JP2000173883A - ベーク装置 - Google Patents
ベーク装置Info
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- JP2000173883A JP2000173883A JP10349501A JP34950198A JP2000173883A JP 2000173883 A JP2000173883 A JP 2000173883A JP 10349501 A JP10349501 A JP 10349501A JP 34950198 A JP34950198 A JP 34950198A JP 2000173883 A JP2000173883 A JP 2000173883A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベーク装置の蓋の交換・洗浄の必要をなく
し、蓋の交換・洗浄のためのベーク装置の動作停止の期
間を少なくし、昇華物の付着によるパターン不良の発生
を押さえることが可能なベーク装置の実現を課題とす
る。 【解決手段】 半導体ウェーハを加熱するホットプレー
ト２を備えたベークユニットと、このベークユニットに
交換可能に設けられ処理対象半導体ウェーハ７に塗布さ
れた薬液からの昇華物を回収するダミーウェーハ５と、
この昇華物を回収したダミーウェーハ５を洗浄して再生
するためのクリーニングユニットとを設ける。
し、蓋の交換・洗浄のためのベーク装置の動作停止の期
間を少なくし、昇華物の付着によるパターン不良の発生
を押さえることが可能なベーク装置の実現を課題とす
る。 【解決手段】 半導体ウェーハを加熱するホットプレー
ト２を備えたベークユニットと、このベークユニットに
交換可能に設けられ処理対象半導体ウェーハ７に塗布さ
れた薬液からの昇華物を回収するダミーウェーハ５と、
この昇華物を回収したダミーウェーハ５を洗浄して再生
するためのクリーニングユニットとを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベーク装置に関
し、特に半導体ウェーハのベーク装置に関する。
し、特に半導体ウェーハのベーク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程のレジスト等の塗
布工程において、ウェーハ表面の水分を除去する目的
や、レジスト材の塗布後に有機溶剤を除去する目的など
で、加熱を行うベーク装置が用いられる。図４に、従来
の一般的な塗布工程のフローを示す。図４で２１はウェ
ーハ、２２は表面処理材、２３は塗布薬液、２４はベー
ク後の塗布膜である。図４（ａ）で示すウェーハ２１
に、表面処理を行って図４（ｂ）のように表面処理材２
２を付着させ、続いてスピンコートなどの方法で図４
（ｃ）のように塗布薬液２３を塗布する。薬液２３を塗
布されたウェーハ２１をベーク装置でべーくして、薬液
中の溶剤を蒸発させ、均一な塗布膜２４を形成させる。
図５は、従来のベーク装置のベークユニットの概要図で
ある。図５で、３１はユニット土台、３２は処理対象の
ウェーハを加熱するホットプレート、３３はウェーハを
出し入れする窓部、３４は蓋部である。
布工程において、ウェーハ表面の水分を除去する目的
や、レジスト材の塗布後に有機溶剤を除去する目的など
で、加熱を行うベーク装置が用いられる。図４に、従来
の一般的な塗布工程のフローを示す。図４で２１はウェ
ーハ、２２は表面処理材、２３は塗布薬液、２４はベー
ク後の塗布膜である。図４（ａ）で示すウェーハ２１
に、表面処理を行って図４（ｂ）のように表面処理材２
２を付着させ、続いてスピンコートなどの方法で図４
（ｃ）のように塗布薬液２３を塗布する。薬液２３を塗
布されたウェーハ２１をベーク装置でべーくして、薬液
中の溶剤を蒸発させ、均一な塗布膜２４を形成させる。
図５は、従来のベーク装置のベークユニットの概要図で
ある。図５で、３１はユニット土台、３２は処理対象の
ウェーハを加熱するホットプレート、３３はウェーハを
出し入れする窓部、３４は蓋部である。
【０００３】ところで、従来のベーク装置を用いて塗布
工程を行った場合、塗布薬液２３の昇華物や微小なシリ
コン片などがベーク装置の蓋部３４の天井部分などに付
着する。このような蓋部３４などに付着した異物は、後
続のウェーハのベーク処理の際にウェーハ上やホットプ
レート上に落下したりして後続のウェーハに付着し、パ
ターン不良や半導体素子不良の原因になるおそれがあっ
た。
工程を行った場合、塗布薬液２３の昇華物や微小なシリ
