JP6955975B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 199
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 44
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
本発明の実施形態1に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の加工対象の被加工物の斜視図である。図2は、図1に示されたウェーハの平面図である。図3は、図1中のIII−III線に沿う断面図である。図4は、実施形態1に係るウェーハの加工方法を実施する切削装置の構成例を示す斜視図である。図5は、図4に示された切削装置の一方の切削ユニットの切削ブレードの刃先の正面図である。図6は、図4に示された切削装置の他方の切削ユニットの切削ブレードの刃先の正面図である。
保持ステップST1は、ウェーハ200の裏面207側をチャックテーブル10の保持面11で保持するステップである。加工動作が開始されると、保持ステップST1において、制御ユニット100は、搬送ユニットに切削加工前のウェーハ200をカセット81から取り出させてダイシングテープ210を介して裏面207側をチャックテーブル10の保持面11に載置させ、チャックテーブル10の保持面11にウェーハ200を吸引保持するとともに、クランプ部14に環状フレーム211をクランプさせる。
図8は、図7に示されたウェーハの加工方法の測定ステップを示す側断面図である。図9は、図8に示されたウェーハの要部を示す側断面図である。図10は、図7に示された測定ステップの一つの領域の測定位置を示す平面図である。
領域別高さ設定ステップST3は、測定ステップST2を実施した後、各領域500で最も低い表面高さを各領域500のウェーハ200の表面高さとして設定するステップである。領域別高さ設定ステップST3では、制御ユニット100は、測定ステップST2において各領域500に対応付けられた複数のストリート201の表面高さから、最も低い表面高さを抽出する。領域別高さ設定ステップST3では、制御ユニット100は、各領域500の最も低いストリート201の表面高さを、各領域500の表面高さとして設定して、記憶する。制御ユニット100は、全ての領域500の表面高さを設定すると、切削ステップST4に進む。
図11は、図7に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを示す側断面図である。図12は、図11中のXII部を拡大して示す側断面図である。
図13は、図7に示されたウェーハの加工方法のフルカットステップの要部を示す側断面図である。図14は、図7に示されたウェーハの加工方法のフルカットステップ後のウェーハの要部の断面図である。
(付記1)
構造物が部分的に形成された格子状のストリートと複数のデバイスを表面に備えるウェーハの該ストリートに切削ブレードで切削溝を形成する切削装置であって、
ウェーハの裏面側を保持面で保持するチャックテーブルと、
該切削ブレードを有する切削ユニットと、
該切削ユニットと該チャックテーブルとを相対的に移動する移動ユニットと、
該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面高さを測定する測定ユニットと、
各構成要素を制御する制御ユニットと、を備え、
該制御ユニットは、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面を複数の領域に区画し、各領域の該ストリートの表面高さを該測定ユニットに測定させて、各領域で最も低い該表面高さを各領域の該ウェーハの表面高さとして設定するとともに、設定された該ウェーハの表面高さに基づいて、該ウェーハに切り込む該切削ブレードの先端位置を各領域毎に設定しながら該ウェーハの表面に切削溝を形成することを特徴とする切削装置。
10 チャックテーブル
11 保持面
20,20−1,20−2 切削ユニット
22,22−1,22−2 切削ブレード
24,24−1 刃先(先端)
200 ウェーハ
201 ストリート
202 デバイス
203 表面
204 TEG(構造物)
205 低誘電率絶縁膜
206 積層体
207 裏面
300 切削溝
500 領域
ST1 保持ステップ
ST2 測定ステップ
ST3 領域別高さ設定ステップ
ST4 切削ステップ
Claims (2)
- 構造物が部分的に形成された格子状のストリートと複数のデバイスを表面に備えるウェーハの該ストリートに切削ブレードで切削溝を形成するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの裏面側をチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面を複数の領域に区画し、各領域の該ストリートの表面高さを測定する測定ステップと、
該測定ステップを実施した後、各領域で最も低い該表面高さを各領域の該ウェーハの表面高さとして設定する領域別高さ設定ステップと、
該領域別高さ設定ステップで設定された該ウェーハの表面高さに基づいて、該ウェーハに切り込む該切削ブレードの先端位置を各領域毎に設定しながら該ウェーハの表面に切削溝を形成する切削ステップと、を備えるウェーハの加工方法。 - 該ウェーハは、表面に低誘電率絶縁膜を含む積層体が積層され、該積層体によって該ストリートと該デバイスが形成されている請求項1に記載のウェーハの加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017223797A JP6955975B2 (ja) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | ウェーハの加工方法 |
US16/192,209 US10692767B2 (en) | 2017-11-21 | 2018-11-15 | Wafer processing method including cutting wafer based on surface height of wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017223797A JP6955975B2 (ja) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | ウェーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019096693A JP2019096693A (ja) | 2019-06-20 |
JP6955975B2 true JP6955975B2 (ja) | 2021-10-27 |
Family
ID=66533244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017223797A Active JP6955975B2 (ja) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10692767B2 (ja) |
JP (1) | JP6955975B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6812079B2 (ja) * | 2017-03-13 | 2021-01-13 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP7194025B2 (ja) * | 2019-01-08 | 2022-12-21 | 三星電子株式会社 | ウェハ検査装置 |
JP7325905B2 (ja) * | 2019-08-22 | 2023-08-15 | 株式会社ディスコ | 複数のチップの製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH112510A (ja) * | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削溝深さの検出方法 |
JP2009302440A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP6078272B2 (ja) * | 2012-09-10 | 2017-02-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6170769B2 (ja) * | 2013-07-11 | 2017-07-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6532273B2 (ja) * | 2015-04-21 | 2019-06-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6478801B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6643663B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2020-02-12 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及びダイシング方法 |
-
2017
- 2017-11-21 JP JP2017223797A patent/JP6955975B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-15 US US16/192,209 patent/US10692767B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10692767B2 (en) | 2020-06-23 |
US20190157151A1 (en) | 2019-05-23 |
JP2019096693A (ja) | 2019-06-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200914 |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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