JP7394712B2 - 切断装置及び切断品の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、切断装置及び切断品の製造方法に関する。
特開2018-206995号公報(特許文献1)は、パッケージ基板の切削方法を開示する。この切削方法においては、パッケージ基板の上面の高さが分割予定ラインに沿って測定される。該測定結果に基づいて、切削ユニットの高さ方向の位置が制御される。そして、切削ユニットが分割予定ラインに沿って切削溝を形成する(特許文献1参照)。
特開2018-206995号公報
パッケージ基板(ワークの一例)の上面の高さに基づいて切削ユニットの高さ位置が制御されたとしても、様々な要因により所望の深さの切削溝がワークに形成されない場合がある。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであって、その目的は、所望の深さの溝をワークにより確実に形成できる切断装置及び切断品の製造方法を提供することである。
本発明のある局面に従う切断装置は、スピンドル部と、制御部と、測定器とを備える。スピンドル部は、高さ位置の調整が可能であり、ワークを含む対象物を切断するように構成されたブレードが取り付けられている。制御部は、スピンドル部を制御するように構成されている。測定器は、対象物の上面の高さ位置を測定するように構成されている。制御部は、測定器によって測定された対象物の高さ位置に基づいて、対象物に仮の溝を形成するようにスピンドル部を制御する。制御部は、測定器によって測定された仮の溝部分の高さ位置に基づいてスピンドル部の高さ位置を調整し、その後、測定器によって測定されたワークの上面の複数箇所の各々における高さ位置に基づいてワークに溝を形成するようにスピンドル部を制御する。
本発明の他の局面に従う切断品の製造方法は、上記切断装置を用いた切断品の製造方法である。切断品の製造方法は、第1測定工程と、第1溝形成工程と、第2測定工程と、調整工程と、第2溝形成工程とを含む。第1測定工程は、対象物の上面の高さ位置を測定する工程である。第1溝形成工程は、第1測定工程における測定結果に基づいて、対象物に仮の溝を形成する工程である。第2測定工程は、仮の溝部分の高さ位置を測定する工程である。調整工程は、第2測定工程における測定結果に基づいて、スピンドル部の高さ位置を調整する工程である。第2溝形成工程は、調整工程の後に、ワークの上面の複数箇所の各々における高さ位置の測定結果に基づいて、ワークに溝を形成する工程である。
本発明によれば、所望の深さの溝をワークにより確実に形成できる切断装置及び切断品の製造方法を提供することができる。
実施の形態1に従う切断装置の一部の平面を模式的に示す図である。 切断装置の一部の正面を模式的に示す図である。 比較対象である切断装置における、スピンドル部の高さ方向の制御座標原点の検出手順を説明するための図である。 比較対象である切断装置における、スピンドル部の高さ位置の調整手順を説明するための図である。 切断装置におけるCCSブロックの高さ位置の測定方法を説明するための図である。 切断装置におけるワークの高さ位置の測定方法を説明するための図である。 高さ位置が測定される箇所の一例を説明するための図であり、ワークW1の基板面側から見た様子を示す図である。 非製品領域に仮の溝を形成する手順を説明するための図である。 仮の溝の高さ位置の測定方法を説明するための図である。 切断装置における溝の形成手順を説明するための図である。 実施の形態1に従う切断装置における溝の形成手順を示すフローチャートである。 実施の形態2に従う切断装置の一部の平面を模式的に示す図である。 実施の形態2に従う切断装置における溝の形成手順を示すフローチャートである。 実施の形態3に従う切断装置の一部の平面を模式的に示す図である。 実施の形態3に従う切断装置における溝の形成手順を示す第1のフローチャートである。 実施の形態3に従う切断装置における溝の形成手順を示す第2のフローチャートである。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
[1.実施の形態1]
<1-1.切断装置の構成>
図1は、本実施の形態1に従う切断装置10の一部の平面を模式的に示す図である。図2は、切断装置10の一部の正面を模式的に示す図である。なお、図1及び図2において、矢印XYZの各々が示す方向は共通である。
切断装置10は、ワークW1を切断することによって、ワークW1を複数の切断品に個片化するように構成されている。また、切断装置10は、ワークW1の一部を除去することによってワークW1に溝を形成するように構成されている。すなわち、切断装置10の名称(切断装置)に含まれる「切断」という用語の概念は、切断対象を複数に分離すること、及び、切断対象の一部を除去することを含む。ワークW1は、例えばパッケージ基板である。パッケージ基板においては、半導体チップが装着された基板又はリードフレームが樹脂封止されている。以下の説明では、ワークW1の封止側の面を「パッケージ面」、基板又はリードフレーム側の面を「基板面」と記載する。
パッケージ基板の一例としては、BGA(Ball Grid Array)パッケージ基板、LGA(Land Grid Array)パッケージ基板、CSP(Chip Size Package)パッケージ基板、LED(Light Emitting Diode)パッケージ基板、QFN(Quad Flat No-leaded)パッケージ基板が挙げられる。
図1及び図2に示されるように、切断装置10は、切断ユニット100と、ワーク保持ユニット200と、CCS(Contact Cutter Set)ブロック300と、測定器400と、制御部500とを含んでいる。なお、CCSブロック300は、補助部材の一例である。