コン片などがベーク装置の蓋部３４の天井部分などに付
着する。このような蓋部３４などに付着した異物は、後
続のウェーハのベーク処理の際にウェーハ上やホットプ
レート上に落下したりして後続のウェーハに付着し、パ
ターン不良や半導体素子不良の原因になるおそれがあっ
た。
【０００４】従来はこれを避けるために、ベーク装置の
蓋部３４を定期的に交換して洗浄する等の方法を採って
いた。したがって、交換・洗浄に要する工数と費用がか
かり、かつ、蓋部の交換・洗浄の間は、ベーク装置の使
用を停止しなければならないという問題があった。
蓋部３４を定期的に交換して洗浄する等の方法を採って
いた。したがって、交換・洗浄に要する工数と費用がか
かり、かつ、蓋部の交換・洗浄の間は、ベーク装置の使
用を停止しなければならないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のごとく、従来の
ベーク装置では、加熱によって昇華し蓋部に付着した異
物がウェーハ上やホットプレート上に落下して後続のウ
ェーハに付着し、パターン不良や半導体素子不良の原因
になる虞があり、これを防ぐためには蓋部の定期的な交
換・洗浄とその間のベーク装置の使用停止が不可欠であ
った。
ベーク装置では、加熱によって昇華し蓋部に付着した異
物がウェーハ上やホットプレート上に落下して後続のウ
ェーハに付着し、パターン不良や半導体素子不良の原因
になる虞があり、これを防ぐためには蓋部の定期的な交
換・洗浄とその間のベーク装置の使用停止が不可欠であ
った。
【０００６】本発明は、比較的簡単な方法でこの点を解
決して、ベーク装置の蓋の交換・洗浄の必要をなくし、
蓋の交換・洗浄のためのベーク装置の動作停止の期間を
少なくし、昇華物の付着によるパターン不良の発生を押
さえることが可能なベーク装置の実現を課題とする。
決して、ベーク装置の蓋の交換・洗浄の必要をなくし、
蓋の交換・洗浄のためのベーク装置の動作停止の期間を
少なくし、昇華物の付着によるパターン不良の発生を押
さえることが可能なベーク装置の実現を課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明は、薬液を塗布した半導体ウェーハを加熱す
ることによって薬液中の溶剤成分を昇華させ、この半導
体ウェーハに均一な厚みの塗布膜を形成するベーク装置
において、前記半導体ウェーハを加熱するベークユニッ
トと、このベークユニットに交換可能に設けられ前記半
導体ウェーハに塗布された前記薬液からの昇華物を回収
する回収手段と、この回収手段を洗浄して再生するため
のクリーニングユニットとを具備することを特徴とす
る。
め、本発明は、薬液を塗布した半導体ウェーハを加熱す
ることによって薬液中の溶剤成分を昇華させ、この半導
体ウェーハに均一な厚みの塗布膜を形成するベーク装置
において、前記半導体ウェーハを加熱するベークユニッ
トと、このベークユニットに交換可能に設けられ前記半
導体ウェーハに塗布された前記薬液からの昇華物を回収
する回収手段と、この回収手段を洗浄して再生するため
のクリーニングユニットとを具備することを特徴とす
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるベーク装置
を添付図面を参照にして詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施の形態のベーク装置のベークユニットの概要
を示す断面図である。図１において、１はユニット土
台、２はホットプレート、３は開閉窓、４はダミーウェ
ーハ吸着用チャック、５はダミーウェーハ、６は排気
口、７は処理対象のウェーハである。このベークユニッ
トでは、図１（ａ）のように開閉窓３を開いて、この窓
から薬液を塗布された処理対象ウェーハ７をベークユニ
ット内に挿入し、図１（ｂ）のようにホットプレート２
上に載置して、ホットプレート２で加熱する。その際に
薬液や処理対象ウェーハ７から発生する昇華物の一部
は、上昇排気により排気口６を通じてベークユニット外
に排出されるが、一部はダミーウェーハ吸着用チャック
４に吸着されている回収手段であるダミーウェーハ５に
付着する。ここで使用するダミーウェーハ５としては、
処理対象ウェーハ７と同等以上の大きさのものであれ
ば、特別な条件はない。
を添付図面を参照にして詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施の形態のベーク装置のベークユニットの概要
を示す断面図である。図１において、１はユニット土
台、２はホットプレート、３は開閉窓、４はダミーウェ
