JPH11345785A - ダイシング方法およびダイシング装置 - Google Patents

ダイシング方法およびダイシング装置

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JPH11345785A
JPH11345785A JP15409998A JP15409998A JPH11345785A JP H11345785 A JPH11345785 A JP H11345785A JP 15409998 A JP15409998 A JP 15409998A JP 15409998 A JP15409998 A JP 15409998A JP H11345785 A JPH11345785 A JP H11345785A
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JP
Japan
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blade
dicing
flatness
chuck table
cutting
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Application number
JP15409998A
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English (en)
Inventor
Shinichi Sakurada
伸一 桜田
Kazuhito Fujita
一仁 藤田
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Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイシングによる切り残し厚さの一定化を図
る。 【解決手段】 テープに貼り付けたウエハをチャックテ
ーブルの載置面上に保持させた後、回転するブレードを
前記載置面に沿って移動させて前記ウエハを所定深さ切
断するとともに、前記切断に先立って前記ブレードのセ
ット位置を測定し、この測定によるブレードセット位置
データに基づいてブレードの切断位置の高さを補正して
切断を行うダイシング方法であって、前記チャックテー
ブルの載置面の平面度を測定した後、前記測定による測
定データ(平面度データ)に基づいて前記ブレードの切
断深さを制御しながら切断する。前記ブレードを支持す
るスピンドルまたはスピンドルと共に移動する部材に着
脱自在に直接または間接的に取り付けられる平面度計測
器によって前記チャックテーブルの載置面の平面度を測
定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はダイシング方法およ
びダイシング装置(ダイソータ)に関し、特に半導体装
置の製造において半導体ウエハを切断して半導体チップ
(半導体素子)を製造するダイシング技術に適用して有
効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造において、所定の回路
が縦横に整列配置形成された半導体基板(半導体ウエハ
または単にウエハ)を縦横に切断して半導体素子(半導
体チップ)を製造する工程がある。このチップ化におい
てダイシング装置が使用される。ダイシング装置につい
ては、たとえば、工業調査会発行「電子材料」1996年7
月号、P45〜P50や同誌1997年11月別冊号、P23〜P28
に記載されている。
【0003】これらの文献には、重量が重くなる300
mmウエハに対応するダイシング技術について記載され
ている。また、これらの文献には、ウエハを支持するテ
ープの途中までを切断してウエハを完全に切断するフル
カットと、ウエハをその厚さの途中深さまで切断するハ
ーフカット、二段切断であるステップカット,ベベルカ
ット、さらには平行に配列された2枚のブレードで同時
に切断を行うデュアルカットについて記載されている。
【0004】また、前記文献と同一機種を示すカタログ
であるが、株式会社ディスコ発行のカタログ「600serie
s FULLY AUTOMATIC DICING SAW」、カタログNo.1997.1
1.2000には、ブレードのセット位置を測定する非接触セ
ットアップ(手段)が開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ダイシング装置のチャ
ックテーブルは被加工物であるウエハの大型化によって
順次大型化している。このため、ウエハが載置されるチ
ャックテーブルの大きさもウエハの大口径化に伴って大
口径化する。
【0006】チャックテーブルの大口径化により、チャ
ックテーブルのウエハを載置する載置面の平面度(平坦
度)が悪くなり、以下のような問題が発生することが判
明した。
【0007】半導体装置製造におけるウエハの切断にお
いて、ウエハを完全に切断することなく、所定深さ切断
して一定の切り残し厚さ(切り残し量)を得るような切
断(たとえばセミフルカットと呼称)があるが、ウエハ
