KR20210134385A - 기상 성장 장치 및 이에 이용되는 캐리어 - Google Patents

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나오유키 와다
유 미나미데
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가부시키가이샤 사무코
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Abstract

캐리어(C)는, 서셉터(112)의 상면에 올려 놓여지는 저면(C11)과, 웨이퍼(WF)의 이면의 외연에 접촉하여 지지하는 상면(C12)과, 외주측 벽면(C13)과, 내주측 벽면(C14)을 갖는 링 형상으로 형성되고, 서셉터(112), 또는 서셉터(112) 및 캐리어(C)에, 웨이퍼(WF), 캐리어(C) 및 서셉터(112)로 구분되는 공간과, 서셉터(112)의 이면의 사이를 관통하는 가스 발취공(1121, 1122, C15)이 형성되어 있다.

Description

기상 성장 장치 및 이에 이용되는 캐리어
본 발명은, 에피택셜 웨이퍼의 제조 등에 이용되는 기상 성장 장치 및 이에 이용되는 캐리어에 관한 것이다.
에피택셜 웨이퍼의 제조 등에 이용되는 기상 성장 장치에 있어서, 실리콘 웨이퍼 이면으로의 손상을 최소한으로 하기 위해, 실리콘 웨이퍼를 링 형상의 캐리어에 탑재한 상태에서, 로드록실에서 반응실까지의 공정을 반송하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1).
이러한 종류의 기상 성장 장치에서는, 로드록실에 있어서 대기한 링 형상의 캐리어에 처리 전의 웨이퍼를 탑재하여 반응실로 반송하는 한편, 처리 후의 웨이퍼는, 링 형상의 캐리어에 탑재된 채 반응실로부터 로드록실에 반송된다.
미국특허출원공개 2017/0110352호 공보
반응실에 있어서는, 웨이퍼를 탑재한 상태의 링 형상 캐리어를 서셉터에 올려 놓고, 이 상태에서 에피택셜 성장 등의 처리가 행해진다. 그러나, 상기 종래 기술에서는, 반응실에 있어서, 웨이퍼, 링 형상 캐리어 및 서셉터로 구분되는 공간은, 거의 밀폐되어 있기 때문에, 웨이퍼를 탑재한 상태의 링 형상 캐리어를 서셉터의 위에 올려 놓을 때에, 웨이퍼가 미끄러져 위치가 어긋날 우려가 있다.
또한, 반응 처리 중에 있어서, 웨이퍼와 링 형상 캐리어의 접촉 부분의 근소한 극간으로부터 상기 밀폐 공간으로 반응 가스가 유입되면, 웨이퍼의 이면의 외주에 반응막이 퇴적되고, 이것이 웨이퍼의 평탄도에 영향을 미치는 점에서, 웨이퍼의 이면으로의 반응 가스의 흐름은, 가능한 한 균일하게 하는 것이 필요해진다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼를 탑재한 캐리어를 서셉터에 올려 놓을 때의 웨이퍼의 미끄러짐을 방지함과 함께, 웨이퍼 이면으로의 반응 가스의 흐름을 균일하게 할 수 있는 기상 성장 장치 및 이에 이용되는 캐리어를 제공하는 것이다.
본 발명은, 웨이퍼의 외연(단부 또는 외주부의 범위를 포함함, 이하, 본 명세서에 있어서 동일)을 지지하는 링 형상의 캐리어를 구비하고, 복수의 당해 캐리어를 이용하여,
복수의 처리 전의 웨이퍼를, 적어도 상기 웨이퍼에 CVD막을 형성하는 반응실로 순차적으로 반송함과 함께,
상기 반응실에는, 상기 캐리어를 지지하는 서셉터가 설치된 기상 성장 장치에 있어서,
상기 캐리어는, 상기 서셉터의 상면에 올려 놓여지는 저면과, 상기 웨이퍼의 이면의 외연에 접촉하여 지지하는 상면과, 외주측 벽면과, 내주측 벽면을 갖는 링 형상으로 형성되고,
상기 서셉터, 또는 상기 서셉터 및 상기 캐리어에, 상기 웨이퍼, 상기 캐리어 및 상기 서셉터로 구분되는 공간과, 상기 서셉터의 이면의 사이를 관통하는 가스 발취공이 형성되어 있는 기상 성장 장치이다.
본 발명에 있어서, 상기 복수의 캐리어를 이용하여, 복수의 처리 전의 웨이퍼를, 팩토리 인터페이스, 로드록실 및 웨이퍼 이재실(移載室)을 통하여 상기 반응실로 순차적으로 반송함과 함께,
복수의 처리 후의 웨이퍼를, 상기 반응실로부터, 상기 웨이퍼 이재실, 상기 로드록실을 통하여 상기 팩토리 인터페이스로 순차적으로 반송하고,
상기 로드록실은, 제1 도어를 통하여 상기 팩토리 인터페이스와 연통함과 함께, 제2 도어를 통하여 상기 웨이퍼 이재실과 연통하고,
상기 웨이퍼 이재실은, 게이트 밸브를 통하여 상기 반응실과 연통하고,
상기 웨이퍼 이재실에는, 상기 로드록실에 반송되어 온 처리 전의 웨이퍼를 캐리어에 탑재된 상태에서 상기 반응실에 투입함과 함께, 상기 반응실에 있어서 처리를 끝낸 처리 후의 웨이퍼를 캐리어에 탑재된 상태에서 상기 반응실로부터 취출하여 상기 로드록실에 반송하는 제1 로봇이 설치되고,
상기 팩토리 인터페이스에는, 처리 전의 웨이퍼를 웨이퍼 수납 용기로부터 취출하여, 상기 로드록실에서 대기하는 캐리어에 탑재함과 함께, 상기 로드록실에 반송되어 온, 캐리어에 탑재된 처리 후의 웨이퍼를, 상기 웨이퍼 수납 용기에 수납하는 제2 로봇이 설치되고,
상기 로드록실에는, 캐리어를 지지하는 홀더가 설치되어 있는 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 가스 발취공은, 상기 서셉터에만 형성되어 있거나, 또는 상기 서셉터 및 상기 캐리어를 관통하여 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서, 가스 발취공을 상기 서셉터 및 상기 캐리어를 관통하여 형성하는 경우, 상기 서셉터에 형성된 가스 발취공과, 상기 캐리어에 형성된 가스 발취공을, 직경이 상이하도록 구성하는 것이 보다 바람직하다. 이 경우에 있어서, 상기 서셉터에 형성된 가스 발취공의 직경은, 상기 캐리어에 형성된 가스 발취공의 직경보다 커도 좋고, 또는 작아도 좋다.
또한 본 발명은, 웨이퍼의 외연을 지지하는 링 형상의 캐리어로서,
상기 캐리어를 이용하여,
복수의 처리 전의 웨이퍼를, 적어도 상기 웨이퍼에 CVD막을 형성하는 반응실로 순차적으로 반송하는 기상 성장 장치용 캐리어에 있어서,
상기 반응실의 서셉터의 상면에 올려 놓여지는 저면과, 상기 웨이퍼의 이면의 외연에 접촉하여 지지하는 상면과, 외주측 벽면과, 내주측 벽면을 갖는 링 형상으로 형성됨과 함께, 상기 웨이퍼, 상기 캐리어 및 상기 서셉터로 구분되는 공간과, 상기 서셉터의 이면의 사이를 관통하는 가스 발취공이 형성되어 있는 기상 성장 장치용 캐리어이다.
