CN102842494A - 晶片的加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供在减少晶片破损的顾虑的同时，能够检测晶片的分割预定线，沿着分割预定线对晶片实施加工的晶片的加工方法。该加工方法包括：将对准标记与分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储位置关系存储步骤；在实施了位置关系存储步骤之后，从晶片侧对贴附有晶片的基板进行摄像，检测对准标记的位置的对准标记位置检测步骤；根据通过对准标记位置检测步骤检测的对准标记的位置和通过位置关系存储步骤存储的位置关系信息，从贴附在基板上的晶片的表面侧沿着分割预定线对晶片实施加工的加工步骤。

Description

晶片的加工方法

技术领域

本发明涉及即使形成得薄也容易处理的晶片的加工方法。

背景技术

在由形成在表面上的多个交叉的分割预定线而划分而成的各区域上形成有分立器件（个別半导体）（以下，还简单地表述为“器件”）的晶片中，在进行了用于薄化的背面研磨之后，通过溅射或蒸镀而将作为电极工作的金属层形成在背面。

另外，作为分立器件（个別半导体），例如，有晶体管、二极管、电容器、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金属半导体场效应晶体管））、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极晶体管））等。

公知有如下所述的方法：在薄化了晶片之后形成金属层时，为了防止晶片破损，仅对晶片背面的中央部进行薄化而形成圆形凹部，使外周剩余区域残留而作为加强部（参照专利文献1）。

【专利文献1】日本特开2007-19379号公报

例如，当将晶片薄化到50μm以下时，即使使用在专利文献1中公开的方法，也很难防止处理时的晶片破损。因此，考虑在基板上贴附晶片来进行薄化，在基板贴附了晶片的状态下，用金属来被覆晶片背面而形成金属层。

此处，为了减少晶片破损的顾虑，在将晶片贴附在基板上的状态下，期望沿着分基板割预定线分割晶片、或对晶片实施加工。

但是，在贴附在基板上而露出金属层的同时，表面（形成有器件的面）被贴附在上的晶片中，存在不能检测分割预定线的位置，不能实施沿着分割预定线进行加工的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供晶片的加工方法，即，在减少晶片破损的顾虑的同时，能够检测晶片的分割预定线，沿着分割预定线对晶片实施加工。

根据第1方面记载的发明，提供晶片的加工方法，在该晶片中，在由形成于表面的多个交叉的分割预定线划分而成的各区域上形成有器件，该加工方法的特征在于包括：基板准备步骤，准备由透明体构成的基板，该基板具有贴附晶片的晶片贴附区域、围绕该晶片贴附区域的外周剩余区域以及形成于该外周剩余区域的对准标记；贴附步骤，在该基板的该晶片贴附区域贴附晶片的表面而使晶片的背面露出；位置关系存储步骤，从该基板侧通过该基板对贴附在该基板上的晶片的表面进行摄像而检测该对准标记的位置及所述分割预定线，将该对准标记与该分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储；对准标记位置检测步骤，在实施了该位置关系存储步骤之后，从该晶片侧对贴附有晶片的该基板进行摄像，检测该对准标记的位置；以及加工步骤，根据通过该对准标记位置检测步骤检测到的该对准标记的位置和通过该位置关系存储步骤存储的该位置关系信息，从贴附在该基板上的晶片的背面侧沿着该分割预定线对晶片实施加工。

根据第2方面的发明，晶片的加工方法还包括：薄化步骤，在实施了所述贴附步骤之后，对贴附在该基板上的晶片的背面进行研磨来进行薄化；以及金属被覆步骤，在实施了该薄化步骤之后，由金属被覆晶片的背面，所述位置关系存储步骤是在实施了该金属被覆步骤之后实施的。

根据本发明，由于在将晶片贴附在基板上的状态下进行处理，因此能够减少晶片破损的顾虑。由于使基板成为透明体，因此能够在贴附在基板上的状态下检测晶片的分割预定线，能够实施沿着分割预定线的晶片加工。