切断ユニット100は、ワークW1を切断するように構成されており、スピンドル部110と、スライダ103,104と、支持体105とを含んでいる。なお、切断装置10は、スピンドル部110とスライダ103,104との組を2組含むツインスピンドル構成であるが、スピンドル部110とスライダ103,104との組を1組のみ含むシングルスピンドル構成であってもよい。
支持体105は、金属製の棒状部材であり、不図示のガイドに沿って矢印Y方向に移動するように構成されている。支持体105には、長手方向(矢印X方向)に延びるガイドG1が形成されている。
スライダ104は、金属製の板状部材であり、ガイドG1に沿って矢印X方向に移動可能な状態で支持体105に取り付けられている。スライダ104には、長手方向(矢印Z方向)に延びるガイドG2が形成されている。スライダ103は、金属製の板状部材であり、ガイドG2に沿って高さ方向(矢印Z方向)に移動可能な状態でスライダ104に取り付けられている。
スピンドル部110は、スピンドル部本体102と、スピンドル部本体102に取り付けられたブレード101とを含んでいる。ブレード101は、高速回転することによって、ワークW1を切断し、ワークW1を複数の切断品(半導体パッケージ)に個片化する。スピンドル部本体102は、スライダ103に取り付けられている。スピンドル部110は、スライダ103,104及び支持体105の移動に従って、切断装置10内の所望の位置に移動するように構成されている。
ワーク保持ユニット200は、ワークW1を保持するように構成されており、切断テーブル201と、切断テーブル201上に配置されたラバー202とを含んでいる。本実施の形態1においては、2個のワーク保持ユニット200を有するツインカットテーブル構成の切断装置10が例示されている。なお、ワーク保持ユニット200の数は、2つに限定されず、1つであっても3つ以上であってもよい。
ラバー202はゴム製の板状部材であり、ラバー202には複数の孔が形成されている。ラバー202上には、ワークW1が配置される。切断テーブル201は、ラバー202上に配置されたワークW1を下方のパッケージ面側から吸着することによってワークW1を保持する。切断テーブル201は、θ方向に回転可能である。ワークW1は、ワーク保持ユニット200によって保持された状態で、基板面側からスピンドル部110によって切断される。
CCSブロック300は、スピンドル部110の高さ位置の制御における制御座標原点の検出のために用いられる。制御座標原点は、例えば電気原点を含み、「基準位置」の一例である。CCSブロック300の用途については、後程詳しく説明する。
測定器400は、例えばレーザー変位計で構成されており、ワークW1の上面(基板面)及びCCSブロック300の上面等の高さ位置を測定するように構成されている。測定器400の用途については、後程詳しく説明する。
制御部500は、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)及びROM(Read Only Memory)等を含み、情報処理に応じて各構成要素の制御を行なうように構成されている。制御部500は、例えば、切断ユニット100、ワーク保持ユニット200及び測定器400を制御するように構成されている。
切断装置10においては、ワークW1のフルカット及びハーフカットが行なわれる。ハーフカットを通じてワークW1上に所望の深さの溝を形成するためには、スピンドル部110の高さ位置を高精度に調整する必要がある。本実施の形態1に従う切断装置10においては、ワークW1のハーフカット時にスピンドル部110の高さ位置が高精度に調整される。以下、比較対象の切断装置におけるスピンドル部の高さ位置の調整方法と比較しながら、本実施の形態1に従う切断装置10におけるスピンドル部110の高さ位置の調整方法について説明する。
<1-2.スピンドル部の高さ位置の調整手順>
(1-2-1.比較対象における調整手順)
図3は、比較対象である切断装置10Aにおける、スピンドル部110Aの高さ方向の制御座標原点の検出手順を説明するための図である。切断装置10Aにおいては、CCSブロック300Aの高さH1が予め記憶されている。図3に示されるように、切断装置10Aにおいては、ブレード101AをCCSブロック300Aに接触させることによって、スピンドル部110Aの高さ方向の制御座標原点が検出される。
図4は、比較対象である切断装置10Aにおける、スピンドル部110Aの高さ位置の調整手順を説明するための図である。切断装置10Aにおいては、ワークW1の高さH2、及び、ラバー202Aの高さH3等の各部材の高さが、例えば、設計段階の寸法値に基づいて予め記憶されている。切断装置10Aにおいては、検出された制御座標原点、及び、予め記憶されている各部材の高さに基づいて、ワークW1上に所望の深さの溝が形成されるように、スピンドル部110Aの高さ位置が調整される。なお、切断装置10Aにおいては、切断テーブル201Aの高さの誤差がスピンドル部110Aの高さ調整に影響を与えないように、CCSブロック300A、並びに、ラバー202A及びワークW1が共通の切断テーブル201A上に配置されている。すなわち、CCSブロック300Aは、各切断テーブル201A上に1つずつ配置されている。
各部材の高さの情報が正確である場合には、このような手順によって、スピンドル部110Aの高さ位置を適切に調整することができる。しかしながら、各部材の高さ情報は、必ずしも正確ではない。例えば、ラバー202Aは、切断テーブル201Aからの吸着によって撓んでいる可能性がある。また、ラバー202Aは、経時変化によって摩耗している可能性がある。また、ワークW1は、前の工程における熱等に起因して撓んでいる可能性がある。また、ワークW1は、スピンドル部等の構成部品の加工による誤差等に起因して撓んでいる可能性がある。
