CN116770428A - 承载机构、传输部件及半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种承载机构、传输部件及半导体工艺设备，承载机构包括承载部件和离合组件，承载部件用于对晶圆进行承载，并能够被传输至承载于离合组件上，或者被传输离开离合组件，离合组件能够分开对晶圆和承载部件进行承载，以使承载有晶圆的承载部件能够与晶圆分离，或者使未承载有晶圆的承载部件能够对晶圆进行承载。本发明提供的承载机构、传输部件及半导体工艺设备，能够提高晶圆的良品率，并能够提高生产效率及产能，且能够减小半导体工艺设备的占地面积。

Description

承载机构、传输部件及半导体工艺设备

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种承载机构、传输部件及半导体工艺设备。

背景技术

金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical VaporDeposition，缩写为MOCVD)工艺是一种气相外延生长工艺。在现有的一种MOCVD工艺设备中，通常需要借助托盘承载多个晶圆在例如装载腔室、缓冲腔室、传输腔室、反应腔室和冷却腔室等各腔室之间进行传输。

但是托盘的使用，一方面导致需要人工先在半导体工艺设备外将晶圆从晶圆卡匣中取出，并用吸盘或吸笔将晶圆放置在托盘上，再将承载有多个晶圆的托盘放置在托盘卡匣上，再将托盘卡匣放入装载腔室内，从而造成晶圆的污染较为严重，晶圆的良品率较低，并且需要消耗大量人工，生产效率及产能较低，另一方面导致例如装载腔室和冷却腔室均需要具有较大的容积以容纳承载有多个晶圆的托盘，从而造成半导体工艺设备的占地面积较大，再一方面因晶圆需要与托盘共同在冷却腔室内进行降温，导致降温时间较长，从而造成生产效率较低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载机构、传输部件及半导体工艺设备，其能够提高晶圆的良品率，并能够提高生产效率及产能，且能够减小半导体工艺设备的占地面积。

为实现本发明的目的而提供一种承载机构，包括承载部件和离合组件，所述承载部件用于对晶圆进行承载，并能够被传输至承载于所述离合组件上，或者被传输离开所述离合组件，所述离合组件能够分开对所述晶圆和所述承载部件进行承载，以使承载有所述晶圆的所述承载部件能够与所述晶圆分离，或者使未承载有所述晶圆的所述承载部件能够对所述晶圆进行承载。

可选的，所述承载部件呈环状，且所述承载部件的外径大于所述晶圆的外径，所述承载部件的内径小于所述晶圆的外径。

可选的，所述承载部件的内侧边缘设置有第一承载凹部，所述第一承载凹部沿所述承载部件的周向设置呈环状，并分别相对于所述承载部件的顶面和内周壁凹入，所述第一承载凹部用于对所述晶圆进行承载。

可选的，所述离合组件包括承载件和多个第一支撑件，所述承载件的外径小于所述承载部件的外径，且大于所述承载部件的内径，所述承载件用于对所述承载部件进行承载，多个所述第一支撑件贯穿所述承载件，并沿第一周向间隔设置，且相对于所述承载件凸出，所述第一周向的径向尺寸小于所述承载部件的内径，多个所述第一支撑件用于共同对所述晶圆进行支撑。

可选的，所述承载件的边缘设置有第二承载凹部，所述第二承载凹部沿所述承载部件的周向设置呈环状，并分别相对于所述承载件的顶面和外周壁凹入，所述第二承载凹部用于对所述承载部件进行承载。

可选的，所述承载部件的内周壁呈斜面，且自所述承载部件的底面沿靠近所述承载部件顶面的方向逐渐靠近所述承载部件的中心，所述第二承载凹部的侧壁设置有定位凸部，所述定位凸部的顶面呈斜面，且自靠近所述第二承载凹部的侧壁的一侧沿远离所述第二承载凹部的侧壁的方向逐渐降低，所述定位凸部的呈斜面的顶面用于与所述承载部件的呈斜面的内周壁配合，对所述承载部件与所述承载件的相对位置进行定位。

可选的，所述定位凸部的数量为多个，多个所述定位凸部沿所述第二承载凹部的周向间隔设置。

可选的，所述第二承载凹部的底壁设置有多个承载凸部，多个所述承载凸部沿所述第二承载凹部的周向间隔设置，多个所述承载凸部用于共同对所述承载部件进行承载。

可选的，每个所述第一支撑件均可相对于所述承载件升降。

本发明还提供一种传输部件，用于对晶圆、如本发明提供的所述承载机构的所述承载部件和承载有所述晶圆的所述承载部件进行传输。

可选的，所述传输部件包括第一传输部和第二传输部，所述传输部件可旋转的设置在传输腔室内，所述第一传输部用于对所述晶圆进行承载，并能够将所述晶圆传输至承载于所述离合组件上，或者将所述晶圆传输离开所述离合组件，所述第二传输部用于对所述承载部件或承载有所述晶圆的承载部件进行承载，并能够将所述承载部件或承载有所述晶圆的承载部件传输至承载于所述离合组件上，或者将所述承载部件或承载有所述晶圆的所述承载部件传输至离开所述离合组件。

可选的，所述传输部件还包括第一伸缩部和第二伸缩部，所述第一伸缩部与所述第一传输部连接，用于驱动所述第一传输部伸缩移动，所述第二伸缩部与所述第二传输部连接，用于驱动所述第二传输部伸缩移动，且所述第一传输部和所述第二传输部均可升降。

本发明还提供一种半导体工艺设备，包括装载腔室、离合腔室、传输腔室、反应腔室、如本发明提供的所述承载机构和如本发明提供的所述传输部件，所述装载腔室用于放置晶圆载具，所述晶圆载具用于装载所述晶圆，所述传输腔室分别与所述装载腔室、所述离合腔室和所述反应腔室可选择的连通，所述离合组件设置在所述离合腔室内，所述传输部件设置在所述传输腔室内，所述传输部件用于在所述装载腔室、所述传输腔室和所述离合腔室之间传输所述晶圆，并用于在所述反应腔室和所述离合腔室之间传输所述承载部件或承载有所述晶圆的所述承载部件。

可选的，所述离合腔室设置有第一透光开口，所述第一透光开口中设置有第一透光部件，所述第一透光部件对应设置有第一压环，所述第一压环用于将所述第一透光部件压紧在所述离合腔室上，并对所述第一透光部件与所述离合腔室之间的间隙进行密封。

