TWI620262B - 用於較小晶圓及晶圓片之晶圓載具 - Google Patents
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Abstract
本文描述之實施例係關於一種用於固定及移送基板之設備及方法。其中安置有一或更多個靜電夾持電極之基板載具靜電地將基板耦接至該載具。視情況地,亦可將遮罩靜電地耦接至載具,且該遮罩可安置於未由基板佔據的載具之區域上。在一實施例中,提供多個電極組件,以使得第一電極組件將基板夾持至載具,且第二電極組件將遮罩夾持至該載具。在另一實施例中,在載具中形成凹穴,且電極組件在該凹穴內提供夾持能力。
Description
本文描述之實施例一般而言係關於基板載具,該基板載具中安置有經設置用於傳送及固定基板之靜電夾盤。更特定言之,本文描述之實施例係關於用於較小晶圓及晶圓片之晶圓載具。
半導體處理設備一般而言經設計用於在單一尺寸基板上執行製程。機器人刀刃反復地將載具(該載具上安置有基板)移入及移出處理腔室。載具及機器人刀刃之大小經特定地調整以容納單一尺寸基板,以在將基板移送且定位於腔室內期間改良基板移送特徵,及防止對基板之損害。然而,已為較大基板尺寸開發之某些技術並不適用於較小的基板尺寸。此外,厚度低至100 µm之越來越薄的基板用於微電子製造中。因此,由於處理設備不可用且該處理設備經設置以容納小或薄的基板,所以可能難以在小或薄的基板上執行某些製程。此外,基板之處理片或部分在產品開發或製程調整期間可能係有利的,然而,當前的移送設備及技術通常無法足以移送基板片。
因此,在此項技術中需要一種用於移送多種尺寸及厚度之基板的改良之基板載具。
本文描述之實施例係關於用於支撐基板之設備及方法。該設備可為基板載具之形式,該基板載具中安置有一或更多個靜電夾持電極。基板載具經設置以將基板靜電地耦接至載具。視需要,基板載具可經設置以將遮罩靜電地耦接至載具,該遮罩安置於未由基板佔據之載具之一區域上。在一實施例中,提供多個電極組件,以使得第一電極組件將基板夾持至載具,及第二電極組件將遮罩夾持至載具。在另一實施例中,在載具中形成基板接收凹穴,且電極組件在該凹穴內提供夾持能力。
在一實施例中,提供一種支撐基板之方法。該方法包含將基板定位於載具上。載具具有安置於該載具之主體內之靜電夾持電極。主體具有頂表面,該頂表面經設置以支撐基板。遮罩定位於載具之頂表面之上以限制該基板。賦能(energized)靜電夾持電極且將基板及遮罩靜電地夾持至載具。
在另一實施例中,提供一種用於支撐基板之方法。該方法包含將基板定位於載具上。該載具具有安置於該載具之主體內的第一靜電夾持電極及第二靜電夾持電極。載具之頂表面經設置以支撐基板。第一靜電夾持電極經賦能以將基板固定至載具。遮罩圍繞基板定位於載具之頂表面之上。第二靜電夾持電極經賦能以將遮罩固定至載具。
在又一實施例中,提供用於支撐基板之設備。該設備包含載具,該載具具有主體及經設置以支撐基板之頂表面。一或更多個靜電夾持電極安置於載具主體內。亦提供遮罩。遮罩經設置以環繞及暴露載具之頂表面之一或更多個選擇的區域。藉由將功率施加至一或更多個靜電夾持電極,遮罩能夠靜電地耦接至載具之頂表面。
本文描述之實施例提供用於傳送小基板或基板片之載具。該載具具有安置於該載具中的一或更多個電極組件,該等電極組件使載具能夠有選擇地靜電夾持載具之不同區域。可將遮罩安置在載具之所要區域之上,以暴露靜電地夾持至載具之基板。在某些實施例中,第一電極組件致能載具之第一區域的夾持,及第二電極組件致能載具之第二區域的夾持。例如,第一電極組件可將基板夾持至第一區域,且第二電極組件可將遮罩夾持至第二區域。在另一實施例中,在載具中形成凹入之凹穴,且電極組件經設置以在該凹穴內提供夾持能力。
第1圖圖示靜電夾盤100之分解圖。靜電夾盤100可用於任何適當的電漿製程,該電漿製程包括物理氣相沉積(PVD)製程、化學氣相沉積(CVD)製程、蝕刻製程、或任何適當的電漿或真空製程。靜電夾盤100亦可經調適用於非電漿及非真空環境中,且靜電夾盤100可與高溫應用相容。儘管本文揭示了靜電夾盤100之多種實施例,可以預期來自任何製造商之靜電夾盤可經調適以受益於本發明。
靜電夾盤100包括絕緣底板104、安置於絕緣底板104之頂表面107上之電極組件106及安置於電極組件106上之封裝構件102。絕緣底板104可具有經選擇用於處理特定基板之任何適當形狀。在第1圖圖示之實例中,絕緣底板104為圓形形狀,該圓形形狀之周邊132大體上與電極組件106之形狀及大小匹配。封裝構件102形成於電極組件106之上,以允許具有類似形狀及大小之基板安置於封裝構件102之頂表面101之上。應注意,絕緣底板104可視需要為任何形狀或設置。此外,電極組件106可包含一或更多個電極組件,且該等電極組件可為任何形狀或設置,以容納多種形狀及尺寸之基板。
絕緣底板104由絕緣材料製成,該絕緣材料諸如介電材料或陶瓷材料。陶瓷材料或介電材料之適當實例可包括氧化矽(諸如石英或玻璃)、氧化鋁(Al2
O3
)、氮化鋁(AlN)、含釔材料、氧化釔(Y2
O3
)、釔鋁石榴石(YAG)、氧化鈦(TiO)、氮化鈦(TiN)、碳化矽(SiC)及類似材料。亦可使用經摻雜之陶瓷,諸如摻二氧化鈦之氧化鋁或摻鈣之氮化鋁或類似材料。視需要,絕緣底板104可為在面對電極組件106之表面107上安置有介電層的金屬或半導體主體。
安置於絕緣底板104上之電極組件106包括至少兩組分散式電極108、110。當在電極108、110處施加電壓電源時,按需要對各電極108、110充電不同極性,因此產生靜電力。電極108、110可經設置以橫跨封裝構件102之表面上分佈靜電力。各電極108、110各自可具有彼此相互介入之複數個電極指120、122。相信,電極交叉指120、122提供在靜電夾盤100之大區域上分佈之區域靜電引力,其中在使用較低夾持電壓時聚集提供高的夾持力。
