JP7358145B2 - 加工装置、及び、ウェーハの加工方法 - Google Patents

加工装置、及び、ウェーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7358145B2
JP7358145B2 JP2019170167A JP2019170167A JP7358145B2 JP 7358145 B2 JP7358145 B2 JP 7358145B2 JP 2019170167 A JP2019170167 A JP 2019170167A JP 2019170167 A JP2019170167 A JP 2019170167A JP 7358145 B2 JP7358145 B2 JP 7358145B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cutting
holding
holding table
convex portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019170167A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021048278A (ja
Inventor
智瑛 杉山
惇 名嘉眞
芳昌 小嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2019170167A priority Critical patent/JP7358145B2/ja
Priority to KR1020200109129A priority patent/KR20210033891A/ko
Priority to SG10202008692TA priority patent/SG10202008692TA/en
Priority to CN202010977795.7A priority patent/CN112530837A/zh
Priority to DE102020211655.5A priority patent/DE102020211655A1/de
Priority to TW109132003A priority patent/TWI856182B/zh
Publication of JP2021048278A publication Critical patent/JP2021048278A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7358145B2 publication Critical patent/JP7358145B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02016—Backside treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、裏面の円形の凹部により外周凸部が形成されるウェーハを加工する加工装置、及び加工装置を用いた加工方法に関する。
半導体ウェーハの加工工程において、薄化されたウェーハの裏面に金属膜を成膜する工程では、ウェーハの強度不足によりウェーハ破損が生じることが懸念される。
このウェーハ破損を防ぐため、ウェーハの裏面を研削する際に外周余剰領域は研削せずに、元の厚みのままで残存させて外周凸部を形成し、外周凸部にて補強部を構成する技術が知られている。
そして、金属膜を成膜した後に個々のチップへとダイシングする際には、ウェーハの表面を上にした状態で切削する必要があるため、外周凸部に囲まれた円形の凹部の形状に対応する保持テーブルが利用されるものであり、例えば、特許文献１では、円形の凹部に嵌合する円盤状ポーラス吸着部を備えた所謂凸型の保持テーブルについて開示している。
他方、特許文献２では、ウェーハの裏面のうちデバイス領域に相当する領域の研削により円形の凹部を形成して外周凸部を形成し、裏面研削後のウェーハのデバイス領域または裏面に追加加工を施した後に、追加加工後のウェーハの外周凸部を除去する技術について開示がされている。
特開２０１０－０１６１４６号公報 特開２００７－０１９３７９号公報
しかし、補強部である外周凸部の幅はウェーハのパターン（チップサイズやデバイス領域のサイズ）等によって異なるものである。このため、特許文献１に開示されるような凸型の保持テーブルによる構成では、各ウェーハの幅の異なる外周凸部に対応する保持テーブルを製作する必要が生じるとともに、その管理負担も生じ、煩雑なものとなる。また、加工の際に交換する手間が生じ、これにより、装置の稼働時間も削減されてしまうことになる。
凸型の保持テーブルを用いない方法として、ウェーハの裏面を上にして露出させた状態でウェーハの切削することが考えられるが、ウェーハの裏面に金属膜が成膜されているとＩＲカメラで表面側が撮像できないため、ストリートが検出できず、アライメントができないという問題がある。
以上を踏まえ、外周凸部の上端を成膜せずに、この領域をＩＲカメラで撮像してストリートを検出することも考えられるが、外周部分はパターン精度が低く、高精度のアライメントをすることが難しいことになり、この方法も採用することは難しい。
