JP4787073B2 - 処理方法および処理装置 - Google Patents
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Description
前記処理容器内で被処理体を加熱する加熱機構とを具備し、前記処理容器内を排気して減圧雰囲気としつつ、前記1,3,5−トリオキサンを気体状で前記処理容器に供給して、前記加熱機構により加熱された被処理体の金属部分の表面に形成された酸化膜に接触させることにより当該酸化膜を除去することを特徴とする処理装置を提供する。
図1の(a)〜(f)は、本発明の一実施形態に係る処理方法を示す工程断面図である。まず、Si基板1上に、層間絶縁膜として低誘電率膜(Low−k膜2)を形成し、このLow−k膜2の上にハードマスク膜5を形成した後、フォトリソグラフィによりパターン化したレジスト膜(図示せず)をマスクとしてハードマスク膜5をエッチングしてハードマスクを形成し、さらにレジスト膜およびハードマスクをエッチングマスクとしてLow−k膜2をエッチングして溝を形成し、その溝にバリアメタル膜3およびCu膜4を形成し、バリアメタル膜3、Cu膜4、ハードマスク膜5の上にエッチストッパ膜6、Low−k膜7およびハードマスク膜8を順次形成して図1の(a)に示す構造の半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)を形成する。
本実施形態では、図1の(c)のようにCu膜4に表面酸化膜10が形成された状態のウエハに対し、図1の(d)に示すように一般式が(CH2O)nで表される有機物(nは1を除く自然数)を気体状でその表面に接触させることにより、Cu膜4の表面に形成された表面酸化膜10を除去して表面酸化膜が存在しない状態とする。
2,7;Low−k膜
3,11;バリアメタル膜
4,12;Cu膜
5,8;ハードマスク膜
6;エッチストッパ膜
9;ビアホール
10;表面酸化膜
20;チャンバー
21;サセプタ
22;ヒーター
22a;ヒーター電源
23;シャワーヘッド
24;ガス拡散空間
25;吐出孔
26;ガス導入口
27;排気口
28;排気管
29;排気装置
30;搬入出口
31;ゲートバルブ
40;ガス供給部
41;トリオキサンガス供給源
42;貯留容器
43;加熱装置
44,48;配管
45,49;バルブ
46,50;マスフローコントローラ(MFC)
47;不活性ガス供給源
60;制御部
100;処理装置
W…半導体ウエハ(被処理体)
Claims (9)
- 1,3,5−トリオキサンを、気体状で表面に酸化膜が形成された金属部分を有する被処理体に接触させ、前記酸化膜を除去することを特徴とする処理方法。
- 前記金属部分は銅からなり前記酸化膜は酸化銅であることを特徴とする請求項1に記載の処理方法。
- 前記被処理体は半導体ウエハであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の処理方法。
- 100〜400℃の温度で前記酸化膜を除去することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の処理方法。
- 表面に酸化膜が形成された金属部分を有する被処理体を収容する処理容器と、
1,3,5−トリオキサンを気体状で前記処理容器内に供給する処理ガス供給機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記処理容器内で被処理体を加熱する加熱機構と
を具備し、
前記処理容器内を排気して減圧雰囲気としつつ、前記1,3,5−トリオキサンを気体状で前記処理容器に供給して、前記加熱機構により加熱された被処理体の金属部分の表面に形成された酸化膜に接触させることにより当該酸化膜を除去することを特徴とする処理装置。 - 被処理体の金属部分の表面に形成された酸化膜が除去されるように、前記排気機構による処理容器内雰囲気、前記処理ガス供給機構による前記1,3,5−トリオキサンの供給、および前記加熱機構による被処理体の加熱温度を制御する制御部をさらに具備することを特徴とする請求項5に記載の処理装置。
- 前記処理ガス供給機構は、固体状の前記1,3,5−トリオキサンを気化して前記処理容器に供給することを特徴とする請求項5または請求項6に記載の処理装置。
- 前記処理ガス供給機構は、固体状の前記1,3,5−トリオキサンを加熱して気化することにより供給することを特徴とする請求項7に記載の処理装置。
- 前記加熱機構は、被処理体を100〜400℃に加熱することを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか1項に記載の処理装置。
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