このように、様々な要因に起因して、各部材の実際の高さが予め記憶されている高さと異なっている場合がある。このような場合に、上記手順で高さ位置が調整されたスピンドル部110Aによっては、ワークW1上に所望の深さの溝を形成することができない。
(1-2-2.本実施の形態1における調整手順)
本実施の形態1に従う切断装置10においては、上述の比較対象と同様(図3)、ブレード101をCCSブロック300に接触させることによって、スピンドル部110の高さ方向における制御座標原点が検出される。一方、切断装置10においては、各部材の高さとして、予め記憶されている情報が用いられない。
図5は、切断装置10におけるCCSブロック300の高さ位置の測定方法を説明するための図である。図5に示されるように、切断装置10において、CCSブロック300の高さ位置は、新しいワークW1の切断を行なう度に測定器400によって測定される。これにより、制御座標原点と実際の高さ位置との対応関係をより正確に特定することができる。なお、CCSブロック300の高さ位置の測定は、必ずしも新しいワークW1の切断を行なう度に行なわれなくてもよい。例えば、スピンドル部110においてブレード101が交換されたタイミングでCCSブロック300の高さ位置の測定が行なわれてもよい。また、後述するドレッシングボード600(図12)を用いたブレード101の目詰まり解消後のタイミングでCCSブロック300の高さ位置の測定が行なわれてもよい。
なお、切断装置10においては、CCSブロック300の高さ位置が実際に測定されるため、上記比較対象の切断装置10Aとは異なり、切断テーブル201の高さの誤差を考慮する必要がなく、CCSブロック300が各切断テーブル201上に設けられる必要がない。したがって、切断装置10においては、CCSブロック300は、2つの切断テーブル201の間に1つだけ配置されている(図1)。
図6は、切断装置10におけるワークW1の高さ位置の測定方法を説明するための図である。図6に示されるように、ワークW1の高さ位置は、測定器400によって測定される。切断装置10においては、ワークW1の高さ位置が、例えば、新しいワークW1の切断を行なう度に測定器400によって測定される。また、ワークW1の高さ位置の測定は、例えば、スピンドル部110におけるブレード101の交換のタイミングで行なわれてもよいし、後述するドレッシングボード600(図12)を用いたブレード101の目詰まり解消後のタイミングで行なわれてもよい。これにより、ワークW1の高さ位置を正確に認識することができる。
検出された制御座標原点、及び、実際に測定された各部材の高さ位置に基づいてスピンドル部110の高さ位置を調整する方法によって、上記比較対象よりは、ワークW1上に所望の深さの溝が形成されない可能性を低減することができ、所望の深さの溝をワークW1上により確実に形成することができる。しかしながら、このような方法によっても、様々な要因により所望の深さの溝がワークW1上に形成されない場合がある。本実施の形態1に従う切断装置10においては、さらに工夫が施されている。切断装置10においては、ワークW1の上面において複数箇所の高さ位置が測定される。
図7は、高さ位置が測定される箇所の一例を説明するための図であり、ワークW1の基板面側から見た様子を示す図である。図7に示されるように、ワークW1には、複数の半導体チップC1が含まれている。ワークW1には、切断後に製品として用いられる製品領域PT1と、切断後に製品として用いられない非製品領域NPT1とが含まれている。本実施の形態1においては、製品領域PT1がワークW1の中央部分に存在し、非製品領域NPT1が製品領域PT1の周囲に存在する。しかしながら、これらの配置はこれに限定されない。例えば、非製品領域NPT1がワークW1の中央部分に存在していてもよい。非製品領域NPT1には、半導体チップC1が含まれていない。形成される予定の溝に沿う複数の位置P1において、高さ位置が測定される。高さ位置が測定される位置P1は、非製品領域NPT1及び製品領域PT1の各々に含まれている。なお、非製品領域NPT1には、封止樹脂が形成されてもよいし、封止樹脂が形成されなくてもよい。
図8は、非製品領域NPT1に仮の溝GR1を形成する手順を説明するための図である。仮の溝GR1は、切断品(製品)上に反映されることはなく、スピンドル部110の高さ位置の調整のために形成される。図8に示されるように、切断装置10においては、非製品領域NPT1において測定されたワークW1の高さ位置に基づいて、非製品領域NPT1に仮の溝GR1が形成される。なお、図8に示された例では、非製品領域NPT1の一方の端部から反対側の端部まで仮の溝GR1が形成されているが、非製品領域NPT1の一部分のみに仮の溝GR1が形成されてもよい。
図9は、仮の溝GR1の高さ位置の測定方法を説明するための図である。図9に示されるように、切断装置10においては、測定器400によって、仮の溝GR1の高さ位置が測定される。切断装置10においては、制御部500によって、仮の溝GR1の深さ(高さ位置)が許容範囲内か否かが判定される。切断装置10においては、制御部500によって、例えば、誤差がX%以内であれば許容範囲とするといった条件が予め記憶されている。
仮の溝GR1の深さが許容範囲内であれば、スピンドル部110の高さ調整は適切だと判定される。一方、仮の溝GR1の深さが許容範囲外であれば、スピンドル部110の高さ調整が不適切であると判定され、スピンドル部110の高さ位置が微調整される。このように、切断装置10によれば、実際に形成された仮の溝GR1の深さに基づいて、スピンドル部110の高さ位置がさらに微調整されるため、ワークW1上に所望の深さの溝をより確実に形成することができる。
