KR20040004121A - 웨이퍼형상 피가공물의 가공방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공급된 보조제의 영향 및 피가공물에 작용하는 무게의 영향으로 물질이 피가공물에서 마멸되며, 가공공구의 2개의 판사이에서 웨이퍼형상 피가공물을 가공하는 방법에 관한 것이다. 이 방법에 있어서, 피가공물의 가공시 무게에 의한 피가공물의 하중은 최소한 한번 크게 감소되고, 그후 다시 증가되며, 그리고 보조제의 공급은 무게가 증가됨에 따라 감소된다.

Description

웨이퍼형상 피가공물의 가공방법{Process for machining a wafer-like workpiece}
본 발명은 가공공구의 2개 판사이에서 웨이퍼형상 피가공물을 가공하는 방법에 관한 것이며, 특히 본 발명은 연마 또는 래핑머신에 의한 반도체 웨이퍼의 물질제거가공에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 연마할 때, 양면 연마와 단일면 연마는 차이가 있다. 이를 위해 사용되는 머신은 시판되고 있으며, 특히 단일면 연마에서는 상부를 연마포로 덮는 작업원판 대신에 피가공물을 고정한 캐리어판이 있는 것이 특징이다. 양면 연마 및 래핑에서는 대조적으로 피가공물이 가공되며, 양면 연마의 경우 연마포로만 덮힌 2개의 작업원판이 있으며, 피가공물은 작업원판 사이에 구비된 템플레이트의 컷아웃(cut out)에 유지된다.
또한, 1개의 피가공물 또는 복수의 피가공물이 동시에 가공되는가에 따라 단일 웨이퍼가공과 복수 웨이퍼가공은 차이가 있다. 높은 스루풋의 달성 때문에 반도체 웨이퍼의 래핑 및 연마가 일반적으로 복수 웨이퍼가공으로 실시된다. 본 발명은 단일 웨이퍼 및 복수 웨이퍼의 양가공에 적합하다.
피가공물의 물질제거 및 평면도향상의 소정효과를 달성하기 위해 래핑시 래핑 연마제가 공급되고 연마시 연마용 연마제가 피가공물에 공급되며, 그리고 피가공물은 무게에 의해 작용된다. 무게는 통상적으로 상부 작업원판 또는 캐리어판을 하부 작업원판 및 그 사이에 놓인 피가공물쪽으로 가압하는 공기식, 유압식 또는전기식 힘전달장치를 통하여 전달된다. 피가공물의 래핑 또는 연마시 최소 1개의 작업원판 또는 캐리어판이 피가공물의 중심을 회전한다.
특허 문헌(JP-05177534 A)에서, 초기에는 물질제거를 크게 달성하기 위해 비교적 높은 연마압력으로 연마를 실시하며, 연마종료 무렵에는 연마 반도체 웨이퍼의 평면도(flatness)를 향상시키기 위해 연마압력을 크게 감소시킴으로서, 최적의 스루풋을 가지는 반도체 웨이퍼의 연마방법을 제안하였다.
본 발명은 특히 높은 스루풋을 얻을 수 있는 평면형상 피가공물의 물질제거방법을 제공한다.
본 발명은 공급된 보조제의 영향 및 피가공물에 작용하는 무게의 영향으로 물질이 피가공물에서 마멸되며, 가공공구의 2개의 판사이에서 웨이퍼형상의 피가공물을 가공하는 방법에 관한 것이다. 여기서 피가공물의 가공시 무게에 의한 피가공물의 하중은 최소 한번 크게 감소되고, 그후 다시 증가되며, 그리고 보조제의 공급은 무게가 증가됨에 따라 감소된다.
본 방법은 모든 형의 웨이퍼형상 피가공물의 물질제거가공에 적합하며, 특히 예로써 실리콘 또는 화합물 반도체로 이루어진 반도체 웨이퍼의 래핑 또는 연마에 적합하다.
본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 도면은 시간경과를 통한 2개의 처리파라미터의 프로파일, 즉 피가공물에 작용하는 압축력 및 공급된 래핑제의 양을 나타낸다.
도 1은 종래방법의 프로파일을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 의한 방법의 전형적인 프로파일을 나타낸다.
도 1 및 도 2에 나타난 공정은 개시단계, 주단계(main phase) 및 마무리단계로 분할된다. 본 발명에 의해 피가공물의 가공시 무게는 최소 한번 크게 감소되고, 그후 다시 증가되며, 또 보조제의 공급은 무게의 증가에 따라 감소되기 때문에 각 단계는 서로 차이가 있다.
도 1에 나타난 종래방법에 있어서, 주단계 기간에 일정하게 유지된 래핑제의 공급이 마무리단계에서 정지되며, 그리고 주단계 기간에 달성한 레벨에서 시작하여 피가공물에 작용하는 무게는 경사프로파일을 통하여 영(0)에 가까이 감소된다.
도 2에 나타난 본 발명에 의한 방법에 있어서, 피가공물에 작용하는 무게는 소정시간 바람직하게는 0.5 ~ 1분간 최소 한번 크게 감소되고 그후 마무리단계전에 다시 증가된다. 무게가 주단계 기간에 달성한 레벨의 최소 20%까지 감소된 다음 이전 레벨로 복귀되는 것이 특히 유리하다. 동시에 무게가 증가함에 따라 레핑제의 공급이 주단계 기간에 달성된 레벨의 0 ~ 50%로 특히 바람직하게는 0 ~ 30%로 감소된다.
[비교실시예 및 실시예]
실리콘으로 제조된 반도체 웨이퍼가 종래의 래핑방법을 사용하여 가공되었으며, 동일형의 기타 반도체 웨이퍼도 래핑제의 무게 및 공급이 도 2(EOC 공정)에 나타낸 본 발명에 의한 프로파일에 따라 변경된 것 이외에는 동일한 방법으로 래핑되었다. 다음의 표는 그때에 실시된 평면도(flatness)측정의 결과이며, 그때 극부 평면도치(GBIR) 및 목표두께와의 두께편차가 분석되었다.
데이터 인덱스/파라미터 상태(EOC없는 공정) 상태(EOC 공정)
기하학적 데이터(2시그마 치) GBIR(㎛) 1.19 0.99
모교에 대한 두께차(2시그마 치) 두께(㎛) 7,3 6.7
본 발명에서는 피가공물의 가공시 피가공물에 작용하는 무게가 소정시간(바람직하게는 0.5 ~ 1분간)최소 한번 감소되고, 그후 마무리단꼐전에 다시 증가되며, 동시에 무게가 증가함에 따라 래핑제의 공급이 주단계 기간에 달성된 레벨의 0 ~ 50%, 특히 바람직하게는 0 ~ 30%로 감소된다.