可选的，所述离合腔室的的周向上的相对两侧分别设置有第二透光开口，两个所述第二透光开口相对设置，每个所述第二透光开口中均设置有第二透光部件，每个所述第二透光部件均对应设置有第二压环，所述第二压环用于将对应的所述第二透光部件压紧在所述离合腔室上，并对对应的所述第二透光部件与所述离合腔室之间的间隙进行密封；

每个所述第二透光部件外均对应设置有测位部件，两个所述测位部件相对设置，用于对所述离合腔室内所述承载部件承载的所述晶圆与所述承载部件的相对位置进行检测。

可选的，所述传输腔室内还设置有位置对准组件，所述位置对准组件用于将所述晶圆的位置对准至预设位置，所述传输部件能够将所述晶圆传输至所述位置对准组件。

可选的，所述传输腔室内还设置有冷却组件，所述冷却组件用于对所述晶圆进行冷却，所述传输部件能够将所述晶圆传输至所述冷却组件。

可选的，所述传输腔室设置有第一传输通道，所述第一传输通道与所述传输腔室连通，并与所述装载腔室可选择的连通，所述冷却组件设置在所述第一传输通道内。

可选的，所述第一传输通道内的底部设置有容纳槽，所述冷却组件的顶面与所述第一传输通道的底面平齐。

可选的，所述半导体工艺设备还包括载具升降部件，所述载具升降部件设置在所述装载腔室内，并与所述晶圆载具连接，用于驱动所述晶圆载具在所述装载腔室内升降。

可选的，所述反应腔室内设置有工艺基座，所述工艺基座可转动的设置在所述反应腔室内，所述工艺基座上设置有多个承载槽，多个所述承载槽沿所述工艺基座的周向间隔设置，每个所述承载槽均用于承载所述晶圆。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的承载机构，借助离合组件分开对晶圆和承载部件进行承载，能够使承载有晶圆的承载部件能够与晶圆分离，或者使未承载有晶圆的承载部件能够对晶圆进行承载，从而使得晶圆和承载部件既能够被分开单独传输，也能够使得晶圆承载于承载部件上被一起传输，这与现有技术相比，无需在整个半导体工艺过程中始终对承载有多个晶圆的托盘进行传输，而是可以对单独的晶圆进行传输，从而一方面能够减少人工干涉，提高生产效率及产能，并能够减少晶圆的污染，提高晶圆的良品率，另一方面可以对单独的晶圆进行冷却，使冷却时间能够得到缩短，提高生产效率及产能，再一方面可以使得半导体工艺设备的部分腔室及器件仅需具有能够容纳或承载单独晶圆的占地面积即可，减小半导体工艺设备的占地面积。

本发明提供的传输部件，用于对晶圆、如本发明提供的承载机构的承载部件和承载有晶圆的承载部件进行传输，以使得晶圆的良品率能够得到提高，并使得生产效率及产能能够得到提高，且使得半导体工艺设备的占地面积能够得到减小。

本发明提供的半导体工艺设备，借助本发明提供的承载机构和本发明提供的传输部件，能够提高晶圆的良品率，并能够提高生产效率及产能，且能够减小半导体工艺设备的占地面积。

附图说明

图1为本发明实施例提供的半导体工艺设备的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的离合组件的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的离合组件上晶圆与承载部件分离时的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的离合腔室的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的传输部件在离合腔室内传输晶圆时的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的离合腔室内晶圆与承载部件分离时的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的离合腔室内晶圆完全承载于第一承载凹部中的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的离合腔室内晶圆未完全承载于第一承载凹部中的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的传输部件的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的传输腔室与装载腔室的主视结构示意图；

图11为本发明实施例提供的传输腔室与装载腔室的俯视结构示意图；

图12为本发明实施例提供的冷却组件的结构示意图；

附图标记说明：

100-半导体工艺设备；101-传输腔室；102-装载腔室；103-离合腔室；104-反应腔室；1-承载部件；11-第一承载凹部；2-传输部件；

21-第一传输部；22-第二传输部；23-第一伸缩部；24-第二伸缩部；

31-第一透光部件；32-第一压环；33-第二透光部件；34-第二压环；

35-测位部件；36-腔室主体；37-顶盖；38-第一传输通道；4-离合组件；41-承载件；42-第一支撑件；43-第二承载凹部；44-定位凸部；45-承载凸部；5-位置对准组件；6-冷却组件；61-冷却件；62-第二支撑件；63-支撑凸部；64-冷却升降部件；71-晶圆载具；72-载具升降部件；8-通断部件；9-工艺基座；200-晶圆。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的承载机构、传输部件及半导体工艺设备进行详细描述。

如图1-图8所示，本发明实施例提供一种承载机构，包括承载部件1和离合组件4，承载部件1用于对晶圆200进行承载，并能够被传输至承载于离合组件4上，或者被传输离开离合组件4，离合组件4能够分开对晶圆200和承载部件1进行承载，以使承载有晶圆200的承载部件1能够与晶圆200分离，或者使未承载有晶圆200的承载部件1能够对晶圆200进行承载。

本发明实施例提供的承载机构，借助离合组件4分别对晶圆200和承载部件1进行承载，能够使承载有晶圆200的承载部件1能够与晶圆200分离，或者使未承载有晶圆200的承载部件1能够对晶圆200进行承载，从而使得晶圆200和承载部件1既能够被分开单独传输，也能够使得晶圆200承载于承载部件1上被一起传输，这与现有技术相比，无需在整个半导体工艺过程中始终对承载有多个晶圆200的托盘进行传输，而是可以对单独的晶圆200进行传输，从而一方面能够减少人工干涉，提高生产效率及产能，并能够减少晶圆200的污染，提高晶圆200的良品率，另一方面可以对单独的晶圆200进行冷却，使冷却时间能够得到缩短，提高生产效率及产能，再一方面可以使得半导体工艺设备100的部分腔室及器件仅需具有能够容纳或承载单独晶圆200的占地面积即可，减小半导体工艺设备100的占地面积。

举例来说，在实际应用中，承载部件1可以被单独传输至离合组件4由离合组件4承载，也可以被单独传输离开离合组件4，晶圆200可以被单独传输至离合组件4由离合组件4承载，也可以被单独传输离开离合组件4，且离合组件4能够分开对晶圆200和承载部件1进行承载。当离合组件4分开承载有晶圆200和未承载有晶圆200的承载部件1时，且在晶圆200未被单独传输离开离合组件4之前，在未承载有晶圆200的承载部件1被传输离开离合组件4的过程中，未承载有晶圆200的承载部件1可以对承载于离合组件4上的晶圆200进行承载，之后，晶圆200可以承载于承载部件1上被一起传输离开离合组件4。当离合组件4未承载有晶圆200和承载部件1时，承载有晶圆200的承载部件1可以被传输至离合组件4，晶圆200和承载部件1可以被离合组件4分开承载，也就是说，离合组件4可以使承载有晶圆200的承载部件1与晶圆200分开，分开承载晶圆200和承载部件1，之后，晶圆200可以被单独传输离开离合组件4，未承载有晶圆200的承载部件1可以被单独传输离开离合组件4。