図10は、切断装置10における溝の形成手順を説明するための図である。図10に示されるように、切断装置10は、製品領域PT1の複数箇所の各々の高さ位置に応じてブレード101(スピンドル部110)の高さ位置を調整しながらワークW1に溝を形成する。なお、図10において、一点鎖線で示される部分は、ワークW1に形成される溝の底面の位置を示している。このように、切断装置10によれば、複数箇所の各々の高さ位置に応じてスピンドル部110の高さ位置が調整されるため、ワークW1上に所望の深さの溝をより確実に形成することができる。なお、非製品領域NPT1において形成される仮の溝GR1も、製品領域PT1と同様の手順で形成される。
<1-3.切断装置の動作>
図11は、切断装置10における溝の形成手順を示すフローチャートである。このフローチャートに示される処理は、ワークW1上に溝を形成する場合に実行される。
図11を参照して、制御部500は、スピンドル部110の高さ方向における制御座標原点を検出するために、ブレード101をCCSブロック300に接触させるようにスピンドル部110を制御する(ステップS100)。制御部500は、基準高さを測定するために、CCSブロック300の上面の高さ位置を測定するように測定器400を制御する(ステップS110)。
制御部500は、ワーク保持ユニット200上に保持されたワークW1の上面の複数箇所における高さ位置を測定するように測定器400を制御する(ステップS120)。制御部500は、ワークW1の非製品領域NPT1における高さ位置に基づいてスピンドル部110の高さ位置の第1次の調整を行なうようにスピンドル部110を制御する(ステップS130)。例えば、制御部500は、ステップS120において、製品領域PT1及び非製品領域NPT1に形成される各溝に対してスピンドル部110の高さ位置の補正データを生成する。制御部500は、ステップ130において、非製品領域NPT1に形成される溝に関する補正データに基づいてスピンドル部110の高さを調整することができる。
制御部500は、ワークW1の非製品領域NPT1における高さ位置に基づいて、非製品領域NPT1に仮の溝GR1を形成するようにスピンドル部110を制御する(ステップS140)。制御部500は、形成された仮の溝GR1の高さ位置(深さ)を測定するように測定器400を制御する(ステップS150)。
制御部500は、仮の溝GR1の深さが許容範囲内か否かを判定する(ステップS160)。許容範囲内でないと判定されると(ステップS160においてNO)、制御部500は、スピンドル部110の高さ位置の第2次の調整を行なうようにスピンドル部110を制御する(ステップS170)。すなわち、制御部500は、スピンドル部110の高さ位置の調整データ(高さ位置調整データ)を生成し、該高さ位置調整データに基づいてスピンドル部110の高さ位置の微調整を行なう。例えば、制御部500は、ステップS120において生成された製品領域PT1の各溝の補正データ及び高さ位置調整データに基づいてスピンドル部110の高さを調整することができる。
仮の溝GR1の深さが許容範囲内であると判定された後(ステップS160においてYES)、又は、ステップS170においてスピンドル部110の高さ位置の微調整が行なわれた後に、制御部500は、ワークW1の製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する(ステップS180)。なお、制御部500は、ステップS170において高さ位置調整データが生成されている場合には、該高さ位置調整データに基づいてスピンドル部110の高さ位置を調整し、その後、ワークW1の製品領域PT1の各箇所の高さ位置に基づいて製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。一方、制御部500は、ステップS170において高さ位置調整データが生成されていない場合には、製品領域PT1の各箇所の高さ位置に基づいて製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。いずれの場合であっても、制御部500は、製品領域PT1の各箇所の高さ位置に応じて高さ位置を調整しながらワークW1上に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。
<1-4.特徴>
以上のように、本実施の形態1に従う切断装置10において、制御部500は、測定器400によって測定された対象物(ワークW1の非製品領域NPT1)の高さ位置に基づいて、対象物(非製品領域NPT1)に仮の溝GR1を形成するようにスピンドル部110を制御する。そして、制御部500は、測定器400によって測定された仮の溝GR1部分の高さ位置に基づいてスピンドル部110の高さ位置を調整し、その後、測定器400によって測定されたワークW1の上面の複数箇所の各々における高さ位置に基づいてワークW1の製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。
この切断装置10によれば、各部材の高さ位置が測定器400によって測定されるため、スピンドル部110の高さ位置を適切に制御することができる。さらに、この切断装置10によれば、仮の溝GR1の高さ位置に基づいてスピンドル部110の高さ位置がさらに調整されるため、スピンドル部110の高さ位置をより適切に制御することができる。その結果、この切断装置10によれば、ワークW1上に所望の深さの溝をより確実に形成することができる。