を載置するチャックテーブルの載置面のバラツキが大き
いと、載置面に真空吸着によって保持されたウエハも前
記チャックテーブルの載置面に沿うことから、前記切り
残し量にもバラツキが発生する。
【0008】ダイシングに先立ってウエハは、ウエハキ
ャリア治具のテープに張りつけられる。そして、このウ
エハキャリア治具が前記載置面に取り付けられてセミフ
ルカットが行われる。セミフルカット後前記ウエハキャ
リア治具はチップボンディング装置のチップ供給装置に
置かれる。
【0009】チップボンディング装置では、コレットに
よってウエハキャリア治具から半導体チップを一つづつ
取り外して所定の場所に供給する。すなわち、ウエハキ
ャリア治具に対し、テープの下方から突き上げピンが上
昇して、縦横に延在するダイシング溝に囲まれる矩形の
チップ部分を突き上げる。この突き上げ力によってダイ
シング溝の底の切り残し部分は破断し、半導体チップと
なる。この半導体チップをウエハキャリア治具の上方か
ら降下するコレットの下端に真空吸着保持する。
【0010】このような半導体チップのピックアップ動
作において、切り残し量に大きなバラツキがあると、厚
い部分での破断が不完全となり、半導体チップが一部で
テープに付着するため、傾斜してコレットでの保持がで
きない場合があり、チップボンディング不良を起こして
しまう。また、破断がダイシング溝底で同時に進まず、
部分的に大きな力が働いて半導体チップが欠けたり(チ
ッピング)、クラックが発生し不良チップとなる場合も
ある。
【0011】現状では、たとえば、ウエハの直径は8イ
ンチから12インチに移行しつつある。従来の8インチ
ウエハ用チャックテーブルの上面の平面度は8μm程度
のバラツキがあるが、12インチ対応チャックテーブル
の場合の平面度のバラツキは15μm以上となり、セミ
フルカットにおける現状の切り残し厚さのバラツキを、
たとえば±10μmに抑えるのは困難になる。
【0012】また、切り残し量のバラツキが大きいと、
切り残し部分での破断が円滑に行われなくなり、半導体
チップにクラックが発生し、半導体素子が機能しなくな
る致命的な不良となるとともに、その時点では不良とし
て排除されなくても組み込まれた半導体装置の信頼性を
低くすることになる。
【0013】また、本出願人においては、切り残し量の
設定は、ウエハを1枚ダイシングした後、ウエハ上の複
数点での切り残し厚さを顕微鏡で測定し、平均値を算出
して条件設定をしている。しかし、このような方法は、
顕微鏡による測定のためダイシングの段取り時間が掛か
り過ぎる嫌いがある。
【0014】本発明の目的は、チャックテーブルの載置
面の平面度に対応して切断深さを追随させて切断を行う
ことができるダイシング方法およびダイシング装置を提
供することにある。
【0015】本発明の他の目的は、被加工物の切断に先
立ってブレードのセット位置を測定し、このブレードセ
ット位置データに基づいてブレードの切断位置の高さを
補正して切断を行うダイシングにおいて、被加工物を載
置するチャックテーブルの載置面の平面度に対応して切
断深さを追随させて切断を行うことができるダイシング
方法およびダイシング装置を提供することにある。
【0016】本発明の他の目的は、半導体装置の製造に
おけるチップボンディング時に、半導体チップのピック
アップ動作が確実に行えるように半導体ウエハをダイシ
ングできる技術を提供することにある。
【0017】本発明の他の目的は、ダイシングの段取り
時間の短縮が図れるダイシング技術を提供することにあ
る。
【0018】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【0019】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0020】(1)被加工物をチャックテーブルの載置
面上に保持させた後、回転するブレードを前記載置面に
沿って移動させて前記被加工物を完全にまたは所定深さ
切断するとともに、前記切断に先立って前記ブレードの
セット位置を測定し、この測定によるブレードセット位
置データに基づいてブレードの切断位置の高さを補正し
て切断を行うダイシング方法であって、前記チャックテ
ーブルの載置面の平面度を測定した後、前記測定による
測定データ(平面度データ)に基づいて前記ブレードの
切断深さを制御しながら切断する。前記ブレードを支持
するスピンドルまたはスピンドルと共に移動する部材に
着脱自在に直接または間接的に取り付けられる平面度計
測器によって前記チャックテーブルの載置面の平面度を
測定する。フレキシブルなテープ上に半導体装置製造用
の半導体ウエハを貼り付けた後、前記テープを前記チャ
ックテーブルの載置面に保持させて前記半導体ウエハを
切断する。
【0021】このような切断を行うダイシング装置は以
下の構成になっている。
【0022】被加工物を載置面に保持するチャックテー
ブルと、前記チャックテーブルに保持される被加工物を
切断するブレードを有するダイシング手段と、前記ブレ
ードのセット位置を測定するブレードセット位置測定手
段と、前記ダイシング手段等を制御する制御処理部とを
