TWI822964B - 可更換的端效器接觸墊、端效器及維護方法 - Google Patents
可更換的端效器接觸墊、端效器及維護方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI822964B TWI822964B TW109106231A TW109106231A TWI822964B TW I822964 B TWI822964 B TW I822964B TW 109106231 A TW109106231 A TW 109106231A TW 109106231 A TW109106231 A TW 109106231A TW I822964 B TWI822964 B TW I822964B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- end effector
- shaft
- contact pad
- contact
- circular
- Prior art date
Links
- 239000012636 effector Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920006169 Perfluoroelastomer Polymers 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 3
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/0014—Gripping heads and other end effectors having fork, comb or plate shaped means for engaging the lower surface on a object to be transported
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/0033—Gripping heads and other end effectors with gripping surfaces having special shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6611—Wire connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Pens And Brushes (AREA)
- Food-Manufacturing Devices (AREA)
Abstract
提供了端效器的可更換的接觸墊。接觸墊在電子裝置製造中支撐基板。接觸墊包括:接觸墊頭,具有配置成接觸基板的接觸表面;軸,耦接到接觸墊頭,軸包括形成在接觸墊頭的下側和軸端之間的軸凹口;及圓形固定構件,容納在軸周圍並座落在軸凹口中,並配置成將接觸墊固定到端效器主體。描述了包括可更換的接觸墊和維護方法的端效器以及其他態樣。
Description
本揭露書關於電子裝置製造,且更具體地,關於用於運輸基板的端效器設備和方法。
在電子裝置製造中,可藉由機器人使基板(如,含矽晶圓、含矽板)在製造設施附近和製造配備工具內移動。機器人可包括機器人臂,機器人臂具有耦接到其上的一或多個端效器,端效器在這種運輸期間可接觸並支撐基板。端效器在其上包括通常三個的接觸墊,接觸墊提供升高的接觸表面,基板被支撐在接觸表面上。
在第一態樣中,提供了一種端效器。端效器配置成支撐基板,並包括:端效器主體,具有頂表面和底表面;凹部,從底表面延伸到主體中;及孔,形成在主體中並在頂表面和凹部之間延伸;接觸墊,設置在端效器主體上,接觸墊進一步包含:接觸墊頭,具有配置成接觸基板的接觸表面;及軸,耦接到接觸墊頭及容納在孔中並延伸到凹部中,軸包括形成在接觸墊頭的下側和軸端之間的軸凹口;及圓形固定構件,容納在軸周圍及座落於軸凹口中,以將接觸墊固定到端效器主體。
在另一態樣中,提供了一種適以固定到端效器的端效器主體的接觸墊。接觸墊包括:接觸墊頭,具有配置成接觸基板的接觸表面;軸,耦接到接觸墊頭,軸包括形成在接觸墊頭208H的下側和軸端之間的軸凹口;及圓形固定構件,容納在軸周圍及座落於軸凹口中,並配置成將接觸墊固定到端效器主體。
在方法態樣中,提供了一種維護在電子裝置製造中適以運輸基板的端效器的方法。方法包括以下步驟:提供端效器的端效器主體,端效器主體具有頂表面和底表面;凹部,從底表面延伸到端效器主體中;及孔,在頂表面和凹部之間延伸;提供具有接觸墊頭的接觸墊,接觸墊頭具有配置成接觸並支撐基板的接觸表面;及軸,耦接到接觸墊頭,軸包括在該接觸墊頭的下側和軸端之間形成的軸凹口;提供圓形固定構件;將軸穿過孔插入凹部中;及將圓形固定構件固定在軸周圍並座落於軸凹口中,以將接觸墊固定到端效器主體。
由以下的實施方式、附隨的申請專利範圍及附隨的圖式,本揭露書的其他特徵和態樣將變得更加顯而易見。
在電子裝置製造處理中,通常經由使用一或多個機器人來移動配置成生產電子部件(如,電子晶片或其電子次部件)的基板(如,矽晶圓、含矽板等)通過許多製造步驟。機器人包括端效器,端效器在這種運動期間支撐基板。非常快速地移動基板可提高生產量,並因此可降低所生產的電子部件的製造成本。