ーハ吸着用チャック、５はダミーウェーハ、６は排気
口、７は処理対象のウェーハである。このベークユニッ
トでは、図１（ａ）のように開閉窓３を開いて、この窓
から薬液を塗布された処理対象ウェーハ７をベークユニ
ット内に挿入し、図１（ｂ）のようにホットプレート２
上に載置して、ホットプレート２で加熱する。その際に
薬液や処理対象ウェーハ７から発生する昇華物の一部
は、上昇排気により排気口６を通じてベークユニット外
に排出されるが、一部はダミーウェーハ吸着用チャック
４に吸着されている回収手段であるダミーウェーハ５に
付着する。ここで使用するダミーウェーハ５としては、
処理対象ウェーハ７と同等以上の大きさのものであれ
ば、特別な条件はない。
【０００９】一方、図２に、この実施の形態のベーク装
置のクリーニングユニットの概略断面図を示す。図２
で、１１は洗浄液受け手段であるカップ、１２は洗浄対
象のウェーハを回転させる回転駆動部、１３は開閉窓、
１４は洗浄対象のウェーハを吸着するチャック、１５は
洗浄対象のダミーウェーハ、１６は洗浄液であるＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）や純水を洗浄対象ウェーハ
１５に吹き付ける洗浄液吐出手段としてのノズル、１７
は紫外線ランプである。
置のクリーニングユニットの概略断面図を示す。図２
で、１１は洗浄液受け手段であるカップ、１２は洗浄対
象のウェーハを回転させる回転駆動部、１３は開閉窓、
１４は洗浄対象のウェーハを吸着するチャック、１５は
洗浄対象のダミーウェーハ、１６は洗浄液であるＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）や純水を洗浄対象ウェーハ
１５に吹き付ける洗浄液吐出手段としてのノズル、１７
は紫外線ランプである。
【００１０】このクリーニングユニットは、操作時は密
閉されており、紫外線ランプ１７が消灯している場合だ
け開閉窓１３が開く。開閉窓１３を開いて、ベークユニ
ットで使用され昇華物が付着して汚れたダミーウェーハ
１５をチャック１４に取り付ける。そうして所定時間、
紫外線ランプ１７を点灯してダミーウェーハ１５に紫外
線を照射した後、ノズル１６からＩＰＡや純水等の洗浄
液をダミーウェーハ１５に吹き付けて洗浄する。この紫
外線照射中および洗浄中には回転駆動部１２の回転によ
ってダミーウェーハ１５を所定の速度で回転させ、紫外
線照射や洗浄が均一に行われるようにする。さらに、洗
浄後は、ダミーウェーハ１５を所定の時間回転させて、
洗浄液を切るスピンドライを行わせる。洗浄液はカップ
１１で回収されて、異物が濾過された後必要に応じて再
利用される。このような紫外線照射と洗浄によって、ベ
ークユニットで使用されて昇華物が付着したダミーウェ
ーハ１５は再生され、再びベークユニットで用いること
ができるようになる。
閉されており、紫外線ランプ１７が消灯している場合だ
け開閉窓１３が開く。開閉窓１３を開いて、ベークユニ
ットで使用され昇華物が付着して汚れたダミーウェーハ
１５をチャック１４に取り付ける。そうして所定時間、
紫外線ランプ１７を点灯してダミーウェーハ１５に紫外
線を照射した後、ノズル１６からＩＰＡや純水等の洗浄
液をダミーウェーハ１５に吹き付けて洗浄する。この紫
外線照射中および洗浄中には回転駆動部１２の回転によ
ってダミーウェーハ１５を所定の速度で回転させ、紫外
線照射や洗浄が均一に行われるようにする。さらに、洗
浄後は、ダミーウェーハ１５を所定の時間回転させて、
洗浄液を切るスピンドライを行わせる。洗浄液はカップ
１１で回収されて、異物が濾過された後必要に応じて再
利用される。このような紫外線照射と洗浄によって、ベ
ークユニットで使用されて昇華物が付着したダミーウェ
ーハ１５は再生され、再びベークユニットで用いること
ができるようになる。
【００１１】図３は、ベークユニットとクリーニングユ
ニット間でのダミーウェーハ（図１の５、図２の１５）
の対応を示す説明図である。図３で、５はダミーウェー
ハであり、その他は図１または図２と同じ番号をふって
示した。図３（ａ）のようにベークユニットで新しくダ
ミーウェーハが取り替えられた後、処理対象ウェーハが
所定枚数（ｘ枚）処理されると、昇華物が付着したもの
としてダミーウェーハは交換される（図３（ｂ））。汚
れたダミーウェーハはクリーニングユニットに移され
（図３（ｆ））、紫外線照射が行われ（図３（ｇ））、
ＩＰＡや純水等の洗浄液による洗浄とスピンドライが行
われる（図３（ｈ））。この間、図３（ｃ）、図３
（ｄ）のように、ベークユニットでは所定枚数（ｘ枚）
