TW201909269A - 晶圓加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種晶圓加工方法，可抑制絲狀的膠帶屑之產生。[解決手段]一種晶圓加工方法，該晶圓於外周緣具有從正面至背面的圓弧。該晶圓加工方法具備以下步驟：正面保護膠帶黏貼步驟ST1，係在晶圓的正面黏貼正面保護膠帶；保持步驟ST2，係利用保持台保持黏貼有正面保護膠帶之晶圓的背面側；以及切割步驟ST4，係在實施該保持步驟ST2之後，利用切割刀片將晶圓的外周緣連同正面保護膠帶一起切割，進而形成預定的深度與預定的寬度之階差部。其中，在該切割步驟ST4中，階差部是從晶圓的外周側朝向中心逐步地形成。

Description

晶圓加工方法
本發明是關於一種在外周緣具有從正面至背面的圓弧之晶圓的加工方法。
為了解決在將晶圓研削而削薄時，外周緣的倒角部分形成為刀緣狀（屋簷狀），產生崩缺導致造成晶圓損壞的問題，而使用一種晶圓加工方法，在從晶圓的外周緣的正面側去除倒角部（圓弧）之後，研削晶圓的背面（例如，參照專利文獻1）。在專利文獻1所記載的晶圓加工方法是為了防止在去除晶圓的外周緣的倒角部時，異物附著於晶圓的正面，而一邊朝向晶圓的正面供給清洗液，一邊實施其晶圓加工方法。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-231057號公報
[發明所欲解決的課題] 然而，即使是專利文獻1所示的方法，也難以完全地防止異物的附著，故而期望改善。因此，考慮事先黏貼保護晶圓正面的正面保護膠帶。可是，當利用切割刀片連同正面保護膠帶從正面側切割晶圓的外周緣的倒角部時，在切割程中，被切割的正面保護膠帶的屑四溢至晶圓的外周側，進而產生絲狀的膠帶屑。
當產生絲狀的膠帶屑時，除了可能會纏繞在裝置的各個部分而使裝置的運作不良，也可能會產生諸如排水管線堵塞等的不良。此外，當產生之絲狀的膠帶屑附著於晶圓的正面保護膠帶上時，在後續的研削時，會產生厚度無法研削成均勻的問題。
本發明有鑑於上述問題，其目的在於，提供一種晶圓加工方法，可以抑制絲狀的膠帶屑之產生。
[解決課題的技術手段] 為了解決上述課題，並且達成目的，本發明之晶圓加工方法是一種於外周緣具有從正面至背面的圓弧的晶圓之加工方法，其中，具備：正面保護膠帶黏貼步驟，係在晶圓的正面黏貼正面保護膠帶；保持步驟，係利用保持台保持黏貼有正面保護膠帶之晶圓的背面側；以及切割步驟，係在實施該保持步驟之後，利用切割刀片將晶圓的外周緣連同該正面保護膠帶一起切割，進而形成預定的深度與預定的寬度之階差部，其中，在該切割步驟中，該階差部是從晶圓的外周側朝向中心逐步地形成。
在上述晶圓加工方法中，也可以進一步具備正面保護膠帶薄化步驟，係在實施該保持步驟之後，實施該切割步驟之前，在與該切割步驟中所形成的該階差部對應之區域中，利用該切割刀片僅切割該正面保護膠帶並且將其薄化。
在上述晶圓加工方法中，也可以在該切割步驟中，一邊使該保持台旋轉，一邊使該切割刀片以預定的速度向晶圓的中心側移動。
在上述晶圓加工方法中，也可以在該正面保護膠帶薄化步驟中，一邊使該保持台旋轉，一邊使該切割刀片以預定的速度下降。
在上述晶圓加工方法中，該切割刀片的厚度的數值也可以是大於等於在該切割步驟中形成的該階差部的槽底的寬度的數值。
[發明功效] 本發明具有可以抑制絲狀的膠帶屑之產生的效果。
以下參照圖式來對用以實施本發明的型態（實施方式）進行詳細說明。本發明並非限定於以下實施方式所記載的內容。再者，以下所記載的構成要素中，包含本領域習知技術者能輕易思及者以及實質上相同的技術構成。進而，以下所記載的構成係可適當組合。此外，在不脫離本發明主旨的範圍內，可進行構成的各種省略、置換或變更。
（實施方式1） 根據附圖說明本發明的實施方式1有關的晶圓加工方法。圖1是實施方式1有關的晶圓加工方法中的加工對象的晶圓的立體圖。圖2是圖1表示的晶圓的外周緣的剖面圖。
