JP3619149B2 - 処理装置の汚れを除去する方法及び処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の処理装置の汚れを除去する方法及び処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程においては,半導体ウエハ(以下,「ウエハ」)の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処理(プリベーキング)や,パターンの露光を行った後の加熱処理(ポストエクスポージャーベーキング),現像処理後の加熱処理等の種々の加熱処理が行われている。
【0003】
これらの加熱処理は,通常加熱処理装置において行われ,当該加熱処理装置は,例えばヒータが内蔵されウェハを載置し加熱する熱板と,当該熱板上のウェハを上方から覆い処理室を形成する蓋体とを有している。そして,所定温度に維持された熱板上にウェハを載置し,蓋体をウェハ上に被せて所定時間加熱することによって,加熱処理が行われている。また,加熱処理装置には,加熱によりウェハから発生する有機物等の不純物を排気するための排気管が設けられており,当該不純物がウェハに再付着することを防止している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,前記不純物は,排気される際に蓋体や排気管に付着し,蓋体や排気管を汚染する。この状態のまま放置すると,蓋体からウェハ上に当該不純物が落下したり,排気管が詰まったりする恐れがあるため,頻繁にメンテナンスを行う必要がある。当該メンテナンスには,相当の時間を要し,その間はウェハ処理を停止せざる終えないため,メンテナンスの回数,時間が多ければ多いほど,スループットの低下に繋がる。
【0005】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,蓋体や排気管に付着した不純物を簡易に除去し,メンテナンスの回数,時間を減少させることのできる処理装置の汚れを除去する方法と当該方法を実施可能な処理装置とを提供することをその目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
参考例として,処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって,前記処理装置には,基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており,前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し,紫外線を照射する処理装置の汚れを除去する方法を提案できる。なお,光触媒とは,紫外線が照射されると,光触媒近辺に存在する有機物等を分解する性質を有する物質をいい,例えば二酸化チタン,酸化亜鉛,酸化タングステン,酸化バナジウム等がある。
【0007】
このように,光触媒の被覆された蓋体上面に対して紫外線を照射することによって,基板から発生して,蓋体上面に付着した有機物を分解し,除去することができる。これによって,蓋体上面に付着した有機物が基板上に落下し,基板を汚染することが防止できる。また,有機物の除去を簡易に行うことができ,メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【0008】
上記参考例において前記紫外線の照射が,基板の処理中に常時行われるようにしてもよい。このように,紫外線の照射を常時行うことによって,常に蓋体に付着しようとする有機物を光触媒によって分解し,除去することができる。これによって,蓋体の汚染が抑制されるため,メンテナンスの回数の減少させ,メンテナンスの作業時間を短縮することができる。
【0009】
本発明によれば,処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって,前記処理装置には,基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており,前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し,紫外線を照射し,前記紫外線の照射は,基板の処理面に前記紫外線が照射されないように行われることを特徴とする処理装置の汚れを除去する方法が提供される。
また,別の観点による本発明によれば,処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって,前記処理装置には,基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており,前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し,紫外線を照射し,前記紫外線の照射は,基板が前記処理装置内に無いときに行われることを特徴とする処理装置の汚れを除去する方法が提供される。
さらに,別の観点による本発明によれば,処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって,前記処理装置には,基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており,前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し,紫外線を照射し,前記紫外線の照射は,前記処理装置においてレシピが同じ一群の基板の処理が終了してから,次の一群の基板の処理が開始されるまでの間に行われることを特徴とする処理装置の汚れを除去する方法が提供される。
【0010】