電極指120、122可經形成以具有不同的長度及幾何形狀。在一實例中,電極指120、122之一者或兩者可由互連電極島124形成。電極島124之間的互連126可如第1圖中所示位於電極108、110之平面中或在平面外,諸如以跨接及/或通孔之形式存在。在一實施例中,電極指120、122之寬度116可在約0.1 mm與約20 mm之間(例如在約0.25 mm至約10 mm之間),寬度116可取決於絕緣底板104及待夾持之材料類型而變化。若需要,電極指120、122可經設置具有介入彼此之不同的大小。可交替地及反復地形成電極指120、122,直至形成所要數目之電極指120、122。
在第一電極108之電極指120之每一者之間,間隔133經界定以接收第二電極110之電極指122。間隔133可為空氣隙,該空氣隙使用介電間隔物材料填充,或使用絕緣底板104或封裝構件102之至少一者填充。
可以預期,第1圖中圖示之電極108、110之設置僅用於說明性目的。可將電極108、110佈置為任何所要的設置,以使得電極108以交替極性分佈於絕緣底板104之頂表面107的上方。同樣可將使兩組不同電極充電有不同極性的概念較好地適用於以任何所要設置佈置之電極。
電源114經由電源開關112耦接至第一及第二電極108、110。電源114經設置以將電壓電源提供至第一及第二電極108、110,以產生具有不同極性之電荷,或正電荷或負電荷。從第一及第二電極108、110產生之正電荷或負電荷提供靜電力,以吸引安置於靜電夾盤100中之基板於固定位置。在一實施例中,電源114可經設置以將DC或AC功率提供至第一及第二電極108、110。在另一實施例中,電源114可經設置以提供電容性地耦接至電極108、110之RF功率,以將RF偏壓施加至該基板。
封裝構件102安置於絕緣底板104上,將電極組件106夾於中間,以形成作為整體結構之靜電夾盤100。封裝構件102定位於電極組件106之上以提供絕緣表面,基板經夾持於該絕緣表面上。封裝構件102可由具有熱性質(例如熱膨脹係數)之材料製成,該材料大體上與下層電極組件106之材料匹配,及在一些實施例中,該材料亦與絕緣底板104之材料相匹配。
在封裝構件102之後,以預定順序堆疊電極組件106及絕緣底板104。隨後,執行接合製程(諸如退火製程)以將封裝構件102、電極組件106及絕緣底板104融合在一起,形成作為整體部分之靜電夾盤100之層疊結構。因為可能要求在高溫環境(例如大於300攝氏度之環境)中操作封裝構件102、電極組件106及絕緣底板104,所以用於製造此等元件之材料可從可經受高溫熱處理之耐熱性材料(諸如陶瓷材料或玻璃材料)中選擇。
在一實施例中,封裝構件102及絕緣底板104可由陶瓷材料、玻璃材料或陶瓷及金屬材料之合成物製成,以提供良好的強度及持久性,以及傳熱性質。選擇用於製造封裝構件102及絕緣底板104之材料可具有大體上與中間電極組件106匹配或類似之熱膨脹係數,以減少可能引起高熱負載下之應力或故障的熱膨脹失配。適合用於製造封裝構件102及絕緣底板104之陶瓷材料可包括但不限於,玻璃、碳化矽、氮化鋁、氧化鋁、含釔材料、氧化釔(Y2
O3
)、釔鋁石榴石(YAG)、氧化鈦(TiO)或氮化鈦(TiN)。在另一實施例中,封裝構件102及絕緣底板104可由包括陶瓷及金屬之不同組分的複合材料(諸如其中分散有陶瓷顆粒之金屬)製成。
在操作期間,可將負電荷施加至第一電極108及可將正電荷施加至第二電極110,或反之亦然,以在將功率供給至電源114時產生靜電力。在夾持期間,從電極108、110產生之靜電力將安置於電極108、110上之基板夾持及保持在固定位置。當從電源114供給之功率斷開時,可將存在於電極108、110之間之介面118中的電荷維持一延長的時段。為了釋放固持在靜電夾盤100上之基板,可將相反極性之功率的短脈衝提供至電極108、110,以移除存在於介面118中的電荷。
第2A圖圖示具有安置於載具200上之電極組件206、216之載具200的平面圖。提供絕緣底板204,且在絕緣底板204上形成第一電極組件206及第二電極組件216。在第2A圖之說明中,已將封裝構件移除以更清楚地圖示電極組件206、216。電極組件206、216可經類似於就第1圖所描述之電極組件106而建構。
第一電極組件206包含第一電極208及第二電極210。電極208、210可經由電源開關212耦接至電源214,且電極208、210可經賦能具有相反的極性。第一電極組件206經安置於載具200之內,且第一電極組件206界定夾持區域222。例如,夾持區域222大體上為圓形,且界定載具200之中心區域。夾持區域222之尺寸通常經調整大體上與固持在載具200上之工件區域的大小一致。在一實施例中,載具200之直徑可約為300mm,且夾持區域222之直徑可約為200mm。然而,可以預期夾持區域222可在載具200上任何位置處界定大體上具有任何形狀或大小之區域。
第二電極組件216包含第三電極218及第四電極220。電極218、220可經由電源開關212耦接至電源214,且電極218、220可經賦能具有相反的極性。電源214及電源開關212可為用於賦能第一電極組件206之同一電源及電源開關,或電源214及電源開關212可為額外的電源及電源開關,以便可獨立地賦能各電極組件206、216。第二電極組件216安置在載具200之內且界定夾持區域224。夾持區域224之大小通常經調整以容納遮罩,且夾持區域224位於支撐工件之區域(亦即,夾持區域222)之外。例如,夾持區域224為大體環狀,且夾持區域224界定載具200之區域,該區域為夾持區域222之圓周向外的區域。在一實施例中,夾持區域224界定未由夾持區域222界定之載具200的區域。第二電極組件216可包括第二電極組件216之環狀形狀中之中斷或間斷,該中斷或間斷藉由提供從夾持區域222至載具200邊緣的無電極218、220之路徑而防止第一電極組件206之電極208、210之間的不良串擾。因此,第一電極組件206界定載具200之夾持區域222,且第二電極組件216界定載具200之夾持區域224。
類似於第一電極組件206,可以預期,夾持區域224可在載具200上任何位置處界定大體上具有任何形狀或大小之區域。在一實施例中,夾持區域222及夾持區域224大體上佔據了絕緣底板204之全部頂表面207。然而,可以預期第一及第二區域222、224可能分別佔據大體上小於所有頂表面207之區域。
