CN113013050A - 晶片翘曲测量装置和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶片翘曲测量装置和方法，所述装置包括：加热部件，其用于加热晶片；加热控制器，用于控制加热部件的加热参数和/或状态；温度探测器，用于探测晶片、加热部件或晶片周围环境的温度；光源，用于产生探测光束；第一光学组件，用于基于探测光束获得平行入射光束；反射镜组，用于将平行入射光束进行反射形成第一入射光路和第二入射光路，以使平行入射光束分别沿两入射光路垂直于水平面到达晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置；光电探测器，用于探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束，基于两路光返回时间差确定晶片中央位置和晶片边缘位置的高度差，从而确定受热晶片的翘曲度。

Description

晶片翘曲测量装置和方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶片翘曲测量装置和方法。

背景技术

目前的半导体工艺中，经常需要在晶片的表面生长多层薄膜，这些膜层间的应力会导致晶片表面出现不同程度的翘曲。晶片的翘曲会影响器件的性能和良率，因此需要对生长有薄膜的晶片的翘曲度进行检测。

目前，在常温状态下测量整体晶片的翘曲度的仪器通常包括FRT公司(FriesResearch&Technology GmbH)的光学表面量测仪器(简称FRT仪器)和Tropel平坦度测量仪(简称Tropel仪器)。

当采用Tropel仪器进行量测时，如图1所示，光源10产生的一束光经分光镜20分成两束光：如图1中标号A、B和C所示的测试光和如图1中标号A＇、B＇和C＇所示的参考光，其中，参考光照射在平坦的参考面30，而测试光照射在样品晶片表面(测试面)40；参考光在参考面的反射光于测试光在测试面的反射光二者结合产生相长干涉或相消干涉，如来自图1中的亮条纹面(Light Fringe Planes)50的反射光和来自参考面的反射光产生相长干涉，来自图1中的暗条纹面(Dark Fringe Planes)60的反射光和来自参考面的反射光产生相消干涉，从而在成像器70上显示不同明暗度的干涉条纹图案，该图案被用来分析晶片表面平坦度变化。

高温条件下，伴随着晶片上外延层的生长，测量晶片局部的翘曲发生变化，常用仪器有DRT光学测量装置。如图2所示，衬底(晶片)放置在MOCVD(金属有机化学气相沉积)反应腔体1中进行外延生长，DRT光学测量装置设置在反应腔外部，可以通过反应腔体顶部的光学窗口101将激光束入射到衬底2薄膜表面。DRT光学测量装置进行量测时，半透半反镜4设置在激光器3的入射光路上，激光器3发射出的单波长或多波长激光透射穿过半透半反镜4后，通过光学窗口101入射到衬底薄膜表面，位置敏感光电探测器5设置在半透半反镜的反射光路上，从衬底薄膜表面反射的激光经过半透半反镜的反射后，进入位置敏感光电探测器，位置敏感光电探测器探测到激光的位移信息，送入控制器6计算得到翘曲率，随着衬底的旋转，就可以测量得到衬底薄膜上不同位置的翘曲率变化情况。在实际应用中，在MOCVD反应腔内，如图3所示，载台32上摆放不止一片晶片，在高速自转的情况下，DRT光学测量装置所量测的翘曲变化实际为多个晶片在一段弧线上(如图3中内圆圈所示)的位置处的翘曲的均值。

DRT光学测量装置的量测是伴随着外延层的生长，晶片表面量测后由于生长了外延层而发生变化，因此晶片量测过后不能再被用作其他用途，在一定程度上造成了晶片的浪费；而且，所测得的晶片翘曲变化受外延层的影响，并不能体现晶片自身在高温环境下的翘曲。此外，由于DRT光学测量装置所量测的翘曲变化实际为多个晶片的翘曲的均值，因此并不能体现晶片整体的翘曲变化。

