CN111564398B - 半导体处理装置及处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体处理装置及处理方法，所述处理装置，包括：工艺腔室；位于工艺腔室中的载台，用于放置待进行工艺处理的晶圆；加热单元，用于在进行工艺处理时对所述载台上的晶圆进行加热；晶圆翘曲度测量单元，用于测量载台上进行工艺处理时的晶圆的翘曲度；控制单元，用于判断翘曲度是否大于设定阈值，当翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理。通过该处理装置，可以实时监测工艺处理过程中，特别是高温工艺处理过程中的晶圆的翘曲度，及时作出相应的处理，提高晶圆翘曲度监测的准确性，防止晶圆在高温工艺处理过程中由于翘曲度过大而碎裂，并有利于工艺人员及时对工艺进行改进或优化。

Description

半导体处理装置及处理方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体处理装置及处理方法。
背景技术
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的3D NAND存储器。
现有的3D NAND存储器的制作过程中通常要在晶圆表面上形成很厚的隔离层和牺牲层交替层叠的堆叠结构，比如氧化硅层和氮化硅层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构中会产生较大的应力，较大的应力会使得晶圆发生翘曲，一般堆叠结构的层数越多，造成晶圆的翘曲度会越大。晶圆翘曲会对于很多半导体工艺造成困扰，其不仅容易带来晶圆在工艺过程中碎裂，而且会影响相关工艺的准确度以及大量各种工艺缺陷。
现有虽然有对晶圆的翘曲度进行监测的手段，但都是在线下在室温下对晶圆进行翘曲度测量获得，该监测的手段并不准确。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是怎样提高晶圆翘曲度监测的准确性。
本发明提供了一种半导体处理装置，包括：
工艺腔室；
位于工艺腔室中的载台，用于放置待进行工艺处理的晶圆；
加热单元，用于在进行工艺处理时对所述载台上的晶圆进行加热；
晶圆翘曲度测量单元，用于测量载台上进行工艺处理时的晶圆的翘曲度；
控制单元，用于判断翘曲度是否大于设定阈值，当翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理，或者用于控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。
可选的，所述半导体处理装置还包括温度检测单元，所述温度检测单元用于检测晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处以及该位置周围的温度分布，所述控制单元根据温度分布控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。
可选的，所述加热单元包括主加热单元和辅助加热单元，所述主加热单元用于在工艺处理时对所述载台上的晶圆进行加热以及在晶圆的翘曲度大于设定阈值需要降温时降低所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处的温度，所述辅助加热单元用于在晶圆的翘曲度大于设定阈值需要加热时，对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处进行定向加热。
可选的，所述辅助加热器能移动或旋转，以对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处进行定向加热。
可选的，所述主加热单元进行加热为接触式加热或辐射加热，所述辅助加热器进行加热为激光加热。
可选的，所述工艺处理包括化学气相沉积。
可选的，在对载台上晶圆的进行化学气相沉积时，同时对载台上的晶圆进行加热。
可选的，所述工艺腔室中还具有喷淋头，所述喷淋头用于向工艺腔室中供入用于化学气相沉积的工艺气体；当当翘曲度大于设定阈值时，所述控制单元控制喷淋头停止向工艺腔室中供入工艺气体，同时控制所述加热单元停止对晶圆进行加热。
可选的，所述晶圆翘曲度测量单元包括激光发射器和光探测器，所述激光发射器用于向载台上的晶圆表面发射检测激光，所述光探测器用于接收晶圆表面反射的激光并成像，获得晶圆的翘曲度。
可选的，所述翘曲度包括晶圆的曲率，所述晶圆的曲率通过曲率半径衡量；所述控制单元通过判断曲率半径是否大于设定阈值，当曲率半径大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理。
可选的，当工艺腔室中具有喷淋头时，所述喷淋头设置于所述工艺腔室的顶部表面，所述激光发射器位于喷淋头的表面，所述光探测器位于喷淋头表面或者工艺腔室侧壁表面。
可选的，所述激光发射器的数量为多个，所述多个激光发射器均匀的分布在所述喷淋头的表面。
可选的，所述曲率包括曲率半径。