他方、特許文献２のように、外周凸部を除去してウェーハの裏面を平坦にした後、ウェーハの表面を上にしてダイシングすることが考えられる。これによれば、凸型の保持テーブルを用いる必要がない。
この場合、ウェーハの表面を露出して加工するために、ウェーハの裏面にテープを貼着する作業が必要となるが、薄化されたウェーハの補強部である外周凸部が除去されることでウェーハの強度が弱くなっているため、テープを貼着する作業の際にウェーハを破損してしまうおそれがある。
本発明は、以上の問題に鑑み、裏面に円形の凹部と外周凸部が形成されるウェーハにおいて、保持テーブルからウェーハを取り外すことなくウェーハの個片化を可能とする技術を提案するものである。
本発明の一態様によれば、
表面の交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域に対応する裏面に凹部が形成されるとともに該凹部を囲繞する外周凸部が形成されたウェーハを加工する加工装置であって、
該ウェーハの該表面側を保持する、透明材からなる保持部を有した回転可能な保持テーブルと、
該保持テーブルで保持された該ウェーハの該表面を該保持部を介して撮像する下方撮像カメラと、
該ウェーハの裏面の該外周凸部を切削して該外周凸部の高さを減ずる第一切削ブレードを有する第一切削ユニットと、該下方撮像カメラで撮像した該ウェーハの該表面の該ストリートに沿って該ウェーハを切削する第二切削ブレードを有する第二切削ユニットと、を備えた切削機構と、
該保持テーブルと該切削機構とを相対移動させる移動機構と、を備えた加工装置とする。
また、本発明の一態様によれば、
該保持テーブルで保持されたウェーハの該裏面を撮像する上方撮像カメラを更に備えたこととする。
また、本発明の一態様によれば、
ウェーハの加工方法であって、
表面の交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域に対応する裏面に凹部が形成されるとともに該凹部を囲繞する外周凸部が形成されたウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、
該ウェーハの表面に透明な保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
該保護部材を介して該ウェーハの該表面側を該保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持テーブルで保持された該ウェーハの該外周凸部に対して該第一切削ブレードの先端を該凹部の底面に至らない高さに切り込ませて切削し該外周凸部の高さを減ずる第一切削ステップと、
該第一切削ステップを実施した後、該下方撮像カメラで該保持部と該保護部材を介して該ウェーハの該表面を撮像してストリートを検出するストリート検出ステップと、
該ストリート検出ステップで検出した該ストリートに沿って該第二切削ブレードで該ウェーハを切削する第二切削ステップと、を含むウェーハの加工方法とする。
本発明の構成によれば、裏面に円形の凹部と外周凸部が形成されるウェーハにおいて、保持テーブルからウェーハを取り外すことなくウェーハの個片化が可能となり、保持テーブルからウェーハを取り外して取り扱う際に生じるウェーハの破損の恐れを防ぐことができる。
また、外周凸部が第一切削ブレードにより加工され、外周凸部の部分の厚みが薄くなっているため、第二切削ブレードの刃先出し量を過度に多く設定する必要がなく、適正な刃先出し量で切削が可能となる。これにより、切削ブレードの割れや、ブレの発生などの不具合の発生を抑えることができる。
本発明第一実施形態の加工装置の略斜視図である。 支持ボックス及び保持テーブル部分の分解斜視図である。 （Ａ）支持ボックス上に搭載された保持テーブルの斜視図である。（Ｂ）は下方撮像カメラ及びその支持構造の斜視図である。 保持テーブルと下方撮像カメラの位置関係について説明する図である。 （Ａ）は被加工物の一例であるウェーハの表面について説明する図である。（Ｂ）はウェーハの裏面について説明する図である。 （Ａ）は保護部材の貼着について説明する図である。（Ｂ）はウェーハユニットについて説明する図である。 （Ａ）は第一切削ブレードにて外周凸部を取り除く第一切削ステップについて説明する図である。（Ｂ）は外周凸部を取り除いた状態について示す図である。 （Ａ）は保持パッドを介してウェーハの表面を撮像することについて説明する図である。（Ｂ）は第二切削ユニットによる切削加工について説明する図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る加工装置２の斜視図である。加工装置２は２つの切削ブレードが対向して配設されたフェイシングデュアルスピンドルタイプの切削装置として構成される。
加工装置２の基台４には、保持テーブル２７が移動機構１２（図３（Ａ））によりＸ軸方向に往復動可能に配設されている。保持テーブル２７の周囲にはウォーターカバー１４が配設されており、このウォーターカバー１４と基台４にわたり蛇腹１６が連結されている。
基台４の前側角部には、後述する被加工物を収容するカセット２０を載置するためのカセット載置台２１が設けられる。
基台４上には門型形状のコラム２４が立設されており、コラム２４にはＹ軸方向に伸長する一対のガイドレール２６が固定されている。コラム２４には第一Ｙ軸移動ブロック２８が、ボールねじ３０とパルスモータ（不図示）とからなる第一Ｙ軸移動機構３４によりガイドレール２６に案内されてＹ軸方向に移動可能に搭載されている。
