TWI834970B

TWI834970B - 切斷裝置及切斷品的製造方法

Info

Publication number: TWI834970B
Application number: TW110117429A
Authority: TW
Inventors: 今井一郎; 坂本真二; 大西將馬
Original assignee: 日商Ｔｏｗａ股份有限公司
Priority date: 2020-06-24
Filing date: 2021-05-14
Publication date: 2024-03-11

Abstract

切斷裝置包括主軸部、控制部及測定器。主軸部可調整高度位置，且安裝有刀片。測定器構成為測定對象物的上表面的高度位置。控制部控制主軸部，以基於由測定器測得之對象物的高度位置，於對象物上形成臨時溝。控制部控制主軸部，以基於由測定器測得之臨時溝部分的高度位置來調整主軸部的高度位置，然後基於由測定器測得之工件的上表面的複數個部位之各者的高度位置，於工件上形成溝槽。

Description

切斷裝置及切斷品的製造方法

本發明關於一種切斷裝置及切斷品的製造方法。

日本特開2018-206995號公報（專利文獻1）揭示一種封裝體基板的切削方法。於該切削方法中，封裝體基板的上表面的高度是沿分割預定線測定。基於該測定結果，控制切削單元的高度方向的位置。然後，切削單元沿分割預定線形成切削溝（參考專利文獻1）。 [先前技術文獻] （專利文獻）

專利文獻1 日本特開2018-206995號公報

（發明所欲解決之問題）

即便基於封裝體基板（工件的一例）的上表面的高度控制切削單元的高度位置，亦存在因各種原因而未於工件上形成所需深度的切削溝之情況。

本發明是為解決此種問題而完成者，其目的在於提供一種切斷裝置及切斷品的製造方法，其能夠於工件上更確實地形成所需深度的溝槽。（解決問題之技術手段）

根據本發明的某一態樣之切斷裝置包括：主軸部、控制部及測定器。主軸部，可調整高度位置，且安裝有構成為將包括工件之對象物加以切斷之刀片。控制部，構成為控制主軸部。測定器，構成為測定對象物的上表面的高度位置。控制部控制主軸部，以基於由測定器測得之對象物的高度位置，於對象物形成臨時溝。控制部控制主軸部，以基於由測定器測得之臨時溝部分的高度位置調整主軸部的高度位置，然後基於由測定器測得之工件的上表面的複數個部位之各者的高度位置，於工件上形成溝槽。

根據本發明的另一態樣之切斷品的製造方法，是使用上述切斷裝置之切斷品的製造方法。切斷品的製造方法包括：第1測定工序、第1槽形成工序、第2測定工序、調整工序及第2槽形成工序。第1測定工序，是測定對象物的上表面的高度位置之工序。第1溝槽形成工序，是基於第1測定工序中的測定結果，於對象物上形成臨時溝之工序。第2測定工序，是測定臨時溝部分的高度位置之工序。調整工序，是基於第2測定工序中的測定結果，調整主軸部的高度位置之工序。第2溝槽形成工序，是於調整工序之後，基於工件的上表面的複數個部位之各者的高度位置的測定結果，於工件上形成溝槽之工序。（發明的效果）

根據本發明，可提供一種切斷裝置及切斷品的製造方法，其能夠於工件上更確實地形成所需深度的溝槽。

以下，參考圖式對本發明的實施方式詳細地進行說明。再者，在圖中，對同一或相當部分賦與同一符號，並省略其說明。

[1. 實施方式 1] ＜ 1-1. 切斷裝置的構造＞ 第1圖是示意性地表示根據本實施方式1之切斷裝置10的一部分的平面之圖。第2圖是示意性地表示切斷裝置10的一部分的正面的圖。再者，於第1圖及第2圖中，箭頭XYZ的各者所表示之方向是共通的。

切斷裝置10構成為藉由將工件W1切斷而將工件W1單片化為複數個切斷品。又，切斷裝置10構成為藉由移除工件W1的一部分而於工件W1在形成溝槽。亦即，切斷裝置10的名稱（切斷裝置）中所包含之用語「切斷」的概念包括將切斷對象分離為複數個、及移除切斷對象的一部分。工件W1為例如封裝體基板。於封裝體基板中，裝有半導體晶片之基板或引線框架由樹脂密封。於以下說明中，將工件W1的密封側的面記為「封裝體面」，將基板或引線框架側的面記為「基板面」。

