JP2011018850A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】格子状に形成された複数のストリートによって区画されたデバイス領域23と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域24とを備えたウエーハ2を、ストリートに沿って分割する。ウエーハの表面に保護テープ3を貼着する工程と、ウエーハの裏面のデバイス対応領域を研削して、所定の仕上がり厚さに形成すると共に、裏面外周余剰領域を残存させて環状の補強部を形成する工程と、裏面に金属膜を被覆する工程と、金属膜被覆ウエーハの表面側から検出したストリートに沿って、ウエーハの裏面側からレーザー光線を照射し65、ストリートに沿って分割溝を形成する分割溝形成工程とを含む。
【選択図】図9
Description
しかるに、ウエーハの厚さを50μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。
しかるに、環状の補強部だけを研削加工によって除去する方法は、研削ホイールの研削砥石を環状の補強部だけに位置付けて研削することが困難であり、ウエーハの裏面に被覆された金属膜を損傷するという問題がある。また、環状の補強部とデバイス領域との境界を切削ブレードによって切断して環状の補強部を除去する方法は、環状の補強部とデバイス領域との境界を切削ブレードを位置付けて切断する際にデバイス領域を損傷するという問題がある。
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープが貼着されたウエーハの裏面における該デバイス領域に対応する領域を研削して該デバイス領域の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における該外周余剰領域に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
金属膜被覆工程が実施されたウエーハの表面側からストリートを検出してウエーハの裏面側から検出されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ストリートに沿って分割溝を形成する分割溝形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
また、上記分割溝形成工程をウエーハの表面に保護テープが貼着された状態でデバイス領域のストリートに沿って実施することにより、分割溝形成工程が実施されたウエーハは個々のデバイスに分割されるとともに環状の補強部が残されるため、保護テープに貼着された状態で次工程に搬送することができる。従って、上記金属膜被覆工程を実施した後に保護テープを剥離してウエーハの表面を環状のフレームに装着したダイシングテープに貼着する工程を省略することができる。
図1には本発明によるウエーハの加工方法によって個々のデバイスに分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面2aに複数のストリート21が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート21によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス22が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ2は、デバイス22が形成されているデバイス領域23と、該デバイス領域23を囲繞する外周余剰領域24を備えている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 :355nmのパルスレーザー
平均出力 :1.35W
集光スポット径 :φ10μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/秒
また、上述した実施形態においては、分割溝形成工程は、半導体ウエーハ2の表面に保護テープ3が貼着された状態でデバイス領域23のストリート21に沿って実施するので、分割溝形成工程が実施された半導体ウエーハ2は、個々のデバイス22に分割されるとともに環状の補強部24bが残されるため、保護テープ3に貼着された状態で次工程に搬送することができる。従って、上記金属膜被覆工程を実施した後に保護テープ3を剥離して半導体ウエーハ2の表面を環状のフレームに装着したダイシングテープに貼着する工程を省略することができる。
21:ストリート
22:デバイス
23:デバイス領域
24:外周余剰領域
3:保護テープ
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42:研削手段
424:研削ホイール
5:スパッタ装置
51:スパッタチャンバー
53:保持テーブル
54:ターゲット
6:レーザー加工装置
60:チャックテーブル機構
61:チャックテーブル
62:パルスモータ
63:撮像手段
65:レーザー光線照射手段
652:集光器
Claims (2)
- 表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープが貼着されたウエーハの裏面における該デバイス領域に対応する領域を研削して該デバイス領域の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における該外周余剰領域に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
金属膜被覆工程が実施されたウエーハの表面側からストリートを検出してウエーハの裏面側から検出されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ストリートに沿って分割溝を形成する分割溝形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該分割溝形成工程は、ウエーハの表面に該保護テープが貼着された状態で該デバイス領域のストリートに沿って実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
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