然而,快速移動會產生顆粒,當除了其他以外時,在運輸期間,基板在機器人的端效器的接觸表面上滑動。因此,偏好最小化基板在端效器上的滑動。為了減少基板的滑動,傳統的端效器包括整體加工的接觸墊。特別地,整體加工的接觸墊包括具有表面特徵的圓頂形接觸表面,表面特徵接觸並支撐基板並且還提供了低的滑動傾向。每個整體加工的接觸墊可具有加工的接觸表面,加工的接觸表面具有特定的圓頂形輪廓和表面粗糙度,這可降低基板在其上滑動的可能性。然而,整體加工的端效器接觸墊的磨損以及其被矽顆粒/灰塵的污染會增加基板在接觸墊上滑動的傾向,並因此會限制端效器的使用壽命。為防止基板滑動,應定期更換整個端效器。
根據本揭露書的實施例,提供了可更換的接觸墊,其在磨損時可快速交換和更換。因此,顯著降低了繼續提供低滑動端執行器的總成本。
下文參考第1-7圖描述具有可更換的接觸墊的端效器、可更換的接觸墊及端效器的維護方法的這些和其他實施例
第1圖描繪了端效器100的第一示例性實施例,端效器100配置成支撐基板101(其一部分以虛線顯示),端效器100包括可更換的一或多個接觸墊108。在所描繪的實施例中,端效器100基本上由三個接觸墊108組成。然而,其他實施例可包括其他數量的接觸墊108。
端效器100由端效器主體102製成,端效器主體102具有頂表面102T(第2A圖)和底表面102B。頂表面102T可包含平面,平面含有三個點面,這些點面在端效器主體102的下方平坦表面102PS之上方升高。端效器主體102配置成在內側端104I處耦合或互連到機器人部件(諸如到第三臂653(如,機器人腕–見第6圖))。可藉由穿過鑽孔105容納的緊固件(未顯示)進行耦接,從而將端效器100耦接至第三臂653(如,腕構件)。可直接與第三臂653耦接,或可通過中間部件(諸如安裝板654(第6圖))耦接,如美國專利第10,090,188中所述,以便減少當端效器100由陶瓷或玻璃材料製成時的裂縫。
端效器主體102的外側端104O可包括第一叉狀件107A和第二叉狀件107B,第一叉狀件107A和第二叉狀件107B之每一者可配置成在其上接收並支撐接觸墊108。外側端104O上的接觸墊108和內側端104I附近的第三接觸墊108可提供穩定的三點接觸,以在其上支撐基板101(第1和2圖僅顯示基板101的一部分)。可將基板101支撐在端效器100的接觸墊108上,在內側托架109I與外側托架109O之間,內側托架109I可為半徑與基板101大致相同的弓形台階。在相應的內側托架109I和外側托架109O之間的間隔可比基板101稍大(如,幾毫米),諸如其中尺寸111是直徑,該直徑稍大於直徑為300毫米或直徑為450毫米或其他尺寸的直徑的基板101。可使用除所示的端效器主體102的其他配置。
如在第2A-2C圖中最佳顯示的,端效器主體102的底表面102B包括形成在其中的凹部214。凹部214可為圓形的,並可從底表面102B延伸到端效器主體102中至深度HR。孔215形成在端效器主體102中並在頂表面102T和凹部214之間延伸。例如,凹部214可具有從5mm至10mm的凹部直徑DR,及從1.1mm至2.0mm的凹部高度HR。例如,孔215可具有從2.8mm至4.8mm的孔直徑DA
和從0.85mm至1.1mm的孔高度HA。可使用其他直徑、高度和深度。對於與直徑為450毫米的基板一起使用來說,每種尺寸可能都更大。
端效器主體102可由剛性材料(諸如玻璃、陶瓷或金屬材料)製成。例如,可使用陶瓷(諸如氧化鋁)或金屬摻雜的陶瓷(諸如金屬摻雜的氧化鋁)。發現摻雜鈦的氧化鋁是在320℃以上的高溫應用中的良好選擇,在該溫度下端效器主體102的導電性是所需要的。然而,玻璃或陶瓷材料也可在較低溫度下使用。在一些實施例中,端效器100可在250℃至650℃之間使用,或在一些實施例中甚至可在320℃以上使用。任選地,例如,端效器主體102可為金屬(諸如不銹鋼或鋁)。可使用其他合適的金屬或合金。
更詳細地,現在將描述代表性的接觸墊108。現在參照第2A圖和第2C至3B圖,顯示了設置在端效器主體102中的接觸墊108。接觸墊108包括接觸墊頭208H,接觸墊頭208H具有配置成接觸基板101的接觸表面210。例如,接觸表面210可包括具有從8mm至20mm的曲率半徑210R(第2D圖)的圓頂形。根據ASME B46.1(2009),接觸表面210可具有從45μin Ra至65μin Ra的表面粗糙度。例如,接觸墊頭208H可具有從1.0mm至2.0mm的接觸墊高度HP。例如,接觸墊頭208H可具有從6.0mm至12.0mm的接觸墊直徑DP。可使用其他合適的接觸表面尺寸、輪廓、半徑和表面粗糙度。
接觸墊108進一步包括耦接到接觸墊頭208H的軸212,且軸212容納在孔215中。接觸墊頭208H和軸212可一體地形成為一件式部件。軸212可進一步從接觸墊頭208H的下側213延伸一段距離DS到凹部214中。軸212包括在其中形成的軸凹口216。軸212不應在端效器主體102的底表面102B之下方延伸,以免干擾基板的放置。軸凹口216可以凹槽(如,環形凹槽)的形式設置,並可形成在軸212中,在接觸墊頭208H的下側213與軸112的軸端212E之間的位置處。
軸凹口116可包括具有共同底部半徑RI的弓形底部的表面輪廓(第2D圖)。軸212的最小尺寸222(如,最小直徑)可定位成與接觸墊頭208H的下側213相距距離DI。例如,半徑RI可為從0.59mm至1.2mm。例如,距離DI可為從1.2mm至1.9mm。例如,半徑中心可以從1.7mm至2.9mm的距離DR定位。取決於所使用的圓形固定構件218的尺寸,可使用半徑RI、距離DI和距離DR的其他尺寸。