作為封裝體基板的一例，可列舉球柵陣列(Ball Grid Array；BGA)封裝體基板、柵格陣列(Land Grid Array；LGA)封裝體基板、晶片尺寸封裝(Chip Size Package；CSP)封裝體基板、發光二極體(Light Emitting Diode；LED)封裝體基板、四方無引線(Quad Flat No-leaded；QFN)封裝體基板。

如第1圖及第2圖所示，切斷裝置10包括切斷單元100、工件保持單元200、接觸刀具組(Contact Cutter Set；CCS)區塊300、測定器400及控制部500。再者，CCS區塊300為輔助構件的一例。

切斷單元100構成為切斷工件W1，且包括主軸部110、滑塊103和104、以及支撐體105。再者，切斷裝置10，在將主軸部110與滑塊103和104作為一組的情況下，可為包括兩組的雙主軸構造，亦可為僅包括一組的單主軸構造。

支撐體105為金屬製棒狀構件，構成為沿未圖示之導件在箭頭Y方向移動。於支撐體105，形成有沿長度方向（箭頭X方向）延伸之導件G1。

滑塊104為金屬製板狀構件，且以可沿導件G1在箭頭X方向移動之狀態安裝於支撐體105。於滑塊104，形成有沿長度方向（箭頭Z方向）延伸之導件G2。滑塊103為金屬製板狀構件，且以可沿導件G2在高度方向（箭頭Z方向）移動之狀態安裝於滑塊104。

主軸部110包括主軸部主體102及安裝於主軸部主體102上的刀片101。刀片101藉由高速旋轉，而將工件W1切斷，從而將工件W1單片化為複數個切斷品（半導體封裝體）。主軸部主體102安裝於滑塊103。主軸部110構成為隨滑塊103和104及支撐體105的移動而移動至切斷裝置10內的所需的位置。

工件保持單元200構成為保持工件W1，且包括切斷台201及配置於切斷台201上之橡膠件202。於本實施方式1中，例示有具有兩個工件保持單元200之雙切割台構造的切斷裝置10。再者，工件保持單元200的數量並不限於兩個，亦可為一個，亦可為三個以上。

橡膠件202為橡膠製板狀構件，於橡膠件202中形成有複數個孔。於橡膠件202上配置工件W1。切斷台201藉由自下方的封裝體面側對配置於橡膠件202上之工件W1加以吸附而保持工件W1。切斷台201可沿θ方向旋轉。工件W1是於由工件保持單元200保持之狀態下自基板面側被主軸部110切斷。

CCS區塊300用以對主軸部110的高度位置的控制中的控制座標原點進行檢測。控制座標原點包括例如電性原點，為「基準位置」的一例。關於CCS區塊300的用途，在下文進行詳細說明。

測定器400由例如雷射位移計構成，且構成為對工件W1的上表面（基板面）及CCS區塊300的上表面等的高度位置進行測定。關於測定器400的用途，在下文進行詳細說明。

控制部500包括中央處理單元(Central Processing Unit；CPU)、隨機存取記憶體(Random Access Memory；RAM)及唯讀記憶體(Read Only Memory；ROM)等，且構成為根據資訊處理來進行各構成要素之控制。控制部500構成為例如控制切斷單元100、工件保持單元200及測定器400。

於切斷裝置10中，進行工件W1的全切及半切。為了經半切而於工件W1上形成所需深度的溝槽，需高精度地調整主軸部110的高度位置。於根據本實施方式1之切斷裝置10中，於進行工件W1的半切時，高精度地調整主軸部110的高度位置。以下，與作為比較對象之切斷裝置中的主軸部的高度位置的調整方法進行對比，對根據本實施方式1之切斷裝置10中的主軸部110的高度位置的調整方法進行說明。

＜ 1-2. 主軸部的高度 位置的調整順序＞ （ 1-2-1. 比較對象中的調整順序） 第3圖是用以說明作為比較對象之切斷裝置10A中的主軸部110A在高度方向上的控制座標原點的檢測順序的圖。於切斷裝置10A中，預先記憶有CCS區塊300A的高度H1。如第3圖所示，於切斷裝置10A中，藉由使刀片101A接觸CCS區塊300A，而檢測主軸部110A在高度方向上的控制座標原點。