第一Ｙ軸移動ブロック２８にはＺ軸方向に伸長する一対のガイドレール３６が固定されている。第一Ｙ軸移動ブロック２８上には、第一Ｚ軸移動ブロック３８がボールねじ４０とパルスモータ４２とからなる第一Ｚ軸移動機構４４によりガイドレール３６に案内されてＺ軸方向に移動可能に搭載されている。
第一Ｚ軸移動ブロック３８には第一切削ユニット４６及び上方撮像カメラ５２が取り付けられている。第一切削ユニット４６は、図７（Ａ）に示すように、モータ（不図示）により回転駆動されるスピンドル４８の先端部に第一切削ブレード５０を着脱可能に装着して構成されている。
門型形状のコラム２４には更に、第二Ｙ軸移動ブロック２８ａがボールねじ３０ａとパルスモータ３２ａとからなる第二Ｙ軸移動機構３４ａによりガイドレール２６に案内されてＹ軸方向に移動可能に搭載されている。
第二Ｙ軸移動ブロック２８ａにはＺ軸方向に伸長する一対のガイドレール３６ａが固定されている。第二Ｙ軸移動ブロック２８ａ上には、第二Ｚ軸移動ブロック３８ａがボールねじ４０ａ及びパルスモータ４２ａからなる第二Ｚ軸移動機構４４ａによりガイドレール３６ａに案内されてＺ軸方向に移動可能に搭載されている。
第二Ｚ軸移動ブロック３８ａには第二切削ユニット４６ａが取り付けられている。第二切削ユニット４６ａは、モータ（不図示）により回転駆動されるスピンドルの先端部に第二切削ブレードが着脱可能に装着されて構成されている。
基台４上には、スピンナーテーブル５６を有するスピンナー洗浄ユニット５４が設けられており、切削加工後の被加工物をスピンナーテーブル５６で吸引保持してスピンナー洗浄し、洗浄後更にスピン乾燥するものである。
図２は、保持テーブル２７の構成について説明する図である。
保持テーブル２７は環状支持部材６２と、円盤状の保持パッド７４とを有する。環状支持部材６２は、嵌合凸部６４と、嵌合凸部６４より大径のベルト巻回部６６と、嵌合凸部６４と略同一径の環状収容部６８と、軸方向に貫通する貫通部６５と、貫通部６５を形成する内周面６５ａと、を有する。
環状収容部６８は保持パッド７４の外形と略同一の内径を有しており、環状収容部６８の内側底部には保持パッド７４を支持する環状支持部７０が形成されている。
保持パッド７４は、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、サファイア、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム等の透明物質から形成されており、その表面の保持部７４ａには、多数の細孔７６が開口されている。なお、透明物質の「透明」とは、「可視光の少なくとも一部の波長の光を透過し、吸収、散乱しない」ことをいうものであり、後述する外周凸部検出ステップや、ストリート検出ステップの実行を可能とするものであればよく、着色されたものであってもよい。また、細孔７６の配置については、特に図２に示されるように円周上に配置されるものに限定されず、例えば、保持部７４ａの全面に配置されるものであってもよい。
各細孔７６は保持パッド７４の内部に形設した吸引溝７８ａ（図４）に連通しており、環状支持部材６２の環状支持部７０には保持パッド７４の吸引溝７８ａ（図４）に連通する連通路７２が形成されている。連通路７２は吸引源８０に接続されている。
保持パッド７４を環状支持部材６２の環状支持部７０上に搭載し、環状支持部材６２の嵌合凸部６４を支持ボックス１５の円形開口１５ａ中に嵌合すると、図３（Ａ）に示すように保持テーブル２７が支持ボックス１５に回転可能に搭載された状態となる。
支持ボックス１５の連結板１５ｂにはモータ１７が取り付けられており、モータ１７の出力軸に連結されたプーリー１７ａと環状支持部材６２のベルト巻回部６６に渡りベルト２９が巻回されている。モータ１７を駆動すると、ベルト２９を介して保持テーブル２７が回転される。
モータ１７は例えばパルスモータから構成され、アライメント遂行時にモータ１７を所定パルスで駆動すると、保持テーブル２７が所定量回転（θ回転）されて、図５（Ａ）示すウェーハ１０のストリート（分割予定ライン）１３のアライメントを行うことができる。
支持ボックス１５の上板１５ｃには、複数（本実施形態では４個）のフレーム支持台１５ｄが形成されており、これらのフレーム支持台１５ｄの上面で後述する環状フレームを支持する。
図３（Ａ）に示すように、支持ボックス１５は、Ｘ軸方向に固定的に延在する一対のガイドレール３１にスライド可能に載置されており、移動機構２３によりＸ軸方向に移動される。移動機構２３は、ガイドレール３１の間に平行に配置されるボールネジ２３ａと、パルスモータ２３ｂを有して構成される。
図３（Ａ）に示すように、ボールネジ２３ａは支持ボックス１５の下板１５ｅの下面に設けた雌ネジ部に螺合され、パルスモータ２３ｂを駆動してボールネジ２３ａを回転させることで、支持ボックス１５がＸ軸方向に移動する。
図３（Ａ）に示すように、保持テーブル２７の支持ボックス１５の近傍には、保持テーブル２７に保持された半導体ウェーハ等の被加工物を保持パッド７４の下側から撮像する下方撮像カメラ８２が設けられている。