如图3、图5-图8所示，在本发明一实施例中，承载部件1可以呈环状，且承载部件1的外径大于晶圆200的外径，承载部件1的内径小于晶圆200的外径。

如图1所示，这样的设计是由于在实际应用中，晶圆200会被传输部件2传输至半导体工艺设备100的反应腔室104内进行半导体工艺反应，反应腔室104内会设置有工艺基座9，工艺基座9上会设置有承载槽，承载槽用于承载晶圆200。在半导体工艺反应时，晶圆200承载于承载槽中，工艺基座9可以对晶圆200进行加热，为了提高晶圆200受热的均匀性，承载槽与晶圆200接触的一面会呈平面，这使得传输部件2无法从晶圆200的底部承载晶圆200将晶圆200放置在承载槽上。由于承载部件1的内径小于晶圆200的外径，因此，承载部件1能够从晶圆200的底部呈环状的边缘对晶圆200进行承载，并且，由于承载部件1的外径大于晶圆200的外径，因此，承载部件1的外径可以大于承载槽的外径，也就是说，承载部件1的边缘可以相对于承载槽的边缘凸出，这就使得传输部件2能够从承载部件1的底部呈环状的边缘对承载部件1进行承载，当传输部件2将承载有晶圆200的承载部件1放置在承载槽上时，传输部件2可以位于承载槽的外侧，使晶圆200能够与工艺基座9的平面完全贴合，并且可以避免传输部件2与工艺基座9发生干涉，使传输部件2能够从反应腔室104内退出。

如图3、图5-图8所示，在本发明一实施例中，承载部件1的内侧边缘可以设置有第一承载凹部11，第一承载凹部11沿承载部件1的周向设置呈环状，并分别相对于承载部件1的顶面和内周壁凹入，第一承载凹部11用于对晶圆200进行承载。

第一承载凹部11的设计可以在承载部件1的内侧边缘形成沿承载部件1的周向呈环状的台阶结构，通过使晶圆200承载于第一承载凹部11中，可以借助第一承载凹部11对晶圆200进行限位。

如图2-图8所示，在本发明一实施例中，离合组件4可以包括承载件41和多个第一支撑件42，承载件41的外径小于承载部件1的外径，且大于承载部件1的内径，承载件41用于对承载部件1进行承载，多个第一支撑件42贯穿承载件41，并沿第一周向间隔设置，且相对于承载件41凸出，第一周向的径向尺寸小于承载部件1的内径，多个第一支撑件42用于共同对晶圆200进行支撑。

在未承载有晶圆200的承载部件1被传输至离合组件4后，未承载有晶圆200的承载部件1可以被传输相对于离合组件4下降，在未承载有晶圆200的承载部件1相对于离合组件4下降的过程中，多个第一支撑件42可以从承载部件1的环内穿过，承载部件1能够下降至承载件41上，借助承载件41对承载部件1进行承载，在晶圆200被传输至离合组件4后，晶圆200可以被传输相对于离合组件4下降，在晶圆200相对于离合组件4下降的过程中，晶圆200能够下降至多个第一支撑件42上，借助多个第一支撑件42共同对晶圆200进行支撑，从而实现离合组件4分开对晶圆200和承载部件1进行承载。

当离合组件4分开承载有晶圆200和未承载有晶圆200的承载部件1时，晶圆200高于承载部件1，之后，在未承载有晶圆200的承载部件1被传输与承载件41分离并上升的过程中，未承载有晶圆200的承载部件1能够对承载于多个第一支撑件42上的晶圆200进行承载，从而使未承载有晶圆200的承载部件1能够对晶圆200进行承载。

在承载有晶圆200的承载部件1被传输至离合组件4后，承载有晶圆200的承载部件1可以被传输相对于离合组件4下降，在承载有晶圆200的承载部件1相对于离合组件4下降的过程中，多个第一支撑件42可以从承载部件1的环内穿过，并共同对晶圆200进行支撑，之后，晶圆200承载于多个第一支撑件42上不会继续下降，而承载部件1可以继续下降至承载件41上，借助承载件41对承载部件1进行承载，从而使承载有晶圆200的承载部件1能够与晶圆200分离。

如图2所示，在本发明一实施例中，承载件41的边缘可以设置有第二承载凹部43，第二承载凹部43沿承载部件1的周向设置呈环状，并分别相对于承载件41的顶面和外周壁凹入，第二承载凹部43用于对承载部件1进行承载。

第二承载凹部43的设计可以在承载件41的边缘形成沿承载部件1的周向呈环状的台阶结构，通过将使承载件41承载于第二承载凹部43中，可以借助第二承载凹部43对承载件41进行限位。

如图3和图5所示，在本发明一实施例中，承载部件1的内周壁可以呈斜面，且自承载部件1的底面沿靠近承载部件1顶面的方向逐渐靠近承载部件1的中心，第二承载凹部43的侧壁设置有定位凸部44，定位凸部44的顶面可以呈斜面，且自靠近第二承载凹部43的侧壁的一侧沿远离第二承载凹部43的侧壁的方向逐渐降低，定位凸部44的呈斜面的顶面用于与承载部件1的呈斜面的内周壁配合，对承载部件1与承载件41的相对位置进行定位。

这样当承载件41与承载部件1偏心时，在承载部件1下降至承载件41上的过程中，承载部件1的呈斜面的内周壁会与定位凸部44的呈斜面的顶面接触，定位凸部44的呈斜面的顶面会对承载部件1的呈斜面的内周壁进行导向，对承载件41与承载部件1的偏心进行纠偏，从而使与承载部件1偏心的承载件41仍能够下降至承载部件1上。

如图2所示，在本发明一实施例中，定位凸部44的数量可以为多个，多个定位凸部44沿第二承载凹部43的周向间隔设置。

通过沿第二承载凹部43的周向间隔设置多个定位凸部44，可以借助多个定位凸部44从第二承载凹部43的周向上的不同位置对与承载部件1偏心的承载件41进行纠偏，从而能够提高与承载部件1偏心的承载件41下降至承载部件1的稳定性。

