には、図4に示す処理はリターンされる。
有機溶剤ノズル8から吐出される有機溶剤に気泡43が含まれていることがある。有機溶剤の液膜41中に気泡43が含まれていると、有機溶剤の液体と気泡43とによって気液界面が形成される。有機溶剤に含まれる微小の異物42はこの気液界面に引き付けられて集まり、所定大きさの微小パーティクルに成長する。その結果、乾燥後の基板Wの表面に微小パーティクルが発生するおそれがある。そして、有機溶剤の液膜41中に含まれる気泡量が多いと、気液界面が大面積化して微小パーティクルの発生の問題が顕在化するおそれがある。
ここで、本実施形態の特徴および効果の理解を助けるべく、比較として、他の形態に係る基板処理システムについて検討する。
他の形態において、本発明の一実施形態に示された各部に対応する部分には、図1〜図6の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
他の形態に係る基板処理システムは、有機溶剤供給装置103と、有機溶剤供給装置103を制御する第3の制御ユニット106とを備えている。第3の制御ユニット106はコンピュータによって構成されている。有機溶剤供給装置103が、前述の有機溶剤供給装置3と相違する点は、大気連通配管17(図1参照)、大気開閉バルブ18(図1参照)および圧力計16(図1参照)を廃止した点である。その他の構成は、前述の有機溶剤供給装置3と同等である。
また、処理ユニット2での有機溶剤の再吐出を行う際には、有機溶剤個別配管10の内部および有機溶剤共通配管11の内部が加圧状態に保たれ、この状態で有機溶剤バルブ25が開かれる。この再吐出の際には、有機溶剤バルブ25の開成に伴って配管10,11の内部で減圧が生じるが、配管10,11の内部の有機溶剤への溶存気体量が少ないため、減圧に伴って有機溶剤中に発生する気泡量を低減できる。
以上により、有機溶剤供給装置3から処理ユニット2に供給する有機溶剤に含まれる気泡量を低減できる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
また、固定オリフィス19が大気開閉バルブ18とは別に大気連通配管17に介装されているとして説明したが、大気開閉バルブ18自体にオリフィスが設けられていてもよい。すなわち、大気開閉バルブ18として、オリフィス付きのバルブが設けられていてもよい。
流量調整バルブは、図示はしないが、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。アクチュエータとして、電動モータやエアシリンダなどを採用することができる。また、流量調整バルブとして、ニードルバルブ、ダイヤフラムバルブ、バラフライバルブ等の種々の形式を採用できる。
また、固定オリフィス19や開度調整ユニット218が設けられてなくてもよい。この場合、第2の制御ユニット6が、大気開閉バルブ18の開放速度を低速とすることにより、有機溶剤タンク9の内部を徐々に大気解放させることを実現するようにしてもよい。
また、前述の実施形態では、有機溶剤供給装置3が複数の有機溶剤タンク9を備えている場合を例に挙げて説明したが、有機溶剤供給装置3は1つの有機溶剤タンク9のみを備えていてもよい。この場合、供給元の有機溶剤タンクを切り換える必要がないから、有機溶剤個別配管10および個別開閉バルブ14を廃止することができる。
また、前述の実施形態では、有機溶剤供給装置3から供給される有機溶剤としてIPAを例に挙げて説明したが、IPA以外に、メタノール、エタノール、アセトン、HFE(ハイドロフルオロエーテル)およびEG(エチレングリコール)などの有機溶剤を採用できる。
また、前述の実施形態では、処理対象となる基板Wとして半導体ウエハを取り上げたが、半導体ウエハに限らず、たとえば、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、FED用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
2 :処理ユニット
3 :有機溶剤供給装置(処理液供給装置)
4 :基板処理装置
6 :第2の制御ユニット
8 :有機溶剤ノズル(吐出部)
9 :有機溶剤タンク(処理液タンク)
10 :有機溶剤個別配管(個別配管)
11 :有機溶剤共通配管(共通配管)
13 :共通開閉バルブ
14 :個別開閉バルブ
15 :加圧ユニット
16 :圧力計
17 :大気連通配管
18 :大気開閉バルブ
19 :固定オリフィス(オリフィス)
22 :処理側配管(第2の処理液配管)
W :基板
Claims (10)
- 処理液を用いた処理を基板に施す処理ユニットに対して処理液を供給する処理液供給装置であって、
処理液を貯留する処理液タンクと、
前記処理ユニットと前記処理液タンクとを接続する第1の処理液配管と、
前記第1の処理液配管を開閉するための開閉ユニットと、
前記処理液タンクの内部の処理液を前記第1の処理液配管の内部に送り出すべく、当該処理液を気体で加圧する加圧ユニットと、
前記処理液タンクの内部の圧力を調整するための圧力調整ユニットと、
前記処理液タンクの内部の圧力を計測するための圧力計と、
前記処理液供給装置から前記処理ユニットへの処理液の供給を停止するために、前記開閉ユニットの閉成に先立って前記圧力調整ユニットを制御して、加圧状態にある前記処理液タンクの内部を徐々に大気開放させ、当該大気開放開始後に前記開閉ユニットを閉じる制御ユニットとを含み、
前記制御ユニットは、前記大気開放開始から所定時間が経過した時点における、前記圧力計の検出値が所定の閾値以上である場合に、前記処理液タンクの内部の圧力が大気圧まで下がった後に前記開閉ユニットを閉じる、処理液供給装置。 - 前記処理液タンクの内部と大気とを連通する大気連通配管をさらに含み、
