JP6272743B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 116
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 32
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 122
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
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Description
第1の実施形態について図1乃至図4を参照して説明する。なお、第1の実施形態では、基板処理装置の一例として成膜装置について説明する。
第2の実施形態について図5を参照して説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(窓2aの構造)について説明し、その他の説明は省略する。
次に、第2の実施形態に係るガス孔H1の位置の変形例1及び2について図6及び図7を参照して説明する。
なお、前述の第1及び第2の実施形態においては、照射部10aとして、レーザ光出力部やビームスプリッタ、ミラーなどにより、並行な第1のレーザ光L1及び第2のレーザ光L2を生成しているが、これに限るものではなく、例えば、二個のレーザ光出力部を用いて、並行な第1のレーザ光L1及び第2のレーザ光L2を生成することも可能である。
2 チャンバ
2a 窓
3 ガス供給部
3a ガス貯留部
3b ガス管
3c ガスバルブ
4 シャワープレート
4a ガス供給流路
4b ガス吐出孔
5 サセプタ
5a 開口部
6 回転部
6a 円筒部
6b 回転体
6c シャフト
7 ヒータ
7a 配線
8 ガス排出部
9 排気機構
9a ガス排気流路
9b 排気バルブ
9c 真空ポンプ
10 曲率測定装置
10a 照射部
10b 検出部
10c 算出部
11 制御部
12 報知部
A1 入射点
A2 入射点
H1 ガス孔
L1 第1のレーザ光
L2 第2のレーザ光
M1 受光面
W 基板
Claims (5)
- 処理対象の基板が導入される処理室と、
前記処理室の壁面に設けられた長尺状の窓と、
前記処理室の外部に設けられ、前記長尺状の窓を介して前記処理室内の前記基板に、第1のレーザ光及び第2のレーザ光を、前記窓に対する前記第1のレーザ光の入射点及び前記第2のレーザ光の入射点が前記窓の長手方向に沿って並ぶように照射する照射部と、
前記基板により反射されて前記窓を通過した前記第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光を受光する受光面を有し、前記受光面における前記第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光の入射位置を検出する検出部と、
前記検出部により検出された前記第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光の相対位置を用いて前記基板の曲率を算出する算出部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光の両方の入射点が並ぶ方向は、前記窓における温度勾配が生じる短手方向に直交する方向であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記検出部は、二次元の位置検出素子であり、
前記算出部は、前記検出部により検出された前記第1のレーザ光の入射位置における前記窓の長手方向の成分及び前記第2のレーザ光の入射位置における前記窓の長手方向の成分を用いて前記基板の曲率を算出することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記窓は、前記処理室にガスを供給するための複数のガス孔を有しており、
前記第1のレーザ光の入射点は、前記窓の縁から離され、その入射点の周囲に存在する二つ以上の前記ガス孔から等距離となる位置にあり、
前記第2のレーザ光の入射点は、前記窓の縁から離され、その入射点の周囲に存在する二つ以上の前記ガス孔から等距離となる位置にあることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光は、波長が500nm以上540nm以下のレーザ光であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014193431A JP6272743B2 (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | 基板処理装置 |
US14/856,924 US9651367B2 (en) | 2014-09-24 | 2015-09-17 | Curvature measuring in a substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014193431A JP6272743B2 (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016066657A JP2016066657A (ja) | 2016-04-28 |
JP6272743B2 true JP6272743B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=55525483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014193431A Active JP6272743B2 (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | 基板処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9651367B2 (ja) |
JP (1) | JP6272743B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2956518C (en) * | 2014-07-30 | 2021-03-30 | Ysystems Ltd. | Method and apparatus for measuring surface profile |
EP3249348B1 (de) * | 2016-05-26 | 2019-07-03 | Baumer Electric AG | Sensorvorrichtung zur vermessung einer oberfläche |
KR102118133B1 (ko) * | 2018-01-02 | 2020-06-03 | 에이피시스템 주식회사 | 레이저 처리 장치 및 방법 |
US20230184540A1 (en) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | Applied Materials, Inc. | System for wafer dechucking and health monitoring |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5912738A (en) * | 1996-11-25 | 1999-06-15 | Sandia Corporation | Measurement of the curvature of a surface using parallel light beams |
JP3927780B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2007-06-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 回路基板の製造方法 |
US7505150B2 (en) * | 2005-05-13 | 2009-03-17 | Laytec Gmbh | Device and method for the measurement of the curvature of a surface |
JP2011246749A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Tokuyama Corp | アルミニウム系iii族窒化物製造装置、およびアルミニウム系iii族窒化物の製造方法 |
EP2546600B1 (en) * | 2011-07-11 | 2014-07-30 | LayTec AG | Method and apparatus for real-time determination of spherical and non-spherical curvature of a surface |
JP2013038196A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
CN104949631B (zh) * | 2014-03-27 | 2017-12-15 | 纽富来科技股份有限公司 | 曲率测定装置以及曲率测定方法 |
-
2014
- 2014-09-24 JP JP2014193431A patent/JP6272743B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-17 US US14/856,924 patent/US9651367B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160084641A1 (en) | 2016-03-24 |
JP2016066657A (ja) | 2016-04-28 |
US9651367B2 (en) | 2017-05-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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