實施方式1有關的晶圓加工方法是圖1表示的晶圓200的加工方法，是去除晶圓200的外周緣205的正面201側的方法。實施方式1有關的晶圓加工方法的加工對象的晶圓200是以矽作為基板的圓板狀之半導體晶圓，或是以諸如藍寶石、SiC（碳化矽）等作為基板之光學元件晶圓。晶圓200如圖1所示，在由形成於正面201的格子狀之分割預定線203所劃分的多個區域中形成有元件202。又，晶圓200如圖2所示，在外周緣205上，具有從正面201至背面204的圓弧。也就是說，晶圓200的外周緣205的一部分的剖面上形成為從正面201至背面204的圓弧狀。
接著，說明在實施方式1有關的晶圓加工方法中所使用的切割裝置1的一例。圖3是表示在實施方式1有關的晶圓加工方法中所使用的切割裝置的構造例的立體圖。
切割裝置1是對晶圓200實施所謂的修邊加工之裝置，藉由使切割刀片21切入至晶圓200且使晶圓200旋轉，而對晶圓200實施圓型的切割加工，對晶圓200的外周緣205的正面201側之整個周長來進行去除，進而形成階差部300（圖2中以虛線表示）。在實施方式1中，藉由切割裝置1對晶圓200的外周緣205的正面201側之整個周長來進行去除而形成的階差部300，係從正面201至槽底301的深度形成為預定的深度302。然後，在實施方式1中，形成於晶圓200的階差部300相較於元件202，位於晶圓200的更靠外周側，晶圓200的徑向寬度係整個周長形成為預定的寬度303（一定寬度）。
如圖3所示，切割裝置1具備：保持台10，係利用保持面11吸引保持晶圓200；切割單元20，係對保持於保持台10的晶圓200實施修邊加工；X軸移動單元30，係使保持台10與切割單元20在與水平方向平行的X軸方向上相對移動；Y軸移動單元40，係使保持台10與切割單元20在與水平方向平行且與X軸方向正交的Y軸方向上相對移動；Z軸移動單元50，係使保持台10與切割單元20在與X軸方向和Y軸方向皆正交的Z軸方向上相對移動；攝像單元60；控制單元100。
保持台10是圓盤形狀，其中構成保持面11的部分是由多孔狀陶瓷等形成，並且經由未圖示的真空吸引通路與未圖示的真空吸引源連接，並吸引載置於保持面11的晶圓200而加以保持。又，保持台10係藉由旋轉驅動源12而繞著與Z軸方向平行之軸心旋轉。
X軸移動單元30是加工進給單元，係藉由使保持台10連同旋轉驅動源12一起在X軸方向上移動，而在X軸方向上加工進給保持台10。Y軸移動單元40是分度進給單元，係藉由使切割單元20在Y軸方向上移動，而分度進給保持台10。Z軸移動單元50是切入進給單元，藉由使切割單元20在Z軸方向上移動，切入進給切割單元20。X軸移動單元30、Y軸移動單元40以及Z軸移動單元50具備：習知的滾珠螺桿31、41、51，係設置成以繞著軸心的方式旋轉自如；習知的脈衝馬達32、42、52，係使滾珠螺桿31，41、51以繞著軸心的方式旋轉；以及習知的導軌33，43、53，係在X軸方向、Y軸方向或Z軸方向上移動自如地支撐保持台10或切割單元20。
切割單元20具備：主軸22，以繞著與Y軸方向平行的軸心的方式旋轉；主軸外殼23，係容納主軸22並且藉由Y軸移動單元40以及Z軸移動單元50在Y軸方向與Z軸方向上移動；切割刀片21，係安裝在主軸22上。切割刀片21是形成為極薄的環形狀之切割磨石，藉由一邊供給切割水，一邊藉由主軸22以繞著與Y軸方向平行的軸心的方式旋轉，而對保持於保持台10的晶圓200進行切割加工。切割單元的切割刀片21的切刃的厚度的數值是大於等於階差部300的槽底301的預定的寬度303的數值，在實施方式1中，較佳為例如其具有1mm以上的厚度，且在修邊加工時不易彎曲。
攝像單元60是對保持於保持台10的晶圓200進行攝像，並且配設在與切割單元20在X軸方向上並列之位置。在實施方式1中，攝像單元60安裝於主軸外殼23。攝像單元60是由CCD攝影機構成，其攝像保持於保持台10的晶圓200。
