JPH01101112A - 半導体ウエハのダイシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。

Ａ、産業上の利用分野 Ｂ１発明の概要 Ｃ１従来技術 り１発明が解決しようとする問題点 Ｅ９問題点を解決するだめの手段 Ｆ０作用 Ｇ、実施例［第１図乃至第５図］ Ｈ０発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明は半導体ウェハのダイシング方法、特に半導体ウ
ニ八表面が接着材で汚染される虞れがないようにフルカ
ットによるダイシングができる半導体ウェハのダイシン
グ方法に関する。

（Ｂ、発明の概要） 本発明は、半導体ウェハのダイシング方法において、 ウェハトレー上に半導体ウェハを接着材を用いることな
く固定しウェハトレーが切削されないようにしつつフル
カットによるダイシングができるようにするため、 少なくともウェハ載置部分が多孔質の材料で形成されカ
ッター逃げ溝を備えたウェハトレーに半導体ウェハを真
空吸着した状態でフルカットによるダイシングを行うも
のである。

（Ｃ，従来技術） を導体装置の組立を行う場合、一連の製造プロセスを終
えた半導体ウェハに対して個々のベレットに分割をする
処理を施さなければならない。そして、分割にはフルカ
ットする方法と、ハーフカットしその後ブレーキングす
る方法とがある。

ところで、後者の場合ブレーキングの際にチッピング等
のダストが発生するので、半導体素子表面にダストが付
着するのを避ける必要性の高い場合には不向きである。

特に、固体撮像素子は表面に色分離用フィルターを備え
それにダストが付着すると色分離に支障を来し、画質が
低下するという問題をもたらすためダストの付着を少な
くする必要性が強いので、固体撮像素子が形成された半
導体ウェハに対するダイシングはフルカットにより行わ
わている。

そして、従来においてフルカットによるダイシングは半
導体チップがバラバラにならないようにするため例えば
塩化ビニールからなるシートに半導体ウェハを接着した
状態で行われることが多い。

（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、半導
体ウェハをシートに接着１ノだ状態でフルカットをした
場合には、シートに半導体ウェハを接着する接着材がダ
イシングカッターに付着し、更にその接着材が半導体チ
ップ表面に付着するということが起きる。また、シート
がダイシングカッターによって切削されて生じたダスト
が半導体チップ表面に付着することが起きる。これ等の
ことは普通のＬＳＩ、ＩＣの場合、洗浄によって解決す
ることができるが、固体撮像素子の場合、高解像度化、
高画質化の要求が強くなっており、僅かなダストも付着
しないようにする必要性が非常に強くなっている。

そこで、本発明は、半導体クエへを接着することなくウ
ェハトレーに保持してフルカットによるダイシングがで
きるようにし、更にダイシングカッターによってウェハ
トレーが切削されることのないようにすることを目的と
する。

（Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明半導体ウェハのダイシング方法は上記問題点を解
決するため、少なくともウェハ載置部分が多孔質の材料
で形成されカッター逃げ溝を備えたウェハトレーに半導
体ウェハを真空吸着した状態でフルカットによるダイシ
ングを行うことを特徴とする。

（Ｆ、作用） 本発明半導体ウェハのダイシング方法によれば、少なく
ともウェハ載置部分を多孔質材料で形成したウェハトレ
ーに半導体ウェハを真空吸着するので接着材を用いなく
とも半導体ウェハをウェハトレーに固定することができ
る。従って、接着材が半導体チップ表面に付着する虞れ
がなくなる。

そして、ウェハトレーにはカッター逃げ溝が設けられて
いるので、ウェハトレーがダイシングカッターによって
切削されないようにフルカットによるダイシングを進め
ることができる。従って、ウェハトレーの切削によるダ
ストが生じて半導体チップ表面に付着するという虞れも
なくすことができる。