附图说明

图1是晶片的立体图。

图2（A)是示出贴附步骤的立体图，图2（B)是示出在基板贴附了晶片的状态的立体图。

图3是示出薄化步骤的立体图。

图4是将晶片贴附在基板上的状态的剖视图。

图5是切削装置的外观的立体图。

图6是说明位置关系存储步骤的部分截面侧视图。

图7是说明位置关系存储步骤的俯视图。

图8是说明对准标记位置检测步骤的部分剖视图。

图9是关于对准步骤的说明图。

图10是说明金属层去除方法的部分截面侧视图。

图11是说明激光加工装置的改质层形成方法的部分截面侧视图。

图12（A)是关于晶片对扩展带的贴附的说明图，图12（B)是关于基板分离的说明图，图12（C)是关于器件分离的说明图。

图13是示出对准标记的配置的其他实施方式的俯视图。

图14是示出对准标记的配置的另一其他实施方式的俯视图。

图15是说明利用保持台的实施方式的剖视图。

符号说明

2研磨装置

4卡盘台

6研磨磨石

10激光束照射头

11晶片

13a第1分割预定线

13b第2分割预定线

15器件

18金属层

21基板

27a对准标记

27b对准标记

28A对准基准线

31卡盘台

39载置用夹具

42切削单元

θ₁角度

θ₂角度

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。图1示出晶片11(半导体晶片11)的表面侧的立体图。图1所示的晶片11由例如厚度为700μm的硅晶片构成，在表面11a上以格子状形成有在第1方向延伸的多个第1分割预定线（间隔道）13a和在第2方向延伸的多个第2分割预定线（间隔道）13b，并且在由该多个第1分割预定线13a和第2分割预定线13b划分而成的多个区域分别形成有晶体管、IGBT等器件15。

如上所述构成的晶片11具有形成有器件15的器件区域17、围绕器件区域17的外周剩余区域19。另外，在晶片11的外周形成有作为表示硅晶片的晶体取向的标记的槽口12。

并且，在本发明的晶片的加工方法中，首先如图2(A)所示，进行准备由透明体构成的基板21的基板准备步骤。

基板21构成为圆盘状，具有用于贴附同样形成为圆盘状的晶片1的晶片贴附区域23、和围绕晶片贴附区域23的外周剩余区域25。基板21由透明体构成。关于透明体的原材料，虽然不特别限定，但是例如可以考虑玻璃、丙烯酸树脂等。

在基板21的外周剩余区域25上，在通过基板21中心的直线上，在隔着中心相反的位置上设置有对准标记27a、27b。该对准标记27a、27b用于划定基板21与晶片11的相对位置。

接着，对如上所述准备的基板21的晶片贴附区域23，实施贴附晶片11的表面而使晶片11的背面11b露出的贴附步骤。

具体地讲，如图2(A)所示，使晶片11的表面11a与基板1的表面21a相对，如图2(B)所示，通过使晶片11贴附到基板21的表面21a，成为晶片11的背面11b露出的状态。由于对准标记27a、27b设置在外周剩余区域25上，因此对准标记27a、27b配置在晶片11的外侧。

晶片11对于基板21的贴附是通过粘接剂来粘接的。作为粘接剂，虽然不特别限定，但是优选例如使用紫外线硬化型粘接剂。特别是，从后述的基板21的分离作业的容易性的观点考虑，优选紫外线硬化型粘接剂。

由此，实施在晶片11的表面11a上贴附基板21的贴附步骤，接着，实施研磨晶片11的背面11b来进行薄化的薄化步骤。

在该薄化步骤中，如图3所示，在研磨装置2的卡盘台4上吸引保持基板21的同时，在使研磨磨石抵接在晶片11的背面11b的状态下使卡盘台4向箭头a的方向旋转（例如300rpm)，在使研磨磨石6向箭头b的方向旋转的（例如6000rpm)同时将研磨磨石向接近晶片的方向研磨进给，从而对晶片11的背面11b进行研磨。通过该薄化步骤，晶片11的厚度例如被设定为50μm、30μm的厚度。