可选的，在第二承载凹部43的周向上，相邻的两个定位凸部44的间距可以相等。即，多个定位凸部44可以沿第二承载凹部43的周向均匀间隔设置。

如图2所示，在本发明一实施例中，第二承载凹部43的底壁可以设置有多个承载凸部45，多个承载凸部45沿第二承载凹部43的周向间隔设置，多个承载凸部45用于共同对承载部件1进行承载。

这样当承载部件1承载于第二承载凹部43中时，承载部件1是与多个承载凸部45接触，而不是与第二承载凹部43的整个底壁接触，从而减少承载部件1与承载件41的接触面积，继而能够减少因承载部件1与承载件41之间的摩擦而产生的颗粒，进而能够降低晶圆200受到的颗粒污染，进一步提高晶圆200的良品率。

可选的，在本发明一实施例中，每个第一支撑件42均可相对于承载件41升降。

这样当离合组件4分开承载有晶圆200和未承载有晶圆200的承载部件1时，可以通过使多个第一支撑件42相对于承载件41下降，从而使晶圆200能够随多个第一支撑件42下降至未承载有晶圆200的承载部件1上，使未承载有晶圆200的承载部件1对晶圆200进行承载，之后，传输部件2可以直接对承载有晶圆200的承载部件1进行传输，而无需带动承载部件1上升使晶圆200承载于承载部件1上。这样的设计可以降低传输部件2对承载有晶圆200的承载部件1进行传输的高度，从而能够减小半导体工艺设备100中容纳离合组件4的腔室的高度。

可选的，离合组件4可以还包括升降驱动源，升降驱动源可以与多个第一支撑件42连接，用于驱动多个第一支撑件42升降。

如图1、图5和图9所示，本发明实施例还提供一种传输部件2，用于对晶圆200、如本发明实施例提供的承载机构的承载部件1和承载有晶圆200的承载部件1进行传输。

本发明实施例提供的传输部件2，用于对晶圆200、如本发明实施例提供的承载机构的承载部件1和承载有晶圆200的承载部件1进行传输，以使得晶圆200的良品率能够得到提高，并使得生产效率及产能能够得到提高，且使得半导体工艺设备100的占地面积能够得到减小。

也就是说，本发明实施例提供的传输部件2可以实现本发明实施例中提到的有关晶圆200的传输，有关未承载有晶圆200的承载部件1的传输以及有关承载有晶圆200的承载部件1的传输。

如图1和图9所示，在本发明一实施例中，传输部件2可以包括第一传输部21和第二传输部22，传输部件2可旋转的设置在传输腔室101内，第一传输部21用于对晶圆200进行承载，并能够将晶圆200传输至承载于离合组件4上，或者将晶圆200传输离开离合组件4，第二传输部22用于对承载部件1或承载有晶圆200的承载部件1进行承载，并能够将承载部件1或承载有晶圆200的承载部件1传输至承载于离合组件4上，或者将承载部件1或承载有晶圆200的承载部件1传输离开离合组件4。

在实际应用中，当离合组件4未承载有晶圆200和承载部件1时，可以先通过传输部件2旋转使第二传输部22与离合组件4相对，借助第二传输部22将未承载有晶圆200承载部件1传输至承载于离合组件4上，之后，再通过传输部件2旋转使第一传输部21与离合组件4相对，借助第一传输部21将晶圆200传输至承载于离合组件4上，之后，再通过传输部件2旋转使第二传输部22与离合组件4相对，借助第二传输部22传输承载部件1使承载部件1上升对承载于离合组件4上的晶圆200进行承载，并通过传输部件2旋转使第二传输部22继续对承载有晶圆200的承载部件1进行传输。或者，当离合组件4未承载有晶圆200和承载部件1时，可以先通过传输部件2旋转使第二传输部22与离合组件4相对，借助第二传输部22将承载有晶圆200的承载部件1传输至承载于离合组件4上，离合组件4对晶圆200和承载部件1分开承载之后，可以再通过传输部件2旋转使第一传输部21与离合组件4相对，借助第一传输部21对晶圆200进行承载，并通过传输部件2旋转使第一传输部21继续对晶圆200进行传输，之后，再通过传输部件2旋转使与离合组件4相对，借助第二传输部22对承载部件1进行承载，并通过传输部件2旋转使第二传输部22继续对承载部件1进行传输。

在本发明实施例中，由于可以对晶圆200进行单独传输，因此，第一传输部21的尺寸仅需满足能够承载单独的晶圆200即可，第二传输部22的尺寸仅需满足能够承载单独的承载部件1即可，使得传输部件2的尺寸能够得到缩小，从而能够减小半导体工艺设备100的占地面积。

可选的，传输部件2可以包括机械手。

如图1和图9所示，在本发明一实施例中，传输部件2可以还包括第一伸缩部23和第二伸缩部24，第一伸缩部23与第一传输部21连接，用于驱动第一传输部21伸缩移动，第二伸缩部24与第二传输部22连接，用于驱动第二传输部22伸缩移动，且第一传输部21和第二传输部22均可升降。

借助第一伸缩部23驱动第一传输部21伸缩移动，可以使第一传输部21能够伸入至例如反应腔室104等半导体工艺设备100的各腔室内，或者缩退至例如反应腔室104等半导体工艺设备100的各腔室外，实现对晶圆200的传输。借助第二伸缩部24驱动第二传输部22伸缩移动，可以使第二传输部22能够伸入至例如反应腔室104等半导体工艺设备100的各腔室内，或者缩退至例如反应腔室104等半导体工艺设备100的各腔室外，实现对承载部件1或承载有晶圆200的承载部件1的传输。通过使第一传输部21下降，可以使第一传输部21承载的晶圆200能够下落至承载于离合组件4上，或者可以通过使第一传输部21上升，将承载于离合组件4上的晶圆200托起。通过使第二传输部22下降，可以使第二传输部22承载的承载部件1能够下落至承载于离合组件4上，或者可以通过使第二传输部22上升，将承载于离合组件4上的承载部件1托起。

如图1所示，本发明实施例还提供一种半导体工艺设备100，包括装载腔室102、离合腔室103、传输腔室101、反应腔室104、如本发明实施例提供的承载机构和如本发明实施例提供的传输部件2，装载腔室102用于放置晶圆载具71，晶圆载具71用于装载晶圆200，传输腔室101分别与装载腔室102、离合腔室103和反应腔室104可选择的连通，离合组件4设置在离合腔室103内，传输部件2设置在传输腔室101内，传输部件2用于在装载腔室102、传输腔室101和离合腔室103之间传输晶圆200，并用于在反应腔室104和离合腔室103之间传输承载部件1或承载有晶圆200的承载部件1。

