TWI614800B - 晶圓之加工方法 - Google Patents

Description

晶圓之加工方法 發明領域

本發明是有關於一種藉由低介電常數和機能膜所積層而成之積層體，在晶圓表面形成裝置的晶圓之加工方法。

發明背景

近年，伴隨著半導體裝置之微小化，在半導體基板表面形成半導體裝置之裝置晶圓已被實用化。裝置晶圓是在矽和砷化鎵等的半導體基板表面積層SiOF、BSG等無機物類膜或聚對二甲苯(parylene)類聚合物等有機物類膜所構成之Low-k膜(低介電常數絕緣膜)，和形成電路之機能膜而形成。Low-k膜非常脆，在使用切削刀片的機械切割(Mechanical dicing)下，Low-k膜會剝離，恐有使裝置破損之虞。

以往，為了良好地分割這種裝置晶圓，已知有使雷射切割(Laser Dicing)和機械切割相組合之加工方法(參照例如，專利文獻1)。在這種晶圓之加工方法中，是由晶圓的表面側照射雷射光束以形成切斷Low-k膜和機能膜的雷射加工溝，再使用切削刀片切削由雷射加工溝底面露出 的基板表面。透過這種加工，可防止Low-k膜的膜剝落，同時將裝置晶圓分割成一個個的裝置。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2005-150523號公報

發明概要

然而，在專利文獻1中所記載的晶圓之加工方法，因為除了切削裝置以外必須使用雷射加工裝置，因此有裝置成本增加的問題。

本發明是有鑑於此種問題點而作成者，目的為提供可以用低價之裝置構成在不造成膜層剝落的情況下加工晶圓的晶圓之加工方法。

本發明的晶圓之加工方法，是將藉由在基板表面積層低介電常數絕緣膜和機能膜而成的積層體所形成之裝置以分割預定線劃分而形成之晶圓，沿著分割預定線進行加工的晶圓加工方法，其包含，在晶圓背面黏貼保護膠帶之膠帶黏貼步驟；實施膠帶黏貼步驟後，僅使用前端形狀為使刀片寬度越往前端變得越窄的切削刀片之前端形狀，從晶圓的表面側去除積層體，切入基板表面到預定深度處且沿著分割預定線切削晶圓，而去除積層體並在基板上形成切削溝之積層體去除步驟；以及在積層體去除步驟之 後，沿著切削溝以厚度比切削溝之寬度還細的切削刀片從露出的基板表面沿著分割預定線切削基板，而在基板上形成切削溝之切削溝形成步驟。

依照這個構成，在積層體去除步驟中，切削刀片的前端形狀為越向前端越窄，且僅使用此前端形狀淺淺地切入晶圓表面。即，是透過切削刀片的前端面，用淺角度切入晶圓表面以從基板表面去除積層體。因此，可將切口的邊緣部分變成倒角狀態，而可防止以切口的邊緣部分作為起點的晶圓之膜層剝落。藉此，不需要為了防止晶圓的膜層剝落而使用高價的雷射加工裝置進行加工，而可以用低價的裝置構成在不造成膜層剝落的情況下加工晶圓。

本發明的上述晶圓之加工方法中，還可在實施該積層體去除步驟前，實施測定步驟，並以測定機構測定晶圓之該分割預定線上的表面位移，而形成晶圓表面位移之測繪資料(mapping data)，且在該積層體去除步驟中，依據該測繪資料相對於晶圓一邊在垂直方向上調整切削刀片一邊進行切削，以將該切削刀片從表面位置切入到該預定深度處。

根據本發明，藉由僅使用越朝向前端寬度形成得越窄之切削刀片的前端形狀從晶圓表面去除積層體，因而可以用低價的裝置構成在不造成膜層剝落的情況下加工晶圓。

1‧‧‧切削裝置

2‧‧‧基台

21‧‧‧移動板

22‧‧‧防水蓋

23‧‧‧柱部

3‧‧‧夾頭台

31‧‧‧保持面

32‧‧‧夾具部

4‧‧‧切削機構

41、42‧‧‧刀片單元

43、44‧‧‧切削刀片

45‧‧‧測定機構

46‧‧‧轉軸單元

47‧‧‧前端面

5‧‧‧移動機構

51、53‧‧‧導軌

52‧‧‧Y軸滑台

54‧‧‧Z軸滑台

55、56‧‧‧滾珠螺桿

57、58‧‧‧驅動馬達

6‧‧‧升降機構

7‧‧‧洗淨機構

71‧‧‧旋轉台

81‧‧‧基板

82‧‧‧積層體

83‧‧‧分割預定線

84‧‧‧晶圓之表面

85‧‧‧晶圓之背面

86‧‧‧淺溝(切削溝)

