JP6727719B2 - 被加工物の切削方法 - Google Patents

被加工物の切削方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6727719B2
JP6727719B2 JP2016160864A JP2016160864A JP6727719B2 JP 6727719 B2 JP6727719 B2 JP 6727719B2 JP 2016160864 A JP2016160864 A JP 2016160864A JP 2016160864 A JP2016160864 A JP 2016160864A JP 6727719 B2 JP6727719 B2 JP 6727719B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
cutting
chuck table
height
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016160864A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018027601A (ja
Inventor
淳 小松
淳 小松
高木 敦史
敦史 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2016160864A priority Critical patent/JP6727719B2/ja
Priority to TW106122724A priority patent/TWI738816B/zh
Priority to CN201710655566.1A priority patent/CN107768242B/zh
Priority to KR1020170101188A priority patent/KR102271652B1/ko
Publication of JP2018027601A publication Critical patent/JP2018027601A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6727719B2 publication Critical patent/JP6727719B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、板状の被加工物を切削する際に用いられる被加工物の切削方法に関する。
半導体ウェーハに代表される板状の被加工物を複数のチップへと分割する際には、例えば、被加工物を保持するためのチャックテーブルと、被加工物を切削するための環状の切削ブレードとを備える切削装置が使用される。チャックテーブルによって保持された被加工物に対して、回転させた切削ブレードを切り込ませながら、切削ブレードとチャックテーブルとを相対的に移動させることで、この移動の経路に沿って被加工物が切削される。
上述した切削装置では、通常、被加工物に接するチャックテーブルの保持面の高さを、切削ブレードの高さの基準(ゼロ点)として設定する。これにより、チャックテーブル上の被加工物に切削ブレードの高さを合わせて、被加工物の所望の深さに切削ブレードを切り込ませることができる。
ところで、近年では、Low−k膜等と呼ばれる誘電率の低い絶縁膜を被加工物に設ける機会が増えている。このLow−k膜は脆いので、被加工物を切削する際に、意図しない領域で剥がれてしまうことがある。そこで、切削予定ライン(ストリート、分割予定ライン)に重なるLow−k膜のみをあらかじめ除去しておく方法等が検討されている(例えば、特許文献1参照)。
この方法では、厚みが数μm程度のLow−k膜に切削ブレードを切り込ませて、切削予定ラインに重なるLow−k膜のみを被加工物から除去する。一方で、上述したチャックテーブルの保持面には、例えば、数μm以上の高さのばらつきが存在することもある。この場合、被加工物に対する切削ブレードの切り込み深さも同程度にばらつくので、上述の方法を適切に実施できない。
これに対して、被加工物の複数の位置に切削ブレードを切り込ませ、形成される確認用の溝(カーフ、切り口)の長さを基に切削ブレードの切り込み深さを確認する方法等が提案されている(例えば、特許文献2参照)。この方法で確認された切り込み深さを用いて切削ブレードの高さを制御すれば、チャックテーブルの保持面に高さのばらつきがある場合でも、薄いLow−k膜のみを切削して除去できる。
特開2015−18965号公報 特開2015−142022号公報
しかしながら、上述の方法では、被加工物に複数の溝を形成した上で、その長さを測定する必要があるので、切削の完了までに要する時間が大幅に長くなってしまうという問題がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物に対する切削ブレードの切り込み深さを短い時間で高精度に制御できる被加工物の切削方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、板状の被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物を切削ブレードで加工する切削ユニットと、該チャックテーブルと該切削ユニットとを該保持面に対して平行なX軸方向及びY軸方向に相対的に移動させる移動ユニットと、を備える切削装置を用いる被加工物の切削方法であって、高さを測定するための高さ測定器が装着された該切削ユニットと該チャックテーブルとを該移動ユニットで相対的に移動させて、該チャックテーブルの該保持面の高さ(Z)を複数の座標(X,Y)で測定し、それぞれの座標(X,Y)と高さ(Z)との関係を保持面情報として記憶する保持面情報記憶ステップと、該被加工物の厚さを測定し、厚さ情報として記憶する厚さ情報記憶ステップと、該厚さ情報が記憶された該被加工物を該チャックテーブルで保持する保持ステップと、該保持面情報と該厚さ情報とから、該チャックテーブルで保持した該被加工物の上面の高さを任意の座標(X,Y)で算出する算出ステップと、該算出ステップで算出した該被加工物の高さに基づいて、該チャックテーブルで保持した該被加工物に該切削ブレードを切り込ませ、所望の深さの溝を形成する切削ステップと、を備える被加工物の切削方法が提供される。