前記圧力調整ユニットは、前記大気連通配管を開閉するための大気開閉バルブを含む、請求項1に記載の処理液供給装置。 - 前記大気連通配管にはオリフィスが設けられている、請求項2に記載の処理液供給装置。
- 前記処理液タンクの内部と大気とを連通する大気連通配管をさらに含み、
前記圧力調整ユニットは、前記大気連通配管の開度を調整する開度調整ユニットを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の処理液供給装置。 - 前記処理液タンクは複数の処理液タンクを含み、
前記第1の処理液配管は、各処理液タンクに接続された個別配管と、複数の個別配管のそれぞれと前記処理ユニットとを接続する共通配管とを含み、
前記開閉ユニットは、各個別配管を開閉する個別開閉バルブと、前記共通配管を開閉する共通開閉バルブとを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の処理液供給装置。 - 前記処理液タンクに貯留される処理液は、有機溶剤を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 処理液を用いた処理を基板に施す処理ユニットと、
前記処理ユニットに対して処理液を供給する処理液供給装置とを含む基板処理システムであって、
前記処理液供給装置は、
処理液を貯留する処理液タンクと、
前記処理ユニットと前記処理液タンクとを接続する第1の処理液配管と、
前記第1の処理液配管を開閉するための開閉ユニットと、
前記処理液タンクの内部の処理液を前記第1の処理液配管の内部に送り出すべく、当該処理液を気体で加圧する加圧ユニットと、
前記処理液タンクの内部の圧力を調整するための圧力調整ユニットと、
前記処理液供給装置から前記処理ユニットへの処理液の供給を停止するために、前記開閉ユニットの閉成に先立って前記圧力調整ユニットを制御して、加圧状態にある前記処理液タンクの内部を徐々に大気開放させ、当該大気開放開始後に前記開閉ユニットを閉じる制御ユニットとを含み、
前記処理ユニットは、
前記基板に供給すべき処理液を吐出するための吐出部と、
前記第1の処理液配管と前記吐出部とを接続する第2の処理液配管と、
前記第2の処理液配管を開閉するための処理液バルブとを含み、
前記制御ユニットは、前記第2の処理液配管から前記吐出部に対する処理液の供給を停止するために、前記処理液バルブを閉じ、その後に前記圧力調整ユニットを制御して前記処理液タンクの内部を減圧させる、基板処理システム。 - 前記処理液バルブは、前記開閉ユニットよりも上方に配置されている、請求項7に記載の基板処理システム。
- 前記処理液供給装置は、前記処理ユニットよりも階下に配置されている、請求項8に記載の基板処理システム。
- 処理液を貯留する処理液タンクと、処理液を用いた処理を基板に施す処理ユニットと前記処理液タンクとを接続する第1の処理液配管と、前記第1の処理液配管を開閉するための開閉ユニットと、前記処理液タンクの内部の処理液を前記第1の処理液配管の内部に送り出すべく、当該処理液を気体で加圧する加圧ユニットとを含む処理液供給装置において実行される処理液供給方法であって、
前記処理液供給装置から前記処理ユニットへの処理液の供給を停止するために、加圧状態にある前記処理液タンクの内部を徐々に大気開放させ、当該大気開放開始から所定時間が経過した時点における前記処理液タンクの内部の圧力が所定の閾値以上である場合に、前記処理液タンクの内部の圧力が大気圧まで下がった後に、前記開閉ユニットを閉じる、処理液供給方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015189918A JP6667241B2 (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | 処理液供給装置、基板処理システムおよび処理液供給方法 |
PCT/JP2016/069933 WO2017056617A1 (ja) | 2015-09-28 | 2016-07-05 | 処理液供給装置、基板処理システムおよび処理液供給方法 |
CN201680052890.8A CN108025335B (zh) | 2015-09-28 | 2016-07-05 | 处理液供给装置、基板处理系统及处理液供给方法 |
KR1020187006641A KR102184477B1 (ko) | 2015-09-28 | 2016-07-05 | 처리액 공급 장치, 기판 처리 시스템 및 처리액 공급 방법 |
TW105126375A TWI644344B (zh) | 2015-09-28 | 2016-08-18 | Processing liquid supply device, substrate processing system, and processing liquid supply method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015189918A JP6667241B2 (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | 処理液供給装置、基板処理システムおよび処理液供給方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017064582A JP2017064582A (ja) | 2017-04-06 |
JP6667241B2 true JP6667241B2 (ja) | 2020-03-18 |
Family
ID=58423303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015189918A Active JP6667241B2 (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | 処理液供給装置、基板処理システムおよび処理液供給方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6667241B2 (ja) |