控制單元100分別控制切割裝置1的上述各構造元件，對切割裝置1實施針對晶圓200的加工動作。控制單元100具有：運算處理裝置，具有如CPU（central processing unit；中央處理單元）的微處理器；記憶裝置，具有如ROM（read only memory；唯讀記憶體）或RAM（random access memory；隨機存取記憶體）的記憶體；以及輸入輸出界面裝置；並且是可以執行電腦程式的電腦。控制單元100的運算處理裝置，在RAM上執行記憶在ROM中的電腦程式，進而產生用於控制切割裝置1的控制信號。控制單元100的運算處理裝置是經由輸出輸入界面裝置向切割裝置1的每個構造元件輸出所產生的控制信號。然後，控制單元100，係連接至由顯示加工動作的狀態或影像等的液晶顯示裝置等所構成之未圖示的顯示單元，或連接至操作員在登錄加工內容資訊等時所使用的輸入單元。輸入單元是由設置在顯示單元上的觸控面板和鍵盤等之中的至少一個所構成。
接著，說明實施方式1有關的晶圓加工方法。圖4是表示實施方式1有關的晶圓加工方法的流程圖。圖5是表示圖4所示的晶圓加工方法中的正面保護膠帶黏貼步驟的立體圖。圖6是圖4表示的晶圓加工方法的正面保護膠帶黏貼步驟之後的晶圓的外周緣的剖面圖。圖7是表示圖4所示的晶圓加工方法的保持步驟的側面圖。圖8是表示圖7所示的晶圓加工方法中的正面保護膠帶薄化步驟的概要的剖面圖。圖9是表示圖4所示的晶圓加工方法中的切割步驟的概要的剖面圖。
晶圓加工方法（以下僅稱加工方法）是藉由使切割刀片21切入晶圓200，使晶圓200以繞著與Z軸方向平行的軸心之方式旋轉，而對晶圓200實施圓形的切割加工，進而形成階差部300的一種加工方法。如圖4所示，加工方法具備：正面保護膠帶黏貼步驟ST1、保持步驟ST2、正面保護膠帶薄化步驟ST3以及切割步驟ST4。
正面保護膠帶黏貼步驟ST1是在晶圓200的正面201上黏貼如圖5所示的正面保護膠帶210之步驟。在實施方式1中，正面保護膠帶210形成為與晶圓200相同大小的圓形。正面保護膠帶210具備：基材層，係由合成樹脂構成；糊層，係黏貼至配設在基材層上的晶圓200的正面201，並且形成為與晶圓200等同大小的圓板狀。正面保護膠帶210在實施方式1中，如圖5所示，在使正面保護膠帶210的糊層與晶圓200彼此面對之後，如圖6所示，正面保護膠帶210的糊層黏貼至晶圓200的正面201。加工方法係在正面保護膠帶黏貼步驟ST1之後，進行保持步驟ST2
保持步驟ST2是藉由保持台10來保持黏貼有正面保護膠帶210的晶圓200的背面204側之步驟。在保持步驟ST2中，當操作員操作輸入單元並且將加工內容資訊登錄在控制單元100，如圖7所示，操作員以正面保護膠帶210為上表面並且將晶圓200的背面204載置於保持面11，有來自於操作員之進行開始加工操作之指示時，控制單元100使真空吸引源驅動並且在保持台10吸引保持晶圓200。像這樣，在保持步驟ST2中，保持台10以正面保護膠帶210為上表面的方式來保持黏貼有正面保護膠帶210的晶圓200。加工方法在保持步驟ST2之後，進行正面保護膠帶薄化步驟ST3。
正面保護膠帶薄化步驟ST3是：在實施保持步驟ST2之後，實施切割步驟ST4之前，在與正面保護膠帶210的切割步驟ST4中所形成的階差部30對應之區域211中，利用切割刀片21僅切割正面保護膠帶210，而薄化正面保護膠帶210的區域211之步驟。另外，與正面保護膠帶210的階差部300對應之區域211是在Z軸方向上重疊於正面保護膠帶210的階差部300之區域。在正面保護膠帶薄化步驟ST3中，控制單元100藉由X軸移動單元30將保持台10朝著攝像單元60的下方移動，使攝像單元60攝像晶圓200，進而執行對準。
接著，控制單元100根據加工內容資訊和對準結果等，一邊藉由X軸移動單元30、Y軸移動單元40、Z軸移動單元50、以及旋轉驅動源12使保持台10以繞著軸心的方式旋轉，一邊將藉由主軸22旋轉的切割刀片21定位在黏貼於保持在保持台10的晶圓200之正面保護膠帶210的區域211上。控制單元100一邊使保持台10旋轉，一邊藉由Z軸移動單元50使切割單元20以預定的切入進給速度進行切入進給（下降），使切割刀片21切入晶圓200的外周緣205上的正面保護膠帶210，如圖8所示，將正面保護膠帶210的外周部的區域211薄化。