본 발명에 있어서, 상기 복수의 캐리어를 이용하여,
복수의 처리 전의 웨이퍼를, 팩토리 인터페이스, 로드록실 및 웨이퍼 이재실을 통하여 상기 반응실로 순차적으로 반송함과 함께,
복수의 처리 후의 웨이퍼를, 상기 반응실로부터, 상기 웨이퍼 이재실, 상기 로드록실을 통하여 상기 팩토리 인터페이스로 순차적으로 반송하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼를 탑재한 캐리어를 서셉터에 올려 놓을 때에, 웨이퍼, 링 형상 캐리어 및 서셉터로 구분되는 공간의 가스를 가스 발취공으로부터 서셉터의 이면에 배기할 수 있기 때문에, 웨이퍼의 미끄러짐을 방지할 수 있다. 또한, 반응 처리 중에 있어서, 웨이퍼와 링 형상 캐리어의 접촉 부분의 근소한 극간으로부터, 웨이퍼, 링 형상 캐리어 및 서셉터로 구분되는 공간으로 반응 가스가 유입되면, 이것을 서셉터의 이면으로 배기할 수 있기 때문에, 웨이퍼 이면으로의 반응 가스의 흐름을 균일하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2a는 본 발명의 실시 형태에 따른 캐리어를 나타내는 평면도이다.
도 2b는 웨이퍼 및 반응로의 서셉터를 포함한 캐리어의 단면도이다.
도 3a는 로드록실에 설치된 홀더를 나타내는 평면도이다.
도 3b는 웨이퍼 및 캐리어를 포함한 홀더의 단면도이다.
도 4는 로드록실에 있어서의 웨이퍼 및 캐리어의 이재 순서를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 5는 반응실 내에 있어서의 웨이퍼 및 캐리어의 이재 순서를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 6(A)는, 제1 로봇의 핸드의 선단에 장착된 제1 블레이드의 일 예를 나타내는 평면도, 도 6(B)는, 캐리어 및 웨이퍼를 포함한 제1 블레이드의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치에 있어서의 웨이퍼 및 캐리어의 처리 순서를 나타내는 도면(그 1)이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치에 있어서의 웨이퍼 및 캐리어의 처리 순서를 나타내는 도면(그 2)이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치에 있어서의 웨이퍼 및 캐리어의 처리 순서를 나타내는 도면(그 3)이다.
도 10은 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치에 있어서의 웨이퍼 및 캐리어의 처리 순서를 나타내는 도면(그 4)이다.
도 11a는 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치의 반응실에 있어서의 웨이퍼, 캐리어 및 서셉터의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 11b는 도 11a의 ⅩⅠ-ⅩⅠ선을 따르는 단면도이다.
도 12a는 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치의 반응실에 있어서의 웨이퍼, 캐리어 및 서셉터의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 12b는 도 12a의 ⅩⅡ-ⅩⅡ선을 따르는 단면도이다.
도 13a는 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치의 반응실에 있어서의 웨이퍼, 캐리어 및 서셉터의 또 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 13b는 도 13a의 XⅢ-XⅢ선을 따르는 단면도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치(1)를 나타내는 블록도이고, 중앙에 나타내는 기상 성장 장치(1)의 본체는, 평면도에 의해 나타낸 것이다. 본 실시 형태의 기상 성장 장치(1)는, 소위 CVD 장치로서, 한 쌍의 반응로(11, 11)와, 단결정 실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼(WF)를 핸들링하는 제1 로봇(121)이 설치된 웨이퍼 이재실(12)과, 한 쌍의 로드록실(13)과, 웨이퍼(WF)를 핸들링하는 제2 로봇(141)이 설치된 팩토리 인터페이스(14)와, 복수매의 웨이퍼(WF)를 수납한 웨이퍼 수납 용기(15)(카세트 케이스)를 설치하는 로드 포트를 구비한다.
팩토리 인터페이스(14)는, 웨이퍼 수납 용기(15)가 올려 놓여지는 클린 룸과 동일한 대기 분위기로 된 영역이다. 이 팩토리 인터페이스(14)에는, 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납된 처리 전의 웨이퍼(WF)를 취출하여 로드록실(13)로 투입하는 한편, 로드록실(13)로 반송되어 온 처리 후의 웨이퍼(WF)를 웨이퍼 수납 용기(15)로 수납하는 제2 로봇(141)이 설치되어 있다. 제2 로봇(141)은, 제2 로봇 컨트롤러(142)에 의해 제어되고, 로봇 핸드의 선단에 장착된 제2 블레이드(143)가, 미리 티칭된 소정의 궤적을 따라 이동한다.
로드록실(13)과 팩토리 인터페이스(14)의 사이에는, 기밀성을 갖는 개폐 가능한 제1 도어(131)가 설치되고, 로드록실(13)과 웨이퍼 이재실(12)의 사이에는, 동일하게 기밀성을 갖는 개폐 가능한 제2 도어(132)가 설치되어 있다. 그리고, 로드록실(13)은, 불활성 가스 분위기로 된 웨이퍼 이재실(12)과, 대기 분위기로 된 팩토리 인터페이스(14)의 사이에서, 분위기 가스를 치환하는 스페이스로서 기능한다. 그 때문에, 로드록실(13)의 내부를 진공 배기하는 배기 장치와, 로드록실(13)에 불활성 가스를 공급하는 공급 장치가 설치되어 있다.
예를 들면, 웨이퍼 수납 용기(15)로부터 처리 전의 웨이퍼(WF)를 웨이퍼 이재실(12)에 반송하는 경우에는, 팩토리 인터페이스(14)측의 제1 도어(131)를 닫고, 웨이퍼 이재실(12)측의 제2 도어(132)를 닫아, 로드록실(13)을 불활성 가스 분위기로 한 상태에서, 제2 로봇(141)을 이용하여, 웨이퍼 수납 용기(15)의 웨이퍼(WF)를 취출하고, 팩토리 인터페이스(14)측의 제1 도어(131)를 열어, 웨이퍼(WF)를 로드록실(13)에 반송한다. 이어서, 팩토리 인터페이스(14)측의 제1 도어(131)를 닫아 당해 로드록실(13)을 재차 불활성 가스 분위기로 한 후, 웨이퍼 이재실(12)측의 제2 도어(132)를 열고, 제1 로봇(121)을 이용하여, 당해 웨이퍼(WF)를 웨이퍼 이재실(12)에 반송한다.
반대로, 웨이퍼 이재실(12)로부터 처리 후의 웨이퍼(WF)를 웨이퍼 수납 용기(15)로 반송하는 경우에는, 팩토리 인터페이스(14)측의 제1 도어(131)를 닫고, 웨이퍼 이재실(12)측의 제2 도어(132)를 닫아, 로드록실(13)을 불활성 가스 분위기로 한 상태에서, 웨이퍼 이재실(12)측의 제2 도어(132)를 열고, 제1 로봇(121)을 이용하여, 웨이퍼 이재실(12)의 웨이퍼(WF)를 로드록실(13)에 반송한다. 이어서, 웨이퍼 이재실(12)측의 제2 도어(132)를 닫아 당해 로드록실(13)을 재차 불활성 가스 분위기로 한 후, 팩토리 인터페이스(14)측의 제1 도어(131)를 열고, 제2 로봇(141)을 이용하여, 당해 웨이퍼(WF)를 웨이퍼 수납 용기(15)에 반송한다.