有するダイシング装置であって、前記ブレードを支持す
るスピンドルまたはスピンドルと共に移動する部材に直
接または間接的に取り付けられる着脱自在の平面度測定
手段を有し、前記制御処理部は前記平面度測定手段によ
る平面度データおよび前記ブレードセット位置測定手段
によるブレードセット位置データに基づいて前記スピン
ドルの高さを制御しながら前記被加工物を切断させるよ
うに構成されている。前記平面度測定手段は光学的手段
または前記チャックテーブルまたは被加工物に接触する
機械的手段で構成されている。
【0023】前記(1)の手段によれば、(a)チャッ
クテーブルの載置面の平面度を測定した後、その後前記
測定による測定データ(平面度データ)に基づいて前記
ブレードの切断深さを制御しながら切断することから、
テープに貼り付けられた半導体ウエハのダイシングによ
る切り残し量は、チャックテーブルの載置面の平面度如
何によらず一定になる。
【0024】(b)切断に先立って前記ブレードのセッ
ト位置を測定し、この測定によるブレードセット位置デ
ータに基づいてブレードの切断位置の高さを補正すると
ともに、前記平面度データに基づいてブレードの切断深
さを制御しながら切断することから、常に切り残し量の
一定化が図れる。
【0025】(c)前記(a),(b)のように、切り
残し量が一定になることから、チップボンディング工程
において半導体チップのピックアップ不良が発生しなく
なり、半導体装置の製造歩留りが向上する。
【0026】(d)前記(a),(b)のように、切り
残し量が一定になることから、前記ピックアップ時の破
断において切り残し部分の各部は均一な破断となり、半
導体チップにクラックやチッピングが発生しなくなる。
したがって、このような半導体チップを組み込んだ半導
体装置の信頼性が高くなる。
【0027】(e)ブレードセット位置測定およびチャ
ックテーブルの載置面の平面度測定はブレードセット位
置測定手段および平面度測定手段を使用して測定できる
ことから、両測定時間の短縮が可能になり、ダイシング
の段取り時間の短縮が図れ、半導体装置の製造コストの
低減が可能になる。
【0028】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0029】(実施形態1)図1乃至図8は本発明の一
実施形態(実施形態1)であるダイシング方法およびダ
イシング装置に係わる図である。
【0030】本実施形態1のダイシング方法およびダイ
シング装置について説明する前に、図1(a),(b)
を参照しながら本発明の平面度測定について説明する。
【0031】図1(a)に示すように、チャックテーブ
ル1の上面のウエハ6〔図1(b)参照〕を載置する載
置面20の平面度(平坦度)を測定するため、スピンド
ル4の先端に平面測定治具3を取り付ける。
【0032】図1(b)はダイシング時の構成であり、
スピンドル4の先端にはブレード7が固定されている。
また、チャックテーブル1の載置面にはウエハキャリア
治具5が載置されている。ウエハキャリア治具5は、リ
ング状の治具本体21と、この治具本体21に取り付け
られたテープ(ダイシングテープ)11とで構成されて
いる。前記テープ11は粘着性の薄いフィルム(フレキ
シブル)からなっている。前記テープ11の上面にはウ
エハ6が貼り付けられている。
【0033】ここで、説明の便宜上、載置面20に沿う
ダイシング方向をX方向とし、これに直交する方向をY
方向(スピンドル4の延在方向)とする。また、XY面
に直交する上下方向をZ方向とする。
【0034】本発明では、図1(a)に示すように、ス
ピンドル4をチャックテーブル1に対して高さ設定した
後、スピンドル4をX方向に移動させてチャックテーブ
ル1の載置面20の平面度(平坦度)を平面測定治具3
によって測定する。図1(a)の下方に示すグラフはX
方向における各位置の平面バラツキ量(平面度)を示す
測定波形である。平面度測定はスピンドル4をY方向に
所定のピッチ移動させて順次行われる。
【0035】これらの測定データ(平面度データ)は、
後述する制御手段の記憶装置にメモリされる。
【0036】平面度測定後は前記平面測定治具3をスピ
ンドル4から取り外し、図1(b)に示すようにスピン
ドル4にブレード7を固定する。また、チャックテーブ
ル1の載置面上にウエハ6が固定されたウエハキャリア
治具5を真空吸着によって保持させる。
【0037】つぎに、ウエハのダイシングを開始する。
この際、前記平面度データに基づいて前記ブレード7の
高さ(切断深さ)を制御しながら切断する。図1(b)
の下方に示すグラフはX方向におけるブレード7の高さ
を制御するZ制御波形であり、図1(a)の測定波形に
一致している。この結果、ダイシングによるウエハにお
ける切り残し厚さは一定になる。
【0038】また、従来のダイシング装置には、オプシ
ョンとしてブレードセット位置測定手段(非接触セット
アップ)を配備することができる。このブレードセット
位置測定手段は、チャックテーブル1のテープ11の端
部分にセットされ、この位置にブレードを移動させ、新
たなブレードを取り付けた際のブレードセット位置を測