また、切断装置10において、制御部500は、ワークW1の上面の複数箇所の各々における高さ位置に基づいて、スピンドル部110の高さ位置を調整しながら製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。
この切断装置10によれば、ワークW1の上面の複数箇所の各々における高さ位置に基づいて、スピンドル部110の高さ位置を調整しながら溝が形成されるため、ワークW1上に所望の深さの溝をより確実に形成することができる。
[2.実施の形態2]
上記実施の形態1に従う切断装置10においては、仮の溝GR1がワークW1の非製品領域NPT1に形成された。しかしながら、仮の溝GR1は、必ずしもワークW1の非製品領域NPT1に形成されなくてもよい。本実施の形態2に従う切断装置10Aにおいては、仮の溝がドレッシングボード600に形成される。以下、本実施の形態2に従う切断装置10Xについて詳細に説明する。なお、上記実施の形態1に従う切断装置10と共通する部分に関しては説明を繰り返さない。
<2-1.切断装置の構成>
図12は、本実施の形態2に従う切断装置10Xの一部の平面を模式的に示す図である。図12に示されるように、切断装置10Xは、制御部500Xと、ドレッシングボード600とを含んでいる。
制御部500Xは、CPU、RAM及びROM等を含み、情報処理に応じて各構成要素の制御を行なうように構成されている。制御部500Xは、例えば、切断ユニット100、ワーク保持ユニット200及び測定器400を制御するように構成されている。
ドレッシングボード600は、ブレード101のドレッシングに用いられる。ドレッシングを行なうことによって、ブレード101の目詰まりを解消したり、未使用のブレード101の形状を整えたり、スピンドル部110に新しいブレード101を取り付けたときの真円出しをしたりすることができる。ブレード101のドレッシングは、例えば、スピンドル部110におけるブレード101の交換時やブレードの目詰まり時に行なわれる。
<2-2.切断装置の動作>
図13は、切断装置10Xにおける溝の形成手順を示すフローチャートである。このフローチャートに示される処理は、スピンドル部110においてブレード101の交換が行なわれた後に実行される。
図13を参照して、制御部500Xは、スピンドル部110の高さ方向における制御座標原点を検出するために、ブレード101をCCSブロック300に接触させるようにスピンドル部110を制御する(ステップS200)。制御部500Xは、基準高さを測定するために、CCSブロック300の上面の高さ位置を測定するように測定器400を制御する(ステップS210)。
制御部500Xは、ドレッシングを行なう前に、ドレッシングボード600の上面の複数箇所における高さ位置を測定するように測定器400を制御する(ステップS220)。なお、ドレッシングボード600の上面において高さ位置が測定される箇所は、必ずしも複数箇所である必要はなく、一箇所であってもよい。制御部500Xは、測定された高さ位置に基づいてスピンドル部110の高さ位置の第1次の調整を行なうようにスピンドル部110を制御する(ステップS230)。
制御部500Xは、測定されたドレッシングボード600の上面の高さ位置に基づいて、ドレッシングボード600に仮の溝を形成するようにスピンドル部110を制御する(ステップS240)。すなわち、ブレード101のドレッシングが行なわれる。制御部500Xは、形成された仮の溝の高さ位置(深さ)を測定するように測定器400を制御する(ステップS250)。
制御部500Xは、仮の溝の深さが許容範囲内か否かを判定する(ステップS260)。許容範囲内でないと判定されると(ステップS260においてNO)、制御部500Xは、スピンドル部110の高さ位置の第2次の調整を行なうようにスピンドル部110を制御する(ステップS270)。すなわち、制御部500Xは、スピンドル部110の高さ位置の調整データ(高さ位置調整データ)を生成し、該高さ位置調整データに基づいてスピンドル部110の高さ位置の微調整を行なう。
仮の溝の深さが許容範囲内であると判定された後(ステップS260においてYES)、又は、ステップS270において高さ位置調整データが生成された後に、制御部500Xは、ワーク保持ユニット200上に保持されたワークW1の上面の複数箇所における高さ位置を測定するように測定器400を制御する(ステップS280)。
制御部500Xは、ワークW1の製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する(ステップS290)。なお、制御部500Xは、ステップS270において高さ位置調整データが生成されている場合には、高さ位置調整データに基づいてスピンドル部110の高さ位置を調整し、その後、ワークW1の上面の高さ位置に基づいてワークW1の製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。一方、制御部500Xは、ステップS270において高さ位置調整データが生成されていない場合には、ワークW1の高さ位置に基づいてワークW1の製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。いずれの場合であっても、制御部500Xは、製品領域PT1の各箇所の高さ位置に応じて高さ位置を調整しながらワークW1上に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。この場合には、例えば、製品領域PT1において形成される各溝に対してスピンドル部110の高さ位置の補正データがステップS280で生成され、該補正データに基づいてスピンドル部110の高さ位置が調整される。