在实施了薄化步骤之后，如图4所示，实施用金属被覆晶片11的背面11b的金属被覆步骤。具体地讲，在晶片11的背面11b通过溅射、蒸镀而被覆金属层18。另外，关于金属层18的原材料，虽然不特别限定，但是例如可以例举铜、铝、金等。

在图4中，示出在基板21的截面、和基板21的表面21a设置的对准标记27a、27b。示出在基板21的表面21a贴附有晶片11的表面11a，在该晶片11的表面11a侧形成有器件15，在各器件15之间形成有分割预定线13。另外，关于以上说明的薄化步骤、和紧随其后的金属被覆步骤，可以考虑在上述的贴附步骤与后述的位置关系存储步骤之间实施。

接着，实施将对准标记27a、27b与分割预定线13之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储的位置关系存储步骤。图5示出能够作为用于实施位置关系存储步骤的装置来利用的切削装置30的外观。

在切削装置30上设置有以可旋转且可在向X轴方向上往返移动的方式构成的卡盘台31。在卡盘台31的X轴方向的移动路径的上方配置了具有摄像单元35的对准机构34，该摄像单元35从上侧对基板21和晶片11进行摄像，用于摄像对准标记27a、27b和分割预定线13a。

在对准机构34的左侧配设有切削单元42，该切削单元42对保持在卡盘台31上的晶片11实施切削加工。切削单元42与对准机构34一体地构成，两者连动而在Y轴方向及Z轴方向上移动。切削单元42被构成为，在可旋转的主轴44的前端安装有切削刀46。切削刀46位于摄像单元35的X轴方向的延长线上。

在切削装置30上设置有用于控制卡盘台31、摄像单元35、切削单元42等的控制器（未图示）。而且，在切削装置30上设置有：用于显示通过摄像单元35获取的图像的显示监视器38；和用于操作员输入必要信息的操作单元33。

在如上所述构成的切削装置30中，为了用切削装置对作为加工对象的各晶片自动地检测对准标记27a、27b和分割预定线13，预先进行登记作为加工对象的晶片的关键图案、和登记所使用的基板21的对准标记27a、27b的训练作业。

在训练作业中，操作员用摄像单元35来对基板21进行摄像，从显示在显示监视器38上的图像检测对准标记27a、27b，通过登记到控制器的存储器中，从而在控制器的存储器中存储对准标记27a、27b的图像。

同样，操作员用摄像单元35来对晶片进行摄像，搜索作为图案匹配的目标的关键图案。对于该关键图案，例如利用器件中的电路的特征部分。此处，在图7中，当设在X方向（第1方向）延伸的分割预定线为第1分割预定线、在Y方向（第2方向）延伸的分割预定线为第2分割预定线时，操作员例如在A点选择用于检测第1分割预定线的第1关键图案，登记到控制器的存储器中，从而将关键图案的图像存储到控制器的存储器中。进而，操作员将与第1关键图案最近的第1分割预定线13a和第1关键图案之间的距离存储在控制器的存储器中。

接着，操作员例如在C点选择用于检测第2分割预定线的第2关键图案，登记到控制器的存储器中，从而将第2关键图案的图像存储在控制器的存储器中。进而，操作员将与第2关键图案最近的第2分割预定线13b和第2关键图案之间的距离存储在控制器的存储器中。

而且，操作员通过使摄像图像在画面上移动，从而在第1方向、第2方向上，通过坐标值等求出分别相邻的分割预定线与分割预定线之间的间隔、即间隔道节距，将间隔道节距的值也存储在控制器的存储器中。