定したり、ブレードの磨耗によるブレードセット位置を
測定する際に使用される。
【0039】前記ブレードセット位置データに基づき、
ブレードの高さ、すなわちスピンドルの高さを補正しダ
イシングを行う。
【0040】本発明は、このようなデータ(ブレードセ
ット位置データ)をも含んでダイシング条件を設定して
ダイシングを行うこともできる。
【0041】平面測定治具3は、後述するように光学的
手段(光学的構成)または前記被加工物に接触する機械
的手段(機械的構成)で構成される平面度測定器(平面
度測定手段)を有している。この平面測定治具3は、前
述のように前記ブレードを支持するスピンドルまたはス
ピンドルと共に移動する部材に着脱自在に直接または間
接的に取り付けられる。
【0042】つぎに本実施形態1のダイシング装置およ
びダイシング方法について、半導体装置の製造方法に適
用した例で説明する。本実施形態1のダイシング装置4
0は、一部を透視した図2に示す模式的斜視図に示すよ
うな構造になっている。本実施形態1のダイシング装置
40は、市販の装置に本発明に係わる構成部分を組み込
んだものである。
【0043】ダイシング装置40は、装置本体41の中
央前面側にチャックテーブル1を配置し、その後方にス
ピンナ部42を配置した構造になっている。スピンナ部
42ではダイシング後のウエハをスピンナ洗浄する。チ
ャックテーブル1はその下方に配置される図示しない送
り機構によってX方向に移動制御される。
【0044】前記チャックテーブル1の右側にはエレベ
ータ部43が設けられている。このエレベータ部43の
エレベータステージ44上には、図示はしないがウエハ
キャリア治具が多段に収容されたカセットが載置され
る。ウエハキャリア治具はエレベータ部43の後方に設
けられたプッシュプルアーム部45の後退動作によって
カセットから受け部46に引き出され、プッシュプルア
ーム部45の前進動作によって受け部46からカセット
に収容されるようになっている。
【0045】前記チャックテーブル1と受け部46との
間のウエハキャリア治具の移送は、回転アーム機構47
によって行われる。回転アーム機構47は、回転軸48
を中心に回転する回転アーム49の一部に設けた複数の
吸着パッド50でウエハキャリア治具を真空吸着保持す
る。
【0046】チャックテーブル1とスピンナ部42間の
ウエハキャリア治具(ウエハ)の移送は直動アーム51
で行われる。直動アーム51は、Y方向に駆動制御され
るY方向移送機構52と、このY方向移送機構52から
側方に延在する支持アーム53と、この支持アーム53
の先端の下面に取り付けられかつZ方向に駆動制御され
る昇降アーム54と、この昇降アーム54の下端に固定
されかつウエハキャリア治具を真空吸着保持するチャッ
ク55とからなっている。
【0047】したがって、前記チャック55は、Y方向
移送機構52によってY方向に移動するとともに昇降ア
ーム54によってZ方向に移動し、チャックテーブル1
とスピンナ部42間のウエハキャリア治具の移送を行
う。
【0048】ダイシング装置40は2軸構成となり、平
行に延在する2本のスピンドル4a,4bを有する。2
本のスピンドル4a,4bはそれぞれ昇降駆動機構56
a,56bによって昇降制御される。各スピンドル4
a,4bを支持する支持部材や昇降駆動機構56a,5
6b等は可動ブロック57に取り付けられている。この
可動ブロック57は可動ブロック57をY方向に駆動制
御するY軸駆動機構58に支持されている。
【0049】チャックテーブル1はX方向に移動されて
スピンドル4a,4bの先端部分の下方に位置してダイ
シングが行われる。図2ではスピンドル4a,4bの先
端からブレードを取り外してある。
【0050】装置本体41の上部はカバー59で覆われ
ている。また、前部は一部が開閉カバー60となってい
る。
【0051】装置本体41の左側上部には流量計パネル
61が組み込まれている。また、左側後方にはダイシン
グ状態等を観察できるモニタテレビ62が配置されてい
る。さらに、前面中央には操作パネル97が設けられて
いる。
【0052】このようなダイシング装置40において、
図5および図6に示すように、スピンドル4a,4bの
うちの一方のスピンドル4には、前述のように平面測定
治具3が着脱自在に取り付けられる。
【0053】図3は、チャックテーブル1と、このチャ
ックテーブル1の上方に位置するスピンドル4等を示す
図である。スピンドル4は、図6に示すように、スピン
ドルガイド70の先端から先端を突出させるとともに、
この先端は段付き軸になり、先端の細い軸部分はテーパ
軸65となっている。前記テーパ軸65にはホイールマ
ウント66が固定されている。ホイールマウント66に
はブレード(ハブブレード)7が嵌合され、かつこのハ
ブブレード7は固定ナット9でホイールマウント66に
固定されている。
【0054】また、スピンドル4の先端部分やブレード
7等のダイシングヘッド部分は、ダイシング等に支障が
生じないような構造のスピンドルホイールカバー10に
よって覆われている。前記スピンドルホイールカバー1
0はスピンドルガイド70に固定されている。
【0055】平面測定治具3は、図5に示すように、ス