因此，如何在高温条件下准确监测晶片的翘曲变化，从而使得后期能更准确预测其对外延层生长的影响，是一个有待解决的问题。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明实施例提供了一种晶片翘曲测量装置和方法，以在高温条件下实时监测晶片本身的翘曲变化，从而便于后期更准确预测其对外延层生长的影响。

本发明的一方面提供一种晶片翘曲测量装置，所述装置包括：

加热部件，其用于加热晶片；

加热控制器，其连接所述加热部件，用于控制所述加热部件的加热参数和/或状态；

温度探测器，用于探测所述晶片、加热部件或晶片周围环境的温度；

光源，用于产生激光探测光束；

第一光学组件，用于基于所述探测光束获得平行入射光束；

反射镜组，用于将所述平行入射光束进行反射形成第一入射光路和第二入射光路，以使得所述平行入射光束分别沿着所述第一入射光路和所述第二入射光路垂直于水平面到达所述晶片正面中央位置和所述晶片正面边缘位置；

光电探测器，用于探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的两路光束，记录两路光束返回时间，通过计算沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束的返回时间差确定晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置的高度差，从而基于所述高度差确定受热条件下晶片的翘曲度。

在本发明一实施例中，所述装置还包括：加热腔体；所述晶片、所述加热部件和所述温度探测器置于所述加热腔体内；所述加热腔体的上盖为允许光束透过的透明上盖。

在本发明一实施例中，所述加热腔体上具有气体通入口或气体排出口；在翘曲度测量过程的全程或部分阶段，所述加热腔内填充有保护性气体。

在本发明一实施例中，所述保护性气体为CO、N₂和/或H₂。

在本发明一实施例中，CO气体在所述温度探测器探测到恒温温度预定时间后开始填充到所述加热腔体内，N₂气体在晶片降温过程中被填充到所述加热腔体内。

在本发明一实施例中，所述第一光学组件为会聚透镜，用于将光源发出的光会聚为平行光；所述反射镜组包括第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜，平行入射光束沿所述第一入射光路经由所述第一反射镜垂直到达所述晶片正面中央位置，平行入射光束沿所述第二入射光路经由所述第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜垂直到达所述晶片正面边缘位置。

在本发明一实施例中，所述光源集成在所述光电探测器上，或者与所述光电探测器紧密并排设置。

在本发明一实施例中，所述光源发出的光为单一波长激光光束；所述加热部件置于晶片底部的承载台中，所述承载台为可旋转承载台。

在本发明一实施例中，所述承载台为石磨盘、铜盘或铁盘；所述承载台的形状为圆形、椭圆形或多边形。

在本发明一实施例中，所述加热控制器连接所述温度探测器，基于所述温度探测器探测的温度测量结果控制所述加热部件的加热操作。

在本发明一实施例中，所述晶片为蓝宝石、硅、锗、硅锗、碳化硅、氮化硅、氮化镓、氮化铝、绝缘体上硅、绝缘体上锗等材料或包含所述材料中至少一种的复合材料。

在本发明一实施例中，所述温度探测器置于所述晶片上方、与晶片平行的平面、加热部件外部且与加热部件平行的平面上、加热部件内部或加热部件下方。

本发明的另一方面，还提供一种晶片翘曲测量方法，该方法包括以下步骤：

加热晶片；

利用光源发出激光，基于发出的激光得到平行入射光束；

用多个光学组件基于所述平行入射光束形成第一入射光路和第二入射光路，以使得所述平行入射光束分别沿着所述第一入射光路和所述第二入射光路垂直于水平面到达所述晶片正面中央位置和所述晶片正面边缘位置；

在晶片被加热到不同温度的过程中，利用光电探测器探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的两路光束，记录两路光束返回时间，通过计算沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束的返回时间差确定晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置的高度差，从而基于所述高度差确定受热条件下晶片的翘曲度。