웨이퍼 이재실(12)은, 밀폐된 챔버로 이루어지고, 한쪽이 로드록실(13)과 개폐 가능한 기밀성을 갖는 제2 도어(132)를 통하여 접속되고, 다른 한쪽이 기밀성을 갖는 개폐 가능한 게이트 밸브(114)를 통하여 접속되어 있다. 웨이퍼 이재실(12)에는, 처리 전의 웨이퍼(WF)를 로드록실(13)로부터 반응실(111)로 반송함과 함께, 처리 후의 웨이퍼(WF)를 반응실(111)로부터 로드록실(13)로 반송하는 제1 로봇(121)이 설치되어 있다. 제1 로봇(121)은, 제1 로봇 컨트롤러(122)에 의해 제어되고, 로봇 핸드의 선단에 장착된 제1 블레이드(123)가, 미리 티칭된 동작 궤적을 따라 이동한다.
기상 성장 장치(1)의 전체의 제어를 통괄하는 통괄 컨트롤러(16)와, 제1 로봇 컨트롤러(122)와, 제2 로봇 컨트롤러(142)는, 상호 제어 신호를 송수신한다. 그리고, 통괄 컨트롤러(16)로부터의 동작 지령 신호가 제1 로봇 컨트롤러(122)에 송신되면, 제1 로봇 컨트롤러(122)는, 제1 로봇(121)의 동작을 제어하고, 당해 제1 로봇(121)의 동작 결과가 제1 로봇 컨트롤러(122)로부터 통괄 컨트롤러(16)로 송신된다. 이에 따라, 통괄 컨트롤러(16)는, 제1 로봇(121)의 동작 상태를 인식한다. 마찬가지로, 통괄 컨트롤러(16)로부터의 동작 지령 신호가 제2 로봇 컨트롤러(142)에 송신되면, 제2 로봇 컨트롤러(142)는 제2 로봇(141)의 동작을 제어하고, 당해 제2 로봇(141)의 동작 결과가 제2 로봇 컨트롤러(142)로부터 통괄 컨트롤러(16)로 송신된다. 이에 따라, 통괄 컨트롤러(16)는, 제2 로봇(141)의 동작 상태를 인식한다.
웨이퍼 이재실(12)에는, 도시하지 않는 불활성 가스 공급 장치로부터 불활성 가스가 공급되고, 배기구에 접속된 스크러버(세정 집진 장치)에 의해 웨이퍼 이재실(12)의 가스가 정화된 후, 계 외로 방출된다. 이러한 종류의 스크러버는, 상세한 도시는 생략하지만, 예를 들면 종래 공지의 가압수식 스크러버를 이용할 수 있다.
반응로(11)는, CVD법에 의해 웨이퍼(WF)의 표면에 에피택셜막을 생성하기 위한 장치로서, 반응실(111)을 구비하고, 당해 반응실(111) 내에 웨이퍼(WF)를 올려 놓아 회전하는 서셉터(112)가 설치되고, 또한 반응실(111)에 수소 가스 및 CVD막을 생성하기 위한 원료 가스(CVD막이 실리콘 에피택셜막인 경우는, 예를 들면 4염화 규소 SiCl4나 트리클로로실란 SiHCl3 등)나 도펀트 가스를 공급하는 가스 공급 장치(113)가 설치되어 있다. 또한 도시는 생략하지만, 반응실(111)의 주위에는, 웨이퍼(WF)를 소정 온도로 승온하기 위한 가열 램프가 설치되어 있다. 추가로, 반응실(111)과 웨이퍼 이재실(12)의 사이에는, 게이트 밸브(114)가 설치되고, 게이트 밸브(114)를 폐색함으로써 반응실(111)의 웨이퍼 이재실(12)과의 기밀성이 확보된다. 이들 반응로(11)의 서셉터(112)의 구동, 가스 공급 장치(113)에 의한 가스의 공급·정지, 가열 램프의 ON/OFF, 게이트 밸브(114)의 개폐 동작의 각 제어는, 통괄 컨트롤러(16)로부터의 지령 신호에 의해 제어된다. 또한, 도 1에 나타내는 기상 성장 장치(1)는, 한 쌍의 반응로(11, 11)를 설치한 예를 나타냈지만, 1개의 반응로(11)라도 좋고, 3개 이상의 반응로라도 좋다.
반응로(11)에도, 웨이퍼 이재실(12)과 마찬가지의 구성을 갖는 스크러버(세정 집진 장치)가 설치되어 있다. 즉, 가스 공급 장치(113)로부터 공급된 수소 가스 또는 원료 가스나 도펀트 가스는, 반응실(111)에 설치된 배기구에 접속된 스크러버에 의해 정화된 후, 계 외로 방출된다. 이 스크러버에 대해서도, 예를 들면 종래 공지의 가압수식 스크러버를 이용할 수 있다.
본 실시 형태의 기상 성장 장치(1)에서는, 웨이퍼(WF)를, 당해 웨이퍼(WF)의 전체 둘레 외연을 지지하는 링 형상의 캐리어(C)를 이용하여, 로드록실(13)과 반응실(111)의 사이를 반송한다. 도 2a는, 캐리어(C)를 나타내는 평면도, 도 2b는, 웨이퍼(WF) 및 반응로(11)의 서셉터(112)를 포함한 캐리어(C)의 단면도, 도 5는, 반응실(111) 내에 있어서의 웨이퍼(WF) 및 캐리어(C)의 이재 순서를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
본 실시 형태의 캐리어(C)는, 예를 들면 SiC 등의 재료로 이루어지고, 링 형상으로 형성되고, 도 2b에 나타내는 서셉터(112)의 상면에 올려 놓여지는 저면(C11)과, 웨이퍼(WF)의 이면의 외연 전체 둘레에 접촉하여 지지하는 상면(C12)과, 외주측 벽면(C13)과, 내주측 벽면(C14)을 갖는다. 그리고, 캐리어(C)에 지지된 웨이퍼(WF)가, 반응실(111) 내에 반입되는 경우에는, 도 5(A)의 평면도에 나타내는 바와 같이, 제1 로봇(121)의 제1 블레이드(123)에 캐리어(C)를 올려 놓은 상태에서, 동(同) 도(B)에 나타내는 바와 같이 서셉터(112)의 상부까지 반송하고, 동 도(C)에 나타내는 바와 같이 서셉터(112)에 대하여 상하 이동 가능하게 설치된 3개 이상의 캐리어 리프트 핀(115)에 의해, 일단 캐리어(C)를 들어 올리고, 동 도(D)에 나타내는 바와 같이 제1 블레이드(123)를 후퇴시킨 후, 동 도(E)에 나타내는 바와 같이 서셉터(112)를 상승시킴으로써, 서셉터(112)의 상면에 캐리어(C)를 올려 놓는다.