本発明の一態様において、該算出ステップの前に、該被加工物を撮像するために該切削ユニットに装着される撮像ユニット又は該高さ測定器を用いて、該チャックテーブルで保持した該被加工物の外周縁の座標と、該外周縁又は該被加工物の上面に形成された目印とを検出し、該外周縁の座標から算出される該被加工物の中心の座標と、該中心と該目印とを結ぶ直線が基準線に対してなす角度とを、該チャックテーブルに対する該被加工物の位置情報として記憶する位置情報記憶ステップと、を更に備え、該厚さ情報記憶ステップでは、該被加工物の厚さ(t)を複数の座標(x,y)で測定して、それぞれの座標(x,y)と厚さ(t)との関係を該厚さ情報として記憶し、該算出ステップでは、該位置情報と該保持面情報と該厚さ情報とから該被加工物の該上面の高さを任意の座標(X,Y)で算出することが好ましい。
また、本発明の一態様において、該被加工物は、一方の面側に積層された機能層を含むデバイスを有し、該切削ステップでは、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って該切削ブレードで該溝を形成することが好ましい。
本発明の一態様に係る被加工物の切削方法では、チャックテーブルの保持面の高さ(Z)を複数の座標(X,Y)で測定して得られる保持面情報と、被加工物の厚さを測定して得られる厚さ情報と、から、チャックテーブルで保持した被加工物の上面の高さを任意の座標(X,Y)で算出するので、被加工物に対する切削ブレードの切り込み深さを高精度に制御できる。
また、本発明の一態様に係る被加工物の切削方法では、被加工物に確認用の溝を形成する必要がないので、確認用の溝を形成する従来の方法に比べて、切削の完了までに要する時間を短くできる。このように、本発明の一態様に係る被加工物の切削方法によれば、被加工物に対する切削ブレードの切り込み深さを短い時間で高精度に制御できる。
図1(A)は、被加工物の構成例を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、被加工物に保護部材が貼付される様子を模式的に示す斜視図である。 切削装置の構成例を模式的に示す図である。 図3(A)は、保持面情報記憶ステップを説明するための側面図であり、図3(B)は、測定ラインの設定例を模式的に示す平面図である。 図4(A)は、厚さ情報記憶ステップを説明するための側面図であり、図4(B)は、測定ラインの設定例を模式的に示す平面図である。 図5(A)は、保持ステップを説明するための側面図であり、図5(B)は、位置情報記憶ステップを説明するための平面図である。 図6(A)は、保持面情報が示す保持面の高さ(Z)を視覚的に示す図であり、図6(B)は、厚さ情報が示す被加工物の厚さ(t)を視覚的に示す図であり、図6(C)は、被加工物の表面(上面)の高さを視覚的に示す図である。 切削ステップを模式的に示す平面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る被加工物の切削方法は、保持面情報記憶ステップ(図3(A)及び図3(B)参照)、厚さ情報記憶ステップ(図4(A)及び図4(B)参照)、保持ステップ(図5(A)参照)、位置情報記憶ステップ(図5(B)参照)、算出ステップ(図6(A)、図6(B)及び図6(C)参照)及び切削ステップ(図7参照)を含む。
保持面情報記憶ステップでは、切削装置に設けられたチャックテーブルの保持面の高さ(Z)を複数の座標(X,Y)で測定し、それぞれの座標(X,Y)と高さ(Z)との関係を保持面情報として記憶する。厚さ情報記憶ステップでは、被加工物の厚さ(t)を複数の座標(x,y)で測定し、それぞれの座標(x,y)と厚さ(t)との関係を厚さ情報として記憶する。
保持ステップでは、厚さ情報が記憶された被加工物をチャックテーブルで保持する。位置情報記憶ステップでは、チャックテーブルで保持した被加工物の外周縁の座標と、外周縁に形成されたノッチ等の目印(又は被加工物の上面に形成された目印)とを検出し、位置情報を記憶する。算出ステップでは、位置情報と保持面情報と厚さ情報とから、被加工物の上面の高さを任意の座標(X,Y)で算出する。
切削ステップでは、算出ステップで算出した被加工物の上面の高さに基づいて切削ブレードを切り込ませ、被加工物に所望の深さの溝を形成する。以下、本実施形態に係る被加工物の切削方法について詳述する。
図1(A)は、本実施形態で切削される被加工物の構成例を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、被加工物に保護部材が貼付される様子を模式的に示す斜視図である。図1(A)に示すように、本実施形態の被加工物11は、例えば、シリコン等の半導体材料を用いて形成される円盤状のウェーハであり、その表面(一方の面、上面)11a側には、配線となる金属膜や、配線間を絶縁する絶縁膜(Low−k膜を含む)等の機能層(不図示)が設けられている。