上述したように紫外線の照射タイミングを制御することによって,当該紫外線が基板に直接当たることを防止できる。したがって,強い光エネルギーを有する紫外線によって,基板や基板上の塗布液が変質又は反応し,基板の処理が適切に行われなくなることを防止できる。
【0011】
以上で記載した発明において,前記紫外線の照射が,前記蓋体を洗浄するために前記蓋体が前記処理装置から取り外されてから当該蓋体が洗浄されるまでの間に行われるようにしてもよい。光触媒は,紫外線を照射することによって疎水性から超親水性に変化する性質を持っている。紫外線の照射を蓋体の洗浄時に行うことによって,光触媒の被覆されている蓋体上面が親水性に変化し,汚れが落ちやすくなる。したがって,蓋体を洗浄するのにかかる時間が短縮され,メンテナンス作業を迅速に行うことができる。
【0012】
上述した発明において,前記処理室内の雰囲気を排気する排気管が備えられ,前記排気管の内周面には,光触媒が被覆されており,前記光触媒が被覆されている排気管の内周面に対して,前記紫外線を照射するようにしてもよい。このように,排気管内を光触媒によって被覆し,当該排気管内に紫外線を照射することによって,排気管内に付着した有機物を分解し,除去することができる。これよって,排気管が有機物によって詰まることが防止できるとともに,排気管内の有機物の除去を簡易に行うことができ,メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【0013】
別の観点による本発明によれば,処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって,前記処理室内の雰囲気を排気し,内周面に光触媒が被覆されている排気管が備えられており,前記排気管の内周面に対し,紫外線を照射することを特徴とする処理装置の汚れを除去する方法が提供される。
【0014】
このように,排気管内を光触媒によって被覆し,当該排気管内に紫外線を照射することによって,排気管内に付着した有機物を分解し,除去することができる。これよって,排気管が有機物等によって閉鎖することが防止されると共に,排気管内の有機物の除去を簡易に行うことができ,メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【0015】
以上で記載した各発明は,前記処理装置が,加熱処理装置であってもよい。加熱処理装置では,熱によって基板から多くの有機物が発生し,蓋体や排気管に当該有機物が付着し易いので,光触媒を用いて有機物を分解,除去することによって,有機物の基板への落下や排気管の詰まりなどの不安が解消される。また,付着物を簡易に除去することによってメンテナンスの回数や時間を減少させることができる。
【0016】
別の観点による本発明によれば,処理室内で基板を処理する処理装置であって,前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し,少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置と,前記基板を下方から支持して,当該基板を昇降させる昇降ピンとをさらに有し,前記照射装置は,前記昇降ピンに設けられていることを特徴とする処理装置が提供される。
【0017】
光触媒は,紫外線が照射されない場合には,疎水性を有し,不純物の付着を抑制する。本発明では,当該光触媒を蓋体上面に被覆することによって,不純物の付着を抑制できる。これによって,蓋体から基板上に不純物が落下し,基板を汚染することが防止できる。また,汚れが抑制されるため,メンテナンスの回数,時間を減少させることができる。
【0018】
また,蓋体上面に紫外線を照射可能な照射装置を有することによって,上述した発明を実施することができる。したがって,蓋体上面に付着した有機物を分解,除去し,当該有機物が基板上に落下することを抑制することができる。また,有機物の除去を簡易に行うことができ,メンテナンスの回数,時間を減少させることができる。
【0020】
さらに,照射装置から紫外線を照射していても,基板が昇降ピン支持されると,紫外線が基板によって遮断され,基板上面の処理面に紫外線が照射されることを抑制することができる。これによって,上述した処理装置の汚れを除去する方法の発明が実施可能となり,高いエネルギーを有する紫外線によって,基板や基板上の塗布液が変質し,基板処理が適切に行われなくなるのを抑制することができる。
【0021】
別の観点による本発明によれば,処理室内で基板を処理する処理装置であって,前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し,少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置と,前記基板を載置して処理する処理板と,前記処理板の外周を囲む外周部材とをさらに有し,前記照射装置は,前記外周部材に設けられていることを特徴とする処理装置が提供される。
かかる場合,紫外線の照射が基板によって妨げられないため,蓋体上面に常時紫外線を当てることができる。したがって,上述した処理装置の汚れを除去する方法の発明を実施することができ,有機物の蓋体上面への付着を適切に抑制することができる。
【0022】
上述した発明において,前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し,前記排気管の内周面には,光触媒が被覆されるようにしてもよい。このように,排気管の内周面に光触媒を被覆することによって,光触媒の疎水性によって不純物の付着を抑制することができる。したがって,メンテナンスの回数や時間を減少させることができる。
