JP2008034736A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 低誘電率層間絶縁膜および/または金属膜の酸化を確実に抑止することが可能であり、しかも、プロセスの再現性に優れた熱処理方法を提供する。
【解決手段】 熱処理方法は、low−k膜および配線層が成膜されたウエハWを熱処理炉41内に収容する工程と、熱処理炉41内に、気相の無水酢酸をマスフローコントローラ44dによって流量調整しながら供給する工程と、気相の無水酢酸が供給された熱処理炉41内のウエハWを、熱処理炉41に設けられたヒーター41bによって加熱する工程とを含む。
【選択図】図2
【解決手段】 熱処理方法は、low−k膜および配線層が成膜されたウエハWを熱処理炉41内に収容する工程と、熱処理炉41内に、気相の無水酢酸をマスフローコントローラ44dによって流量調整しながら供給する工程と、気相の無水酢酸が供給された熱処理炉41内のウエハWを、熱処理炉41に設けられたヒーター41bによって加熱する工程とを含む。
【選択図】図2
Description
本発明は、低誘電率層間絶縁膜(low−k膜)および/または銅(Cu)等からなる金属膜が成膜された半導体基板などの基板に熱処理を施す熱処理方法および熱処理装置に関する。
近時、半導体デバイスの高速化、配線パターンの微細化および高集積化の要求に対応して、配線間の容量の低下ならびに配線の導電性向上およびエレクトロマイグレーション耐性の向上が求められており、このような要求に対応した技術として、導電性が高く、かつエレクトロマイグレーション耐性に優れた銅(Cu)を配線材料に用い、低誘電率(low−k)材料を層間絶縁膜に用いたCu多層配線技術が注目されている。
low−k材料からなる低誘電率層間絶縁膜(low−k膜)は、半導体ウエハの表面に塗布液を供給して半導体ウエハを回転させることにより塗布液を拡げる塗布法(SOD:Spin on Dielectric)、あるいは半導体ウエハの表面に原料ガスを供給して化学反応によって分解または合成することにより生成物を堆積させる化学的気相成長法(CVD:Chemical Vapor Deposition)によって成膜される。
SODによってlow−k膜を成膜した場合には通常、内部応力を緩和するとともに機械的強度を確保する等の目的から、成膜後の半導体ウエハに熱処理が施される。また、CVDによるlow−k膜の成膜であっても、選択される低誘電率材料によっては、成膜後に熱処理が必要となる場合がある。熱処理は一般的に、真空または窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行われている(例えば特許文献1参照)。しかしながら、完全な真空または不活性ガス雰囲気を作り出すことは極めて難しく、雰囲気中には酸素等の不純物が含有されやすいため、このような熱処理方法では、雰囲気中含まれる酸素によってlow−k膜が酸化、すなわち劣化してしまうおそれがある。
一方、Cu配線は通常、半導体ウエハまたはlow−k膜の表面にビアホールを設けておき、このビアホール内を含めた半導体ウエハまたはlow−k膜の表面にCuシード層を形成した後、Cuをめっきすることにより形成される。Cu配線の形成後には、Cuの結晶粒を大きくして配線の電気抵抗を低く安定させる等の目的から、low−k膜の成膜後と同様に、真空または窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で熱処理が行われている(例えば特許文献2参照)。ところが、Cuは酸化されやすく、Cu配線の形成後にはその表面に容易に酸化物が形成されてしまうため、このような熱処理方法ではやはり、雰囲気中含まれる酸素によって金属膜が酸化してしまうおそれがある。上層の配線と下層の配線との間でビアコンタクトをとる必要があるCu多層配線では、コンタクト形成前に配線の表面の酸化物が存在していると良好なコンタクトを得ることができない。
特開2000−272915号公報
特開2002−285379号公報
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、低誘電率層間絶縁膜および/または金属膜の酸化を確実に抑止することが可能な熱処理方法および熱処理装置、ならびにこのような熱処理方法を実行させるための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体の提供を目的とする。
low−k膜の酸化を抑止する技術として、本出願人は先に、優れた還元性を有するアルコール、アルデヒドおよび/またはカルボン酸、例えば蟻酸の雰囲気下でlow−k膜が成膜された基板を熱処理する技術を提案した(特願2006−152369号)。しかしながら、蟻酸等は、多量体化しやすく、圧力や温度等の外的要因に変化が生じると、重合または解離反応を起こして単量体と多量体(二量体)との成分比率が大きく変化してしまうため、この技術では、蟻酸ガス(または蒸気)の供給をマスフローコントローラ等の流量調整機構によって流量調整しつつ行うと、成分比率の変化がコンバージョンファクターに影響を及ぼして、流量調整機構による設定流量と実流量とで誤差が生じやすく、プロセスの再現性の確保が難しいといった点において改善の余地があった。
そこで、本発明では、上記課題を解決するのみならず、このようなプロセスの再現性の問題をも解決する。
すなわち、本発明の第1の観点では、低誘電率層間絶縁(low−k)膜および/または金属膜が成膜された基板に熱処理を施す熱処理方法であって、基板を処理容器内に収容する工程と、前記処理容器内に、無水カルボン酸、エステル、有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩、有機酸アミド、有機酸ヒドラジド、有機酸の金属錯体および有機酸の金属塩のうちの少なくとも1種類を含む還元性を有する気相の有機化合物を流量調整しながら供給する工程と、前記気相の有機化合物が供給された前記処理容器内の基板を加熱する工程とを含むことを特徴とする熱処理方法を提供する。