ピンドルホイールカバー10にボルト67を介して固定
される。固定に際しては、図3に示すボルト68をスピ
ンドルホイールカバー10から取り外し、そのネジ穴を
利用して固定する。
【0056】また、平面測定治具3のスピンドル4の先
端に対面する部分には、図6に示すように、突出した円
錐からなる支軸71が突出形成されていて、この支軸7
1の先端が前記テーパ軸65の先端面に接触するように
なっている。この接触部と前記ボルト67による固定と
によって、平面測定治具3は高精度の位置を有して再現
性良くスピンドル4に取り付けられる。なお、平面測定
治具3を直接スピンドル4に固定するような構造にして
もよい。
【0057】本実施形態1では、平面測定治具3は光学
的構成の平面度測定器(平面度測定手段)72が組み込
まれている。平面度測定器72は、図5に示すように、
発光器12,投光レンズ13,受光レンズ14,光位置
検出素子15で構成され、反射光を検出する配置になっ
ている。また、発光器12は、たとえば半導体レーザか
らなっている。発光器12から出射された投射光(レー
ザ光)16は投光レンズ13で集光されてチャックテー
ブル1の載置面20に照射される。載置面20で反射し
た反射光17は受光レンズ14によって光位置検出素子
15面に集光される。
【0058】発光器12の発光,光位置検出素子15に
よる測定データ等は、制御装置に接続されるケーブル7
3による電源供給や信号伝送によって行われる。
【0059】チャックテーブル1は、図4に示すよう
に、ダイレクトドライブモータ(DDモータ)74のテ
ーブルベース75上に載置される。テーブルベース75
の中央部分にはドーナツ状のセンターリング76が設け
られ、このセンターリング76にチャックテーブル1の
裏面に設けられた軸(図示せず)が挿入され、DDモー
タ74の駆動によって直接チャックテーブル1が回転す
るようになっている。なお、77はモータベース、78
は絶縁ベース、79は防水カバーである。
【0060】このような構造からチャックテーブル1の
交換は極めて容易である。
【0061】図7は本実施形態1のダイシング装置にお
ける平面度測定手段や制御手段等の概略を示すブロック
図である。
【0062】本実施形態1ではダイシング手段に前記平
面度測定手段が設けられている。また、ウエハの切断に
先立ってブレードのセット位置を測定するブレードセッ
ト位置測定手段も設けられている。
【0063】前記ブレードセット位置測定手段は、図7
に模式的に示すが、中間にブレード7の外周部分を臨ま
せることができる空間を有するハウジング82に、半導
体レーザからなる発光器80と光位置検出素子81を配
置し、スピンドル4の移動によって前記空間に位置させ
られたブレード7の下端を前記発光器80から出射され
たレーザ光83の光位置検出素子81への到達の有無,
到達位置等によって検出するようになっている。
【0064】制御手段は、制御処理部85,演算処理回
路86,記憶装置87,前記平面度測定手段の発光器1
2を駆動するレーザ駆動回路88,前記平面度測定手段
の光位置検出素子15からの測定情報から結像位置を算
出する結像位置算出回路89,前記ブレードセット位置
測定手段の発光器80を駆動するレーザ駆動回路90,
前記ブレードセット位置測定手段の光位置検出素子81
からの測定情報からブレードセット位置を算出するブレ
ードセット位置算出回路91,前記ダイシング手段を制
御するダイシングコントローラ92等を有している。
【0065】制御処理部85の命令により演算処理回路
86は前記結像位置算出回路89やブレードセット位置
算出回路91による情報や記憶装置87に記憶されてい
る情報から、平面度データやブレードセット位置データ
(スピンドルZ制御データ)を求め、たとえば、記憶装
置87のメモリ1に平面度データを記憶し、メモリ2に
ブレードセット位置データを記憶する。
【0066】ダイシング時には、スピンドル4にブレー
ド7を取り付けた後、前記ブレードセット位置データか
らスピンドル4の高さを設定し、その後は前記平面度デ
ータに基づいてスピンドル4の高さを制御しながらダイ
シングを行いウエハ6のセミフルカットを行う。これに
より、ダイシング部分の切り残し厚さ(切り残し量)は
常に所定の厚さになる。
【0067】繰り返すことになるが、前記測定とダイシ
ングを行う作業を、図8に示すフローチャートと前記説
明の構成部分を使用して説明する。
【0068】スピンドルホイールカバー10に平面測定
治具3を取り付けた後、平面度測定(ステップ301)
を行う。この測定情報に基づいて演算処理回路86で平
面度データを求め(ステップ302)、この平面度デー
タを記憶装置87に記憶させる(ステップ303)。平
面度測定を終了した後は、スピンドルホイールカバー1
0から平面測定治具3を取り外す。
【0069】一方、前記平面度測定の前後に、ブレード
7をブレードセット位置測定手段にまで移動させてブレ
ードセット位置を測定する(ステップ401)。発光器
80および光位置検出素子81を有するハウジング82
は、たとえばブレードセット位置を測定するごとにチャ