別の観点による本発明によれば,処理室内で基板を処理する処理装置であって,前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し,少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し,前記排気管の内周面には,光触媒が被覆されていることを特徴とする処理装置が提供される。
また,上記処理装置は,前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置を有していてもよい。
【0023】
上記発明において,前記排気管の内周面に対し,紫外線を照射可能な照射機構を有するようにしてもよい。このように排気管の内周面に対して紫外線を照射する照射機構を有することによって,上述した処理装置の汚れを除去する方法の発明を実施することができる。したがって,排気管内に付着した有機物を分解し,除去することができるので,排気管が有機物によって詰まることが防止できるとともに,排気管内の有機物の除去を簡易に行うことができ,メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【0024】
また,前記排気管には,前記雰囲気内の不純物を回収するフィルタが設け,前記排気管の照射機構は,前記フィルタの上流側に設けられているようにしてもよい。このように,前記照射機構をフィルタの上流側に設けることによって,紫外線の照射によって除去した有機物をフィルタにおいて回収し,当該有機物がフィルタより下流に流れることを防止できる。これによってフィルタより下流にある,例えば吸引装置等が有機物等によって汚染されることが防止できる。
【0025】
別の観点による本発明によれば,処理室内で基板を処理する処理装置であって,前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し,前記排気管の内周面には,光触媒が被覆されており,前記排気管の内周面に対し,紫外線を照射可能な照射機構を有することを特徴とする処理装置が提供される。このように,排気管の内周面に光触媒を被覆することによって,光触媒の疎水性によって不純物の付着を抑制することができる。したがって,排気管の汚染が抑制されるため,メンテナンスの回数や時間を減少させることができる。
【0026】
また,排気管の内周面に対し紫外線を照射できる照射機構を設けることによって,上述した処理装置の汚れを除去する方法を実施することができる。これによって,排気管が有機物等によって詰まることが防止されると共に,排気管内の有機物の除去を簡易に行うことができ,メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【0027】
以上で記載した各処理装置において,前記処理装置が,加熱処理装置であってもよい。加熱処理装置では,その熱によって基板から多量の不純物が発生し,その不純物が蓋体等に付着することが認められている。したがって,前記処理装置が加熱処理装置である場合には,紫外線によって有機物を分解,除去するメリットが大きい。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本発明にかかる処理装置を有する塗布現像処理システム1の平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
【0029】
塗布現像処理システム1は,図1に示すように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0030】
カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0031】
ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32に対してもアクセスできるように構成されている。
【0032】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は塗布現像処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G1,G3,G4,G5に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウェハWを搬入出可能である。なお,処理装置群の数や配置は,ウェハWに施される処理の種類によって異なり,処理装置群の数は,1以上であれば4つで無くてもよい。
【0033】
第1の処理装置群G1では,例えば図2に示すように,ウェハWにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置17と,露光後のウェハWを現像処理する現像処理装置18とが下から順に2段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に積み重ねられている。
【0034】
第3の処理装置群G3では,例えば図3に示すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置30,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウェハWを待機させるエクステンション装置32,本実施の形態にかかる処理装置としてのプリベーキング装置33,34及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置35,36等が下から順に例えば7段に重ねられている。
【0035】
第4の処理装置群G4では,例えばクーリング装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,クーリング装置43,露光後の加熱処理を施すポストエクスポージャーベーキング装置44,45,ポストベーキング装置46,47等が下から順に例えば8段に積み重ねられている。