當控制單元100將正面保護膠帶210的外周部的區域211薄化至預定的厚度時，則終止正面保護膠帶薄化步驟ST3。另外，在實施方式1中，正面保護膠帶210的厚度是100μm，在正面保護膠帶薄化步驟ST3中，將正面保護膠帶210的區域211薄化至20μm為止。加工方法在正面保護膠帶薄化步驟ST3之後，進行切割步驟ST4。
切割步驟ST4是在實施保持步驟ST2以及正面保護膠帶薄化步驟ST3之後，利用切割刀片21將晶圓200的外周緣205連同正面保護膠帶210一起切割，於外周緣205形成階差部300，而對晶圓200實施修邊（edge trimming）加工之步驟。在切割步驟ST4中，控制單元100根據加工內容資訊與對準結果等，一邊藉由X軸移動單元30和Y軸移動單元40和Z軸移動單元50以及旋轉驅動源12使保持台10以繞著軸心的方式旋轉，一邊將旋轉的切割刀片21的刀鋒的下端定位在Z軸方向與階差部300的槽底301之相同的高度，同時，將切割刀片21的刀鋒定位在相較於保持在保持台10的晶圓200的外周緣205更外周側。
控制單元100一邊使保持台10旋轉，一邊藉由Y軸移動單元40使切割單元20以預定的分度進給速度向晶圓200的中心側移動，如圖9所示，使切割刀片21切入至晶圓200的外周緣205與正面保護膠帶210。在切割步驟ST4中，切割單元20利用切割刀片21將晶圓200的外周緣205連同正面保護膠帶210一起切割，進而形成階差部300。如上所述，在實施方式1有關的加工方法中，在切割步驟ST4中，藉由使切割刀片21以預定的分度進給速度向晶圓200的中心方向移動，切割刀片21實施修邊加工，而階差部300係從晶圓200的外周側朝向中心逐步地形成。也就是說，控制單元100使切割單元20從晶圓200的外周側朝向中心逐步地形成階差部300。
當控制單元100進行至使階差部300的寬度形成至預定的寬度303，則終止切割步驟ST4。另外，在實施方式1中，階差部300的預定的深度302是400μm，階差部300的預定的寬度303是800μm。加工方法係在切割步驟ST4之後終止。晶圓200在加工方法之後，於背面204側實施研削加工等，在薄化至預定的精製厚度之後，使用其他的切割裝置來分割成各個元件202。
實施方式1有關的加工方法在切割步驟ST4中，使切割刀片21從晶圓200的外周側朝向晶圓200的中心移動，實施修邊加工，進而逐步地形成階差部300。因此，加工方法的切割刀片21抑制在切割中向外周方向四溢的切割後之正面保護膠帶210的屑，可以抑制被切割的正面保護膠帶210的屑向晶圓200的外周側四溢。結果，加工方法可以切割去除正面保護膠帶210的區域211，同時，可以抑制由從區域211去除的正面保護膠帶210所構成的絲狀的膠帶屑之產生。
此外，實施方式1有關的加工方法由於在實施切割步驟ST4之前的正面保護膠帶薄化步驟ST3中，會薄化正面保護膠帶210的區域211，故當形成階差部300時，可以抑制在正面保護膠帶210與晶圓200的正面201之界面處產生裂痕。
又，實施方式1有關的加工方法在於正面保護膠帶薄化步驟ST3中薄化正面保護膠帶210的區域211之後，於切割步驟ST4中使切割刀片21從晶圓200的外周側朝向晶圓200的中心移動，實施修邊加工，同時，切割去除區域211。因此，由於實施方式1有關的加工方法是在切割步驟ST4中進行正面保護膠帶210的區域211的切割去除，而不是在正面保護膠帶薄化步驟ST3進行，因此可以抑制在區域211之特別是外周側的部分形成絲狀的膠帶屑。
另外，由於實施方式1有關的加工方法在正面保護膠帶薄化步驟ST3中，一邊使保持台10旋轉，一邊使切割單元20以預定的切入進給速度進行切入進給，進而薄化正面保護膠帶210的區域211，在薄化正面保護膠帶210時，可以抑制由構成正面保護膠帶210的基材層的合成樹脂組成的鬚狀毛邊之產生。