通过如上所述的训练作业，通过用切削装置对对准标记27a、27b、第1分割预定线、第2分割预定线进行图案匹配，从而处于将用于自动检测的各种信息预先存储在控制器的存储器中的状态。

另外，训练作业也可以在将晶片贴附到基板之前分别单独地对晶片和基板进行摄像来实施，也可以在将晶片贴附到基板上的状态下如图6所示，通过圆环状的载置用夹具39载置在卡盘台31上来实施。当在将晶片贴附到基板上的状态下实施训练作业时，也可以与训练作业一起实施后述的位置关系存储步骤。

并且，在预先进行了训练操作的状态的基础上，实施位置关系存储步骤。如图6及图7所示，在该位置关系存储步骤中，检测作为加工对象的基板21的对准标记27a、27b与晶片11的分割预定线13的位置关系，将检测到的信息作为位置关系信息而存储在控制器的存储器中。

具体地讲，如图6所示，在卡盘台31的上部设置有圆环状的载置用夹具9，形成被载置用夹具39围绕的空间37。在该空间37中收纳晶片11，从而将基板21载置在载置用夹具39上。此处，基板21以晶片11成为下侧的方式载置在载置用夹具39上，由此，以晶片11的表面11a(基板侧的面）成为上侧的方式配置。

并且，通过摄像单元35从上侧对基板21及晶片11进行摄像。此处，由于基板21由透明体构成，因此成为通过基板21透视观察晶片11的表面11a的状态，能够通过摄像单元35对晶片11的表面11a进行摄像。另外，由于基板21由透明体构成，因此对于设置在基板21的表面21a上的对准标记27a、27b，也能够通过摄像单元35来进行摄像。

并且，控制器实施通过上述的训练作业存储的对准标记与所摄像的对准标记27a、27b的图案匹配、以及通过训练作业存储的晶片的关键图案与所摄像的关键图案的图案匹配。

控制器检测设置在卡盘台31上的基板21的对准标记27a、27b的坐标值、和晶片11的A点和B点的第1关键图案及C点和D点的第2关键图案的坐标值，存储在存储器中。

控制器通过连接对准标记27a、27b的中心位置，从而划定将中心彼此作为端点连接而定义的对准基准线28A，存储在存储器中。另外，控制器根据晶片11的第1、第2关键图案的坐标值和从在训练作业时存储的第1、第2关键图案到第1、第2分割预定线各自的距离，划定第1分割预定线13a及第2分割预定线13b，存储在存储器中。

而且，控制器根据如上所述划定的对准基准线28A和第1分割预定线13a、第2分割预定线13b，将以下的位置关系信息存储在存储器中。

第一位置关系信息：第1分割预定线13a相对于对准基准线28A的相对位置关系

第二位置关系信息：第2分割预定线13b相对于对准基准线28A的相对位置关系

以上说明的位置关系存储步骤，虽然是通过控制器自动进行的自动对准的例子，但是也可以通过操作员的手动操作来检测、存储位置关系。在如上所述的手动操作中，不需要在自动对准的实施中所需的上述的训练作业。另外，关于位置关系存储步骤，除了使用切削装置以外，也可以使用显微镜等其他装置来进行。

在如上所述进行的位置关系存储步骤之后，由于从晶片的背面侧沿着分割预定线实施加工，因此如图8所示，成为倒装了基板21的状态，为了检测分割预定线而实施检测对准标记27a、27b的位置的对准标记位置检测步骤。

具体地讲，通过如从图9的状态J1(图6的状态）成为状态J2那样倒装基板21，从而如图8所示，在卡盘台31之上以基板21成为下侧、晶片11成为上侧的方式载置，处于通过卡盘台31吸引保持了基板21的状态。

此处，通过将基板21从状态J1倒装成状态J2，在位置关系存储步骤中存储的相对位置关系，变更为将图9中的平面坐标作为基准。例如，当将X轴作为旋转轴进行倒装时，Y轴的相对位置关系，在Y轴方向上反转。因此，在本实施方式的情况下，控制器在通过计算求出通过倒装而变更的相对位置关系的同时，将所求出的相对位置关系，与在位置关系存储步骤中存储的相对位置关系进行置换，并且存储到存储器中。