第4圖是用以說明作為比較對象之切斷裝置10A中的主軸部110A的高度位置的調整順序的圖。於切斷裝置10A中，預先記憶有工件W1的高度H2及橡膠件202A的高度H3等各構件的高度例如基於設計階段的尺寸值。於切斷裝置10A中，基於檢測到的控制座標原點及預先記憶之各構件的高度，調整主軸部110A的高度位置，以於工件W1上形成所需深度的溝槽。再者，於切斷裝置10A中，CCS區塊300A以及橡膠件202A和工件W1配置於共同的切斷台201A上，以避免切斷台201A的高度的誤差影響主軸部110A的高度調整。亦即，CCS區塊300A於各切斷台201A上各配置一個。

當各構件的高度的資訊準確時，可藉由此種順序，適當地調整主軸部110A的高度位置。然而，各構件的高度資訊並不一定準確。例如，橡膠件202A可能會因切斷台201A之吸附而撓曲。又，橡膠件202A可能會因經時變化而磨損。又，工件W1可能會因前一工序中的熱量等而撓曲。又，工件W1可能會因主軸部等構成零件的加工所導致之誤差等而撓曲。

如此，因各種原因，可能會導致各構件的實際高度與預先記憶之高度不同。於該情況下，利用以上述順序調整高度位置後之主軸部110A，無法於工件W1上形成所需深度的溝槽。

（ 1-2-2. 本實施方式 1 中的調整順序） 於根據本實施方式1之切斷裝置10中，與上述比較對象同樣地（第3圖），藉由使刀片101接觸CCS區塊300，而檢測主軸部110在高度方向上的控制座標原點。另一方面，於切斷裝置10中，作為各構件的高度，不使用預先記憶之資訊。

第5圖是用以說明切斷裝置10中的CCS區塊300的高度位置的測定方法之圖。如第5圖所示，於切斷裝置10中，CCS區塊300的高度位置是於每次進行新工件W1的切斷時由測定器400測定。藉此，能夠更準確地特定控制座標原點與實際的高度位置之對應關係。再者，CCS區塊300的高度位置的測定亦可不必於每次進行新工件W1的切斷時都要進行。例如，亦可當在主軸部110中更換刀片101之時機進行CCS區塊300的高度位置的測定。又，亦可於利用下述修整板600（第12圖）消除刀片101的堵塞後之時機進行CCS區塊300的高度位置的測定。

再者，於切斷裝置10中，由於有實際測定CCS區塊300的高度位置，因此，與上述比較對象之切斷裝置10A不同，無需考慮切斷台201的高度的誤差，且CCS區塊300無需設置於各切斷台201上。因此，於切斷裝置10中，CCS區塊300於兩個切斷台201之間僅配置一個（第1圖）。

第6圖是用以說明切斷裝置10中的工件W1的高度位置的測定方法之圖。如第6圖所示，工件W1的高度位置由測定器400測定。於切斷裝置10中，工件W1的高度位置例如於每次進行新工件W1的切斷時由測定器400測定。又，工件W1的高度位置的測定例如可當更換主軸部110中的刀片101之時機進行，亦可於利用下述修整板600（第12圖）消除刀片101的堵塞後之時機進行。藉此，能夠準確地識別工件W1的高度位置。

利用基於檢測到的控制座標原點及實際測得之各構件的高度位置來調整主軸部110的高度位置之方法，相較於上述比較對象，能夠降低於工件W1上未形成所需深度的溝槽之可能性，且能夠於工件W1上更確實地形成所需深度的溝槽。然而，即便利用此種方法，亦可能會因各種原因而未能於工件W1上形成所需深度的溝槽。於根據本實施方式1之切斷裝置10中，採取進一步的對策。於切斷裝置10中，在工件W1的上表面測定複數個部位的高度位置。

第7圖是用以說明待測定高度位置之部位的一例之圖，且是表示自工件W1的基板面側觀察到的情況之圖。如第7圖所示，工件W1中包括複數個半導體晶片C1。工件W1中包括於切斷後用作產品之產品區PT1、及於切斷後不用作產品之非產品區NPT1。於本實施方式1中，產品區PT1存在於工件W1的中央部分，非產品區NPT1存在於產品區PT1的周圍。然而，它們的配置並不限於此。例如，非產品區NPT1亦可存在於工件W1的中央部分。非產品區NPT1中不含半導體晶片C1。於複數個位置P1中測定高度位置，其中該等複數個位置P1是沿著計劃要形成之溝槽。待測定高度位置之位置P1包含於非產品區NPT1及產品區PT1之各者中。再者，於非產品區NPT1，既可形成密封樹脂，亦可不形成密封樹脂。