本発明の第1の観点において、前記金属膜は銅(Cu)を含むことが好適である。
また、本発明の第2の観点では、低誘電率層間絶縁(low−k)膜および/または金属膜が成膜された基板に熱処理を施す熱処理装置であって、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に、無水カルボン酸、エステル、有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩、有機酸アミド、有機酸ヒドラジド、有機酸の金属錯体および有機酸の金属塩のうちの少なくとも1種類を含む還元性を有する気相の有機化合物を流量調整しながら供給する有機化合物供給機構と、前記有機化合物供給機構によって前記気相の有機化合物が供給された前記処理容器内の基板を加熱する加熱機構とを具備することを特徴とする熱処理装置を提供する。
さらに、本発明の第3の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に前記の熱処理方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
本発明によれば、低誘電率層間絶縁膜および/または金属膜を成膜した基板を処理容器内に収容し、優れた還元性を有し、かつ一部のアルデヒドやカルボン酸等のように多量体化することのない、無水カルボン酸、エステル、有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩、有機酸アミド、有機酸ヒドラジド、有機酸の金属錯体および有機酸の金属塩のうちの少なくとも1種類を含む有機化合物を流量調整しながら処理容器内に供給し、この有機化合物の雰囲気下で基板を加熱するため、処理容器内に供給される有機化合物の流量調整による設定流量と実流量との誤差の発生を抑止してプロセスの再現性を十分に確保することができるとともに、有機化合物の還元反応によって低誘電率層間絶縁膜および/または金属膜の酸化を確実に抑止することが可能となる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
図1は本発明に係る熱処理方法を実施可能な熱処理装置を備えたウエハ処理システムの概略平面図である。
ウエハ処理システム100は、半導体基板であるウエハWに所定の処理を施す複数のユニットが設けられた処理ステーション1と、処理ステーション1の両側(図1上では左側および右側)にそれぞれ設けられたサイドキャビネット2およびキャリアステーション(CSB)3と、処理ステーション1の背面側(図1上では上側)に設けられた、ウエハWに熱処理を施すための熱処理部4と、処理ステーション1および熱処理部4の間に設けられた、これらの間でウエハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを備えている。
処理ステーション1は、塗布処理ユニット(SCT)11、12と、複数の処理ユニットを多段に積層された処理ユニット群13、14と、塗布処理ユニット(SCT)11、12、処理ユニット群13、14およびインターフェイスステーション5の間でウエハWを搬送する搬送アーム15とを有している。搬送アーム15は、処理ステーション1の略中央部に設けられ、処理ユニット群13、14はそれぞれ、搬送アーム15のサイドキャビネット2側およびキャリアステーション(CSB)3側に設けられている。塗布処理ユニット(SCT)11、12はそれぞれ、処理ユニット群13、14の手前側に設けられている。なお、塗布処理ユニット(SCT)11、12の例えば下方には、塗布処理ユニット(SCT)11、12で使用される塗布液等を貯留する図示しない塗布液貯留部が設けられている。
塗布処理ユニット(SCT)11、12はそれぞれ、例えば、スピンチャックによって保持したウエハWの表面にlow−k膜用やハードマスク層用等の所定の塗布液を供給し、スピンチャックを回転させることによってウエハWの表面に塗布液を拡げてlow−k膜やハードマスク層等の塗布膜を成膜するように構成されている。処理ユニット群13は、例えば、ウエハWを低温でベーキングする低温用ホットプレートユニット、ウエハWに成膜されたlow−k膜等の塗布膜をゲル化するエージングユニット等が上下に積層されて構成されている。処理ユニット群14は、例えば、キャリアステーション(CSB)3との間でウエハWの受け渡しを行うための受渡ユニット、ウエハWを高温でベーキングする高温用ホットプレートユニット、ウエハWを冷却するクーリングプレートユニット等が上下に積層されて構成されている。搬送アーム15は、塗布処理ユニット(SCT)11、12および処理ユニット群13、14の各処理ユニットにアクセスできるように、昇降、水平回転および前後への進退可能に構成されている。
サイドキャビネット2には、処理ユニット群13、14等で用いられるバブラー(Bub)27と、各ユニットから排出される排気ガスを洗浄するためのトラップ(TRAP)28とが設けられている。なお、バブラー(Bub)27の例えば下方には、純水や有機化合物、例えば無水酢酸等の処理液を貯留するための薬液貯留部や、使用後の処理液の廃液を排出するためのドレインなどが設けられている。
キャリアステーション(CSB)3には、ウエハWが収容されたカセットを載置する載置台と、この載置台に載置されたカセットと処理ステーション1に設けられた受渡ユニットとの間でウエハWの搬送を行う搬送機構とが設けられている。
