CN107478171A

CN107478171A - 一种翘曲形变的监测方法及监测装置

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Publication number: CN107478171A
Application number: CN201710775089.2A
Authority: CN
Inventors: 陈子琪
Original assignee: Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Current assignee: Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Priority date: 2017-08-31
Filing date: 2017-08-31
Publication date: 2017-12-15
Anticipated expiration: 2037-08-31
Also published as: CN107478171B

Abstract

本发明公开了一种翘曲形变的监测方法，第一制程处理后，从晶圆背面的目标位置处采集第一拉曼光谱，获取第一拉曼光谱中峰值对应的第一平移位置；同理，在第二制程处理后，从晶圆背面的目标位置处采集第二拉曼光谱，获取第二拉曼光谱中峰值对应的第二平移位置；利用获取到的第二平移位置和第一平移位置的差，表征经过第二制程处理后的晶圆翘曲形变的程度。由于晶圆背面的翘曲形变程度与晶圆表面的翘曲形变程度一致，在晶圆背面上选取检测晶圆翘曲形变程度的目标位置，防止晶圆表面上的图案对晶圆翘曲形变程度的监测造成干扰。此外，根据同一目标位置处拉曼光谱中峰值对应的平移位置的变化，来反映晶圆翘曲形变程度的变化，提高了监测精度。

Description

一种翘曲形变的监测方法及监测装置

技术领域

本发明涉及材料技术领域，特别是涉及一种翘曲形变的监测方法及监测装置。

背景技术

材料经过不同的制程后，若应力失衡，会导致材料出现不同程度的翘曲变形。以半导体材料中的3D NAND存储芯片的制程为例，该存储芯片的制程中，需要在存储芯片的晶圆表面需要堆叠沉积数十层甚至上百层的薄膜。一方面，该晶圆上堆叠沉积的各层薄膜之间会产生应力失衡，另一方面，加热，刻蚀等制造工艺也会产生应力失衡，最终导致该晶圆产生不同程度的翘曲形变。

而晶圆翘曲形变的程度过大，会影响所制造的存储芯片的性能，因此，需要监测该晶圆的翘曲形变的程度。目前，采用激光测距来监测晶圆翘曲形变的程度。如图1所示，在晶圆上的一个选定目标位置，在第一制程处理后，利用激光测距测量目标位置的第一相对距离h₁；在第二制程处理后，利用激光测距测量目标位置的第二相对距离h₂，利用该目标位置的距离差△h＝h₂-h₁，来反应该晶圆的翘曲变形的程度。在实际应用中，从晶圆上选择的目标位置可以是一个，也可以是多个。

若晶圆表面存在图案，不同制程处理后，无法判定目标位置的距离差，是由于应力失衡所导致的，还是由于刻蚀图案工艺导致的，因此，无法采用激光测距来监测晶圆的翘曲形变的程度。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种翘曲形变的监测方法及监测装置，从而能够准确有效的监测晶圆的翘曲形变的程度。