第8圖是用以說明於非產品區NPT1上形成臨時溝GR1之順序之圖。臨時溝GR1不會反映在切斷品（產品）上，是用來調整主軸部110的高度位置而形成。如第8圖所示，於切斷裝置10中，基於在非產品區NPT1中測得之工件W1的高度位置，於非產品區NPT1上形成臨時溝GR1。再者，在第8圖所示之例中，臨時溝GR1是自非產品區NPT1的一端部形成至相反側的端部，但亦可僅於非產品區NPT1的一部分上形成臨時溝GR1。

第9圖是用以說明臨時溝GR1的高度位置的測定方法之圖。如第9圖所示，於切斷裝置10中，利用測定器400測定臨時溝GR1的高度位置。於切斷裝置10中，利用控制部500判定臨時溝GR1的深度（高度位置）是否在容許範圍內。於切斷裝置10中，利用控制部500預先記憶有如下條件：例如，若誤差在X%以內，則為容許範圍。

若臨時溝GR1的深度在容許範圍內，則判定主軸部110的高度調整是適當的。另一方面，若臨時溝GR1的深度在容許範圍外，則判定主軸部110的高度調整並不適當，而對主軸部110的高度位置進行微調整。如此，根據切斷裝置10，由於是基於實際形成之臨時溝GR1的深度，來對主軸部110的高度位置進行進一步微調整，因此能夠於工件W1上更確實地形成所需深度的溝槽。

第10圖是用以說明切斷裝置10中的溝槽的形成順序之圖。如第10圖所示，切斷裝置10根據產品區PT1的複數個部位之各者的高度位置，來調整刀片101（主軸部110）的高度位置，並於工件W1上形成溝槽。再者，於第10圖中，以單點鏈線表示之部分是表示形成於工件W1上之溝槽的底面的位置。如此，根據切斷裝置10，由於根據複數個部位之各者的高度位置來調整主軸部110的高度位置，因此能夠於工件W1上更確實地形成所需深度的溝槽。再者，於非產品區NPT1中形成之臨時溝GR1亦以與產品區PT1相同的順序形成。

＜ 1-3. 切斷裝置的動作＞ 第11圖是表示切斷裝置10中的溝槽的形成順序之流程圖。該流程圖所示之處理是於在工件W1上形成溝槽時執行。

參考第11圖，控制部500控制主軸部110，使刀片101接觸CCS區塊300，以檢測主軸部110在高度方向上的控制座標原點（步驟S100）。控制部500控制測定器400對CCS區塊300的上表面的高度位置進行測定，以測定基準高度（步驟S110）。

控制部500控制測定器400對保持於工件保持單元200上之工件W1的上表面的複數個部位的高度位置進行測定（步驟S120）。控制部500控制主軸部110，以基於工件W1的非產品區NPT1中的高度位置，進行主軸部110的高度位置的第1次調整（步驟S130）。例如，控制部500於步驟S120中，針對形成於產品區PT1及非產品區NPT1之各溝槽，生成主軸部110的高度位置的校正資料。控制部500於步驟130中，可基於與形成於非產品區NPT1之溝槽相關之校正資料，調整主軸部110的高度。

控制部500控制主軸部110，以基於工件W1的非產品區NPT1中的高度位置於非產品區NPT1形成臨時溝GR1（步驟S140）。控制部500控制測定器400，以對所形成之臨時溝GR1的高度位置（深度）進行測定（步驟S150）。

控制部500判定臨時溝GR1的深度是否在容許範圍內（步驟S160）。若判定為不在容許範圍內（於步驟S160中為「否」），控制部500控制主軸部110，以進行主軸部110的高度位置的第2次調整（步驟S170）。亦即，控制部500生成主軸部110的高度位置的調整資料（高度位置調整資料），並基於該高度位置調整資料進行主軸部110的高度位置的微調整。例如，控制部500可基於在步驟S120中生成之產品區PT1的各溝槽的校正資料及高度位置調整資料，調整主軸部110的高度。