本发明实施例提供的半导体工艺设备100，借助本发明实施例提供的承载机构和本发明实施例提供的传输部件2，能够提高晶圆200的良品率，并能够提高生产效率及产能，且能够减小半导体工艺设备100的占地面积。

本发明实施例提供的半导体工艺设备100，在进行半导体工艺时，传输部件2可以从装载腔室102的晶圆载具71中直接将单独的晶圆200传输至离合腔室103，再与离合组件4配合使晶圆200承载于由传输部件2传输至离合腔室103的承载部件1上，再将承载有晶圆200的承载件41传输至反应腔室104进行半导体工艺；在半导体工艺结束后，传输部件2可以从反应腔室104将承载有晶圆200的承载件41传输至离合腔室103，再与离合组件4配合使晶圆200与承载部件1分离，再直接将单独的晶圆200传输至装载腔室102的晶圆载具71中。与现有技术相比，无需在整个半导体工艺过程中始终对承载有多个晶圆200的托盘进行传输，而是可以对单独的晶圆200进行传输，从而一方面能够减少人工，提高生产效率及产能，减少晶圆200的污染，进而能够提高晶圆200的良品率；另一方面可以对单独的晶圆200进行冷却，使冷却时间能够得到缩短，进而能够提高生产效率及产能，再一方面，例如传输部件2、传输腔室101、装载腔室102和离合腔室103仅需具有能够容纳或承载单独晶圆200的占地面积即可，进而能够减小半导体工艺设备100的占地面积。

具体来说，在实际应用中，在半导体工艺开始前，承载部件1可以位于反应腔室104内，装载有晶圆200的晶圆载具71放置在装载腔室102内，在半导体工艺开始后，传输部件2可以从反应腔室104内将承载部件1传输至离合腔室103内并放置在离合组件4上，再从装载腔室102内的晶圆载具71中直接将单独的晶圆200取出，并将晶圆200传输至离合腔室103内且放置在离合部件上，之后，传输部件2可以与离合组件4配合，使晶圆200承载于承载部件1上，之后，传输部件2可以从离合腔室103内将承载有晶圆200的承载部件1传输至反应腔室104内并放置在反应腔室104内，晶圆200能够在反应腔室104内进行半导体工艺。半导体工艺结束后，传输部件2可以从反应腔室104内将承载有晶圆200的承载部件1传输至离合腔室103内并放置在离合组件4上，且与离合组件4配合，使晶圆200与承载部件1分离，之后，传输部件2可以从离合腔室103内直接将单独的晶圆200取出，并将晶圆200传输回装载腔室102内的晶圆载具71中，之后，可以从装载腔室102内将装载有晶圆载具71取走。

在实际应用中，工作人员可以将装载有晶圆200的晶圆载具71放置在装载腔室102内，以及从装载腔室102内将装载有晶圆载具71取走，虽然仍然需要用到工作人员，但是与现有技术相比，无需工作人员先从晶圆载具71中将多个晶圆200放置在托盘上，再将托盘放置在托盘载具中，再将托盘载具放置在装载腔室102内，因此，能够减少工作人员的操作步骤，从而能够提高生产效率及产能，并能够减少晶圆200暴露在污染环境中的时间，降低晶圆200受到污染的可能性，从而能够减少晶圆200的污染，提高晶圆200的良品率。

在实际应用中，传输部件2可以先旋转使第二传输部22与反应腔室104相对，第二传输部22可以伸入至反应腔室104内，在第二传输部22对承载部件1进行承载之后，第二传输部22可以承载着承载部件1从反应腔室104内退出至传输腔室101内，之后，传输部件2可以旋转使第二传输部22与离合腔室103相对，第二传输部22可以伸入至离合腔室103内将承载部件1放置在离合组件4上，之后，第二传输部22可以从离合腔室103内退出至传输腔室101内，传输部件2可以旋转使第一传输部21与装载腔室102相对，第一传输部21可以伸入至装载腔室102内，在第一传输部21对晶圆200进行承载之后，第一传输部21可以承载着晶圆200从装载腔室102内退出至传输腔室101内，传输部件2可以旋转使第一传输部21与离合腔室103相对，第一传输部21可以伸入至离合腔室103内将晶圆200放置在离合组件4上。

之后，第一传输部21可以从离合腔室103内退出至传输腔室101，传输部件2可以旋转使第二传输部22与离合腔室103相对，第二传输部22可以伸入至离合腔室103内，在第二传输部22对承载有晶圆200的承载部件1进行承载之后，第二传输部22可以承载着晶圆200和承载部件1从离合腔室103内退出至传输腔室101内，传输部件2可以旋转使第二传输部22与反应腔室104相对，第二传输部22可以伸入至反应腔室104内，将承载有晶圆200的承载部件1放置在反应腔室104内，之后，第二传输部22可以从反应腔室104内退出至传输腔室101内。

在半导体工艺结束后，第二传输部22可以伸入至反应腔室104内，在第二传输部22对承载有晶圆200的承载部件1进行承载之后，第二传输部22可以承载着晶圆200和承载部件1从反应腔室104内退出至传输腔室101内，传输部件2可以旋转使第二传输部22与离合腔室103相对，第二传输部22可以伸入至反应腔室104内将承载有晶圆200的承载部件1放置在离合组件4上，使晶圆200与承载部件1分离，之后，第二传输部22可以从离合腔室103内退出至传输腔室101内，传输部件2可以旋转使第一传输部21与离合腔室103相对，第一传输部21可以伸入至离合腔室103内，在第一传输部21对晶圆200进行承载之后，第一传输部21可以承载着晶圆200从离合腔室103内退出至传输腔室101内，传输部件2可以旋转使第一传输部21与装载腔室102相对，第一传输部21可以伸入至装载腔室102内将晶圆200放置在晶圆载具71中，之后，第一传输部21可以从装载腔室102内退出至传输腔室101内，传输部件2可以旋转使第二传输部22与离合腔室103相对，第二传输部22可以伸入至离合腔室103内，在第二传输部22对承载部件1进行承载之后，第二传输部22可以承载着承载部件1从离合腔室103内退出至传输腔室101内，传输部件2可以旋转使第二传输部22与反应腔室104相对，第二传输部22可以伸入至反应腔室104内将承载部件1放置在反应腔室104内。