本发明的晶片翘曲测量和方法，能够准确地探测出晶片本身在不同受热条件下的翘曲度，从而能在高温条件下准确测量晶片的翘曲变化。这还进一步使得后期能将外延层生长导致的晶片翘曲度的变化和晶片翘曲度自身的变化都考虑在内，从而能在后续过程中更准确预测外延层生长对晶片翘曲度的影响。

本发明更进一步地实施例能够在晶片受热过程中采用保护性气体来防止晶片在高温下发生氧化反应等，保护了晶片，从而可以实现真正的无损测试。

本发明的附加优点、目的，以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述，且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显，或者可以根据本发明的实践而获知。本发明的目的和其它优点可以通过在说明书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。

本领域技术人员将会理解的是，能够用本发明实现的目的和优点不限于以上具体所述，并且根据以下详细说明将更清楚地理解本发明能够实现的上述和其他目的。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。附图中的部件不是成比例绘制的，而只是为了示出本发明的原理。为了便于示出和描述本发明的一些部分，附图中对应部分可能被放大，即，相对于依据本发明实际制造的示例性装置中的其它部件可能变得更大。在附图中：

图1为进行翘曲度测量的现有Tropel仪器的结构示意图。

图2为在高温下对生长了外延层的晶片进行翘曲度测量的现有DRT光学测量装置的结构示意图。

图3为现有DRT光学测量装置承载台上的晶片以及晶片翘曲度轨迹的示意图。

图4为本发明一实施例中晶片翘曲度计算的原理示意图。

图5为本发明一实施例中晶片翘曲测量装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施方式和附图，对本发明做进一步详细说明。在此，本发明的示意性实施方式及其说明用于解释本发明，但并不作为对本发明的限定。

在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。

为了在高温条件下实时监测晶片本身的翘曲度变化，准确预测其对外延层生长的影响，本发明实施例提供了一种晶片的无损翘曲测量装置。

图5为本发明一实施例中晶片翘曲测量装置的结构示意图，如图5所示，该装置包括：加热部件41、光源42、光电探测器43、调整光路的光学组件和温度探测器44。在本发明一些实施例中，为了在加热过程中为了防止热量快速散失，晶片翘曲测量装置还可包括加热腔体，晶片、加热部件和温度探测器可置于加热腔体内，此时加热腔体的上盖为允许光束透过的透明上盖，以使得光源42发出的光能够经光路到达晶片，也使得晶片反射后的光束能够经光路到达光电探测器43。

加热部件41用于加热晶片60。在本发明一些实施例中，加热部件可以是加热盘，该加热盘可以置于晶片底部的承载台中，成为承载台的一部分，如图5中所示。在本发明另一实施例中，加热部件也可以是置于加热腔体内壁的加热管。此外，加热部件还可以是其他通过直接接触的方式或热辐射的方式对晶片进行加热的加热单元。加热部件41可为自由放置在承载台表面的晶片提供设置的温度，该设置的温度可大于等于室温(27℃)，最高温度可达1100℃或更高，通过温度探测器44判断是否达到设置的温度。

加热控制器(图中未示出)连接加热部件41，用于控制加热部件的加热操作，例如控制加热部件的加热参数和/或状态。加热参数例如包括加热速率、加热时间以及加热的温度等参数，此处，加热的温度可以基于内置于加热部件中的温度传感器来确定，也可以基于温度探测器44测量的温度来确定。加热状态例如包括：开启或停止加热等，本发明并不限于此。

温度探测器44的目的是实时监测晶片表面或加热载台的温度。作为实现方式，温度探测器44可探测晶片60、加热部件或晶片周围环境的温度，作为指示晶片温度或加热载台温度的参数。在本发明一实施例中，温度探测器44可置于(如固定安装于)晶片上方、与晶片平行的平面、加热部件外部且与加热部件平行的平面上、加热部件内部或加热部件下方。为了量测的准确性，优选地距离晶片表面垂直距离≤1cm。