86a‧‧‧第1條淺溝

86b‧‧‧第2條淺溝

87‧‧‧深溝(切削溝)

88‧‧‧保護膠帶的黏著面

91‧‧‧基板之表面

A、B‧‧‧箭形符號

D‧‧‧裝置

F‧‧‧支撐框架

T‧‧‧保護膠帶

t‧‧‧切線

W‧‧‧晶圓

X、Y、Z‧‧‧方向

圖1為本實施形態之切削裝置的立體圖；圖2所示的圖為本實施形態之膠帶黏貼步驟之一例；圖3所示的圖為本實施形態之測定步驟之一例；圖4A、B所示的圖為本實施形態之積層體去除步驟之一例；圖5所示的圖為本實施形態之切削溝形成步驟之一例；圖6A~H所示的圖為本實施形態之積層體去除步驟的實驗結果之一例；及圖7A~C所示的圖為變形例之積層體去除步驟及切削溝形成步驟之一例。

用以實施發明之形態

以下，參照附加圖式，說明本實施形態的晶圓之加工方法。圖1為本實施形態之切削裝置的立體圖。再者，在本實施形態的晶圓之加工方法中所使用之切削裝置，並不限於圖1所示之構成。在此，雖然是以具備一對切削刀片的切削裝置為例示說明，但並不限於此構成。本發明，只要是可以在被加工物上形成切削溝的切削裝置，不論是哪一種切削裝置皆可適用。

如圖1所示，切削裝置1是使用厚度不同的2種切削刀片43、44(圖1中僅顯示切削刀片43)，而構成為用2階段對晶圓W實施使切入深度增加的分段切割(step cut)。晶圓W大致形成圓板狀，並在基板81的表面91上形成有裝置D(參照圖4)。裝置D是以積層了無機物類膜和有機物類膜所構成 之Low-k膜(低介電常數絕緣膜)和形成電路之機能膜而成的積層體82所形成。晶圓W的表面84之裝置D，是藉由排列成格子狀的分割預定線83而被劃分成複數個區域(參照圖2)。

又，晶圓W貼有保護膠帶T，此保護膠帶T的外周黏貼有環狀的支撐框架F。晶圓W，是以透過保護膠帶T而受到支撐框架F支撐的狀態被收容在卡匣(圖未示)中，並藉由卡匣搬入至切削裝置1。再者，在本實施形態中，雖然是舉在矽晶圓、砷化鎵等的半導體基板上積層有Low-k膜和機能膜的晶圓W為例進行說明，但並非局限於此構成者。不受限於半導體基板，只要是積層Low-k膜和機能膜的基板，不論哪種基板皆可。

將基台2的上表面中央部分，是以在X軸方向上延伸的方式形成矩形開口，並設置有移動板21和防水蓋22以覆蓋此開口。移動板21上設有可繞Z軸旋轉的夾頭台3。防水蓋22和移動板21的下方設有使夾頭台3在X軸方向上移動之滾珠螺桿式的移動機構(圖未示)。而且，在基台2上有設置成橫跨沿X軸方向延伸之開口的直立設置之門型柱部23。在門型之柱部23中設置有對夾頭台3上之晶圓W施行分段切割的切削機構4。

又，在基台2的上表面，設置有載置卡匣(圖未示)的升降機構6和將已加工完成的晶圓W洗淨的洗淨機構7。升降機構6，是藉由升降機器(圖未示)調整卡匣內之晶圓W的出入位置。洗淨機構7，是將保持晶圓W的旋轉台71下降 至基台2內，並在基台2內噴射洗淨水以洗淨晶圓W後，吹送乾燥空氣使晶圓W被乾燥。在基台2上方，設有可在卡匣、夾頭台3、洗淨機構7的相互之間搬送晶圓W之1個或複數個的搬運機構(圖未示)。

夾頭台3，是構成為可將晶圓W定位於切削機構4的正下方，以相對於切削機構4在X軸方向上加工傳送晶圓W。夾頭台3的表面是藉由多孔陶瓷(porous ceramics)材料形成吸引保持晶圓W背面的保持面31。保持面31是通過夾頭台3內的流路連接到吸引源(圖未示)，並以保持面31上所產生之負壓吸附保持晶圓W。在夾頭台3的周圍設置有將晶圓W周圍的支撐框架F挾持固定的4個夾具部32。