接着，控制器在从上方通过摄像单元35对基板21进行摄像的同时，通过图案匹配检测图9的状态J2中的对准标记27a、27b的位置，并且存储到存储器中。

在如上所述进行了对准标记位置检测步骤之后，作为对准步骤实施根据检测到的对准标记来检测晶片11的分割预定线的对准。另外，能够将该对准步骤之后的步骤定义为加工步骤。

首先，如图9的状态J2所示，控制器通过使卡盘台31向箭头R1的方向旋转，从而如状态J3所示，使存储在存储器中的对准基准线28A与X轴方向平行。如上所述，将使对准基准线28A与X轴方向平行的调整作为“第一调整”。

接着，如状态J3所示，控制器根据通过位置关系存储步骤存储的对准基准线28A与第1分割预定线13a的相对位置关系，使卡盘台31向箭头R2的方向旋转与角度θ1对应的角度，如状态J4所示，使第1分割预定线13a与X轴方向平行。也就是说，进行第1分割预定线13a的X轴方向的对准。如上所述，将使第1分割预定线13a与X轴方向平行的调整作为“第二调整”。

而且，控制器根据通过位置关系存储步骤存储的对准基准线28A与第1分割预定线13a的相对位置关系，划定状态J4中的第1分割预定线13a的位置，存储到存储器中。由此，控制器处于能够实施沿着第1方向（第1分割预定线13a的方向）的分割预定线进行加工的状态。

同样，控制器根据通过位置关系存储步骤存储的对准基准线28A与第2分割预定线13b的相对位置关系，划定状态J4中的第2分割预定线13b，存储到存储器中。由此，控制器处于能够实施沿着第2方向（第2分割预定线13b的方向）的分割预定线进行加工的状态。

接着，如图10所示，控制器根据存储在存储器中的第2分割预定线13b位置和间隔道节距的信息，将切削刀46定位于在第2方向延伸的第2分割预定线上，沿着在第2方向延伸的分割预定线13去除金属层18。金属层18的去除是通过如下方式来进行的：处于在使切削单元42下降的位置使切削刀46高速旋转的状态，使卡盘台31在X轴方向移动（图5)。并且，将切削单元42在Y轴方向每次分度进给存储在存储器中的间隔道节距并进行切削，从而去除与在第2方向延伸的所有的分割预定线13的位置对应的金属层18。

接着，控制器在使卡盘台31旋转90°的同时，根据存储在存储器中的第1分割预定线13a位置和间隔道节距的信息，将切削刀46定位于在第1方向延伸的第1分割预定线上，沿着在第1方向延伸的分割预定线13去除金属层18。

接着，如图11所示，在激光加工装置的卡盘台32上载置晶片11，通过激光束照射头10沿着去除了金属层18的分割预定线13照射相对于晶片11具有透过性的激光束，从而实施在晶片11上形成改质层的改质层形成步骤。

改质层形成步骤中的加工条件例如被设定为如下所述。

光源：YAG脉冲激光

波长：1064nm

平均输出：1.0W

聚光点径：1μm

重复频率：100kHz

加工进给速度：50mm/秒

另外，激光加工装置具有与上述图5所示的切削装置30的对准机构34相同的装置结构，从而能够进行检测上述晶片的分割预定线的对准，通过以能够固定激光束照射头10而使卡盘台32在Y轴方向移动的方式构成，从而与切削装置30的情况相同，进行沿着分割预定线的加工。

在如上所述完成基于激光加工的改质层的形成之后，实施将晶片11分割为各个器件的晶片分割步骤。图12(A)所示的扩展装置50具有：保持环状框架F的框架保持单元52；以及带扩展单元54，其对安装在环状框架F上的切割带T进行扩展，该环状框架F保持在框架保持单元52上。