在本发明一实施方式中，加热控制器可连接温度探测器44，用于基于温度探测器44的温度测量结果自动控制加热部件的加热操作。

光源42用于产生探测光束。在本发明一实施例中，光源为产生单一波长的激光光源，即产生的探测光束为激光光束。第一光学组件用于基于光源42产生的探测光束获得平行入射光束(用于入射到晶片上)，在本发明一实施例中，第一光学组件可为至少一个会聚透镜，用于将光源42产生的发散光束会聚为平行光束。光源42也可以是一个光源，也可以是两个光源，用于产生2路平行的光束。

反射镜组用于将平行入射光束进行反射形成第一入射光路和第二入射光路，以使得平行入射光束分别沿着第一入射光路和第二入射光路垂直于水平面到达晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置。在本发明一实施例中，反射镜组可包括第一反射镜51、第二反射镜52和第三反射镜53。平行入射光束沿第一入射光路经由第一反射镜51垂直到达晶片正面中央位置61，平行入射光束沿所述第二入射光路经由所述第一反射镜51、第二反射镜52和第三反射镜53垂直到达晶片正面边缘位置62。

光电探测器43用于探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束，记录光束返回时间，通过计算沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束的返回时间差确定晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置的高度差(位移差)，从而基于该高度差可确定受热晶片的翘曲度，更具体地，该高度差就可以视为受热晶片的翘曲度(bow)，基于确定的翘曲度，进一步可以计算晶片翘曲形成的弧度的曲率半径。虽然在高温下晶片会产生翘曲，但实际上产生翘曲的程度非常小，图4和图5中仅仅是为了示意而夸大了翘曲程度。由于晶片实际因高温而产生的翘曲比较轻微，因此，晶片正面边缘处仍然大致上垂直于经第二入射光路到达的光束，因此，从晶片正面边缘处反射的光束的一部分仍能沿第二入射光路的原路返回。沿第一入射光路和第二入射光路只要有光能原路返回，光电探测器43就探测到并获得两路光束的返回时间并确定返回时间差，从而基于返回时间差得到翘曲的晶片边缘处相对于晶片中心的高度差，进一步得到受热条件下晶片的翘曲度。在本发明优选实施例中，光电探测器43可以是位置敏感光电探测器，其可以敏锐地捕捉反射回来的光信号，与光电探测器43相连的或内置在光电探测器43中的控制单元会记录光信号捕捉时间，并计算翘曲度和曲率半径。

如图4所示，第二反射镜52和第三反射镜53之间的距离被设置为X1，第二反射镜52和第三反射镜53到晶片表面的距离为X2，晶片60的直径为D。在这种情况下，从晶片正面中央位置反射的沿第一入射光路返回的光束和从晶片正面边缘位置反射的沿第二入射光路返回的光束存在位移差，或者说存在返回时间差。该位移差为：ΔX＝X2-X1，该位移差即为受热晶片的翘曲度(bow)。确定了晶片的翘曲度，晶片翘曲形成的弧度的半径可以基于以下公式计算出：

即，

其中，R为翘曲的晶片的曲率半径，K为曲率，D为晶片的直径。

本发明实施例中，光电探测器43基于探测到的两路光束的返回时间差可以确定ΔX，即翘曲度。进一步地，可以基于翘曲度计算得到晶片的曲率半径R和曲率K。

在本发明一些实施例中，通过测量不同温度下晶片的翘曲度，可以准确地得到晶片翘曲度随温度、加热时间等参数的变化。

在本发明一实施例中，晶片的承载台可由机械臂控制，从而可在机械臂的控制下根据设置的轨迹进行匀速稳定的移动。在承载台能够移动的情况下，该翘曲测量装置的在台上可以安装多片晶片，从而可以随着承载台的移动，可以依次测量多个晶片在受热条件下翘曲度的变化，从而可以更高效地得到更具有统计学意义上的数据。