この機能層が設けられた被加工物11の表面11a側は、格子状に配列された切削予定ライン(ストリート、分割予定ライン)13で複数の領域に区画されており、各領域には、IC、LSI等のデバイス15が形成されている。各デバイス15は、上述した機能層を構成要素として含んでいる。すなわち、機能層はデバイス15の一部となる。また、被加工物11の外周縁には、被加工物11の向き(例えば、結晶方位)を判定する際の目印となるノッチ11c(又はオリエンテーションフラット)が設けられている。
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハを被加工物11としているが、被加工物11の材質、形状、構造等に制限はない。例えば、セラミックス、金属、樹脂等の材料でなる基板を被加工物11として用いることもできる。同様に、デバイス15の種類、数量、配置等にも制限はない。
また、上述したノッチ11c等と共に、又はノッチ11c等に代えて、被加工物11の表面11a側に形成されたデバイス15のパターン等を、被加工物11の向きを判定する際の目印として利用することもできる。この場合には、必ずしも被加工物11の外周縁にノッチ11c等を設けなくて良い。
被加工物11の裏面(他方の面、下面)11b側には、図1(B)に示すように、保護部材21が貼付される。保護部材21は、例えば、被加工物11と同等の径を持つ円形のフィルム(テープ)であり、その表面21a側には、粘着力を有する糊層が設けられている。保護部材21を被加工物11に貼付する際には、この表面21a側を被加工物11の裏面11b側に密着させる。
なお、本実施形態では、被加工物11の裏面11b側に保護部材21を貼付し、表面11a側を露出させているが、被加工物11を裏面11b側から切削する場合等には、表面11a側に保護部材21を貼付し、裏面11b側を露出させても良い。つまり、この場合には、被加工物11の裏面11bが上面となり、表面11aが下面となる。また、被加工物11の破損等が問題にならないようであれば、必ずしも被加工物11の裏面11b(又は表面11a)に保護部材21を貼付しなくて良い。
また、上述のように被加工物11を裏面11b側から切削することで、表面11a側の機能層を残存させながら被加工物11の裏面11b側に溝を形成できる。よって、本発明に係る被加工物の切削方法は、機能層を確実に残存させながら被加工物11の他の部分を除去したい場合等にも有効である。
図2は、本実施形態で使用される切削装置2の構成例を模式的に示す図である。図2に示すように、切削装置2は、各構造を支持する基台4を備えている。基台4の前方の角部には、矩形の開口4aが形成されており、この開口4a内には、昇降するカセット支持台6が設けられている。カセット支持台6の上面には、複数の被加工物11を収容できるカセット8が載せられる。なお、図1では、説明の便宜上、カセット8の輪郭のみを示している。
カセット支持台6の側方には、X軸方向(前後方向、加工送り方向)に長い矩形の開口4bが形成されている。この開口4b内には、X軸移動テーブル10、X軸移動テーブル10をX軸方向に移動させるX軸移動機構(移動ユニット)(不図示)及びX軸移動機構を覆う防塵防滴カバー12が設けられている。
X軸移動機構は、X軸方向に平行な一対のX軸ガイドレール(不図示)を備えており、X軸ガイドレールには、X軸移動テーブル10がスライド可能に取り付けられている。X軸移動テーブル10の下面側には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、X軸ガイドレールに平行なX軸ボールネジ(不図示)が螺合されている。
X軸ボールネジの一端部には、X軸パルスモータ(不図示)が連結されている。X軸パルスモータでX軸ボールネジを回転させることで、X軸移動テーブル10は、X軸ガイドレールに沿ってX軸方向に移動する。
X軸移動テーブル10の上方には、被加工物11を保持するためのチャックテーブル14が設けられている。チャックテーブル14は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、Z軸方向(鉛直方向)に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル14は、上述のX軸移動機構でX軸移動テーブル10と共にX軸方向に加工送りされる。
チャックテーブル14の上面は、被加工物11を吸引、保持する保持面16になっている。この保持面16は、チャックテーブル14の内部に形成された吸引路等を通じて吸引源(不図示)に接続されている。
開口4bに近接する位置には、上述した被加工物11をチャックテーブル14へと搬送する搬送ユニット(不図示)が設けられている。搬送ユニットで搬送された被加工物11は、例えば、表面11a側が上方に露出するようにチャックテーブル14の保持面16に載せられる。
基台4の上面には、2組の切削ユニット18を支持するための門型の支持構造20が、開口4bを跨ぐように配置されている。支持構造20の前面上部には、各切削ユニット18をY軸方向(左右方向、割り出し送り方向)及びZ軸方向に移動させる2組の切削ユニット移動機構(移動ユニット)22が設けられている。
各切削ユニット移動機構22は、支持構造20の前面に配置されY軸方向に平行な一対のY軸ガイドレール24を共通に備えている。Y軸ガイドレール24には、各切削ユニット移動機構22を構成するY軸移動プレート26がそれぞれスライド可能に取り付けられている。
各Y軸移動プレート26の裏面側(後面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Y軸ガイドレール24に平行なY軸ボールネジ28がそれぞれ螺合されている。各Y軸ボールネジ28の一端部には、Y軸パルスモータ30が連結されている。Y軸パルスモータ30でY軸ボールネジ28を回転させれば、Y軸移動プレート26は、Y軸ガイドレール24に沿ってY軸方向に移動する。