【0036】
インターフェイス部4の中央部にはウェハ搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50はX方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,周辺露光装置51及び図示しない露光装置に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送できるように構成されている。
【0037】
次に上述したプリベーキング装置33の構成について詳しく説明する。図4に示すように,プリベーキング装置33は,ケーシング33aを有し,プリベーキング33装置は,当該ケーシング33a内に,上側に位置して上下動自在な蓋体60と,下側に位置して蓋体60と一体となって処理室Sを形成する熱板収容部61とを有している。
【0038】
蓋体60は,上面が閉口し下面が開口した略円筒状の形態を有している。蓋体60の上面内側である天井部60aには,光触媒,例えば二酸化チタンがコーティングされている。蓋体60の中央部には,排気管62が接続されている。排気管62は,ケーシング33aの側面からプリベーキング装置33外に通じており,処理室S内の雰囲気をプリべーキング装置33外に排出できるようになっている。なお,排気管62は,フレキシビリティを有しており,蓋体60の上下動に対応できるようになっている。また,排気管62の内周面には,光触媒,例えば二酸化チタンがコーティングされている。
【0039】
一方,熱板収容部61には,ウェハWを載置して加熱する処理板としての熱板63が設けられている。熱板63は,厚みが例えば2〜10mm程度の薄い円盤状に形成されており,その材質には,熱伝導性の優れたセラミックである例えば炭化ケイ素や窒化アルミニウムが用いられている。
【0040】
熱板63の裏面には,熱板63の熱源となるヒータ64が印刷技術を用いて設けられており,図示しない制御装置によりヒータ64の発熱量を制御することによって,熱板63をウェハWの加熱温度である所定の温度に維持できるようになっている。
【0041】
熱板63の下方には,ウェハWの下面を支持し,昇降させるための昇降ピン65が複数設けられている。当該昇降ピン65は,熱板63の中央付近に設けられてた貫通孔67内を移動自在である。また,昇降ピン65には,当該昇降ピン65を上下方向に移動可能とする昇降駆動機構66が設けられており,昇降ピン65は,貫通孔67内を上下方向に移動して,熱板63上に突出できるように構成されている。
【0042】
昇降ピン65には,蓋体60の天井部60aに対して紫外線を照射可能な照射装置68が設けられている。照射装置68は,紫外線を照射する照射部69と,照射部69に紫外線を伝送するケーブル70と,紫外線の照射を制御する制御部71とを有する。照射部69は,例えば図5に示すように各昇降ピン65の先端部に設けられた凹部に設けられており,ケーブル70は,当該照射部69から昇降ピン65の内部を通って昇降ピン65の下部から昇降ピン65の外部に通じるように設けられている。なお,ケーブル70には,光ファイバを使用してもよい。
【0043】
また,熱板収容部61は,熱板63の外縁部を支持する支持部材72と,当該支持部材72を支持する支持台73とを有している。支持部材72には,熱板63の熱を外部に逃がさないように断熱材が使用されている。また,支持台73は,上面が開口した略筒状に形成されており,その上部に支持部材72を支持している。
【0044】
さらに,熱板収容部61は,支持部材72とその支持台73とを囲む略筒状の外周部材としてのサポートリング74を有している。このサポートリング74には,処理室S内に向けて気体,例えば不活性ガスを噴出する吹き出し口74aが設けられており,処理室S内を当該気体でパージすることができる。また,サポートリング74の外方には,熱板収容部61の外壁となる円筒状のケース75が設けられている。
【0045】
上述した蓋体60から伸びる排気管62は,処理室S内の雰囲気を排気するために吸引する吸引装置77に通じている。当該吸引装置77の上流側,すなわち蓋体60と吸引装置77の間の排気管62には,フィルタ78が設けられており,排気の中に含まれる不純物を捕集し,当該不純物が吸引装置77側に流れることを防止できるようになっている。また,フィルタ78の上流側の排気管62には,排気管62内に紫外線を照射可能な照射装置79が設けられている。当該照射装置79は,上述した照射装置68と同じ構成を有し,照射部80,ケーブル81及び制御部82とを有している。照射部80は,排気管62内に設けられており,フィルタ78上流側の排気管62の内周面に対して,紫外線を照射できるようになっている。なお,照射部80は,排気管62内の全体に紫外線が照射されるように排気管62内の複数箇所に設けられるようにしてもよい。また,ケーブル81には,光ファイバを用いるようにしてもよい。
【0046】
また,プリベーキング装置33のケーシング33aの側面には,ウェハWを搬入出するための搬送口85が設けられている。搬送口85には,当該搬送口85を開閉可能とするシャッタ86が設けられており,当該シャッタ86によって,プリベーキング装置33から発生する熱を可能な限り遮断し,他の処理装置に熱的な影響を与えることを抑制できる。
【0047】
次に,以上のように構成されているプリベーキング装置33の作用について,塗布現像処理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【0048】