框架保持单元52由环状的框架保持部件56、和配置在框架保持部件56外周的作为固定单元的多个夹具58构成。框架保持部件56的上表面形成载置环状框架F的载置面56a，在该载置面56a上载置环状框架F。

并且，载置在载置面56a上的环状框架F，通过夹具58而固定在框架保持单元52上。如上所述构成的框架保持单元52通过带扩展单元54而以能够向上下方向移动的方式支撑。

带扩展单元54具有配置在环状的框架保持部件56内侧的扩展鼓70。扩展鼓70的上端被盖72封闭。该扩展鼓70内径比环状框架F的内径小，比贴附在切割带T上的晶片11的外径大，该切割带T安装在环状框架F上。

带扩展单元54还具有使环状的框架保持部件56在上下方向移动的驱动单元76。该驱动单元76被构成为具有多个气缸78，其活塞杆74与框架保持部件56的下表面连接。

由多个气缸78构成的驱动单元76，使环状的框架保持部件6在该载置面56a处于与作为扩展鼓70上端的盖72的表面大致相同高度的基准位置与比扩展鼓70的上端低规定量的扩展位置之间，上下方向移动。

使用图12对使用如上所述构成的扩展装置50实施的晶片11的分割步骤进行说明。首先，如图12(A)所示，将贴附有基板21的状态的晶片11通过切割带T而被支撑的环状框架F载置在框架保持部件56的载置面56a上，通过夹具58固定在框架保持部件56上。此时，框架保持部件56定位在该载置面5a处于与扩展鼓70的上端大致相同高度的基准位置。

接着，如图12(B)所示，通过未图示的紫外线照射装置对基板21进行紫外线照射，在使基板21与晶片11之间的粘接力下降的同时，使基板21从晶片11分离。由此，处于在安装在环状框架F上的切割带T上残留有晶片11的状态。

另外，晶片11与基板21的分离不限于在扩展装置50上实施的方式，也可以在将晶片载置到扩展装置50上之前预先将晶片11的背面侧贴附在切割带T上来安装到环状框架F，将基板21从晶片11上剥离。

接着，驱动气缸78而使框架保持部件56下降到图12(C)所示的扩展位置。由此，由于固定在框架保持部件56的载置面56a上的环状框架F下降，因此安装在环状框架F上的切割带T与扩展鼓70的上端缘抵接而主要在半径方向扩展。

其结果，在贴附在切割带T上的晶片11上以放射状作用拉伸力。如上所述，当在晶片11上以放射状作用拉伸力时，由于形成在分割预定线上的改质层的强度下降，因此该改质层成为分割起点，晶片11沿着改质层而被割断，被分割为各个器件15。

在如上说明的一系列的步骤中，如图1所示，首先，在贴附步骤中将晶片11贴附在基板21上。由此，在从图3所示的薄化步骤开始到如图12(A)所示的分割步骤为止的一系列的过程中，由于晶片11被贴附在基板21上，因此能够减少晶片11破损的顾虑。

而且，除了以上的实施方式以外，作为使用图6所示的载置用夹具39的代替，例如，也可以将晶片11通过由树脂等构成的保护片载置在卡盘台31上、或将金属层18直接载置在卡盘台31上。

而且，如图13所示，除了对准标记27a、27b以外，也可以进一步将两个对准标记27c、27d设置在基板21上。由此，除了以对准标记27a、27b为基准划定对准基准线28A(参照图7）以外，还能够将对准标记27c、27d作为基准进行划定，例如在根据对准标记27a、27b实施第1方向的对准的同时根据对准标记27c、27d实施第2方向的对准等，扩大了划定对准基准线28A时的选择性，能够实现作业时间的缩短和对准精度的提高。