반대로, 반응실(111)에 있어서 처리를 종료한 웨이퍼(WF)를 캐리어(C)에 탑재한 상태에서 취출하는 경우는, 도 5(E)에 나타내는 상태로부터, 동 도(D)에 나타내는 바와 같이 서셉터(112)를 하강시켜 캐리어 리프트 핀(115)만에 의해 캐리어(C)를 지지하고, 동 도(C)에 나타내는 바와 같이, 캐리어(C)와 서셉터(112)의 사이에 제1 블레이드(123)를 전진시킨 후, 동 도(B)에 나타내는 바와 같이 3개의 캐리어 리프트 핀(115)을 하강시켜 제1 블레이드(123)에 캐리어(C)를 올려 놓고, 제1 로봇(121)의 핸드를 동작시킨다. 이에 따라, 처리를 종료한 웨이퍼(WF)를 캐리어(C)에 탑재한 상태에서 취출할 수 있다.
또한 본 실시 형태의 기상 성장 장치(1)에서는, 캐리어(C)를, 로드록실(13)에서 반응실(111)까지의 공정 간을 반송하기 때문에, 로드록실(13)에 있어서, 처리 전의 웨이퍼(WF)를 캐리어(C)에 올려 놓고, 처리 후의 웨이퍼(WF)를 캐리어(C)로부터 취출한다. 그 때문에, 로드록실(13)에는, 캐리어(C)를 상하 2단으로 지지하는 홀더(17)가 설치되어 있다. 도 3a는, 로드록실(13)에 설치된 홀더(17)를 나타내는 평면도, 도 3b는, 웨이퍼(WF)를 포함한 홀더(17)의 단면도이다. 본 실시 형태의 홀더(17)는, 고정된 홀더 베이스(171)와, 당해 홀더 베이스(171)에 대하여 상하로 승강 가능하게 설치된, 2개의 캐리어(C)를 상하 2단으로 지지하는 제1 홀더(172) 및 제2 홀더(173)와, 홀더 베이스(171)에 대하여 상하로 승강 가능하게 설치된 3개의 웨이퍼 리프트 핀(174)을 구비한다.
제1 홀더(172) 및 제2 홀더(173)(도 3a의 평면도에서는, 제2 홀더(173)가 제1 홀더(172)에 의해 숨겨져 있기 때문에, 제1 홀더(172)만을 도시함)는, 캐리어(C)를 4점에서 지지하기 위한 돌기를 갖고, 제1 홀더(172)에는 1개의 캐리어(C)가 올려 놓여지고, 제2 홀더(173)에도 1개의 캐리어(C)가 올려 놓여진다. 또한, 제2 홀더(173)에 올려 놓여지는 캐리어(C)는, 제1 홀더(172)와 제2 홀더(173)의 사이의 극간에 삽입된다.
도 4는, 로드록실(13)에 있어서의 웨이퍼(WF) 및 캐리어(C)의 이재 순서를 나타내는 평면도 및 단면도이고, 동 도(B)에 나타내는 바와 같이 제1 홀더(172)에 캐리어(C)가 지지되어 있는 상태에서, 당해 캐리어(C)에 처리 전의 웨이퍼(WF)를 탑재하는 순서를 나타낸다. 즉, 팩토리 인터페이스(14)에 설치된 제2 로봇(141)은, 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납된 1매의 웨이퍼(WF)를 제2 블레이드(143)에 싣고, 로드록실(13)의 제1 도어(131)를 통하여, 동 도(B)에 나타내는 바와 같이 홀더(17)의 상부까지 반송한다. 이어서, 동 도(C)에 나타내는 바와 같이, 홀더 베이스(171)에 대하여 3개의 웨이퍼 리프트 핀(174)을 상승시켜, 웨이퍼(WF)를 일단 들어 올리고, 동 도(D)에 나타내는 바와 같이 제2 블레이드(143)를 후퇴시킨다. 또한, 3개의 웨이퍼 리프트 핀(174)은, 동 도(A)의 평면도에 나타내는 바와 같이, 제2 블레이드(143)와 간섭하지 않는 위치에 설치되어 있다. 이어서, 동 도(D) 및 (E)에 나타내는 바와 같이, 3개의 웨이퍼 리프트 핀(174)을 하강시킴과 함께 제1 홀더(172) 및 제2 홀더(173)를 상승시킴으로써, 캐리어(C)에 웨이퍼(WF)를 탑재한다.
반대로, 캐리어(C)에 올려 놓여진 상태에서 로드록실(13)에 반송되어 온 처리 후의 웨이퍼(WF)를, 웨이퍼 수납 용기(15)로 반송하는 경우에는, 도 4(E)에 나타내는 상태로부터, 동 도(D)에 나타내는 바와 같이 3개의 웨이퍼 리프트 핀(174)을 상승시킴과 함께 제1 홀더(172) 및 제2 홀더(173)를 하강시켜, 웨이퍼 리프트 핀(174)만에 의해 웨이퍼(WF)를 지지하고, 동 도(C)에 나타내는 바와 같이 캐리어(C)와 웨이퍼(WF)의 사이에 제2 블레이드(143)를 전진시킨 후, 동 도(B)에 나타내는 바와 같이 3개의 웨이퍼 리프트 핀(174)을 하강시켜 제2 블레이드(143)에 웨이퍼(WF)를 싣고, 제2 로봇(141)의 핸드를 동작시킨다. 이에 따라, 처리를 종료한 웨이퍼(WF)를 캐리어(C)로부터 웨이퍼 수납 용기(15)로 취출할 수 있다. 또한, 도 4(E)에 나타내는 상태는, 처리를 종료한 웨이퍼(WF)가 캐리어(C)의 탑재된 상태에서 제1 홀더(172)에 반송되어 있지만, 제2 홀더(173)에 반송된 경우도 마찬가지의 순서로, 웨이퍼(WF)를 캐리어(C)로부터 웨이퍼 수납 용기(15)로 취출할 수 있다.
도 6(A)는, 제1 로봇(121)의 핸드의 선단에 장착된 제1 블레이드(123)의 일 예를 나타내는 평면도, 도 6(B)는, 캐리어(C)를 포함한 제1 블레이드(123)의 단면도이다. 본 실시 형태의 제1 블레이드(123)는, 직사각 판 형상의 본체의 일면에, 캐리어(C)의 외주측 벽면(C13)에 대응한 지름의 제1 오목부(124)가 형성되어 있다. 제1 오목부(124)의 지름은, 캐리어(C)의 외주측 벽면(C13)의 지름보다 약간 크게 형성되어 있다. 그리고, 제1 로봇(121)은, 웨이퍼(WF)를 싣거나 또는 빈 캐리어(C)를 반송하는 경우에는, 캐리어(C)를 제1 오목부(124)에 싣는다.
다음으로, 본 실시 형태의 서셉터(112)의 구성을 설명한다. 도 11a는, 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치(1)의 반응실(111)에 있어서의 웨이퍼(WF), 캐리어(C) 및 서셉터(112)의 일 예를 나타내는 평면도, 도 11b는, 도 11a의 ⅩⅠ-ⅩⅠ선을 따르는 단면도이다. 전술한 반응로(11)의 반응실(111) 내에는, 서셉터(112)가 설치되어 있지만, 이 서셉터(112)의 상면에, 웨이퍼(WF)를 탑재한 캐리어(C)를 올려 놓으면, 웨이퍼(WF), 캐리어(C) 및 서셉터(112)로 구분된 공간이, 소위 웨이퍼 포켓(WP)이 되고, 웨이퍼(WF)는, 그의 외연에서만 캐리어(C)의 상면(C122)에 접촉한다. 또한, 도 2b에 나타내는 단면도에서는, 캐리어(C)의 상면(C12)을 개략도로 나타냈지만, 본 실시 형태의 캐리어(C)의 상면(C12)은, 도 11b의 단면도에 나타나는 바와 같이, 외주 상면(C121)과 외주 상면(C122)을 포함하고, 외주 상면(C121) 및 외주 상면(C122)은 저면(C11)과 평행하게 형성된다. 이 내주 상면(C122)에 웨이퍼(WF)를 탑재함으로써, 웨이퍼(WF)는 캐리어(C)에 외연이 접촉하게 된다.