圓形固定構件218圍繞軸212容納,並座落在軸凹口216中,以將接觸墊108固定到端效器主體102。當圓形固定構件218座落在軸凹口216中時,圓形固定構件218接觸凹部214的座落表面214S且還有軸凹口216的至少一部分。在所描繪的實施例中,圓形固定構件218包含O形環,在安裝狀態中,O形環被壓抵座落表面214S。O形環可由彈性體材料(諸如可從DUPONT PERFORMANCE ELASTOMERS以KALREZ®購得的全氟彈性體,從Chemours Company以VITON®購得的六氟丙烯(HFP)和偏二氟乙烯(VDF或VF2)的共聚物,或任何其他合適的高溫彈性體)製成。彈性體的O形環可在最高約316℃下使用。
藉助於凹口半徑RI的軸凹口216的尺寸,藉助於距離DI的軸凹口216的位置及圓形固定構件218的尺寸可經選擇使得能夠提供將接觸墊頭208H的下側213固定地夾緊到頂表面102T上的固定力。例如,可實現從0.5磅至5.0磅或更大的夾緊力。圓形固定構件218可包含小於軸212(第2D圖)的外徑220的內部尺寸218I(如,內徑),使得圓形固定構件218可保持在軸凹口216的軸212上。此外,圓形固定構件218可包含小於軸凹口216的最小直徑222的內部尺寸218I(如,內徑),以在其中提供固定的配合。例如,軸212的外徑220可為從2.9mm至5.7mm。例如,軸凹口216的最小直徑222可為從2.2mm至4.5mm。可使用用於外徑220和最小直徑222的其他尺寸。
在一些實施例中,接觸墊108可由導電材料(諸如導電陶瓷或金屬)製成或包括導電材料(諸如導電陶瓷或金屬)。例如,接觸墊108可由導電陶瓷材料製成。在尋求導電性時可使用金屬摻雜的陶瓷。對於尋求導電性的高溫應用而言,任何合適的金屬摻雜陶瓷(諸如摻Ti的氧化鋁)都是不錯的選擇。也可使用碳化矽或摻雜的碳化矽。
任選地,接觸墊108可由金屬(諸如不銹鋼、鋁、鍍鎳的鋁)或其他低電導率陶瓷(諸如氧化鋯、氧化鋁及類似者)製成。在尋求導電性時,接觸墊108的導電性應足以充當通過端效器主體102的接地路徑的一部分,以將支撐在其上的基板101上的任何靜電荷接地。
如第2A圖所示,頂表面102T包含從端效器主體102的下方平坦表面102PS升高的點面。點面提供了接觸墊108所在的平面。點面可為圓形的,並約為接觸墊頭208H的接觸墊直徑DP的尺寸或更大。可使用其他形狀和尺寸。在所描繪的實施例中,頂表面102T可與下方平坦表面102PS間隔一段升高距離DF。例如,距離DF可為從1.92mm至3.8mm。升高距離DF可提供足夠數量的材料用於支撐接觸墊108並避免其破裂。可使用其他距離DF。
第4A-4C圖顯示了適以支撐基板101並包括接觸墊408的一或多個可更換者的端效器400的替代實施例,例如,可以與接觸墊108相同的方式將三個接觸墊408施加到端效器主體102上。特別地,端效器主體102與之前描述的相同,但是如第4A-4C圖所示的接觸墊408配置用於高溫(例如,諸如在250℃至650℃之間或320℃以上)。端效器400的這個實施例配置成支撐基板101,並包含端效器主體102,端效器主體102具有頂表面102T和底表面102B、從底表面102B延伸到端效器主體102中的凹部214和形成在端效器主體102中並在頂表面102T和凹部214之間延伸的孔215,如前面所描述的。
設置在端效器主體102上的接觸墊408包含接觸墊頭208H及軸412,接觸墊頭208H具有接觸表面210,接觸表面210配置成接觸基板101,如前面所描述的,軸412耦接到接觸墊頭208H且被接收在孔215中並延伸到凹部214中。軸412包括形成在接觸墊頭208H的下側213與軸端412E之間的軸凹口416。軸凹口416可包括任何合適的形狀,諸如包括所示的圓錐形側面和圓柱形底部。
圓形固定構件418圍繞軸412容納,並座落在軸凹口416中,以將接觸墊408固定到端效器主體102。如第4B和4C圖所示,圓形固定構件418可包含圓形主體418B,圓形主體418B具有切口418C,諸如所示的徑向切口。圓形主體418B可由剛性材料(諸如金屬)製成。特別地,材料應為能夠承受例如250℃以上、320℃以上,或甚至從250℃至650℃的持續運行的金屬。因為圓形固定構件418可至少部分地用作彈簧,所以圓形固定構件418可由非常高的抗拉強度材料(諸如音樂線或17-4PH鋼)製成。圓形主體418B的內徑418I小於軸412的外徑220。可選擇圓形固定構件418的內徑418I和最大尺寸418D以在圓形固定構件418與接觸墊頭208H的下側213之間產生夾緊力。因此,在安裝時,圓形固定構件418可設置成座落在凹口416中的展開狀態,亦即,其中使切口418C大於第4B圖中所示的其自由狀態。
第5A和5B圖顯示了包括接觸墊508的一或多個可更換者的端效器500的另一實施例,接觸墊508配置成承
受高溫使用,諸如250℃以上、從250℃至650℃或甚至320℃以上的持續操作。在第4A圖的實施例和第5A圖的實施例之間的唯一區別是圓形固定構件518的配置。在這個實施例中,圓形固定構件518包含線圈彈簧,諸如所示的錐形線圈彈簧。圓形固定構件518可包括複數個線圈518C,諸如所示的螺旋線圈。在錐形線圈彈簧的情況下,線圈518C可包含具有較小直徑和較大直徑兩者的線圈。具有最小內徑518I的最低的線圈小於軸212的最大外徑220。因此,在安裝時,包含線圈彈簧的圓形固定構件518以壓縮狀態設置,以便施加夾緊力來將接觸墊頭208H的下側213拉引成與頂表面102T固定夾緊嚙合。可選擇包含線圈彈簧的圓形固定構件518的彈簧率,以實現一定的夾緊力,諸如0.5磅或更大(如,0.5磅至5磅或更大)。