第2B圖圖示第2A圖之載具200及電極組件206、216之橫截面示意圖。此外,載具200上安置有基板240及遮罩230。儘管未在第2B圖中清楚地圖示,但電極組件206、216在絕緣底板與封裝構件之間形成,絕緣底板及封裝構件之整體包含載具200。第一電極組件206經設置以靜電地夾持至載具200之夾持區域222。在一實施例中,第一電極組件206界定夾持區域222,且第一電極組件206之大小經調整以大體上匹配安置於載具200上之基板240的大小。因此,基板240安置於載具200之夾持區域222之上,且藉由第一電極組件206將基板240夾持至載具200。
第二電極組件216經設置以將遮罩230靜電地夾持至載具200之夾持區域224。在一實施例中,第二電極組件216界定夾持區域224,且第二電極組件216之大小經調整以大體上匹配安置於載具200上之遮罩230的大小。因此,遮罩230安置於載具200之夾持區域224之上,且藉由第二電極組件216將遮罩230夾持至載具200。
儘管第一電極組件206圖示為界定用於夾持基板240之夾持區域222,及第二電極組件216圖示為界定用於夾持遮罩230之夾持區域224,但是可以預期,界定夾持區域222之第一電極組件206可夾持具有對應於夾持區域222之大小的遮罩,且界定夾持區域224之第二電極組件216可夾持具有對應於夾持區域224之大小的基板。圖示之實施例並非意欲為限制性的,因為可以預期,電極組件206、216及相應區域222、224可以任何所要的設置形成,以夾持具有任何所要大小或設置之基板及遮罩。
載具200之頂表面201為封裝構件之頂表面,且載具200之頂表面201大體上為平坦的。頂表面201經設置以將基板240及遮罩230支撐及靜電地夾持至載具200。如圖所示,基板240安置於對應於夾持區域222之載具200的頂表面201上,且遮罩230安置於對應於夾持區域224之載具200的頂表面201上。在一實施例中,至少一部分之遮罩230在基板240上延伸。遮罩230可用於進一步將基板240固定至載具200,且遮罩230可防止由遮罩230覆蓋之基板240之部分上的處理(諸如沉積或蝕刻)。遮罩230可具有大體上與載具200之直徑相同之直徑,且遮罩230大體上覆蓋不由基板240佔據之頂表面201之整個表面區域。遮罩230額外地用以防止載具200上之沉積或蝕刻,此舉可增加載具200之有效壽命且可致能載具200之再利用。遮罩230可用與基板240具有類似熱性質(亦即熱膨脹係數)之材料製成,以防止高溫處理期間對基板之損害。
第3A圖圖示載具300的橫截面示意圖,該載具300具有靜電耦接至載具300的基板340及遮罩330。第一電極組件206界定載具300之夾持區域322,及第二電極組件216界定載具300之夾持區域324。與前述之實施例類似,第一及第二區域322、324對應於載具300之頂表面328之區域。在一實施例中,載具300中形成凹入之凹穴302。凹入之凹穴302垂直地對準夾持區域322與第一電極組件206,以便電極組件206可將基板340靜電地夾持至凹入之凹穴302的底部。因此,凹入之凹穴302之大小可經調整且可經設置以將基板340容納至凹入之凹穴302之內。在一實施例中,凹入之凹穴302之直徑可稍大於安置於凹入之凹穴302中之基板340的直徑,且凹入之凹穴302的深度大體上等於基板340之厚度。
遮罩330安置於夾持區域324上方之載具300之頂表面328上,且遮罩330藉由第二電極組件216夾持至載具300。遮罩330之部分可延伸至基板340之一部分之上方,以防止對基板340之邊緣區域的處理,且以進一步將基板340固定至凹入之凹穴302內。例如,凹入之凹穴302之直徑305可大於遮罩330之內徑307。在此實例中,遮罩330之部分延伸超過凹入之凹穴302的直徑305。遮罩330之內徑307可小於基板340之直徑。
第3B圖圖示載具350的橫截面示意圖,載具350具有靜電地耦接至載具350的基板340。載具350與關於第3A圖描述之載具300類似,但是,載具350中不存在第二電極組件216。第一電極組件206界定夾持區域322,且載具350之夾持區域324向夾持區域322外徑向安置。夾持區域322對應於經設置以夾持基板340之載具300之區域。凹入之凹穴302在載具350中形成且凹入之凹穴302對應於夾持區域322。第一電極組件206經設置以提供凹入之凹穴302內的靜電夾持。凹入之凹穴302之大小經調整且經設置以將基板340容納至凹入之凹穴302內。在一實施例中,凹入之凹穴302之直徑可稍大於安置於凹入之凹穴302中之基板340的直徑,且凹入之凹穴302的深度大體上等於基板340之厚度。
對應於夾持區域324之頂表面328無下層夾持電極。在處理期間,藉由第一電極組件206將基板340靜電地夾持至凹入之凹穴302內,同時頂表面328暴露於處理腔室內之處理條件下。載具350之頂表面328可經清洗以移除處理期間在頂表面328上形成之任何沉積堆積。在清洗(諸如化學機械拋光(CMP)、珠粒噴擊、蝕刻或其他製程)期間,頂表面328可經調節,且以致能載具350在隨後基板移送製程中之再利用。清洗亦移除由夾持區域324界定之頂表面328之部分。因為未移除載具350之材料,故第一電極組件206與凹入之凹穴302之底表面之間的距離保持恆定,且因此載具350之靜電夾持能力可能不受調節製程的影響。
在另一實施例中,凹入之凹穴302可能更淺或不存在於夾持區域322中。替代地,突起部分(諸如連續環或複數個離散支柱)可限制第一區域,以致能載具350上之基板的準確定位。在再調節製程期間,可在再調節頂表面328之同時維持突起部分。可以預期,頂表面328可經設置以提供增強的黏著力品質,以防止任何沉積之材料從頂表面328剝離,及防止任何沉積之材料沉積至基板340上。
第4A圖至第4C圖圖示安置於一或更多個夾持區域402、412、414上之多種遮罩404、408、410之平面圖。在第4A圖至第4C圖中圖示之遮罩及夾持區域係為達說明之目的,且可以預期,多種遮罩及夾持區域設置可能適應基板之移送及處理。第2A圖至第2B圖中圖示之載具200可經調適以藉由各別夾持電極組件之同等大小置放來提供夾持區域402、412、414,以便可如第4A圖至第4C圖所示夾持遮罩404、408、410。