为此，本发明解决技术问题的技术方案是：

一种翘曲形变的监测方法，所述方法包括：

获取第一拉曼光谱中光谱峰值的第一平移位置，所述第一拉曼光谱是第一制程处理后，从晶圆背面的目标位置处所采集的拉曼光谱；

获取第二拉曼光谱中光谱峰值的第二平移位置，所述第二拉曼光谱是第二制程处理后，从所述晶圆背面的所述目标位置处所采集的拉曼光谱；

获得所述第二平移位置与所述第一平移位置的差，作为所述目标位置的平移位置差，所述平移位置差用于表征所述晶圆的翘曲形变程度的变化。

可选的，所述方法还包括：

获取多个目标位置的平移位置差，所述多个目标位置距离所述晶圆的圆心的距离都相同。

可选的，所述方法还包括：

获取多个目标位置的平移位置差，所述多个目标位置距离所述晶圆的圆心的距离各不相同。

可选的，所述方法还包括：

所述第二平移位置大于所述第一平移位置时，确定所述晶圆受压应力。

可选的，所述方法还包括：

所述第二平移位置小于所述第一平移位置时，确定所述晶圆受张应力。

一种翘曲形变的监测装置，所述装置包括：

第一获取单元，用于获取第一拉曼光谱中光谱峰值的第一平移位置，所述第一拉曼光谱是第一制程处理后，从晶圆背面的目标位置处所采集的拉曼光谱；

第二获取单元，用于获取第二拉曼光谱中光谱峰值的第二平移位置，所述第二拉曼光谱是第二制程处理后，从所述晶圆背面的所述目标位置处所采集的拉曼光谱；

做差单元，用于获得所述第二平移位置与所述第一平移位置的差，作为所述目标位置的平移位置差，所述平移位置差用于表征所述晶圆的翘曲形变程度的变化。

一种翘曲形变的监测系统，所述系统包括：

光源装置，晶圆，光谱采集装置，处理器；

所述光源装置将输出的激光照射在所述晶圆背面的目标位置处；

所述光谱采集装置采集不同制程处理后，所述晶圆背面的目标位置处散射的至少两个拉曼光谱；

所述处理器根据所述至少两个拉曼光谱，获得所述目标位置处的平移位置差，所述平移位置差用于表征，经过不同制程处理后，所述晶圆的翘曲形变的程度的变化。

可选的，所述光源装置包括：

激光器，反射镜，透镜；

所述激光器输出的激光，经由所述反射镜反射至所述透镜，所述透镜将所述激光聚焦至所述晶圆背面的目标位置处。

可选的，所述光谱采集装置包括：

采集透镜组，滤光镜，拉曼光谱仪；

所述采集透镜组采集所述晶圆背面散射的拉曼散射光；

滤光镜过滤掉所述采集透镜组输出的拉曼散射光中的干扰光；

拉曼光谱仪接收所述滤光镜透过的拉曼散射光，获得拉曼光谱。

可选的，所述采集透镜组是采用共焦技术的透镜组，用于确保所采集的拉曼散射光，是由所述晶圆背面自然氧化硅层下单晶硅所反射的拉曼散射光。

通过上述技术方案可知，本发明有如下有益效果：

本发明提供的翘曲形变的监测方法，第一制程处理后，从晶圆背面的目标位置处采集第一拉曼光谱，并获取第一拉曼光谱中峰值对应的第一平移位置；同理，在第二制程处理后，从晶圆背面的目标位置处采集第二拉曼光谱，并获取第二拉曼光谱中峰值对应的第二平移位置；利用获取到的第二平移位置和第一平移位置的差，表征经过第二制程处理后的晶圆翘曲形变的程度。由于晶圆背面的翘曲形变程度与晶圆表面的翘曲形变程度一致，在晶圆背面上选取检测晶圆翘曲形变程度的目标位置，防止因晶圆表面存在图案，而干扰晶圆翘曲形变程度的监测。此外，监测不同制程后，同一目标位置上，拉曼光谱中峰值对应的平移位置的变化，反映晶圆翘曲形变程度的变化，可进一步提高监测精度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中翘曲形变的检测方法的实施示意图；

图2为本发明提供的一种翘曲形变的监测系统的结构图；

图3为本发明提供的另一种翘曲形变的监测系统的结构图；

图4为本发明提供的一种翘曲形变的监测方法的流程图；

图5为本发明提供的一种翘曲形变的监测方法的实施示意图；

图6为本发明提供的另一种翘曲形变的监测方法的实施示意图；

图7为本发明提供的又一种翘曲形变的监测方法的实施示意图；

图8为本发明提供的一种翘曲形变的监测装置的结构图。

具体实施方式

为了给出监测晶圆翘曲形变的的实现方案，本发明实施例提供了一种翘曲形变的监测方法及监测装置，以下结合说明书附图对本发明的实施例进行说明，应当理解，此处所描述的实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

现有技术中，通常采用激光测距的方法，检测晶圆的翘曲形变程度。但是在采用现有技术监测晶圆翘曲形变程度时，由于晶圆表面堆叠沉积的薄膜较厚且沉积一般不均匀，因此，监测得到的晶圆翘曲形变程度的结果往往存在较大的误差。尤其是，当晶圆表面存在图案时，经过不同制程处理后，无法判定在检测过程中获得的目标位置距离差，是由应力失衡导致的翘曲形变，还是因刻蚀图案所产生的，因此，采用现有技术无法监测该种情况下的晶圆翘曲形变程度。