本发明还提供了一种采用前述所述的半导体处理装置进行半导体处理的方法，包括：
将晶圆置于工艺腔室中的载台上；
对所述载台上的晶圆进行工艺处理，在工艺处理的过程中同时对晶圆进行加热；
在对晶圆进行工艺处理时，测量所述载台上的晶圆的翘曲度，获得晶圆的翘曲度；
判断翘曲度是否大于设定阈值，当翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理。
与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：
本发明的半导体处理装置，包括：工艺腔室；位于工艺腔室中的载台，用于放置待进行工艺处理的晶圆；加热单元，用于在进行工艺处理时对所述载台上的晶圆进行加热；晶圆翘曲度测量单元，用于测量载台上进行工艺处理时的晶圆的翘曲度；控制单元，用于判断翘曲度是否大于设定阈值，当翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理，或者用于控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。通过前述半导体处理装置，可以实时监测工艺处理过程中，特别是高温工艺处理过程中的晶圆的翘曲度，及时作出相应的处理，提高晶圆翘曲度监测的准确性，防止晶圆在高温工艺处理过程中由于翘曲度过大而碎裂，并有利于工艺人员及时对工艺进行改进或优化(包括对晶圆进行相应的处理以减小或消除翘曲度)。或者通过前述半导体处理装置，当所述翘曲度大于设定阈值时，控制单元控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值，防止工艺过程中晶圆由于应力过大碎裂。
本发明的半导体处理的方法，包括：将晶圆置于工艺腔室中的载台上；对所述载台上的晶圆进行工艺处理，在工艺处理的过程中同时对晶圆进行加热；在对晶圆进行工艺处理时，测量所述载台上的晶圆的翘曲度，获得晶圆的翘曲度；判断翘曲度是否大于设定阈值，当翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理，或者对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。通过前述半导体处理方法，可以实时监测工艺处理过程中，特别是高温工艺处理过程中的晶圆的翘曲度，及时作出相应的处理，提高晶圆翘曲度监测的准确性，防止晶圆在高温工艺处理过程中由于翘曲度过大而碎裂，并有利于工艺人员及时对工艺进行改进或优化(包括对晶圆进行相应的处理以减小或消除翘曲度)。或者通过前述半导体处理方法，当所述翘曲度大于设定阈值时，对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值，防止工艺过程中晶圆由于应力过大碎裂。
附图说明
图1-图3为本发明实施例半导体处理装置的结构示意图；
图4为本发明第二实施例半导体处理方法的流程示意图。
具体实施方式
如背景技术所言，现有虽然有对晶圆的翘曲度进行监测的手段，但都是在线下在室温下对晶圆进行翘曲度测量获得，该监测的手段并不准确。
研究发现，现有对晶圆的翘曲度的检测均是在半导体装置中在对晶圆进行相关的半导体处理工艺(比如沉积、刻蚀、研磨等)后进行，翘曲度的测量也是在室温下进行，这种监测手段不能准确的反应晶圆在工艺处理过程中的实际的翘曲情况，具体的某些半导体处理工艺存在高温加热过程，再这样的半导体处理工艺中，晶圆的翘曲度会变大，而在半导体处理工艺后，晶圆恢复到常温，晶圆的翘曲度会变小，此时晶圆翘曲度测量获得晶圆的翘曲度会明显小于半导体处理工艺时的晶圆的翘曲度，使得监测的结构不准确，使得晶圆在进行下一步工艺时容易碎片或者带来更多的缺陷，并且不利于工艺人员及时对工艺进行改进或优化。
为此，本发明提供了一种半导体处理装置及处理方法，其中所述半导体处理装置，包括：工艺腔室；位于工艺腔室中的载台，用于放置待进行工艺处理的晶圆；加热单元，用于在进行工艺处理时对所述载台上的晶圆进行加热；晶圆翘曲度测量单元，用于测量载台上进行工艺处理时的晶圆的翘曲度；控制单元，用于判断翘曲度是否大于设定阈值，当翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理，或者用于控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。通过前述半导体处理装置，可以实时监测工艺处理过程中，特别是高温工艺处理过程中的晶圆的翘曲度，及时作出相应的处理，提高晶圆翘曲度监测的准确性，防止晶圆在高温工艺处理过程中由于翘曲度过大而碎裂，并有利于工艺人员及时对工艺进行改进或优化(包括对晶圆进行相应的处理以减小或消除翘曲度)。或者通过前述半导体处理装置，当所述翘曲度大于设定阈值时，控制单元控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值，防止工艺过程中晶圆由于应力过大碎裂。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
参考图1，本发明实施例提供了一种半导体处理装置，包括：