（實施方式2） 根據附圖說明本發明的實施方式2有關的晶圓加工方法。圖10是表示實施方式2有關的晶圓加工方法的流程圖。圖11是表示圖10所示的晶圓加工方法中的正面保護膠帶薄化步驟的概要之主要部分的剖面圖。在圖10和圖11中，附加與實施方式1相同的部分用相同的符號，並省略其說明。
實施方式2有關的晶圓加工方法（以下，僅稱加工方法）如圖10所示，除了正面保護膠帶薄化步驟ST3-2與實施方式1不同外，與實施方式1的加工方法是相同的。具體而言，在實施方式2有關的加工方法的正面保護膠帶薄化步驟ST3-2中，控制單元100根據加工內容資訊與對準結果等，在將藉由X軸移動單元30和Y軸移動單元40以及Z軸移動單元50旋轉的切割刀片21的刀鋒的下端定位在比將區域211薄化至預定厚度的切入深度還要淺的切入深度之預定高度（以圖11表示的區域211中的最上方的虛線212表示）的狀態下，使切割刀片21切入至正面保護膠帶210的區域211，於旋轉驅動源12使保持台10以繞著軸心的方式旋轉1圈。在實施方式2有關的加工方法的正面保護膠帶薄化步驟ST3-2中，控制單元100是將比區域211的最上方的虛線212更上方的部份切割去除。
於正面保護膠帶薄化步驟ST3-2中，在控制單元100使切割刀片21的刀鋒的下端切入進給至以位在區域211的最上方的虛線212的下一個高度（次高）之虛線212所示之位置之後，讓旋轉驅動源12使保持台10以繞著軸心的方式旋轉1圈，進而將位在比區域211的之下一個高度（次高）虛線212的更上方的部份切割去除。在正面保護膠帶薄化步驟ST3-2中，控制單元100多次重覆切割刀片21的切入進給和保持台10的旋轉1圈，直到區域211成為預定的厚度。在實施方式2的正面保護膠帶薄化步驟ST3-2中，控制單元100係進行重複4次“切割刀片21的切入進給以及保持台10的旋轉1圈”，而將正面保護膠帶210的區域211逐步地薄化至預定的厚度。在實施方式2的正面保護膠帶薄化步驟ST3-2中，控制單元100藉由1次的切割刀片21的切入進給和保持台10的旋轉1圈，將區域211薄化至20μm。
實施方式2有關的加工方法相同於實施方式1，在切割步驟ST4中，使切割刀片21從晶圓200的外周側朝向晶圓200的中心移動，進而逐步地形成階差部300。結果，加工方法相同於實施方式1，切割刀片21抑制在切割中向外周方向四溢的被切割的正面保護膠帶210的屑，可以切割去除正面保護膠帶210的區域211，同時，可以抑制由從區域211去除的正面保護膠帶210所形成的絲狀的膠帶屑之產生。
另外，由於實施方式2有關的加工方法在正面保護膠帶薄化步驟ST3-2中，逐步地薄化正面保護膠帶210的區域211，當薄化正面保護膠帶210時，可以抑制由構成正面保護膠帶210的基材層之合成樹脂所形成的鬚狀毛邊之產生。
（實施方式3） 根據附圖說明本發明的實施方式3有關的晶圓加工方法。圖12是表示實施方式3有關的晶圓加工方法的流程圖。圖13是表示圖12所示的晶圓加工方法中的切割步驟的概要的主要部份的剖面圖。在圖12和圖13中，在與實施方式1以及實施方式2相同的部分上，附加相同的符號，並且省略說明。
實施方式3有關的晶圓加工方法（以下，僅稱加工方法）如圖12所示，除了正面切割步驟ST4-3與實施方式1以及實施方式2不同以外，與實施方式1以及實施方式2的加工方法是相同的。加工方法在切割步驟ST4-3中，將切割刀片21從外周侧朝向中心側多次逐步地分度進給，利用切割刀片21將晶圓200的外周緣205連同正面保護膠帶210一起切割，並且從外周側朝向晶圓200的中心逐步地形成階差部300。