各Y軸移動プレート24の表面(前面)には、Z軸方向に平行な一対のZ軸ガイドレール32が設けられている。Z軸ガイドレール32には、Z軸移動プレート34がスライド可能に取り付けられている。
各Z軸移動プレート34の裏面側(後面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Z軸ガイドレール32に平行なZ軸ボールネジ36がそれぞれ螺合されている。各Z軸ボールネジ36の一端部には、Z軸パルスモータ38が連結されている。Z軸パルスモータ38でZ軸ボールネジ36を回転させれば、Z軸移動プレート34は、Z軸ガイドレール32に沿ってZ軸方向に移動する。
各Z軸移動プレート34の下部には、切削ユニット18が設けられている。この切削ユニット18は、回転軸となるスピンドル40(図7参照)の一端側に装着された円環状の切削ブレード42を備えている。また、切削ユニット18には、チャックテーブル14の保持面16等の高さを測定するための高さ測定器(高さ測定ユニット)と、被加工物11等を撮像するためのカメラ(撮像ユニット)と、が一体になった複合測定ユニット(高さ測定器(高さ測定ユニット)、カメラ(撮像ユニット))44が装着されている。
各切削ユニット移動機構22でY軸移動プレート26をY軸方向に移動させれば、切削ユニット18及び複合測定ユニット44は、共にY軸方向に割り出し送りされる。また、各切削ユニット移動機構22でZ軸移動プレート34をZ軸方向に移動させれば、切削ユニット18及び複合測定ユニット44は、共に昇降する。
開口4bに対して開口4aと反対側の位置には、円形の開口4cが形成されている。開口4c内には、切削後の被加工物11等を洗浄するための洗浄ユニット46が設けられている。X軸移動機構、チャックテーブル14、切削ユニット18、切削ユニット移動機構22、複合測定ユニット42、洗浄ユニット46等の構成要素には、制御ユニット48が接続されている。各構成要素は、この制御ユニット48によって制御される。
本実施形態に係る被加工物の切削方法では、まず、チャックテーブル14の保持面16の高さ(Z)を複数の座標(X,Y)で測定し、それぞれの座標(X,Y)と高さ(Z)との関係を保持面情報として記憶するための保持面情報記憶ステップを行う。図3(A)は、保持面情報記憶ステップを説明するための側面図である。
図3(A)に示すように、この保持面情報記憶ステップは、切削ユニット18に装着された複合測定ユニット44の高さ測定器を使用して行われる。高さ測定器は、例えば、レーザービームL1を用いて対象の位置(高さ)を測定するレーザー変位計であり、チャックテーブル14の保持面16の高さ(Z)を非接触で測定できる。
保持面情報記憶ステップでは、まず、チャックテーブル14と複合測定ユニット44とを相対的に移動させて、あらかじめ設定しておいた保持面16の測定ライン31(図3(B)参照)の上方に複合測定ユニット44を移動させる。そして、図3(A)に示すように、複合測定ユニット44で測定用のレーザービームL1を照射しながら、チャックテーブル14と複合測定ユニット44とを測定ライン31に沿って相対的に移動させる。
これにより、チャックテーブル14の保持面16の高さ(Z)を、測定ライン31上の複数の座標(X,Y)で測定できる。複合測定ユニット44によって測定された高さ(Z)と座標(X,Y)との関係は、保持面情報として制御ユニット48の記憶部48aに記憶される。設定されたすべての測定ライン31に沿って保持面16の高さ(Z)が測定され、対応する保持面情報が記憶部48aに記憶されると、保持面情報記憶ステップは終了する。
図3(B)は、測定ライン31の設定例を模式的に示す平面図である。図3(B)の設定例では、例えば、X座標がX,X,Xの位置に、それぞれ、X軸方向に垂直(Y軸方向に平行)な直線状の測定ライン31が設定されている。また、Y座標がY,Y,Yの位置に、それぞれ、Y軸方向に垂直(X軸方向に平行)な直線状の測定ライン31が設定されている。
よって、例えば、X座標がXの測定ライン31に沿って保持面16の高さ(Z)を測定すれば、測定ライン31上の複数の座標(X,Y)に対する高さ(Z)の情報が得られる。なお、本実施形態では、保持面16上に合計6本の測定ライン31を設定しているが、設定される測定ライン31の数量、配置等に制限はない。要求される切削の精度等に応じて測定ライン31を自由に設定できる。
また、本実施形態では、あらかじめ設定しておいた測定ライン31に沿って保持面16の高さ(Z)を連続的に測定しているが、あらかじめ複数の測定点を設定しておき、この測定点で保持面16の高さ(Z)を測定するようにしても良い。この場合にも、要求される切削の精度等に応じて、測定点を自由に設定できる。
保持面情報記憶ステップの後には、被加工物の厚さ(t)を複数の座標(x,y)で測定し、それぞれの座標(x,y)と厚さ(t)との関係を厚さ情報として記憶するための厚さ情報記憶ステップを行う。図4(A)は、厚さ情報記憶ステップを説明するための側面図である。
図4(A)に示すように、この厚さ情報記憶ステップは、切削装置2の内部又は外部に設けられた任意の厚さ測定装置52で行われる。厚さ測定装置52は、被加工物11を保持するための保持テーブル54を備えている。保持テーブル54の上面は、被加工物11を保持するための保持面56になっている。この保持面56は、被加工物11の厚さを高い精度で測定できるように平坦に形成される。