為了將各種圓形固定構件218、418、518安裝到軸212,可將這些構件的較小內部尺寸卡合在軸端212E的較大外徑220上,諸如藉助於適當的組裝工具。在每種情況下,圓形固定構件218、418、518的撓性允許較小的內部尺寸218I、418I、518I在較大尺寸上膨脹,並接著將圓形固定構件218、418、518座落在相應的軸凹口216、416(如,凹槽)中。如第4A和5A圖所示,軸端212E可包括半徑或錐度,以幫助將圓形固定構件218、418、518卡扣在軸212上。
第6圖顯示了包括傳送腔室機器人650的電子裝置製造設備600的示例性實施例,傳送腔室機器人650具有支撐基板101的端效器100(為了說明目的而以虛線顯示),其中基板101如於此所述被支撐在可更換的接觸墊上。電子裝置製造設備600可包括耦接到傳送腔室648的多個處理腔室655(虛線所示)。傳送腔室648可容納傳送腔室(TC)機器人650。TC機器人650可具有第一臂651、第二臂652及第三臂653(如,機器人腕)。端效器100(諸如通過安裝板654)耦接到第三臂653。端效器100可接觸並支撐在其上的基板101(如,半導體晶圓、玻璃板等)。
處理工具600的傳送腔室648可經由一或多個負載鎖定腔室656連接到工廠介面662。工廠介面662可容納工廠介面(FI)機器人661。FI機器人661可包括端效器(未顯示,但是與端效器100基本相同),並且可具有如於此所述的接觸墊108、408、508的可更換者。
基板載體664可被可拆卸地連接到工廠介面662的前壁,且其中的基板101可藉由FI機器人661在基板載體664和一或多個負載鎖定腔室656之間移動。
處理工具600可耦合至控制器665。控制器665可控制基板101的移動及其處理。例如,控制器665可包括中央處理單元(CPU)、支持電路和記憶體。在操作中,例如,TC機器人650可受到來自控制器665的命令而操作,以使基板101在各種處理腔室655和負載鎖定腔室656之間或在不同的處理腔室655之間移動。
隨著製造處理的進行,協同工作的FI機器人661和TC機器人650可使基板101在基板載體664和處理腔室655之間移動。各種電子裝置製造處理(如,半導體裝置製造處理(諸如氧化、薄膜沉積、蝕刻、熱處理、脫氣、冷卻等))可在處理腔室655內發生。
因為可能期望基板101盡可能快地移動以加快製造處理並因此降低製造成本,所以由於運動、放置、未對準校正及類似者可能導致接觸墊108、408、508上的一些磨損。因此,有時(諸如使用或其他措施的幾個小時之後)可能期望在維護操作中更換端效器100、400、500。
第7圖顯示了維護在電子裝置製造中(如,在電子裝置製造設備600及類似者中)適以運輸基板(如,基板101)的端效器(如,端效器100、400、500及類似者)的方法的流程圖。方法700包括,在方塊702中,提供端效器(如,端效器100、400、500及類似者)的端效器主體(如,端效器主體102),端效器主體具有頂表面(如,頂表面102T)和底表面(如,底表面102B);從底表面(如,底表面102B)延伸到端效器主體(如,端效器主體102)中的凹部(如,凹部214);及在頂表面(如,頂表面102T)和凹部(如,凹部214)之間延伸的孔(如,孔215)。
方法700進一步包括,在方塊704中,提供接觸墊(如,接觸墊108、408、508及類似者),接觸墊具有帶接觸表面(如,接觸表面210)的接觸墊頭(如,接觸墊頭208H),接觸表面210配置成接觸並支撐基板(如,基板101及類似者);及耦合到接觸墊頭(如,接觸墊頭208H)的軸(如,軸212),軸(如,軸212)包括形成在接觸墊頭(如,接觸墊頭208H)的下側(如,下側213)和軸端(如,軸端212E)之間的軸凹口(如,軸凹口216)。
方法700進一步包括,在方塊706中,提供圓形固定構件(如,圓形固定構件218、418、518及類似者);在方塊708中,將軸(如,軸212)穿過孔(如,孔215)插入並進入凹部(如,凹部214)中;及在方塊710中,將圓形固定構件(如,圓形固定構件218、418、518及類似者)固定在軸(如,軸212)周圍並座落於軸凹口(如,軸凹口216)中,以將接觸墊(如,接觸墊108、408、508)固定到端效器主體(如,端效器主體102)。
前面的描述揭露了本揭露書的示例性實施例。對於熟悉本領域者而言,落在這份揭露書的範圍內的上述揭露的接觸墊設備、端效器設備和維護方法的修改將是顯而易見的。因此,應當理解,其他實施例可能落入本揭露書的範圍內,如由以下的申請專利範圍所界定的。
100:端效器
101:基板
102:端效器主體
102B:底表面
102PS:平坦表面
102T:頂表面
104I:內側端
104O:外側端
105:鑽孔
107A:第一叉狀件
107B:第二叉狀件
108:接觸墊
109I:內側托架
109O:外側托架
111:尺寸
208H:接觸墊頭
210:接觸表面
210R:曲率半徑
212:軸
212E:軸端
213:下側
214:凹部
214S:座落表面
215:孔
216:軸凹口
218:圓形固定構件
218I:內部尺寸
220:外徑
222:最小尺寸/最小直徑
400:端效器
408:接觸墊
412:軸
412E:軸端
416:軸凹口/凹口
418:圓形固定構件
418B:圓形主體
418C:切口
418D:最大尺寸
418I:內部尺寸/內徑
500:端效器
508:接觸墊
518:圓形固定構件
518C:線圈