本发明提供了一种新的翘曲形变的监测方法，该种监测方法在第一制程处理后，从晶圆背面的目标位置处采集第一拉曼光谱，并获取第一拉曼光谱中峰值对应的第一平移位置；同理，在第二制程处理后，从晶圆背面的目标位置处采集第二拉曼光谱，并获取第二拉曼光谱中峰值对应的第二平移位置；利用获取到的第二平移位置和第一平移位置的差，表征经过第二制程处理后的晶圆翘曲形变的程度。由于晶圆背面的翘曲形变程度与晶圆表面的翘曲形变程度一致，在晶圆背面上选取检测晶圆翘曲形变程度的目标位置，防止因晶圆表面存在图案，而干扰晶圆翘曲形变程度的监测。此外，监测不同制程后，同一目标位置上，拉曼光谱中峰值对应的平移位置的变化，反映晶圆翘曲形变程度的变化，可进一步提高监测精度。

系统实施例

参见图2，为本实施例提供的一种翘曲形变的监测系统，该系统包括：光源装置201，晶圆202，光谱采集装置203和处理器204。

光源采集装置201将输出的激光照射在晶圆202背面的目标位置处。

光谱采集装置203采集不同制程处理后，晶圆202背面的目标位置处散射的至少两个拉曼光谱。

处理器204根据至少两个拉曼光谱，获得目标位置处的平移位置差，该平移位置差用于表征，经过不同制程处理后，晶圆202的翘曲形变程度的变化。

如图2所示，光源采集装置201将输出的激光照射在晶圆202的背面，该激光所照射的位置即为目标位置，在该目标位置处，监测该晶圆202的翘曲形变程度。

光谱采集装置203采集经过不同制程处理后的，晶圆202背面目标位置处散射的拉曼散射光，获得拉曼光谱。具体地，经第一制程处理后，光谱采集装置203获取到上述目标位置处的第一拉曼光谱；经第二制程处理后，光谱采集装置203获取到该目标位置处的第二拉曼光谱，即，第一拉曼光谱对应于第一制程，第二拉曼光谱对应于第二制程，从而，获得不同制程处理后的拉曼光谱。

这里需要说明的是，第一，第一制程和第二制程可以是两个相邻的制程，即第一制程结束后，即执行第二制程；也可以是两个不相邻的制程，即第一制程可以经过多个制程后，才执行第二制程。第二，除了获得第一制程对应的第一拉曼光谱，和第二制程对应的第二拉曼光谱外，光谱采集装置203还可以获得更多其它制程对应的拉曼光谱，对获取的拉曼光谱的数量均不做任何限定。

处理器204根据光谱采集装置203采集的目标位置处不同制程对应的拉曼光谱，获得该目标位置处经历不同制程处理后的平移位置差，用该平移位置差表示该目标位置处晶圆202的翘曲形变程度。具体实现时，处理器204检测光谱采集装置203采集到的拉曼光谱中的光谱峰值，并记录拉曼光谱的光谱峰值对应的平移位置(波数)，获得不同制程对应的拉曼光谱之间的平移位置差。可以理解的是，按照上述获取平移位置差的方法，可以获取同一目标位置处两个制程对应的拉曼光谱之间的一个平移位置差，也可以获取该目标位置处更多的制程对应的多个拉曼光谱之间的多个平移位置差，并用各个平移位置的差值表征该目标位置处的晶圆的翘曲形变程度的变化。

具体地，处理器204监测采集到的第一拉曼光谱中的光谱峰值，并记录该光谱峰值对应的波数或波长为第一平移位置；接下来，处理器204监测采集到的第二拉曼光谱中的光谱峰值，并记录该光谱峰值对应的波数或波长为第二平移位置。计算第二平移位置与第一平移位置的差值，利用该平移位置差可以表征，经过第二制程处理后，该晶圆202在该目标位置处的翘曲形变程度的变化。