保持テーブル54の上方には、測定器58が配置されている。測定器58は、例えば、レーザービームL2を用いて対象の位置(高さ)を測定するレーザー変位計であり、保持テーブル54の保持面56に対する被加工物11の表面11aの高さ(すなわち、保護部材21を含む被加工物11の厚さを)を非接触で測定できる。この測定器58は、保持テーブル54に対して相対的に移動できるように構成されている。なお、測定器58としては、接触式のマイクロゲージ等が使用されても良い。
厚さ情報記憶ステップでは、まず、保持テーブル54の保持面56と、被加工物11に貼付された保護部材21の裏面21bと、が接するように、被加工物11を保持テーブル54に載せる。これにより、被加工物11は、表面11a側が上方に露出した状態で保持テーブル54に保持される。
保持テーブル54で被加工物11を保持した後には、保持テーブル54と測定器58とを相対的に移動させて、あらかじめ設定しておいた被加工物11の測定ライン33(図4(B)参照)の上方に測定器58を移動させる。そして、図4(A)に示すように、測定器58で測定用のレーザービームL2を照射しながら、チャックテーブル14と測定器58とを測定ライン33に沿って相対的に移動させる。
これにより、被加工物11の厚さ(t)を、測定ライン33上の複数の座標(x,y)で測定できる。測定器58によって測定された厚さ(t)と座標(x,y)との関係は、任意の方法で切削装置2に送られ、厚さ情報として制御ユニット48の記憶部48aに記憶される。設定されたすべての測定ライン33に沿って被加工物11の厚さ(t)が測定され、対応する厚さ情報が記憶部48aに記憶されると、厚さ情報記憶ステップは終了する。
図4(B)は、測定ライン33の設定例を模式的に示す平面図である。なお、図4(B)では、被加工物11に固有の座標系(x座標及びy座標)が使用されている。図4(B)の設定例では、例えば、x座標がx,x,xの位置に、それぞれ、x軸方向に垂直(y軸方向に平行)な直線状の測定ライン33が設定されている。また、y座標がy,y,yの位置に、それぞれ、y軸方向に垂直(x軸方向に平行)な直線状の測定ライン33が設定されている。
よって、例えば、x座標がxの測定ライン33に沿って被加工物11の厚さ(t)を測定すれば、測定ライン33上の複数の座標(x,y)に対する厚さ(t)の情報が得られる。なお、本実施形態では、上述した保持面情報記憶ステップで保持面16上に設定される測定ライン31に合わせて、被加工物11の表面11a上に合計6本の測定ライン33を設定しているが、設定される測定ライン33の数量、配置等に制限はない。要求される切削の精度等に応じて、測定ライン33を自由に設定できる。
また、本実施形態では、あらかじめ設定しておいた測定ライン33に沿って被加工物11の厚さ(t)を連続的に測定しているが、あらかじめ複数の測定点を設定しておき、この測定点で被加工物11の厚さ(t)を測定するようにしても良い。この場合にも、要求される切削の精度等に応じて、測定点を自由に設定できる。
厚さ情報記憶ステップの後には、厚さ情報が記憶された被加工物11をチャックテーブルで保持する保持ステップを行う。図5(A)は、保持ステップを説明するための側面図である。この保持ステップでは、チャックテーブル14の保持面16と、被加工物11に貼付された保護部材21の裏面21bと、が接するように、被加工物11をチャックテーブル14に載せる。その後、吸引源の負圧を保持面16に作用させることで、被加工物11は、表面11a側が上方に露出した状態でチャックテーブル14に吸引、保持される。
保持ステップの後には、チャックテーブル14で保持した被加工物11の外周縁の座標と、外周縁に形成されたノッチ11c(又は被加工物11の表面11aに形成されたデバイス15のパターン等)とを検出し、位置情報を記憶するための位置情報記憶ステップを行う。図5(B)は、位置情報記憶ステップを説明するための平面図である。
位置情報記憶ステップでは、まず、複合測定ユニット44が備えるカメラの視野35を被加工物11の外周縁を含む領域に合わせ、この領域をカメラで撮像する。カメラによる撮像は、例えば、チャックテーブル14を回転させながら、異なる複数の位置で行われる。撮像によって形成された画像のデータは、制御ユニット48へと送られる。
制御ユニット48は、カメラから送られる画像に対してエッジ検出処理を行い、被加工物11の外周縁を示す曲線を得る。その後、制御ユニット48は、曲線上の任意の3つの点A,B,Cの座標を抽出する。3つの点A,B,Cの座標は、1回の撮像で得られる1つの画像データから抽出されても良いし、複数回の撮像で得られる複数の画像データから抽出されても良い。
次に、制御ユニット48は、点A及び点Bを結ぶ線分に垂直な2等分線と、点B及び点Cを結ぶ線分に垂直な2等分線との交点の座標を算出する。この交点の座標が、被加工物11の中心Oの座標に相当する。中心Oの座標(交点の座標)を算出した後には、ノッチ11cの座標を抽出し、中心Oとノッチ11cとを結ぶ直線が、中心Oを通り表面11aに平行な任意の基準線に対してなす角度θ(不図示)を算出する。
中心Oの座標(交点の座標)と、角度θとを算出した後には、これらを、チャックテーブル14に対する被加工物11の位置情報として制御ユニット48の記憶部48aに記憶する。この位置情報を用いることで、被加工物11に固有の座標系(x座標及びy座標)で表される厚さ情報を、チャックテーブル14(切削装置2)の座標系(X座標及びY座標)に変換できるようになる。
位置情報記憶ステップの後には、位置情報と保持面情報と厚さ情報とから、被加工物11の表面11aの高さを任意の座標(X,Y)で算出する算出ステップを実施する。図6(A)は、保持面情報が示す保持面16の高さ(Z)を視覚的に示す図であり、図6(B)は、厚さ情報が示す被加工物11の厚さ(t)を視覚的に示す図であり、図6(C)は、被加工物11の表面11aの高さを視覚的に示す図である。