可选的，晶圆载具71可以为晶圆200卡匣。

可选的，承载部件1的材质与工艺基座9的材质可以相同。

如图4和图5所示，在本发明一实施例中，离合腔室103可以设置有第一透光开口，第一透光开口中设置有第一透光部件31，第一透光部件31对应设置有第一压环32，第一压环32用于将第一透光部件31压紧在离合腔室103上，并对第一透光部件31与离合腔室103之间的间隙进行密封。

借助第一透光部件31工作人员可以从离合腔室103外对离合腔室103内的晶圆200与承载部件1的状态进行观察，从而能够及时发现晶圆200与承载部件1的问题，提高半导体工艺的稳定性。

如图4及图6-图8所示，在本发明一实施例中，离合腔室103的周向上的相对两侧可以分别设置有第二透光开口，两个第二透光开口相对设置，每个第二透光开口中均设置有第二透光部件33，每个第二透光部件33均对应设置有第二压环34，第二压环34用于将对应的第二透光部件33压紧在离合腔室103上，并对对应的第二透光部件33与离合腔室103之间的间隙进行密封；每个第二透光部件33外可以均对应设置有测位部件35，两个测位部件35相对设置，用于对离合腔室103内承载部件1承载的晶圆200与承载部件1的相对位置进行检测。

在实际应用中，当传输部件2带动承载部件1上升使晶圆200完全承载于承载部件1上时，晶圆200可能会并未完全承载于第一承载凹部11中，而是一侧可能会搭接在第一承载凹部11外，当晶圆200完全承载于第一承载凹部11中时(如图7所示)，晶圆200与承载部件1的总高度较小，当晶圆200的一侧搭接在第一承载凹部11外时(如图8所示)，晶圆200与承载部件1的总高度较大，通过将晶圆200完全承载于第一承载凹部11中时的晶圆200与承载部件1的总高度作为预设值，可以借助两个测位部件35从承载部件1的相对两侧对晶圆200与承载部件1的相对位置进行检测，当检测到晶圆200与承载部件1的总高度等于预设值时，则可以判断晶圆200完全承载于第一承载凹部11中，从而可以传输部件2将承载有晶圆200的承载部件1传输至反应腔室104内；当检测到晶圆200与承载部件1的总高度大于预设值时，则可以判断晶圆200未完全承载于第一承载凹部11中，从而可以发出警报并停止传输部件2的动作，待工作人员解除故障后，再使传输部件2继续动作将承载有晶圆200的承载部件1传输至反应腔室104内，继而能够降低晶圆200因与承载部件1偏移而发生滑落的可能性，进而能够提高半导体工艺的稳定性。

可选的，测位部件35可以包括电荷耦合元件(Charge Coupled Device，缩写为CCD)图像传感器。

如图4所示，在本发明一实施例中，离合腔室103可以包括腔室主体36和顶盖37，顶盖37盖设在腔室主体36上，第一透光开口设置在顶盖37上。

如图1所示，在本发明一实施例中，传输腔室101内可以还设置有位置对准组件5，位置对准组件5用于将晶圆200的位置对准至预设位置，传输部件2能够将晶圆200传输至位置对准组件5。

在实际应用中，传输部件2在从装载腔室102内的晶圆载具71中将晶圆200取出后，可以先将晶圆200传输至位置对准组件5，位置对准组件5可以通过晶圆200边缘的定位缺口对晶圆200的放置方向进行检测，并根据检测结构将晶圆200的放置位置调整至预设位置，从而使进行半导体工艺的每个晶圆200的放置方向能够统一，进而能够提高半导体工艺的一致性，待位置对准组件5对晶圆200的放置方向进行定位并调整后，传输部件2可以再从位置对准组件5处将晶圆200传输至离合腔室103内。

在本发明实施例中，由于可以对单独的晶圆200进行传输，因此，位置对准组件5的尺寸仅需满足能够对单独的晶圆200的位置进行对准即可，使得位置对准组件5的尺寸能够得到缩小，从而使得位置对准组件5能够放置在传输腔室101内，而无需单独设立腔室放置位置对准组件5，进而能够减小半导体工艺设备100的占地面积。

位置对准组件5可以包括真空晶圆200校准器(Aligner)。

如图1及图9-图12所示，在本发明一实施例中，传输腔室101内可以还设置有冷却组件6，冷却组件6用于对晶圆200进行冷却，传输部件2能够将晶圆200传输至冷却组件6。

在实际应用中，在传输部件2从离合腔室103内将与承载部件1分离的晶圆200取出后，可以先将晶圆200传输至冷却组件6上，借助冷却组件6对晶圆200进行冷却，待晶圆200冷却后，再将晶圆200传输至装载腔室102内的晶圆载具71中。

在本发明实施例中，由于可以对单独的晶圆200进行传输，因此，冷却组件6的尺寸仅需满足能够对单独的晶圆200进行冷却即可，使得冷却组件6的尺寸能够得到缩小，从而使得冷却组件6能够放置在传输腔室101内，而无需单独设立腔室放置冷却组件6，进而能够减小半导体工艺设备100的占地面积。并且，由于可以对单独的晶圆200进行传输，因此，冷却组件6可以对单独的晶圆200进行冷却，从而能够提高晶圆200的冷却速度，进而能够提高生产效率及产能。

在实际应用中，在半导体工艺结束后，可以先使晶圆200在反应腔室104内冷却至600℃之后，再将承载有晶圆200的承载部件1从反应腔室104内取出，再使晶圆200与承载部件1分离，再将晶圆200传输至冷却组件6上对晶圆200进行冷却，以避免晶圆200因降温速度过快而损坏。

如图12所示，在本发明一实施例中，冷却组件6可以包括冷却件61和多个第二支撑件62，冷却件61用于承载晶圆200，并对晶圆200进行冷却，多个第二支撑件62贯穿冷却件61，并沿第二周向间隔设置，且可相对与冷却件61升降，多个第二支撑件62用于与传输部件2配合，使晶圆200在传输部件2和冷却件61之间传输。

在实际应用中，在传输部件2从离合腔室103内将与承载部件1分离的晶圆200取出后，传输部件2可以将晶圆200传输至多个第二支撑件62上，由多个第二支撑件62共同对晶圆200进行支撑，之后，传输部件2可以离开多个第二支撑件62，多个第二支撑件62可以相对于冷却件61下降，使晶圆200下降至承载于冷却件61上，从而借助冷却件61对晶圆200进行冷却。在完成冷却后，多个第二支撑件62可以相对于冷却件61上升，将承载于冷却件61上晶圆200托起，之后，传输部件2可以对晶圆200进行承载，并将晶圆200传输至装载腔室102内的晶圆载具71中。

