JP2000021960A - 真空チャック - Google Patents
真空チャックInfo
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- JP2000021960A JP2000021960A JP18548998A JP18548998A JP2000021960A JP 2000021960 A JP2000021960 A JP 2000021960A JP 18548998 A JP18548998 A JP 18548998A JP 18548998 A JP18548998 A JP 18548998A JP 2000021960 A JP2000021960 A JP 2000021960A
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- vacuum suction
- vacuum
- suction groove
- groove
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温での使用中に温度の低いシリコンウエ
ハ、ガラス基板等を接触、吸着させた場合においても熱
衝撃で破損し難い真空チャックを提供する。 【解決手段】 表面に形成した真空吸着溝１と内部を貫
通して一端が真空吸着溝１に通じた真空吸引穴２を有す
る真空チャックにおいて、真空吸着溝１の真空吸引穴２
入口を面取り加工してなる真空チャック。
ハ、ガラス基板等を接触、吸着させた場合においても熱
衝撃で破損し難い真空チャックを提供する。 【解決手段】 表面に形成した真空吸着溝１と内部を貫
通して一端が真空吸着溝１に通じた真空吸引穴２を有す
る真空チャックにおいて、真空吸着溝１の真空吸引穴２
入口を面取り加工してなる真空チャック。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造装置、液晶デバイス製造装置等の半導体・液晶分野に
用いられる真空チャックに関する。特に常圧ＣＶＤ装置
などのように高温で用いられる高温用の真空チャックに
関する。
造装置、液晶デバイス製造装置等の半導体・液晶分野に
用いられる真空チャックに関する。特に常圧ＣＶＤ装置
などのように高温で用いられる高温用の真空チャックに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスや液晶デバイスを製造す
る際、シリコンウエハやガラス基板等を保持するため
に、真空チャックと称する真空保持機構が一般に用いら
れている。このような真空チャックには、特開平５−８
４６８２号公報などに示されるようにシリコンウエハ、
ガラス基板等を吸着するため表面に真空吸着溝が設けら
れている。さらに真空チャック内部には、真空吸着溝と
外部の真空吸引機構とを連絡し、貫通した真空吸引穴が
設けられている。
る際、シリコンウエハやガラス基板等を保持するため
に、真空チャックと称する真空保持機構が一般に用いら
れている。このような真空チャックには、特開平５−８
４６８２号公報などに示されるようにシリコンウエハ、
ガラス基板等を吸着するため表面に真空吸着溝が設けら
れている。さらに真空チャック内部には、真空吸着溝と
外部の真空吸引機構とを連絡し、貫通した真空吸引穴が
設けられている。
【０００３】このような構造の真空チャックは、室温だ
けでなく、常圧ＣＶＤ用などのように高温においても一
般に用いられている。高温で用いられる真空チャックに
は、重金属やアルカリ金属汚染の少ないことや、耐熱性
が良好なことなどの理由で、セラミックスが用いられて
いることが多く、該セラミックスの中でも炭化珪素は、
熱伝導率が高くシリコンウエハの均熱性が良くなること
から、従来から使用されている。
けでなく、常圧ＣＶＤ用などのように高温においても一
般に用いられている。高温で用いられる真空チャックに
は、重金属やアルカリ金属汚染の少ないことや、耐熱性
が良好なことなどの理由で、セラミックスが用いられて
いることが多く、該セラミックスの中でも炭化珪素は、
熱伝導率が高くシリコンウエハの均熱性が良くなること
から、従来から使用されている。
【０００４】しかしながら、従来の真空チャックには、
高温での使用中に、温度の低いシリコンウエハ、ガラス
基板等を接触させ吸着させようとすると、熱衝撃で真空
吸着溝の真空吸引穴入口におけるシャープエッジの部分
で破損するという問題点がある。図５は従来の真空チャ
ックで真空吸着溝の真空吸引穴入口部分の拡大断面図を