なお、図6(B)では、チャックテーブル14の座標系に変換した後の厚さ(t)を示している。また、図6(A)、図6(B)及び図6(C)では、高さ又は厚さの基準値を「0」で表し、この基準値からのずれの量を「+1」「−1」等の数値を用いて表している。
例えば、図6(A)及び図6(B)に示すように、チャックテーブル14上の領域(座標)37において、保持面16の高さは「0」、被加工物11の厚さは「+1」である。よって、この領域37では、図6(C)に示すように、被加工物11の表面11aの高さ(t+Z)は「+1」(すなわち、基準値「0」よりも「1」だけ高い)と算出される。
なお、保持面情報の座標と、厚さ情報の座標とが対応しないことも考えられる。その場合には、例えば、任意の座標の保持面情報(高さ(Z))に対し、最も近い座標の厚さ情報(厚さ(t))を用いて、被加工物11の表面11aの高さを算出すれば良い。一方、測定ライン31,33(又は測定点)を適切に設定した上で、位置情報記憶ステップで算出される角度θに応じて被加工物11をチャックテーブル14に対して回転させれば、保持面情報の座標と厚さ情報の座標とを一致させることもできる。
算出ステップの後には、算出ステップで算出した被加工物11の表面11aの高さ(t+Z)に基づいて回転させた切削ブレード42を被加工物11に切り込ませ、被加工物11に所望の深さの溝を形成する切削ステップを行う。図7は、切削ステップを模式的に示す平面図である。
本実施形態では、被加工物11の表面11aの高さ(t+Z)が正確に算出されるので、この表面11aの高さ(t+Z)に基づいて切削ブレード42を精度良く切り込ませることができる。これにより、被加工物11の表面11aから所望の深さの溝を、切削予定ライン13に沿って形成できる。
以上のように、本実施形態に係る被加工物の切削方法では、チャックテーブル14の保持面16の高さ(Z)を複数の座標(X,Y)で測定して得られる保持面情報と、被加工物11の厚さ(t)を測定して得られる厚さ情報と、から、チャックテーブル14で保持した被加工物11の表面(上面)11aの高さを任意の座標(X,Y)で算出するので、被加工物11に対する切削ブレード42の切り込み深さを高精度に制御できる。
また、本実施形態に係る被加工物の切削方法では、被加工物11に確認用の溝を形成する必要がないので、確認用の溝を形成する従来の方法に比べて、切削の完了までに要する時間を短くできる。
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態の厚さ情報記憶ステップでは、被加工物11の厚さ(t)を、測定ライン33上の複数の座標(x,y)で測定しているが、被加工物11の厚さのばらつきが十分に小さい場合等には、被加工物11の1点の厚さ(t)を厚さ情報として用いることができる。この場合、位置情報記憶ステップを省略しても良い。
また、上記実施形態の位置情報記憶ステップでは、複合測定ユニット44が備えるカメラ(撮像ユニット)を用いて被加工物11の外周縁やノッチ11c等を検出しているが、複合測定ユニット44が備える高さ測定器(高さ測定ユニット)を用いて被加工物11の外周縁やノッチ11c等を検出することもできる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 被加工物
11a 表面(一方の面、上面)
11b 裏面(他方の面、下面)
11c ノッチ
13 切削予定ライン(ストリート、分割予定ライン)
15 デバイス
21 保護部材
21a 表面
21b 裏面
31,33 測定ライン
35 視野
37 領域(座標)
2 切削装置
4 基台
4a,4b,4c 開口
6 カセット支持台
8 カセット
10 X軸移動テーブル
12 防塵防滴カバー
14 チャックテーブル
16 保持面
18 切削ユニット
20 支持構造
22 切削ユニット移動機構
24 Y軸ガイドレール
26 Y軸移動プレート
28 Y軸ボールネジ
30 Y軸パルスモータ
32 Z軸ガイドレール
34 Z軸移動プレート
36 Z軸ボールネジ
38 Z軸パルスモータ
40 スピンドル
42 切削ブレード
44 複合測定ユニット(高さ測定器、撮像ユニット)
46 洗浄ユニット
48 制御ユニット
48a 記憶部
52 厚さ測定装置
54 保持テーブル
56 保持面
58 測定器

Claims (3)

  1. 板状の被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物を切削ブレードで加工する切削ユニットと、該チャックテーブルと該切削ユニットとを該保持面に対して平行なX軸方向及びY軸方向に相対的に移動させる移動ユニットと、を備える切削装置を用いる被加工物の切削方法であって、
    高さを測定するための高さ測定器が装着された該切削ユニットと該チャックテーブルとを該移動ユニットで相対的に移動させて、該チャックテーブルの該保持面の高さ(Z)を複数の座標(X,Y)で測定し、それぞれの座標(X,Y)と高さ(Z)との関係を保持面情報として記憶する保持面情報記憶ステップと、
    該被加工物の厚さを測定し、厚さ情報として記憶する厚さ情報記憶ステップと、
    該厚さ情報が記憶された該被加工物を該チャックテーブルで保持する保持ステップと、
    該保持面情報と該厚さ情報とから、該チャックテーブルで保持した該被加工物の上面の高さを任意の座標(X,Y)で算出する算出ステップと、