（Ｇ、実施例）［第１図乃至第５図］ 以下、本発明半導体ウェハのダイシング方法を図示実施
例に従って詳細に説明する。

図面は本発明半導体ウェハのダイシング方法の一つの実
施例を説明するためのもので、第１図はダイシング時の
状態を示す斜視図、第２図はウェハトレーを斜め−Ｆ側
から見た斜視図、第３図は同じ〈斜め下側から見た斜視
図、第４図は本方法、でダイシングを行う装置の概略構
成を示す斜視図、第５図は半導体チップの移載を説明す
る斜視図である。

図面において、１は半導体ウェハ２を載置する略正方形
の板状ウェハトレーで、中央部にウェハトレー１より稍
大きな円形の孔３が形成され、該孔３の周縁から下方へ
環状筒４が一体に突出形成されている。該環状ｖＩＪ４
にはディスク状の金属焼結体５が嵌合されている。該金
属焼結体５はその上面がウェハトレーｌの上面よりも稍
低くされて金属焼結体５上に半導体クエへを載置する凹
部が形成されるようになっている。金属焼結体５は所定
の大きさの粒子を焼結することによって多孔質に形成さ
れ、数μｍあるいは十数μ−ｍという微小な孔を無数に
有しており、この微小な多くの孔を通じて半導体ウェハ
２を真空吸着することが可能である。

ウェハトレー１の表面部には金属焼結体５の表面部を含
めて格子状にカッター逃げ溝６．６、・・・が形成され
ており、金属焼結体５上には４木のカッター逃げ溝６．
６．６．６によって区切られた矩形のチップ吸着領域７
が多数形成されることになる。各チップ吸着領域７．７
、・・・の中央部にはそれぞれビン摺動孔８．８、・・
・が形成されている。該ピン摺動孔８．８・・・はダイ
シング終了後においてチップ吸着領域７．７、・・・上
に位置している半導体チップ９．９、・・・を移載する
ために付き上げる付き上げピン１０を通すためのもので
ある。

ダイシングをするときは半導体ウェハ２を金属焼結体Ｓ
上に載置した状態のウェハトレー１を真空吸引器１１上
に置いて該真空吸引器１１によって半導体ウェハ２をウ
ェハトレー１の金属焼結体５に真空吸着しながら、ダイ
シングカッター１２によりフルカットすることにより行
うのである。

尚、１３はモータ、１４はカッターのブレードである。

この場合、ウェハトレーｌはダイシングカッター１３の
ブレード１４がカッター逃げ溝６内をその溝に触れない
で通ることができるように位置決めされ、その後一方向
のカツテングが開始される。そして、１木のカッター逃
げ溝６に沿ったカッテングが終ｒする毎にウェハトレー
１がカッター逃げ溝６の１配置ピッチ分ずつシフトされ
る。そして、一方向のカツテングが全部済むとウェハト
レー１が９０°回転され、改めて位置合せが為されたう
えで今までカツテングした方向と９０°の方向のカッテ
ングが行われることになる。

尚、半導体ウェハ２をダイシングするときの位置合せは
非常に位置合せ精度が高いことが要求されるので画像処
理によるアライメントによって行われる。

このような半導体ウェハのダイシング方法によれば、半
導体ウェハ２をウェハトレー１に接着するのではなく真
空吸着して固定するので接着材がダイシングカッター１
３のブレード１４に着き、更に半導体チップ９の表面に
着くという問題を完全に回避することができるのである
。また、ウェハトレー１の表面部にはカッター逃げ溝６
．６、・・・が形成されているのでダイシングカッター
１３のブレード１４がカッター逃げ溝６．６、・・・を
非接触で通るようにしてカッテングすることによりウェ
ハトレーｌにブレード１４を全く触れさせることなく半
導体ウェハ２を完全にフルカットすることが可能になる
。

