JP2012059985A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域10が外周余剰領域に囲繞されて表面が構成されるウェーハ1を個々のデバイスに分割する場合において、デバイス領域10の裏側を研削してその外周側にリング状補強部13を形成し、ウェーハ1の裏面にダイシングテープ4を貼着し表面側からレーザービーム61aを照射してデバイスに分割するとともにリング状補強部13に分解起点を形成し、ダイシングテープ4を拡張して分解起点を起点としてリング状補強部13を分解してデバイス領域10から分離すると共に隣り合うデバイス間の間隔を広げる。ウェーハを個々のデバイスに分割する際にはリング状補強部13が残存しているため、分割加工時のハンドリング性を損なうことがない。
【選択図】図7
Description
(1)ウェーハのデバイス領域に対応する裏面を研削して所定の厚みに研削すると共に外周余剰領域に対応する裏面にリング状の補強部を形成するウェーハ研削工程、
(2)ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にウェーハを収容する開口部を有するダイシングフレームにダイシングテープの外周部を貼着して、ウェーハをダイシングフレームで支持するウェーハ支持工程、
(3)ウェーハのデバイス領域に対応する裏面を吸引保持するデバイス領域保持部と、リング状の補強部を支持するリング状補強部支持部とを有するチャックテーブルにダイシングフレームで支持されたウェーハを保持するウェーハ保持工程、
(4)ウェーハの表面側から分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射してアブレーション加工を施すことによってウェーハを個々のデバイスに分割すると共に、リング状の補強部に分解起点を形成するアブレーション加工工程、
(5)ダイシングテープを拡張することによって、分解起点を起点としてリング状の補強部を分解してデバイス領域から分離すると共に、隣り合うデバイス間の間隔を広げるエキスパンド工程、
(6)ダイシングテープから個々のデバイスをピックアップするピックアップ工程。
最初に、図2に示すように、デバイスを保護するための保護テープ2をウェーハ1の表面1aに貼着する。そして、例えば図3に示す研削装置3を用いて、表面1aに保護テープ2が貼着されたウェーハ1の裏面1bを研削する。
次に、図5に示すように、ウェーハ1の裏面1bにダイシングテープ4を貼着する。ダイシングテープ4の外周部には、リング状に形成されたダイシングフレーム5が貼着される。ダイシングフレーム5には開口部50が形成されており、ダイシングテープ4が開口部50を塞ぎ、その塞がれた部分にウェーハ1が貼着されることにより、ウェーハ1がダイシングフレーム5によって支持される。
裏面1bにダイシングテープ4が貼着されダイシングフレーム5に支持されたウェーハ1は、図6に示すように、表面1aから保護テープ2が剥離され、レーザー加工装置6のチャックテーブル60に保持される。このチャックテーブル60は、ウェーハ1のデバイス領域10に対応する裏面を吸引保持するデバイス領域保持部600と、リング状補強部13を支持するリング状補強部支持部601とを有している。デバイス領域保持部600は、図示しない吸引源に連通し、リング状補強部支持部601よりも上方に突出しており、ウェーハ1の裏面側を吸引すると、凹部12にデバイス領域保持部600が収容された状態となり、ウェーハ1が保持される。このとき、ダイシングテープ4は、デバイス領域支持部600と凹部12との間に挟まれた状態で保持される。
図7に示すように、レーザー加工装置6には、レーザービームを下方に照射する照射ヘッド61を備えており、表面1aが露出した状態でチャックテーブル60にウェーハ1が保持されると、チャックテーブル6と照射ヘッド61とが水平方向に相対移動しながら、表面1a側から図1に示した分割予定ラインLに沿ってレーザービーム61aが照射される。
図8に示したように、デバイス領域10が個々のチップに分割され、リング状補強部13に分解起点14bが形成されると、その後、ダイシングフレーム5に支持され全体としてウェーハ1の形状を維持した複数のデバイスDを、図7に示したチャックテーブル60から取り外す。そして、図9に示すように、ダイシングテープ4を面方向(図9におけるC方向)に拡張することにより、隣り合うデバイス間の間隔を広げる。また、このとき、分解起点14bを起点としてリング状補強部13が分解されてデバイス領域10から分離される。このように、デバイス間の間隔を広げることとリング状補強部13を分離させることとを同時に行うことができるため、生産性が高い。
次に、デバイス間の間隔を広がった状態で、個々のデバイスDのピックアップを行う。例えば、図10に示すように、コレット7を降下させてデバイスDを吸着し、コレット7を上昇させることによりデバイスDをダイシングテープ4から剥離しピックアップし、所定の位置に運ぶ。なお、ダイシングテープ4として紫外線硬化型のテープを使用した場合は、ピックアップの前にダイシングテープ4に紫外線を照射して粘着力を低下させることにより、ピックアップをより円滑に行うことができる。
1a:表面
10:デバイス領域 L:分割予定ライン D:デバイス
11:外周余剰領域
1b:裏面
12:凹部 13:リング状補強部
14:アブレーション領域 14a:アブレーション溝 14b:分解起点
2:保護テープ
3:研削装置
30:チャックテーブル
31:研削手段 310:回転軸 311:研削ホイール 312:研削砥石
4:ダイシングテープ 5:ダイシングフレーム 50:開口部
6:レーザー加工装置
60:チャックテーブル 600:デバイス領域保持部 601:リング状補強部支持部
61:照射ヘッド 61a:レーザービーム
7:コレット
Claims (1)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、該デバイス領域
を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハのデバイス領域に対応する裏面を研削して所定の厚みに研削すると共に外周余
剰領域に対応する裏面にリング状の補強部を形成するウェーハ研削工程と、
該ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にウェーハを収容する開口部を有するダイシングフレームに該ダイシングテープの外周部を貼着して、該ウェーハを該ダイシングフレームで支持するウェーハ支持工程と、