の処理対象ウェーハの処理が繰り返される。所定枚数の
処理対象ウェーハの処理が終了すると、ダミーウェーハ
は交換され、汚れたダミーウェーハは再びクリーニング
ユニットに移される（図３（ｉ））。一方、ベークユニ
ットには図３（ｈ）で再生されたダミーウェーハが交換
して設置される（図３（ｅ））。このようなサイクルの
繰り返しにより、処理対象ウェーハの処理とダミーウェ
ーハの再生交換とが、連続的に実行されることになる。
ニット間でのダミーウェーハ（図１の５、図２の１５）
の対応を示す説明図である。図３で、５はダミーウェー
ハであり、その他は図１または図２と同じ番号をふって
示した。図３（ａ）のようにベークユニットで新しくダ
ミーウェーハが取り替えられた後、処理対象ウェーハが
所定枚数（ｘ枚）処理されると、昇華物が付着したもの
としてダミーウェーハは交換される（図３（ｂ））。汚
れたダミーウェーハはクリーニングユニットに移され
（図３（ｆ））、紫外線照射が行われ（図３（ｇ））、
ＩＰＡや純水等の洗浄液による洗浄とスピンドライが行
われる（図３（ｈ））。この間、図３（ｃ）、図３
（ｄ）のように、ベークユニットでは所定枚数（ｘ枚）
の処理対象ウェーハの処理が繰り返される。所定枚数の
処理対象ウェーハの処理が終了すると、ダミーウェーハ
は交換され、汚れたダミーウェーハは再びクリーニング
ユニットに移される（図３（ｉ））。一方、ベークユニ
ットには図３（ｈ）で再生されたダミーウェーハが交換
して設置される（図３（ｅ））。このようなサイクルの
繰り返しにより、処理対象ウェーハの処理とダミーウェ
ーハの再生交換とが、連続的に実行されることになる。
【００１２】以上説明したように、本発明によるとダミ
ーウェーハを用いて処理ウェーハからの昇華物を回収
し、昇華物で汚れたダミーウェーハはクリーニングユニ
ットで洗浄して繰り返し用いるようにしたので、従来の
装置のような蓋の交換・洗浄の必要をなくし、そのため
の動作停止の期間を少なくし、さらに昇華物の付着によ
るパターン不良の発生を押さえることができる効率的な
ベーク装置を実現することができる。
ーウェーハを用いて処理ウェーハからの昇華物を回収
し、昇華物で汚れたダミーウェーハはクリーニングユニ
ットで洗浄して繰り返し用いるようにしたので、従来の
装置のような蓋の交換・洗浄の必要をなくし、そのため
の動作停止の期間を少なくし、さらに昇華物の付着によ
るパターン不良の発生を押さえることができる効率的な
ベーク装置を実現することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１の
発明は、薬液を塗布した半導体ウェーハを加熱すること
によって薬液中の溶剤成分を昇華させ、この半導体ウェ
ーハに均一な厚みの塗布膜を形成するベーク装置におい
て、半導体ウェーハを加熱するベークユニットと、この
ベークユニットに交換可能に設けられ半導体ウェーハに
塗布された薬液からの昇華物を回収する回収手段と、こ
の昇華物を回収した回収手段を洗浄して再生するための
クリーニングユニットとを具備することを特徴とする。
これにより、ベーク装置の蓋の交換・洗浄の必要をなく
し、蓋の交換・洗浄のためのベーク装置の動作停止の期
間を少なくし、昇華物を自動的に回収排除して昇華物の
付着による半導体ウェーハでのパターン不良の発生を押
さえることが可能なベーク装置を実現することができ
る。
発明は、薬液を塗布した半導体ウェーハを加熱すること
によって薬液中の溶剤成分を昇華させ、この半導体ウェ
ーハに均一な厚みの塗布膜を形成するベーク装置におい
て、半導体ウェーハを加熱するベークユニットと、この
ベークユニットに交換可能に設けられ半導体ウェーハに
塗布された薬液からの昇華物を回収する回収手段と、こ
の昇華物を回収した回収手段を洗浄して再生するための
クリーニングユニットとを具備することを特徴とする。
これにより、ベーク装置の蓋の交換・洗浄の必要をなく
し、蓋の交換・洗浄のためのベーク装置の動作停止の期
間を少なくし、昇華物を自動的に回収排除して昇華物の
付着による半導体ウェーハでのパターン不良の発生を押
さえることが可能なベーク装置を実現することができ
る。
【００１４】本発明の請求項２の発明は、回収手段とし
て回収用のダミーウェーハを用いることを特徴とする。
これにより、比較的簡単かつ廉価に昇華物の回収率の高
い回収手段を実現することができる。
て回収用のダミーウェーハを用いることを特徴とする。
これにより、比較的簡単かつ廉価に昇華物の回収率の高
い回収手段を実現することができる。
【００１５】本発明の請求項３の発明は、ベークユニッ