示すもので、真空吸着溝１の真空吸引穴２入口の部分が
シャープエッジ３となっている。
高温での使用中に、温度の低いシリコンウエハ、ガラス
基板等を接触させ吸着させようとすると、熱衝撃で真空
吸着溝の真空吸引穴入口におけるシャープエッジの部分
で破損するという問題点がある。図５は従来の真空チャ
ックで真空吸着溝の真空吸引穴入口部分の拡大断面図を
示すもので、真空吸着溝１の真空吸引穴２入口の部分が
シャープエッジ３となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高温での使
用中に温度の低いシリコンウエハ、ガラス基板等を接
触、吸着させた場合においても熱衝撃で破損し難い真空
チャックを提供するものである。
用中に温度の低いシリコンウエハ、ガラス基板等を接
触、吸着させた場合においても熱衝撃で破損し難い真空
チャックを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に形成し
た真空吸着溝と内部を貫通して一端が真空吸着溝に通じ
た真空吸引穴を有する真空チャックにおいて、真空吸着
溝の真空吸引穴入口を面取り加工してなる真空チャック
に関する。
た真空吸着溝と内部を貫通して一端が真空吸着溝に通じ
た真空吸引穴を有する真空チャックにおいて、真空吸着
溝の真空吸引穴入口を面取り加工してなる真空チャック
に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明における真空吸着溝とは、
シリコンウエハなどを真空チャックの表面に吸着させる
ために真空チャック表面に設けられた溝である。その形
状は、特に制限するものではないが、円、円弧状、直線
状等を組み合わせたものを用いることが好ましい。また
真空吸着溝の幅及び深さについては特に制限するもので
はない。
シリコンウエハなどを真空チャックの表面に吸着させる
ために真空チャック表面に設けられた溝である。その形
状は、特に制限するものではないが、円、円弧状、直線
状等を組み合わせたものを用いることが好ましい。また
真空吸着溝の幅及び深さについては特に制限するもので
はない。
【０００８】一方、真空吸引穴とは、表面の真空吸着溝
と真空チャック外部に設置する真空吸引機構とを結ぶた
め、真空チャック内部を貫通して設けられた貫通穴であ
る。真空吸引穴は、直線的でも途中で折れ曲がってもよ
く、また途中で分岐して真空吸着溝と複数箇所で接続し
てもよい。
と真空チャック外部に設置する真空吸引機構とを結ぶた
め、真空チャック内部を貫通して設けられた貫通穴であ
る。真空吸引穴は、直線的でも途中で折れ曲がってもよ
く、また途中で分岐して真空吸着溝と複数箇所で接続し
てもよい。
【０００９】本発明における真空吸着溝の真空吸引穴入
口の形状は特に制限はない。なお面取りを全然設けない
場合は、真空吸引穴の先端及び真空吸着溝の底部の部分
がシャープエッジとなり、熱衝撃が加わると、シャープ
エッジに応力が集中し、破損し易くなる。面取りの寸法
は、真空吸着溝の底部から０．１〜２mm深いことが好ま
しく、０．２〜１mm深いことがさらに好ましい。
口の形状は特に制限はない。なお面取りを全然設けない
場合は、真空吸引穴の先端及び真空吸着溝の底部の部分
がシャープエッジとなり、熱衝撃が加わると、シャープ
エッジに応力が集中し、破損し易くなる。面取りの寸法
は、真空吸着溝の底部から０．１〜２mm深いことが好ま
しく、０．２〜１mm深いことがさらに好ましい。
【００１０】本発明において面取り加工とは、真空吸着
溝の真空吸引穴入口部分のシャープエッジを除去するた
めの加工を示し、その形状は直線的、曲線的のいずれで
もよく制限はない。面取り加工は、一般的な機械加工で
行うことができる。なお面取りはＪＩＳ Ｂ ０７０１
では４５゜と規定されているが、本発明においては２０
〜７０゜、好ましくは３０〜６０゜の範囲までを含むも
のとする。
溝の真空吸引穴入口部分のシャープエッジを除去するた
めの加工を示し、その形状は直線的、曲線的のいずれで
もよく制限はない。面取り加工は、一般的な機械加工で
行うことができる。なお面取りはＪＩＳ Ｂ ０７０１
では４５゜と規定されているが、本発明においては２０
〜７０゜、好ましくは３０〜６０゜の範囲までを含むも
のとする。
【００１１】本発明における真空チャックの材質として
は、特に制限するものではないが、炭化珪素、窒化アル
ミニウム、アルミナ、窒化珪素、窒化硼素、石英ガラス
等のセラミックスやガラスのように、剛性が高く、靱性
