CN102610562A - 含碳薄膜中碳元素的去除方法以及SiOC控挡片的再生方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体制造技术领域,首先是一种含碳薄膜中碳元素的去除方法,采用O3等离子体灰化该含碳薄膜,氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离。本发明还提出一种SiOC控挡片的再生方法,所述方法包括:首先,采用O3等离子体灰化SiOC薄膜,氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离,SiOC薄膜生成类似SiO2薄膜;然后,采用氢氟酸湿法刻蚀去除该类似SiO2薄膜。本发明通过采用氧化能力更强的O3等离子体取代传统工艺中的O2等离子体进行碳元素的去除或者灰化工艺,相比O2能够提高效率、降低能耗、节约生产成本。
Description
技术领域
本发明一般涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种含碳薄膜中碳元素的去除方法以及SiOC控挡片的再生方法。
背景技术
在Cu金属互联工艺中,低k(介电常数)材料可以有效地降低互连线之间的分布电容。在目前的半导体制造业中,主流的低k材料为应用材料(AppliedMaterial)公司的多孔SiOC(含碳氧化硅)薄膜。但由于这种薄膜含有C元素,目前的湿法刻蚀工艺很难对日常监测的控挡片进行再生(recycle)。因此,有必要在recycle前,先对SiOC薄膜进行O2灰化处理,去除薄膜中的C元素,再用相应的酸(通常是HF)进行recycle。
具体recycle工艺可以参见附图1。首先,采用O2灰化衬底上的SiOC薄膜,在此过程中,氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离,SiOC薄膜生成类似SiO2薄膜,此时类似SiO2薄膜的厚度相比SiOC薄膜降低。灰化之后形成的类似SiO2薄膜,与一般的SiO2薄膜类似但具有区别,例如灰化之后形成的类似SiO2薄膜折射率约为1.436,小于PECVD生长形成的SiO2薄膜的1.46。但是仍然可以通过湿法刻蚀工艺去除该类似SiO2薄膜。接下来,采用氢氟酸湿法刻蚀去除该类似SiO2薄膜,暴露衬底。
但是,现有工艺中O2等离子体灰化工艺存在去除效率不高,灰化处理时间长(一般为80s/片)等问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提高含碳薄膜中碳元素的去除效率。
本发明首先提出一种含碳薄膜中碳元素的去除方法,其特征在于:采用O3等离子体灰化该含碳薄膜,氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离。
本发明还提出一种SiOC控挡片的再生方法,所述方法包括:首先,采用O3等离子体灰化SiOC薄膜,氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离,SiOC薄膜生成类似SiO2薄膜;然后,采用氢氟酸湿法刻蚀去除该类似SiO2薄膜。
本发明通过采用氧化能力更强的O3等离子体取代传统工艺中的O2等离子体进行碳元素的去除或者灰化工艺,相比O2能够提高效率、降低能耗、节约生产成本。
附图说明
图1是现有SiOC控挡片的再生方法示意图;
图2是本发明提出的一种SiOC控挡片的再生方法示意图。
具体实施方式
本发明的核心思想是采用氧化能力更强的O3等离子体取代传统工艺中的O2等离子体进行碳元素的去除或者灰化工艺。接下来,以对日常监测的控挡片进行recycle为例,说明本发明的核心思想。
参见附图2所示,控挡片包括硅衬底以及形成在硅衬底之上的SiOC(含碳氧化硅)薄膜。首先,采用O3等离子体灰化SiOC薄膜,氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离,SiOC薄膜生成类似SiO2薄膜。然后,采用氢氟酸湿法刻蚀去除该类似SiO2薄膜,暴露硅衬底。
具体而言,所述O3等离子灰化SiOC薄膜可以采用如下工艺参数:设备采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积设备);温度200~300℃;压强800~1200mT(毫托);O3气体流量1000~2000sccm(标准立方厘米每分钟)。
O3等离子体与O3等离子体相比,具有更强的氧化能力,其灰化工艺原理比较如下表:
O2灰化工艺原理: O3灰化工艺原理:
1.e+O2→e+O+O; 1.e+O3→e+O2+O;
2.e+O→2e+O+ 2.e+O→2e+O+
3.O++SiOC→SiO2+CO2 3.O++SiOC→SiO2+CO2
从上表的原理比较可以看出,O3灰化工艺和O2灰化工艺之间的差别主要在于第一步离解,O2的解离能较大,为498.34kJ·mol-1,而O3解离能较小,为142.67kJ·mol-1,即在较低的能量下就能离解;并且O3的氧化能力比O2强,因此,O3在较低RF功率下即可将O3解离为O自由基,使用O3等离子体替代O2等离子体可以减小功耗,缩短处理时间,节约成本。
上述以SiOC薄膜为例说明了采用O3去除含碳薄膜中碳元素的去除方法,但不能理解为对本发明的限制,任何本领域技术人员可以理解,本发明还适用于除SiOC薄膜以外的其它含碳薄膜中碳元素的去除方法,例如SiCN,SiC,介孔碳薄膜等。
Claims (5)
1.一种含碳薄膜中碳元素的去除方法,其特征在于:采用O3等离子体灰化该含碳薄膜,氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离。
2.如权利要求1所述的含碳薄膜中碳元素的去除方法,其特征在于:所述含碳薄膜为SiOC、SiCN、SiC或者介孔碳薄膜。
3.一种SiOC控挡片的再生方法,其特征在于,所述方法包括:首先,采用O3等离子体灰化SiOC薄膜,氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离,SiOC薄膜生成类似SiO2薄膜;然后,采用氢氟酸湿法刻蚀去除该类似SiO2薄膜。
4.如权利要求3所述的SiOC控挡片的再生方法,其特征在于:所述灰化工艺采用PECVD设备。
5.如权利要求4所述的SiOC控挡片的再生方法,其特征在于:所述灰化工艺的参数为:温度200~300℃;压强800~1200mT;O3气体流量1000~2000sccm。
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CN (1) | CN102610562A (zh) |
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