先ず,ウェハ搬送体7がカセットCから未処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G3に属するアドヒージョン装置31に搬入する。このアドヒージョン装置31において,レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハWは,主搬送装置13によって,クーリング装置30搬送され,所定の温度に冷却される。その後,ウェハWはレジスト塗布装置17又19に搬送され,ウェハW上に所定量のレジスト液が塗布される。そして,表面にレジスト膜が形成されたウェハWは,プリベーキング装置33又は34に搬送され,レジスト液中の溶剤を蒸発させるための加熱処理が行われる。
【0049】
そして,加熱処理の終了したウェハWは,主搬送装置13によりエクステンション・クーリング装置41に搬送され,所定温度に冷却される。次いでウェハWはエクステンション・クーリング装置41からウェハ搬送体50によって取り出され,その後,周辺露光装置51を経て露光装置(図示せず)に搬送される。露光処理の終了したウェハWは,ウェハ搬送体50によりエクステンション装置42に搬送され,その後,主搬送装置13によってポストエクスポージャーベーキング装置44又は45に搬送される。そして,ウェハWは主搬送装置13によりクーリング装置43,現像処理装置18又は20,ポストベーキング装置35,36,46又は47,クーリング装置30と順次搬送され,各装置において所定の処理が施される。その後,ウェハWは,エクステンション装置32を介して,ウェハ搬送体7によってカセットCに戻され,一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【0050】
次に上述したプリベーキング装置33の作用について詳しく説明する。先ず,プリベーキング装置33にウェハWが搬入される前は,昇降ピン65は,図6にう示すように昇降ピン65の先端部が熱板63の表面付近になるように位置される。そして,当該昇降ピン65の先端部の照射部69から上昇している蓋体60の天井部60aに対し,紫外線が照射される。
【0051】
一方,排気管62の照射部80からも排気管62の内周面に対して紫外線が照射される。この照射部80の照射は,例えばウェハWの加熱処理工程とは無関係に,一定期間の照射が所定時間毎に断続的に行われるように制御される。これらの照射部69及び照射部80の紫外線の照射によって,光触媒作用が開始され,蓋体60の天井部60aや排気管62内に付着していた有機物が分解され,当該有機物が天井部60aや排気管62から除去される。
【0052】
また,熱板63は,ヒータ64を調節し熱板温度を制御する図示しない制御装置によって所定の加熱温度,例えば90℃に維持される。
【0053】
前工程であるレジスト塗布処理が終了すると,搬送口85のシャッタ86が開放され,主搬送装置13によってウェハWがプリベーキング装置33内に搬入される。そして,熱板63上方まで搬送されたウェハWは,予め熱板63上方の所定の位置で待機していた昇降ピン65上に支持される。このとき昇降ピン65の先端部の照射部69はウェハWの裏面に覆われるため,照射していた紫外線が遮断され,天井部60aへの照射は一時中断される。
【0054】
次いで,蓋体60が下降され,熱板収容部61と一体となって処理室Sが形成される。このとき,サポートリング74の吹き出し口74aから不活性ガスの供給が開始される一方で,吸引装置77が作動し,排気管62からの排気が開始される。これによって,処理室S内に強い上昇気流が形成され,ウェハWから発生した溶剤等の有機物が処理室S内から排気される。以後加熱処理が終了するまで,処理室S内の雰囲気がパージされ続ける。
【0055】
その後,ウェハWは昇降駆動機構66により昇降ピン65と共に下降され,熱板63上に載置される。そして,ウェハWが載置されると同時に加熱が開始され,その後,ウェハWは所定時間加熱される。
【0056】
そして,所定時間経過後,昇降ピン65によってウェハWが再び上昇されて,熱板63による加熱が終了する。次いで,蓋体60が上昇され,処理室Sが開放されると,主搬送装置13が搬送口85から再び進入し,昇降ピン65上のウェハWが当該主搬送装置13に受け渡される。そして,ウェハWが熱板63上方から移動されると,再び照射部69からの紫外線が天井部60aに照射され,光触媒の作用によって,天井部60aに付着した有機物が分解,除去される。その後,吸引装置77による排気と吹き出し口74aからの不活性ガスの供給が停止され,ウェハWが搬送口85から搬出されて一連の加熱処理が終了する。
【0057】
以上の実施の形態では,蓋体60の天井部60aに二酸化チタンの光触媒をコーティングし,当該コーティングされた位置に紫外線を照射可能な照射部69を設けたので,その照射によって,天井部60aに付着した有機物が分解され,当該有機物を除去することができる。また,紫外線が照射されていないときには,光触媒が疎水性を有するため,有機物等の不純物が天井部60aに付着することを抑制できる。
【0058】
また,天井部60aと対向する位置にある昇降ピン65の先端部に照射部69を設けたため,天井部60a全面への紫外線の照射が好適に行われる。また,ウェハWが熱板63上に搬入されると,ウェハWによって紫外線が遮断されるため,その後照射部69からの紫外線がウェハW表面に照射されることが防止され,紫外線によるレジスト液の変質等が防止される。
【0059】
さらに,排気管62内周面にも二酸化チタンをコーティングし,当該排気管62の内周面に対し,紫外線を照射する照射部80を設けたため,紫外線を照射することによって,排気管62に付着した有機物を分解,除去することができる。また,紫外線を照射しない場合には,二酸化チタンの疎水性によって排気管62内に有機物等の不純物が付着することを抑制できる。さらに,照射部80をフィルタ78の上流側に設けたので,分解され除去された有機物をフィルタ78で回収することができ,下流の吸引装置77等を汚染することが防止できる。