在切削機構4中，設有使一對刀片單元41、42相對於夾頭台3在Y軸方向和Z軸方向上移動之滾珠螺桿式移動機構5。移動機構5，具有相對於柱部23的前表面平行於Y軸方向的一對導軌51，和可滑動地設置在一對導軌51上之馬達驅動的一對Y軸滑台52。又，移動機構5，具有配置於各Y軸滑台52的前表面且平行於Z軸方向的一對導軌53，和可滑動地設置在此導軌53上之馬達驅動的Z軸滑台54。在各Z軸滑台54的下方設有刀片單元41、42。

在各Y軸滑台52的背面側，形成有圖未示之螺紋部，這些螺紋部上螺合有滾珠螺桿55。又，在各Z軸滑台54的背面側，形成有圖未示之螺紋部，這些螺紋部上螺合有滾珠螺桿56。在Y軸滑台52用滾珠螺桿55、Z軸滑台54用滾珠螺桿56的其中一端部，分別連結有驅動馬達57、58。藉 由以這些驅動馬達57、58將滾珠螺桿55、56旋轉驅動，就可沿著導軌51、53在Y軸方向上和Z軸方向上讓一對刀片單元41、42移動。

一對刀片單元41之切削刀片43、44，是設置於轉軸單元46之轉軸(未圖示)的前端。其中一側的刀片單元41的切削刀片43是將刀片寬度形成得比另一側的刀片單元42的切削刀片44(參照圖5)還厚。切削機構4中，是使用這種厚度不同的2種切削刀片43、44實施分段切割。即，可對分割預定線83(參照圖2)以一側的切削刀片43施加第1階段的切入，並對此分割預定線83以另一側的切削刀片44施加第2階段的切入。

然而，在附有Low-k膜的晶圓W的表面84，在以切削刀片43進行的切削加工時有容易造成膜層剝落的問題。本發明申請人在調查過切削刀片43的切入深度和膜層剝落之間的關係後發現，藉由只用切削刀片43之前端細的前端形狀對晶圓W的表面84施加第1階段的切入，就會變得不易發生晶圓W的表面84的膜層剝落。因此，本實施形態是在分段切割中，藉由將第1階段的切入盡量切淺，而做到防止晶圓W表面84的膜層剝落。

又，在其中一側的Z軸滑台54中，設置有在X軸方向上緊鄰刀片單元41，以測定分割預定線83之表面位移的測定機構45。測定機構45是由背壓感測器及雷射位移計等非接觸式的測定機構所構成。由測定機構45測得之分割預定線83的表面位移之測定結果可形成測繪資料。依據此 測繪資料，讓相對於晶圓W表面84的第1階段切入深度可順應分割預定線83的表面位移而調整。因此，即使表面位移發生零亂不規律，也都可以將切削刀片43的切入從晶圓W的表面84調整到適當的深度處，而有效地防止晶圓W表面84的膜層剝落。

如此所構成之切削裝置1中，是將在膠帶黏貼步驟後之貼有保護膠帶T的晶圓W搬入，以實施測定步驟、基層體去除步驟、切削溝形成步驟。在膠帶黏貼步驟中，是將保護膠帶T黏貼於晶圓W的背面85(參照圖2)。貼有保護膠帶T的晶圓W，是以晶圓W的表面84朝向上方的狀態被搬入切削裝置1。在測定步驟中，可藉由測定機構45測定晶圓W的分割預定線83上之表面位移，再依據測定結果形成顯示表面位移的測繪資料(參照圖3)。

在積層體去除步驟中，是僅利用一側的切削刀片43的前端形狀，將積層體82從晶圓W的表面84側去除，並在基板81的表面91形成作為切削溝的淺溝86(參照圖4)。此時，根據測繪資料，調整起自晶圓W的表面位置之切削刀片43的切入量。藉此，可在不造成膜層剝落的情況下沿著分割預定線83除去積層體82。在切削溝形成步驟中，是使用寬度比淺溝86還細之另一側的切削刀片44，沿著淺溝86形成作為切削溝的深溝87，而將晶圓W全切(full cut)(參照圖5)。藉此，將晶圓W分割成一個個的裝置D。