<2-3.特徴>
以上のように、本実施の形態2に従う切断装置10Xにおいて、制御部500Xは、測定器400によって測定された対象物(ドレッシングボード600)の高さ位置に基づいて、対象物(ドレッシングボード600)に仮の溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。そして、制御部500Xは、測定器400によって測定された仮の溝部分の高さ位置に基づいてスピンドル部110の高さ位置を調整し、その後、測定器400によって測定されたワークW1の上面の複数箇所の各々における高さ位置に基づいてワークW1の製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。
この切断装置10Xによれば、各部材の高さ位置が測定器400によって測定されるため、スピンドル部110の高さ位置を適切に制御することができる。さらに、この切断装置10Xによれば、仮の溝の高さ位置に基づいてスピンドル部110の高さ位置がさらに調整されるため、スピンドル部110の高さ位置をより適切に制御することができる。その結果、この切断装置10Xによれば、ワークW1上に所望の深さの溝をより確実に形成することができる。
[3.実施の形態3]
上記実施の形態1に従う切断装置10においては、仮の溝GR1がワークW1の非製品領域NPT1に形成され、上記実施の形態2に従う切断装置10Xにおいては、仮の溝がドレッシングボード600に形成された。本実施の形態3に従う切断装置10Yにおいては、ワークW1の非製品領域NPT1及びドレッシングボード600の両方に仮の溝が形成される。以下、本実施の形態3に従う切断装置10Yについて詳細に説明する。なお、上記実施の形態1,2に従う切断装置10,10Xと共通する部分に関しては説明を繰り返さない。
<3-1.切断装置の構成>
図14は、本実施の形態3に従う切断装置10Yの一部の平面を模式的に示す図である。図14に示されるように、切断装置10Yは、制御部500Yを含んでいる。制御部500Yは、CPU、RAM及びROM等を含み、情報処理に応じて各構成要素の制御を行なうように構成されている。制御部500Yは、例えば、切断ユニット100、ワーク保持ユニット200及び測定器400を制御するように構成されている。
<3-2.切断装置の動作>
図15は、切断装置10Yにおける溝の形成手順を示す第1のフローチャートである。図16は、切断装置10Yにおける溝の形成手順を示す第2のフローチャートである。図15のフローチャートに示される処理は、スピンドル部110においてブレード101の交換が行なわれた後に実行される。図16のフローチャートの処理は、図15のフローチャートの処理の後に実行される。
なお、図15のフローチャートにおけるステップS300-S340の処理は、図13のフローチャートにおけるステップS200-S280にそれぞれ対応しており、図16のフローチャートにおけるステップS345-S365の処理は、図11のフローチャートにおけるステップS140-S180にそれぞれ対応している。すなわち、本実施の形態3に従う切断装置10Yにおいて、制御部500Yは、ステップS315においてスピンドル部110の高さ位置の第1次の調整を行ない、ステップS335においてスピンドル部110の高さ位置の第2次の調整を行ない、ステップS360においてスピンドル部110の高さ位置の第3次の調整を行なう。
<3-3.特徴>
以上のように、本実施の形態3に従う切断装置10Yにおいて、制御部500Yは、測定器400によって測定された対象物(ドレッシングボード600及び非製品領域NPT1)の高さ位置に基づいて、対象物(ドレッシングボード600及び非製品領域NPT1)に仮の溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。そして、制御部500Yは、測定器400によって測定された仮の溝部分の高さ位置に基づいてスピンドル部110の高さ位置を調整し、その後、測定器400によって測定されたワークW1の上面の複数箇所の各々における高さ位置に基づいてワークW1の製品領域PT1に溝を形成するようにスピンドル部110を制御する。
この切断装置10Yによれば、各部材の高さ位置が測定器400によって測定されるため、スピンドル部110の高さ位置を適切に制御することができる。さらに、この切断装置10Yによれば、仮の溝の高さ位置に基づいてスピンドル部110の高さ位置がさらに調整されるため、スピンドル部110の高さ位置をより適切に制御することができる。その結果、この切断装置10Yによれば、ワークW1上に所望の深さの溝をより確実に形成することができる。
[4.他の実施の形態]
上記実施の形態の思想は、以上で説明された実施の形態1-3に限定されない。以下、上記実施の形態1-3の思想を適用できる他の実施の形態の一例について説明する。
上記実施の形態1-3においては、スピンドル部110が矢印XY方向に移動することとした。しかしながら、スピンドル部110は、必ずしも矢印XY方向に移動しなくてもよい。例えば、スピンドル部110が矢印XY方向に移動しない代わりに、ワーク保持ユニット200が矢印XY方向に移動することにより、ワークW1をスピンドル部110の下方の切断位置に搬送するようにしてもよい。
また、上記実施の形態1-3においては、CCSブロック300(補助部材の一例)を用いることによって、スピンドル部110の高さ方向における制御座標原点が検出された。しかしながら、スピンドル部110の高さ方向における制御座標原点は、必ずしもCCSブロック300を用いることによって検出されなくてもよい。スピンドル部110の高さ方向における制御座標原点は、例えば、ブレード101の接触を検出するタッチセンサ(補助部材の一例)等を用いることによって検出されてもよい。いずれの例についても、補助部材の導通状態に基づいて検出が行なわれる。また、制御座標原点の検出時に補助部材に接触する部分は、必ずしもブレード101である必要はない。例えば、スピンドル部110のブレード101以外の部分が補助部材に接触してもよい。