が低いものには特に有効であり、これらのうち炭化珪素
を用いることが好ましい。
は、特に制限するものではないが、炭化珪素、窒化アル
ミニウム、アルミナ、窒化珪素、窒化硼素、石英ガラス
等のセラミックスやガラスのように、剛性が高く、靱性
が低いものには特に有効であり、これらのうち炭化珪素
を用いることが好ましい。
【００１２】本発明になる真空チャックは、室温より高
い温度で用いられその温度域は材質によって異なるが、
一般的には８０〜１３００℃の温度範囲で用いることが
好ましく、３００〜８００℃の温度範囲で用いることが
さらに好ましい。
い温度で用いられその温度域は材質によって異なるが、
一般的には８０〜１３００℃の温度範囲で用いることが
好ましく、３００〜８００℃の温度範囲で用いることが
さらに好ましい。
【００１３】以下、本発明の実施の形態を図面を引用し
て詳述する。図１は本発明の実施例になる真空チャック
の断面図、図２は本発明の一実施例になる真空チャック
の真空吸着溝の真空吸引穴入口部分の拡大断面図、図３
は真空チャックの平面図及び図４は本発明の他の一実施
例になる真空チャックの真空吸着溝の真空吸引穴入口部
分の拡大断面図を示し、１は真空吸着溝、２は真空吸引
穴、４は真空吸着溝の底部、５は面取り部分及び６は円
錐形状延長部分である。本発明では面取りを行って形成
された円錐形状は、図４に示すように真空吸着溝以外の
表面まで延長して形成されてもよい。
て詳述する。図１は本発明の実施例になる真空チャック
の断面図、図２は本発明の一実施例になる真空チャック
の真空吸着溝の真空吸引穴入口部分の拡大断面図、図３
は真空チャックの平面図及び図４は本発明の他の一実施
例になる真空チャックの真空吸着溝の真空吸引穴入口部
分の拡大断面図を示し、１は真空吸着溝、２は真空吸引
穴、４は真空吸着溝の底部、５は面取り部分及び６は円
錐形状延長部分である。本発明では面取りを行って形成
された円錐形状は、図４に示すように真空吸着溝以外の
表面まで延長して形成されてもよい。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 図１、図２、図３及び図４に示す直径が２５０mm及び厚
さが２０mmの炭化珪素板に、深さが０．５mm及び幅が
０．５mmの真空吸着溝１を形成すると共に内部を貫通し
て一端が真空吸着溝１に通じた直径が１．６mmの真空吸
引穴２を形成した。次いで図４に示すように真空吸着溝
１の真空吸引穴２入口を、真空吸着溝の底部４より０．
１mm深くなるように旋盤を用い、ＪＩＳ Ｂ ０７０１
に準じて面取り加工すると共にその上部の真空吸着溝１
以外の表面まで延長して円錐形状の切り溝を形成して、
面取り部分５と円錐形状延長部分６の寸法イが０．６mm
の真空チャックを得た。
さが２０mmの炭化珪素板に、深さが０．５mm及び幅が
０．５mmの真空吸着溝１を形成すると共に内部を貫通し
て一端が真空吸着溝１に通じた直径が１．６mmの真空吸
引穴２を形成した。次いで図４に示すように真空吸着溝
１の真空吸引穴２入口を、真空吸着溝の底部４より０．
１mm深くなるように旋盤を用い、ＪＩＳ Ｂ ０７０１
に準じて面取り加工すると共にその上部の真空吸着溝１
以外の表面まで延長して円錐形状の切り溝を形成して、
面取り部分５と円錐形状延長部分６の寸法イが０．６mm
の真空チャックを得た。
【００１５】実施例２ 真空吸着溝の真空吸引穴入口を、真空吸着溝の底部より
０．２mm深くなるように面取り加工し、面取り部分と円
錐形状延長部分の寸法を０．７mmとした以外は実施例１
と同様の工程を経て真空チャックを得た。
０．２mm深くなるように面取り加工し、面取り部分と円
錐形状延長部分の寸法を０．７mmとした以外は実施例１
と同様の工程を経て真空チャックを得た。
【００１６】実施例３ 真空吸着溝の真空吸引穴入口を、真空吸着溝の底部より
１mm深くなるように面取り加工し、面取り部分と円錐形
状部分の寸法を１．５mmとした以外は実施例１と同様の
工程を経て真空チャックを得た。
１mm深くなるように面取り加工し、面取り部分と円錐形
状部分の寸法を１．５mmとした以外は実施例１と同様の
工程を経て真空チャックを得た。
【００１７】比較例１ 図５に示すように、真空吸着溝１の真空吸引穴２入口に
面取り加工をせず、またその上部の真空吸着溝１にも円
錐形状の切り溝を形成しない以外は実施例１と同様の工
程を経て真空チャックを得た。
面取り加工をせず、またその上部の真空吸着溝１にも円
錐形状の切り溝を形成しない以外は実施例１と同様の工
程を経て真空チャックを得た。