第4A圖圖示圍繞複數個夾持區域402安置之遮罩404。第4A圖中圖示四個夾持區域402。遮罩404中形成有複數個開口401,開口401之大小可經調整以暴露夾持區域402之各別一者。可將基板夾持至夾持區域402,且可將遮罩404安置於該等基板(該等基板安置於載具之區域402上)之至少一部分之上。開口401可小於基板,以使得遮罩404覆蓋該等基板之部分。在圖示之實例中,遮罩404之直徑可約為300 mm,且夾持區域402之大小可經調整以容納藍寶石基板,其中各基板之直徑為4吋。可以預期,對應於任何所要大小或設置之基板之多種尺寸的夾持區域可併入本文描述之實施例中。
安置於夾持區域402上之基板及遮罩404靜電地耦接於至少具有兩個靜電夾持區域的載具。例如,夾持區域402可經設置以藉由第一電極組件靜電地夾持基板,而遮罩404可安置於載具之第二區域(直接位於遮罩404之下方)上,且遮罩404可由第二電極組件夾持。
第4B圖圖示安置在單一夾持區域402上之遮罩408。遮罩408可與第4A圖之遮罩404類似,然而,遮罩之圖案化部分406可延伸至夾持區域402之上,且可致能安置於夾持區域402上之基板之頂表面的圖案化。例如,圖案化部分406可用於光微影或沉積製程,以防止在基板之頂表面之多種區域上的顯影或沉積。可以任何所要的佈置設置圖案化部分406,且圖案化部分406可遍佈夾持區域402且橫跨基板之頂表面延伸。可以預期,可在遮罩408中形成多個圖案化部分以容納多個基板之處理。與第4A圖類似,夾持區域402可經設置以藉由第一電極組件靜電地夾持基板,而遮罩408可安置於載具的第二區域(該區域位於遮罩408下方)上,且遮罩408可由第二電極組件夾持。
第4C圖圖示安置在第一夾持區域412及第二夾持區域414周圍的遮罩410。遮罩410具有經設置以暴露第一夾持區域412之第一開口411,及經設置以暴露第二夾持區域414之第二開口413。在一實施例中,夾持區域412、414之大小經調整且經設置以夾持從較大基板或基板片切割之晶粒。第一開口411在遮罩410之中心附近形成,及第二開口413在遮罩410之邊緣附近形成。此設置尤其有利於製程調整及測試橫跨基板之表面之製程中心至邊緣均勻性。然而,可在遮罩410內任何所要位置處形成開口411、413。此外,多個其他開口(諸如三個或更多個開口、四個或更多個開口、五個或更多個開口、六個或更多個開口等)可在遮罩410中形成用於處理多個基板片。因此,額外的夾持區域可對應於遮罩410之額外的開口。
類似於第4A圖至第4B圖,夾持區域412、414可經設置以使用直接安置於夾持區域412、414之下的第一電極組件靜電地夾持基板,而遮罩410可安置於遮罩410下之載具之第二夾持區域上,且遮罩410可由直接存在於第二夾持區域下之第二電極組件夾持。
關於第4A圖至第4C圖,對應於且與第一電極組件對準之夾持區域可經設置以按需要容納一或更多個基板或基板片。夾持區域大體上可包含與安置於載具上之基板匹配的任何形狀。因而,第一電極組件可以對應於載具上安置有基板或基板片之夾持區域的方式形成。同樣地,第二區域及相應的第二電極組件可經設置為任何形狀,以容納遮罩之夾持。遮罩經設置以容納多種基板或基板片設置,以使得基板及遮罩大體上覆蓋載具之整個頂表面。
第5圖圖示用於支撐基板之方法500。方法500藉由在載具上定位基板之操作510開始。載具大體上可類似於本文描述之載具。因而,載具具有對應於載具之第一夾持區域的第一靜電夾持電極及對應於載具之第二夾持區域的第二靜電夾持電極。載具之頂表面經設置以支撐可靜電地夾持至載具之基板及遮罩。基板可安置於載具之第一夾持區域上。
在操作520處,賦能第一靜電夾持電極。結果,將基板靜電地夾持至載具之第一夾持區域。在操作530處,遮罩可經定位於載具的頂表面的上方,暴露基板之至少一部分。遮罩之孔經設置以與載具之夾持區域(基板定位於該區域上)對準。在操作540處,賦能第二靜電夾持電極。結果,將遮罩靜電地夾持至載具之第二區域。在操作550處,載具(具有靜電地夾持至該載具之基板及遮罩)隨後可藉由適當的基板移送設備(諸如機器人刀刃)傳送。在一實施例中,可將具有夾持之基板及遮罩之載具移送通過用於製造積體電路之真空處理系統(諸如群集工具),諸如移送至可執行多種真空及/或電漿製程之處理腔室中。隨後,可將載具從處理腔室移除,且可將去夾持功率施加至第二靜電夾持電極。隨後可將遮罩從載具移除。隨後,可將去夾持功率施加至第一靜電夾持電極,且隨後可將基板從載具移除。
總而言之,提供其中安置有一或更多個靜電夾持電極之載具以致能小基板及基板片之移送。載具可具有對應於一或更多個靜電夾持電極的一或更多個區域,該一或更多個靜電夾持電極經設置以夾持一或更多個基板或基板片及遮罩。在處理腔室中的處理期間維持對該一或更多個靜電夾持電極之至少一者的賦能。因此,載具致能基板及遮罩之固定支撐,且載具可提供改良之基板處理及移送。
儘管以上針對本揭示案之實施例,但是在不脫離本揭示案之基本範疇的情況下,可設計本揭示案之其他及進一步的實施例,且本揭示案之範疇由以下申請專利範圍決定。
100‧‧‧靜電夾盤
101‧‧‧頂表面
102‧‧‧封裝構件
104‧‧‧絕緣底板
106‧‧‧電極組件
107‧‧‧頂表面
108‧‧‧分散式電極/第一電極
110‧‧‧分散式電極/第二電極
112‧‧‧電源開關
114‧‧‧電源
116‧‧‧寬度
118‧‧‧介面
120‧‧‧電極指
122‧‧‧電極指
124‧‧‧互連電極島
126‧‧‧互連
132‧‧‧周邊
133‧‧‧間隔
200‧‧‧載具
201‧‧‧頂表面
204‧‧‧絕緣底板
206‧‧‧第一電極組件
207‧‧‧頂表面
208‧‧‧第一電極
210‧‧‧第二電極
212‧‧‧電源開關
214‧‧‧電源
216‧‧‧第二電極組件
218‧‧‧第三電極/第二電極
220‧‧‧第四電極/第二電極
222‧‧‧夾持區域/第一區域
224‧‧‧夾持區域/第二區域