当然，若经历更多的制程，光谱采集装置203相应地采集到更多的目标位置处散射光的拉曼光谱，处理器204可以根据其中经历两个制程处理后，获取到的两个拉曼光谱，判定这两个制程对晶圆202上目标位置处翘曲形变程度的影响；处理器204也可以根据经历多个制程处理后，获取到的对应于多个制程的拉曼光谱，判定在经历上述多个制程的过程中，晶圆202目标位置处翘曲形变程度的变化过程。即处理器204根据光谱采集装置203采集的拉曼光谱，可以得知经历任意个数的制程处理后，晶圆202翘曲形变程度的变化结果，也可以得知晶圆202翘曲形变程度的变化过程。

如图3所示，该翘曲形变的检测系统中的光源装置可以包括：激光器，反射镜和透镜。

激光器输出的激光，经由反射镜反射至透镜，透镜将激光聚焦至晶圆背面的目标位置处。

为了减少荧光对获取拉曼光谱产生干扰，激光器可以选择输出近红外光，该激光器所输出的激光的波长可在200纳米至20微米的范围内。

该翘曲形变的检测系统中的光源装置可以包括：采集透镜组，滤光镜和拉曼光谱仪。

采集透镜组采集晶圆背面散射的拉曼散射光。具体实现时，该采集透镜组可以采用共焦技术，确保了所采集的拉曼散射光，是由晶圆背面自然氧化硅层下单晶硅所反射的拉曼散射光。从而，确保所得到的拉曼光谱反应的是单晶硅的晶格振动，避免单晶硅自然氧化层的干扰，提高探测精度。

滤光镜过滤掉采集透镜组输出的拉曼散射光中的干扰光。由于采集透镜组所采集的拉曼散射光较弱，为了保证准确地获取到拉曼光谱，还需要该滤光镜过滤掉拉曼散射光中的干扰光，消除干扰光在拉曼光谱获取过程中的干扰。

拉曼光谱仪接收滤光镜透过的拉曼散射光获得拉曼光谱。

本实施例提供了一种翘曲形变的监测系统，该系统通过将激光照射至晶圆背面的目标位置，获取经历不同制程处理后，目标位置处散射出的拉曼光谱，并利用拉曼光谱中的平移位置差表征晶圆的翘曲形变程度。由于将目标位置选定在晶圆背面，因此，晶圆表面的图案对晶圆翘曲形变程度的监测不会产生任何影响，此外，监测不同制程后，同一目标位置上，拉曼光谱中峰值对应的平移位置的变化，反映晶圆翘曲形变程度的变化，可以进一步提高测量精度。

方法实施例

参见图4，为本实施例提供的一种翘曲形变的监测方法的流程图。该种翘曲形变的监测方法包括：

步骤401：获取第一拉曼光谱中光谱峰值的第一平移位置，所述第一拉曼光谱是第一制程处理后，从晶圆背面的目标位置处所采集的拉曼光谱。

在晶圆背面选取一个位置作为目标位置，经第一制程处理后，将激光照射在该选取的目标位置上，并在与激光入射的方向成一定夹角的方向上，采集该激光经晶圆背面散射出的拉曼散射光。实际应用中，对于获取散射光的获取方向可不做限定，确保光源装置和光谱采集装置相互不干扰即可。根据采集到的拉曼散射光获取经历第一制程处理后，该目标位置处的第一拉曼光谱。

找到第一拉曼光谱中光谱峰值所对应的平移位置，并将该光谱峰值对应的平移位置作为第一平移位置。

步骤402：获取第二拉曼光谱中光谱峰值的第二平移位置，所述第二拉曼光谱是第二制程处理后，从所述晶圆背面的所述目标位置处所采集的拉曼光谱。

同理，按照上述步骤401中在第一拉曼光谱中获取第一平移位置的方法，获取第二制程处理后，该目标位置的拉曼散射光对应的第二拉曼光谱，在第二拉曼光谱中获取第二平移位置。