以下，參照圖2至圖5，詳細說明本實施形態的晶圓之加工方法。圖2為膠帶黏貼步驟，圖3為測定步驟，圖4 為積層體去除步驟，圖5為切削溝形成步驟之各自一例所示之圖。

如圖2所示，首先實施膠帶黏貼步驟。在膠帶黏貼步驟中，是將保護膠帶T黏貼成覆蓋住環狀的支撐框架F的內側開口部，並將晶圓W的背面85黏貼在保護膠帶T的黏著面88。晶圓W是透過保護膠帶T而受到支撐框架F支撐。再者，膠帶黏貼步驟，也可由作業員以手動作業實施，亦可透過圖未示之膠帶黏貼裝置進行。保護膠帶T黏貼後之晶圓W會被搬入切削裝置1。

如圖3所示，在膠帶黏貼步驟實施後，實施測定步驟。在測定步驟中，是透過保護膠帶T將晶圓W之背面85保持在夾頭台3上，晶圓W周圍之支撐框架F則受到夾具部32保持。並且，將測定機構45沿著晶圓W的分割預定線83移動，並測定分割預定線83的表面位移。例如，當測定機構45為背壓感測器時，是將噴嘴定位於分割預定線83上，並根據壓縮空氣的壓力變化，將噴嘴和晶圓W表面84間的距離求出而作成分割預定線83的表面位移。

又，在測定步驟中，可依據測定機構45的測定結果，形成表示分割預定線83之表面位移的測繪資料。測繪資料，是藉由例如，在分割預定線83上之座標和表面位置(高度)之間建立關聯性而形成。再者，在測定步驟中，並不限於沿著分割預定線83連續地測定表面位移之構成，也可以是在分割預定線83上的數個位置上測定表面位移之構成。此時，測繪資料是由分割預定線83上的數個位置之表 面位移的平均值形成。又，測定機構45，只要是可以測定分割預定線83上之表面位移的構成即可，且不限於非接觸式的測定機構，以接觸式的測定機構構成亦可。

如圖4所示，實施過測定步驟後，可實施積層體去除步驟。在積層體去除步驟中，如圖4A所示，是使一側的切削刀片43相對於晶圓W的分割預定線83進行位置對齊，並一邊噴射切削水一邊只用切削刀片43的前端形狀從晶圓W的表面84側淺淺地切入。當藉由切削刀片43切入晶圓W至預定深度時，可相對於切削刀片43將夾頭台3在X軸方向上切削傳送。藉此，可從晶圓W的表面84側去除該積層體82，以在基板81的表面91形成沿著分割預定線83的淺溝86。

此時，因為可根據測繪資料調整起自晶圓W的表面位置的切削刀片43的切入量，因此可以使切削刀片43的切入量順應配合晶圓W的表面位移。例如，以測繪資料所示之晶圓W的表面位置為基準，由切削刀片43的刀片寬度和前端面47的曲率將切削刀片43的切入量調整成僅以切削刀片43的R形之前端面47(參照圖4B)切入晶圓W。即使晶圓W的表面位移不規則，仍然可以始終保持只用切削刀片43的前端形狀切削晶圓W，而不會有將切削刀片43相對於晶圓W深深地切入的情形。在積層體82的去除上透過僅使用切削刀片43之前端細的前端形狀之作法，可以防止切削加工中的晶圓W之表面84的膜層剝落。

具體來說，如圖4B所示，切削刀片43的前端形 狀是形成R形，並利用此R形的圓弧以透過切削刀片43的前端面47用淺角度切入晶圓W的表面84。例如，如箭形符號A所示，使相對於切削刀片43的外表面之切線t可相對於晶圓W的表面84形成淺角度的範圍作為前端面47而被利用。據此，將不會有如箭形符號B所示，使相對於切削刀片43的外表面之切線t以相對於晶圓W的表面84變成深角度，也就是成大致變成直角的範圍切入晶圓W的情形。其結果為，淺溝86的邊緣部分藉由切削刀片43的前端面47變成經倒角處理的狀態，而變得不易在切削加工中發生以淺溝86的邊緣部分作為起點的膜層剝落。

再者，積層體去除步驟，也可以是在測定步驟中將所有的分割預定線83的測繪資料形成後，再形成淺溝86之構成。又，也可以將切削刀片43配置在測定機構45的後方，以一邊用先行的測定機構45測定分割預定線83的表面位移，一邊利用後續的切削刀片43依據測定機構45的測定結果形成淺溝86。