在判定為臨時溝GR1的深度在容許範圍內之後（於步驟S160中為「是」），或於步驟S170中進行主軸部110的高度位置的微調整之後，控制部500控制主軸部110，以於工件W1的產品區PT1上形成溝槽（步驟S180）。再者，當於步驟S170中生成高度位置調整資料時，控制部500控制主軸部110，以基於該高度位置調整資料調整主軸部110的高度位置，然後基於工件W1的產品區PT1的各部位的高度位置，於產品區PT1上形成溝槽。另一方面，當於步驟S170中未生成高度位置調整資料時，控制部500控制主軸部110，以基於產品區PT1的各部位的高度位置，於產品區PT1上形成溝槽。於任一情況下，控制部500均控制主軸部110，以對應於產品區PT1的各部位的高度位置來調整高度位置，並於工件W1上形成溝槽。

＜ 1-4. 特徵＞ 如上所述，於根據本實施方式1之切斷裝置10中，控制部500是控制主軸部110，以基於由測定器400測得之對象物（工件W1的非產品區NPT1）的高度位置，於對象物（非產品區NPT1）上形成臨時溝GR1。並且，控制部500控制主軸部110，以基於由測定器400測得之臨時溝GR1部分的高度位置調整主軸部110的高度位置，然後基於由測定器400測得之工件W1的上表面的複數個部位之各者的高度位置，於工件W1的產品區PT1上形成溝槽。

根據該切斷裝置10，由於各構件的高度位置由測定器400測定，因此能夠適當地控制主軸部110的高度位置。進而，根據該切斷裝置10，由於基於臨時溝GR1的高度位置進一步調整主軸部110的高度位置，因此能夠更適當地控制主軸部110的高度位置。其結果為，根據該切斷裝置10，能夠於工件W1上更確實地形成所需深度的溝槽。

又，於切斷裝置10中，控制部500控制主軸部110，以基於工件W1的上表面的複數個部位之各者的高度位置，一邊調整主軸部110的高度位置並一邊於產品區PT1上形成溝槽。

根據該切斷裝置10，由於基於工件W1的上表面的複數個部位之各者的高度位置，一邊調整主軸部110的高度位置並一邊形成溝槽，因此，能夠於工件W1上更確實地形成所需深度的溝槽。

[2. 實施方式 2] 於根據上述實施方式1之切斷裝置10中，臨時溝GR1是形成於工件W1的非產品區NPT1。然而，臨時溝GR1亦可不必形成於工件W1的非產品區NPT1。於根據本實施方式2之切斷裝置10A中，臨時溝形成於修整板600。以下，針對根據本實施方式2之切斷裝置10X進行詳細說明。再者，關於與根據上述實施方式1之切斷裝置10共同之部分，省略其說明。

＜ 2-1. 切斷裝置的構造＞ 第12圖是示意性地表示根據本實施方式2之切斷裝置10X的一部分的平面之圖。如第12圖所示，切斷裝置10X包括控制部500X及修整板600。

控制部500X包括CPU、RAM及ROM等，且構成為根據資訊處理來進行各構成要素之控制。控制部500X構成為例如控制切斷單元100、工件保持單元200及測定器400。

修整板600用於刀片101的修整。藉由進行修整，能夠消除刀片101的堵塞、整理未使用的刀片101的形狀或進行在主軸部110上安裝新刀片101時的修圓。刀片101的修整，例如於更換主軸部110中的刀片101時或刀片堵塞時進行。

＜ 2-2. 切斷裝置的動作＞ 第13圖是表示切斷裝置10X中的溝槽的形成順序之流程圖。該流程圖所示之處理是於主軸部110中進行刀片101的更換之後執行。

參考第13圖，控制部500X控制主軸部110，使刀片101接觸CCS區塊300，以檢測主軸部110在高度方向上的控制座標原點（步驟S200）。控制部500X控制測定器400對CCS區塊300的上表面的高度位置進行測定，以測定基準高度（步驟S210）。

於進行修整前，控制部500X控制測定器400，以對修整板600的上表面的複數個部位的高度位置進行測定（步驟S220）。再者，在修整板600的上表面中，待測定高度位置之部位並非必須為複數個部位，亦可為一個部位。控制部500X控制主軸部110，以基於測得之高度位置進行主軸部110的高度位置的第1次調整（步驟S230）。