도 11a 및 도 11b에 나타내는 바와 같이, 캐리어(C)를 올려 놓은 상태에 있어서의 서셉터(112)의 외주 부분, 즉 캐리어(C)의 내주측 벽면(C14)을 따르는 외주 부분에는, 전체 둘레에 걸쳐 홈(1121)이 형성되고, 추가로 이 홈(1121)의 저부로부터 서셉터(112)의 이면에 관통하는 관통공(1122)이, 홈(1121)의 원주 방향을 따라 소정 간격으로 형성되어 있다. 이들 홈(1121) 및 관통공(1122)이, 본 발명의 가스 발취공을 구성한다. 홈(1121)은, 도 11b의 단면도에서 나타내는 바와 같이, 서셉터(112)의 반경 방향에 대하여, 홈의 측벽이 위를 향하여 확개(擴開)하는 경사면으로 된 홈인 것이 바람직하다. 또한, 관통공(1122)은, 도 11a에 나타내는 예에서는 8개의 타원공으로서 형성되어 있지만, 그의 개수나 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 도 11a 및 도 11b에 나타내는 예에서는, 캐리어(C)의 내주측 벽면(C14)의 내측을 따라 1열의 홈(1121)과 복수의 관통공(1122)이 형성되어 있지만, 2열 이상의 홈(1121)에 복수의 관통공(1122)을 형성해도 좋다.
이와 같이 서셉터(112)에, 홈(1121) 및 관통공(1122)을 포함하는 가스 발취공을 형성하면, 처리 전의 웨이퍼(WF)를 탑재한 캐리어(C)를 반응실(111) 내의 서셉터(112)에 올려 놓을 때에, 웨이퍼(WF), 링 형상 캐리어(C) 및 서셉터(112)로 구분되는 공간(웨이퍼 포켓(WP))의 가스를, 홈(1121) 및 관통공(1122)을 포함하는 가스 발취공으로부터 서셉터(112)의 이면에 배기할 수 있다. 따라서, 캐리어(C)를 서셉터(112)에 올려 놓은 순간에 웨이퍼(WF)가 떠 위치가 변동하는 것과 같은, 웨이퍼(WF)의 미끄러짐을 방지할 수 있다.
또한, 반응실(111)에서의 반응 처리 중에 있어서, 웨이퍼(WF)와 링 형상 캐리어(C)의 접촉 부분의 근소한 극간으로부터, 웨이퍼(WF), 링 형상 캐리어(C) 및 서셉터(112)로 구분되는 공간(웨이퍼 포켓(WP))으로 반응 가스가 유입되지만, 이 반응 가스는, 홈(1121) 및 관통공(1122)을 포함하는 가스 발취공으로부터 서셉터(112)의 이면으로 균일하게 배기할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(WF)의 이면으로의 반응 가스의 흐름을 균일하게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(WF)의 이면의 외주 퇴적하는 반응막의 막두께가 균일해져, 웨이퍼의 평탄도의 저하를 억제할 수 있다.
서셉터(112)에 형성되는 가스 발취공은, 전술한 홈(1121) 및 관통공(1122)을 포함하는 것에 한정되지 않고, 관통공(1122)만으로 이루어지는 가스 발취공이라도 좋다. 도 12a는, 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치(1)의 반응실(111)에 있어서의 웨이퍼(WF), 캐리어(C) 및 서셉터(112)의 다른 예를 나타내는 평면도, 도 12b는, 도 12a의 ⅩⅡ-ⅩⅡ선을 따르는 단면도이다. 도 12a 및 도 12b에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 서셉터(112)에 있어서는, 캐리어(C)를 올려 놓은 상태에 있어서의 서셉터(112)의, 캐리어(C)의 내주측 벽면(C14)보다 내측에는, 원주 방향을 따라, 서셉터(112)의 표면으로부터 이면으로 관통하는 복수의 관통공(1122)이, 소정 간격으로 형성되어 있다. 이들 관통공(1122)이, 본 발명의 가스 발취공을 구성한다. 관통공(1122)은, 도 12a에 나타내는 예에서는 16개의 원형공으로서 형성되어 있지만, 그의 개수나 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 도 12a 및 도 12b에 나타내는 예에서는, 캐리어(C)의 내주측 벽면(C14)의 내측을 따라 1열로 나열되는 복수의 관통공(1122)이 형성되어 있지만, 2열 이상으로 나열되는 복수의 관통공(1122)을 형성해도 좋다.
도 11a 및 도 11b 그리고 도 12a 및 도 12b에 나타내는 가스 발취공은, 모두 서셉터(112)에만 형성했지만, 캐리어(C) 및 서셉터(112)의 양쪽에 공통되도록 형성해도 좋다. 도 13a는, 본 발명의 실시 형태에 따른 기상 성장 장치(1)의 반응실(111)에 있어서의 웨이퍼(WF), 캐리어(C) 및 서셉터(112)의 또 다른 예를 나타내는 평면도, 도 13b는, 도 13a의 XⅢ-XⅢ선을 따르는 단면도이다. 도 13a 및 도 13b에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 서셉터(112) 및 캐리어(C)에 있어서는, 캐리어(C)의 내주측에 복수의 관통공(C15)이 소정 간격으로 형성되고, 캐리어(C)를 올려 놓은 상태에 있어서의 서셉터(112)의, 관통공(C15)에 연통하는 위치에, 서셉터(112)의 표면으로부터 이면으로 관통하는 복수의 관통공(1122)이, 소정 간격으로 형성되어 있다. 이들 캐리어(C)의 관통공(C15) 및 서셉터(112)의 관통공(1122)이, 본 발명의 가스 발취공을 구성한다.
도 13b에 나타내는 바와 같이, 캐리어(C)의 관통공(C15)과 서셉터(112)의 관통공(1122)은, 서로 연통하지만, 어느 한쪽의 공경(孔徑)을 어느 다른 한쪽의 공경보다 크게 하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 캐리어(C)가 서셉터(112)에 올려 놓여지는 위치가 어긋나도, 캐리어(C)의 관통공(C15)과 서셉터(112)의 관통공(1122)을 서로 연통시킬 수 있다. 또한, 캐리어(C)의 관통공(C15) 및 서셉터(112)의 관통공(1122)은, 도 13a에 나타내는 예에서는 16개의 원형공으로서 형성되어 있지만, 그의 개수나 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 도 13a 및 도 13b에 나타내는 예에서는, 캐리어(C)의 내주측에 1열로 나열되는 복수의 관통공(C15, 1122)이 형성되어 있지만, 2열 이상으로 나열되는 복수의 관통공(C15, 1122)을 형성해도 좋다.