    該算出ステップで算出した該被加工物の高さに基づいて、該チャックテーブルで保持した該被加工物に該切削ブレードを切り込ませ、所望の深さの溝を形成する切削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の切削方法。
  2. 該算出ステップの前に、該被加工物を撮像するために該切削ユニットに装着される撮像ユニット又は該高さ測定器を用いて、該チャックテーブルで保持した該被加工物の外周縁の座標と、該外周縁又は該被加工物の上面に形成された目印とを検出し、該外周縁の座標から算出される該被加工物の中心の座標と、該中心と該目印とを結ぶ直線が基準線に対してなす角度とを、該チャックテーブルに対する該被加工物の位置情報として記憶する位置情報記憶ステップと、を更に備え、
    該厚さ情報記憶ステップでは、該被加工物の厚さ(t)を複数の座標(x,y)で測定して、それぞれの座標(x,y)と厚さ(t)との関係を該厚さ情報として記憶し、
    該算出ステップでは、該位置情報と該保持面情報と該厚さ情報とから該被加工物の該上面の高さを任意の座標(X,Y)で算出することを特徴とする請求項1に記載の被加工物の切削方法。
  3. 該被加工物は、一方の面側に積層された機能層を含むデバイスを有し、
    該切削ステップでは、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って該切削ブレードで該溝を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の被加工物の切削方法。
JP2016160864A 2016-08-18 2016-08-18 被加工物の切削方法 Active JP6727719B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016160864A JP6727719B2 (ja) 2016-08-18 2016-08-18 被加工物の切削方法
TW106122724A TWI738816B (zh) 2016-08-18 2017-07-06 被加工物之切削方法
CN201710655566.1A CN107768242B (zh) 2016-08-18 2017-08-03 被加工物的切削方法
KR1020170101188A KR102271652B1 (ko) 2016-08-18 2017-08-09 피가공물의 절삭 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016160864A JP6727719B2 (ja) 2016-08-18 2016-08-18 被加工物の切削方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018027601A JP2018027601A (ja) 2018-02-22
JP6727719B2 true JP6727719B2 (ja) 2020-07-22

Family

ID=61248237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016160864A Active JP6727719B2 (ja) 2016-08-18 2016-08-18 被加工物の切削方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6727719B2 (ja)
KR (1) KR102271652B1 (ja)
CN (1) CN107768242B (ja)
TW (1) TWI738816B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7222636B2 (ja) * 2018-09-12 2023-02-15 株式会社ディスコ エッジトリミング装置
JP2020121374A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 株式会社ディスコ 切削装置の原点位置登録方法
JP7250637B2 (ja) * 2019-07-01 2023-04-03 株式会社ディスコ 加工装置及びチャックテーブル
JP7348037B2 (ja) * 2019-11-19 2023-09-20 株式会社ディスコ 加工装置
JP2021125592A (ja) * 2020-02-06 2021-08-30 株式会社東京精密 ダイシング装置
JP7394712B2 (ja) * 2020-06-24 2023-12-08 Towa株式会社 切断装置及び切断品の製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338564A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Hitachi Ltd ダイシング方法および装置
JPH11345785A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Hitachi Ltd ダイシング方法およびダイシング装置
JP4517269B2 (ja) * 2001-06-04 2010-08-04 株式会社東京精密 Z補正付ダイシング装置
JP4669162B2 (ja) * 2001-06-28 2011-04-13 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの分割システム及び分割方法