控制部500X控制主軸部110，以基於測得之修整板600的上表面的高度位置於修整板600形成臨時溝（步驟S240）。亦即，進行刀片101的修整。控制部500X控制測定器400，以對所形成之臨時溝的高度位置（深度）進行測定（步驟S250）。

控制部500X判定臨時溝的深度是否在容許範圍內（步驟S260）。若判定為不在容許範圍內（於步驟S260中為「否」），則控制部500X控制主軸部110，以進行主軸部110的高度位置的第2次調整（步驟S270）。亦即，控制部500X生成主軸部110的高度位置的調整資料（高度位置調整資料），並基於該高度位置調整資料進行主軸部110的高度位置的微調整。

在判定為臨時溝的深度在容許範圍內之後（於步驟S260中為「是」），或於步驟S270中生成高度位置調整資料後，控制部500X控制測定器400，以對保持於工件保持單元200上之工件W1的上表面的複數個部位的高度位置進行測定（步驟S280）。

控制部500X控制主軸部110，以於工件W1的產品區PT1上形成溝槽（步驟S290）。再者，當於步驟S270中生成高度位置調整資料時，控制部500X控制主軸部110，以基於高度位置調整資料調整主軸部110的高度位置，然後基於工件W1的上表面的高度位置於工件W1的產品區上PT1形成溝槽。另一方面，當於步驟S270中未生成高度位置調整資料時，控制部500X控制主軸部110，以基於工件W1的高度位置於工件W1的產品區PT1上形成溝槽。於任一情況下，控制部500X均控制主軸部110，以對應產品區PT1的各部位的高度位置，一邊調整高度位置並一邊於工件W1上形成溝槽。於該情況下，例如，於步驟S280中針對形成於產品區PT1中之各溝槽生成主軸部110的高度位置的校正資料，並基於該校正資料調整主軸部110的高度位置。

＜ 2-3. 特徵＞ 如上所述，於根據本實施方式2之切斷裝置10X中，控制部500X是控制主軸部110，以基於由測定器400測得之對象物（修整板600）的高度位置，於對象物（修整板600）上形成臨時溝。並且，控制部500X控制主軸部110，以基於由測定器400測得之臨時溝部分的高度位置調整主軸部110的高度位置，然後基於由測定器400測得之工件W1的上表面的複數個部位之各者的高度位置，於工件W1的產品區PT1上形成溝槽。

根據該切斷裝置10X，由於各構件的高度位置由測定器400測定，因此能夠適當地控制主軸部110的高度位置。進而，根據該切斷裝置10X，由於基於臨時溝的高度位置進一步調整主軸部110的高度位置，因此能夠更適當地控制主軸部110的高度位置。其結果為，根據該切斷裝置10X，能夠於工件W1上更確實地形成所需深度的溝槽。

[3.實施方式3] 於根據上述實施方式1之切斷裝置10中，臨時溝GR1形成於工件W1的非產品區NPT1上，於根據上述實施方式2之切斷裝置10X中，臨時溝形成於修整板600上。於根據本實施方式3之切斷裝置10Y中，臨時溝形成於工件W1的非產品區NPT1及修整板600之兩者上。以下，針對根據本實施方式3之切斷裝置10Y進行詳細說明。再者，關於與根據上述實施方式1、2之切斷裝置10、10X共通之部分，省略其說明。

＜ 3-1. 切斷裝置的構造＞ 第14圖是示意性地表示根據本實施方式3之切斷裝置10Y的一部分的平面之圖。如第14圖所示，切斷裝置10Y包括控制部500Y。控制部500Y包括CPU、RAM及ROM等，且構成為對應資訊處理來進行各構成要素之控制。控制部500Y構成為例如控制切斷單元100、工件保持單元200及測定器400。

＜ 3-2. 切斷裝置的動作＞ 第15圖是表示切斷裝置10Y中的溝槽的形成順序之第1流程圖。第16圖是表示切斷裝置10Y中的溝槽的形成順序之第2流程圖。第15圖的流程圖所示之處理是於主軸部110中進行刀片101的更換之後執行。第16圖的流程圖的處理是於第15圖的流程圖的處理後執行。