インターフェイスステーション5には、ほぼ密閉されたボックス51内に、搬送アーム15から搬送されたウエハWを受け取って位置決めする位置決め機構52と、後述する熱処理装置40の熱処理炉41内に複数枚のウエハWを収容させるためのウエハボート42およびダミー用ウエハボート45が載置されるボートライナー53と、位置決め機構52およびウエハボート42(またはダミー用ウエハボート45)との間でウエハWを搬送する搬送機構54とが設けられている。位置決め機構52および搬送機構54は、インターフェイスステーション5の前面側(処理ステーション1側)に設けられている。ボートライナー53は、複数個、例えば3個のウエハボート42と一つのダミーウエハ用ボート43とを載置し、インターフェイスステーション5の背面側(熱処理部4側)に設けられており、背面側に沿って移動可能に構成されている。
熱処理部4は、ウエハWを熱処理する熱処理装置40と、熱処理装置40およびボートライナー53の間でウエハボート42(またはダミー用ウエハボート45)を搬送する搬送体49とを有している。熱処理装置40は、ウエハボート42に保持された複数枚のウエハWを同時に熱処理するいわゆるバッチ式であり、無水ガルボン酸(カルボン酸無水物)、例えば無水酢酸の雰囲気下でウエハWを加熱するように構成されている。熱処理装置40の詳細については後に説明する。
ウエハ処理システム100の各構成部、例えば各処理ユニットおよび処理装置は、マイクロプロセッサ(コンピュータ)を備えたシステムコントローラ90に接続されて制御される構成となっている。システムコントローラ90には、工程管理者がウエハ処理システム100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、ウエハ処理システム100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース91と、ウエハ処理システム100で実行される処理をシステムコントローラ90の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部92とが接続されている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース91からの指示等にて任意のレシピを記憶部92から呼び出してシステムコントローラ90に実行させることで、システムコントローラ90の制御下でウエハ処理システム100での処理が行われる。また、前記レシピは、例えば、CD−ROM、ハードディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。
このように構成されたウエハ処理システム100において、シルク法およびスピードフィルム法によってウエハWにlow−k膜等の塗布膜を形成する場合には、ウエハWを、キャリアステーション(CSB)3から受渡ユニット→クーリングプレートユニット→塗布処理ユニット(SCT)12→低温用ホットプレートユニット→クーリングプレートユニット→塗布処理ユニット(SCT)11→低温用ホットプレートユニット→高温用ホットプレートユニット→熱処理装置40の順に搬送し、各ユニットでウエハWに所定の処理を施す。この場合に、塗布処理ユニット(SCT)12ではアドヒージョンプロモータを塗布し、塗布処理ユニット(SCT)11ではlow−k膜用の塗布液を塗布する。フォックス法によってlow−k膜等の塗布膜を形成する場合には、ウエハWを、受渡ユニット→クーリングプレートユニット→塗布処理ユニット(SCT)11→低温用ホットプレートユニット→高温用ホットプレートユニット→熱処理装置40の順に搬送し、各ユニットでウエハWに所定の処理を施す。なお、熱処理装置40はバッチ式であり、熱処理装置40以外の各ユニットは、1枚ずつウエハWを処理するいわゆる枚葉式であるため、熱処理装置40での処理前の各処理が終了したウエハWは順次ウエハボート42に保持され、ウエハボート42に所定の枚数のウエハWが保持された段階で熱処理装置40に搬送され、熱処理装置40での処理が行われる。ゾルーゲル法によってlow−k膜等の塗布膜を形成する場合には、ウエハWを、受渡ユニット→クーリングプレートユニット→塗布処理ユニット(SCT)11→エージングユニット→低温用ホットプレートユニット→高温用のホットプレートユニットの順に搬送し、各ユニットでウエハWに所定の処理を施す。
シルク法、スピードフィルム法またはフォックス法を用いた場合には、最終工程において、熱処理装置40での熱処理が行われ、例えば、low−k膜やハードマスク膜等の塗布膜に対して硬化処理が施される。このような処理は従来、前述のように、真空または窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気下でウエハを加熱することにより行われていたが、不純物として雰囲気中に含有される酸素による塗布膜の劣化(酸化)を十分に抑止することが難しかった。塗布膜の酸化を抑止するには、前述のように、優れた還元性を有するアルコール、アルデヒドおよび/またはカルボン酸、例えば蟻酸ガスの雰囲気下でウエハを加熱することが考えられるが、蟻酸等は、温度変化等により単量体から多量体に、または多量体から単量体に変化する性質を有しているため、成分比率が変化しやすい蟻酸等を気相で安定供給することは実際には困難であった。そこで、本実施形態では、優れた還元性を有し、かつ多量体することのない無水カルボン酸、例えば無水酢酸の雰囲気下でウエハWを加熱することにより、例えば、low−k膜等の塗布膜に対して硬化処理を施すように構成したため、マスフローコントローラ等の流量調整機構による供給流量に誤差がほとんど生じず、しかも、無水酢酸の還元反応によってその雰囲気中の酸素を効果的除去することができる。したがって、low−k膜の劣化を確実に抑止するとともに、プロセスの再現性を十分に確保することが可能となる。