518I:最小內徑/內部尺寸
600:電子裝置製造設備/工具
648:傳送腔室
650:傳送腔室機器人
651:第一臂
652:第二臂
653:第三臂
654:安裝板
655:處理腔室
656:負載鎖定腔室
661:工廠介面(FI)機器人
662:工廠介面
664:基板載體
665:控制器
700:方法
702:方塊
704:方塊
706:方塊
708:方塊
710:方塊
第1圖顯示了根據本揭露書的實施例的包括一或多個可更換的接觸墊的端效器的實例的透視圖。
第2A圖顯示了根據本揭露書的一些實施例的包括可更換的接觸墊的端效器的一部分的沿第1圖的截面2A-2A截取的局部截面圖。
第2B圖顯示了第2A圖的端效器的一部分的底視圖,顯示了根據本揭露書的實施例的配置成在其中接收可更換的接觸墊的凹部和孔(為了說明目的而移除了可更換的接觸墊)。
第2C圖顯示了第2A圖的端效器的一部分的底視圖,顯示了根據本揭露書的實施例的安裝在凹部和孔中並用圓形固定構件固定的可更換的接觸墊。
第2D圖顯示了根據本揭露書的一些實施例的可更換的接觸墊的示例性接觸墊主體的橫截面側視圖。
第3A圖顯示了第2A圖的圓形固定構件的頂部平面圖,包含根據本揭露書的一些實施例的O形環。
第3B圖顯示了沿著第3A圖的截面3B-3B截取並包含根據本揭露書的一些實施例的可更換的接觸墊的O形環的第3A圖的圓形固定構件的橫截面側視圖。
第4A圖顯示了根據本揭露書的替代實施例的端效器的一部分的橫截面側視圖,端效器包括適於在320℃以上的高溫操作的示例性可更換的接觸墊。
第4B圖顯示了根據本揭露書的替代實施例的包含第4A圖的圓形切割金屬環的圓形固定構件的頂部平面圖。
第4C圖顯示了沿著第4B圖的截面4C-4C截取並包含根據本揭露書的替代實施例的可更換的接觸墊的圓形切割金屬環的圓形固定構件的橫截面側視圖。
第5A圖顯示了根據本揭露書的替代實施例的端效器的一部分的橫截面側視圖,端效器包括適於在320℃以上的高溫操作的示例性可更換的接觸墊。
第5B圖顯示了根據本揭露書的替代實施例的包含第5A圖的圓錐形線圈彈簧的圓形固定構件的側視平面圖。
第6圖顯示了包括傳送機器人的電子裝置製造設備的頂部示意圖,傳送機器人具有端效器,端效器包括根據本揭露書的一或多個實施例所提供的可更換的接觸墊。
第7圖顯示了維護根據本揭露書的一或多個實施例所提供的端效器的方法的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:端效器
101:基板
102:端效器主體
102B:底表面
102PS:平坦表面
104I:內側端
104O:外側端
105:鑽孔
107A:第一叉狀件
107B:第二叉狀件
108:接觸墊
109I:內側托架
109O:外側托架
111:尺寸
Claims (20)
- 一種配置成支撐一基板的端效器,包含:一端效器主體,具有一頂表面和一底表面;一凹部,從該底表面延伸到該端效器主體中;及一孔,形成在該端效器主體中並在該頂表面和該凹部之間延伸;一接觸墊,設置在該端效器主體上,該接觸墊進一步包含:一接觸墊頭,具有配置成接觸該基板的一接觸表面;及一軸,耦接到該接觸墊頭及容納在該孔中並延伸到該凹部中,該軸包括形成在該接觸墊頭的一下側和一軸端之間的一軸凹口;及一圓形固定構件,呈環繞該軸之圓形並座落於該軸凹口中,以將該接觸墊固定到該端效器主體,其中該圓形固定構件係配置為提供將該接觸墊頭的下側固定地夾緊到該端效器主體的頂表面上之固定力。
- 如請求項1所述之端效器,其中該接觸表面包含具有從8mm到20mm的一曲率半徑的一圓頂形狀。
- 如請求項1所述之端效器,其中該接觸表面具有45μinRa至65μinRa的一表面粗糙度。
- 如請求項1所述之端效器,其中該接觸墊包含一導電材料。
- 如請求項4所述之端效器,其中該接觸墊包含一導電材料,該導電材料選自由金屬摻雜的陶瓷、碳化矽、不銹鋼、鋁和鍍鎳的鋁所組成的群組。
- 如請求項1所述之端效器,基本上由摻雜鈦的氧化鋁的三個接觸墊組成。
- 如請求項1所述之端效器,其中該軸凹口包含一環形凹槽。
- 如請求項7所述之端效器,其中該環形凹槽包含具有一共同的底部半徑的一表面輪廓。
- 如請求項1所述之端效器,其中當將該圓形固定構件座落在該軸凹口中時,該圓形固定構件接觸該凹部的一座落表面。
- 如請求項9所述之端效器,其中該圓形固定構件被壓抵在該座落表面上。
- 如請求項1所述之端效器,其中該圓形固定構件包含一彈性體O形環。
- 如請求項11所述之端效器,其中該圓形固定構件包含一全氟彈性體。
- 如請求項1所述之端效器,其中該圓形固定構件包含小於該軸的一外徑的一內徑。
- 如請求項1所述之端效器,其中該圓形固定構件包含小於該軸凹口的一最小直徑的一內徑。
- 如請求項1所述之端效器,其中該頂表面包含從該端效器主體的一下方平坦表面升起的一點面。
- 如請求項1所述之端效器,其中該圓形固定構件包含一切割金屬環。
- 如請求項1所述之端效器,其中該圓形固定 構件包含一線圈彈簧。
- 如請求項1所述之端效器,其中該圓形固定構件包含一錐形線圈彈簧。
- 一種適以固定到一端效器的一端效器主體的接觸墊,包含:一接觸墊頭,具有配置成接觸一基板的一接觸表面;一軸,耦接到該接觸墊頭,該軸包括形成在該接觸墊頭的一下側和一軸端之間的一軸凹口;及一圓形固定構件,呈環繞該軸之圓形並座落於該軸凹口中,並配置成將該接觸墊固定到該端效器主體,其中該圓形固定構件係配置為提供將該接觸墊頭的下側固定地夾緊到該端效器主體的頂表面上之固定力。