다음으로, 본 실시 형태의 기상 성장 장치(1)에 있어서의, 에피택셜막의 생성 전(이하, 간단히 처리 전이라고도 함) 및 에피택셜막의 생성 후(이하, 간단히 처리 후라고도 함)의 웨이퍼(WF)와, 캐리어(C)를, 처리하는 순서를 설명한다. 도 7∼도 10은, 본 실시 형태의 기상 성장 장치에 있어서의 웨이퍼 및 캐리어의 처리 순서를 나타내는 개략도이고, 도 1의 한쪽측의 웨이퍼 수납 용기(15), 로드록실(13) 및 반응로(11)에 대응하고, 웨이퍼 수납 용기(15)에는, 복수매의 웨이퍼(W1, W2, W3…)(예를 들면 합계 25매)가 수납되고, 이 순서로 처리를 개시하는 것으로 한다.
도 7의 공정 S0은, 지금부터 기상 성장 장치(1)를 이용하여 처리를 개시하는 스탠바이 상태를 나타내고, 웨이퍼 수납 용기(15)에는, 복수매의 웨이퍼(W1, W2, W3…)(예를 들면 합계 25매)가 수납되고, 로드록실(13)의 제1 홀더(172)에는 빈 캐리어(C1)가 지지되고, 제2 홀더(173)에는 빈 캐리어(C2)가 지지되고, 로드록실(13)은 불활성 가스 분위기로 되어 있는 것으로 한다.
다음의 공정 S1에 있어서, 제2 로봇(141)은, 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납된 웨이퍼(W1)를 제2 블레이드(143)에 싣고, 로드록실(13)의 제1 도어(131)를 열어, 제1 홀더(172)에 지지된 캐리어(C1)에 이재한다. 이 이재의 순서는, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같다.
다음의 공정 S2에 있어서, 로드록실(13)의 제1 도어(131)를 닫고, 제2 도어(132)도 닫은 상태에서, 로드록실(13)의 내부를 재차 불활성 가스 분위기로 치환한다. 그리고, 제2 도어(132)를 열고, 제1 로봇(121)의 제1 블레이드(123)에 캐리어(C1)를 싣고, 반응로(11)의 게이트 밸브(114)를 열어, 당해 게이트 밸브(114)를 통하여 웨이퍼(W1)가 탑재된 캐리어(C1)를 서셉터(112)에 이재한다. 이 이재의 순서는, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같다. 공정 S2∼S4에 있어서, 반응로(11)에서는, 웨이퍼(W1)에 대한 CVD막의 생성 처리가 행해진다.
즉, 처리 전의 웨이퍼(W1)가 탑재된 캐리어(C1)를 반응실(111)의 서셉터(112)에 이재하여 게이트 밸브(114)를 닫고, 소정 시간만큼 대기한 후, 가스 공급 장치(113)에 의해 반응실(111)에 수소 가스를 공급하여 반응실(111)을 수소 가스 분위기로 한다. 이어서 가열 램프로 반응실(111)의 웨이퍼(W1)를 소정 온도로 승온하고, 필요에 따라서 에칭이나 열처리 등의 전 처리를 실시한 후, 가스 공급 장치(113)에 의해 원료 가스나 도펀트 가스의 유량 및/또는 공급 시간을 제어하면서 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W1)의 표면에 CVD막이 생성된다. CVD막이 형성되면, 가스 공급 장치(113)에 의해 반응실(111)에 재차 수소 가스를 공급하여 반응실(111)을 수소 가스 분위기로 치환한 후, 소정 시간만큼 대기한다.
이와 같이 공정 S2∼S4에 있어서, 반응로(11)에 의해 웨이퍼(W1)에 처리를 행하고 있는 동안, 제2 로봇(141)은, 웨이퍼 수납 용기(15)로부터 다음의 웨이퍼(W2)를 취출하여, 다음의 처리의 준비를 한다. 그 전에, 본 실시 형태에서는, 공정 S3에 있어서, 로드록실(13)의 제2 도어(132)를 닫고, 제1 도어(131)도 닫은 상태에서, 로드록실(13)의 내부를 불활성 가스 분위기로 치환한다. 그리고, 제2 도어(132)를 열고, 제1 로봇(121)에 의해, 제2 홀더(173)에 지지되어 있는 캐리어(C2)를 제1 홀더(172)에 이재하여, 제2 도어(132)를 닫는다. 이에 연속하여, 공정 S4에 있어서, 제2 로봇(141)은, 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납된 웨이퍼(W2)를 제2 블레이드(143)에 싣고, 제1 도어(131)를 열어, 로드록실(13)의 제1 홀더(172)에 지지된 캐리어(C2)에 이재한다.
이와 같이 본 실시 형태에서는, 공정 S3을 추가하고, 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납된 처리 전의 웨이퍼(WF)는, 로드록실(13)의 홀더(17)의 최상단의 홀더인 제1 홀더(172)에 탑재한다. 이것은 이하의 이유에 의한다. 즉, 공정 S2에 나타내는 바와 같이, 다음의 웨이퍼(W2)를 탑재하는 빈 캐리어(C2)가 제2 홀더(173)에 지지되어 있는 경우, 이에 웨이퍼(W2)를 탑재하면, 처리 후의 웨이퍼(W1)를 탑재한 캐리어(C1)가 제1 홀더(172)에 이재될 가능성이 있다. 본 실시 형태의 기상 성장 장치(1)의 캐리어(C)는, 반응실(111)에까지 반송되기 때문에, 캐리어(C)가 파티클의 발생 요인이 되고, 처리 전의 웨이퍼(W2)의 상부에 캐리어(C1)가 지지되면, 처리 전의 웨이퍼(W2)에 먼지가 낙하할 우려가 있다. 그 때문에, 처리 전의 웨이퍼(WF)는, 로드록실(13)의 홀더(17)의 최상단의 홀더(제1 홀더(172))에 탑재하도록, 공정 S3을 추가하고, 빈 캐리어(C2)를 제1 홀더(172)에 이재한다.
공정 S5에 있어서, 로드록실(13)의 제1 도어(131)를 닫고, 제2 도어(132)도 닫은 상태에서, 로드록실(13)의 내부를 불활성 가스 분위기로 치환한다. 그리고, 반응로(11)의 게이트 밸브(114)를 열어, 제1 로봇(121)의 제1 블레이드(123)를 반응실(111)에 삽입하고, 처리 후의 웨이퍼(W1)를 탑재한 캐리어(C1)를 싣고, 반응실(111)로부터 취출하여, 게이트 밸브(114)를 닫은 후, 제2 도어(132)를 열어, 로드록실(13)의 제2 홀더(173)에 이재한다. 이에 연속하여, 제1 로봇(121)의 제1 블레이드(123)에, 제1 홀더(172)에 지지된 캐리어(C2)를 싣고, 이 처리 전의 웨이퍼(W2)를 탑재한 캐리어(C2)를, 공정 S6에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 이재실(12)을 통하여, 게이트 밸브(114)를 열어 반응로(11)의 서셉터(112)에 이재한다.