ックテーブル1の所定箇所に高精度に固定する。
【0070】前記ブレードセット位置の測定情報に基づ
いて演算処理回路86でブレードセット位置データ(ス
ピンドルZ制御データ)を求め(ステップ402)、こ
のブレードセット位置データを記憶装置87に記憶させ
る(ステップ403)。
【0071】ダイシングに先立って、チャックテーブル
1の載置面20にウエハ6を取り付けたウエハキャリア
治具5を真空吸着保持させる。
【0072】つぎに、制御処理部85によって記憶装置
87から平面度データやブレードセット位置データを始
めとするダイシングに必要なデータを読み出すデータフ
ィードバック処理(ステップ501)を行い、ダイシン
グを行う(ステップ502)。このダイシングでは、ス
ピンドルZ制御を始めとし、ダイシングに必要な各種の
制御がなされる。
【0073】ウエハ6を縦横にセミフルカットして一枚
のウエハのダイシングを終了する(ステップ503)。
【0074】この際、ダイシング条件によっては、セミ
フルカット以外のフルカット,ハーフカット等が行える
ことは勿論である。
【0075】本実施形態1のダイシング方法およびダイ
シング装置によれば、以下の効果を奏する。
【0076】(1)チャックテーブル1の載置面20の
平面度を測定した後、その後前記測定による測定データ
(平面度データ)に基づいてブレード7の切断深さを制
御しながら切断することから、ウエハキャリア治具5の
テープ11に貼り付けられたウエハ6のダイシングによ
る切り残し量(切り残し厚さ)は、チャックテーブル1
の載置面20の平面度如何によらず一定になる。
【0077】(2)切断に先立ってブレード7のセット
位置を測定し、この測定によるブレードセット位置デー
タに基づいてブレード7の切断位置の高さを補正すると
ともに、前記平面度データに基づいてブレード7による
切断深さを制御しながら切断することから、常に切り残
し厚さの一定化が図れる。
【0078】(3)前記(1),(2)のように、切り
残し量が一定になることから、半導体装置製造における
チップボンディング工程において、半導体チップのピッ
クアップ時、ダイシング溝底の厚さが均一であることか
ら破断が確実になり、ピックアップ不良が発生しなくな
り、半導体装置の製造歩留りが向上する。
【0079】(4)前記(1),(2)のように、切り
残し量が一定になることから、前記ピックアップ時のダ
イシング溝底の破断が均一になり、部分的に大きな力が
加わって半導体チップクラックやチッピングが発生しな
くなる。したがって、このような半導体チップを組み込
んだ半導体装置の品質の向上が図れ信頼性が向上する。
【0080】(5)ダイシング装置は、ブレードセット
位置測定およびチャックテーブル1の載置面20の平面
度測定がブレードセット位置測定手段および平面度測定
手段を使用して測定できることから、両測定時間の短縮
が可能になり、ダイシングの段取り時間の短縮が図れ
る。したがって、半導体装置の製造コストの低減が可能
になる。
【0081】(実施形態2)図9および図10は本発明
の他の実施形態(実施形態2)であるダイシング方法に
おける平面度測定に係わる図であり、図9は平面度測定
状態を示す模式図、図10は測定によるウエハの平面バ
ラツキを示す図である。
【0082】本実施形態2の場合は、チャックテーブル
1の載置面20の平面度を直接測定せずに、チャックテ
ーブル1の載置面20にウエハキャリア治具5を真空吸
着保持させた状態でウエハ6の平面度を測定するもので
ある。
【0083】ウエハの大口径化によって、ウエハの厚さ
バラツキが増大するとともに、ウエハの反り等も発生し
ている。ウエハ6はテープ11を介して載置面20に真
空吸着されているが、載置面20の各部で完全に密着保
持されているとは限らない。そこで、本実施形態2では
チャックテーブル1に取り付けられたウエハ6の平面度
を測定する。この平面度測定は前記実施形態1の場合と
全く同様であることからその説明は省略する。
【0084】図10はチャックテーブル(図示せず)に
取り付けられたウエハキャリア治具5と、そのウエハキ
ャリア治具5に支持されているウエハ6における平面度
のバラツキを示す図である。ウエハ6のx1,x2,x
3およびy1,y2,y3における平面バラツキは、下
方の図で示すように上下にうねっていることが分かる。
【0085】本実施形態1によれば、チャックテーブル
1の載置面20の平面度とウエハの厚さバラツキやうね
りを含んだ、ダイシング状態のウエハの平面度データが
得られることから、セミフルカットのように切り残し厚
さを一定にするダイシングあるいは、切断深さを一定に
するダイシングにおいて一層高精度のダイシングが可能
になる。
【0086】本実施形態1においては、ダイシング時に
平面測定治具3を取り外さなくても良い構造にすれば、
ウエハ毎の平面度測定とダイシングが可能である。
【0087】また、同一ロットの場合では、ウエハの厚
さバラツキやうねりの傾向は近似することから、同一ロ
ットのウエハから数枚のウエハを選び、その平面度デー
タからダイシング条件を設定して、ウエハのダイシング
を行う方法でもよい。
