CN114227388B - 一种蓝宝石翘曲度超标的晶片的研磨方法 - Google Patents
一种蓝宝石翘曲度超标的晶片的研磨方法 Download PDFInfo
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Abstract
本公开涉及一种蓝宝石翘曲度超标的晶片的研磨方法，所述方法包括如下步骤：S1、检测蓝宝石翘曲晶片的翘曲度；S2、研磨蓝宝石翘曲度超标的晶片；S3、退火。该方法针对翘曲度超标的晶片进行返工研磨的合格率较高，且提高了翘曲度超标晶片的研磨标准，同时能够降低能耗。
Description
技术领域
本公开涉及研磨抛光领域，具体地，涉及一种蓝宝石翘曲度超标的晶片的研磨方法。
背景技术
蓝宝石基片通过金刚线多线切割将蓝宝石原料切割成蓝宝石基片。其基片面型有翘曲度(warp)要求，正常基片要求<15um，翘曲度大的基片，在研磨时会产生破片，研磨后，翘曲度仍旧超过15um而产生报废；
蓝宝石基片在金刚线切片时，因为各方面因素如：金刚线品质异常、槽轮使用寿命异常、机器设备故障等因素，而有一定几率产生warp超标晶片，更有产生warp>35um的报废品；
一般蓝宝石翘曲度标准：15-25um晶片为待返工晶片；其返工成功率约在93％；25-35um翘曲晶片返工成功率在87％；>35um晶片直接报废品入库。
传统的返工流程包括：将待返工晶片进行高温1200度退火72小时消除切割应力，正常工艺研磨后进行清洗，退火消除研磨应力，检测面型。
但是，针对翘曲度超标的晶片进行返工研磨，仍存在能耗较高、返工研磨合格率较低、翘曲度超标较高的晶片不能进行返工研磨等问题。
发明内容
本公开的目的是提供一种蓝宝石翘曲度超标的晶片的研磨方法，该方法能够降低能耗，针对翘曲度超标的晶片进行返工研磨的合格率较高，且提高了翘曲度超标晶片的研磨标准。
为了实现上述目的，本公开提供一种蓝宝石翘曲度超标的晶片的研磨方法，所述方法包括如下步骤：
S1、检测蓝宝石翘曲晶片的翘曲度；
S2、研磨蓝宝石翘曲度超标的晶片：
当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为18-20转/min，上盘速度为10-12转/min，内齿圈速度为16-18转/min，外齿圈速度为12-15转/min；
当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为12-15转/min，上盘速度为6-8转/min，内齿圈速度为12-15转/min，外齿圈速度为10-12转/min；
当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为8-10转/min，上盘速度为6-8转/min，内齿圈速度为7-9转/min，外齿圈速度为5-7转/min；
S3、退火。
优选地，在步骤S2中，当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为18-19转/min，上盘速度为10-11转/min，内齿圈速度为16-17转/min，外齿圈速度为12-14转/min。
优选地，在步骤S2中，当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为12-13转/min，上盘速度为6-7转/min，内齿圈速度为13-14转/min，外齿圈速度为10-11转/min。
优选地，在步骤S2中，当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为8-9转/min，上盘速度为6-7转/min，内齿圈速度为7-8转/min，外齿圈速度为5-6转/min。
可选地，在步骤S2中，所述研磨条件还包括盘压，当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述盘压为40-45kg。
可选地，在步骤S2中，所述研磨条件还包括盘压，当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述盘压为30-35kg。
可选地，在步骤S2中，所述研磨条件还包括盘压，当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述盘压为20-25kg。
优选地，在步骤S2中，当15μm≤翘曲度＜25μm时，，所述盘压为40-43kg；当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述盘压为30-33kg；当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述盘压为20-23kg。
可选地，在步骤S2中，当15μm≤翘曲度＜25μm时，研磨时间为40-50min；当25μm≤翘曲度＜35μm时，研磨时间为60-80min；当35μm≤翘曲度＜65μm时，研磨时间为90-100min。
可选地，在步骤S3中，所述退火工艺的退火温度为1100-1200℃。
本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
具体实施方式
以下是对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
本公开提供一种蓝宝石翘曲度超标的晶片的研磨方法，所述方法包括如下步骤：
S1、检测蓝宝石翘曲晶片的翘曲度；
S2、研磨蓝宝石翘曲度超标的晶片：
当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为18-20转/min，上盘速度为10-12转/min，内齿圈速度为16-18转/min，外齿圈速度为12-15转/min；
当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为12-15转/min，上盘速度为6-8转/min，内齿圈速度为13-15转/min，外齿圈速度为10-12转/min；
当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为8-10转/min，上盘速度为6-8转/min，内齿圈速度为7-9转/min，外齿圈速度为5-7转/min；
S3、退火。
本公开中所述的一种蓝宝石翘曲度超标的晶片的研磨方法，该方法经过盘压轻压工艺修复翘曲度超标的晶片，可以在晶片之前取消退火工艺，大大降低能耗；经过工艺上的调整，针对不同翘曲度范围的晶片控制不同的条件进行研磨工艺，大大提高的返工翘曲度超标晶片的成功率和合格率，且提高了翘曲度超标晶片的研磨标准，翘曲度在35-65μm晶片也能够进行返工研磨加工，很大程度的挽救了报废的蓝宝石晶片。
根据本公开，在步骤S2中，当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为18-19转/min，上盘速度为10-11转/min，内齿圈速度为16-17转/min，外齿圈速度为12-14转/min。
根据本公开，在步骤S2中，当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为12-13转/min，上盘速度为6-7转/min，内齿圈速度为13-14转/min，外齿圈速度为10-11转/min。
根据本公开，在步骤S2中，当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为8-9转/min，上盘速度为6-7转/min，内齿圈速度为7-8转/min，外齿圈速度为5-6转/min。
本公开中，使游星轮的行星速度降低，提高上盘速度，使晶片在盘内慢速移动，同时使蓝宝石晶片上下去除量一致，进而达到修复和挽救超标晶片的目的。
