JP2010232592A - 基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Wと、複数のダミー基板DWとを、複数段の被処理基板保持部6aを有する被処理基板ボート5に、交互に保持させていく工程と、被処理基板W及びダミー基板DWを、交互に保持した被処理基板ボート5を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート5に保持された被処理基板Wに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。
【選択図】図4
Description
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理方法を実行することが可能な基板処理装置の一例を概略的に示した断面図である。本例は、基板処理装置として、半導体装置の製造に用いられ、例えば、半導体ウエハ(以下ウエハという)に形成された銅又は銅合金を含む薄膜の表面から銅酸化物を除去するドライクリーニング装置を例示する。ただし、この発明は、ドライクリーニングに適用されるばかりでなく、銅酸化物のエッチングに適用することもできる。また、この発明は、半導体装置の製造に限って適用されるものでもない。
次に、この発明の一実施形態に係る基板処理方法の例を説明する。
次に、一例に係る基板処理方法を利用した半導体装置の製造方法の一例を説明する。
1)シロキサン系材料
2)有機系材料
3)多孔質材料
などを挙げることができる。
1)Si、O、Hを含む材料
例えば、HSQ(Hydrogen-Silsesquioxane)
2)Si、C、O、Hを含む材料
例えば、MSQ(Methyl-Silsesquioxane)
などを挙げることができる。
1)ポリアリレンエーテル系材料
2)ポリアリレンハイドロカーボン系材料
3)パリレン系材料
4)ベンゾシクロブテン(BCB)系材料
5)ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)系材料
6)フッ化ポリイミド系材料
7)フルオロカーボンガスを原料にして形成されるCF系材料
などを挙げることができる。
1)ポーラスMSQ
2)ポーラスポリアリレンハイドロカーボン
3)ポーラスシリカ
などを挙げることができる。
・Cu(HCOO)は揮発性
ただし、揮発したCu(HCOO)は不安定であり分解してCuになりやすいため、特にダミーウエハDWの裏面にCuが付着しやすい。
有機化合物ガスは蟻酸ガスに限られるものではなく、蟻酸ガス以外の有機化合物ガスを用いることができる。
ヒドロキシル基(−OH)を有するアルコール
アルデヒド基(−CHO)を有するアルデヒド
カルボキシル基(−COOH)を有するカルボン酸
のいずれかから選ばれれば良い。
第1級アルコール
第2級アルコール
ポリヒドロキシアルコール
複数個の炭素原子を環の一部に有する環状アルコール、
芳香族アルコール
のいずれかから選ばれれば良い。
(1)式で記述されるアルデヒド
R1−CHO …(1)
(R1は水素、又は直鎖もしくは分枝鎖状のC1〜C20のアルキル基もしくはアルケニル基)
又は(2)式で記述されるアルカンジオール化合物
OHC−R2−CHO …(2)
(R2は直鎖もしくは分枝鎖状のC1〜C20の飽和又は不飽和炭化水素)
又は(2)式で記述されるアルカンジオール化合物においてR2が存在せず、両アルデヒド基が互いに結合したもの
のいずれかから選ばれれば良い。
(3)式で記述されるカルボン酸
R3−COOH …(3)
(R3は水素、又は直鎖もしくは分枝鎖状のC1〜C20のアルキル基もしくはアルケニル基)
から選ばれれば良い。
図8は、この発明の一実施形態に係る基板処理方法において採用される、ウエハボート5へのウエハWの配置の他例を模式的に示す図である。
Claims (8)
- 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、
複数の被処理基板と、複数のダミー基板とを、複数段の被処理基板保持部を有する被処理基板ボートに、交互に保持させていく工程と、
前記被処理基板及び前記ダミー基板を、交互に保持した前記被処理基板ボートを、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、
前記処理容器内において、前記被処理基板ボートに保持された前記複数の被処理基板に対し、前記有機化合物ガスを用い、前記銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、
複数の被処理基板を、複数段の被処理基板保持部を有する被処理基板ボートに、表裏交互に保持させる工程と、
前記被処理基板を、表裏交互に保持した前記被処理基板ボートを、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、
前記処理容器内において、前記被処理基板ボートに保持された前記複数の被処理基板に対し、前記有機化合物ガスを用い、前記銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 前記ドライ処理が、前記銅又は銅合金を含む薄膜の表面から、銅酸化物を除去する処理であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記被処理基板にLow−k膜が含まれることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記有機化合物ガスが、
ヒドロキシル基(−OH)を有するアルコール
アルデヒド基(−CHO)を有するアルデヒド
カルボキシル基(−COOH)を有するカルボン酸
のいずれかから選ばれることを特徴とする請求項4に記載の基板処理方法。 - 前記有機化合物ガスがアルコールであるとき、このアルコールが、
第1級アルコール
第2級アルコール
ポリヒドロキシアルコール
複数個の炭素原子を環の一部に有する環状アルコール、
芳香族アルコールのいずれかから選ばれることを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。 - 前記有機化合物ガスがアルデヒドであるとき、このアルデヒドが、
(1)式で記述されるアルデヒド
R1−CHO …(1)
(R1は水素、又は直鎖もしくは分枝鎖状のC1〜C20のアルキル基もしくはアルケニル基)
又は(2)式で記述されるアルカンジオール化合物
OHC−R2−CHO …(2)
(R2は直鎖もしくは分枝鎖状のC1〜C20の飽和又は不飽和炭化水素)
又は(2)式で記述されるアルカンジオール化合物においてR2が存在せず、両アルデヒド基が互いに結合したもの
のいずれかから選ばれることを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。 - 前記有機化合物ガスがカルボン酸であるとき、このカルボン酸が、
(3)式で記述されるカルボン酸
R3−COOH …(3)
(R3は水素、又は直鎖もしくは分枝鎖状のC1〜C20のアルキル基もしくはアルケニル基)
から選ばれることを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。
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---|---|---|---|---|
JPS63185018A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの連続熱処理装置 |
JP2000091413A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Nec Kagoshima Ltd | カセット及び基板乾燥方法 |
JP2000173883A (ja) * | 1998-12-09 | 2000-06-23 | Sony Corp | ベーク装置 |
JP2008034736A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2009043975A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | ドライクリーニング方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記憶媒体 |
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