具體而言，在實施方式3有關的加工方法的切割步驟ST4-3中，控制單元100根據加工內容資訊與對準結果等，藉由X軸移動單元30和Y軸移動單元40以及Z軸移動單元50，將旋轉的切割刀片21的刀鋒的下端定位在與階差部300的槽底301相同的高度，並且將切割刀片21在X軸方向定位在從晶圓200的外周緣205退離的位置。進一步，在切割步驟ST4-3中，控制單元100將切割刀片21的Y軸方向的位置定位在比階差部300的預定的寬度303更窄之作為去除寬度之Y軸方向的預定位置（以圖13所示的階差部300以及區域211中的最外周的虛線312表示）。
在實施方式3有關的加工方法的切割步驟ST4-3中，控制單元100讓X軸移動單元30使保持台10朝向切割刀片21移動，使切割刀片21將正面保護膠帶210連同晶圓200的外周緣205一起切入，並且讓旋轉驅動源12使保持台10以繞著軸心的方式旋轉1圈。在實施方式3有關的加工方法的切割步驟ST4-3中，控制單元100切割去除比階差部300以及區域211的最外周的虛線312的更外側的部份，並且將切割刀片21在X軸方向定位在從晶圓200的外周緣205退離的位置。
在切割步驟ST4-3中，控制單元100讓Y軸移動單元40使切割單元20分度進給，並且將切割刀片21的Y軸方向的位置定位在階差部300以及區域211中的最外周的虛線312的下一個外周側的虛線312所示的位置。在切割步驟ST4-3中，控制單元100讓X軸移動單元30使保持台10朝向切割刀片21移動，使切割刀片211將正面保護膠帶210連同晶圓200的外周緣205一起切入，且讓旋轉驅動源12使保持台10於以繞著軸心的方式旋轉1圈，切割去除比階差部300以及區域211的下一個外周側的虛線312更外周側的部份。
在切割單元ST4-3中，控制單元100多次重覆“切割刀片21的分度進給、向切割刀片21的外周緣205的切入、以及保持台10的旋轉1圈”，直到階差部300的寬度成為預定的寬度303。在實施方式3的加工方法，於切割步驟ST4-3中，控制單元100重複16次“切割刀片21的分度進給、向切割刀片21的外周緣205的切入以及保持台10的旋轉1圈”，進而形成階差部300。在實施方式3，於切割步驟ST4-3中，控制單元100藉由1次的切割刀片21的分度進給、向切割刀片21的外周緣205的切入以及保持台10的旋轉1圈，將外周緣205切割去除50μm。
實施方式3有關的加工方法相同於實施方式1以及實施方式2，在切割步驟ST4-3中，使切割刀片21從晶圓200的外周側朝向晶圓200的中心移動，進而逐步地形成階差部300。結果，實施方式3有關的加工方法相同於實施方式1以及實施方式2，切割刀片21抑制在切割中向外周方向四溢之切割的正面保護膠帶210的屑，且可以切割去除正面保護膠帶210的區域211，同時，可以抑制由從區域211去除的正面保護膠帶210所形成的絲狀的膠帶屑之產生。
[變化例1] 根據附圖說明本發明的實施方式1以及實施方式3之變化例1有關的晶圓加工方法。圖14是表示實施方式1以及實施方式3之變化例1有關的晶圓加工方法的流程圖。圖14在與實施方式1以及實施方式3相同的部分上，附加相同的符號，並且省略說明。
實施方式1以及實施方式3有關的晶圓加工方法（以下僅稱加工方法）如圖14所示，與實施方式1以及實施方式3的不同之處在於，除了不實施正面保護膠帶薄化步驟ST3，即，具備正面保護膠帶黏貼步驟ST1、保持步驟ST2以及切割步驟ST4、ST4-3，與實施方式1以及實施方式3的加工方法是相同的。
變化例1有關的加工方法係相同於實施方式1以及實施方式3，在切割步驟ST4、ST4-3中，使切割刀片21從晶圓200的外周側朝向晶圓200的中心移動，進而逐步地形成階差部300。結果，變化例1有關加工方法係相同於實施方式1以及實施方式3，切割刀片21抑制在切割中向外周方向四溢的切割的正面保護膠帶210的屑，可以切割去除正面保護膠帶210的區域211，同時，可以抑制由從區域211去除的正面保護膠帶210所形成的絲狀的膠帶屑之產生。
[變化例2] 說明本發明的實施方式1至實施方式3之變化例2有關的晶圓加工方法。實施方式1至實施方式3有關的晶圓加工方法（以下僅稱加工方法），與實施方式1至實施方式3的不同之處在於，除了使用互為不同的切割刀片21實施正面保護膠帶薄化步驟ST3、ST3-2和切割步驟ST4、ST4-3外，其他與實施方式1至實施方式3的加工方法是相同的。