図３（Ａ）に示すように、下方撮像カメラ８２は、Ｙ軸移動ブロック８３に立設されるコラム９６に設けられる。Ｙ軸移動ブロック８３は、Ｙ軸方向に固定的に延在する一対のガイドレール８１にスライド可能に載置されており、駆動手段８５によりＹ軸方向に移動される。駆動手段８５は、ガイドレール８１の間に平行に配置されるボールネジ８５ａと、パルスモータ８５ｂを有して構成される。
図３（Ａ）に示すように、ボールネジ８５ａはＹ軸移動ブロック８３の下面に設けた雌ネジ部に螺合され、パルスモータ８５ｂを駆動してボールネジ８５ａを回転させることで、Ｙ軸移動ブロック８３がＹ軸方向に移動する。
図３（Ｂ）に示すように、下方撮像カメラ８２は低倍率カメラ８６及び高倍率カメラ８８を有するカメラユニット８４を有する。カメラユニット８４の側面にはカメラユニット８４での撮像時に撮像箇所を照明するための２個の照明装置９０，９２が取り付けられる。
図３（Ｂ）に示すように、カメラユニット８４は支持プレート９４により支持され、支持プレート９４の基端部はＺ軸移動ブロック９８に固定されている。Ｙ軸移動ブロック８３に立設されるコラム９６には、ボールねじ１００及びパルスモータ１０２から構成されるＺ軸移動手段１０４により、下方撮像カメラ８２を構成するカメラユニット８４は一対のガイドレール１０６に沿ってＺ軸方向（上下方向）に移動される。
図４に示すように、支持ボックス１５は、上板１５ｃ、下板１５ｅ、及び、連結板１５ｂにて側面視において略コ字をなしており、連結板１５ｂの反対側には、上板１５ｃと下板１５ｅの間の空間に下方撮像カメラ８２の進入を可能とする開口部１５ｇが形成される。
次に、以上の装置構成を用いた加工方法の例について説明する。
＜ウェーハ準備ステップ＞
まず、図５（Ａ）（Ｂ）に示される被加工物の一例であるウェーハ１０を準備する。
図５（Ａ）はウェーハ１０の表面１０ａを示すものであり、デバイス１１が格子状に配列され、ストリート１３に沿って切削加工などの分割加工が施されることにより、チップに分割されるものである。
図５（Ｂ）はウェーハ１０の裏面１０ｂを示すものであり、円盤状のウェーハ１０と同心上の円形の凹部１８と、凹部１８の周囲を取り囲むように外周凸部１９が形設されている。凹部１８は、表面１０ａにおいてデバイス１１が形成されるデバイス領域に対応する部分に構成される。なお、凹部１８や外周凸部１９には、その表面に金属膜が形成されている場合がある。
＜保護部材配設ステップ＞
以上のウェーハ１０について、図６（Ａ）に示すように、ウェーハ１０の表面１０ａ側にデバイスを保護する保護部材として透明のテープＴを貼着するとともに、図６（Ｂ）に示すように、テープＴを介して環状フレームＦに貼着させ、ウェーハユニット８を構成する。なお、ここで言うテープＴの「透明」とは、「可視光の少なくとも一部の波長の光を透過し、吸収、散乱しない」ことをいうものであり、後述する外周凸部検出ステップや、ストリート検出ステップの実行を可能とするものであればよく、着色されたものであってもよい。また、保護部材としては、伸縮性のある樹脂製のテープのほか、ハードプレート（ガラスや樹脂等）であってもよい。
テープＴは、例えば、１０～２００μｍの厚みを有する塩化ビニール、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、又はポリイミド（ＰＩ）等の基材とアクリルやゴム系の糊層とで構成される。
＜保持ステップ＞
次いで、図４に示すように、ウェーハユニット８を保持テーブル２７の上に配置し、ウェーハ１０をテープＴを介して保持テーブル２７にて保持する状態とする。具体的には、ウェーハユニット８のテープＴが保持テーブル２７の保持パッド７４上に載置し、吸引源８０による吸引を開始して、細孔７６を通じてテープＴの裏面側を吸引保持する。また、この際ウェーハユニット８の環状フレームＦは、フレーム支持台１５ｄに載置される。
＜外周凸部検出ステップ＞
次いで、図４に示すように、上方撮像カメラ５２により、ウェーハ１０の外周凸部１９の位置を検出する。具体的には、上方撮像カメラ５２で撮像した画像を画像解析し、外周凸部１９の外周縁の位置、すなわちウェーハの外周縁の位置を検出する。また、外周凸部１９の幅Ｗ（ウェーハ１０の半径方向の幅）やウェーハ径は、ウェーハの種類毎にウェーハ１０の属性情報として予め加工装置側で認識されている。
なお、このように上方撮像カメラ５２（図４）の撮像画像により外周凸部１９の外周縁の位置を検出する代わりに、下方撮像カメラ８２で下側からウェーハ１０を撮像し、撮像した画像を画像解析することで、外周凸部１９の外周縁（ウェーハの外周縁）の位置を検出することとしてもよい。これによれば、上方撮像カメラ５２（図４）による撮像を省略することや、装置構成によっては、上方撮像カメラ５２（図４）の設置を省略することができる。
＜第一切削ステップ＞
次いで、図７（Ａ）に示すように、第一切削ユニット４６の第一切削ブレード５０を外周凸部１９に位置づけるとともに、第一切削ブレード５０を外周凸部１９に切り込ませることで、外周凸部１９を切削により取り除く。
より具体的には、外周凸部１９の上方に位置づけた第一切削ブレード５０を第一の所定高さまで下降して切り込ませるとともに、保持テーブル２７を回転させることで、外周凸部１９を切削により取り除く。保持テーブル２７の回転は、図３（Ａ）に示すように、モータ１７を駆動してベルト２９を介して保持テーブル２７を回転させることにより行なわれる。第一切削ブレード５０と保持テーブル２７（外周凸部１９）の位置合わせは、上述した外周凸部検出ステップにより求められたウェーハ１０の外周凸部１９の外周縁（ウェーハの外周縁）の座標を利用することで行うことができる。