JP2003151923A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2003168655A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP4885762B2 (ja) * 2007-02-27 2012-02-29 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP2014041211A (ja) * 2012-08-21 2014-03-06 Canon Inc 露光システム、露光装置、それを用いたデバイスの製造方法
JP6078272B2 (ja) * 2012-09-10 2017-02-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6170769B2 (ja) 2013-07-11 2017-07-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6215666B2 (ja) * 2013-11-19 2017-10-18 株式会社ディスコ 加工装置
JP2015107535A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社ディスコ バイト切削装置のセットアップ方法
US9263352B2 (en) * 2014-01-03 2016-02-16 Asm Technology Singapore Pte Ltd Singulation apparatus comprising an imaging device
JP6215069B2 (ja) * 2014-01-29 2017-10-18 株式会社ディスコ 切削装置
JP6255285B2 (ja) * 2014-03-18 2017-12-27 株式会社ディスコ 検出方法
JP6220312B2 (ja) * 2014-04-30 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の基板検知方法および記憶媒体
JP6328513B2 (ja) * 2014-07-28 2018-05-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107768242B (zh) 2023-06-02
TWI738816B (zh) 2021-09-11
CN107768242A (zh) 2018-03-06
TW201812881A (zh) 2018-04-01
KR102271652B1 (ko) 2021-06-30
JP2018027601A (ja) 2018-02-22
KR20180020889A (ko) 2018-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6727719B2 (ja) 被加工物の切削方法
JP4640715B2 (ja) アライメント方法及びアライメント装置
JP6422388B2 (ja) 切削溝の形成方法
US9418908B2 (en) Wafer processing method
JP5122378B2 (ja) 板状物の分割方法
JP6607639B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2016207808A (ja) ウェーハの加工方法
JP6215069B2 (ja) 切削装置
JP6415349B2 (ja) ウェーハの位置合わせ方法
US10692767B2 (en) Wafer processing method including cutting wafer based on surface height of wafer
KR102645229B1 (ko) 검사 지그 및 검사 방법
JP2012151225A (ja) 切削溝の計測方法
JP6910723B2 (ja) 研削方法
JP6498073B2 (ja) 切削ブレードの位置ずれ検出方法
JP2011181623A (ja) 板状物の加工方法
JP2009302369A (ja) 板状物の加工方法及び加工装置
JP6037705B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP7467003B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP7250637B2 (ja) 加工装置及びチャックテーブル
JP6854726B2 (ja) バイト切削装置
JP2022050762A (ja) 切削装置及び切削方法
JP6086810B2 (ja) 加工方法
JP2011198223A (ja) 加工装置における加工移動量補正値の決定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190619

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200512

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200604

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200630

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200630

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6727719

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250