- 一種維護在電子裝置製造中適以運輸一基板的一端效器的方法,包含以下步驟:提供該端效器的一端效器主體,該端效器主體具有一頂表面和一底表面;一凹部,從該底表面延伸到該端效器主體中;及一孔,在該頂表面和該凹部之間延伸;提供具有一接觸墊頭的一接觸墊,該接觸墊頭具有配置成接觸並支撐該基板的一接觸表面;及一軸,耦接到該接觸墊頭,該軸包括在該接觸墊頭的一下側和一軸端之間形成的一軸凹口;提供一圓形固定構件;將該軸穿過該孔插入該凹部中;及將該圓形固定構件固定,該圓形固定構件呈環繞該軸 之圓形並座落於該軸凹口中,以將該接觸墊固定到該端效器主體,其中該圓形固定構件係配置為提供將該接觸墊頭的下側固定地夾緊到該端效器主體的頂表面上之固定力。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IN201941007622 | 2019-02-27 | ||
IN201941007622 | 2019-02-27 | ||
US16/798,997 | 2020-02-24 | ||
US16/798,997 US11600580B2 (en) | 2019-02-27 | 2020-02-24 | Replaceable end effector contact pads, end effectors, and maintenance methods |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202100322A TW202100322A (zh) | 2021-01-01 |
TWI822964B true TWI822964B (zh) | 2023-11-21 |
Family
ID=72141276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109106231A TWI822964B (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-26 | 可更換的端效器接觸墊、端效器及維護方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11600580B2 (zh) |
JP (1) | JP7290739B2 (zh) |
KR (1) | KR102612953B1 (zh) |
CN (1) | CN113543940A (zh) |
TW (1) | TWI822964B (zh) |
WO (1) | WO2020176674A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112018024A (zh) | 2020-09-11 | 2020-12-01 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 机械手 |
KR102556368B1 (ko) * | 2020-10-30 | 2023-07-18 | 세메스 주식회사 | 반송 핸드 및 기판 처리 장치 |
TW202339891A (zh) * | 2022-02-03 | 2023-10-16 | 美商葛林陀德科技公司 | 用於半導體應用以提供改善的製造速度之具有交聯聚合物之末端執行器及末端執行器墊以及其製造及使用方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6739638B1 (en) * | 1999-08-04 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho | Work transfer device |
US7293811B2 (en) * | 2003-07-11 | 2007-11-13 | Asyst Technologies, Inc. | Ultra low contact area end effector |
US7384083B2 (en) * | 2005-07-15 | 2008-06-10 | Fabworx Solutions, Inc. | O-ring locking mount |
US20090236786A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-09-24 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Hand having rocking mechanism and substrate delivering device having the same |
US20170040205A1 (en) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | Lam Research Corporation | High-hardness-material-powder infused elastomer for high friction and compliance for silicon wafer transfer |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW543079B (en) | 1999-06-03 | 2003-07-21 | Applied Materials Inc | Robot blade for semiconductor processing equipment |