如圖5所示，實施過積層體去除步驟後，可實施切削溝形成步驟。在切削溝形成步驟中，是相對於積層體去除步驟的切削刀片43延遲數行線才開始進行透過切削溝形成步驟的切削刀片44的加工。此時，是使厚度比淺溝86的寬度還細的另一側的切削刀片44相對於晶圓W的淺溝86進行位置對齊，並一邊噴射切削水一邊以切削刀片44深深地切入晶圓W。當以切削刀片44切入晶圓W至到達保護膠帶T的深度為止後，可相對於切削刀片44將夾頭台3在X軸 方向上切削傳送。藉此，可切削從淺溝86露出之基板81表面91而形成沿著分割預定線83之深溝87，並將晶圓W分割成一個個的裝置D。

在此，因為是沿著事先以一側的切削刀片43去除過積層體82的淺溝86進行切削，故用比淺溝86的溝寬還細的另一側的切削刀片44並不會發生晶圓W的積層體82被切削的情形。藉此，即使以切削刀片44將晶圓W深深地切入，也不會有導致積層體82受損的情形，也不會有在晶圓W的表面84發生膜層剝落的情形。如此，藉由相對於分割預定線83，將第1階段的切入切淺以防止膜層剝落，並將第2階段的切入切深而切入到保護膠帶T為止，就可做到將晶圓W良好地分割的結果。

再者，在本實施形態中，雖然是做成相對於積層體去除步驟的切削刀片43延遲數行線才使切削溝形成步驟的切削刀片44並行之構成，但並不受限於此構成。也可以做成在對所有的分割預定線83都實施過積層體去除步驟後再實施切削溝形成步驟之構成。

(實驗例)

接著，說明使切削刀片43的粒徑和切入量變化以實施積層體去除步驟的實驗例。在此，如圖6A-圖6D所示，準備#2000、#3000、#4000、#5000的4種切削刀片43作為研磨粒之粒徑，並將其對基板的切入量分別設成20μm而實施積層體去除步驟。又，如圖6E-圖6H所示，針對粒徑#4000的切削刀片43，將對基板的切入量設成20μm、10μm而實施積層 體去除步驟。此時，以刀片旋轉數30000rpm，加工傳送速度30mm/s進行加工。再者，評估晶圓是使用矽基板上積層了Low-k膜和鈍化膜(passivation film)者。

其結果為，如圖6A-圖6D所示，隨著研磨粒之粒徑變小可確認到膜層剝落變輕微的情況。雖然使用#5000的切削刀片43的情況，還是比用#2000的切削刀片43的情況還可以減少膜層剝落，但仍然無法抑制切口之邊緣部分的膜層剝落。又，如圖6E所示，雖然在使用#4000的切削刀片43切入20μm的情況中有確認到膜層剝落，但如圖6F所示，在同樣地使用#4000的切削刀片43切入10μm的情況中並未確認到膜層剝落。

這被認為是，如圖6G所示，在切入量為20μm時切削刀片43不只R形的前端面47，連側面附近也會切入晶圓W，如圖6H所示，而在切入量為10μm時則僅有切削刀片43之R形的前端面47會切入晶圓W之故。其結果，可確認為以僅用切削刀片43的前端形狀切入積層體82的作法，就可以有效地防止晶圓W的膜層剝落。再者，在上述實驗例中，加工條件和切入量僅是作為一例表示者，而不應被限定。特別是切入量，是根據切削刀片43的刀片寬度等而決定者，例如，針對刀片寬度為30μm-35μm者，較理想的是調整為10μm以下。

如上，根據本實施型態的晶圓W之加工方法，在基層體去除步驟中，是將切削刀片43的前端形狀形成越向前端越窄，且僅使用此前端形狀淺淺地切入晶圓W的表面 84。即，藉由以切削刀片43的前端面47以淺角度切入晶圓W的表面84而從基板81的表面91去除積層體82。因此，可將切口之邊緣部分變成經倒角處理的狀態，並可防止以切口之邊緣部分作為起點的晶圓W的膜層剝落。藉此，不需要為了防止晶圓W的膜層剝落而使用高價的雷射加工裝置，而可以用低價的裝置構成在不造成膜層剝落的情況下加工晶圓W。

再者，本發明不限於上述實施形態，並可進行各種變更而實施。在上述實施形態中，關於在附圖所圖示之大小或形狀等，並不限定於此，而可在發揮本發明的效果的範圍內作適當變更。另外，只要不脫離本發明之目的範圍均可以作適當的變更而實施。