ここで、「第一の所定高さ」とは、第一切削ブレード５０がデバイス領域の裏面１０ｂ（図７（Ａ））の例では金属膜１８ａ）に到達しない高さであり、ウェーハ１０の厚みや、凹部１８の深さに基づいて規定されるものである。
以上のように外周凸部１９が取り除かれることで、図７（Ｂ）に示すような状態となる。なお、図７（Ａ）（Ｂ）に示すウェーハ１０においては、凹部１８の範囲に金属膜１８ａが形成されているが、金属膜１８ａが形成されていないウェーハ１０についても、本願発明は適用できるものである。
また、以上のように外周凸部１９と第一切削ブレード５０の位置合わせを厳密に行って切削により取り除くことに代えて、次のように実施をしてもよい。まず、第一切削ブレード５０を上述した第一の所定高さに位置づける。次いで、保持テーブル２７のＸ軸方向移動（図１）と第一切削ブレード５０のＹ軸方向（図１）のインデックス送りを繰り返し、ウェーハ１０の全範囲をカバーするようにウェーハ１０と第一切削ブレード５０を相対移動させる。これにより、ウェーハ１０の全範囲の外周凸部１９を取り除くことができる。
また、保持テーブル２７が３６０度回転可能な構成において、外周凸部検出ステップを実施せず、ウェーハ１０の直径と保持テーブル２７の中心位置をもとに第一切削ブレード５０をウェーハ１０の外周縁に位置付け、保持テーブル２７を３６０度の範囲で回転させることで第１切削ステップを実施することとしてもよい。
さらに、保持テーブル２７が１８０度回転可能とする構成において、外周凸部検出ステップを実施せず、ウェーハ１０の直径と保持テーブル２７の中心位置をもとに第一切削ブレード５０をウェーハ１０の外周縁の一端側に位置付け、保持テーブル２７を時計回りに１８０度の範囲で回転させてウェーハ１０の１８０度の範囲の外周凸部１９を取り除いた後、第一切削ブレード５０をウェーハ１０の中心を挟んで該一端側と対面する他端側に位置付け、保持テーブル２７を反時計回りに１８０度の範囲で回転させて、残りの外周凸部１９を取り除くことで、第１切削ステップを実施することとしてもよい。
以上のような形態では、上方撮像カメラ５２、或いは、下方撮像カメラ８２による外周凸部１９の外周縁を検出するための撮像を省略することができ、外周凸部検出ステップを省略できる。
＜ストリート検出ステップ＞
次いで、図４及び図８（Ａ）に示すように、Ｙ軸移動ブロック８３を移動させることで、下方撮像カメラ８２をウェーハ１０の下方に位置づけ、保持テーブル２７の保持パッド７４、テープＴを介して、ウェーハ１０の表面１０ａ（図８（Ａ）において下側の面）を撮像し、ウェーハ１０のストリート１３（図５（Ａ））の検出がされる。
＜第二切削ステップ＞
次いで、図８（Ｂ）に示すように、検出されたストリート１３（図５（Ａ））に沿って、第二切削ユニット４６ａの第二切削ブレード５０ａによる切削加工が行われる。
この切削加工を行う前には、アライメントが実施される。即ち、図３（Ａ）に示すように、モータ１７を駆動してベルト２９を介して保持テーブル２７を回転させて角度変更し、ストリート１３（図５（Ａ））がＸ軸方向、或いは、Ｙ軸方向と平行になるようにするとともに、第二切削ユニット４６ａをＹ軸方向に移動させることで、ストリート１３（図５（Ａ））と第二切削ユニット４６ａの第二切削ブレード５０ａの位置を一致させる。
アライメントを実施した後に、第二切削ユニット４６ａの第二切削ブレード５０ａを先端がウェーハに切り込む第二の所定の高さに位置づけつつ、保持テーブル２７をＸ軸方向（図１）に加工送りし、第二切削ユニット４６ａをＹ軸方向（図１）にインデックス送りして、第一の方向に伸びる全てのストリート１３について第二切削ブレード５０ａによる切削加工を行う。次いで、保持テーブル２７を９０度回転させ、同様に第一の方向に伸びる全てのストリート１３について第二切削ブレード５０ａにて切削加工を行う。第２の所定の高さを、保護部材にブレードの先端が切り込む高さに設定することで、ウェーハ１０がチップに分割される。
この第二切削ステップにおいては、図７（Ｂ）に示すように、外周凸部１９が第一切削ブレード５０により加工され、外周凸部１９の部分の厚みが薄くなっているため、第二切削ブレード５０ａの刃先出し量を過度に多く設定する必要がなく、適正な刃先出し量で切削が可能となる。即ち、仮に、外周凸部１９が存在する場合には、外周凸部１９を切削しつつ刃先をウェーハ１０の表面側まで到達する必要があり、刃先出し量は多く設定する必要があり、切削ブレードの割れや、ブレの発生などの不具合が懸念されるが、このような不具合の発生を回避することが可能となる。また、刃先出し量が少なく済むことで、より薄い切削ブレードを選択することが可能となり、これにより、より精密な切削加工を実現することが可能となる。
なお、第二切削ステップにおいては、ウェーハ１０の厚み方向においてウェーハ１０の貫通させるように切削するフルカットを行うこととするほか、ウェーハ１０の厚み方向において途中の位置まで切削するハーフカットを行うこととしてもよい。
以上のようにして本発明を実現することができる。
即ち、図１乃至図８に示すように、