US7641247B2 (en) | 2002-12-17 | 2010-01-05 | Applied Materials, Inc. | End effector assembly for supporting a substrate |
US7654596B2 (en) | 2003-06-27 | 2010-02-02 | Mattson Technology, Inc. | Endeffectors for handling semiconductor wafers |
KR100727663B1 (ko) * | 2003-08-11 | 2007-06-13 | 엘지전자 주식회사 | 휴대형 컴퓨터의 터치패드장치 |
JP4740188B2 (ja) | 2007-05-08 | 2011-08-03 | 三菱電線工業株式会社 | 搬送アーム用パッド |
US8382180B2 (en) | 2007-10-31 | 2013-02-26 | Applied Material, Inc. | Advanced FI blade for high temperature extraction |
KR101660241B1 (ko) * | 2009-01-11 | 2016-09-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 이동시키기 위한 시스템, 장치 및 방법 |
JP5345167B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持装置 |
US8864202B1 (en) | 2013-04-12 | 2014-10-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Spring retained end effector contact pad |
TWI611997B (zh) | 2013-09-26 | 2018-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 用於傳送基板的氣動端效器設備與基板傳送系統 |
US9370863B2 (en) * | 2014-02-04 | 2016-06-21 | Asm Ip Holding B.V. | Anti-slip end-effector for transporting workpiece |
US9425076B2 (en) | 2014-07-03 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate transfer robot end effector |
JP3202171U (ja) * | 2014-11-07 | 2016-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ロボット搭載型通過ビーム基板検出器 |
US10090188B2 (en) * | 2016-05-05 | 2018-10-02 | Applied Materials, Inc. | Robot subassemblies, end effector assemblies, and methods with reduced cracking |
WO2017192250A1 (en) * | 2016-05-05 | 2017-11-09 | Applied Materials, Inc | Robot subassemblies, end effector assemblies, and methods with reduced cracking |
US9975255B1 (en) * | 2016-12-15 | 2018-05-22 | Jabil Inc. | Apparatus, system and method for providing a conformable vacuum cup for an end effector |
-
2020
- 2020-02-24 US US16/798,997 patent/US11600580B2/en active Active
- 2020-02-26 CN CN202080017241.0A patent/CN113543940A/zh active Pending
- 2020-02-26 TW TW109106231A patent/TWI822964B/zh active
- 2020-02-26 WO PCT/US2020/019982 patent/WO2020176674A1/en active Application Filing
- 2020-02-26 JP JP2021549587A patent/JP7290739B2/ja active Active
- 2020-02-26 KR KR1020217030171A patent/KR102612953B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6739638B1 (en) * | 1999-08-04 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho | Work transfer device |