공정 S6∼S9에 있어서, 반응로(11)에서는, 웨이퍼(W2)에 대한 CVD막의 생성 처리가 행해진다. 즉, 처리 전의 웨이퍼(W2)가 탑재된 캐리어(C2)를 반응실(111)의 서셉터(112)에 이재하여 게이트 밸브(114)를 닫고, 소정 시간만큼 대기한 후, 가스 공급 장치(113)에 의해 반응실(111)에 수소 가스를 공급하여 반응실(111)을 수소 가스 분위기로 한다. 이어서 가열 램프로 반응실(111)의 웨이퍼(W2)를 소정 온도로 승온하고, 필요에 따라서 에칭이나 열처리 등의 전 처리를 실시한 후, 가스 공급 장치(113)에 의해 원료 가스를 유량 및/또는 공급 시간을 제어하면서 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W2)의 표면에 CVD막이 생성된다. CVD막이 형성되면, 가스 공급 장치(113)에 의해 반응실(111)에 재차 수소 가스를 공급하여 반응실(111)을 수소 가스 분위기로 치환한 후, 소정 시간만큼 대기한다.
이와 같이 공정 S6∼S9에 있어서, 반응로(11)에 의해 웨이퍼(W2)에 처리를 행하고 있는 동안, 제2 로봇(141)은, 처리 후의 웨이퍼(W1)를 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납함과 함께, 웨이퍼 수납 용기(15)로부터 다음의 웨이퍼(W3)를 취출하여, 다음의 처리의 준비를 한다. 즉, 공정 S7에 있어서, 로드록실(13)의 제2 도어(132)를 닫고, 제1 도어(131)도 닫은 상태에서, 로드록실(13)의 내부를 불활성 가스 분위기로 치환한다. 그리고, 제1 도어(131)를 열고, 제2 로봇(141)에 의해, 제2 홀더(173)에 지지되어 있는 캐리어(C1)로부터 처리 후의 웨이퍼(W1)를 제2 블레이드(143)에 싣고, 공정 S8에 나타내는 바와 같이 당해 처리 후의 웨이퍼(W1)를 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납한다. 이에 연속하여, 전술한 공정 S3과 마찬가지로, 공정 S8에 있어서, 로드록실(13)의 제1 도어(131)를 닫고, 제2 도어(132)도 닫은 상태에서, 로드록실(13)의 내부를 불활성 가스 분위기로 치환한다. 그리고, 제2 도어(132)를 열고, 제1 로봇(121)에 의해, 제2 홀더(173)에 지지되어 있는 캐리어(C1)를 제1 홀더(172)에 이재한다.
이에 연속하여, 공정 S9에 있어서, 로드록실(13)의 제2 도어(132)를 닫고, 제1 도어(131)도 닫은 상태에서, 로드록실(13)의 내부를 불활성 가스 분위기로 치환한다. 그리고, 제2 로봇(141)에 의해, 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납된 웨이퍼(W3)를 제2 블레이드(143)에 싣고, 공정 S9에 나타내는 바와 같이, 제1 도어(131)를 열고, 로드록실(13)의 제1 홀더(172)에 지지된 캐리어(C1)에 이재한다.
공정 S10에 있어서는, 전술한 공정 S5와 마찬가지로, 로드록실(13)의 제1 도어(131)를 닫고, 제2 도어(132)도 닫은 상태에서, 로드록실(13)의 내부를 불활성 가스 분위기로 치환한다. 그리고, 반응로(11)의 게이트 밸브(114)를 열어, 제1 로봇(121)의 제1 블레이드(123)를 반응실(111)에 삽입하고, 처리 후의 웨이퍼(W2)를 탑재한 캐리어(C2)를 싣고, 게이트 밸브(114)를 닫은 후, 제2 도어(132)를 열어, 반응실(111)로부터 로드록실(13)의 제2 홀더(173)에 이재한다. 이에 연속하여, 제1 로봇(121)의 제1 블레이드(123)에, 제1 홀더(172)에 지지된 캐리어(C1)를 싣고, 이 처리 전의 웨이퍼(W3)를 탑재한 캐리어(C1)를, 공정 S11에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 이재실(12)을 통하여, 반응로(11)의 서셉터(112)에 이재한다.
공정 S10에 있어서, 전술한 공정 S7과 마찬가지로, 로드록실(13)의 제2 도어(132)를 닫고, 제1 도어(131)도 닫은 상태에서, 로드록실(13)의 내부를 불활성 가스 분위기로 치환한다. 그리고, 제1 도어(131)를 열고, 제2 로봇(141)에 의해, 제2 홀더(173)에 지지되어 있는 캐리어(C2)로부터 처리 후의 웨이퍼(W2)를 제2 블레이드(143)에 싣고, 공정 S11에 나타내는 바와 같이 당해 처리 후의 웨이퍼(W2)를 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납한다. 이하, 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납된 모든 처리 전의 웨이퍼(WF)의 처리가 종료될 때까지, 이상의 공정을 반복한다.
이상과 같이, 본 실시 형태의 기상 성장 장치(1)에 있어서는, 반응로(11)에서 처리를 행하고 있는 동안에, 다음의 처리 전의 웨이퍼(WF)를 웨이퍼 수납 용기(15)로부터 취출하여 준비하거나, 처리 후의 웨이퍼(WF)를 웨이퍼 수납 용기(15)에 수납하거나 함으로써, 반송에만 소비되는 시간을 최대한 적게 한다. 이 경우, 본 실시 형태의 홀더(17)와 같이, 로드록실(13)에 있어서의 캐리어(C)의 대기수를 2개 이상으로 설정하면, 반송에만 소비되는 시간의 단축 자유도가 보다 한층 높아진다. 그리고, 로드록실(13)의 전유(專有) 스페이스를 고려하면, 복수의 캐리어(C)를 좌우로 나열하는 것보다 상하로 다단으로 나열하는 쪽이, 기상 성장 장치(1)의 전체의 전유 스페이스가 작아진다. 단, 복수의 캐리어(C)를 상하로 다단으로 나열하면, 처리 전의 웨이퍼(WF)의 상부에 캐리어(C)가 지지되는 경우가 있어, 처리 전의 웨이퍼(WF)에 먼지가 낙하할 우려가 있다. 그러나, 본 실시 형태의 기상 성장 장치(1)에서는, 처리 전의 웨이퍼(WF)는, 로드록실(13)의 홀더(17)의 최상단의 홀더(제1 홀더(172))에 탑재하도록, 공정 S3, S8을 추가하고, 빈 캐리어(C2)를 제1 홀더(172)에 이재하기 때문에, 처리 전의 웨이퍼(WF)는 최상단의 캐리어(C)에 탑재된다. 이 결과, 캐리어(C)에 기인하는 파티클이 웨이퍼(WF)에 부착하는 것을 억제할 수 있어, LPD 품질을 높일 수 있다.