トは半導体ウェーハを加熱する加熱板と、ベークユニッ
トの天井部に設けられ回収手段を吸着するベークユニッ
ト用保持手段とを具備することを特徴とする。これによ
り、従来のベークユニットと大きく変わらぬ比較的簡単
な構成で本発明のベークユニットを実現することがで
き、廉価に構成することができる。
トは半導体ウェーハを加熱する加熱板と、ベークユニッ
トの天井部に設けられ回収手段を吸着するベークユニッ
ト用保持手段とを具備することを特徴とする。これによ
り、従来のベークユニットと大きく変わらぬ比較的簡単
な構成で本発明のベークユニットを実現することがで
き、廉価に構成することができる。
【００１６】本発明の請求項４の発明は、ベークユニッ
トはその上部に排気口を具備し、半導体ウェーハを加熱
する時に発生する昇華物を上方に引き込む上昇排気を行
うことを特徴とする。これにより、昇華物の排出が容易
になると共に回収手段での昇華物の回収効率を向上する
ことができる。
トはその上部に排気口を具備し、半導体ウェーハを加熱
する時に発生する昇華物を上方に引き込む上昇排気を行
うことを特徴とする。これにより、昇華物の排出が容易
になると共に回収手段での昇華物の回収効率を向上する
ことができる。
【００１７】本発明の請求項５の発明は、クリーニング
ユニットは、回収手段を吸着するためのクリーニングユ
ニット用保持手段と、回収手段に紫外線を照射するため
の紫外線光源と、回収手段に洗浄液を吹き付けるための
洗浄液吐出手段と、この洗浄液吐出手段によって回収手
段に吹き付けられた洗浄液を回収する洗浄液受け手段と
を具備することを特徴とする。これにより、比較的簡単
な構成で容易に回収手段を洗浄して再生することができ
る。
ユニットは、回収手段を吸着するためのクリーニングユ
ニット用保持手段と、回収手段に紫外線を照射するため
の紫外線光源と、回収手段に洗浄液を吹き付けるための
洗浄液吐出手段と、この洗浄液吐出手段によって回収手
段に吹き付けられた洗浄液を回収する洗浄液受け手段と
を具備することを特徴とする。これにより、比較的簡単
な構成で容易に回収手段を洗浄して再生することができ
る。
【００１８】本発明の請求項６の発明は、回収手段は所
定期間に亙ってベークユニットの天井部に設けられた
後、クリーニングユニットで洗浄再生され、再びベーク
ユニットの天井部に設置される過程を繰り返して使用さ
れることを特徴とする。これにより、比較的簡単な構成
で容易に回収手段を再生して再利用することができ、か
つ、装置を停止させずに運用することができ、全体のコ
スト効率を高めることができる。
定期間に亙ってベークユニットの天井部に設けられた
後、クリーニングユニットで洗浄再生され、再びベーク
ユニットの天井部に設置される過程を繰り返して使用さ
れることを特徴とする。これにより、比較的簡単な構成
で容易に回収手段を再生して再利用することができ、か
つ、装置を停止させずに運用することができ、全体のコ
スト効率を高めることができる。
【図１】本発明の一実施の形態のベーク装置のベークユ
ニットの概要を示す断面図。
ニットの概要を示す断面図。
【図２】本発明の一実施の形態のベーク装置のクリーニ
ングユニットの概要を示す断面図。
ングユニットの概要を示す断面図。
【図３】図１、図２に示す実施の形態でのベークユニッ
トとクリーニングユニット間でのダミーウェーハの対応
を示す説明図。
トとクリーニングユニット間でのダミーウェーハの対応
を示す説明図。
【図４】従来の一般的な塗布工程のフローを示す説明
図。
図。
【図５】従来のベーク装置のベークユニットの概要図。
１…ユニット土台、２…ホットプレート、３…開閉窓、
４…ダミーウェーハ吸着用チャック、５…ダミーウェー
ハ、６…排気口、７…処理対象ウェーハ、１１…カッ
プ、１２…回転駆動部、１３…開閉窓、１４…チャッ
ク、１５…ダミーウェーハ、１６…ノズル、１７…紫外
線ランプ、２１…ウェーハ、２２…表面処理材、２３…
塗布薬液、２４…塗布膜、３１…ユニット土台、３２…
ホットプレート、３３…窓部、３４…蓋部。
４…ダミーウェーハ吸着用チャック、５…ダミーウェー
ハ、６…排気口、７…処理対象ウェーハ、１１…カッ
プ、１２…回転駆動部、１３…開閉窓、１４…チャッ
ク、１５…ダミーウェーハ、１６…ノズル、１７…紫外
線ランプ、２１…ウェーハ、２２…表面処理材、２３…
塗布薬液、２４…塗布膜、３１…ユニット土台、３２…
ホットプレート、３３…窓部、３４…蓋部。
Claims (6)
- 【請求項１】 薬液を塗布した半導体ウェーハを加熱す
ることによって薬液中の溶剤成分を昇華させ、この半導