Claims (8)

  1. 공급된 보조제의 영향 및 피가공물에 작용하는 무게의 영향으로 물질이 피가공물에서 마멸되며, 가공공구의 2개의 판사이에서 웨이퍼혀상 피가공물을 가공하는 방법에 있어서, 피가공물의 가공시 무게에 의한 피가공물의 하중은 최소한 한번 크게 감소되고 이어서 다시 증 가되며, 보조제의 공급은 무게가 증가됨에 따라 감소되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형상 피가공물의 가공방법.
  2. 제1항에 있어서, 무게는 초기 레벨의 최소한 20%로 감소됨을 특징으로 하는 웨이퍼형상 피가공물의 가공방법.
  3. 제1항에 있어서, 보조제의 공급은 초기 레벨의 0 ~ 50%로 감소됨을 특징으로 하는 웨이퍼형상 피가공물의 가공방법.
  4. 제1항에 있어서, 피가공물은 양면 연마 머신의 하부 작업원판과 상부 작업원판 간에서 연마제의 공급하에 가공되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형상 피가공물의 가공방법.
  5. 제1항에 있어서, 피가공물은 단일면 연마 머신의 하부 작업원판과 캐리어판 간에서 연마제의 공급하에 가공되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형상 피가공물의 가공방법.
  6. 제1항에 있어서, 피가공물은 래핑 머신의 하부 작업원판과 상부 작업원판 간에서 래핑 연마제의 공급하에 가공됨을 특징으로 하는 웨이어형상 피가공물의 가공방법.
  7. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼는 물질제거가공을 하게 됨을 특징으로 하는 웨이퍼형상 피가공물의 가공방법.
  8. 제1항에 있어서, 피가공물은 다른 피가공물과 함께 물질제거가공됨을 특징으로 하는 웨이퍼형상 피가공물의 가공방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7840300B2 (en) * 2006-05-31 2010-11-23 Robert Arthur Harker Full spectrum lapidary 3D image scanner and method
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393628A (en) * 1981-05-04 1983-07-19 International Business Machines Corporation Fixed abrasive polishing method and apparatus
TW358764B (en) * 1997-07-07 1999-05-21 Super Silicon Crystal Res Inst A method of double-side lapping a wafer and an apparatus therefor
US6709981B2 (en) * 2000-08-16 2004-03-23 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method

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