例如，在上述實施形態中，雖然是作成將刀片寬度形成為淺溝86用的切削刀片43比深溝87用的切削刀片44還厚之構成，但並不受限於此構成。在要切斷較厚的晶圓W的情況中，則使用刀片寬度為作為深溝87用的切削刀片43比淺溝86用的切削刀片44還厚者。這時，在積層體去除步驟中，是如圖7A所示，對分割預定線83形成第1條淺溝86a，又如圖7B所示，藉由對淺溝86a在寬度方向上僅稍微錯開以形成第2條淺溝86b，以使淺溝86的溝寬擴大。藉此，如圖7C所示，即使在切削溝形成步驟中使用刀片寬度比淺溝86用的切削刀片43還厚的切削刀片44時，也可以在淺溝86的內側形成深溝87。即，積層體去除步驟，也包含藉由沿著分割預定線83之複數次切削加工以形成1條淺溝86之 構成。

又，在上述實施形態中，是使用前端形狀為R形的切削刀片43，並僅使此前端形狀切入而實施積層體去除步驟，但並不應受限於此構成。積層體去除步驟，只要是僅使用前端形狀為使刀片寬度越向前端變得越窄之切削刀片的該前端形狀實施即可。例如，也可以使用前端形狀為V字形的切削刀片，並僅使此前端形狀切入以實施積層體去除步驟。如此，即使是用前端形狀為V字形的切削刀片，也可防止以對晶圓W的切口之邊緣部分作為起點的膜層剝落。

又，在上述實施形態中，是作成在切削溝形成步驟中將晶圓W全切(full cut)以分割成一個個的裝置D之構成，但並不受限於此構成。切削溝形成步驟，也可以作成將晶圓W半切(half cut)，而不分割成一個個的裝置D之構成。此時，也可以在將晶圓W半切後，進行從背面側磨削晶圓W以將其分割成一個個裝置D的DBG(Dicing Before Grinding)加工。

又，在上述實施形態中，是作成在積層體去除步驟之前實施測定步驟之構成，但並不受限於此構成。在晶圓W的表面位移的不規則程度較小時，可省略測定步驟。

又，在本實施形態中，雖然測定步驟、積層體去除步驟、切削溝形成步驟都是用相同的加工裝置實施，膠帶黏貼步驟也可以用相同的加工裝置實施。又，也可以將一部分的步驟或各步驟用不同的加工裝置實施。

產業上之可利用性

如以上所說明，本發明具有可以用低價的裝置構成在不造成膜層剝落的情況下加工晶圓的效果，尤其對以低介電常數絕緣膜和機能膜所積層而成的積層體，而在晶圓的表面形成裝置的晶圓之加工方法特別有用。

3‧‧‧夾頭台

31‧‧‧保持面

32‧‧‧夾具部

41、42‧‧‧刀片單元

43、44‧‧‧切削刀片

81‧‧‧基板

82(D)‧‧‧積層體(裝置)

83‧‧‧分割預定線

84‧‧‧晶圓之表面

85‧‧‧晶圓之背面

86‧‧‧淺溝

87‧‧‧深溝

91‧‧‧基板的表面

F‧‧‧支撐框架

T‧‧‧保護膠帶

W‧‧‧晶圓

X、Y、Z‧‧‧方向

Claims (2)

1. 一種晶圓之加工方法，是將藉由在基板表面積層低介電常數絕緣膜和機能膜而成之積層體所形成的裝置以分割預定線劃分而形成的晶圓，沿分割預定線進行加工的晶圓之加工方法，其包含：在晶圓背面黏貼保護膠帶的膠帶黏貼步驟；實施該膠帶黏貼步驟後，僅使用前端形狀為使刀片寬度越往前端變得越窄之R形的切削刀片的該前端形狀之R形的圓弧，從晶圓的表面側去除該積層體，切入該基板表面至預定深度處且沿著該分割預定線切削晶圓，而去除該積層體並在該基板形成切削溝之積層體去除步驟；及在該積層體去除步驟後，沿該切削溝以厚度比該切削溝的寬度還細的切削刀片從露出的該基板表面沿著該分割預定線切削該基板，而在該基板上形成切削溝的切削溝形成步驟。
2. 如請求項1所述的晶圓之加工方法，其中於實施該積層體去除步驟前，實施測定步驟，該測定步驟是以測定機構測定晶圓之該分割預定線上的表面位移，而形成晶圓表面位移之測繪資料，且在該積層體去除步驟中，依據該測繪資料而對晶圓一邊在垂直方向上調整切削刀片一邊進行切削，以將該切削刀片從表面位置切入到該預定深度處。