【0060】
以上の実施の形態では,天井部60aに紫外線を照射する照射部69が昇降ピン65に設けられていたが,図7に示すように外周部材としてのサポートリング74の上端部に設けるようにしてもよい。このような場合は,ウェハWが熱板63上に載置されたときでも,紫外線の照射が遮断されないため,常時天井部60aに紫外線を照射し続けることができる。このように当該照射部69からの紫外線の照射を,ウェハWの加熱処理中に常時行うようにしてもよい。これによって,天井部60aに付着しようとした有機物が即座に分解,除去され,天井部60aを清浄に維持することができる。したがって,天井部60aを洗浄するためのメンテナンスの回数を減少させ,またメンテナンス作業にかかる時間を短縮することができる。なお,照射部69を,熱板63を支持する支持部材72の上端部に設けるようにしてもよい。
【0061】
また,サポートリング74に照射部69を設けた場合に,制御部71によって紫外線の照射タイミングを制御し,ウェハWが搬出されてから次のウェハWが搬入されるまでの間だけ,すなわちウェハWがプリベーキング装置33内に無いときにだけ紫外線を照射するようにしてもよい。こうすることによって,紫外線がウェハW表面に照射されることが防止され,ウェハW上のレジスト膜に悪影響を与えることを防止できる。
【0062】
さらに,以上の実施の形態において,照射部69からの紫外線の照射をウェハのレシピが変更される際,すなわちレシピが同じ一群のウェハW処理が終了してから次の一群のウェハW処理が開始されるまでの間に行うようにしてもよい。通常塗布現像処理では,ウェハWのレシピが変更される際には,一旦塗布現像処理システム1全体が停止され,各処理装置の設定値等の変更が行われる。そこで,前ロットの加熱処理が終了し,次のロットの加熱処理が開始されるまでの間に紫外線を照射し,天井部60aに付着した有機物を除去するようにする。こうすることで,蓋体60のメンテナンス時間を別途設ける必要が無く,通常必要なロット変更時間の間に,天井部60aの汚れの除去ができる。また,ウェハWに紫外線が照射されることも防止できる。
【0063】
また,蓋体60を取り外して蓋体60全体を洗浄する際にも,天井部60aへの紫外線の照射を行うようにしてもよい。この場合,例えば作業員が,移動自在な照射装置によって蓋体60を洗浄する直前に蓋体60の天井部60aに対して紫外線を照射する。これによって,天井部60aに付着した有機物が剥がれ易くなり,洗浄にかかる時間を短縮することができる。
【0064】
以上の実施の形態では,排気管62内への紫外線の照射は,一定期間の照射を断続的に行うようにしたが,上述した蓋体60の天井部60aの場合と同様に,加熱処理中に常に照射するようにしてもよいし,ウェハWのレシピの変更時,メンテナンス時等に行うようにしてもよい。
【0065】
以上の実施の形態は,本発明をプリベーキング装置33について適用した例であったが,他の熱処理装置,例えばポストエクスポージャーベーキング装置44,45,ポストベーキング装置35,36,46,47及びクーリング装置30,40,43等にも本発明を適用できる。また,本発明は,ウェハWを高温で加熱する代わりに密閉された処理室を減圧して,レジスト液等に含まれる溶剤等を蒸発させる装置においても適用できる。
【0066】
また,以上で説明した実施の形態は,半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハの処理装置について適用したものであったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばLCD基板の処理装置においても適用できる。
【0067】
【発明の効果】
本発明によれば,有機物の除去を簡易に行うことができるので,メンテナンス作業の回数や時間が減少され,その分基板の処理時間が確保され,スループットの向上が図られる。また,基板への不純物の落下が防止できるので,歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態にかかるプリベーキング装置を有する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】本実施の形態にかかるプリベーキング装置の縦断面の説明図である。
【図5】照射装置を備えた昇降ピンの縦断面図である。
【図6】照射部から紫外線を照射している状態を示すプリベーキング装置の縦断面の説明図である。
【図7】照射装置をサポートリングに設けた場合のプリベーキング装置の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
33 プリベーキング装置
60 蓋体
60a 天井部
61 熱板収容部
62 排気管
63 熱板
65 昇降ピン
69 照射部
80 照射部
S 処理室
W ウェハ
Claims (16)
- 処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって,
前記処理装置には,基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており,
前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,
前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し,紫外線を照射し,
前記紫外線の照射は,基板の処理面に前記紫外線が照射されないように行われることを特徴とする,処理装置の汚れを除去する方法。 - 処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって,