表面１０ａの交差する複数のストリート１３で区画された各領域にそれぞれデバイス１１が形成されたデバイス領域に対応する裏面１０ｂに凹部１８が形成されるとともに凹部１８を囲繞する外周凸部１９が形成されたウェーハ１０を加工する加工装置であって、
ウェーハ１０の表面１０ａ側を保持する、透明材からなる保持部７４ａを有した回転可能な保持テーブル２７と、
保持テーブル２７で保持されたウェーハ１０の表面１０ａを保持部７４ａを介して撮像する下方撮像カメラ８２と、
ウェーハ１０の裏面１０ｂの外周凸部１９を切削して外周凸部１９の高さを減ずる第一切削ブレード５０を有する第一切削ユニット４６と、下方撮像カメラ８２で撮像したウェーハ１０の表面１０ａのストリート１３に沿ってウェーハ１０を切削する第二切削ブレード５０ａを有する第二切削ユニット４６ａと、を備えた切削機構（第一切削ユニット４６，第二切削ユニット４６ａ）と、
保持テーブル２７と切削機構とを相対移動させる移動機構２３と、を備えた加工装置２、とするものである。
これにより、裏面１０ｂに円形の凹部１８と外周凸部１９が形成されるウェーハ１０において、保持テーブル２７からウェーハを取り外すことなくウェーハ１０の個片化が可能となり、保持テーブル２７からウェーハ１０を取り外して取り扱う際に生じるウェーハ１０の破損の恐れを防ぐことができる。
また、外周凸部１９が第一切削ブレード５０により加工され、外周凸部１９の部分の厚みが薄くなっているため、第二切削ブレード５０ａの刃先出し量を過度に多く設定する必要がなく、適正な刃先出し量で切削が可能となる。これにより、切削ブレードの割れや、ブレの発生などの不具合の発生を抑えることができる。
また、図４に示すように、保持テーブル２７で保持されたウェーハ１０の裏面１０ｂを撮像する上方撮像カメラ５２を更に備えることとするものである。
これにより、外周凸部１９の位置を検出することが可能となり、第一切削ブレード５０の位置を外周凸部１９に合わせて外周凸部１９の加工を行うことが可能となる。
また、即ち、図１乃至図８に示すように、
表面１０ａの交差する複数のストリート１３で区画された各領域にそれぞれデバイス１１が形成されたデバイス領域に対応する裏面１０ｂに凹部１８が形成されるとともに凹部１８を囲繞する外周凸部１９が形成されたウェーハ１０を準備するウェーハ１０準備ステップと、
ウェーハ１０の表面１０ａに透明な保護部材（テープＴ）を配設する保護部材配設ステップと、
保護部材を介してウェーハ１０の表面１０ａ側を保持テーブル２７で保持する保持ステップと、
保持テーブル２７で保持されたウェーハ１０の外周凸部１９に対して第一切削ブレード５０の先端を凹部１８の底面に至らない高さに切り込ませて切削し外周凸部１９の高さを減ずる第一切削ステップと、
第一切削ステップを実施した後、下方撮像カメラ８２で保持部７４ａと保護部材を介してウェーハ１０の表面１０ａを撮像してストリート１３を検出するストリート検出ステップと、
ストリート検出ステップで検出したストリート１３に沿って第二切削ブレード５０ａでウェーハ１０を切削する第二切削ステップと、を含む加工方法とするものである。
これにより、裏面１０ｂに円形の凹部１８と外周凸部１９が形成されるウェーハ１０において、保持テーブル２７からウェーハを取り外すことなくウェーハ１０の個片化が可能となり、保持テーブル２７からウェーハ１０を取り外して取り扱う際に生じるウェーハ１０の破損の恐れを防ぐことができる。
２ 加工装置
１０ ウェーハ
１０ａ 表面
１０ｂ 裏面
１１ デバイス
１３ ストリート
１８ 凹部
１８ａ 金属膜
１９ 外周凸部
２３ 移動機構
２７ 保持テーブル
４６ 第一切削ユニット
４６ａ 第二切削ユニット
５０ 第一切削ブレード
５０ａ 第二切削ブレード
５２ 上方撮像カメラ
７４ 保持パッド
７４ｂ 保持部
８２ 下方撮像カメラ
Ｔ テープ

Claims (3)

  1. 表面の交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域に対応する裏面に凹部が形成されるとともに該凹部を囲繞する外周凸部が形成されたウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、
    該ウェーハの表面に透明な保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
    該保護部材を介して該ウェーハの該表面側を透明材からなる保持部を有した回転可能な保持テーブルで保持する保持ステップと、
    該保持テーブルで保持された該ウェーハの該外周凸部に対して第一切削ブレードの先端を該凹部の底面に至らない高さに切り込ませて切削し該外周凸部の高さを減ずる第一切削ステップと、
    該第一切削ステップを実施した後、下方撮像カメラで該保持部と該保護部材を介して該ウェーハの該表面を撮像してストリートを検出するストリート検出ステップと、
    該ストリート検出ステップで検出した該ストリートに沿って第二切削ブレードで該ウェーハを切削する第二切削ステップと、を含み、
    該ウェーハは、第一切削ステップ、ストリート検出ステップ、第二切削ステップの間において該保持テーブルで終始保持される、ウェーハの加工方法。
  2. 請求項１に記載のウェーハの加工方法を実施するための加工装置であって、