根据本公开，在步骤S2中，所述研磨条件还包括盘压，当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述盘压为40-45kg。
根据本公开，在步骤S2中，所述研磨条件还包括盘压，当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述盘压为30-35kg。
根据本公开，在步骤S2中，所述研磨条件还包括盘压，当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述盘压为20-25kg。
根据本公开，在步骤S2中，当15μm≤翘曲度＜25μm时，，所述盘压为40-43kg；当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述盘压为30-33kg；当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述盘压为20-23kg。
根据本公开，在步骤S2中，当15μm≤翘曲度＜25μm时，研磨时间为40-50min；当25μm≤翘曲度＜35μm时，研磨时间为60-80min；当35μm≤翘曲度＜65μm时，研磨时间为90-100min。
本公开中，当15μm≤翘曲度＜25μm时，该方法得到的翘曲晶片的合格率为95-98％；当15μm≤翘曲度＜25μm时，该方法得到的翘曲晶片的合格率为92-95％；当15μm≤翘曲度＜25μm时，该方法得到的翘曲晶片的合格率为82-85％。
根据本公开，在步骤S3中，所述退火工艺的退火温度为1100-1200℃。
下面通过实施例来进一步说明本公开，但是本公开并不因此而受到任何限制。
以下实施例中，所述研磨采用的研磨机器购自：博宏源厂家；型号为：22BF-4M4L-A。
以下实施例中，所述合格率的计算公式为：
合格率＝(研磨合格晶片数/研磨总晶片数)×100％。
实施例1
选择10片经过检测翘曲度的范围为15μm≤翘曲度＜25μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为18转/min，上盘速度为10转/min，内齿圈速度为16转/min，外齿圈速度为12转/min，盘压为40kg的条件下研磨50min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表1所示。
实施例2
选择10片经过检测翘曲度的范围为15μm≤翘曲度＜25μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为19转/min，上盘速度为11转/min，内齿圈速度为17转/min，外齿圈速度为14转/min，盘压为42kg的条件下研磨45min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表1所示。
实施例3
选择10片经过检测翘曲度的范围为15μm≤翘曲度＜25μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为20转/min，上盘速度为12转/min，内齿圈速度为18转/min，外齿圈速度为15转/min，盘压为45kg的条件下研磨40min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表1所示。
实施例4
选择10片经过检测翘曲度的范围为15μm≤翘曲度＜25μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为22转/min，上盘速度为15转/min，内齿圈速度为20转/min，外齿圈速度为16转/min，盘压为50kg的条件下研磨40min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表1所示。
实施例5
选择10片经过检测翘曲度的范围为15μm≤翘曲度＜25μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为16转/min，上盘速度为8转/min，内齿圈速度为14转/min，外齿圈速度为10转/min，盘压为40kg的条件下研磨50min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表1所示。
实施例6
选择10片经过检测翘曲度的范围为15μm≤翘曲度＜25μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为20转/min，上盘速度为12转/min，内齿圈速度为18转/min，外齿圈速度为15转/min的条件下研磨40min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表1所示。
表1
由实施例1-6并结合表1可知，在实施例1-3中，当研磨条件为：下盘速度为18-20转/min，上盘速度为10-12转/min，内齿圈速度为16-18转/min，外齿圈速度为12-15转/min，盘压为40-45kg时，合格率较高；合格率高于实施例4-6。
实施例7
选择10片经过检测翘曲度的范围为25μm≤翘曲度＜35μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为12转/min，上盘速度为6转/min，内齿圈速度为13转/min，外齿圈速度为10转/min，盘压为30kg的条件下研磨80min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表2所示。
实施例8
选择10片经过检测翘曲度的范围为25μm≤翘曲度＜35μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为13转/min，上盘速度为7转/min，内齿圈速度为14转/min，外齿圈速度为11转/min，盘压为32kg的条件下研磨70min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表2所示。
实施例9
选择10片经过检测翘曲度的范围为25μm≤翘曲度＜35μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为15转/min，上盘速度为8转/min，内齿圈速度为15转/min，外齿圈速度为12转/min，盘压为35kg的条件下研磨60min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表2所示。
实施例10
选择10片经过检测翘曲度的范围为25μm≤翘曲度＜35μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为18转/min，上盘速度为10转/min，内齿圈速度为18转/min，外齿圈速度为15转/min，盘压为40kg的条件下研磨60min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表2所示。
实施例11
选择10片经过检测翘曲度的范围为25μm≤翘曲度＜35μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为10转/min，上盘速度为5转/min，内齿圈速度为10转/min，外齿圈速度为8转/min，盘压为25kg的条件下研磨80min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表2所示。
实施例12