US7293811B2 (en) * | 2003-07-11 | 2007-11-13 | Asyst Technologies, Inc. | Ultra low contact area end effector |
US7384083B2 (en) * | 2005-07-15 | 2008-06-10 | Fabworx Solutions, Inc. | O-ring locking mount |
US20090236786A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-09-24 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Hand having rocking mechanism and substrate delivering device having the same |
US20170040205A1 (en) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | Lam Research Corporation | High-hardness-material-powder infused elastomer for high friction and compliance for silicon wafer transfer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7290739B2 (ja) | 2023-06-13 |
CN113543940A (zh) | 2021-10-22 |
WO2020176674A1 (en) | 2020-09-03 |
US20200273826A1 (en) | 2020-08-27 |
TW202100322A (zh) | 2021-01-01 |
KR20210119559A (ko) | 2021-10-05 |
US11600580B2 (en) | 2023-03-07 |
KR102612953B1 (ko) | 2023-12-11 |
JP2022522420A (ja) | 2022-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI822964B (zh) | 可更換的端效器接觸墊、端效器及維護方法 | |
US7669903B2 (en) | Ultra low contact area end effector | |
US7055875B2 (en) | Ultra low contact area end effector | |
JP4669476B2 (ja) | 半導体製造時にウェハを支持するホルダ | |
TW590852B (en) | Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same | |
JP3398936B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
TWM583125U (zh) | 基板支撐件與用於基板支撐件的處理配件 | |
KR102283740B1 (ko) | 에피택시 반응기에서의 반도체 웨이퍼를 취급하는 장치 및 에피택셜 층을 갖는 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법 | |
US10535549B2 (en) | Lift pin holder | |
US7384083B2 (en) | O-ring locking mount | |
US20090314211A1 (en) | Big foot lift pin | |
CN106653674B (zh) | 用于消除四乙氧基硅烷氧化膜中的局部厚度不均匀性的增强升降杆设计 | |
US20110034034A1 (en) | Dual temperature heater | |
US6034863A (en) | Apparatus for retaining a workpiece in a process chamber within a semiconductor wafer processing system | |
EP1968110B1 (en) | High temperature anti-droop end effector for substrate transfer | |
US20020041102A1 (en) | Robotic end effector for semiconductor wafer processing | |
WO2004027839A2 (en) | Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same | |
US20230249360A1 (en) | Robotic end effector equipped with replaceable wafer contact pads | |
CN113508452A (zh) | 气相沉积装置及外延硅晶片的制造方法 | |
WO2023059668A1 (en) | End effector pad design for bowed wafers | |
JP2000021960A (ja) | 真空チャック |