230‧‧‧遮罩
240‧‧‧基板
300‧‧‧載具
302‧‧‧凹入之凹穴
305‧‧‧直徑
307‧‧‧內徑
322‧‧‧夾持區域/第一區域
324‧‧‧夾持區域/第二區域
328‧‧‧頂表面
330‧‧‧遮罩
340‧‧‧基板
350‧‧‧載具
401‧‧‧開口
402‧‧‧夾持區域
404‧‧‧遮罩
406‧‧‧圖案化部分
408‧‧‧遮罩
410‧‧‧遮罩
411‧‧‧第一開口
412‧‧‧第一夾持區域
413‧‧‧第二開口
414‧‧‧第二夾持區域
500‧‧‧方法
510‧‧‧操作
520‧‧‧操作
530‧‧‧操作
540‧‧‧操作
550‧‧‧操作
因此,以可詳細瞭解上文所述之本揭示案之特徵的方式,對以上簡短總結的本揭示案之更詳細的描述可參閱實施例獲得,該等實施例中之一些實施例在附圖中圖示。然而,應注意,附圖僅圖示本揭示案之典型實施例,且因為本揭示案承認其他同等有效之實施例,所以該等附圖並不欲視為本揭示案之範疇的限制。
第1圖圖示根據本文揭示之一實施例之靜電夾盤的分解圖。
第2A圖圖示根據本文揭示之一實施例之具有安置於載具上之電極組件的該載具的平面圖。
第2B圖圖示根據本文揭示之一實施例之第2A圖之載具及電極組件的橫截面示意圖。
第3A圖圖示根據本文揭示之一實施例之載具的橫截面示意圖,該載具具有耦接至該載具的基板及遮罩。
第3B圖圖示根據本文揭示之一實施例之載具的橫截面示意圖,該載具具有耦接至該載具的基板。
第4A圖至第4C圖圖示根據本文揭示之某些實施例之安置於一或更多個基板之上的多種遮罩的平面圖。
第5圖圖示根據本文揭示之一實施例之傳送基板之方法的操作。
為便於瞭解,已儘可能使用相同元件符號以指定諸圖共有之相同元件。可以預期,一實施例中的元件及特徵可有利地併入其它實施例,而無需贅述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
Claims (20)
- 一種基板載具設備,該設備包括: 一載具主體,該載具主體具有一頂表面; 一第一電極組件,該第一電極組件包含安置於該載具主體內的一第一對交叉電極,該第一電極組件對應該頂表面的一第一區域;及一第二電極組件,該第二電極組件包含安置於該載具主體內的一第二對交叉電極,向外圍安置該第二電極組件且該第二電極組件限制(circumscribing)該第一電極組件,其中該第二電極組件對應該頂表面的一第二區域。
- 如請求項1所述之設備,其中該頂表面之該第一區域安置於該頂表面之該第二區域下。
- 如請求項1所述之設備,其中向外圍安置該頂表面之該第二區域,且該第二區域限制該頂表面之該第一區域。
- 如請求項1所述之設備,其中該載具主體進一步包括: 一絕緣底板;及 一封裝構件。
- 如請求項4所述之設備,其中該第一電極組件與該第二電極組件安置於該絕緣底板與該封裝構件之間。
- 如請求項1所述之設備,其中該載具主體是圓形。
- 如請求項6所述之設備,其中該第一區域是圓形。
- 如請求項7所述之設備,其中該第二區域是環狀。
- 如請求項8所述之設備,其中該第二區域中的一間斷經調整尺寸以允許該第一對交叉電極從該第一區域通過到該載具主體的一邊緣。
- 一種基板載具設備,該設備包括: 一絕緣底板構件; 一封裝構件,該封裝構件安置於該絕緣底板構件上,該封裝構件包含一頂表面; 一第一電極組件,該第一電極組件包含安置於該絕緣底板構件與該封裝構件之間的一第一對交叉電極,其中該第一電極組件界定對應該頂表面的一第一區域的一圓形區域;及一第二電極組件,該第二電極組件包含安置於該絕緣底板構件與該封裝構件之間的一第二對交叉電極,其中該第二電極組件界定向外圍安置的一環狀區域,且該環狀區域限制該第一電極組件所界定的該圓形區域,該環狀區域對應該頂表面的一第二區域,其中該頂表面的該第一區域與該頂表面的該第二區域安置於不同平面上。
- 如請求項10所述之設備,其中該絕緣底板構件與該封裝構件係由自以下各者組成的群組中所選擇的一材料或材料之組合形成:氧化矽、碳化矽、氮化鋁、氧化鋁、含釔材料、氧化釔、釔鋁石榴石、氧化鈦與氮化鈦。
- 如請求項10所述之設備,其中該絕緣底板構件與該封裝構件係由陶瓷與金屬的複合材料形成。
- 如請求項10所述之設備,其中該封裝構件與該第一電極組件和該第二電極組件係由具有實質匹配的熱膨脹係數之一或多個材料形成。
- 如請求項13所述之設備,其中該封裝構件與該絕緣底板構件係由具有實質匹配的熱膨脹係數之一或多個材料形成。
- 如請求項10所述之設備,其中該頂表面的該第一區域安置在與該頂表面的該第二區域所界定的一平面不同之一平面上。
- 一種用於支撐一基板之設備,該設備包含: 一載具,該載具具有一主體及經設置以支撐一基板之一頂表面; 一或更多個靜電夾持電極,該一或更多個靜電夾持電極安置於該載具主體內;以及 一遮罩,該遮罩能夠藉由將功率施加至該靜電夾持電極而靜電地耦接至該載具之該頂表面,該遮罩經設置以圍繞及暴露該載具之該頂表面之一或更多個選擇之區域。
- 如請求項16所述之設備,其中該頂表面之一第一區域安置於該頂表面之一第二區域下,向外圍安置該頂表面之該第二區域,且該第二區域限制該第一區域。
- 如請求項17所述之設備,其中一第一靜電夾持電極安置於該載具內位於該頂表面之該第一區域下,且由該頂表面之該第二區域限制該第一靜電夾持電極。
- 如請求項18所述之設備,其中一第二靜電夾持電極安置於該載具內,該第二靜電夾持電極對應於該頂表面之該第二區域。
- 如請求項19所述之設備,其中該基板安置於該頂表面之該第一區域上,且該遮罩安置於該頂表面之該第二區域上。
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Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9740111B2 (en) * | 2014-05-16 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic carrier for handling substrates for processing |