工艺腔室100；
位于工艺腔室100中的载台101，用于放置待进行工艺处理的晶圆111；
加热单元102，用于在进行工艺处理时对所述载台101上的晶圆111进行加热；
晶圆翘曲度测量单元104，用于测量载台上进行工艺处理时的晶圆的翘曲度；
控制单元105，用于判断所述翘曲度是否大于设定阈值，当所述翘曲度大于设定阈值时，停止对载台101上的晶圆111进行工艺处理，或者用于控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。
所述工艺腔室100为能对晶圆进行相关的工艺处理所采用的腔室。所述工艺腔室100可以为密封腔室，通过相关调节机构可以对工艺腔室中的真空度进行调节。
本实施例中，所述工艺腔室100中进行工艺处理包括化学气相沉积，所述化学气相沉积可以包括等离子体增强化学气相淀积、大气压化学气相淀积、低压化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积，通过化学气相沉积可以在工艺腔室100中的载台101上放置的晶圆111的表面形成各种膜层。所述膜层包括各种介质膜层，掩膜层，牺牲层，多晶硅层或金属层等。在具体的实施例中，在进行3DNAND的制作过程中，通过化学气相沉积工艺在晶圆表面形成隔离层和牺牲层交替堆叠的堆叠结构，所述隔离层的材料为氧化硅，所述牺牲层的材料为氮化硅。在其他的实施例中，所述工艺腔室100中进行工艺处理可以为刻蚀工艺。
所述载台101用于在工艺处理时支撑和固定晶圆111。所述晶圆111可以通过相关的传送结构从工艺腔室100外传送到工艺腔室100中的载台101上。所述晶圆111的材料可以为硅(Si)、锗(Ge)、或硅锗(GeSi)、碳化硅(SiC)；也可以是绝缘体上硅(SOI)，绝缘体上锗(GOI)；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物。本实施中，所述晶圆111的材料为硅。
在一实施例中，所述加热单元102包括主加热单元1021和辅助加热单元 1022，所述主加热单元1021用于在工艺处理时对所述载台101上的晶圆111 进行加热以及在晶圆的翘曲度大于设定阈值需要降温时降低所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处的温度，所述辅助加热单元1022用于在晶圆的翘曲度大于设定阈值需要加热时，对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处进行定向加热。所述主加热单元1021为对晶圆进行相应的工艺(比如沉积工艺) 时的主加热结构，用于在对晶圆进行工艺处理时对晶圆进行快速和大面积的加热。所述主加热单元1021进行加热为接触式加热或辐射加热。本实施例中，所述主加热单元1021位于载台101中，主加热单元1021的加热表面与载台101 的表面为同一表面，主加热单元1021对晶圆加热为接触式加热，所述主加热单元1021可以包括多个子加热单元，所述自加热单元可以单独进行控制(比如控制加热或降温)，所述接触式加热具体可以为电加热丝。
所述辅助加热单元1022设置于工艺腔室100的顶部或侧壁，所述辅助加热器1022能移动或旋转，以对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处进行定向加热，通过辅助加热单元1022可以对需要加热的位置进行快速和准确的加热，以使得晶圆翘曲度大于设定位置处的翘曲度能快速和准确的减小。在一实施例中，所述辅助加热单元1022包括激光加热器。
在一实施例中，所述半导体处理装置还包括温度检测单元(图中未示出)，所述温度检测单元用于检测晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处以及该位置周围的温度分布，所述控制单元105根据温度分布控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。具体的，所述控制单元105根据晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处温度分布的均匀性控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热或降温，或者同时进行加热和降温。所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行降温通过主加热单元1021进行，所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热通过辅助加热单元 1022进行。