1 : 기상 성장 장치
11 : 반응로
111 : 반응실
112 : 서셉터
1121 : 홈(가스 발취공)
1122 : 관통공(가스 발취공)
113 : 가스 공급 장치
114 : 게이트 밸브
115 : 캐리어 리프트 핀
12 : 웨이퍼 이재실
121 : 제1 로봇
122 : 제1 로봇 컨트롤러
123 : 제1 블레이드
124 : 제1 오목부
13 : 로드록실
131 : 제1 도어
132 : 제2 도어
14 : 팩토리 인터페이스
141 : 제2 로봇
142 : 제2 로봇 컨트롤러
143 : 제2 블레이드
15 : 웨이퍼 수납 용기
16 : 통괄 컨트롤러
17 : 홀더
171 : 홀더 베이스
172 : 제1 홀더
173 : 제2 홀더
174 : 웨이퍼 리프트 핀
C : 캐리어
C11 : 저면
C12 : 상면
C121 : 외주 상면
C122 : 내주 상면
C13 : 외주측 벽면
C14 : 내주측 벽면
C15 : 관통공
WF : 웨이퍼
WP : 웨이퍼 포켓

Claims (9)

  1. 웨이퍼의 외연을 지지하는 링 형상의 캐리어를 구비하고, 복수의 당해 캐리어를 이용하여, 복수의 처리 전의 웨이퍼를, 적어도 상기 웨이퍼에 CVD막을 형성하는 반응실로 순차적으로 반송함과 함께,
    상기 반응실에는, 상기 캐리어를 지지하는 서셉터가 설치된 기상 성장 장치에 있어서,
    상기 캐리어는, 상기 서셉터의 상면에 올려 놓여지는 저면과, 상기 웨이퍼의 이면의 외연에 접촉하여 지지하는 상면과, 외주측 벽면과, 내주측 벽면을 갖는 링 형상으로 형성되고,
    상기 서셉터, 또는 상기 서셉터 및 상기 캐리어에, 상기 웨이퍼, 상기 캐리어 및 상기 서셉터로 구분되는 공간과, 상기 서셉터의 이면의 사이를 관통하는 가스 발취공이 형성되어 있는 기상 성장 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 캐리어를 이용하여, 복수의 처리 전의 웨이퍼를, 팩토리 인터페이스, 로드록실 및 웨이퍼 이재실(移載室)을 통하여 상기 반응실로 순차적으로 반송함과 함께,
    복수의 처리 후의 웨이퍼를, 상기 반응실로부터, 상기 웨이퍼 이재실, 상기 로드록실을 통하여 상기 팩토리 인터페이스로 순차적으로 반송하고,
    상기 로드록실은, 제1 도어를 통하여 상기 팩토리 인터페이스와 연통함과 함께, 제2 도어를 통하여 상기 웨이퍼 이재실과 연통하고,
    상기 웨이퍼 이재실은, 게이트 밸브를 통하여 상기 반응실과 연통하고,
    상기 웨이퍼 이재실에는, 상기 로드록실에 반송되어 온 처리 전의 웨이퍼를 캐리어에 탑재된 상태에서 상기 반응실에 투입함과 함께, 상기 반응실에 있어서 처리를 끝낸 처리 후의 웨이퍼를 캐리어에 탑재된 상태에서 상기 반응실로부터 취출하여 상기 로드록실에 반송하는 제1 로봇이 설치되고,
    상기 팩토리 인터페이스에는, 처리 전의 웨이퍼를 웨이퍼 수납 용기로부터 취출하여, 상기 로드록실에서 대기하는 캐리어에 탑재함과 함께, 상기 로드록실에 반송되어 온, 캐리어에 탑재된 처리 후의 웨이퍼를, 상기 웨이퍼 수납 용기에 수납하는 제2 로봇이 설치되고,
    상기 로드록실에는, 캐리어를 지지하는 홀더가 설치되어 있는 기상 성장 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스 발취공은, 상기 서셉터에만 형성되어 있는 기상 성장 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스 발취공은, 상기 서셉터 및 상기 캐리어를 관통하여 형성되어 있는 기상 성장 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 서셉터에 형성된 가스 발취공과, 상기 캐리어에 형성된 가스 발취공은, 직경이 상이한 기상 성장 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 서셉터에 형성된 가스 발취공의 직경은, 상기 캐리어에 형성된 가스 발취공의 직경보다 큰 기상 성장 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 서셉터에 형성된 가스 발취공의 직경은, 상기 캐리어에 형성된 가스 발취공의 직경보다 작은 기상 성장 장치.
  8. 웨이퍼의 외연을 지지하는 링 형상의 캐리어로서,
    상기 캐리어를 이용하여,
    복수의 처리 전의 웨이퍼를, 적어도 상기 웨이퍼에 CVD막을 형성하는 반응실로 순차적으로 반송하는 기상 성장 장치용 캐리어에 있어서,
    상기 반응실의 서셉터의 상면에 올려 놓여지는 저면과, 상기 웨이퍼의 이면의 외연에 접촉하여 지지하는 상면과, 외주측 벽면과, 내주측 벽면을 갖는 링 형상으로 형성됨과 함께, 상기 웨이퍼, 상기 캐리어 및 상기 서셉터로 구분되는 공간과, 상기 서셉터의 이면의 사이를 관통하는 가스 발취공이 형성되어 있는 기상 성장 장치용 캐리어.
  9. 상기 복수의 캐리어를 이용하여,
    복수의 처리 전의 웨이퍼를, 팩토리 인터페이스, 로드록실 및 웨이퍼 이재실을 통하여 상기 반응실로 순차적으로 반송함과 함께,
    복수의 처리 후의 웨이퍼를, 상기 반응실로부터, 상기 웨이퍼 이재실, 상기 로드록실을 통하여 상기 팩토리 인터페이스로 순차적으로 반송하는 기상 성장 장치용 캐리어.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088198A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sumitomo Sitix Corp 気相成長装置用サセプター
JP2004186650A (ja) * 2002-12-06 2004-07-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2005515630A (ja) * 2001-12-21 2005-05-26 三菱住友シリコン株式会社 エピタキシャル成長用サセプタおよびエピタキシャル成長方法
JP2012216614A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
KR20170110352A (ko) 2016-03-23 2017-10-11 이동근 바-타입 이오나이저
JP2018536986A (ja) * 2015-10-15 2018-12-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板キャリアシステム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11297789A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Tokyo Electron Ltd 処理装置
AU6491600A (en) * 1999-07-26 2001-02-13 Emcore Corporation Apparatus for growing epitaxial layers on wafers
JP5440589B2 (ja) * 2010-11-16 2014-03-12 信越半導体株式会社 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
TWI505400B (zh) * 2011-08-26 2015-10-21 Lg Siltron Inc 基座
US20150364352A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Veeco Instruments Inc. Wafer Loading and Unloading
JP6424726B2 (ja) * 2015-04-27 2018-11-21 株式会社Sumco サセプタ及びエピタキシャル成長装置
JP7003905B2 (ja) * 2018-12-27 2022-01-21 株式会社Sumco 気相成長装置
JP7163764B2 (ja) * 2018-12-27 2022-11-01 株式会社Sumco 気相成長装置
JP7147551B2 (ja) * 2018-12-27 2022-10-05 株式会社Sumco 気相成長装置及びこれに用いられるキャリア
JP7188256B2 (ja) * 2019-04-18 2022-12-13 株式会社Sumco 気相成長方法及び気相成長装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088198A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sumitomo Sitix Corp 気相成長装置用サセプター
JP2005515630A (ja) * 2001-12-21 2005-05-26 三菱住友シリコン株式会社 エピタキシャル成長用サセプタおよびエピタキシャル成長方法
JP2004186650A (ja) * 2002-12-06 2004-07-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2012216614A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2018536986A (ja) * 2015-10-15 2018-12-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板キャリアシステム
KR20170110352A (ko) 2016-03-23 2017-10-11 이동근 바-타입 이오나이저

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