选择10片经过检测翘曲度的范围为25μm≤翘曲度＜35μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为15转/min，上盘速度为8转/min，内齿圈速度为15转/min，外齿圈速度为12转/min的条件下研磨60min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表2所示。
表2
由实施例7-12并结合表2可知，在实施例7-9中，当研磨条件为：下盘速度为12-15转/min，上盘速度为6-8转/min，内齿圈速度为13-15转/min，外齿圈速度为10-12转/min，盘压为30-35kg时，合格率较高；合格率高于实施例10-12。
实施例13
选择10片经过检测翘曲度的范围为35μm≤翘曲度＜65μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为8转/min，上盘速度为6转/min，内齿圈速度为7转/min，外齿圈速度为5转/min，盘压为20kg的条件下研磨100min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表3所示。
实施例14
选择10片经过检测翘曲度的范围为35μm≤翘曲度＜65μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为9转/min，上盘速度为7转/min，内齿圈速度为8转/min，外齿圈速度为6转/min，盘压为22kg的条件下研磨95min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表3所示。
实施例15
选择10片经过检测翘曲度的范围为35μm≤翘曲度＜65μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为10转/min，上盘速度为8转/min，内齿圈速度为9转/min，外齿圈速度为7转/min，盘压为25kg的条件下研磨90min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表3所示。
实施例16
选择10片经过检测翘曲度的范围为35μm≤翘曲度＜65μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为12转/min，上盘速度为10转/min，内齿圈速度为12转/min，外齿圈速度为9转/min，盘压为30kg的条件下研磨90min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表3所示。
实施例17
选择10片经过检测翘曲度的范围为35μm≤翘曲度＜65μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为6转/min，上盘速度为5转/min，内齿圈速度为5转/min，外齿圈速度为3转/min，盘压为15kg的条件下研磨100min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表3所示。
实施例18
选择10片经过检测翘曲度的范围为35μm≤翘曲度＜65μm的蓝宝石晶片，在下盘速度为10转/min，上盘速度为8转/min，内齿圈速度为9转/min，外齿圈速度为7转/min的条件下研磨90min，退火温度为1100℃，检测经过研磨的蓝宝石晶片的面型，计算合格率，结果如表3所示。
表3
由实施例13-18并结合表3可知，在实施例13-15中，当研磨条件为：下盘速度为8-10转/min，上盘速度为6-8转/min，内齿圈速度为7-9转/min，外齿圈速度为5-7转/min，盘压为20-25kg时，合格率较高；合格率高于实施例16-18。
以上详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。
Claims (7)
1.一种蓝宝石翘曲度超标的晶片的研磨方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S1、检测蓝宝石翘曲晶片的翘曲度；
S2、研磨蓝宝石翘曲度超标的晶片：
当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为18-20转/min，上盘速度为10-12转/min，内齿圈速度为16-18转/min，外齿圈速度为12-15转/min；
当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为12-15转/min，上盘速度为6-8转/min，内齿圈速度为13-15转/min，外齿圈速度为10-12转/min；
当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为8-10转/min，上盘速度为6-8转/min，内齿圈速度为7-9转/min，外齿圈速度为5-7转/min；
S3、退火；
所述研磨条件还包括盘压，当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述盘压为40-45kg；当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述盘压为30-35kg；当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述盘压为20-25kg。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤S2中，当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为18-19转/min，上盘速度为10-11转/min，内齿圈速度为16-17转/min，外齿圈速度为12-14转/min。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤S2中，当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为12-13转/min，上盘速度为6-7转/min，内齿圈速度为13-14转/min，外齿圈速度为10-11转/min。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤S2中，当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述研磨条件包括：下盘速度为8-9转/min，上盘速度为6-7转/min，内齿圈速度为7-8转/min，外齿圈速度为5-6转/min。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤S2中，所述研磨条件还包括盘压，当15μm≤翘曲度＜25μm时，所述盘压为40-43kg；当25μm≤翘曲度＜35μm时，所述盘压为30-33kg；当35μm≤翘曲度＜65μm时，所述盘压为20-23kg。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤S2中，当15μm≤翘曲度＜25μm时，研磨时间为40-50min；当25μm≤翘曲度＜35μm时，研磨时间为60-80min；当35μm≤翘曲度＜65μm时，研磨时间为90-100min。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤S3中，所述退火工艺的退火温度为1100-1200℃。
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