需要说明的是，第二制程可以是与第一制程相邻的制程，即第一制程结束后，即执行第二制程；第二制程也可以是与第一制程不相邻的制程，即第一制程结束后，经历一个或多个制程后，在进行该第二制程。

步骤403：获得所述第二平移位置与所述第一平移位置的差，作为所述目标位置的平移位置差，所述平移位置差用于表征所述晶圆的翘曲形变的程度的变化。

根据在步骤401中的获取的第一平移位置，和在步骤402中获取的第二平移位置，计算第二平移位置与第一平移位置的差，作为目标位置的平移位置差。利用该平移位置差表征，经过第二制程处理后，晶圆在该目标位置处的翘曲形变程度的变化。

具体地，先进行第一制程处理，在该制程处理后获取第一拉曼光谱中的第一平移位置，再进行第二制程处理，在该制程处理后获取第二拉曼光谱中的第二平移位置。如果第二平移位置大于第一平移位置，即第二平移位置减去第一平移位置得到的平移位置差大于零，则代表晶圆在该目标位置处受到压应力。反之，如果第二平移位置小于第一平移位置，即第二平移位置减去第一平移位置得到的平移位置差小于零，则代表晶圆在该目标位置处受到张应力。

需要说明的是，第二平移位置与第一平移位置之间的平移位置差，表征的是从第一制程结束到第二制程结束期间所有的制程，在目标位置处对晶圆翘曲形变程度的影响。具体地，若第二制程是与第一制程相邻的制程，第二平移位置与第一平移位置之间的平移位置差，表征的是经过第二制程处理后，目标位置处晶圆翘曲形变程度的变化；若第二制程与第一制程中间间隔多个制程，则第二平移位置与第一平移位置之间的平移位置差，表征的是经过第二制程与第一制程之间的所有制程以及第二制程，目标位置处晶圆翘曲形变程度的变化。

需要说明的是，在初始情况下没有第一制程，平移位置差是第二平移位置与初始平移位置之间的平移位置差，初始平移位置是晶圆未经任何处理时，在零应力的情况下，在目标位置处获取的拉曼光谱中光谱峰值对应的平移位置。例如，单晶硅在零应力下，初始平移位置是520cm^-1。

因此，为了得到整个晶圆或晶圆某部分的翘曲形变程度，可以选取多个目标位置，获取多个目标位置上的平移位置差，根据多个平移位置差确定整个晶圆或晶圆某部分的翘曲形变程度。

具体地，如图5所示，所选取的目标位置距离晶圆圆心的距离都相同，即所选取的目标位置均在一个圆心与晶圆圆形相同的圆形区域上。具体实施时，选定一个目标位置后旋转该晶圆，在以目标位置到晶圆圆心的距离为半径的圆形区域上，获取到多个目标位置。

按照上述步骤401至步骤403的实施方法，第一制程处理后，获取到各个目标位置处散射光的第一拉曼光谱，并根据各个目标位置处的第一拉曼光谱，获取各个第一拉曼光谱中光谱峰值的第一平移位置；按照同样的方法获取第二制程处理后，各个目标位置拉曼光谱中的第二平移位置。最终，根据对应于同一目标位置的第二平移位置与第一平移位置的差值，确定该目标位置处晶圆的翘曲形变程度，进而可以根据获取到所有目标位置处晶圆的翘曲形变度，确定所有目标位置所在的圆形区域上的晶圆的翘曲形变度。

具体地，如图6所示，所选取的目标位置距离晶圆的圆心的距离各不相同，所选取的目标位置可以在该晶圆的某条直径上。具体实施时，确定一个晶圆平移方向，在选定某一目标位置后，沿上述平移方向平移该晶圆，在该平移方向的直线上，得到多个目标位置。

同样地，按照上述步骤401至步骤403的实施方法，获取到对应于各个目标位置的第一平移位置和第二平移位置，计算对应于各个目标位置的平移位置差，根据各个目标位置的平移位置差，确定各个目标位置上晶圆的翘曲形变程度，最终可根据所有目标位置上晶圆的翘曲形变程度确定该直径区域上的晶圆翘曲形变程度。