また、ウエハWに、例えばCuからなる配線等の金属膜が成膜され、この金属膜の表面に酸化物が生成されている場合には、熱処理装置40での熱処理時に無水酢酸の還元反応によって酸化物を除去することができる。
本実施形態の熱処理方法に用いられる無水酢酸等の無水カルボン酸は、R1−CO−O−CO−R2(R1、R2は、水素原子または炭化水素基または炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基)で表記されるものと定義することができる。炭化水素基の具体例としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などを挙げることができ、ハロゲン原子の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を挙げることができる。無水カルボン酸の具体例としては、無水酢酸以外に、無水蟻酸、無水プロピオン酸、無水酢酸蟻酸、無水酪酸、および無水吉草酸などが挙げられる。但し、無水蟻酸および無水酢酸蟻酸は比較的不安定な物質であるため、これら以外の無水カルボン酸を用いることが好ましい。
また、優れた還元性を有し、かつ多量体することのない性質を有する、無水カルボン酸と同様の効果を得られるものものとしては、エステル、有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩、有機酸アミド、有機酸ヒドラジド、有機酸の金属錯体および有機酸の金属塩が挙げられる。
エステルは、R3−COO−R4(R3は、水素原子または炭化水素基または炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基、R4は、炭化水素基または炭化水素基を構成する水索原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基)と表記されるものと定義することができる。炭化水素基およびハロゲン原子の具体例としては上記したものと同様である。エステルの具体例としては、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸ベンジル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸ヘキンル、酢酸オクチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、酢酸アリル、酢酸プロペニル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸ベンジル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ペンチル、酪酸ブチル、吉草酸メチルおよび吉草酸エチルなどが挙げられる。
有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩は、R5−COO−NR6R7R8R9(R5、R6、R7、R8、R9は、水素原子または炭化水素基または炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基)で示されるものと定義することができる。炭化水素基およびハロゲン原子の具体例としては上記したものと同様である。有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩の具体例としては、有機酸アンモニウム(R5COONH4)、または有機酸メチルアミン塩、有機酸エチルアミン塩、有機酸t−ブチルアミン塩などの一級アミン塩、または有機酸ジメチルアミン塩、有機酸エチルメチルアミン塩、有機酸ジエチルアミン塩などの二級アミン塩、または有機酸トリメチルアミン塩、有機酸ジエチルメチルアミン塩、有機酸エチルジメチルアミン塩、有機酸トリメチルアミン塩などの三級アミン塩、または有機酸テトラメチルアンモニウム、有機酸トリエチルメチルアンモニウムなどの四級アンモニウム塩を挙げることができる。
有機酸アミドは、R10−CO−NH2(R10は、水素原子または炭化水素基または炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基)で示されるものと定義することができる。炭化水素基およびハロゲン原子の具体例としては上記したものと同様である。有機酸アミドの具体例としてはカルボン酸アミドが挙げられる。
有機酸ヒドラジドは、R11−CO−NHONH2(R11は、水素原子または炭化水素基または炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基)で示されるものと定義することができる。炭化水素基およびハロゲン原子の具体例としては上記したものと同様である。有機酸ヒドラジドを構成する有機酸の具体例としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、酢酸蟻酸および吉草酸が挙げられる。
金属錯体もしくは金属塩は、Ma(R12COO)b(Mは金属原子、a、bは自然数、R12は水素原子または炭化水素基または炭化水素基を構成する水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された官能基)で示されるものと定義することができる。炭化水素基およびハロゲン原子の具体例としては上記したものと同様である。有機酸の金属錯体または有機酸の金属塩を構成する金属元素の具体例としては、チタン(Ti)、ルテニウム(Ru)、Cu、シリコン(Si)、コバルト(Co)、アルミニウム(Al)が挙げられる。有機酸の金属錯体または有機酸の金属塩を構成する有機酸の具体例としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、酢酸蟻酸および吉草酸が挙げられる。有機酸の金属錯体または有機酸の金属塩としては、有機酸が蟻酸の場合を例に挙げると、蟻酸チタン、蟻酸ルテニウム、蟻酸銅、蟻酸シリコン、蟻酸コバルト、蟻酸アルミニウムなどがあり、有機酸が酢酸の場合を例に挙げると、酢酸チタン、酢酸ルテニウム、酢酸銅、酢酸シリコン、酢酸コバルト、酢酸アルミニウムなどがあり、有機酸がプロピオン酸の場合を例に挙げると、プロピオン酸チタン、プロピオン酸ルテニウム、プロピオン酸銅、プロピオン酸シリコン、プロピオン酸コバルト、プロピオン酸アルミニウムなどがある。