【0088】(実施形態3)図11は本発明の他の実施
形態(実施形態3)であるダイシング装置における平面
度測定状態を示す模式図である。
【0089】本実施形態3は、平面測定治具3に取り付
けられる平面度測定手段(平面度測定器)72は、チャ
ックテーブルまたは被加工物に接触する機械的手段で構
成されている。たとえば、前記平面度測定器72は圧力
センサ95で構成されている。圧力センサ95の出入す
るピン96の先端をチャックテーブル1の載置面20に
接触させながらX方向またはY方向に移動させることに
よって、前記実施形態1の場合と同様に載置面20の平
面度測定を行うことができる。
【0090】ウエハの場合は、シリコンや化合物半導体
であることから、接触させて平面度測定を行うことは問
題があるが、被加工物が接触によって損傷を受けないも
のならば被加工物の直接測定が可能になる。
【0091】本実施形態3のように、平面度測定器72
が機械的手段で構成されている場合でも、前記実施形態
1および前記実施形態2と同様の効果を奏することがで
きる。
【0092】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0093】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
ウエハのダイシング技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではない。本発明はブレー
ドで被加工物を切断する技術には適用できる。
【0094】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0095】(1)ダイシング装置のチャックテーブル
の載置面の平面度を測定した後、その後前記測定による
測定データに基づいて前記ブレードの切断深さを制御し
ながら切断することから、テープに貼り付けられた半導
体ウエハのダイシングによる切り残し量は、チャックテ
ーブルの載置面の平面度如何によらず一定になる。
【0096】(2)切断に先立って前記ブレードのセッ
ト位置を測定し、この測定によるブレードセット位置デ
ータに基づいてブレードの切断位置の高さを補正すると
ともに、前記平面度データに基づいてブレードの切断深
さを制御しながら切断することから、常に切り残し量の
一定化が図れる。
【0097】(3)前記(1),(2)のように、切り
残し量が一定になることから、前記ピックアップ時、ダ
イシング溝底の破断が均一になり、破断は同時に進み、
半導体チップ部分にクラックやチッピングが発生した
り、ピックアップ不良が発生することもない。したがっ
て、この半導体チップを組み込んだ半導体装置の品質・
信頼性の向上が図れるとともに半導体装置の製造コスト
の低減が図れる。
【0098】(4)ブレードセット位置測定およびチャ
ックテーブルの載置面の平面度測定はブレードセット位
置測定手段および平面度測定手段を使用して測定できる
ことから、両測定時間の短縮が可能になり、ダイシング
の段取り時間の短縮が図れ、半導体装置の製造コストの
低減が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態(実施形態1)であるダイ
シング方法を示す模式図である。
【図2】本実施形態1のダイシング装置の透視した模式
的斜視図である。
【図3】本実施形態1のダイシング装置のダイシングヘ
ッド部分の正面図である。
【図4】本実施形態1のダイシング装置のチャックテー
ブルとその支持構造を示す一部を断面とした斜視図であ
る。
【図5】本実施形態1のダイシング装置のダイシングヘ
ッド部分に平面度測定治具が取り付けられた状態を示す
正面図である。
【図6】本実施形態1のダイシング装置のダイシングヘ
ッド部分に平面度測定治具が取り付けられた状態を示す
側面図である。
【図7】本実施形態1のダイシング装置の概略を示すブ
ロック図である。
【図8】本実施形態1のダイシング方法の一部の作業工
程を示すフローチャートである。
【図9】本発明の他の実施形態(実施形態2)であるダ
イシング方法における平面度測定状態を示す模式図であ
る。
【図10】本実施形態2のダイシング方法における平面
度測定によるウエハの平面バラツキを示す図である。
【図11】本発明の他の実施形態(実施形態3)である
ダイシング装置における平面度測定状態を示す模式図で
ある。
【符号の説明】
1…チャックテーブル、2…測定端子、3…平面測定治
具、4,4a,4b…スピンドル、5…ウエハキャリア
治具、6…ウエハ、7…ブレード(ハブブレード)、8
…ホイールマウント、9…固定ナット、10…スピンド
ルホイールカバー、11…ダイシングテープ、12…発
光器、13…投光レンズ、14…受光レンズ、15…光
位置検出素子、16…投射光、17…反射光、20…載
置面、21…治具本体、40…ダイシング装置、41…
装置本体、42…スピンナ部、43…エレベータ部、4
4…エレベータステージ、45…プッシュプルアーム
部、46…受け部、47…回転アーム機構、48…回転
軸、49…回転アーム、50…吸着パッド、51…直動
アーム、52…Y方向移送機構、53…支持アーム、5