該ウェーハのデバイス領域に対応する裏面を吸引保持するデバイス領域保持部と、該リング状の補強部を支持するリング状補強部支持部とを有するチャックテーブルに該ダイシングフレームで支持されたウェーハを保持するウェーハ保持工程と、
該ウェーハの表面側から分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射してアブレーション加工を施すことによって該ウェーハを個々のデバイスに分割すると共に、該リング状の補強部に分解起点を形成するアブレーション加工工程と、
該ダイシングテープを拡張することによって、該分解起点を起点として該リング状の補強部を分解して該デバイス領域から分離すると共に、隣り合うデバイス間の間隔を広げるエキスパンド工程と、
該ダイシングテープから個々のデバイスをピックアップするピックアップ工程と、
を含むウェーハの加工方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014093493A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Lintec Corp | シート貼付装置及び貼付方法 |
JP2017174865A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2018129404A (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 株式会社ディスコ | 加工装置のチャックテーブル |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013048415A1 (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Intel Corporation | Low temperature thin wafer backside vacuum process with backgrinding tape |
US8669166B1 (en) * | 2012-08-15 | 2014-03-11 | Globalfoundries Inc. | Methods of thinning and/or dicing semiconducting substrates having integrated circuit products formed thereon |
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JP2016147342A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社ディスコ | 加工装置のチャックテーブル |
US10147645B2 (en) * | 2015-09-22 | 2018-12-04 | Nxp Usa, Inc. | Wafer level chip scale package with encapsulant |
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WO2018185932A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体の製造方法 |
JP7464472B2 (ja) * | 2020-07-17 | 2024-04-09 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027309A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2010050416A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2010093005A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007019379A (ja) | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP4758222B2 (ja) | 2005-12-21 | 2011-08-24 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法および装置 |
JP2007235069A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
JP2007266557A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4847199B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2011-12-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハに装着された接着フィルムの破断方法 |
JP2008235398A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
JP2008283025A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2009182178A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027309A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2010050416A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2010093005A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014093493A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Lintec Corp | シート貼付装置及び貼付方法 |
JP2017174865A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2018129404A (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 株式会社ディスコ | 加工装置のチャックテーブル |
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