WO2018141366A1 (en) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier and method of processing a substrate |
TWI827502B (zh) * | 2017-06-19 | 2023-12-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於高溫處理腔室的靜電吸座及其形成方法 |
CN110720138A (zh) * | 2017-06-22 | 2020-01-21 | 应用材料公司 | 用于晶粒接合应用的静电载具 |
CN111128834B (zh) * | 2018-10-31 | 2022-09-06 | 成都辰显光电有限公司 | 微元件转移设备及其制作方法 |
CN109545731B (zh) * | 2018-11-20 | 2021-12-28 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 转移头及其制备方法、转移方法、转移装置 |
SG11202107823VA (en) * | 2019-01-21 | 2021-08-30 | Applied Materials Inc | Substrate carrier |
EP3953745A4 (en) * | 2019-04-11 | 2023-04-26 | Applied Materials, Inc. | MULTILAYER FILM FOR OPTICAL DEVICES |
CN110137130B (zh) * | 2019-05-15 | 2020-12-29 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种干法刻蚀系统用尺寸转换托盘 |
JP7350438B2 (ja) * | 2019-09-09 | 2023-09-26 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及びチャックテーブルの製造方法 |
KR20210142804A (ko) * | 2020-05-18 | 2021-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전척 |
CN112117230A (zh) * | 2020-10-19 | 2020-12-22 | 北京航空航天大学杭州创新研究院 | 高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置 |
KR102327829B1 (ko) * | 2020-11-02 | 2021-11-17 | 주식회사 엘케이엔지니어링 | 정전척 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6487063B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-11-26 | Nikon Corporation | Electrostatic wafer chuck, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same |
JP2004200620A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Kyocera Corp | 静電チャックおよびその製造方法 |
JP2010165805A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Toto Ltd | 静電チャックおよび静電チャックの製造方法 |
JP2012248741A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS619655A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 物体の固定方法および固定機構 |
JP2574407B2 (ja) * | 1988-07-05 | 1997-01-22 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置用ウェハーホルダ |
JP2535663B2 (ja) * | 1990-10-02 | 1996-09-18 | 株式会社アビサレ | 掲示装置 |
JP3095790B2 (ja) | 1991-01-22 | 2000-10-10 | 富士電機株式会社 | 静電チャック |
JPH07257751A (ja) | 1994-03-18 | 1995-10-09 | Kanagawa Kagaku Gijutsu Akad | 静電浮上搬送装置及びその静電浮上用電極 |
JPH07297266A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Fujitsu Ltd | 静電チャックとウェハ吸着方法 |
US5751538A (en) * | 1996-09-26 | 1998-05-12 | Nikon Corporation | Mask holding device and method for holding mask |
US5886866A (en) | 1998-07-06 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a combination electrode structure for substrate chucking, heating and biasing |
JP4296628B2 (ja) | 1999-04-01 | 2009-07-15 | 住友電気工業株式会社 | フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