    表面の交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域に対応する裏面に凹部が形成されるとともに該凹部を囲繞する外周凸部が形成されたウェーハを加工する加工装置であって、
    該ウェーハの該表面側を保持する、透明材からなる保持部を有した回転可能な保持テーブルと、
    該保持テーブルで保持された該ウェーハの該表面を該保持部を介して撮像する下方撮像カメラと、
    該ウェーハの裏面の該外周凸部を切削して該外周凸部の高さを減ずる第一切削ブレードを有する第一切削ユニットと、該下方撮像カメラで撮像した該ウェーハの該表面の該ストリートに沿って該ウェーハを切削する第二切削ブレードを有する第二切削ユニットと、を備えた切削機構と、
    該保持テーブルと該切削機構とを相対移動させる移動機構と、を備えた加工装置。
  3. 該保持テーブルで保持されたウェーハの該裏面を撮像する上方撮像カメラを更に備えた、ことを特徴とする請求項２に記載の加工装置。
JP2019170167A 2019-09-19 2019-09-19 加工装置、及び、ウェーハの加工方法 Active JP7358145B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019170167A JP7358145B2 (ja) 2019-09-19 2019-09-19 加工装置、及び、ウェーハの加工方法
KR1020200109129A KR20210033891A (ko) 2019-09-19 2020-08-28 가공 장치, 및 웨이퍼의 가공 방법
SG10202008692TA SG10202008692TA (en) 2019-09-19 2020-09-07 Processing apparatus and method of processing wafer
CN202010977795.7A CN112530837A (zh) 2019-09-19 2020-09-17 加工装置和晶片的加工方法
DE102020211655.5A DE102020211655A1 (de) 2019-09-19 2020-09-17 Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
TW109132003A TWI856182B (zh) 2019-09-19 2020-09-17 加工裝置、及晶圓之加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019170167A JP7358145B2 (ja) 2019-09-19 2019-09-19 加工装置、及び、ウェーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021048278A JP2021048278A (ja) 2021-03-25
JP7358145B2 true JP7358145B2 (ja) 2023-10-10

Family

ID=74846085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019170167A Active JP7358145B2 (ja) 2019-09-19 2019-09-19 加工装置、及び、ウェーハの加工方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7358145B2 (ja)
KR (1) KR20210033891A (ja)
CN (1) CN112530837A (ja)
DE (1) DE102020211655A1 (ja)
SG (1) SG10202008692TA (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11615979B2 (en) * 2019-12-18 2023-03-28 Disco Corporation Method of processing wafer
CN115172142B (zh) * 2022-06-21 2024-10-18 武汉新芯集成电路股份有限公司 晶圆修边方法及晶圆修边机台

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019379A (ja) 2005-07-11 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2007266352A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2010016188A (ja) 2008-07-03 2010-01-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2010087141A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2011018850A (ja) 2009-07-10 2011-01-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2016219523A (ja) 2015-05-18 2016-12-22 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体デバイス