4…昇降アーム、55…チャック、56a,56b…昇
降駆動機構、57…可動ブロック、58…Y軸駆動機
構、59…カバー、60…開閉カバー、61…流量計パ
ネル、62…モニタテレビ、65…テーパ軸、66…ホ
イールマウント、67,68…ボルト、70…スピンド
ルガイド、71…支軸、72…平面度測定器(平面度測
定手段)、73…ケーブル、74…ダイレクトドライブ
モータ(DDモータ)、75…テーブルベース、76…
センターリング、77…モータベース、78…絶縁ベー
ス、79…防水カバー、80…発光器、81…光位置検
出素子、82…ハウジング、83…単一光、85…制御
処理部、86…演算処理回路、87…記憶装置、88…
レーザ駆動回路、89…結像位置算出回路、90…レー
ザ駆動回路、91…ブレードセット位置算出回路、92
…ダイシングコントローラ、95…圧力センサ、96…
ピン、97…操作パネル。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被加工物をチャックテーブルの載置面上
    に保持させた後、回転するブレードを前記載置面に沿っ
    て移動させて前記被加工物を完全にまたは所定深さ切断
    するダイシング方法であって、前記チャックテーブルの
    載置面の平面度を測定した後、前記測定による測定デー
    タに基づいて前記ブレードの切断深さを制御しながら切
    断することを特徴とするダイシング方法。
  2. 【請求項2】 被加工物をチャックテーブルの載置面上
    に保持させた後、回転するブレードを前記載置面に沿っ
    て移動させて前記被加工物を完全にまたは所定深さ切断
    するとともに、前記切断に先立って前記ブレードのセッ
    ト位置を測定し、この測定によるブレードセット位置デ
    ータに基づいてブレードの切断位置の高さを補正して切
    断を行うダイシング方法であって、前記チャックテーブ
    ルの載置面の平面度を測定した後、前記測定による測定
    データに基づいて前記ブレードの切断深さを制御しなが
    ら切断することを特徴とするダイシング方法。
  3. 【請求項3】 前記ブレードを支持するスピンドルまた
    はスピンドルと共に移動する部材に着脱自在に直接また
    は間接的に取り付けられる平面度計測器によって前記チ
    ャックテーブルの載置面の平面度を測定することを特徴
    とする請求項1または請求項2に記載のダイシング方
    法。
  4. 【請求項4】 前記被加工物をフレキシブルな支持部材
    上に接着させた後前記支持部材を前記チャックテーブル
    の載置面に保持させて切断することを特徴とする請求項
    1乃至請求項3のいずれか1項に記載のダイシング方
    法。
  5. 【請求項5】 フレキシブルなテープ上に半導体装置製
    造用の半導体ウエハを貼り付けた後、前記テープを前記
    チャックテーブルの載置面に保持させて前記半導体ウエ
    ハを切断することを特徴とする請求項1乃至請求項3の
    いずれか1項に記載のダイシング方法。
  6. 【請求項6】 被加工物を載置面に保持するチャックテ
    ーブルと、前記チャックテーブルに保持される被加工物
    を切断するブレードを有するダイシング手段と、前記ダ
    イシング手段等を制御する制御処理部とを有するダイシ
    ング装置であって、前記ブレードを支持するスピンドル
    またはスピンドルと共に移動する部材に直接または間接
    的に取り付けられる着脱自在の平面度測定手段を有し、
    前記制御処理部は前記平面度測定手段による平面度デー
    タに基づいて前記スピンドルの高さを制御しながら前記
    被加工物を切断させるように構成されていることを特徴
    とするダイシング装置。
  7. 【請求項7】 被加工物を載置面に保持するチャックテ
    ーブルと、前記チャックテーブルに保持される被加工物
    を切断するブレードを有するダイシング手段と、前記ブ
    レードのセット位置を測定するブレードセット位置測定
    手段と、前記ダイシング手段等を制御する制御処理部と
    を有するダイシング装置であって、前記ブレードを支持
    するスピンドルまたはスピンドルと共に移動する部材に
    直接または間接的に取り付けられる着脱自在の平面度測
    定手段を有し、前記制御処理部は前記平面度測定手段に
    よる平面度データおよび前記ブレードセット位置測定手
    段によるブレードセット位置データに基づいて前記スピ
    ンドルの高さを制御しながら前記被加工物を切断させる
    ように構成されていることを特徴とするダイシング装
    置。
  8. 【請求項8】 前記平面度測定手段は光学的手段または
    前記チャックテーブルまたは被加工物に接触する機械的
    手段で構成されていることを特徴とする請求項6または
    請求項7に記載のダイシング装置。
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