前記処理装置には,基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており,
前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,
前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し,紫外線を照射し,
前記紫外線の照射は,基板が前記処理装置内に無いときに行われることを特徴とする,処理装置の汚れを除去する方法。 - 処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって,
前記処理装置には,基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており,
前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,
前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し,紫外線を照射し,
前記紫外線の照射は,前記処理装置においてレシピが同じ一群の基板の処理が終了してから,次の一群の基板の処理が開始されるまでの間に行われることを特徴とする,処理装置の汚れを除去する方法。 - 前記紫外線の照射は,前記蓋体を洗浄するために前記処理装置から当該蓋体が取り外されてから当該蓋体が洗浄されるまでの間に行われることを特徴とする,請求項1,2又は3のいずれかに記載の処理装置の汚れを除去する方法。
- 前記処理室内の雰囲気を排気する排気管が備えられ,
前記排気管の内周面には,光触媒が被覆されており,
前記光触媒が被覆されている排気管の内周面に対して,前記紫外線を照射することを特徴とする,請求項1,2,3又は4のいずれかに記載の処理装置の汚れを除去する方法。 - 処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって,
前記処理室内の雰囲気を排気し,内周面に光触媒が被覆されている排気管が備えられており,
前記排気管の内周面に対し,紫外線を照射することを特徴とする,処理装置の汚れを除去する方法。 - 前記処理装置は,加熱処理装置であることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5又は6のいずれかに記載の処理装置の汚れを除去する方法。
- 処理室内で基板を処理する処理装置であって,
前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し,
少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,
前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置と,前記基板を下方から支持して,当該基板を昇降させる昇降ピンとをさらに有し,
前記照射装置は,前記昇降ピンに設けられていることを特徴とする,処理装置。 - 処理室内で基板を処理する処理装置であって,
前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し,
少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,
前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置と,前記基板を載置して処理する処理板と,前記処理板の外周を囲む外周部材とをさらに有し,
前記照射装置は,前記外周部材に設けられていることを特徴とする,処理装置。 - 前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し,
前記排気管の内周面には,光触媒が被覆されていることを特徴とする,請求項8又は9のいずれかに記載の処理装置。 - 処理室内で基板を処理する処理装置であって,
前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し,
少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には,光触媒が被覆されており,
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し,
前記排気管の内周面には,光触媒が被覆されていることを特徴とする,処理装置。 - 前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置を有することを特徴とする,請求項11に記載の処理装置。
- 前記排気管の内周面に対し,紫外線を照射可能な照射機構を有することを特徴とする,請求項10,11又は12のいずれかに記載の処理処置。
- 前記排気管には,前記雰囲気内の不純物を回収するフィルタが設けられており,
前記排気管の照射機構は,前記フィルタの上流側に設けられていることを特徴とする,請求項13に記載の処理装置。 - 処理室内で基板を処理する処理装置であって,
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し,
前記排気管の内周面には,光触媒が被覆されており,
前記排気管の内周面に対し,紫外線を照射可能な照射機構を有することを特徴とする,処理装置。 - 前記処理装置は,加熱処理装置であることを特徴とする,請求項8〜15のいずれかに記載の処理装置。
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