なお、無水カルボン酸、エステル、有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩、有機酸アミド、有機酸ヒドラジド、有機酸の金属錯体および有機酸の金属塩のうちの複数種類を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の熱処理方法が特に有効なlow−k膜の材料としては、例えば、シロキサン系であるSi、O、Hを含むHSQ(Hydrogen−silsesquioxane)やSi、C、O、Hを含むMSQ(Methyl−Hydrogen−silsesquioxane)等、有機系であるポリアリレンエーテルからなるFLAME(ハネウエル社製)やポリアリレンハイドロカーボンからなるSILK(ダウ・ケミカル社製)、Parylene、BCB、PTFE、フッ化ポリイミド等、多孔質膜であるポーラスMSQやポーラスSILK、ポーラスシリカ等が挙げられる。また、本実施形態の熱処理方法が特に有効なlow−k膜以外の膜、例えばハードマスク膜の材料としては、例えばポリベンゾオキサゾール(Polybenzoxazole)が挙げられる。
また、本実施形態の熱処理方法は、low−k膜等の膜がCVDによって成膜される場合にも適用可能である。この場合に、本実施形態の熱処理方法が特に有効なlow−k膜の材料としては、Black Diamond(Applied Materials社製)、Coral(Novellus社製)、Aurora(ASM社製)等のSiOC系材料(SiO2のSi−O結合にメチル基(−CH3)を導入してSi−CH3を混入したもの)やSiOF系材料(SiO2にフッ素(F)を導入したもの)、フルオロカーボンガスを用いたCF系材料などが挙げられる。また、この場合に、本実施形態の熱処理方法が特に有効なlow−k膜以外の膜、例えばハードマスク膜の材料としては、low−k膜と同じ材料(ただしlow−k膜よりも誘電率の高いもの)、さらに、炭化ケイ素(SiC)や炭化ケイ素(SiCN)等が挙げられる。
本実施形態の熱処理方法が特に有効な金属膜の材料としては、前述のようにCuを含むものが挙げられ、Cuのみからなるものでもよく、Cu合金からなるものであってもよい。Cu合金としては、例えば、マグネシウム(Mg)、Al、Si、スカンジウム(Sc)、Ti、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、Co、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、ストロンチウム(Sr)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、Ru、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、インジウム(In)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)、鉛(Pb)を含むものが挙げられる。
次に、熱処理装置40について詳細に説明する。
図2は熱処理装置40の概略断面図である。
図2は熱処理装置40の概略断面図である。
熱処理装置40は、下部が開口した、ウエハWを収容して加熱する略筒状の熱処理炉41(処理容器)と、複数枚のウエハWを保持して熱処理炉41内に収容させるためのウエハボート42と、このウエハボート42を昇降させて熱処理炉41内外の間で進退させるボートエレベータ43と、熱処理炉41内に処理ガスとしての無水酢酸を供給する処理ガス供給機構44とを備えている。
熱処理炉41は、その形状と対応する形状を有する石英製のプロセスチューブ41aを内部に有し、このプロセスチューブ41aの外周を囲繞するように、ウエハWを加熱する加熱機構としてのヒーター41bを有している。プロセスチューブ41aの下端部には、環状または筒状のマニホールド41cが設けられており、このマニホールド41cには、処理ガス供給機構44の後述する処理ガス供給ライン44aが接続されているとともに、熱処理炉41内を排気する排気口41dが設けられている。
ウエハボート42は、複数枚のウエハWを、所定の間隔をあけて上下に積層させて保持するように構成されている。ボートエレベータ43には、マニホールド41cと当接してプロセスチューブ41a内を密閉状態に保持する蓋部43aが設けられており、この蓋部43aの上部に保温筒43bが搭載されている。
処理ガス供給機構44は、例えば液体の無水酢酸((CH3CO)2O)が貯留された貯留部44bと、貯留部44bの無水酢酸を加熱して気化させるヒーター等の加熱部44cと、加熱部44cの加熱によって生じた無水酢酸ガス(気化した無水酢酸)を熱処理炉41内に導く処理ガス供給ライン44aと、処理ガス供給ライン44aを流通する無水酢酸ガスの流量を調整する流量調整機構としてのマスフローコントローラ44dおよびバルブ44eとを有している。
熱処理装置40は、システムコントローラ90に接続されたユニットコントローラ93によって制御される構成となっている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース91からの指示等にてシステムコントローラ90が任意のレシピを記憶部92から呼び出してユニットコントローラ93に制御させる。