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5068705B2 (ja) 2008-07-03 2012-11-07 株式会社ディスコ 加工装置のチャックテーブル

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019379A (ja) 2005-07-11 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2007266352A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2010016188A (ja) 2008-07-03 2010-01-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2010087141A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2011018850A (ja) 2009-07-10 2011-01-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2016219523A (ja) 2015-05-18 2016-12-22 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
SG10202008692TA (en) 2021-04-29
CN112530837A (zh) 2021-03-19
DE102020211655A1 (de) 2021-03-25
TW202113959A (zh) 2021-04-01
JP2021048278A (ja) 2021-03-25
KR20210033891A (ko) 2021-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9472442B2 (en) Wafer processing method
JP6672053B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW201735137A (zh) 晶圓的加工方法
US9437439B2 (en) Processing method for wafer having chamfered portion along the outer circumference thereof followed by thinning and separating
JP7358145B2 (ja) 加工装置、及び、ウェーハの加工方法
JP2008042081A (ja) ウエーハ研削装置
JP2013008796A (ja) ウェーハの加工方法
JP6339828B2 (ja) ウエーハの加工方法
TWI746820B (zh) 聚光點位置檢測方法
JP4381755B2 (ja) 切削装置
KR102581138B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2017045965A (ja) ウェーハの加工方法
JP6955975B2 (ja) ウェーハの加工方法
US20230410370A1 (en) Positioning method
KR102581129B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP4436641B2 (ja) 切削装置におけるアライメント方法
US12076879B2 (en) Method of processing workpiece
TW202009099A (zh) 切割裝置
JP7373940B2 (ja) ウェーハの加工方法及び切削装置
TWI856182B (zh) 加工裝置、及晶圓之加工方法
TWI748091B (zh) 晶圓的加工方法
JP7300938B2 (ja) カーフの認識方法
JP2014203832A (ja) ダイシングテープ、及び、切削溝の検出方法
JP6890495B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW200902209A (en) Laser processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230427

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230428

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230606

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230906

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230927

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7358145

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150