變化例2有關的加工方法也可以交換圖3所示的切割裝置1的切割刀片21，並且實施正面保護膠帶薄化步驟ST3、ST3-2與切割步驟ST4、ST4-3。又，變化例2有關的加工方法可以使用具備2個切割單元的切割裝置，其中一個切割單元上安裝保護膠帶薄化步驟ST3、ST3-2用的切割刀片21，另一個切割單元上則安裝切割步驟ST4、ST4-3用的切割刀片21，並且實施正面保護膠帶薄化步驟ST3、ST3-2與切割步驟ST4、ST4-3。
變化例2有關的加工方法係相同於實施方式1等，在切割步驟ST4、ST4-3中，使切割刀片21從晶圓200的外周側朝向晶圓200的中心移動，進而逐步地形成階差部300。結果，變化例2有關的加工方法相同於實施方式1等，切割刀片21抑制在切割中向外周方向四溢的切割的正面保護膠帶210的屑，可以切割去除正面保護膠帶210的區域211，同時，可以抑制由從區域211去除的正面保護膠帶210所形成的絲狀的膠帶屑之產生。
接著，本發明的發明人確認了實施方式1、實施方式2、實施方式3和變化例1的加工方法的效果以及這些加工方法中的優勢。結果如下表1至表示3所示。
（表1）
（表2）
（表3）
表1是比較例、本發明品1、本發明品2、本發明品3以及本發明品4之絲狀膠帶屑之產生狀況的確認結果，其中比較例不是從外周側朝向中心逐步地形成階差部300，而是利用1次的切割來切割去除正面保護膠帶的每個區域，形成階差部300；本發明品1係利用實施方式1的加工方法形成階差部300；本發明品2係利用實施方式2的加工方法形成階差部300；本發明品3係利用實施方式3的加工方法形成階差部300；本發明品4則係利用變化例1的加工方法形成階差部300。
表2是本發明品1、本發明品2、本發明品3以及本發明品4之各個正面保護膠帶210與晶圓200的界面的裂痕的產生狀況之確認結果。
表3是比較例2、本發明品1、本發明品2之各個由構成正面保護膠帶210的基材層之合成樹脂所形成的鬚狀毛邊之產生狀況的確認結果，其中比較例2係在使保持台10旋轉1圈期間，將正面保護膠帶210的區域211薄化80μm。
根據表1，在比較例中，雖然產生絲狀的膠帶屑，但在本發明品1、本發明品2、本發明品3以及本發明品4中，不會產生絲狀的膠帶屑。因此，根據表1，在切割步驟ST4中，藉由從晶圓200的外周側朝向中心逐步地形成階差部300，明顯可以抑制絲狀的膠帶屑之產生。
根據表2，在本發明品4中，雖然產生裂痕，但在本發明品1、本發明品2、以及本發明品3中，不會產生裂痕。因此，根據表2，藉由在實施切割步驟ST4之前來實施正面保護膠帶薄化步驟ST3，明顯可以抑制正面保護膠帶210與晶圓200的正面201之界面的裂痕之產生。
根據表3，在比較例2中，雖然產生由構成正面保護膠帶210的基材層之合成樹脂所形成的鬚狀毛邊，但在本發明品1以及本發明品2中，不會產生鬚狀毛邊。因此，根據表3，在正面保護膠帶薄化步驟ST3中，藉由一邊使保持台10旋轉，一邊使切割單元20以預定的切入進給速度進行切入進給，進而薄化正面保護膠帶210的區域211，明顯可以抑制由構成正面保護膠帶210的基材層之合成樹脂所形成的鬚狀毛邊之產生。另外，根據表3，在正面保護膠帶薄化步驟ST3-2中，藉由多次的切割，逐步地薄化正面保護膠帶210的區域211，明顯可以抑制由構成正面保護膠帶210的基材層之合成樹脂所形成的鬚狀毛邊之產生。
另外，根據上述的實施方式1至實施方式3、變化例1以及變化例2有關的晶圓的有關之加工方法，可以得到以下的切割裝置。 （附記1） 一種切割裝置，係對晶圓實施切割加工，其中，具備： 保持台，係將正面黏貼有正面保護膠帶的晶圓以該正面保護膠帶作為上正面來保持晶圓； 切割單元，係利用切割刀片將該晶圓的外周緣連同該正面保護膠帶一起切割，進而形成預定的深度與預定的寬度的階差部； 以及控制單元，係控制各構成元件， 其中，該控制單元使該切割單元從該晶圓的外周側朝向中心逐步地形成該階差部。