KR (1) | KR102184477B1 (ja) |
CN (1) | CN108025335B (ja) |
TW (1) | TWI644344B (ja) |
WO (1) | WO2017056617A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210132276A (ko) * | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 액 처리 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11077461B2 (en) | 2017-06-15 | 2021-08-03 | The Boeing Company | Apparatus and methods for use in applying a fluid to a surface |
CN110197801A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-09-03 | 清华大学 | 一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备 |
CN110429046A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-11-08 | 清华大学 | 一种用于基板干燥的流体供给装置和基板干燥设备 |
CN110531794A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 液体压力控制装置和方法、清洗液供给机构 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000021703A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液送給方法および装置 |
JP3764280B2 (ja) * | 1998-09-22 | 2006-04-05 | シーケーディ株式会社 | 薬液供給システム |
JP2000173902A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004273984A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4421956B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2010-02-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2005040670A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Shibaura Mechatronics Corp | 塗布装置 |
JP4553256B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及びその制御方法 |
JP5854668B2 (ja) * | 2011-07-07 | 2016-02-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 気液混合流体生成装置、気液混合流体生成方法、処理装置及び処理方法 |
-
2015
- 2015-09-28 JP JP2015189918A patent/JP6667241B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-05 KR KR1020187006641A patent/KR102184477B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-05 WO PCT/JP2016/069933 patent/WO2017056617A1/ja active Application Filing
- 2016-07-05 CN CN201680052890.8A patent/CN108025335B/zh active Active
- 2016-08-18 TW TW105126375A patent/TWI644344B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210132276A (ko) * | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 액 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102184477B1 (ko) | 2020-11-30 |
JP2017064582A (ja) | 2017-04-06 |
KR20180031781A (ko) | 2018-03-28 |
CN108025335A (zh) | 2018-05-11 |
TW201714204A (zh) | 2017-04-16 |
WO2017056617A1 (ja) | 2017-04-06 |
TWI644344B (zh) | 2018-12-11 |
CN108025335B (zh) | 2021-03-19 |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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