具体地，如图7所示，所选取的目标位置可以在多个同心圆上。具体实施时，平移该晶圆至第一目标位置，在第一目标位置处旋转该晶圆，在以第一目标位置到晶圆圆心的距离为半径的圆形区域上，获取多个目标位置，再继续平移该晶圆至第二目标位置，在第二目标位置处旋转该晶圆，在以第二目标位置到晶圆圆心的距离为半径的圆形区域上，继续获取多个目标位置，最终在多个同心上获取到多个目标位置。当然，也可以在某一目标位置处，先对晶圆进行旋转，待旋转一圈后，再平移该晶圆至下一个目标位置后，在旋转该晶圆，通过该种方式，也可以获取到目标位置分布于不同同心圆的情况。当然，还可以对晶圆同时进行平移和旋转操作，获取到目标位置呈旋涡状分布。

图5，图6以及图7中的点即为所选取的目标位置，图中所示的目标位置仅为了更好的说明本申请选择目标位置的方式，并不仅限于选取图中所示的目标位置，以及采用图中所示的目标位置的个数。

同理，对于获取到的各个目标位置，按照上述步骤401至步骤403的方法，获取各个目标位置上的平移位置差，综合所有目标位置上的平移位置差，最终可以得到晶圆整体的翘曲形变程度。

本实施例提供的翘曲形变的监测方法，第一制程处理后，从晶圆背面的目标位置处采集第一拉曼光谱，并获取第一拉曼光谱中峰值对应的第一平移位置；同理，在第二制程处理后，从晶圆背面的目标位置处采集第二拉曼光谱，并获取第二拉曼光谱中峰值对应的第二平移位置；利用获取到的第二平移位置和第一平移位置的差，表征经过第二制程处理后的晶圆翘曲形变的程度。由于晶圆背面的翘曲形变程度与晶圆表面的翘曲形变程度一致，在晶圆背面上选取检测晶圆翘曲形变程度的目标位置，防止因晶圆表面存在图案，而干扰晶圆翘曲形变程度的监测。此外，监测不同制程后，同一目标位置上，拉曼光谱中峰值对应的平移位置的变化，反映晶圆翘曲形变程度，可进一步提高监测精度。

装置实施例

参见图8，为本实施例提供的一种翘曲形变的装置的结构图。该装置包括：

第一获取单元801，用于获取第一拉曼光谱中光谱峰值的第一平移位置，所述第一拉曼光谱是第一制程处理后，从晶圆背面的目标位置处所采集的拉曼光谱；

第二获取单元802，用于获取第二拉曼光谱中光谱峰值的第二平移位置，所述第二拉曼光谱是第二制程处理后，从所述晶圆背面的所述目标位置处所采集的拉曼光谱；

做差单元803，用于获得所述第二平移位置与所述第一平移位置的差，作为所述目标位置的平移位置差，所述平移位置差用于表征所述晶圆的翘曲形变的程度的变化。

本实施例提供了一种翘曲形变的监测装置，该装置通过将激光照射至晶圆背面的目标位置，获取经历不同制程处理后，目标位置处散射出的拉曼光谱，并利用拉曼光谱中的平移位置差表征晶圆的翘曲形变程度。由于将目标位置选定在晶圆背面，因此，晶圆表面的图案对晶圆翘曲形变程度的监测不会产生任何影响，此外，监测不同制程后，同一目标位置上，拉曼光谱中峰值对应的平移位置的变化，反映晶圆翘曲形变程度，可以进一步提高测量精度。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种翘曲形变的监测方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.一种翘曲形变的监测装置，其特征在于，所述装置包括：

7.一种翘曲形变的监测系统，其特征在于，所述系统包括：

光源装置，晶圆，光谱采集装置，处理器；

8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述光源装置包括：

激光器，反射镜，透镜；

9.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述光谱采集装置包括：

采集透镜组，滤光镜，拉曼光谱仪；

所述采集透镜组采集所述晶圆背面散射的拉曼散射光；

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，

所述采集透镜组是采用共焦技术的透镜组，用于确保所采集的拉曼散射光，是由所述晶圆背面自然氧化硅层下单晶硅所反射的拉曼散射光。