如图12所示，在本发明一实施例中，冷却件61上可以设置有多个支撑凸部63，多个支撑凸部63在冷却件61上间隔设置，用于共同支撑晶圆200。

也就是说，在多个第二支撑件62相对于冷却件61下降，使晶圆200下降至承载于冷却件61上时，晶圆200是与多个支撑凸部63接触，由多个支撑凸部63共同进行支撑，而不是与冷却件61直接接触。这样的设计由于若晶圆200与冷却件61直接接触，则在晶圆200随多个第二支撑件62下降至与冷却件61直接接触时，晶圆200与冷却件61之间的气体可能无法及时排净，造成晶圆200相对于冷却件61偏移，导致晶圆200冷却不均匀，并且可能导致晶圆200因冷却不均匀而碎裂，而通过在冷却件61上间隔设置多个支撑凸部63，则在晶圆200随多个第二支撑件62下降至多个支撑凸部63上时，晶圆200与冷却件61之间仍具有间隙，使得晶圆200与冷却件61之间被压缩的气体能够及时排出，降低晶圆200相对于冷却件61偏移的可能性，从而能够提高晶圆200冷却的均匀性，降低晶圆200损坏的可能性。

可选的，支撑凸部63可以相对于冷却件61的顶面凸出0.5mm。

可选的，支撑凸部63的材质可以为石英。

如图10和图11所示，在本发明一实施例中，传输腔室101内可以设置有第一传输通道38，第一传输通道38分别与传输腔室101连通，并与装载腔室102可选择的连通，冷却组件6设置在第一传输通道38内。

也就是说，冷却件61和多个第二支撑件62可以设置在第一传输通道38内，传输部件2可以将晶圆200由传输腔室101内传输至第一传输通道38内，并放置在多个第二支撑件62上，待晶圆200冷却后，传输部件2再将晶圆200从多个第二支撑件62上取下，并将晶圆200由传输通道传输回装载腔室102内的晶圆载具71中。

可选的，传输腔室101内可以设置有第二传输通道，第二传输通道与传输腔室101连通，并与装载腔室102可选择的连通，位置对准组件5设置在第二传输通道内。

也就是说，传输部件2可以将晶圆200由装载腔室102内的晶圆载具71中传输至第二传输通道内，并放置在位置对准组件5上，待晶圆200的位置对准后，传输部件2再将晶圆200从位置对准组件5上取下，并将晶圆200由传输通道传输至离合腔室103内的离合组件4上。

如图10和图11所示，在本发明一实施例中，第一传输通道38内的底部可以设置有容纳槽，冷却组件6容纳在容纳槽内，且冷却组件6的顶面与第一传输通道38的底面平齐。

也就是说，冷却件61可以容纳在容纳槽内，且冷却件61的顶面可以与第一传输通道38的底面平齐，这样的设计可以避免冷却件61和多个第二支撑件62在第一传输通道38内对传输部件2的运动造成干涉。

如图10所示，在本发明一实施例中，冷却组件6可以还包括冷却升降部件64，冷却升降部件64贯穿传输通道，并与所有第二支撑件62连接，用于驱动所有第二支撑件62共同相对于冷却件61升降。

也就是说，通过冷却升降部件64驱动所有第二支撑件62共同升降，可以实现所有第二支撑件62相对于冷却件61升降。

如图10所示，在本发明一实施例中，半导体工艺设备100可以还包括载具升降部件72，载具升降部件72设置在装载腔室102内，并与晶圆载具71连接，用于驱动晶圆载具71在装载腔室102内升降。

通过载具升降部件72驱动晶圆载具71在装载腔室102内升降，可以使传输部件2能够将多个晶圆200由上至下或由下至上放置在晶圆载具71中，并可以使传输部件2能够将晶圆载具71中的晶圆200由上至下或由下至上取出。

如图1、图10和图11所示，在本发明一实施例中，装载腔室102与传输腔室101之间、离合腔室103与传输腔室101之间、反应腔室104与传输之间可以均通过通断部件8连接，通断部件8用于控制与其相连接的两个腔室之间的通断。

借助通断部件8控制与其相连接的两个腔室之间的通断，从而可以实现装载腔室102与传输腔室101之间、离合腔室103与传输腔室101之间、反应腔室104与传输之间可选择的连通。在实际应用中，例如，当晶圆200在反应腔室104内进行半导体工艺时，传输腔室101与反应腔室104之间的通断部件8可以关闭，以断开传输腔室101与反应腔室104之间的连通，当半导体工艺结束后，半导体工艺设备100可以对传输腔室101与反应腔室104的压力差进行检测，当传输腔室101内的压力大于反应腔室104内的压力时，传输腔室101与反应腔室104之间的通断部件8可以开启，使传输腔室101与反应腔室104之间连通，以避免反应腔室104内的有害气体流动至传输腔室101内，对传输腔室101内的器件造成腐蚀，从而能够提高传输腔室101内器件的使用寿命。

可选的，通断部件8可以包括通断阀。

如图1所示，在本发明一实施例中，装载腔室102的数量与反应腔室104的数量可以均为多个且相同，多个装载腔室102分别与传输腔室101连通，多个反应腔室104分别与传输腔室101连通。

这样可以借助多个反应腔室104同时进行半导体工艺，从而能够提高生产效率及产能。在实际应用中，可以将一个装载腔室102内的晶圆载具71中的晶圆200传输至一个反应腔室104内进行半导体工艺，并在半导体工艺结束后，将该一个反应腔室104内的晶圆200再传输回该一个装载腔室102内的晶圆载具71中，而将另一个装载腔室102内的晶圆载具71中的晶圆200传输至另一个反应腔室104内进行半导体工艺，并在半导体工艺结束后，将该另一个反应腔室104内的晶圆200再传输回该另一个装载腔室102内的晶圆载具71中。

如图1所示，在本发明一实施例中，反应腔室104内设置有工艺基座9，工艺基座9可转动的设置在反应腔室104内，工艺基座9上设置有多个承载槽，多个承载槽沿工艺基座9的周向间隔设置，每个承载槽均用于承载晶圆200。

这样可以使多个晶圆200同时在反应腔室104内进行半导体工艺，从而能够提高生产效率及产能。在实际应用中，传输部件2可以将承载有晶圆200承载部件1一个接一个的传输至承载槽上，当每个承载槽均承载有晶圆200时，可以进行半导体工艺，在半导体工艺进行的过程中，工艺基座9可以在反应腔室104内转动，多个晶圆200可以随工艺基座9的转动而转动，从而能够提高晶圆200的工艺均匀性，进而能够提高晶圆200的良品率。