再者，第15圖的流程圖中的步驟S300-S340的處理分別對應於第13圖的流程圖中的步驟S200-S280，第16圖的流程圖中的步驟S345-S365的處理分別對應於第11圖的流程圖中的步驟S140-S180。亦即，於根據本實施方式3之切斷裝置10Y中，控制部500Y於步驟S315中進行主軸部110的高度位置的第1次調整，於步驟S335中進行主軸部110的高度位置的第2次調整，於步驟S360中進行主軸部110的高度位置的第3次調整。

＜ 3-3. 特徵＞ 如上所述，於根據本實施方式3之切斷裝置10Y中，控制部500Y控制主軸部110，以基於由測定器400測得之對象物（修整板600及非產品區NPT1）的高度位置，於對象物（修整板600及非產品區NPT1）上形成臨時溝。並且，控制部500Y控制主軸部110，基於由測定器400測得之臨時溝部分的高度位置調整主軸部110的高度位置，然後基於由測定器400測得之工件W1的上表面的複數個部位之各者的高度位置，於工件W1的產品區PT1上形成溝槽。

根據該切斷裝置10Y，由於各構件的高度位置由測定器400測定，因此能夠適當地控制主軸部110的高度位置。進而，根據該切斷裝置10Y，由於基於臨時溝的高度位置進一步調整主軸部110的高度位置，因此能夠更適當地控制主軸部110的高度位置。其結果為，根據該切斷裝置10Y，能夠於工件W1上更確實地形成所需深度的溝槽。

[4. 其他實施方式 ] 上述實施方式的思想並不限於以上所說明之實施方式1-3。以下，針對可應用上述實施方式1-3的思想之其他實施方式的一例進行說明。

上述實施方式1-3中，主軸部110在箭頭XY方向上移動。然而，主軸部110亦可不必在箭頭XY方向上移動。例如，亦可為工件保持單元200在箭頭XY方向上移動，而並非主軸部110在箭頭XY方向上移動，藉此，將工件W1搬送至主軸部110的下方的切斷位置。

又，於上述實施方式1-3中，是藉由使用CCS區塊300（輔助構件的一例），來檢測主軸部110在高度方向上的控制座標原點。然而，主軸部110在高度方向上的控制座標原點亦可不必藉由使用CCS區塊300來進行檢測。主軸部110在高度方向上的控制座標原點亦可藉由例如使用檢測刀片101的接觸之觸控感測器（輔助構件的一例）等進行檢測。於任一例中，均基於輔助構件的導通狀態進行檢測。又，檢測控制座標原點時接觸輔助構件之部分並非必須為刀片101。例如，亦可為主軸部110的刀片101以外的部分接觸輔助構件。

又，上述實施方式中，於一個切斷品中包括一個半導體晶片C1。然而，亦可於一個切斷品中包括複數個半導體晶片C1。

又，本發明中的「對象物」是例如由刀片101切斷者。上述實施方式1中的「對象物」為工件W1的產品區PT1及非產品區NPT1，上述實施方式2中的「對象物」為工件W1的產品區PT1及修整板600，上述實施方式3中的「對象物」為工件W1的產品區PT1、非產品區NPT1及修整板600。然而，「對象物」並不限於該等寸象，亦可包括除此以外的對象。

以上，針對本發明的實施方式進行了示例性說明。即，為進行示例性說明，揭示了詳細說明及附圖。由此，於詳細說明及附圖所記載之構成要素中，可能包括並非解決問題所必需的構成要素。因此，雖該等非必需的構成要素記載於詳細說明及附圖中，但不應直接認定該等非必需的構成要素是必需要素。

又，上述實施方式於各個方面僅為本發明的例示。上述實施方式可於本發明的範圍內進行各種改良和變更等。即，於實施本發明時，可根據實施方式適當採用具體的構造。

10,10A,10X,10Y:切斷裝置 100:切斷單元 101,101A:刀片 102,102A:主軸部主體 103,104:滑塊 105:支撐體 110,110A:主軸部 200:工件保持單元 201,201A:切斷台 202,202A:橡膠件 300,300A:CCS區塊 400:測定器 500,500X,500Y:控制部 600:修整板 C1:半導體晶片 G1,G2:導件 GR1:臨時溝 H1,H2,H3:高度 NPT1:非產品區 P1:位置 PT1:產品區 S100-S180,S200-S290,S300-S365:步驟 W1:工件 X,Y,Z:箭頭 θ:方向