在本发明另一实施例中，晶片的承载台安装有转动机构从而可以旋转，这样，就可以在测量同一受热的晶片的翘曲度的过程中通过转动承载台来测试晶片不同边缘位置对应的翘曲度结果。在承载台能够转动的情况下，承载台上也可以安装多片晶片，由此可以通过转动承载台来依次测量多个晶片在受热条件下翘曲度的变化，从而可以更高效地得到更具有统计学意义上的数据。

此外，承载台的材料可以是石墨盘、铜盘或铁盘等，但本发明不限于此，还可以是其他耐热的材质，可以考虑晶片要被加热到的温度等因素来确定。本发明实施例中，承载台的形状可以圆形、椭圆形或多边形等，如矩形、三角形、六边形等，但本发明并不限于此。

在本发明一些实施例中，为了防止在高温下晶片被氧化，可以在在翘曲度量测过程的全程或部分阶段，在加热腔内填充有保护性气体。此时，加热腔体上具有气体通入口或气体排出口，以通过气体通入口向加热腔内填充保护性气体，并在需要释放气体时通过气体排出口排出气体。

在本发明一些实施例中，保护性气体为CO、N₂和/或H₂，但并不限于此，还可以是其他的惰性气体或者不会氧化晶片的气体。作为示例，CO气体可以在温度探测器探测到晶片在恒温温度下预定时间(如1.5小时，仅为举例)后开始填充到加热腔体内，CO气体可还原在退火过程中氧化的杂质金属元素。N₂和/或H₂气体可在晶片降温过程中被填充到加热腔体内，其中，H₂和N₂的作用类似，不参与还原反应，且可以防止晶片氧化。通过在翘曲度测量过程的全程或部分阶段在加热腔体内填充有保护性气体，可防止晶片在高温下发生氧化，避免了晶片发生变色等不良以至于量测后无法继续使用的情况。

在本发明实施例中，由于光电探测器从探测的是光源发出到晶片并从晶片原路返回，因此优选地将光源集成在光电探测器上，或者将光源与光电探测器紧密并排设置，以使得光电探测器离光源足够近，从而能够探测到返回的光束。

本发明实施例中可使用于本发明的晶片翘曲度量测设备上的晶片材料包含且不限于蓝宝石、硅、锗、硅锗、碳化硅、氮化硅、氮化镓、氮化铝、绝缘体上硅、绝缘体上锗等材料等或含有这些材料中至少一种的复合材料。

本发明实施例的翘曲度测量装置在晶片受热的条件下测量翘曲度时，晶片背面处于自由状态，不存在吸盘吸附晶片造成晶片的微小形变。

本发明实施例的翘曲度量测装置通过在高温条件下准确监测晶片的翘曲变化，从而使得后期在晶片上外延生长是能将晶片本身对翘曲度的影响和外延层对晶片翘曲度的影响区分开，从而能更准确预测翘曲度对外延层生长的影响。

本发明实施例通过在翘曲度量测仪器中添加了加热载台、加热控制器和温度测量仪，并采用适合在高温条件下量测的光源，保证了高温条件下与常温状态下同等或更高的量测精确度。其次，通过在加热腔内填充保护性气体可防止晶片在高温条件下发生化学反应，实现了无损测试。

与上述装置相应地，本发明还提供了一种晶片翘曲测量方法，该方法包括以下步骤：

(1)加热晶片；

(2)利用光源发出激光，基于发出的激光得到平行入射光束；

(3)用多个光学组件基于平行入射光束形成第一入射光路和第二入射光路，以使得平行入射光束分别沿着第一入射光路和所述第二入射光路垂直于水平面到达晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置；

(4)在晶片被加热到不同温度的过程中，利用光电探测器探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束，记录光束返回时间，通过计算沿第一入射光路和第二入射光路返回的两道光束的返回时间差确定晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置的高度差，并基于该高度差得到受热条件下晶片的翘曲度。