このように構成された熱処理装置40においては、まず、ボートエレベータ43を下降させた状態で、複数枚のウエハWを保持したウエハボート42が搬送体49によってボートエレベータ43(保温筒43b)上に設置されたら、蓋部43aがマニホールド41cと当接するまでボートエレベータ43を上昇させ、ウエハボート42を熱処理炉41内に収容させる。次に、処理ガス供給機構44によって熱処理炉41内に無水酢酸ガスを供給する。これにより、無水酢酸の還元反応によって熱処理炉41内の酸素が効果的に除去される。そして、熱処理炉41内を低酸素濃度(例えば50ppm以下)の無水酢酸ガスの雰囲気に保持する。無水酢酸ガスの供給は、マスフローコントローラ44dおよびバルブ44eによって流量調整しながら行われるが、無水酢酸は多量体化することがないため、マスフローコントローラ44dによる設定流量と実流量との誤差はほとんど生じない。このため、熱処理の精度を高めることができ、プロセスの再現性を十分に確保することができる。
熱処理炉41内を低酸素濃度の無水酢酸ガスの雰囲気に保持したら、ヒーター41bの温度を例えば200〜400℃に設定して各ウエハWを加熱する。これにより、各ウエハWに設けられたlow−k膜やハードマスク膜等の塗布膜は、酸素にほとんど接触しない状態で硬化が進行するため、劣化が抑止される。また、各ウエハWに設けられた金属膜の酸化も防止され、金属膜の表面に酸化物が存在する場合には、この酸化物が除去される。なお、熱処理炉41内に充満した無水酢酸や、無水酢酸の還元反応によって生成された生成物、例えば水分および二酸化炭素などは排出口41dから排出される。
ヒーター41bによるウエハWの加熱を終了したら、処理ガス供給機構44による無水酢酸ガスの供給を停止し、ボートエレベータ43を下降させ、ウエハボート42を熱処理炉41外に搬出する。その後、ウエハボート42が搬送体49によって搬送されることとなる。
なお、処理ガス供給機構44によって供給される処理ガスとして、有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩、有機酸アミドおよび有機酸ヒドラジドの少なくとも1種類を用いれば、その性質により、処理ガス供給機構44の貯留部44bや処理ガス供給ライン44a等の内壁などの腐食抑制効果も得ることができる。
次に、熱処理装置40による熱処理のダマシンプロセスへの適用例について説明する。
図3はダマシンプロセスの過程におけるウエハWの断面図である。
図3はダマシンプロセスの過程におけるウエハWの断面図である。
ダマシンプロセスにおいては、例えば、まず、ウエハWを構成するSi基板(Sub)200上に層間絶縁膜としてのlow−k膜101を形成する(図3(a)参照)。low−k膜101は、前述のウエハ処理システム100の処理ステーション1での処理工程によって形成される。low−k膜101を形成したら、ウエハWを熱処理装置40で熱処理する。ここで、low−k膜101は、無水酢酸の還元反応により、酸化されて劣化してしまうといったことが抑止され、十分な強度が得られる。次に、low−k膜101の形成工程と同様にして、low−k膜101上にハードマスク膜102を形成し、さらに、ウエハWを熱処理装置40で熱処理する。ここで、ハードマスク膜102は、無水酢酸の還元反応により酸化が抑止され、十分な強度が得られる。
続いて、フォトリソグラフィによりパターン化した図示しないレジスト膜をマスクとしてハードマスク膜102をエッチングし、さらに、レジスト膜およびエッチングしたハードマスク膜102をマスクとしてlow−k膜101にエッチングによる溝105を形成する。そして、ハードマスク膜102上および溝105内にバリアメタル膜103と銅(Cu)からなる配線層104とを順次成膜する(図3(b)参照)。バリアメタル膜103は、スパッタリング等によって形成され、配線層104は、めっき法等によって形成される。バリアメタル膜103および配線層104を形成したら、ウエハWを熱処理装置40で熱処理する。ここで、配線層104は、無水酢酸の還元能によって酸化されずにアニール処理が施される。
その後、CMP法により配線層104の表面を研磨すること(ポリッシング)により、ダマシン構造の配線部が設けられることとなる。
次に、本発明に係る熱処理方法を実施可能な他の実施形態としての熱処理装置について説明する。
図4は本発明に係る熱処理方法を実施可能な他の実施形態としての熱処理装置の概略断面図である。
図4は本発明に係る熱処理方法を実施可能な他の実施形態としての熱処理装置の概略断面図である。
本実施形態では、ウエハWを1枚ずつ熱処理する枚葉式の熱処理装置60について説明する。なお、熱処理装置60において、熱処理装置40と同部位については同符号を付して説明を省略する。熱処理装置60は、ウエハWを収容可能な処理容器としてのチャンバー61と、チャンバー61内に処理ガスとしての無水酢酸ガスを供給する処理ガス供給機構44と、チャンバー61内でウエハWを加熱する加熱機構としてのヒーター62とを備えている。なお、熱処理装置60も、熱処理装置40と同様に制御される。
チャンバー61は、上部が開口した略筒状または箱状のチャンバー本体61aと、チャンバー本体61aの上部開口を閉塞する蓋体61bとを有している。チャンバー本体61aの側壁部には、ウエハWをチャンバー61内外との間で搬入出するための搬入出口61cが形成されているとともに、この搬入出口61cを開閉するシャッター61dが設けられている。処理ガス供給機構44の処理ガス供給ライン44aは、蓋体61bに接続されている。