第1圖是示意性地表示根據實施方式1之切斷裝置的一部分的平面之圖。第2圖是示意性地表示切斷裝置的一部分的正面的圖。第3圖是用以說明作為比較對象之切斷裝置中的主軸部在高度方向上的控制座標原點的檢測順序的圖。第4圖是用以說明作為比較對象之切斷裝置中的主軸部的高度位置的調整順序的圖。第5圖是用以說明切斷裝置中的CCS(Contact Cutter Set；接觸刀具組)區塊的高度位置的測定方法之圖。第6圖是用以說明切斷裝置中的工件的高度位置的測定方法之圖。第7圖是用以說明待測定高度位置之部位的一例之圖，且是表示自工件W1的基板面側觀察到的情況之圖。第8圖是用以說明於非產品區形成臨時溝之順序之圖。第9圖是用以說明臨時溝的高度位置的測定方法之圖。第10圖是用以說明切斷裝置中的溝槽的形成順序之圖。第11圖是表示根據實施方式1之切斷裝置中的溝槽的形成順序之流程圖。第12圖是示意性地表示根據實施方式2之切斷裝置的一部分的平面之圖。第13圖是表示根據實施方式2之切斷裝置中的溝槽的形成順序之流程圖。第14圖是示意性地表示根據實施方式3之切斷裝置的一部分的平面之圖。第15圖是表示根據實施方式3之切斷裝置中的溝槽的形成順序之第1流程圖。第16圖是表示根據實施方式3之切斷裝置中的溝槽的形成順序之第2流程圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

S100-S180:步驟

Claims

一種切斷裝置，其包括：主軸部，其可調整高度位置且安裝有刀片，該刀片構成為將包括工件之對象物加以切斷；控制部，其構成為控制該主軸部；及，測定器，其構成為測定該對象物的上表面的高度位置；並且，該控制部控制該主軸部，以基於由該測定器測得之該對象物的高度位置，於該對象物上形成臨時溝，該控制部控制該主軸部，以基於由該測定器測得之該臨時溝部分的高度位置，來調整該主軸部的高度位置，然後基於由該測定器測得之該工件的上表面的複數個部位之各者的高度位置，於該工件上形成溝槽；其中，該臨時溝形成於用於該刀片的修整之修整板上。
一種切斷裝置，其包括：主軸部，其可調整高度位置且安裝有刀片，該刀片構成為將包括工件之對象物加以切斷；控制部，其構成為控制該主軸部；測定器，其構成為測定該對象物的上表面的高度位置；複數個切斷台；及，輔助構件，其數量少於該切斷台的數量；並且，該控制部控制該主軸部，以基於由該測定器測得之該對象物的高度位置，於該對象物上形成臨時溝，該控制部控制該主軸部，以基於由該測定器測得之該臨時溝部分的高度位置，來調整該主軸部的高度位置，然後基於由該測定器測得之該工件的上表面的複數個部位之各者的高度位置，於該工件上形成溝槽；該工件在由該複數個切斷台中之任一者所保持之狀態下被切斷，藉由使該主軸部接觸該輔助構件，而進行該主軸部在高度方向上的基準位置的檢測。
如請求項1或2所述之切斷裝置，其中，該控制部控制該主軸部，以基於該工件的上表面的複數個部位之各者的高度位置，一邊調整該主軸部的高度位置並一邊形成該溝槽。
如請求項1或請求項2所述之切斷裝置，其中，該臨時溝形成於該工件的非產品部分上，該溝槽形成於該工件的產品部分上。
如請求項4所述之切斷裝置，其中，該工件包括複數個半導體晶片，該非產品部分不包括該半導體晶片。
如請求項1或請求項2所述之切斷裝置，其中，該工件為經樹脂成形之基板。
一種切斷品的製造方法，其使用如請求項1至請求項6中任一項所述之切斷裝置，且包括：第1測定工序，其測定該對象物的上表面的高度位置；第1溝槽形成工序，其基於該第1測定工序中的測定結果，於該對象物上形成臨時溝；第2測定工序，其測定該臨時溝部分的高度位置；調整工序，其基於該第2測定工序中的測定結果，調整該主軸部的高度位置；及，第2溝槽形成工序，其於該調整工序之後，基於該工件的上表面的複數個部位之各者的高度位置的測定結果，於該工件上形成溝槽。