【００１８】比較例２ 真空吸着溝の真空吸引穴入口に面取り加工をせず、その
上部の真空吸着溝の底部から真空吸着溝以外の表面まで
寸法が０．５mmの円錐形状の切り溝を形成した以外は実
施例１と同様の工程を経て真空チャックを得た。
上部の真空吸着溝の底部から真空吸着溝以外の表面まで
寸法が０．５mmの円錐形状の切り溝を形成した以外は実
施例１と同様の工程を経て真空チャックを得た。
【００１９】実施例４ 真空チャックの材質をアルミナとし、真空吸着溝の真空
吸引穴入口を、真空吸着溝の底部より０．２mm深くなる
ように面取り加工し、面取り部分と円錐形状延長部分の
寸法を０．７mmとした以外は実施例１と同様の工程を経
て真空チャックを得た。
吸引穴入口を、真空吸着溝の底部より０．２mm深くなる
ように面取り加工し、面取り部分と円錐形状延長部分の
寸法を０．７mmとした以外は実施例１と同様の工程を経
て真空チャックを得た。
【００２０】比較例３ 真空チャックの材質をアルミナとし、真空吸着溝の真空
吸引穴入口に面取り加工をせず、またその上部の真空吸
着溝にも円錐形状の切り溝を形成しない以外は実施例１
と同様の工程を経て真空チャックを得た。
吸引穴入口に面取り加工をせず、またその上部の真空吸
着溝にも円錐形状の切り溝を形成しない以外は実施例１
と同様の工程を経て真空チャックを得た。
【００２１】次に各実施例及び各比較例で得られた真空
チャックをホットプレートで加熱し、かつ差圧が５００
Torrの条件で真空吸引しながら、該真空チャックに直径
が６０mm及び厚さが１０mmで温度２０℃のアルミニウム
板を接触、吸着させ、真空チャックの温度を１７０℃か
ら２５℃ずつ昇温し、真空チャックが破損する最小温度
を調べた。その結果を表１に示す。ただし真空チャック
の最高温度は４７０℃までとした。
チャックをホットプレートで加熱し、かつ差圧が５００
Torrの条件で真空吸引しながら、該真空チャックに直径
が６０mm及び厚さが１０mmで温度２０℃のアルミニウム
板を接触、吸着させ、真空チャックの温度を１７０℃か
ら２５℃ずつ昇温し、真空チャックが破損する最小温度
を調べた。その結果を表１に示す。ただし真空チャック
の最高温度は４７０℃までとした。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１に示すように、本発明になる真空チャ
ックは、比較例の真空チャックに比較して破損温度が１
００℃以上高く、熱衝撃に対して格段の効果があること
が明らかである。
ックは、比較例の真空チャックに比較して破損温度が１
００℃以上高く、熱衝撃に対して格段の効果があること
が明らかである。
【００２４】
【発明の効果】本発明になる真空チャックは、高温での
使用中に温度の低いシリコンウエハ、ガラス基板等を接
触させた場合においても熱衝撃で破損し難く、半導体デ
バイス製造装置や液晶デバイス製造装置、特に常圧ＣＶ
Ｄ装置に好適である。
使用中に温度の低いシリコンウエハ、ガラス基板等を接
触させた場合においても熱衝撃で破損し難く、半導体デ
バイス製造装置や液晶デバイス製造装置、特に常圧ＣＶ
Ｄ装置に好適である。
【図１】本発明の一実施例になる真空チャックの断面図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例になる真空チャックの真空吸
着溝の真空吸引穴入口部分の拡大断面図である。
着溝の真空吸引穴入口部分の拡大断面図である。
【図３】真空チャックの平面図である。
【図４】本発明の他の一実施例になる真空チャックの真
空吸着溝の真空吸引穴入口部分の拡大断面図である。
空吸着溝の真空吸引穴入口部分の拡大断面図である。
【図５】従来の真空チャックで真空吸着溝の真空吸引穴
入口部分の拡大断面図である。
入口部分の拡大断面図である。
１ 真空吸着溝 ２ 真空吸引穴 ３ シャープエッジ ４ 真空吸着溝の底部 ５ 面取り部分 ６ 円錐形状延長部分
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に形成した真空吸着溝と内部を貫通
して一端が真空吸着溝に通じた真空吸引穴を有する真空
チャックにおいて、真空吸着溝の真空吸引穴入口を面取