上述切割裝置是相同於實施方式1等有關的加工方法，在切割步驟中，使切割刀片從晶圓的外周側朝向晶圓的中心移動，實施修邊加工，進而逐步地形成階差部。因此，切割裝置的切割刀片抑制在切割中向外周方向四散之切割的正面保護膠帶的屑，可以抑制被切割的正面保護膠帶的屑向晶圓的外周側四散。結果，切割裝置可以切割去除正面保護膠帶的區域，同時，可以抑制由從區域去除的正面保護膠帶所構成的絲狀的膠帶屑之產生。
此外，本發明不限於上述實施方式以及修改示例。亦即，在不脫離本發明的範圍，可進行各種變形並予以實施。
10‧‧‧保持台
21‧‧‧切割刀片
100‧‧‧控制單元
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧正面
204‧‧‧背面
205‧‧‧外周緣
210‧‧‧正面保護膠帶
211‧‧‧區域
300‧‧‧階差部
301‧‧‧槽底
302‧‧‧預定的深度
303‧‧‧預定的寬度
ST1‧‧‧正面保護膠帶黏貼步驟
ST2‧‧‧保持步驟
ST3‧‧‧正面保護膠帶薄化步驟
ST4‧‧‧切割步驟
圖1是實施方式1有關的晶片加工方法中的加工對象的晶圓的立體圖。 圖2是圖1表示的晶片的外周緣的剖面圖。 圖3是表示利用在實施方式1有關的晶圓加工方法中所使用的切割裝置的構造例的立體圖。 圖4是表示實施方式1有關的晶圓加工方法的流程圖。 圖5是表示圖4所示的晶圓加工方法中的正面保護膠帶黏貼步驟的立體圖。 圖6是圖4表示的晶圓加工方法的正面保護膠帶黏貼步驟之黏貼後的晶圓的外周緣的剖面圖; 圖7是圖4表示的晶圓加工方法的保持步驟的側面圖。 圖8是表示圖7所示的晶圓加工方法中的正面保護膠帶薄化步驟的概要的剖面圖。 圖9是表示圖4表示的晶圓加工方法中的切割步驟的概要的剖面圖。 圖10是表示實施方式2有關的晶圓加工方法的流程圖。 圖11是表示圖10所示的晶圓加工方法中的正面保護膠帶薄化步驟的概要的主要部分的剖面圖。 圖12是表示實施方式3有關的晶圓加工方法的流程圖。 圖13是表示圖12所示的晶圓加工方法中的切割步驟的概要的剖面圖。 圖14是表示有關實施方式1以及實施方式3的變化例1有關的晶圓加工方法的流程圖。

Claims (5)

  1. 一種晶圓加工方法，該晶圓於外周緣具有從正面至背面的圓弧，該晶圓加工方法具備： 正面保護膠帶黏貼步驟，係在晶圓的正面黏貼正面保護膠帶； 保持步驟，係利用保持台保持黏貼有該正面保護膠帶之晶圓的背面側；以及 切割步驟，係在實施該保持步驟之後，利用切割刀片將晶圓的外周緣連同該正面保護膠帶一起切割，進而形成預定的深度與預定的寬度之階差部； 其中，在該切割步驟中，該階差部是從晶圓的外周側朝向中心逐步地形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓加工方法，其中，進一步具備：正面保護膠帶薄化步驟，係在實施該保持步驟之後、實施該切割步驟之前，在與該切割步驟中所形成的該階差部對應之區域中，利用該切割刀片僅切割該正面保護膠帶並且將其薄化。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓加工方法，其中，在該切割步驟中，一邊使該保持台旋轉，一邊使該切割刀片以預定的速度向晶圓的中心側移動。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之晶圓加工方法，其中，在該正面保護膠帶薄化步驟中，一邊使該保持台旋轉，一邊使該切割刀片以預定的速度下降。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓加工方法，其中，該切割刀片的厚度的數值是大於等於在該切割步驟中形成的該階差部的槽底的寬度的數值。
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