チャンバー本体61aの例えば底部には、処理ガス供給機構44によってチャンバー61内に供給された無水酢酸ガス等を外部に排出するための排出口61lが設けられている。また、チャンバー本体61a内の例えば底部には、ウエハWを載置するための載置台61hが設けられている。ヒーター62は、載置台61hに内蔵されており、載置台61hを介してウエハWを加熱するように構成されている。載置台61hには、その上面から突没するように昇降する支持ピン61iが設けられており、支持ピン61iは、突出時にウエハWの受け渡しを行い、没入時にウエハWを載置台61hに載置させるように構成されている。
蓋体61bは、その内部に扁平な拡散空間61jを有する略筒状または箱状に形成されている。また、蓋体61bは、その下面に、処理ガス供給機構44による無水酢酸ガスを吐出するための吐出孔61kを多数有しており、その上面から処理ガス供給機構44によって無水酢酸ガスが拡散空間61j内に導入され、拡散空間61j内で拡散された無水酢酸ガスが吐出孔61kからチャンバー61内またはチャンバー本体61a内に供給されるように構成されている。
このように構成された熱処理装置60においては、まず、図示しない搬送手段によりウエハWが搬入出口61cからチャンバー61内に搬入されたら、支持ピン61iを上昇させて載置台61hの上面から突出させ、支持ピン61iによってウエハWを受け取らせる。次に、支持ピン61iを下降させて載置台61hに没入させ、ウエハWを載置台61hに載置する。そして、図示しない搬送手段がチャンバー61内から退避したら、シャッター61dによって搬入出口61cを閉塞する。
ウエハWを載置台61hに載置され、搬入出口61cを閉塞したら、処理ガス供給機構44によってチャンバー61内に無水酢酸ガスを供給し、チャンバー61内を低酸素濃度(例えば50ppm以下)の無水酢酸ガスの雰囲気に保持する。そして、ヒーター62の温度を例えば200〜400℃に設定して各ウエハWを加熱する。これにより、ウエハWに設けられたlow−k膜やハードマスク膜等の塗布膜は、酸素にほとんど接触しない状態で硬化が進行するため、劣化が抑止される。また、ウエハWに設けられた金属膜の酸化も防止され、金属膜の表面に酸化物が存在する場合には、この酸化物が除去される。なお、チャンバー61内に充満した無水酢酸や、無水酢酸の還元反応によって生成された生成物、例えば水分および二酸化炭素などは排出口61lから排出される。
ヒーター62によるウエハWの加熱を終了したら、処理ガス供給機構44による無水酢酸ガスの供給を停止する。そして、支持ピン61iを上昇させて載置台61hからウエハWを受け取らせるとともに、シャッター61dによって搬入出口61cを開放する。その後、図示しない搬送手段が、ウエハWを支持ピン61iから受け取って搬入出口61cからチャンバー61外に搬出することとなる。
熱処理装置60は、図1に示したウエハ処理システム100において、処理ユニット群13(または14)に設けることができる。熱処理装置60を設けることにより、熱処理装置40での熱処理が必要なくなるため、熱処理部4およびインターフェイスステーション5を設ける必要もなくなり、これにより、ウエハ処理システムの小型化を図ることができる。
次に、本発明に係る熱処理方法を実施可能なさらに他の実施形態としての熱処理装置について説明する。
図5は本発明に係る熱処理方法を実施可能なさらに他の実施形態としての熱処理装置の概略断面図である。
図5は本発明に係る熱処理方法を実施可能なさらに他の実施形態としての熱処理装置の概略断面図である。
本実施形態では、減圧雰囲気、例えば真空雰囲気でウエハWを熱処理する熱処理装置70について説明する。熱処理装置70において、図4に示した熱処理装置60と同部位については同符号を付して説明を省略する。熱処理装置70は、例えば、low−k膜やハードマスク膜等をCVD法等によって減圧または真空プロセスで成膜する場合に用いられるものであり、ウエハWを収容可能なチャンバー71と、チャンバー71内に無水酢酸ガスを供給する処理ガス供給機構44と、無水酢酸ガスを希釈する希釈ガスまたは不活性ガスとしての窒素ガスをチャンバー71内に供給する不活性ガス供給機構73と、チャンバー71内でウエハWを加熱する加熱機構としてのヒーター72と、チャンバー71内を所定の圧力、例えば真空圧に減圧可能な減圧機構74とを備えている。なお、熱処理装置70も、熱処理装置40、60と同様に制御される。
チャンバー71は、上部が開口した略筒状または箱状に形成されている。チャンバー71の底部には、収容したウエハWを載置するためのサセプタ71aが設けられており、ヒーター72は、サセプタ71aに内蔵され、サセプタ71aを介してウエハWを加熱するように構成されている。チャンバー71の側壁には、ウエハWを搬入出するための搬入出口71cが形成されているとともに、この搬入出口71cを開閉するゲートバルブ71dが設けられている。
チャンバー71の上部には、開口を閉塞し、かつサセプタ71aに対向するようにシャワーヘッド71eが設けられており、処理ガス供給機構44の処理ガス供給ライン44aは、シャワーヘッド71eに接続されている。シャワーヘッド71eは、処理ガス供給機構44による無水酢酸ガスおよび不活性ガス供給機構73による窒素ガスを拡散させる拡散空間71fを内部に有するとともに、サセプタ71aとの対向面に、処理ガス供給機構44による無水酢酸ガスおよび不活性ガス供給機構73による窒素ガスをチャンバー71内に吐出する複数または多数の吐出孔71gが形成されている。
チャンバー71の底壁には排気口71hが形成されており、減圧機構74は、排気口71hに接続された排気管74aと、この排気管74aを介してチャンバー71内を強制排気する排気装置74bとを有している。
不活性ガス供給機構73は、窒素ガスの供給元である不活性ガス供給源73aと、不活性ガス供給源73aの窒素ガスをシャワーヘッド71eの拡散空間71f内に導く不活性ガス供給ライン73bと、不活性ガス供給ライン73bを流通する窒素ガスの流量を調整する流量調整機構としてのマスフローコントローラ73cおよびバルブ73dとを有している。