次に、第４図に示すところのダイシング装置の働きにつ
いて簡単に説明する。

先ず、ウェハトレー１は空の状態でウェハカセット１５
の前に位置される。ウェハカセット１５は多数枚の半導
体ウェハ２．２、・・・を収納するものであり、この前
に空のウェハトレー１が置かれると内部にある多数枚の
半導体クエハ２．２、・・・のうちから１枚が取り出さ
れウェハトレー１上に移載される。移載されると半導体
ウェハ２はウェハトレー１に対して大まかに位置合せ（
ブリアラメント）される。この大まかな位置合せが終る
とウェハトレー１が真空吸引器１１上に移送され、前に
述べたようにしてダ・ｆシンクが行われる。ダイシング
が完全に終了すると多数の半導体チップ９．９、・・・
を載置した状態になっているウェハトレー１をチップト
レー１６の側へ移送する。そして、ウェハトレー１上の
半導体チップ９．９、・・・は突き、ヒげピン１０と裏
面バキュームチャック１７の働きにより順次チップトレ
ー１６−Ｆに移載される。即ち、チップトレー１６の側
に置かれたウェハトレー１の下には、各チップ吸着領域
７の中央部に形成されたピン慴動孔８にその下から突き
上げピン１０を通してチップ吸着領域７上の半導体チッ
プ９を突き上げる機構が設けられており、一方、ウェハ
トレー１が置かれた部分よりも上側には突き上げピン１
０によって突き上げられた半導体チップ９をフォーク状
の載置片１８によって載置し、載置片１８の表面に開口
した真空吸着口１９．１９にて真空吸着しながらチップ
トレー１６上に移送する裏面バキュームチャック１７が
設けられており（第４図参照）、これ等の働きにより半
導体チップ９．９、・・・のチップトレー１６上への移
載が行われる。２０は洗浄パイプで、洗浄液あるいは洗
浄ガスを噴出して移動途中の半導体チップ９を洗浄する
。

（Ｈ，発明の効果） 以上に述べたように、本発明半導体ウェハのダイシング
方法は、少なくとも半導体ウェハを載置するウェハ載置
部分が多孔質の材料からなり半導体ウェハをスライスす
るカッターブレードが通る部分にカッター逃げ溝が形成
されたウェハトレーの上記ウェハ載置部分上に半導体ウ
ェハを載置し、上記ウェハトレーのウェハ載置部分に半
導体ウェハを真空吸着した状態でカッターブレードをそ
の刃先が上記カッター逃げ溝内を通るように移動させて
半導体ウェハをフルカットすることによりダイシングす
ることを特徴とするものである。

従って、本発明半導体ウェハのダイシング方法によれば
、少なくともウェハ載置部分を多孔質材料で形成したウ
ェハトレーに真空吸着するので接着材を用いなくとも半
導体ウェハをウェハトレーに固定することができる。従
って、接着材が半導体チップ表面に付着する虞れがなく
なる。

そして、ウェハトレーにはカッター逃げ溝が設けられて
いるので、ウェハトレーがダイシングカッターによって
切削されないようにフルカットによるダイシングを進め
ることができる。従って、ウェハトレーの切削によるダ
ストが生じて半導体チップ表面に付着する虞れもない。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明半導体ウェハのダイシング方法の一つの実
施例を説明するためのもので、第１図はダイシング時の
状態を示す斜視図、第２図はウェハトレーを斜め上側か
ら見た斜視図、第３図はウェハトレーを斜め下側から見
た斜視図、第４図はダイシング装置全体の構成の概略を
示す斜視図、第５図は半導体チップの移載方法を説明す
るための斜視図である。 符号の説明 ｌｅ舎・ウェハトレー、 ２・・・半導体ウェハ、 ５・・・ウェハ載置部分、 ６・・・カッター逃げ溝、 １４・・・カッターブレード。 ゛　　　　　　ぐ−寸 ｒ−０４Ｌｆ）（１コ、２

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも半導体ウェハを載置するウェハ載置部
   分が多孔質の材料からなり半導体ウェハをスライスする
   カッターブレードが通る部分にカッター逃げ溝が形成さ
   れたウェハトレーの上記ウェハ載置部分上に半導体ウェ
   ハを載置し、上記ウェハトレーのウェハ載置部分に半導
   体ウェハを真空吸着した状態でカッターブレードをその
   刃先が上記カッター逃げ溝内を通るように移動させて半
   導体ウェハをフルカットすることによりダイシングする
   ことを特徴とする半導体ウェハのダイシング方法