また、上記実施の形態においては、1つの切断品に1つの半導体チップC1が含まれることとした。しかしながら、1つの切断品に複数の半導体チップC1が含まれてもよい。
また、本発明における「対象物」は、例えばブレード101によって切断されるものである。上記実施の形態1における「対象物」はワークW1の製品領域PT1及び非製品領域NPT1であり、上記実施の形態2における「対象物」はワークW1の製品領域PT1及びドレッシングボード600であり、上記実施の形態3における「対象物」はワークW1の製品領域PT1、非製品領域NPT1及びドレッシングボード600であった。しかしながら、「対象物」は、これらに限定されず、これら以外を含んでもよい。
以上、本発明の実施の形態について例示的に説明した。すなわち、例示的な説明のために、詳細な説明及び添付の図面が開示された。よって、詳細な説明及び添付の図面に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須でない構成要素が含まれることがある。したがって、それらの必須でない構成要素が詳細な説明及び添付の図面に記載されているからといって、それらの必須でない構成要素が必須であると直ちに認定されるべきではない。
また、上記実施の形態は、あらゆる点において本発明の例示にすぎない。上記実施の形態は、本発明の範囲内において、種々の改良や変更が可能である。すなわち、本発明の実施にあたっては、実施の形態に応じて具体的構成を適宜採用することができる。
10,10X,10Y 切断装置、100 切断ユニット、101 ブレード、102 スピンドル部本体、103,104 スライダ、105 支持体、110 スピンドル部、200 ワーク保持ユニット、201 切断テーブル、202 ラバー、300 CCSブロック、400 測定器、500,500X,500Y 制御部、600 ドレッシングボード、C1 半導体チップ、G1,G2 ガイド、P1 位置、GR1 溝、PT1 製品領域、NPT1 非製品領域、W1 ワーク。

Claims (6)

  1. 高さ位置の調整が可能であり、製品領域を有するワークを含む対象物を切断するように構成されたブレードが取り付けられたスピンドル部と、
    前記スピンドル部を制御するように構成された制御部と、
    前記対象物の上面の高さ位置を測定するように構成された測定器と、
    を備え、
    前記ワークは、樹脂成形済み基板であり、
    前記制御部は、前記測定器によって測定された前記対象物の高さ位置に基づいて、前記対象物の前記製品領域以外の領域に仮の溝を形成するように前記スピンドル部を制御し、
    前記制御部は、前記スピンドル部を制御して前記仮の溝を形成し、前記測定器によって測定された前記仮の溝部分の高さ位置が許容範囲外であれば前記スピンドル部の高さ位置を調整し、その後、前記測定器によって測定された前記ワークの上面の複数箇所の各々における高さ位置に基づいて前記ワークの前記製品領域ハーフカット用の溝を形成するように前記スピンドル部を制御し、
    前記仮の溝は、前記ブレードのドレッシングに用いられるドレッシングボードに形成される、切断装置。
  2. 高さ位置の調整が可能であり、製品領域を有するワークを含む対象物を切断するように構成されたブレードが取り付けられたスピンドル部と、
    前記スピンドル部を制御するように構成された制御部と、
    前記対象物の上面の高さ位置を測定するように構成された測定器と、
    複数の切断テーブルと、
    前記切断テーブルの数よりも少ない数の補助部材と、
    を備え、
    前記ワークは、樹脂成形済み基板であり、
    前記補助部材は、隣接する前記切断テーブルの間に配置されており、
    前記制御部は、前記測定器によって測定された前記対象物の高さ位置に基づいて、前記対象物の前記製品領域以外の領域に仮の溝を形成するように前記スピンドル部を制御し、
    前記制御部は、前記スピンドル部を制御して前記仮の溝を形成し、前記測定器によって測定された前記仮の溝部分の高さ位置が許容範囲外であれば前記スピンドル部の高さ位置を調整し、その後、前記測定器によって測定された前記ワークの上面の複数箇所の各々における高さ位置に基づいて前記ワークの前記製品領域にハーフカット用の溝を形成するように前記スピンドル部を制御し、
    前記ワークは、前記複数の切断テーブルのいずれかに保持された状態で切断され、
    前記スピンドル部を前記補助部材に接触させることによって、前記スピンドル部の高さ方向における基準位置の検出が行なわれる、切断装置。
  3. 前記制御部は、前記ワークの上面の前記ハーフカットを行うライン上の複数箇所の各々における高さ位置に基づいて、前記スピンドル部の高さ位置を調整しながら前記溝を形成するように前記スピンドル部を制御する、請求項1又は2に記載の切断装置。
  4. 前記仮の溝は、前記ワークの非製品部分に形成され、
    前記溝は、前記ワークの製品部分に形成される、請求項1から3のいずれかに記載の切断装置。
  5. 前記ワークは、複数の半導体チップを含み、
    前記非製品部分は、前記半導体チップを含まない、請求項4に記載の切断装置。
  6. 請求項1から請求項のいずれか1項に記載の切断装置を用いた切断品の製造方法であって、
    前記対象物の上面の高さ位置を測定する第1測定工程と、