综上所述，本发明实施例提供的承载机构、传输部件2及半导体工艺设备100，能够提高晶圆200的良品率，并能够提高生产效率及产能，且能够减小半导体工艺设备100的占地面积。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变形和改进，这些变形和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (19)

1.一种承载机构，其特征在于，包括承载部件和离合组件，所述承载部件用于对晶圆进行承载，并能够被传输至承载于所述离合组件上，或者被传输离开所述离合组件，所述离合组件能够分开对所述晶圆和所述承载部件进行承载，以使承载有所述晶圆的所述承载部件能够与所述晶圆分离，或者使未承载有所述晶圆的所述承载部件能够对所述晶圆进行承载。

2.根据权利要求1所述的承载机构，其特征在于，所述承载部件呈环状，且所述承载部件的外径大于所述晶圆的外径，所述承载部件的内径小于所述晶圆的外径。

3.根据权利要求2所述的承载机构，其特征在于，所述承载部件的内侧边缘设置有第一承载凹部，所述第一承载凹部沿所述承载部件的周向设置呈环状，并分别相对于所述承载部件的顶面和内周壁凹入，所述第一承载凹部用于对所述晶圆进行承载。

4.根据权利要求2所述的承载机构，其特征在于，所述离合组件包括承载件和多个第一支撑件，所述承载件的外径小于所述承载部件的外径，且大于所述承载部件的内径，所述承载件用于对所述承载部件进行承载，多个所述第一支撑件贯穿所述承载件，并沿第一周向间隔设置，且相对于所述承载件凸出，所述第一周向的径向尺寸小于所述承载部件的内径，多个所述第一支撑件用于共同对所述晶圆进行支撑。

5.根据权利要求4所述的承载机构，其特征在于，所述承载件的边缘设置有第二承载凹部，所述第二承载凹部沿所述承载部件的周向设置呈环状，并分别相对于所述承载件的顶面和外周壁凹入，所述第二承载凹部用于对所述承载部件进行承载。

6.根据权利要求5所述的承载机构，其特征在于，所述承载部件的内周壁呈斜面，且自所述承载部件的底面沿靠近所述承载部件顶面的方向逐渐靠近所述承载部件的中心，所述第二承载凹部的侧壁设置有定位凸部，所述定位凸部的顶面呈斜面，且自靠近所述第二承载凹部的侧壁的一侧沿远离所述第二承载凹部的侧壁的方向逐渐降低，所述定位凸部的呈斜面的顶面用于与所述承载部件的呈斜面的内周壁配合，对所述承载部件与所述承载件的相对位置进行定位。

7.根据权利要求6所述的承载机构，其特征在于，所述定位凸部的数量为多个，多个所述定位凸部沿所述第二承载凹部的周向间隔设置。

8.根据权利要求5所述的承载机构，其特征在于，所述第二承载凹部的底壁设置有多个承载凸部，多个所述承载凸部沿所述第二承载凹部的周向间隔设置，多个所述承载凸部用于共同对所述承载部件进行承载。

9.根据权利要求4所述的承载机构，其特征在于，每个所述第一支撑件均可相对于所述承载件升降。

10.一种传输部件，其特征在于，用于对晶圆、如权利要求1-9任意一项所述的承载机构的所述承载部件和承载有所述晶圆的所述承载部件进行传输。

11.根据权利要求10所述的传输部件，其特征在于，所述传输部件包括第一传输部和第二传输部，所述传输部件可旋转的设置在传输腔室内，所述第一传输部用于对所述晶圆进行承载，并能够将所述晶圆传输至承载于所述离合组件上，或者将所述晶圆传输离开所述离合组件，所述第二传输部用于对所述承载部件或承载有所述晶圆的承载部件进行承载，并能够将所述承载部件或承载有所述晶圆的承载部件传输至承载于所述离合组件上，或者将所述承载部件或承载有所述晶圆的所述承载部件传输离开所述离合组件。

12.根据权利要求11所述的传输部件，其特征在于，所述传输部件还包括第一伸缩部和第二伸缩部，所述第一伸缩部与所述第一传输部连接，用于驱动所述第一传输部伸缩移动，所述第二伸缩部与所述第二传输部连接，用于驱动所述第二传输部伸缩移动，且所述第一传输部和所述第二传输部均可升降。

13.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括装载腔室、离合腔室、传输腔室、反应腔室、如权利要求1-9任意一项所述的承载机构和如权利要求10-12任意一项所述的传输部件，所述装载腔室用于放置晶圆载具，所述晶圆载具用于装载所述晶圆，所述传输腔室分别与所述装载腔室、所述离合腔室和所述反应腔室可选择的连通，所述离合组件设置在所述离合腔室内，所述传输部件设置在所述传输腔室内，所述传输部件用于在所述装载腔室、所述传输腔室和所述离合腔室之间传输所述晶圆，并用于在所述反应腔室和所述离合腔室之间传输所述承载部件或承载有所述晶圆的所述承载部件。

14.根据权利要求13所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述离合腔室设置有第一透光开口，所述第一透光开口中设置有第一透光部件，所述第一透光部件对应设置有第一压环，所述第一压环用于将所述第一透光部件压紧在所述离合腔室上，并对所述第一透光部件与所述离合腔室之间的间隙进行密封。

15.根据权利要求13所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述离合腔室的的周向上的相对两侧分别设置有第二透光开口，两个所述第二透光开口相对设置，每个所述第二透光开口中均设置有第二透光部件，每个所述第二透光部件均对应设置有第二压环，所述第二压环用于将对应的所述第二透光部件压紧在所述离合腔室上，并对对应的所述第二透光部件与所述离合腔室之间的间隙进行密封；

每个所述第二透光部件外均对应设置有测位部件，两个所述测位部件相对设置，用于对所述离合腔室内所述承载部件承载的所述晶圆与所述承载部件的相对位置进行检测。

16.根据权利要求13所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述传输腔室内还设置有位置对准组件，所述位置对准组件用于将所述晶圆的位置对准至预设位置，所述传输部件能够将所述晶圆传输至所述位置对准组件。

17.根据权利要求13所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述传输腔室内还设置有冷却组件，所述冷却组件用于对所述晶圆进行冷却，所述传输部件能够将所述晶圆传输至所述冷却组件。

18.根据权利要求17所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述传输腔室设置有第一传输通道，所述第一传输通道与所述传输腔室连通，并与所述装载腔室可选择的连通，所述冷却组件设置在所述第一传输通道内。

19.根据权利要求18所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一传输通道内的底部设置有容纳槽，所述冷却组件的顶面与所述第一传输通道的底面平齐。