例如，在连接了对准标记27a、27b的对准基准线28A与X轴方向存在很大的偏差时，虽然需要使卡盘台大幅旋转来进行角度调整，但是在如上所述的情况下，只要根据对准标记27c、27d划定对准基准线28A即可。

此外，如图14所示，还可以考虑具有一个对准标记27e的实施方式。在该实施方式中，通过由相同长度且彼此正交的边部分27m·27n构成的十字状的标记来构成对准标记27e，能够在控制器中获取与上述位置关系信息相同的信息。

也就是说，与图7(A)及图7(B)的情况相同，求出以下的位置关系。

第一位置关系信息：第1分割预定线13a相对于边部分27m的相对位置关系

第二位置关系信息：第2分割预定线13b相对于边部分27n的相对位置关系

另外，在图14所示的对准标记27e的例子中，虽然为十字状的标记形状，但是并不限定于该例。即、只要是定义了与作为十字状标记的情况相同的位置关系信息的标记形状即可，例如可以考虑多边形、具有作为基准的切口部的圆形等。

作为位置关系信息定义的信息，不限定于上述例子。即、在之后进行的加工步骤中，如果能够根据对准标记划定分割预定线13，则不特别限定。例如，在图7中，也可以将第1分割预定线13a与第2分割预定线13b的交点作为晶片中心，根据该晶片中心与对准基准线28A的中点之间的相对位置关系定义位置关系信息。

另外，如图6所示，关于基板21的厚度方向D的对准标记27a、27b的位置，除了设置在表面21a以外，也可以设置在背面21b、或者基板21的厚度方向的中途部。也就是说，只要能够通过基板对对准标记27a、27b进行摄像，则不限定基板21的厚度方向D的对准标记27a、27b的位置。

另外，在图6中，除了通过摄像单元35从上侧进行摄像以外，如图15所示，也可以在具有由透明体构成的保持部62、和支撑保持部62的框体63的保持台60上保持基板21，从保持台60的下侧通过保持部62和基板21，通过摄像单元35A对对准标记27a、27b和第1分割预定线13a进行摄像，检测各自的位置。另外，在保持部62上形成有未图示的真空管路，能够吸引保持基板21等被加工物。

而且，在以上说明的实施方式中，如图10和图11所示，虽然通过基于切削刀的切削加工和激光加工这两个阶段，处于能够分割晶片11的状态，但是也可以通过图10所示的切削单元42的切削刀46，到晶片11被分割为止进行全切，在使用相对于金属层具有吸收性的波长的激光束去除了分割预定线上的金属之后，使用对晶片具有透过性的波长的激光束来形成改质层。

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法，在该晶片中，在由形成于表面的多个交叉的分割预定线划分而成的各区域上形成有器件，

该加工方法的特征在于包括：

基板准备步骤，准备由透明体构成的基板，该基板具有贴附晶片的晶片贴附区域、围绕该晶片贴附区域的外周剩余区域以及形成于该外周剩余区域的对准标记；

贴附步骤，在该基板的该晶片贴附区域贴附晶片的表面而使晶片的背面露出；

位置关系存储步骤，从该基板侧通过该基板对贴附在该基板上的晶片的表面进行摄像而检测该对准标记的位置及所述分割预定线，将该对准标记与该分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储；

对准标记位置检测步骤，在实施了该位置关系存储步骤之后，从该晶片侧对贴附有晶片的该基板进行摄像，检测该对准标记的位置；以及

加工步骤，根据通过该对准标记位置检测步骤检测到的该对准标记的位置和通过该位置关系存储步骤存储的该位置关系信息，从贴附在该基板上的晶片的背面侧沿着该分割预定线对晶片实施加工。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

该加工方法还包括：

薄化步骤，在实施了所述贴附步骤之后，对贴附在该基板上的晶片的背面进行研磨来进行薄化；以及

金属被覆步骤，在实施了该薄化步骤之后，由金属来被覆晶片的背面，

所述位置关系存储步骤是在实施了该金属被覆步骤之后实施的。

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