在进行工艺处理时，所述加热单元102中的主加热单元1021可以将载台 101上的晶圆加热到50摄氏度-650摄氏度，高温可以为500摄氏度-650摄氏度，在高温下，晶圆的翘曲度相对于工艺处理之前或之后(常温下)的翘曲度会增大很多，因而通过本申请的半导体处理装置，可以实时监测工艺处理过程中，特别是高温工艺处理过程中的晶圆的翘曲度，当所述翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理，半导体处理装置及时作出相应的处理，提高晶圆翘曲度监测的准确性，防止晶圆在高温工艺处理过程中由于翘曲度过大而碎裂，并有利于工艺人员及时对工艺进行改进或优化(包括对晶圆进行相应的处理以减小或消除翘曲度)。或者通过半导体处理装置，当所述翘曲度大于设定阈值时，控制单元控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值，防止工艺过程中晶圆由于应力过大碎裂。
本实施例中，所述工艺腔室100用于进行的工艺处理为化学气相沉积，所述工艺腔室100中还具有喷淋头103，所述喷淋头103用于向工艺腔室中供入用于化学气相沉积的工艺气体。所述喷淋头103可以同时或者不同时向工艺腔室100中通入一种或多种工艺气体，也可以向工艺腔室100中通入混合工艺气体。在具体的实施例中，比如通过化学气相沉积工艺在晶圆111上形成氧化硅层时，通过喷淋头103可以向工艺腔室中通入硅源气体(比如硅烷)和氧源气体(比如氧气或臭氧)。具体的实施例中，所述喷淋头103可以设置与工艺腔室100的顶壁表面上。
本实施例中，在对载台101上的进行化学气相沉积，在晶圆的表面形成膜层时，所述加热单元102同时对载台101上的晶圆111进行加热。
所述晶圆翘曲度测量单元104可以通过光学的手段或者其他合适的手段对晶圆的翘曲度进行测量。在一实施例中，请结合参考图1-图2，所述晶圆翘曲度测量单元104包括激光发射器1041(参考图2)和光探测器1043(参考图2)，所述激光发射器1041用于向载台101上的晶圆111表面发射检测激光，所述光探测器1043用于接收晶圆111表面反射的激光并成像，获得晶圆111的翘曲度。
在一实施例中，在进行翘曲度的测量时，所述激光发射器1041和光探测器1043保持不动，通过移动载台101使得晶圆移动进行翘曲度的测量。
在另一实施例中，所述激光发射器1041和光探测器1043可以沿预设路径进行移动，例如环绕晶圆的圆心的环形移动，所述环形的半径可调节。由此，可以得到整个晶圆表面的翘曲度信息。当需要重点观测某一部位的晶圆翘曲度时，也可将所述激光发射器1041和光探测器1043移动到相应位置实时观测。
所述翘曲度包括晶圆的曲率，所述晶圆的曲率通过曲率半径衡量，具体的采用激光测量晶圆111的翘曲度时，所述曲率半径通过下述公式进行计算： R＝2L(dz/dx)-1，其中R表示曲率半径，L表示晶圆111表面到光探测器1043 之间的光程，dx表示进行测量时晶圆111在x方向的移动距离，dz表示晶圆移动dx时，相应的光探测器1043上的检测光斑的移动距离。
需要说明的是，晶圆翘曲度除了采用前述测量方法，还可以采用其他现有的测量方法。
所述晶圆翘曲度测量单元104获得的翘曲度包括代表整个晶圆表面翘曲程度的翘曲度和晶圆某一位置的翘曲度，所述控制单元在晶圆翘曲度测量单元 104获取翘曲度的同时，记录相应的翘曲度对应的晶圆的位置。
在一实施例中，所述晶圆翘曲度测量单元104还可以包括光学单元1042，用于将晶圆111表面反射的激光汇聚或聚焦到光探测器1043。
在具体的实施例中，所述激光发射器1041可以设置于喷淋头103的表面，所述光探测器1043和光学单元1042也可以设置于喷淋头表面或者工艺腔室侧壁表面。
在一实施例中，所述激光发射器1041的数量可以为多个(≥2个)，所述多个激光发射器均匀的分布在所述喷淋头103的表面，以提高晶圆翘曲度检测的准确度，参考图3，以具有激光发射器1041具有5个作为示例，一个激光发射器1041位于喷淋头103的中心表面，其他四个激光发射器1041位于喷淋头 103的四周表面。
所述晶圆翘曲度测量单元104在测量获得载台上进行工艺处理时的晶圆的翘曲度后，所述晶圆翘曲度测量单元104可以将翘曲度发送给控制单元105或者控制单元105从晶圆翘曲度测量单元104中读取获得的翘曲度，所述控制单元105，判断翘曲度是否大于设定阈值，当翘曲度大于设定阈值时，停止对载台101上的晶圆111进行工艺处理，或者用于控制所述加热单元102对所述晶圆11的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。需要说明的是，当翘曲度小于或等于设定阈值时，不停止对晶圆111进行工艺处理。
在具体的实施例中，所述设定阈值可以设定在控制单元105中。所述设定阈值具体可以根据测量获得、通过实验获得或者通过经验获得。
在一实施例中，当当翘曲度大于设定阈值时，所述控制单元105停止对载台101上的晶圆111进行工艺处理的过程可以包括：所述控制单元控制喷淋头停止向工艺腔室中供入工艺气体，同时控制所述加热单元停止对晶圆进行加热。
本发明另一实施例还提供了前述所述的半导体处理装置进行半导体处理的方法，参考图4，包括步骤：
步骤S201，将晶圆置于工艺腔室中的载台上；
步骤S202，对所述载台上的晶圆进行工艺处理，在工艺处理的过程中同时对晶圆进行加热；
步骤S203，在对晶圆进行工艺处理时，测量所述载台上的晶圆的翘曲度，获得晶圆的翘曲度；