体ウェーハに均一な厚みの塗布膜を形成するベーク装置
において、 前記半導体ウェーハを加熱するベークユニットと、 このベークユニットに交換可能に設けられ前記半導体ウ
ェーハに塗布された前記薬液からの昇華物を回収する回
収手段と、 この昇華物を回収した回収手段を洗浄して再生するため
のクリーニングユニットとを具備することを特徴とする
ベーク装置。 - 【請求項２】 前記回収手段は回収用のダミーウェーハ
であることを特徴とする請求項１に記載のベーク装置。 - 【請求項３】 前記ベークユニットは前記半導体ウェー
ハを加熱する加熱板と、 前記ベークユニットの天井部に設けられ前記回収手段を
吸着するベークユニット用保持手段とを具備することを
特徴とする請求項１に記載のベーク装置。 - 【請求項４】 前記ベークユニットはその上部に排気口
を具備し、 前記半導体ウェーハを加熱する時に発生する昇華物を上
方に引き込む上昇排気を行うことを特徴とする請求項１
に記載のベーク装置。 - 【請求項５】 前記クリーニングユニットは、 前記回収手段を吸着するためのクリーニングユニット用
保持手段と、 前記回収手段に紫外線を照射するための紫外線光源と、 前記回収手段に洗浄液を吹き付けるための洗浄液吐出手
段と、 この洗浄液吐出手段によって前記回収手段に吹き付けら
れた洗浄液を回収する洗浄液受け手段とを具備すること
を特徴とする請求項１に記載のベーク装置。 - 【請求項６】 前記回収手段は所定期間に亙って前記ベ
ークユニットの天井部に設けられた後、前記クリーニン
グユニットで洗浄再生され、再び前記ベークユニットの
天井部に設置される過程を繰り返して使用されることを
特徴とする請求項１に記載のベーク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10349501A JP2000173883A (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | ベーク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10349501A JP2000173883A (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | ベーク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173883A true JP2000173883A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18404178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10349501A Pending JP2000173883A (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | ベーク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000173883A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002175975A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置の汚れを除去する方法及び処理装置 |
| US6881058B2 (en) | 2000-12-26 | 2005-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing substrate and method of processing the same |
| JP2010232592A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
| CN102610562A (zh) * | 2012-03-23 | 2012-07-25 | 上海华力微电子有限公司 | 含碳薄膜中碳元素的去除方法以及SiOC控挡片的再生方法 |
| CN103646915A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | SiCN薄膜中C元素的去除方法及监控片再生工艺 |
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1998
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