JP3805134B2 (ja) | 1999-05-25 | 2006-08-02 | 東陶機器株式会社 | 絶縁性基板吸着用静電チャック |
JP2001035907A (ja) | 1999-07-26 | 2001-02-09 | Ulvac Japan Ltd | 吸着装置 |
JP2001118776A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Nikon Corp | 転写型露光装置および該装置に使用されるマスク保持機構、および半導体素子の製造方法。 |
KR20020046214A (ko) | 2000-12-11 | 2002-06-20 | 어드밴스드 세라믹스 인터내셔날 코포레이션 | 정전척 및 그 제조방법 |
JP2002357838A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Hitachi Industries Co Ltd | 基板貼り合わせ方法及びその装置 |
JP2003037159A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Toto Ltd | 静電チャックユニット |
JP2003179128A (ja) | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック |
JP2003243493A (ja) | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Taiheiyo Cement Corp | 双極型静電チャック |
TWI327336B (en) * | 2003-01-13 | 2010-07-11 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Arrangement for processing a substrate |
KR100832684B1 (ko) | 2003-07-08 | 2008-05-27 | 가부시끼가이샤 퓨처 비전 | 기판 스테이지 및 그에 이용하는 전극 및 그들을 구비한 처리 장치 |
JP4684222B2 (ja) | 2004-03-19 | 2011-05-18 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 双極型静電チャック |
JP2005285825A (ja) | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Advantest Corp | 静電チャック及び静電チャックによる基板固定方法 |
KR20060018338A (ko) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | 동부아남반도체 주식회사 | 웨이퍼 고정용 정전척 |
US7804675B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-09-28 | Tsukuba Seiko Ltd. | Electrostatic holding apparatus and electrostatic tweezers using the same |
JP4667140B2 (ja) | 2005-06-30 | 2011-04-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
EP1959488A4 (en) | 2005-12-06 | 2011-01-26 | Creative Tech Corp | ELECTRODE SHEET FOR ELECTROSTATIC CHUCK, AND ELECTROSTATIC CHUCK |
JP2007234940A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | ウエハ処理装置 |
JP4802018B2 (ja) | 2006-03-09 | 2011-10-26 | 筑波精工株式会社 | 静電保持装置及びそれを用いた真空環境装置並びにアライメント装置又は貼り合わせ装置 |
US20080062609A1 (en) | 2006-08-10 | 2008-03-13 | Shinji Himori | Electrostatic chuck device |
US7989022B2 (en) | 2007-07-20 | 2011-08-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing substrates, electrostatic carriers for retaining substrates for processing, and assemblies comprising electrostatic carriers having substrates electrostatically bonded thereto |
KR101000094B1 (ko) | 2007-08-08 | 2010-12-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 증착장치 |
JP5112808B2 (ja) | 2007-10-15 | 2013-01-09 | 筑波精工株式会社 | 静電型補強装置 |
US8730644B2 (en) | 2008-07-08 | 2014-05-20 | Creative Technology Corporation | Bipolar electrostatic chuck |
KR101001454B1 (ko) | 2009-01-23 | 2010-12-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 정전척 및 이를 구비한 유기전계발광 소자의 제조장치 |