り加工してなる真空チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18548998A JP2000021960A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 真空チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18548998A JP2000021960A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 真空チャック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021960A true JP2000021960A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16171676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18548998A Pending JP2000021960A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 真空チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021960A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005335023A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nippon Steel Corp | 被加熱対象物の吸引式搬送装置 |
| JP2007253284A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 真空チャック及びこれを用いた真空吸着装置 |
| CN103567914A (zh) * | 2012-08-09 | 2014-02-12 | 龙云株式会社 | 吸附平台 |
| WO2017068900A1 (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法、太陽電池および太陽電池製造装置 |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP18548998A patent/JP2000021960A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005335023A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nippon Steel Corp | 被加熱対象物の吸引式搬送装置 |
| JP4494871B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-06-30 | 新日本製鐵株式会社 | 赤熱鋼板の吸引式搬送装置 |
| JP2007253284A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 真空チャック及びこれを用いた真空吸着装置 |
| JP4731368B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-07-20 | 京セラ株式会社 | 真空チャック及びこれを用いた真空吸着装置 |
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| KR101488227B1 (ko) * | 2012-08-09 | 2015-01-30 | 다즈모 가부시키가이샤 | 흡착정반 |
| WO2017068900A1 (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法、太陽電池および太陽電池製造装置 |
| CN108235787A (zh) * | 2015-10-20 | 2018-06-29 | 三菱电机株式会社 | 太阳能电池的制造方法，太阳能电池以及太阳能电池制造装置 |
| US11447869B2 (en) | 2015-10-20 | 2022-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Manufacturing method for solar cell, solar cell, and solar cell manufacturing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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