步骤S204，判断翘曲度是否大于设定阈值，当翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理，或者对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种半导体处理装置，其特征在于，包括：
工艺腔室；
位于工艺腔室中的载台，用于放置进行工艺处理过程中的晶圆；
加热单元，用于在进行工艺处理时对所述载台上的晶圆进行加热；
晶圆翘曲度测量单元，用于测量载台上进行工艺处理时的晶圆的翘曲度；控制单元，用于判断所述翘曲度是否大于设定阈值，当所述翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理，或者用于控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。
2.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置还包括温度检测单元，所述温度检测单元用于检测晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处以及该位置周围的温度分布，所述控制单元根据温度分布控制所述加热单元对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。
3.如权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述加热单元包括主加热单元和辅助加热单元，所述主加热单元用于在工艺处理时对所述载台上的晶圆进行加热以及在晶圆的翘曲度大于设定阈值需要降温时降低所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处的温度，所述辅助加热单元用于在晶圆的翘曲度大于设定阈值需要加热时，对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处进行定向加热。
4.如权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述辅助加热单元能移动或旋转，以对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置处进行定向加热。
5.如权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述主加热单元进行加热为接触式加热或辐射加热，所述辅助加热单元进行加热为激光加热。
6.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述工艺处理包括化学气相沉积。
7.如权利要求6所述的半导体处理装置，其特征在于，在对载台上晶圆的进行化学气相沉积时，同时对载台上的晶圆进行加热。
8.如权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述工艺腔室中还具有喷淋头，所述喷淋头用于向工艺腔室中供入用于化学气相沉积的工艺气体；当翘曲度大于设定阈值时，所述控制单元控制喷淋头停止向工艺腔室中供入工艺气体，同时控制所述加热单元停止对晶圆进行加热。
9.如权利要求1或8所述的半导体处理装置，其特征在于，所述晶圆翘曲度测量单元包括激光发射器和光探测器，所述激光发射器用于向载台上的晶圆表面发射检测激光，所述光探测器用于接收晶圆表面反射的激光并成像，获得晶圆的翘曲度。
10.如权利要求9所述的半导体处理装置，其特征在于，所述翘曲度包括晶圆的曲率，所述晶圆的曲率通过曲率半径衡量；所述控制单元通过判断曲率半径是否大于设定阈值，当曲率半径大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理。
11.如权利要求9所述的半导体处理装置，其特征在于，当工艺腔室中具有喷淋头时，所述喷淋头设置于所述工艺腔室的顶部表面，所述激光发射器位于喷淋头的表面，所述光探测器位于喷淋头表面或者工艺腔室侧壁表面。
12.如权利要求11所述的半导体处理装置，其特征在于，所述激光发射器和光探测器的数量均为多个，多个所述激光发射器均匀的分布在所述喷淋头的表面。
13.如权利要求9所述的半导体处理装置，光发射器和光探测器的数量为一个，所述光发射器和光探测器沿预设路径进行移动，测量晶圆不同位置的翘曲度。
14.一种采用权利要求1-13任一项所述的半导体处理装置进行半导体处理的方法，其特征在于，包括：
将晶圆置于工艺腔室中的载台上；
对所述载台上的晶圆进行工艺处理，在工艺处理的过程中同时对晶圆进行加热；
在对晶圆进行工艺处理时，测量所述载台上的晶圆的翘曲度，获得晶圆的翘曲度；
判断翘曲度是否大于设定阈值，当翘曲度大于设定阈值时，停止对载台上的晶圆进行工艺处理，或者对所述晶圆的翘曲度大于设定阈值的位置进行加热和/或降温，直至所述位置的翘曲度小于设定阈值。
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