JP2010219253A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローブ検査方法およびプローバ |
JP4709945B2 (ja) | 2009-04-13 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5597502B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-10-01 | 京セラ株式会社 | 吸着用部材およびこれを用いた吸着装置、並びに光照射装置および荷電粒子線装置 |
KR20110099974A (ko) * | 2010-03-03 | 2011-09-09 | 주식회사 코미코 | 정전척 및 이의 제조 방법 |
US20120227886A1 (en) | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Taipei Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Substrate Assembly Carrier Using Electrostatic Force |
US20130107415A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck |
US8902561B2 (en) * | 2012-02-02 | 2014-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electrostatic chuck with multi-zone control |
KR102072872B1 (ko) * | 2012-04-26 | 2020-02-03 | 인테벡, 인코포레이티드 | 진공 처리용 시스템 아키텍처 |
KR102047001B1 (ko) | 2012-10-16 | 2019-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전 척 |
KR101905158B1 (ko) | 2013-08-06 | 2018-10-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 국부적으로 가열되는 다-구역 기판 지지부 |
US9740111B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic carrier for handling substrates for processing |
US10978334B2 (en) | 2014-09-02 | 2021-04-13 | Applied Materials, Inc. | Sealing structure for workpiece to substrate bonding in a processing chamber |
-
2013
- 2013-12-06 US US14/099,856 patent/US9460950B2/en active Active
-
2014
- 2014-09-19 CN CN201480065526.6A patent/CN105793974B/zh active Active
- 2014-09-19 WO PCT/US2014/056607 patent/WO2015084463A1/en active Application Filing
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- 2014-09-19 KR KR1020177004117A patent/KR20170020552A/ko not_active IP Right Cessation
- 2014-09-19 KR KR1020167017937A patent/KR101757378B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-29 TW TW103137451A patent/TWI600110B/zh active
- 2014-10-29 TW TW106112325A patent/TWI620262B/zh active
-
2016
- 2016-08-26 US US15/249,009 patent/US10236201B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6487063B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-11-26 | Nikon Corporation | Electrostatic wafer chuck, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same |
JP2004200620A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Kyocera Corp | 静電チャックおよびその製造方法 |
JP2010165805A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Toto Ltd | 静電チャックおよび静電チャックの製造方法 |
JP2012248741A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI600110B (zh) | 2017-09-21 |
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