需要明确的是，本发明并不局限于上文所描述并在图中示出的特定配置和处理。为了简明起见，这里省略了对已知方法的详细描述。在上述实施例中，描述和示出了若干具体的步骤作为示例。但是，本发明的方法过程并不限于所描述和示出的具体步骤，本领域的技术人员可以在领会本发明的精神后，作出各种改变、修改和添加，或者改变步骤之间的顺序。

本发明中，针对一个实施方式描述和/或例示的特征，可以在一个或更多个其它实施方式中以相同方式或以类似方式使用，和/或与其他实施方式的特征相结合或代替其他实施方式的特征。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明实施例可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种晶片翘曲测量装置，其特征在于，所述装置包括：

加热部件，其用于加热晶片；

加热控制器，其连接所述加热部件，用于控制所述加热部件的加热参数和/或状态；

温度探测器，用于探测所述晶片、加热部件或晶片周围环境的温度；

光源，用于产生激光探测光束；

第一光学组件，用于基于所述探测光束获得平行入射光束；

反射镜组，用于将所述平行入射光束进行反射形成第一入射光路和第二入射光路，以使得所述平行入射光束分别沿着所述第一入射光路和所述第二入射光路垂直于水平面到达所述晶片正面中央位置和所述晶片正面边缘位置；

光电探测器，用于探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的两路光束，以记录两路光束返回时间，并通过计算沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束的返回时间差确定晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置的高度差，从而基于所述高度差确定受热条件下晶片的翘曲度。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

加热腔体；所述晶片、所述加热部件和所述温度探测器置于所述加热腔体内；

所述加热腔体的上盖为允许光束透过的透明上盖。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述加热腔体上具有气体通入口或气体排出口；

在翘曲度测量过程的全程或部分阶段，所述加热腔内填充有保护性气体。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述保护性气体为CO、N₂和/或H₂。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，CO气体在所述温度探测器探测到恒温温度预定时间后开始填充到所述加热腔体内，N₂气体在晶片降温过程中被填充到所述加热腔体内。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述第一光学组件为会聚透镜，用于将光源发出的光会聚为平行光；

所述反射镜组包括第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜，平行入射光束沿所述第一入射光路经由所述第一反射镜垂直到达所述晶片正面中央位置，平行入射光束沿所述第二入射光路经由所述第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜垂直到达所述晶片正面边缘位置。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述光源集成在所述光电探测器上，或者与所述光电探测器紧密并排设置。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述光源发出的光为单一波长激光光束；

所述加热部件置于晶片底部的承载台中，所述承载台为可旋转承载台。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，

所述承载台为石磨盘、铜盘或铁盘；

所述承载台的形状为圆形、椭圆形或多边形。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述加热控制器连接所述温度探测器，基于所述温度探测器探测的温度测量结果控制所述加热部件的加热操作。

11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述晶片为蓝宝石、硅、锗、硅锗、碳化硅、氮化硅、氮化镓、氮化铝、绝缘体上硅、绝缘体上锗等材料或包含所述材料中至少一种的复合材料。

12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述温度探测器置于所述晶片上方、与晶片平行的平面、加热部件外部且与加热部件平行的平面上、加热部件内部或加热部件下方。

13.一种晶片翘曲测量方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

加热晶片；

利用光源发出激光，基于发出的激光得到平行入射光束；

用多个光学组件基于所述平行入射光束形成第一入射光路和第二入射光路，以使得所述平行入射光束分别沿着所述第一入射光路和所述第二入射光路垂直于水平面到达所述晶片正面中央位置和所述晶片正面边缘位置；

在晶片被加热到不同温度的过程中，利用光电探测器探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的两路光束，以记录两路光束返回时间，并通过计算沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束的返回时间差确定晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置的高度差，从而基于所述高度差确定受热条件下晶片的翘曲度。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

基于确定的翘曲度计算受热晶片翘曲形成的弧度的曲率半径。

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