    前記第1測定工程における測定結果に基づいて、前記対象物に仮の溝を形成する第1溝形成工程と、
    前記仮の溝部分の高さ位置を測定する第2測定工程と、
    前記第2測定工程における測定結果に基づいて、前記スピンドル部の高さ位置を調整する調整工程と、
    前記調整工程の後に、前記ワークの上面の前記ハーフカットを行うライン上の複数箇所の各々における高さ位置の測定結果に基づいて、前記ワークに前記ハーフカット用の溝を形成する第2溝形成工程と、
    を含む、切断品の製造方法。

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KR1020210079895A KR102574858B1 (ko) 2020-06-24 2021-06-21 절단 장치 및 절단품의 제조 방법
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011181623A (ja) 2010-02-26 2011-09-15 Disco Corp 板状物の加工方法
JP2016201452A (ja) 2015-04-09 2016-12-01 株式会社ディスコ 切削溝の形成方法
JP2018206995A (ja) 2017-06-06 2018-12-27 株式会社ディスコ パッケージ基板の切削方法
US20190202018A1 (en) 2017-12-28 2019-07-04 Disco Corporation Dressing method of cutting blade

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
KR102022754B1 (ko) * 2012-06-15 2019-09-18 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 다이싱 장치 및 다이싱 방법
JP6078272B2 (ja) * 2012-09-10 2017-02-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6229883B2 (ja) * 2013-11-27 2017-11-15 株式会社東京精密 ダイシング装置及びその切削方法
JP6215069B2 (ja) * 2014-01-29 2017-10-18 株式会社ディスコ 切削装置
JP6325335B2 (ja) * 2014-05-13 2018-05-16 株式会社ディスコ 切削装置のチャックテーブル
JP6328513B2 (ja) * 2014-07-28 2018-05-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2016082195A (ja) * 2014-10-22 2016-05-16 Towa株式会社 切断装置及び切断方法
JP6235453B2 (ja) * 2014-12-24 2017-11-22 Towa株式会社 切断装置及び切断方法
JP6457327B2 (ja) * 2015-04-28 2019-01-23 株式会社ディスコ セットアップ方法
JP6695102B2 (ja) * 2015-05-26 2020-05-20 株式会社ディスコ 加工システム
JP2017054888A (ja) * 2015-09-08 2017-03-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6727719B2 (ja) * 2016-08-18 2020-07-22 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP6732381B2 (ja) * 2016-10-03 2020-07-29 株式会社ディスコ 切削装置
CN108067569A (zh) * 2016-11-14 2018-05-25 康普技术有限责任公司 用于自动切割和盘绕电缆的系统和方法
JP6612206B2 (ja) * 2016-12-19 2019-11-27 Towa株式会社 切断装置
JP6846657B2 (ja) * 2017-01-20 2021-03-24 株式会社ディスコ 切削装置
JP6866217B2 (ja) * 2017-04-21 2021-04-28 株式会社ディスコ 切削装置
JP6983026B2 (ja) * 2017-10-06 2021-12-17 株式会社ディスコ 切削装置
JP7165510B2 (ja) * 2018-05-25 2022-11-04 株式会社ディスコ 搬送用治具及び交換方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011181623A (ja) 2010-02-26 2011-09-15 Disco Corp 板状物の加工方法
JP2016201452A (ja) 2015-04-09 2016-12-01 株式会社ディスコ 切削溝の形成方法
JP2018206995A (ja) 2017-06-06 2018-12-27 株式会社ディスコ パッケージ基板の切削方法
US20190202018A1 (en) 2017-12-28 2019-07-04 Disco Corporation Dressing method of cutting blade
JP2019118983A (ja) 2017-12-28 2019-07-22 株式会社ディスコ 切削ブレードのドレッシング方法

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