このように構成された熱処理装置70においては、まず、図示しない搬送手段によりウエハWが搬入出口71cからチャンバー71内に搬入されてサセプタ71aに載置されたら、ゲートバルブ71dによって搬入出口71cを閉塞してチャンバー71内を密閉する。次に、減圧機構74によってチャンバー71内を所定の圧力、例えば真空圧に減圧するとともに、不活性ガス供給機構73によってチャンバー71内に窒素ガスを供給し、かつ、処理ガス供給機構44によってチャンバー71内に無水酢酸ガスを供給して、チャンバー71内を低酸素濃度(例えば50ppm以下)の無水酢酸ガスおよび窒素ガスの雰囲気に保持する。ここで、チャンバー71内は減圧機構74によって所定の圧力、例えば真空圧に保持されるため、無水酢酸ガスをチャンバー71内に効率よく拡散させることができるとともに、チャンバー71内の無水酢酸ガスは窒素ガスによって希釈されるため、チャンバー71内の腐食を抑止することができる。なお、減圧機構74による減圧、不活性ガス供給機構73による窒素ガスの供給および処理ガス供給機構44による無水酢酸ガスの供給は、同時に行ってもよく、所定の時間ずつ交互に行ってもよい。
チャンバー71内を低酸素濃度の無水酢酸ガスおよび窒素ガス雰囲気に保持したら、ヒーター72を所定の温度、例えば200〜400℃に設定してウエハWを加熱する。これにより、ウエハWに設けられたlow−k膜やハードマスク膜等の塗布膜は、酸素にほとんど接触しない状態で硬化が進行するため、劣化が抑止される。また、ウエハWに設けられた金属膜の酸化も防止され、金属膜の表面に酸化物が存在する場合には、この酸化物が除去される。なお、無水酢酸の還元反応によって生成された生成物、例えば水分および二酸化炭素などは減圧機構74によって排出される。
ヒーター72によるウエハWの加熱を終了したら、減圧機構74による減圧、不活性ガス供給機構73による窒素ガスの供給および処理ガス供給機構44による無水酢酸ガスの供給を停止し、ゲートバルブ71dによって搬入出口71cを開放する。その後、ウエハWが搬入出口71cからチャンバー71外に搬出されることとなる。
本実施形態では、ウエハWを大気に晒すことなく無水酢酸の雰囲気下で加熱するため、ウエハWに設けられたlow−k膜やハードマスク膜等の膜の劣化をより確実に抑止することが可能となる。
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば、熱処理装置をバッチ式とした場合にも、真空圧で基板を加熱するように構成してもよい。また、無水酢酸等の処理ガスとともに添加するガスとして、窒素ガス等の不活性ガス以外に、水素やアンモニア等の公知の還元性を有するガスや水蒸気などを用いてもよく、low−k膜や金属膜等を酸化させない程度の少量であれば、酸素やオゾン、N2O等の酸化性ガスを用いてもよい。
本発明によれば、基板に設けられたlow−k膜やハードマスク膜等の樹脂膜の硬化処理および/または金属膜の熱処理に限らず、加熱温度を適宜設定することにより、low−k膜やハードマスク膜等の樹脂膜の硬化処理前の高温または低温でのベーキング処理やゾル−ゲル法を用いた際のエージング等にも適用することができる。
40、60、70:熱処理装置
41:熱処理炉(処理容器)
41b、62、72:ヒーター(加熱機構)
44:処理ガス供給機構(有機化合物供給機構)
44d:マスフローコントローラ
44e:バルブ
61、71:チャンバー(処理容器)
101:low−k膜
102:ハードマスク膜
104:配線層(金属膜)
W:ウエハ(基板)
41:熱処理炉(処理容器)
41b、62、72:ヒーター(加熱機構)
44:処理ガス供給機構(有機化合物供給機構)
44d:マスフローコントローラ
44e:バルブ
61、71:チャンバー(処理容器)
101:low−k膜
102:ハードマスク膜
104:配線層(金属膜)
W:ウエハ(基板)
Claims (4)
- 低誘電率層間絶縁膜(low−k膜)および/または金属膜が成膜された基板に熱処理を施す熱処理方法であって、
基板を処理容器内に収容する工程と、
前記処理容器内に、無水カルボン酸、エステル、有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩、有機酸アミド、有機酸ヒドラジド、有機酸の金属錯体および有機酸の金属塩のうちの少なくとも1種類を含む還元性を有する気相の有機化合物を流量調整しながら供給する工程と、
前記気相の有機化合物が供給された前記処理容器内の基板を加熱する工程と
を含むことを特徴とする熱処理方法。 - 前記金属膜は銅(Cu)を含むことを特徴とする請求項1に記載の熱処理方法。
- 低誘電率層間絶縁膜(low−k膜)および/または金属膜が成膜された基板に熱処理を施す熱処理装置であって、
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に、無水カルボン酸、エステル、有機酸アンモニウム塩、有機酸アミン塩、有機酸アミド、有機酸ヒドラジド、有機酸の金属錯体および有機酸の金属塩のうちの少なくとも1種類を含む還元性を有する気相の有機化合物を流量調整しながら供給する有機化合物供給機構と、
前記有機化合物供給機構によって前記気相の有機化合物が供給された前記処理容器内の基板を加熱する加熱機構と
を具備することを特徴とする熱処理装置。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1または請求項2に記載の熱処理方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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